JPH07240444A - Semiconductor chip test system - Google Patents

Semiconductor chip test system

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JPH07240444A
JPH07240444A JP5317694A JP5317694A JPH07240444A JP H07240444 A JPH07240444 A JP H07240444A JP 5317694 A JP5317694 A JP 5317694A JP 5317694 A JP5317694 A JP 5317694A JP H07240444 A JPH07240444 A JP H07240444A
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Abstract

PURPOSE:To test individual semiconductor chips in parallel prior to separation by forming a conductor film group and a wiring corresponding to individual bonding pads of a semiconductor chip on a supporting insulator and arranging electric contacts on the surface of the conductor film group. CONSTITUTION:A supporting insulator comprises insulating blocks 20 and a soft wiring board 40. Each block 20 is provided with a group of electric contacts 21,... corresponding, in number, to the pads of one semiconductor chip. The insulating blocks 20 move simultaneously or independently in the direction of the surface of a wafer 10 to support the electric contacts 21,... such that they can be brought into contact with a unit bonding pad group on the surface of the semiconductor chip 10 or separated. The electric contacts 21,... have wirings 22,... to be connected with the connection terminals on the back of each insulating block 20. An insulating block guide 30 is provided with a guide hole at a position corresponding to the insulating block 20. A driving group 50 drives the insulating block 20 in the direction of the wafer 10.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体チップの特性を
試験するための試験装置、さらに詳しく言えばウエハの
状態でチップに切断する前にチップのテストを行うこと
ができるようにプローブに改良を施した半導体チップ試
験装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a testing device for testing the characteristics of a semiconductor chip, and more particularly, to a probe for testing a chip before cutting into chips in a wafer state. The present invention relates to a semiconductor chip testing device.

【0002】[0002]

【従来の技術】ウエハの状態でチップの特性を試験、ウ
エハプローブテストをする半導体チップ試験装置が提案
され実施されている。半導体ICのバーンインテストま
たは加速エイジングテストについて多くの研究がなさ
れ、ウエハからチップを切り出してリードフレームに接
続しモールドしたものについてのバーンインテストはす
でに行われている。バーンインテストによりいわゆる初
期不良の問題を解決することができる。しかし完成の段
階で不良品を出すよりももっと早い段階で不良のチップ
を排除することができると無駄が少なくなる。またこの
バーンインテストにより得られたデータはただちに製造
工程の分析に利用できプロセスを改良するためのデータ
が得られる。そのためにウエハの状態でチップを切り出
す前にバーンインテストを行いたいという強い要請があ
る。例えば集積回路のウエハレベルのバーンイン試験の
発明(特開平3−86528号)は、スクラブレーンに
より分離された部分に接触パッドを設ける構成を提案し
ている。また半導体チップの選別方法および装置(特開
平3−38850号)の発明は、導電性ゴムシートを局
部的に加圧することにより、その部分を接点として利用
するプローブを提案している。
2. Description of the Related Art A semiconductor chip testing apparatus for testing chip characteristics in a wafer state and performing a wafer probe test has been proposed and implemented. Much research has been conducted on burn-in tests or accelerated aging tests of semiconductor ICs, and burn-in tests have been already performed on chips that are cut out from a wafer, connected to a lead frame, and molded. The so-called initial failure problem can be solved by the burn-in test. However, waste can be reduced if defective chips can be eliminated at an earlier stage than when defective products are produced. Further, the data obtained by this burn-in test can be immediately used for the analysis of the manufacturing process, and the data for improving the process can be obtained. Therefore, there is a strong demand to perform a burn-in test before cutting out chips in a wafer state. For example, the invention of a wafer-level burn-in test for an integrated circuit (Japanese Patent Laid-Open No. 3-86528) proposes a structure in which a contact pad is provided at a portion separated by a scrub lane. Further, the invention of a method and an apparatus for selecting semiconductor chips (Japanese Patent Laid-Open No. 3-38850) proposes a probe in which a conductive rubber sheet is locally pressed to utilize that portion as a contact.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】前述の発明のようにバ
ーンインテストをするための構造をウエハ側に設けるこ
とは、ウエハの利用率を下げるだけではなく工程が複雑
になる可能性がある。前記導電性ゴムシートを局部的に
加圧することにより、その部分を接点として利用するプ
ローブは極めて優れているが解決されるべき2〜3の問
題が残されている。すなわち、チップのパッドの全てに
対応する接点を同時に形成(オン)するのは分解精度か
ら言って問題がある。特定のチップを回路から分離した
いと思ってもチップごとにプローブを選択的に動作をさ
せることは困難である。また接点部分の接触抵抗を十分
に低くすることは容易ではない。本発明の目的はウエハ
に検査のための特段の構成を設けることなく、しかも個
々の半導体チップに分離する以前の状態で、同時並列的
に試験することができる半導体チップ試験装置を提供す
ることにある。本発明のさらに他の目的は、チップに対
応してプローブの接点動作を選択することができる半導
体チップ試験装置を提供することにある。
Providing the structure for performing the burn-in test on the wafer side as in the above-mentioned invention may not only reduce the utilization rate of the wafer but also complicate the process. By locally pressing the conductive rubber sheet, a probe using that portion as a contact is extremely excellent, but there are a few problems to be solved. That is, it is problematic in terms of disassembly accuracy to simultaneously form (turn on) the contacts corresponding to all the pads of the chip. Even if it is desired to separate a specific chip from the circuit, it is difficult to selectively operate the probe for each chip. Further, it is not easy to make the contact resistance of the contact portion sufficiently low. It is an object of the present invention to provide a semiconductor chip testing apparatus capable of performing simultaneous parallel testing without providing a special structure for inspection on a wafer and in a state before being separated into individual semiconductor chips. is there. Still another object of the present invention is to provide a semiconductor chip test apparatus capable of selecting a contact operation of a probe corresponding to a chip.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に本発明による半導体チップ試験装置は、半導体ウエハ
上に形成された複数の半導体チップの特性を個々の半導
体チップに分離する以前の状態で同時並列的に試験する
装置であって、支持絶縁体に半導体チップの表面に形成
されている個々のボンディングパッドに対面する導体膜
群およびそれらを外部へ接続する配線を形成し、前記個
々のボンディングパッドに対面する導体膜群の表面に電
気接点を配設して構成されている。
In order to achieve the above object, the semiconductor chip testing apparatus according to the present invention is in a state before separating the characteristics of a plurality of semiconductor chips formed on a semiconductor wafer into individual semiconductor chips. An apparatus for testing in parallel at the same time, wherein a conductor film group facing individual bonding pads formed on the surface of a semiconductor chip and wirings connecting them to the outside are formed on a supporting insulator, and the individual bonding is performed. An electric contact is arranged on the surface of the conductor film group facing the pad.

【0005】[0005]

【実施例】以下図面等を参照して、本発明をさらに詳し
く説明する。図1は、本発明による半導体チップ試験装
置全体の基本構成を示す略図である。図9は、前記半導
体チップ試験装置の試験の対象である半導体チップが多
数設けられている半導体ウエハを一部拡大して示した図
である。半導体ウエハ10には多数の半導体チップ1
1,12,13,14,15・・・が設けられており、
各チップの周縁には1〜20のパッド16が設けられて
おりチップ内部の回路はこれらのパッドに接続されてい
る。通常これらのチップを切断した後にパッドとリード
フレームを接続しパッケージングすることにより半導体
ICが構成される。本発明による半導体チップ試験装置
はこれらのチップを切断して分離しない前にバーンイン
テストを含めて必要なテストを行うことができるもので
ある。図1に示すように本発明による半導体チップ試験
装置は基本的にウエハ治具Aとプローブ治具Bから構成
されている。ウエハ治具Aで半導体ウエハWを支持し、
プローブ治具Bでプローブ組立Pを支持する。各治具
A,Bに関連して治具位置合わせ手段ALDが設けられ
ており、これにより前記プローブ治具Bと前記ウエハ治
具Aは位置合わせ対面結合させられる。前記半導体ウエ
ハW,10上に形成された前述の半導体チップ11〜1
5・・の特性は、個々の半導体チップに分離する以前の
状態で、同時並列的に試験される。前記プローブ組立P
には前記ウエハWに形成された半導体チップの表面に形
成されている個々のボンディングパッド16に対面して
接触する位置にそれぞれ電気接点が形成されている。こ
の部分については実施例を参照して後に詳述する。
The present invention will be described in more detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic diagram showing the basic configuration of the entire semiconductor chip test apparatus according to the present invention. FIG. 9 is a partially enlarged view of a semiconductor wafer provided with a large number of semiconductor chips to be tested by the semiconductor chip testing apparatus. A large number of semiconductor chips 1 are mounted on the semiconductor wafer 10.
1, 12, 13, 14, 15, ... Are provided,
1 to 20 pads 16 are provided on the periphery of each chip, and circuits inside the chip are connected to these pads. Usually, a semiconductor IC is constructed by cutting the chips and then connecting the pads and the lead frame and packaging. The semiconductor chip testing apparatus according to the present invention is capable of performing necessary tests including burn-in tests before cutting and separating these chips. As shown in FIG. 1, the semiconductor chip testing apparatus according to the present invention basically comprises a wafer jig A and a probe jig B. The semiconductor jig W is supported by the wafer jig A,
The probe assembly P is supported by the probe jig B. A jig alignment means ALD is provided in association with each of the jigs A and B, whereby the probe jig B and the wafer jig A are aligned and face-to-face joined. The aforementioned semiconductor chips 11 to 1 formed on the semiconductor wafers W and 10.
The characteristics of 5 ... Are simultaneously tested in parallel before being separated into individual semiconductor chips. The probe assembly P
Has electrical contacts formed at positions facing and contacting the individual bonding pads 16 formed on the surface of the semiconductor chip formed on the wafer W. This part will be described later in detail with reference to the embodiment.

【0006】前記電気接点と前記プローブ治具B側の前
記治具位置合わせ手段ALDとの相対位置関係はプロー
ブ治具側の位置調整手段AJDにより調整される。前記
プローブ治具Bおよびウエハ治具Aは、半導体ウエハW
の線膨張率と近似する線膨張率を持つ材料、例えばイン
バー合金などで構成されている。これにより半導体チッ
プ試験装置の温度変化により治具と半導体ウエハ間の結
合に不具合が生じないようにしてある。すなわちこれに
より個々の半導体チップとその半導体チップに対応する
接点群とが温度変化による位置ずれを生じない構造にし
てある。また前記半導体ウエハW上に形成されている個
々の半導体チップのボンディングパッドの位置と前記ウ
エハ治具A側の前記治具位置合わせ手段ALDとの相対
位置関係はウエハ治具A側の相対位置調整手段AJDに
より調節される。前記相対位置調整手段AJDは前述の
ようにプローブ治具側およびウエハ治具側の両方で行っ
ても良いし、いずれか一方でも良い。ウエハ治具Aとプ
ローブ治具Bを略同一平面に配置して工具顕微鏡などを
利用して位置合わせをすれば、極めて高い精度の位置調
整が可能となる。
The relative positional relationship between the electric contact and the jig positioning means ALD on the probe jig B side is adjusted by the position adjusting means AJD on the probe jig side. The probe jig B and the wafer jig A are semiconductor wafers W.
The material has a linear expansion coefficient close to that of, for example, Invar alloy. As a result, a problem does not occur in the connection between the jig and the semiconductor wafer due to the temperature change of the semiconductor chip tester. That is, as a result, the structure is such that the individual semiconductor chips and the contact groups corresponding to the semiconductor chips are not displaced due to temperature changes. Further, the relative positional relationship between the positions of the bonding pads of the individual semiconductor chips formed on the semiconductor wafer W and the jig alignment means ALD on the wafer jig A side is the relative position adjustment on the wafer jig A side. Adjusted by means AJD. The relative position adjusting means AJD may be provided on both the probe jig side and the wafer jig side as described above, or either one may be used. If the wafer jig A and the probe jig B are arranged on substantially the same plane and aligned using a tool microscope or the like, it is possible to perform position adjustment with extremely high accuracy.

【0007】前記ウエハ治具A側および前記プローブ治
具B側にそれぞれの治具を加熱する加熱手段Hが設けら
れている。この加熱手段により加熱されたウエハWの温
度は接触センサSにより検出され、その検出出力により
加熱手段の温度制御がなされる。プローブ治具B側には
プローブを駆動し、プローブを介してウエハWに動作電
力を供給しウエハチップから得られるチップの情報を外
部に中継するための中継回路CPDが設けられている。
Heating means H for heating the respective jigs is provided on the wafer jig A side and the probe jig B side. The temperature of the wafer W heated by the heating means is detected by the contact sensor S, and the temperature of the heating means is controlled by the detection output. On the probe jig B side, a relay circuit CPD is provided for driving the probe, supplying operating power to the wafer W via the probe, and relaying the information of the chip obtained from the wafer chip to the outside.

【0008】図2は、本発明による半導体チップ試験装
置のプローブ組立の第1の実施例を示す正面部分断面
図、図3は前記第1の実施例の絶縁ブロックを取り出し
て示した平面図、正面図および底面図である。支持絶縁
体は、絶縁ブロック20と軟質配線基板40を含んでい
る。前記各絶縁ブロック20には個々の半導体チップ一
個分のパッドの数に対応する前記電気接点21,21・
・21が一群として配設されている。それぞれの絶縁ブ
ロック20は同時にまた独立にウエハ10面方向に移動
し前記各電気接点群21,21・・21が半導体チップ
面10の単位ボンディングパッド群に対して電気的に接
触または切離し移動可能に支持されている。前記各電気
接点21,21・・21は、前記各絶縁ブロック20の
背面の連絡接続端23・・23への配線接続22,22
・・22を有している。軟質配線基板40は前記背面の
連絡接続端23・・23に接続し前記各配線接続22,
22・・22を外部(図1のCPD)に接続する。絶縁
ブロック案内30はウエハ10と近似の線膨張率を持つ
材質で形成されたものである。絶縁ブロック案内30に
は絶縁ブロック20に対応する位置に案内孔が設けられ
ている。駆動部材50は前記絶縁ブロック20に対応し
て設けられ絶縁ブロック20をウエハ10方向に駆動す
る。
FIG. 2 is a front partial sectional view showing a first embodiment of a probe assembly of a semiconductor chip testing apparatus according to the present invention, and FIG. 3 is a plan view showing an insulating block of the first embodiment taken out. It is a front view and a bottom view. The supporting insulator includes the insulating block 20 and the soft wiring board 40. Each of the insulating blocks 20 has the electrical contacts 21, 21 ... Corresponding to the number of pads for one semiconductor chip.
・ 21 are arranged as a group. The respective insulating blocks 20 are simultaneously and independently moved in the surface direction of the wafer 10 so that the electric contact groups 21, 21 ... It is supported. The electric contacts 21, 21, ... 21, The wiring connections 22, 22 to the connecting connection ends 23 ,.
..22 The flexible wiring board 40 is connected to the connecting connection ends 23, ...
22 ... 22 is connected to the outside (CPD in FIG. 1). The insulating block guide 30 is made of a material having a linear expansion coefficient similar to that of the wafer 10. A guide hole is provided in the insulating block guide 30 at a position corresponding to the insulating block 20. The driving member 50 is provided corresponding to the insulating block 20 and drives the insulating block 20 toward the wafer 10.

【0009】前記電気接点は直径および厚さが10〜2
00μm程度の極めて小さいものであるが、以下のよう
にして正確に配列して製造できる。前記電気接点21,
21,・・21は、それぞれ独立した金属球または金属
半球を前記配線接続22,22・・22端にスポット溶
接または半田付けして電気接点とすることができる。ま
た前記電気接点21,21,・・21をそれぞれ独立し
た導電性ゴムを印刷またはディスペンサーにより凸状に
形成してその部分を電気接点とすることもできる。な
お、この導電性ゴムは従来の異方導電性をもつ構造のも
のとは異なる。この場合裏側から均一におしても凸状部
分のみが導通して接点として動作する。前記導体膜群の
表面に電気メッキにより金属を凸状に形成して電気接点
とした構造とすることもできる。
The electrical contact has a diameter and a thickness of 10 to 2
Although it is as small as about 100 μm, it can be accurately arranged and manufactured as follows. The electrical contacts 21,
21 ... Can be made into electric contacts by spot welding or soldering independent metal balls or metal hemispheres to the ends of the wiring connections 22, 22. It is also possible to form the electric contacts 21, 21, ... 21 in a convex shape by printing or dispenser with independent conductive rubbers, and use the portions as electric contacts. It should be noted that this conductive rubber is different from the conventional structure having anisotropic conductivity. In this case, even if it is made uniform from the back side, only the convex portion conducts and operates as a contact. It is also possible to form a convex shape of metal by electroplating on the surface of the conductor film group to form an electrical contact.

【0010】前述した接点を駆動する駆動部材50とし
て、電磁的なアクチュエータ、電歪アクチュエータ、流
体アクチュエータを利用できる。前記膜状構造の個々の
チップ面積に相当する面積を個々に駆動して前記接点群
をパッドに接触させる駆動手段50として、ストローク
は10〜100μm程度で極めて小さくて済み、半導体
ウエハ面方向へ個々に伸縮可能とした圧電素子アクチュ
エータを利用することができる。前記膜状構造の個々の
チップ面積に相当する面積を個々に駆動して前記接点群
をパッドに接触させる駆動手段50は電磁力によって半
導体ウエハ面方向へ個々に移動可能とした電磁アクチュ
エータを利用することもできる。前記膜状構造の個々の
チップ面積に相当する面積を個々に駆動して前記接点群
をパッドに接触させる駆動手段は空気圧によって半導体
ウエハ面方向へ個々に移動させる空気アクチュエータを
利用することができる。図8にその例を示してある。
An electromagnetic actuator, an electrostrictive actuator, or a fluid actuator can be used as the driving member 50 for driving the above-mentioned contacts. The driving means 50 for individually driving an area corresponding to each chip area of the film-like structure to bring the contact group into contact with the pad has a stroke of about 10 to 100 μm, which is extremely small. It is possible to use a piezoelectric element actuator that can expand and contract. The driving means 50 for individually driving the area corresponding to each chip area of the film-like structure to bring the contact groups into contact with the pad uses an electromagnetic actuator that is individually movable in the semiconductor wafer surface direction by an electromagnetic force. You can also An air actuator that individually moves in the surface direction of the semiconductor wafer by air pressure can be used as a driving unit that individually drives an area corresponding to each chip area of the film structure to bring the contact group into contact with the pad. An example is shown in FIG.

【0011】図4は、本発明による半導体チップ試験装
置のプローブ組立の第2の実施例を示す正面部分断面
図、図5は本発明による半導体チップ試験装置のプロー
ブ組立の前記第2の実施例の接点バーを取り出し示した
接点バーの平面図、正面図である。絶縁ブロックの上端
には前記電気接点21,21・・21が個々に半導体チ
ップ表面の凹凸(パッド部分)に対応して弾性力で倣う
ようセラミックスの弾性絶縁材料の櫛形構造24,・・
24としてある。個々の櫛歯24,・・24の先端付近
に個々の前記電気接点21,21・・21を配設した構
造となっている。この実施例はデュアルインラインパッ
ケージのチップに適した構造としてあるが図9に示した
ように4辺にパッドがあるものにも同様に適用できる。
FIG. 4 is a front partial sectional view showing a second embodiment of the probe assembly of the semiconductor chip test apparatus according to the present invention, and FIG. 5 is the second embodiment of the probe assembly of the semiconductor chip test apparatus according to the present invention. FIG. 3 is a plan view and a front view of the contact bar showing the contact bar taken out. At the upper end of the insulating block, the electric contacts 21, 21 ... 21 are individually combed with an elastic insulating material made of ceramic so that the electric contacts 21.
It is as 24. .. 24 are arranged in the vicinity of the tips of the individual comb teeth 24 ,. Although this embodiment has a structure suitable for a dual in-line package chip, it can be similarly applied to a structure having pads on four sides as shown in FIG.

【0012】図6は、本発明による半導体チップ試験装
置のプローブ組立の第3の実施例を示す正面部分断面
図、図7は本発明による半導体チップ試験装置の支持絶
縁体の拡大図である。前記支持絶縁体では、図7(図8
に示す構造も同様である。)に示すように電気接点2
1,21・・21が個々に半導体チップ表面の凹凸に対
応して自由に倣うよう軟質材料の膜状構造70の上に形
成されている。駆動手段50は前記膜状構造70の個々
のチップ面積に相当する面積を個々に駆動して前記接点
群をウエハの半導体チップのパッドに接触させる。図7
に示す膜状構造70では前記電気接点21,・・21が
個々に半導体チップ表面の凹凸に対応して自由に倣うよ
う前記支持絶縁体の個々の半導体チップに対応する電気
接点群21,21・・21部分が溝71により半島状に
周囲から切り離された構造である。駆動手段50の上端
にはゴム状のパッド51が設けられていて、半島状の部
分が駆動手段50にパッド51を介して接着固定されて
いる。このため、駆動手段50が前記プローブ治具Bの
本体60によって位置を規制されると、結果的に前記半
島状の部分の位置はウエハの半導体チップと対面する位
置に規制される。またこのとき、半島状の部分を連絡す
る橋部の幅を狭くして伸縮容易とするか、またはジグザ
グ状や迷路状に形成することにより、膜状構造70と半
導体ウエハとの線膨張計数が異なっても膜状構造の温度
変化による伸縮により半島状の部分に膜の無理な引張り
応力がかかることを避けることができるため、半導体チ
ップと半島状の部分との位置ずれを生ずることがない。
また、個々の半島状部分は大きさが数mm角と小さいた
め、半島状部分自体の温度による寸法変化はプローブ接
点の許容位置誤差に対して充分小さく設計できる。駆動
手段50として前述した電磁的なアクチュエータ、電歪
アクチュエータを使用することができる。
FIG. 6 is a partial front sectional view showing a third embodiment of the probe assembly of the semiconductor chip test apparatus according to the present invention, and FIG. 7 is an enlarged view of a supporting insulator of the semiconductor chip test apparatus according to the present invention. In the supporting insulator, as shown in FIG.
The structure shown in is also the same. ) Electrical contact 2
1, 21 ... 21 are individually formed on the film structure 70 of the soft material so as to freely follow the irregularities on the surface of the semiconductor chip. The driving means 50 individually drives an area corresponding to each chip area of the film structure 70 to bring the contact groups into contact with the pads of the semiconductor chips of the wafer. Figure 7
In the film-like structure 70 shown in FIG. 2, the electric contacts 21, ..., 21 correspond to the individual semiconductor chips of the supporting insulator so that the electric contacts 21 can freely follow the irregularities on the surface of the semiconductor chip. The structure in which the 21st part is separated from the surroundings by the groove 71 in a peninsular shape. A rubber pad 51 is provided on the upper end of the driving means 50, and a peninsular portion is adhesively fixed to the driving means 50 via the pad 51. Therefore, when the driving means 50 is restricted in position by the main body 60 of the probe jig B, the position of the peninsular portion is restricted to a position facing the semiconductor chip of the wafer as a result. At this time, the linear expansion coefficient between the film-like structure 70 and the semiconductor wafer can be increased by narrowing the width of the bridge portion connecting the peninsula-shaped portions to facilitate expansion and contraction, or by forming the bridge portion in a zigzag shape or a labyrinth shape. Even if they are different, it is possible to avoid applying unreasonable tensile stress of the film to the peninsular part due to expansion and contraction due to temperature change of the film-like structure, so that there is no displacement between the semiconductor chip and the peninsular part.
Further, since the size of each peninsular portion is as small as a few mm square, the dimensional change due to the temperature of the peninsular portion itself can be designed to be sufficiently small with respect to the allowable position error of the probe contact. As the driving means 50, the above-mentioned electromagnetic actuator or electrostrictive actuator can be used.

【0013】図8は、本発明による半導体チップ試験装
置のプローブ組立の第4の実施例の動作状態を説明する
ための正面断面図である。この実施例では駆動手段80
として前述した空気アクチュエータを使用したものであ
って、図の駆動手段80Aに相当するところは、空気で
おされて膜状構造70での電気接点21,・・21がウ
エハW上の対応する半導体チップ表面の接点群21,2
1・・21に電気的に接触させられている。図の駆動手
段80Bに相当するところは、空気で押されていないか
ら膜状構造70での電気接点21,・・21はウエハW
上の対応する半導体チップ表面のパッドに電気的に接触
させられていない。
FIG. 8 is a front sectional view for explaining the operating state of the fourth embodiment of the probe assembly of the semiconductor chip testing apparatus according to the present invention. In this embodiment, the drive means 80
, Which corresponds to the driving means 80A in the figure, is covered with air so that the electric contacts 21, ..., 21 in the film-like structure 70 correspond to the semiconductors on the wafer W. Contact groups 21 and 2 on the chip surface
It is electrically connected to 1 ... 21. Since the portion corresponding to the driving means 80B in the figure is not pushed by air, the electrical contacts 21, ...
It is not electrically contacted with the corresponding pad on the surface of the semiconductor chip.

【0014】[0014]

【発明の効果】以上詳しく説明したように本発明による
半導体チップ試験装置は、半導体ウエハ上に形成された
複数の半導体チップの特性を個々の半導体チップに分離
する以前の状態で同時並列的に試験する装置であって、
支持絶縁体に半導体チップの表面に形成されている個々
のボンディングパッドに対面する導体膜群およびそれら
を外部へ接続する配線を形成し、前記個々のボンディン
グパッドに対面する導体膜群の表面に電気接点を配設し
て構成されている。前記電気接点を部分的に駆動するこ
とによりチップの情報を取り出すことができる。
As described in detail above, the semiconductor chip testing apparatus according to the present invention simultaneously tests the characteristics of a plurality of semiconductor chips formed on a semiconductor wafer in parallel before separating them into individual semiconductor chips. A device for
A conductor film group facing the individual bonding pads formed on the surface of the semiconductor chip and wiring for connecting them to the outside are formed on the supporting insulator, and an electric wire is formed on the surface of the conductor film group facing the individual bonding pads. It is configured by arranging contacts. Information on the chip can be retrieved by partially driving the electrical contacts.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明による半導体チップ試験装置全体の基本
構成を示す略図的正面断面図である。
FIG. 1 is a schematic front sectional view showing a basic configuration of an entire semiconductor chip test apparatus according to the present invention.

【図2】本発明による半導体チップ試験装置のプローブ
組立の第1の実施例を示す正面部分断面図である。
FIG. 2 is a partial front sectional view showing a first embodiment of the probe assembly of the semiconductor chip test apparatus according to the present invention.

【図3】本発明による半導体チップ試験装置のプローブ
組立の前記第1の実施例の接点バーを取り出し示した接
点バーの平面図、正面図底面図である。
3A and 3B are a plan view and a front view bottom view of the contact bar showing the contact bar of the first embodiment of the probe assembly of the semiconductor chip test apparatus according to the present invention.

【図4】本発明による半導体チップ試験装置のプローブ
組立の第2の実施例を示す正面部分断面図である。
FIG. 4 is a front partial cross-sectional view showing a second embodiment of the probe assembly of the semiconductor chip test apparatus according to the present invention.

【図5】本発明による半導体チップ試験装置のプローブ
組立の前記第2の実施例の接点バーを取り出し示した接
点バーの平面図、正面図である。
5A and 5B are a plan view and a front view of the contact bar showing the contact bar of the second embodiment of the probe assembly of the semiconductor chip testing apparatus according to the present invention.

【図6】本発明による半導体チップ試験装置のプローブ
組立の第3の実施例を示す正面部分断面図である。
FIG. 6 is a front partial cross-sectional view showing a third embodiment of the probe assembly of the semiconductor chip test apparatus according to the present invention.

【図7】本発明による半導体チップ試験装置のプローブ
組立の前記第3の実施例の支持絶縁体膜を示す平面図で
ある。
FIG. 7 is a plan view showing a supporting insulator film of the third embodiment of the probe assembly of the semiconductor chip test apparatus according to the present invention.

【図8】本発明による半導体チップ試験装置のプローブ
組立の前記第4の実施例の動作状態を説明するための正
面断面図である。
FIG. 8 is a front sectional view for explaining an operating state of the fourth embodiment of the probe assembly of the semiconductor chip test apparatus according to the present invention.

【図9】本発明による半導体チップ試験装置の試験の対
象であるウエハの構造を拡大して示した略図である。
FIG. 9 is an enlarged schematic view showing the structure of a wafer to be tested by the semiconductor chip test apparatus according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

A ウエハ治具 B プローブ治具 C チェンバ H 加熱手段 P プローブ組立 S ウエハ温度センサ ALD 治具位置合わせ手段 AJD プローブ,ウエハ位置調整手段 CPD (プローブ駆動,チップ駆動,チップ情報)中
継回路 W,10 ウエハ 11,12,13,14,15 チップ 16 パッド 20 絶縁ブロック 21 電気接点 22 導体配線 23 連絡接続パッド 30 絶縁ブロック案内 40 可撓性接続手段(軟質配線基板) 50 駆動ブロック 51 ゴム状のパッド 60 駆動ブロック案内 70 絶縁膜 71 絶縁膜切り出し溝 80 空気アクチュエータ
A wafer jig B probe jig C chamber H heating means P probe assembly S wafer temperature sensor ALD jig positioning means AJD probe, wafer position adjusting means CPD (probe drive, chip drive, chip information) relay circuit W, 10 wafer 11, 12, 13, 14, 15 Chip 16 Pad 20 Insulation block 21 Electric contact 22 Conductor wiring 23 Communication connection pad 30 Insulation block guide 40 Flexible connection means (soft wiring substrate) 50 Drive block 51 Rubber pad 60 Drive Block guide 70 Insulating film 71 Insulating film cutting groove 80 Air actuator

Claims (11)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体ウエハ上に形成された複数の半導
体チップの特性を個々の半導体チップに分離する以前の
状態で同時並列的に試験する装置であって、 支持絶縁体に半導体チップの表面に形成されている個々
のボンディングパッドに対面する導体膜群およびそれら
を外部へ接続する配線を形成し、 前記個々のボンディングパッドに対面する導体膜群の表
面に電気接点を配設して構成した半導体チップ試験装
置。
1. A device for simultaneously and in parallel testing the characteristics of a plurality of semiconductor chips formed on a semiconductor wafer before separating them into individual semiconductor chips, wherein a support insulator is provided on the surface of the semiconductor chips. A semiconductor formed by forming a conductor film group facing each formed bonding pad and a wiring for connecting them to the outside, and arranging an electrical contact on the surface of the conductor film group facing the individual bonding pad. Chip test equipment.
【請求項2】 前記電気接点は、それぞれ独立した金属
球または金属半球を溶接または半田付けして電気接点と
した構造である請求項1記載の半導体チップ試験装置。
2. The semiconductor chip testing apparatus according to claim 1, wherein the electric contacts have a structure in which independent metal balls or metal hemispheres are welded or soldered to form electric contacts.
【請求項3】 前記電気接点は、それぞれ独立した導電
性ゴムを凸状にして電気接点とした構造である請求項1
記載の半導体チップ試験装置。
3. The electric contact has a structure in which conductive rubber independent from each other is formed into a convex shape to form an electric contact.
The semiconductor chip test apparatus described.
【請求項4】 前記電気接点は、前記導体膜群の表面に
電気メッキにより金属を凸状に形成して電気接点とした
構造である請求項1記載の半導体チップ試験装置。
4. The semiconductor chip test apparatus according to claim 1, wherein the electrical contact has a structure in which a metal is formed into a convex shape by electroplating on the surface of the conductor film group to form an electrical contact.
【請求項5】 前記支持絶縁体は、絶縁ブロックと軟質
配線基板を含み、 前記各絶縁ブロックは個々の半導体チップ一個分に対応
する前記電気接点が一群として配設され、 それぞれ独立にウエハ面方向に移動し前記各電気接点群
が半導体チップ面の単位ボンディングパッド群に対して
電気的に接触または切離し移動可能であり、 前記各電気接点を前記各絶縁ブロック背面へ接続する配
線接続を有し、 前記軟質配線基板は前記各配線接続を外部に接続する配
線を有する請求項1記載の半導体チップ試験装置。
5. The supporting insulator includes an insulating block and a flexible wiring board, and each of the insulating blocks is provided with a group of the electrical contacts corresponding to one semiconductor chip. And each of the electrical contact groups can be moved by electrically contacting or separating from the unit bonding pad group of the semiconductor chip surface, and having a wiring connection for connecting each of the electrical contacts to the back surface of each insulating block, The semiconductor chip testing device according to claim 1, wherein the soft wiring board has wiring for connecting the wiring connections to the outside.
【請求項6】 前記絶縁ブロックは前記電気接点が個々
に半導体チップ表面の凹凸に対応して弾性力で倣うよう
セラミックスやガラスなど弾性絶縁材料の櫛形構造とし
て、 個々の櫛歯の先端付近に個々の前記電気接点を配設した
構造である請求項5記載の半導体チップ試験装置。
6. The insulating block has a comb-shaped structure made of an elastic insulating material such as ceramics or glass so that the electric contacts individually follow the irregularities on the surface of the semiconductor chip with an elastic force. 6. The semiconductor chip testing device according to claim 5, wherein the electric contact is provided.
【請求項7】 前記支持絶縁体は、前記電気接点が個々
に半導体チップ表面の凹凸に対応して自由に倣うよう軟
質材料の膜状構造と、 前記膜状構造の個々のチップ面積に相当する面積を個々
に駆動して前記接点群をパッドに接触させる駆動手段か
らなる請求項1記載の半導体チップ試験装置。
7. The supporting insulator corresponds to a film structure of a soft material so that the electric contacts can freely follow the irregularities on the surface of the semiconductor chip individually, and an area of each chip of the film structure. 2. The semiconductor chip test apparatus according to claim 1, comprising driving means for individually driving the areas to bring the contact groups into contact with the pads.
【請求項8】 前記電気接点が個々に半導体チップ表面
の凹凸に対応して自由に倣うよう軟質材料の膜状構造
は、前記支持絶縁体の個々の半導体チップに対応する電
気接点群部分が半島状に周囲から切り離された構造であ
る請求項7記載の半導体チップ試験装置。
8. A film structure made of a soft material so that the electric contacts can freely follow the irregularities on the surface of the semiconductor chip, and the electric contact group portion corresponding to each semiconductor chip of the supporting insulator is a peninsular island. The semiconductor chip testing device according to claim 7, which has a structure that is separated from the surroundings in a circular shape.
【請求項9】 前記膜状構造の個々のチップ面積に相当
する面積を個々に駆動して前記接点群をパッドに接触さ
せる駆動手段は圧電素子によって半導体ウエハ面方向へ
個々に伸縮可能とした請求項7記載の半導体チップ試験
装置。
9. The driving means for individually driving an area corresponding to each chip area of the film-like structure to bring the contact group into contact with a pad is individually expandable and contractable in a semiconductor wafer surface direction by a piezoelectric element. Item 7. A semiconductor chip testing device according to item 7.
【請求項10】 前記膜状構造の個々のチップ面積に相
当する面積を個々に駆動して前記接点群をパッドに接触
させる駆動手段は電磁力によって半導体ウエハ面方向へ
個々に移動可能とした構造である請求項7記載の半導体
チップ試験装置。
10. A structure in which drive means for individually driving an area corresponding to each chip area of the film-like structure to bring the contact group into contact with the pad is individually movable in the semiconductor wafer surface direction by an electromagnetic force. The semiconductor chip test apparatus according to claim 7.
【請求項11】 前記膜状構造の個々のチップ面積に相
当する面積を個々に駆動して前記接点群をパッドに接触
させる駆動手段は空気圧によって半導体ウエハ面方向へ
個々に移動可能とした構造の請求項7記載の半導体チッ
プ試験装置。
11. A drive means for individually driving an area corresponding to each chip area of the film-like structure to bring the contact group into contact with a pad is configured to be individually movable in the semiconductor wafer surface direction by air pressure. The semiconductor chip testing device according to claim 7.
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