JPH07240019A - Magnetic recording medium and its production and apparatus for production - Google Patents

Magnetic recording medium and its production and apparatus for production

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JPH07240019A
JPH07240019A JP2958294A JP2958294A JPH07240019A JP H07240019 A JPH07240019 A JP H07240019A JP 2958294 A JP2958294 A JP 2958294A JP 2958294 A JP2958294 A JP 2958294A JP H07240019 A JPH07240019 A JP H07240019A
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JP
Japan
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magnetic layer
magnetic
recording medium
incident angle
cylindrical
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Application number
JP2958294A
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Japanese (ja)
Inventor
Kiyokazu Toma
清和 東間
Kazuya Yoshimoto
和也 吉本
Ryuji Sugita
龍二 杉田
Tatsuro Ishida
達朗 石田
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To obtain a magnetic recording medium having excellent recording and reproducing characteristics and its production and apparatus for production. CONSTITUTION:The film thickness of the magnetic layers of the thin-film magnetic recording medium consists of the magnetic layers consisting essentially of cobalt and oxygen is 0.05mum to 0.12mum. The magnetic layers consist of the first magnetic layer 101 formed on the substrate and the second magnetic layer 102 formed on the first magnetic layer. The columnar particles forming the first magnetic layer and the second magnetic layer incline approximately in the same direction and the ratio at which the film thickness of the second magnetic layer occupies in the entire part of the film thicknesses of the magnetic layers is specified to 50% to 80%.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、高密度記録再生特性に
優れた磁気記録媒体、これを製造する磁気記録媒体の製
造方法および製造装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a magnetic recording medium excellent in high density recording / reproducing characteristics, a magnetic recording medium manufacturing method and a manufacturing apparatus for manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】現在、磁気記録再生装置は小型化、高密
度化の傾向にあり、従来の塗布型媒体の高密度化の限界
を越えるものとして金属薄膜型媒体が注目されている。
これに関しては、Co−Ni−Oから成る金属薄膜型媒
体がVTR用の磁気テープとして実用化され、MEテー
プとして知られている。薄膜型磁性層の製造方法として
は、生産性の観点から、斜方入射の真空蒸着法が採用さ
れている。
2. Description of the Related Art At present, magnetic recording / reproducing devices tend to be smaller and have higher densities, and metal thin film type media have been attracting attention as exceeding the limit of high density of conventional coating type media.
In this regard, a metal thin film type medium made of Co—Ni—O has been put to practical use as a magnetic tape for VTR and is known as an ME tape. From the viewpoint of productivity, the oblique incidence vacuum vapor deposition method is adopted as the method of manufacturing the thin film magnetic layer.

【0003】以下、図面を参照しながら従来の斜方入射
真空蒸着法の一例について説明する。図3は従来の斜方
蒸着を行なう連続真空蒸着装置の概略を示す。高分子フ
ィルム基板1は、供給ロール3より巻き出され、回転す
る円筒状キャン2の周面に沿って走行し、最後に巻き取
りロール4に巻き取られる。10はフリーローラーであ
り、高分子フィルム基板1が安定に走行するように適当
な場所に複数配置される。円筒状キャン2の周面に沿っ
て走行しつつある高分子フィルム基板1上に、遮蔽板7
および8の間の開口部を通過した蒸発源5からの蒸発原
子が堆積され、磁性層が形成される。蒸発源5には、M
Eテープの場合、Co−Ni合金が充填される。6は蒸
発源5を加熱するための電子ビームである。蒸発源の加
熱手段としては、抵抗加熱や誘導加熱等の方法もある
が、Co等の高融点金属を高い蒸発速度で蒸発させるた
めには、電子ビーム加熱が適している。蒸発原子の基板
に対する入射角は、蒸発原子と基板の法線との成す角度
で定義され、遮蔽板7によって初期入射角φiが、遮蔽
板8によって終期入射角φfが制御される。磁性層の磁
気特性は、入射角の範囲や酸素導入口9から導入される
酸素量により制御される。MEテープの場合、初期入射
角は90゜、終期入射角は30゜前後が採用されてい
る。磁性層の構成としては単層型と多層型があり、磁性
層の膜厚はいずれの場合も0.2μm前後である。
An example of a conventional oblique incident vacuum vapor deposition method will be described below with reference to the drawings. FIG. 3 schematically shows a conventional continuous vacuum vapor deposition apparatus for performing oblique vapor deposition. The polymer film substrate 1 is unwound from a supply roll 3, travels along the circumferential surface of a rotating cylindrical can 2, and is finally wound up by a winding roll 4. Reference numeral 10 is a free roller, and a plurality of free rollers are arranged at appropriate places so that the polymer film substrate 1 can stably run. On the polymer film substrate 1 running along the peripheral surface of the cylindrical can 2, the shielding plate 7
Evaporated atoms from the evaporation source 5 that have passed through the opening between and 8 are deposited to form a magnetic layer. For the evaporation source 5, M
In the case of E-tape, it is filled with Co-Ni alloy. 6 is an electron beam for heating the evaporation source 5. As a heating means of the evaporation source, there are methods such as resistance heating and induction heating, but electron beam heating is suitable for evaporating a refractory metal such as Co at a high evaporation rate. The incident angle of the vaporized atoms with respect to the substrate is defined by the angle formed by the vaporized atoms and the normal of the substrate, and the shield plate 7 controls the initial incident angle φ i and the shield plate 8 controls the final incident angle φ f . The magnetic characteristics of the magnetic layer are controlled by the range of the incident angle and the amount of oxygen introduced from the oxygen inlet 9. In the case of ME tape, the initial incident angle is 90 ° and the final incident angle is around 30 °. The structure of the magnetic layer includes a single layer type and a multilayer type, and the film thickness of the magnetic layer is about 0.2 μm in each case.

【0004】上記のようにして作製された磁性層は、柱
状構造を有しており、磁化容易軸が磁性膜の法線に対し
て傾斜している。すなわち、磁化容易軸が膜面内あるい
は膜面の法線方向にあるのではなく、蒸発原子の基板へ
の入射方向を含む法面内において、法線に対して斜めに
傾斜した方向にある。例えば、市販のHi8方式VTR
用MEテープでは、磁化容易軸がテープの長手方向を含
む法面内において、膜面から約20゜傾斜している。こ
こでテープの長手方向とは、テープの長さ方向のことで
あり、図3に示す製造装置においては、高分子フィルム
基板1の走行方向になる。磁気ヘッドにより記録された
磁化は、斜めに傾斜した磁化容易軸方向に残留し、従来
の長手記録とは異なった磁化モードを形成する。このよ
うな斜め磁化モードの形成により、従来の長手記録媒体
に比べて高記録密度特性が顕著に改善されている。
The magnetic layer manufactured as described above has a columnar structure, and the easy axis of magnetization is inclined with respect to the normal line of the magnetic film. That is, the axis of easy magnetization is not in the film surface or in the direction of the normal to the film surface, but is in the direction oblique to the normal in the normal including the incident direction of the vaporized atoms to the substrate. For example, a commercially available Hi8 VTR
In the ME tape for use, the easy magnetization axis is inclined by about 20 ° from the film surface in the normal plane including the longitudinal direction of the tape. Here, the longitudinal direction of the tape is the longitudinal direction of the tape, and in the manufacturing apparatus shown in FIG. 3, it is the running direction of the polymer film substrate 1. The magnetization recorded by the magnetic head remains in the direction of the easy axis of magnetization that is obliquely inclined, and forms a magnetization mode different from that of conventional longitudinal recording. By forming such an oblique magnetization mode, the high recording density characteristic is remarkably improved as compared with the conventional longitudinal recording medium.

【0005】薄膜型磁性層を有する磁気テープは、カメ
ラ一体型家庭用VTR等の普及に大きく寄与し、さらに
次世代の家庭用小型ディジタルVTR、特にハイビジョ
ンディジタルVTRに対応する磁気テープとしても応用
が期待されている。
A magnetic tape having a thin film type magnetic layer greatly contributes to the popularization of a camera-integrated home VTR and the like, and can be applied as a magnetic tape corresponding to a next-generation home small digital VTR, particularly a high-definition digital VTR. Is expected.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】今後、磁気記録再生装
置はますます小型大容量化の方向にある。VTRの分野
においても、例えばハイビジョンディジタルVTRを小
型磁気テープカセットで実現するためには、さらに線記
録密度およびトラック密度の向上がなされなければなら
ない。従って、磁気テープにおいては、従来にもまして
高C/N化、特に短波長領域における高C/N化を達成
することが要求される。しかしながら、現在実用化され
ている磁気テープが、上記要望を満足させる程充分に高
い記録密度特性を有しているとは言い難い。従って、デ
ィジタル記録に適した高性能な磁気テープの実現が大き
な課題となってている。
[Problems to be Solved by the Invention] In the future, the magnetic recording / reproducing apparatus will become smaller and larger in capacity. Also in the field of VTR, in order to realize, for example, a high-definition digital VTR with a small magnetic tape cassette, the linear recording density and the track density must be further improved. Therefore, in the magnetic tape, it is required to achieve higher C / N than ever before, especially in the short wavelength region. However, it is hard to say that the magnetic tapes currently in practical use have sufficiently high recording density characteristics to satisfy the above demands. Therefore, realization of a high-performance magnetic tape suitable for digital recording has become a major issue.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記観点から
高密度記録再生特性に優れた磁気記録媒体とその製造方
法および製造装置を提供するものであり、第1の発明
は、CoとOを主成分とする磁性層からなる薄膜型磁気
記録媒体であって、磁性層の膜厚が0.05μm以上
0.12μm以下であり、その磁性層が基板上に形成さ
れた第1磁性層と前記第1磁性層上に形成された第2磁
性層とからなり、第1磁性層および第2磁性層を形成す
る柱状粒子が略同方向に傾斜しており、第2磁性層の膜
厚が磁性層の膜厚全体に占める割合が50%以上80%
以下であることを特徴とするものである。
The present invention provides a magnetic recording medium excellent in high-density recording / reproducing characteristics, a method of manufacturing the same, and an apparatus for manufacturing the same from the above viewpoint. The first invention is Co and O. And a first magnetic layer formed on a substrate, wherein the magnetic layer has a film thickness of 0.05 μm or more and 0.12 μm or less. The second magnetic layer is formed on the first magnetic layer, the columnar particles forming the first magnetic layer and the second magnetic layer are inclined in substantially the same direction, and the film thickness of the second magnetic layer is 50% to 80% of the total magnetic layer thickness
It is characterized by the following.

【0008】第2の発明は、円筒状キャンの周面に沿っ
て走行しつつある高分子フィルム基板上に、斜方蒸着法
により、CoとOを主成分とする第1磁性層および第2
磁性層を順次形成する磁気記録媒体の製造方法におい
て、高分子フィルム基板の法線と蒸発原子の入射方向と
の成す角を入射角と定義するとき、第1および第2磁性
層形成初期の入射角が形成終期の入射角より大であり、
かつ第1磁性層形成終期の入射角が第2磁性層形成終期
の入射角より大であり、かつ第1磁性層を形成する際の
(酸素導入量)/(膜堆積速度)の値が、第2磁性層を
形成する際の(酸素導入量)/(膜堆積速度)の値より
大であることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法であ
る。
According to a second aspect of the present invention, a first magnetic layer containing Co and O as main components and a second magnetic layer are formed on a polymer film substrate running along the peripheral surface of a cylindrical can by an oblique evaporation method.
In a method of manufacturing a magnetic recording medium in which magnetic layers are sequentially formed, when an angle formed by a normal line of a polymer film substrate and an incident direction of vaporized atoms is defined as an incident angle, an incident angle at the initial formation of the first and second magnetic layers is defined. The angle is greater than the angle of incidence at the end of formation,
Further, the incident angle at the final stage of forming the first magnetic layer is larger than the incident angle at the final stage of forming the second magnetic layer, and the value of (oxygen introduction amount) / (film deposition rate) when forming the first magnetic layer is It is a method of manufacturing a magnetic recording medium, which is larger than a value of (oxygen introduction amount) / (film deposition rate) when forming the second magnetic layer.

【0009】第3の発明は、円筒状キャンに沿って走行
しつつある高分子フィルム基板上に、真空蒸着法によっ
て磁性層を形成する磁気記録媒体の製造装置であって、
1個の円筒状キャンに対して高分子フィルム基板走行方
向に沿って第1および第2蒸発源を前記円筒状キャンの
中心を通る鉛直線に対して高分子フィルム基板走行上流
側の同じ側に配置し、円筒状キャンと第1および第2蒸
発源との間に、それぞれの蒸発源に対応した第1および
第2開口部を設定する遮蔽板を配置し、円筒状キャンの
中心を通る鉛直線と第1蒸発源の蒸発部の中心との距離
が、円筒状キャンの半径よりも長く、円筒状キャンの中
心を通る鉛直線と第2蒸発源の蒸発部の中心との距離
が、円筒状キャンの半径よりも短く、第1蒸発源が第2
開口部の水平位置より上方に配置されていることを特徴
とするものである。
A third invention is a magnetic recording medium manufacturing apparatus for forming a magnetic layer by a vacuum deposition method on a polymer film substrate running along a cylindrical can.
With respect to one cylindrical can, the first and second evaporation sources are arranged along the running direction of the polymer film substrate on the same side upstream of the running of the polymer film substrate with respect to the vertical line passing through the center of the cylindrical can. A shield plate is provided between the cylindrical can and the first and second evaporation sources to set the first and second openings corresponding to the respective evaporation sources, and a vertical plate passing through the center of the cylindrical can. The distance between the line and the center of the evaporation portion of the first evaporation source is longer than the radius of the cylindrical can, and the distance between the vertical line passing through the center of the cylindrical can and the center of the evaporation portion of the second evaporation source is the cylinder. Shorter than the radius of the can, the first evaporation source is the second
It is characterized in that it is arranged above the horizontal position of the opening.

【0010】[0010]

【作用】ディジタル記録に適するように短波長領域にお
けるC/Nを高めるためには、磁性層の磁気的配向性を
高める必要がある。磁性層の磁気的配向性は、言い替え
れば、磁性層の磁気異方性である。磁性層の磁気異方性
は、形状磁気異方性にかかわるところの磁性層を構成す
る柱状粒子の形状及び方向性と、結晶磁気異方性にかか
わるところの柱状粒子の結晶性によってほぼ決定され
る。高性能な磁性層とするためには、所定の方向に磁化
容易軸を向け、形状磁気異方性と結晶磁気異方性の両方
の効果により、高い磁気異方性エネルギーを磁性層に与
えることが必要である。
In order to increase the C / N in the short wavelength region suitable for digital recording, it is necessary to enhance the magnetic orientation of the magnetic layer. In other words, the magnetic orientation of the magnetic layer is the magnetic anisotropy of the magnetic layer. The magnetic anisotropy of the magnetic layer is substantially determined by the shape and directionality of the columnar particles constituting the magnetic layer, which is related to the shape magnetic anisotropy, and the crystallinity of the columnar particles, which is related to the crystalline magnetic anisotropy. It In order to obtain a high-performance magnetic layer, the easy axis of magnetization is oriented in a predetermined direction, and high magnetic anisotropy energy is applied to the magnetic layer by the effects of both shape magnetic anisotropy and crystalline magnetic anisotropy. is necessary.

【0011】図1に本発明の磁気記録媒体の磁性層の概
略断面図を示す。高分子フィルム基板100上に第1磁
性層101があり、第1磁性層101上に第2磁性層1
02がある。すなわち、ふたつの磁性層が積層されて磁
気記録媒体の磁性層となっている。
FIG. 1 is a schematic sectional view of a magnetic layer of the magnetic recording medium of the present invention. The first magnetic layer 101 is provided on the polymer film substrate 100, and the second magnetic layer 1 is provided on the first magnetic layer 101.
There is 02. That is, two magnetic layers are laminated to form a magnetic layer of a magnetic recording medium.

【0012】磁性材料の主成分はCoとOである。Co
は高い飽和磁化と高い結晶磁気異方性エネルギーを兼ね
備えた材料で薄膜型磁性層の材料として最適である。C
oとOとの組み合わせは、Coの性質を引き出す点で最
適である。
The main components of the magnetic material are Co and O. Co
Is a material having both high saturation magnetization and high crystal magnetic anisotropy energy and is most suitable as a material for the thin film type magnetic layer. C
The combination of o and O is optimal in extracting the properties of Co.

【0013】形状磁気異方性による磁性層の高エネルギ
ー化を図るために本発明では次の2点の方法を採用して
いる。1点目は、第1磁性層101および第2磁性層1
02における柱状粒子の傾斜方向を揃えている。2点目
は、柱状粒子をできるだけ直線に近づけることである。
後述する製造方法からわかるが、円筒状キャンを用いる
方法では柱状粒子を直線にすることは困難であり、柱状
粒子は湾曲する。この湾曲を小さくすることが重要であ
る。湾曲の程度は15゜以内が望ましい。また、記録再
生にリング型磁気ヘッドを使用することを考慮すると、
柱状粒子の傾斜は、基板面から20゜以上35゜以下に
することが、柱状粒子の形状磁気異方性を活かすことが
出来望ましい。
In order to increase the energy of the magnetic layer due to the shape magnetic anisotropy, the present invention employs the following two methods. The first point is that the first magnetic layer 101 and the second magnetic layer 1
The columnar particles in No. 02 have the same inclination direction. The second point is to make the columnar particles as close to a straight line as possible.
As can be seen from the manufacturing method described later, it is difficult to make the columnar particles linear by the method using the cylindrical can, and the columnar particles are curved. It is important to reduce this curvature. The degree of bending is preferably within 15 °. Also, considering that a ring-type magnetic head is used for recording and reproduction,
It is preferable that the inclination of the columnar particles be 20 ° or more and 35 ° or less from the substrate surface because the shape magnetic anisotropy of the columnar particles can be utilized.

【0014】結晶磁気異方性による磁性層の高エネルギ
ー化を図るために、本発明では、第1磁性層101を薄
くし、第2磁性層を厚くした構成としている。本発明の
ように、高分子フィルム基板100上に直接磁性層を形
成すると、高い結晶性を得るのは困難である。これは高
分子表面近傍に存在するガスを含む種々の不純物が結晶
成長を阻害するためと考えられる。ただし、膜厚を厚く
して行けば、結晶の優先成長の性質から、結晶性が高ま
っていく。しかし、結晶粒も粗大化して行くのでノイズ
が高くなる。
In order to increase the energy of the magnetic layer due to the crystal magnetic anisotropy, the present invention has a structure in which the first magnetic layer 101 is thin and the second magnetic layer is thick. When the magnetic layer is directly formed on the polymer film substrate 100 as in the present invention, it is difficult to obtain high crystallinity. It is considered that this is because various impurities including gas existing near the surface of the polymer hinder the crystal growth. However, if the film thickness is increased, the crystallinity will increase due to the preferential growth property of the crystal. However, since the crystal grains are also coarsened, noise becomes high.

【0015】そこで本発明では、結晶学的に、第1磁性
層101を次に形成される第2磁性層102の下地層と
考え、第1磁性層の膜厚を薄く抑える構成とした。しか
し、第1磁性層101は、結晶磁気異方性の観点からは
磁性層としての寄与は小さいが、形状磁気異方性を有し
ているので磁性層として機能することはもちろんであ
る。また、第1磁性層を構成する結晶粒子は高分子表面
近傍に存在するガスを含む種々の不純物により結晶成長
が阻害されるために、結晶粒が小さくなりノイズが低く
抑えられる。第2磁性層102は、下地層たる第1磁性
層101上に形成されるので、膜形成初期から比較的高
い結晶性が得られる。第2磁性層102は、高い結晶磁
気異方性エネルギーと高い形状磁気異方性とをともに有
する優れた磁性層となる。ただし、結晶磁気異方性が強
い場合、その磁化容易方向が柱状粒子の方向と一致しな
い場合がある。本発明の場合には、それがほぼ一致する
ように、すなわち、磁性層の磁気異方性エネルギーが高
くなるようにふたつの磁性層を形成する際の入射角や酸
素導入量を許容範囲内で調整している。この際、記録再
生にリング型磁気ヘッドを使用することを考慮すると、
磁性層の磁化容易方向が基板面から10゜以上25゜以
下の範囲なるように調整することが望ましい。なお、こ
こで言う磁化容易方向は薄膜の形状異方性を含んだもの
である。薄膜形状の影響を取り除いたいわゆるイントリ
ンシック磁化容易方向は、ここで言う磁化容易方向より
さらに基板面より立ち上がった方向となる。磁性層の磁
化容易方向が基板面から10゜より小さい場合には、磁
化の突き合わせによるジグザグ状の磁壁が原因と考えら
れるノイズが増加する。また、磁性層の磁化容易方向が
基板面から25゜より大きい場合には、リング型磁気ヘ
ッドの記録磁界の垂直成分が小さいために記録効率が低
下し再生出力が低下するとともにスペーシングロスファ
クターが増加する。
Therefore, in the present invention, crystallographically, the first magnetic layer 101 is regarded as an underlayer of the second magnetic layer 102 to be formed next, and the thickness of the first magnetic layer is kept small. However, although the first magnetic layer 101 has a small contribution as a magnetic layer from the viewpoint of crystal magnetic anisotropy, it naturally has a shape magnetic anisotropy and therefore functions as a magnetic layer. Further, the crystal grains forming the first magnetic layer inhibit crystal growth due to various impurities including gas existing near the surface of the polymer, so that the crystal grains become small and noise can be suppressed low. Since the second magnetic layer 102 is formed on the first magnetic layer 101 as the underlayer, relatively high crystallinity can be obtained from the initial stage of film formation. The second magnetic layer 102 becomes an excellent magnetic layer having both high crystal magnetic anisotropy energy and high shape magnetic anisotropy. However, when the crystal magnetic anisotropy is strong, the direction of easy magnetization may not coincide with the direction of the columnar particles. In the case of the present invention, the incident angle and the amount of oxygen introduced when forming the two magnetic layers within the allowable range so that they substantially match, that is, the magnetic anisotropy energy of the magnetic layers becomes high. I am adjusting. At this time, considering that a ring type magnetic head is used for recording and reproduction,
It is desirable to adjust the direction of easy magnetization of the magnetic layer to be in the range of 10 ° or more and 25 ° or less from the substrate surface. The direction of easy magnetization referred to here includes the shape anisotropy of the thin film. The so-called intrinsic easy magnetization direction from which the influence of the thin film shape is removed is a direction further raised from the substrate surface than the easy magnetization direction here. When the direction of easy magnetization of the magnetic layer is smaller than 10 ° from the substrate surface, noise that is considered to be caused by the zigzag domain wall due to the abutment of magnetization increases. Further, when the direction of easy magnetization of the magnetic layer is larger than 25 ° from the substrate surface, the perpendicular component of the recording magnetic field of the ring type magnetic head is small, so that the recording efficiency is lowered and the reproduction output is lowered, and the spacing loss factor is reduced. To increase.

【0016】磁性層の膜厚について説明する。第1磁性
層101が第2磁性層102の下地として機能するため
には約0.01μm以上が必要であり、約0.6μm以
上では、膜厚増加にともない粒径が増大しノイズが高く
なる。従って、第1磁性層101の膜厚は0.01μm
以上0.6μm以下が好適となる。また、第1磁性層1
01と第2磁性層102を合わせた磁性層の総膜厚の好
適な範囲は、0.05μm以上0.12μm以下であ
る。磁性層の総膜厚が約0.05μm以下では、短波長
領域の再生出力もさることながら超波長領域の再生出力
が激減し、トラッキング調整が困難となり、約0.12
μm以上ではノイズが高くなり、C/Nが低下する傾向
にある。磁性層の膜厚比および総膜厚は、使用するヘッ
ドによって最適値が異なる。これらは、ヘッドの書き込
み能力と磁性層の保磁力とが関係するからである。本発
明の上記磁性層の膜厚範囲において、第1磁性層の保磁
力は膜厚の増加にともない上昇する傾向にあり、第2磁
性層の保磁力は膜厚の減少にともない増加する傾向にあ
る。したがって、例えば、飽和磁化が小さくギャップ長
の広いフェライトリングヘッドの場合には、磁性層の総
膜厚は厚くし第2磁性層の膜厚比を高くして磁性層全体
の保磁力を低く設定する方が好ましく、飽和磁化が大き
くギャップ長の狭いメタルリングヘッドの場合には、磁
性層の総膜厚は薄くし第2磁性層の膜厚比を低くして磁
性層全体の保磁力を高く設定するする方が好ましいわけ
である。
The film thickness of the magnetic layer will be described. In order for the first magnetic layer 101 to function as a base of the second magnetic layer 102, about 0.01 μm or more is necessary. If it is about 0.6 μm or more, the grain size increases and the noise increases as the film thickness increases. . Therefore, the thickness of the first magnetic layer 101 is 0.01 μm.
Above 0.6 μm is suitable. In addition, the first magnetic layer 1
The preferable range of the total film thickness of the magnetic layer including 01 and the second magnetic layer 102 is 0.05 μm or more and 0.12 μm or less. When the total thickness of the magnetic layer is about 0.05 μm or less, the reproduction output in the super wavelength region is drastically reduced as well as the reproduction output in the short wavelength region, and tracking adjustment becomes difficult.
If it is more than μm, noise tends to be high and C / N tends to be low. The optimum values of the film thickness ratio and the total film thickness of the magnetic layer differ depending on the head used. This is because the writing ability of the head is related to the coercive force of the magnetic layer. In the thickness range of the magnetic layer of the present invention, the coercive force of the first magnetic layer tends to increase as the film thickness increases, and the coercive force of the second magnetic layer tends to increase as the film thickness decreases. is there. Therefore, for example, in the case of a ferrite ring head with a small saturation magnetization and a wide gap length, the total film thickness of the magnetic layer is increased and the film thickness ratio of the second magnetic layer is increased to set the coercive force of the entire magnetic layer low. In the case of a metal ring head having a large saturation magnetization and a narrow gap length, the total film thickness of the magnetic layer is reduced and the film thickness ratio of the second magnetic layer is decreased to increase the coercive force of the entire magnetic layer. It is preferable to set it.

【0017】つぎに、図3を用いて本発明の磁気記録媒
体の製造方法について説明する。図3は従来例の説明で
用いたものであるので、図中の各要素についての説明は
ここでは省略する。
Next, a method of manufacturing the magnetic recording medium of the present invention will be described with reference to FIG. Since FIG. 3 is used in the description of the conventional example, the description of each element in the drawing is omitted here.

【0018】上述したような高い磁気異方性エネルギー
を得るためには、磁性層の構成も重要であるが、その製
法ももちろん重要である。とりわけ、蒸発原子の基板に
対する入射角と導入酸素量が重要である。図3の装置を
用い、各磁性層の条件設定を行い、繰り返し蒸着するこ
とで本発明の磁性層が得られる。ただし、第1磁性層形
成後、巻き取ったロールを1回巻き直して第2磁性層を
形成する必要がある。
In order to obtain the high magnetic anisotropy energy as described above, the structure of the magnetic layer is important, but the manufacturing method is also important. Above all, the incident angle of vaporized atoms to the substrate and the amount of introduced oxygen are important. The magnetic layer of the present invention can be obtained by setting the conditions of each magnetic layer using the apparatus of FIG. 3 and repeating vapor deposition. However, after forming the first magnetic layer, it is necessary to rewind the wound roll once to form the second magnetic layer.

【0019】入射角について説明する。入射角は、高分
子フィルム基板の法線と蒸発原子の入射方向とのなす角
で定義される。
The incident angle will be described. The incident angle is defined by the angle formed by the normal line of the polymer film substrate and the incident direction of vaporized atoms.

【0020】第1磁性層および第2磁性層を形成する
際、いずれの場合も、初期入射角φiを終期入射角φf
りも大きくする必要がある。この理由としては2点あ
る。1点目は、膜の機械的強度である。仮に、初期入射
角φiよりも終期入射各φfを大きくした場合、膜表面す
なわち磁性層表面の密度が低くなる。入射角が大きいと
自己陰影効果が大きくなり密度が低くなる。密度が低く
なると機械的強度が弱くなる。機械的強度が弱いと磁性
層表面が傷つきやすくなり不都合である。2点目は、結
晶成長の観点からである。Coの磁化容易方向であるc
軸は、本来基板に対して垂直に成長し、そして、後から
成長する結晶は結晶軸が揃うように成長する性質を持っ
ている。c軸を傾斜させようとすると、入射角を大きく
する必要がある。ただし、入射角を大きくするとc軸の
分散は大きくなる。そして、できたc軸の傾斜は、分散
は大きいが、その後入射角が変化しても引き継がれる。
従って、初期入射角を大きくしないと磁化容易方向を傾
斜させることが出来ない。
When forming the first magnetic layer and the second magnetic layer, it is necessary to make the initial incident angle φ i larger than the final incident angle φ f in any case. There are two reasons for this. The first point is the mechanical strength of the film. If the final incident angles φ f are made larger than the initial incident angle φ i , the density of the film surface, that is, the magnetic layer surface becomes low. If the incident angle is large, the self-shading effect becomes large and the density becomes low. The lower the density, the weaker the mechanical strength. If the mechanical strength is low, the surface of the magnetic layer is easily damaged, which is inconvenient. The second point is from the viewpoint of crystal growth. C, which is the direction of easy magnetization of Co
The axis originally grows perpendicularly to the substrate, and the crystal that grows later has the property of growing so that the crystal axes are aligned. When trying to tilt the c-axis, it is necessary to increase the incident angle. However, the larger the incident angle, the larger the dispersion of the c-axis. Then, although the resulting c-axis tilt has a large dispersion, it is succeeded even if the incident angle changes thereafter.
Therefore, the direction of easy magnetization cannot be tilted unless the initial incident angle is increased.

【0021】第1磁性層の入射角は第2磁性層の入射角
より大きくする。特に、終期入射角φfは大きくする。
これは、第1磁性層を純粋に下地層と考えると入射角は
重要でないが、磁性層として考えると、入射角を大きく
し形状磁気異方性を十分に誘起する必要があるからであ
る。また、第1磁性層は媒体の表面に出ないので、機械
的に十分に強固たる必要はない。なお、ふたつの磁性層
の初期入射角φiは同程度かもしくは第1磁性層の初期
入射角を大きくする方がよいが、いずれにしても85゜
以下が望ましい。85゜以上ではc軸の分散が極端に増
大するからである。入射角が85゜以上の領域は、蒸発
原子が直進すると仮定した場合に、蒸発原子の軌跡が円
筒状キャン2の周面の接線となる領域であり、また付着
効率が0パーセントに近づく領域である。蒸発原子が残
留ガスとあるいは相互に衝突しながら進むとすると、蒸
発原子の基板への堆積形態は不安定になるものと考えら
れる。本発明では、制御性よく高性能な磁性層得るため
に入射角85゜以上を使用しない。終期入射角φfは、
柱状粒子の傾斜を基板面から35゜以下にするために
は、50゜以上が必要である。
The incident angle of the first magnetic layer is larger than that of the second magnetic layer. In particular, the final incident angle φ f is increased.
This is because the incident angle is not important when the first magnetic layer is considered as a pure underlayer, but it is necessary to increase the incident angle and sufficiently induce the shape magnetic anisotropy when considered as the magnetic layer. Further, since the first magnetic layer does not appear on the surface of the medium, it does not need to be mechanically sufficiently strong. The initial incident angle φ i of the two magnetic layers should be about the same or the initial incident angle of the first magnetic layer should be large, but in any case, it is preferably 85 ° or less. This is because the dispersion of the c-axis extremely increases at 85 ° or more. The region where the incident angle is 85 ° or more is a region where the trajectory of the vaporized atoms is a tangent to the circumferential surface of the cylindrical can 2 when the vaporized atoms are assumed to go straight, and the region where the attachment efficiency approaches 0%. is there. If the vaporized atoms proceed with the residual gas or while colliding with each other, the deposition form of the vaporized atoms on the substrate is considered to be unstable. In the present invention, an incident angle of 85 ° or more is not used in order to obtain a magnetic layer having good controllability and high performance. The final incident angle φ f is
In order to make the inclination of the columnar particles 35 ° or less from the substrate surface, it is necessary to set 50 ° or more.

【0022】磁性層形成時の酸素導入量は、磁性層の飽
和磁化を決定するものであり、磁性層を形成する上で重
要な因子の一つである。一般的には飽和磁化が大きい方
が再生出力は高くなるが、高いだけでは意味がない。飽
和磁化は磁性層の磁化容易方向を決定する一つの要因で
あるので、最適値がある。飽和磁化が大きいと磁化容易
方向は磁性層の膜面内方向に近づくので、飽和磁化が大
きすぎるとノイズの増大につながる。一方、飽和磁化が
小さすぎると磁性層の異方性エネルギーが小さくなり磁
性層として不都合となる。磁性層を構成する柱状粒子の
傾斜の範囲を入射角によって20゜から35゜とし、磁
化容易方向の範囲を酸素導入量を調整することによって
10゜から25゜となるようにすることが重要である。
なお、最適酸素導入量は、装置構成、装置規模あるいは
装置内の残留ガス圧や排気能力によって異なるため具体
的な数値で一義的に表現することは困難である。装置に
応じて最適な酸素導入量を決める必要がある。
The amount of oxygen introduced at the time of forming the magnetic layer determines the saturation magnetization of the magnetic layer, and is one of the important factors in forming the magnetic layer. Generally, the larger the saturation magnetization, the higher the reproduction output, but it is meaningless only if the reproduction output is high. Since the saturation magnetization is one factor that determines the easy magnetization direction of the magnetic layer, it has an optimum value. If the saturation magnetization is large, the direction of easy magnetization approaches the in-plane direction of the magnetic layer, so if the saturation magnetization is too large, noise increases. On the other hand, if the saturation magnetization is too small, the anisotropy energy of the magnetic layer becomes small, which is inconvenient for the magnetic layer. It is important to set the range of inclination of the columnar grains constituting the magnetic layer to 20 ° to 35 ° depending on the incident angle, and the range of easy magnetization direction to 10 ° to 25 ° by adjusting the oxygen introduction amount. is there.
The optimum oxygen introduction amount differs depending on the device configuration, the device scale, the residual gas pressure in the device, and the exhaust capacity, so it is difficult to unambiguously express it with a specific numerical value. It is necessary to determine the optimum amount of oxygen introduced according to the device.

【0023】本発明の磁気記録媒体を製造する際には、
第1磁性層を形成する際の(酸素導入量)/(膜堆積速
度)の値が、第2磁性層を形成する際の(酸素導入量)
/(膜堆積速度)の値より大である必要がある。飽和磁
化で言えば、第1磁性層の飽和磁化は第2磁性層より小
である必要がある。第1磁性層には、第2磁性層の下地
という機能と本来の磁性層としての機能がある。第1磁
性層を下地と見るときには酸素導入量は大きな問題では
ないが、磁性層と見る場合には酸素導入量は重要であ
る。第1磁性層は上述したように、柱状粒子の形状磁気
異方性で磁性層の意味を持っているものである。従っ
て、第1磁性層は、自己陰影効果の大きい高入射角で形
成し、さらに酸素導入により柱状粒子間の磁気的分離を
促進する必要がある。そのため第2磁性層よりも(酸素
導入量)/(膜堆積速度)の値を大きくすることが必要
となり、飽和磁化も小さくなる。一方、第2磁性層は、
柱状粒子の形状磁気異方性とともに結晶磁気異方性も大
きく寄与している。一般的には、ガスを導入すると結晶
性が低下する。従って、第2磁性層を形成する際には、
結晶性低下を最小限に抑えることに主眼を置き、かつ必
要最低限の柱状粒子間の磁気的分離を確保し得るように
酸素導入量を最小限に抑えることが必要である。すなわ
ち(酸素導入量)/(膜堆積速度)の値をできるだけ小
さくする必要があるわけである。実際の磁性層形成の際
の酸素導入量の絶対量は、蒸発源に投入する電子ビーム
のパワーや入射角の範囲等の条件によって、第1磁性層
よりも第2磁性層形成時の方が多量になる場合もある
し、逆の場合もある。
When manufacturing the magnetic recording medium of the present invention,
The value of (oxygen introduction amount) / (film deposition rate) when forming the first magnetic layer is (oxygen introduction amount) when forming the second magnetic layer.
It should be larger than the value of / (film deposition rate). In terms of saturation magnetization, the saturation magnetization of the first magnetic layer needs to be smaller than that of the second magnetic layer. The first magnetic layer has a function as a base of the second magnetic layer and a function as an original magnetic layer. The oxygen introduction amount is not a big problem when the first magnetic layer is regarded as a base, but the oxygen introduction amount is important when regarded as the magnetic layer. As described above, the first magnetic layer has the meaning of a magnetic layer due to the shape magnetic anisotropy of the columnar particles. Therefore, it is necessary to form the first magnetic layer at a high incident angle having a large self-shading effect and to promote the magnetic separation between the columnar particles by introducing oxygen. Therefore, it is necessary to make the value of (oxygen introduction amount) / (film deposition rate) larger than that of the second magnetic layer, and the saturation magnetization also becomes smaller. On the other hand, the second magnetic layer is
In addition to the shape magnetic anisotropy of the columnar particles, the crystal magnetic anisotropy also greatly contributes. In general, the introduction of gas reduces the crystallinity. Therefore, when forming the second magnetic layer,
It is necessary to minimize the decrease in crystallinity, and to minimize the amount of oxygen introduced so as to ensure the minimum required magnetic separation between columnar particles. That is, it is necessary to make the value of (oxygen introduction amount) / (film deposition rate) as small as possible. The absolute amount of oxygen introduced during the actual formation of the magnetic layer depends on conditions such as the power of the electron beam input to the evaporation source and the range of the incident angle, when the second magnetic layer is formed rather than the first magnetic layer. There may be a large amount, and vice versa.

【0024】つぎに、図2を用いて本発明の磁気記録媒
体の製造装置について説明する。図2に示した装置によ
れば、1回の高分子フィルム基板の走行で本発明の磁気
記録媒体が得られ、生産性が大幅に向上する。
Next, the manufacturing apparatus of the magnetic recording medium of the present invention will be described with reference to FIG. According to the apparatus shown in FIG. 2, the magnetic recording medium of the present invention can be obtained by running the polymer film substrate once, and the productivity is greatly improved.

【0025】図2において、1個の円筒状キャン2に対
して高分子フィルム基板1の走行方向に沿って2個の蒸
発源51、52が配設されている。第1蒸発源51が第
1磁性層用、第2蒸発源52が第2磁性層用である。第
1および第2蒸発源51および52と円筒状キャン2と
の間に、それぞれの蒸発源に対応した第1および第2開
口部111および112を設定する遮蔽板71と81お
よび72と82が配設されている。第1磁性層用の第1
開口部111において、遮蔽板71が第1磁性層の初期
入射角φi1を遮蔽板81が同じく第1磁性層の終期入射
角φf1を規定している。第2磁性層用の第2開口部11
2において、遮蔽板72が第2磁性層の初期入射角φi2
を遮蔽板82が同じく第2磁性層の終期入射角φf2を規
定している。また、第1および第2蒸発源51および5
2を円筒状キャン2の中心を通る鉛直線に対して高分子
フィルム基板1の走行上流側の同じ側に配置し、円筒状
キャン2の中心を通る鉛直線と第1蒸発源51の蒸発部
の中心との距離が、円筒状キャン2の半径よりも長く、
円筒状キャン2の中心を通る鉛直線と第2蒸発源52の
蒸発部の中心との距離が、円筒状キャン2の半径よりも
短く、第1蒸発源51が第2開口部112の水平位置よ
り上方に配置されている。
In FIG. 2, two evaporation sources 51 and 52 are arranged for one cylindrical can 2 along the traveling direction of the polymer film substrate 1. The first evaporation source 51 is for the first magnetic layer, and the second evaporation source 52 is for the second magnetic layer. Between the first and second evaporation sources 51 and 52 and the cylindrical can 2, there are shield plates 71, 81 and 72 and 82 for setting the first and second openings 111 and 112 corresponding to the respective evaporation sources. It is arranged. First for first magnetic layer
In the opening 111, the shield plate 71 defines the initial incident angle φ i1 of the first magnetic layer, and the shield plate 81 similarly defines the final incident angle φ f1 of the first magnetic layer. Second opening 11 for the second magnetic layer
2, the shield plate 72 has an initial incident angle φ i2 of the second magnetic layer.
The shield plate 82 also defines the final incident angle φ f2 of the second magnetic layer. Also, the first and second evaporation sources 51 and 5
2 is arranged on the same side of the upstream of the polymer film substrate 1 with respect to the vertical line passing through the center of the cylindrical can 2, and the vertical line passing through the center of the cylindrical can 2 and the evaporation portion of the first evaporation source 51. The distance from the center of is longer than the radius of the cylindrical can 2,
The distance between the vertical line passing through the center of the cylindrical can 2 and the center of the evaporation portion of the second evaporation source 52 is shorter than the radius of the cylindrical can 2, and the first evaporation source 51 is located at the horizontal position of the second opening 112. It is located above.

【0026】上記本発明の装置構成により、ふたつの磁
性層を同時に形成する工程において、高分子フィルム基
板1の走行速度以外のパラメータをすべてを独立に制御
することができる。また、真空蒸着法で重要である蒸着
部近傍の残留ガス圧を低くすることができるのも、本発
明の装置構成の大きな特徴である。仮に、第1蒸発源5
1が第2開口部112の水平位置より低い場合には、第
1蒸発源51が第2開口部112近傍の残留ガスを排気
する際の妨げになるし、第1蒸発源51からの蒸発原子
が第2開口部に到達しないように別に遮蔽板を配設すれ
ば、この遮蔽板も第2開口部112近傍の残留ガスを排
気する際の妨げになる。
According to the apparatus configuration of the present invention, all parameters other than the traveling speed of the polymer film substrate 1 can be independently controlled in the step of simultaneously forming the two magnetic layers. Further, it is also a great feature of the apparatus configuration of the present invention that the residual gas pressure in the vicinity of the vapor deposition section, which is important in the vacuum vapor deposition method, can be lowered. For example, the first evaporation source 5
When 1 is lower than the horizontal position of the second opening 112, the first evaporation source 51 hinders exhausting the residual gas in the vicinity of the second opening 112, and the evaporation atoms from the first evaporation source 51 If a shielding plate is separately provided so that the gas does not reach the second opening, this shielding plate also hinders exhausting the residual gas in the vicinity of the second opening 112.

【0027】電子ビーム源としてピアス型電子銃を用い
た電子ビーム加熱が量産に適しているが、複数個設置す
ることは、装置の規模が大きくなるとともに、電子ビー
ム集束用に導入される不活性ガスの影響も大となり、開
口部近傍の残留ガス圧を高めることになる。従って、残
留ガス圧の低減および装置規模の縮小を考慮する場合に
は、1個の電子ビーム源からの電子ビームを磁場偏向し
て2個の蒸発源に差し向けることが望ましい。この際、
電子ビームを振り分ける割合を制御することによって、
各蒸発源に対する電子ビームの投入パワーを制御するこ
とが可能である。
Electron beam heating using a pierce type electron gun as an electron beam source is suitable for mass production, but installing a plurality of electron beam guns increases the scale of the apparatus and the inertness introduced for electron beam focusing. The influence of gas also becomes large, and the residual gas pressure near the opening is increased. Therefore, when the reduction of the residual gas pressure and the reduction of the apparatus scale are taken into consideration, it is desirable to deflect the electron beam from one electron beam source and direct it to two evaporation sources. On this occasion,
By controlling the distribution ratio of the electron beam,
It is possible to control the input power of the electron beam to each evaporation source.

【0028】2個の蒸発源を電子ビーム61および62
で加熱する際、それぞれの蒸発源に対する電子ビーム
が、他の蒸発源から開口部に向かう蒸発原子流と交差し
ないようにする。例えば、図2において、第1蒸発源が
円筒状キャン2から離れて電子ビーム62を越えた位置
に配置されたとすると、電子ビーム62が第1蒸発源5
1から第1開口部111に向かう蒸発原子流と交差する
ことになるが、このような配置では生産性は低下する
し、余分な遮蔽板も必要となり大変不都合である。
The two evaporation sources are electron beams 61 and 62.
When heating at 1, the electron beams for each evaporation source are prevented from intersecting the vaporized atomic flow from the other evaporation source toward the opening. For example, in FIG. 2, assuming that the first evaporation source is arranged at a position apart from the cylindrical can 2 and beyond the electron beam 62, the electron beam 62 is emitted from the first evaporation source 5.
Although it intersects with the vaporized atomic flow from 1 toward the first opening 111, such an arrangement is not very convenient because it lowers the productivity and requires an additional shielding plate.

【0029】第2蒸発源52よりも第1蒸発源51を小
型にすると都合がよい。第1蒸発源51を小型にし円筒
状キャン2に接近させることで、電子ビーム62を第2
蒸発源52に対してより鋭角に照射でき生産性、制御性
とも高くなる。この装置構成は、本発明の磁気記録媒体
の磁性層の構造上の特徴である第1磁性層が薄く第2磁
性層が厚いという点にかかわっている。第1磁性層用蒸
発源51は、円筒状キャン2の下部より外側にあり、蒸
気密度の最も高い部分を成膜に供し得ない構造となる
が、円筒状キャン2に近接して配置されているため、膜
の堆積速度は実用上問題ない程度に高い。従って、第2
磁性層用蒸発源よりも小型でよく電子ビームの投入パワ
ーも低くてよい。蒸発源を2個装備しているが非常にコ
ンパクトな装置とすることができる。
It is convenient to make the first evaporation source 51 smaller than the second evaporation source 52. By making the first evaporation source 51 small and making it close to the cylindrical can 2,
The evaporation source 52 can be irradiated at a more acute angle, resulting in high productivity and controllability. This device configuration is concerned with the fact that the first magnetic layer is thin and the second magnetic layer is thick, which is a structural feature of the magnetic layer of the magnetic recording medium of the present invention. The evaporation source 51 for the first magnetic layer is located outside the lower portion of the cylindrical can 2 and has a structure in which the portion having the highest vapor density cannot be used for film formation, but is arranged close to the cylindrical can 2. Therefore, the deposition rate of the film is so high that there is no practical problem. Therefore, the second
It may be smaller than the evaporation source for the magnetic layer and may have a low electron beam input power. Although it is equipped with two evaporation sources, it can be a very compact device.

【0030】2個の蒸発源に対して、それぞれ1組ずつ
の開口部が配設されるとともに、各開口部に対して酸素
導入口が配設されいる。第1磁性層用として遮蔽板81
と円筒状キャン2との間に配設されている酸素導入口9
1から酸素が導入され、第2磁性層用として遮蔽板82
と円筒状キャン2との間に配設されている酸素導入口9
2から酸素が導入される。第1磁性層用として酸素導入
口91から導入される酸素が第2開口部112に流れ込
むのを抑制することが重要であり、遮蔽板81の終端部
を鍵型にするなどの工夫が必要である。
A pair of openings is provided for each of the two evaporation sources, and an oxygen inlet is provided for each opening. Shielding plate 81 for the first magnetic layer
Oxygen inlet 9 arranged between the cylindrical can 2 and the cylindrical can 2.
Oxygen is introduced from 1 and the shield plate 82 for the second magnetic layer is formed.
Oxygen inlet 9 arranged between the cylindrical can 2 and the cylindrical can 2.
Oxygen is introduced from 2. It is important to suppress the oxygen introduced from the oxygen inlet 91 for the first magnetic layer from flowing into the second opening 112, and it is necessary to devise a key-shaped end portion of the shielding plate 81. is there.

【0031】[0031]

【実施例】以下に本発明の実施例について説明する。EXAMPLES Examples of the present invention will be described below.

【0032】図3に示した磁気記録媒体の製造装置を用
いて、Co−O膜を磁性層として形成した。高分子フィ
ルム基板1として厚さ7μmのポリエチレンテレフタレ
ートフィルムを用いた。円筒状キャン2の直径は1.5
mである。
A Co—O film was formed as a magnetic layer using the magnetic recording medium manufacturing apparatus shown in FIG. A polyethylene terephthalate film having a thickness of 7 μm was used as the polymer film substrate 1. The diameter of the cylindrical can 2 is 1.5
m.

【0033】(実施例1)第1磁性層を入射角の範囲8
0゜から60゜で形成した。蒸発源5にCoを仕込み5
0kWの電子ビームによって溶解した。ガス導入ノズル
5から毎分0.9リットルの酸素を導入した。高分子フ
ィルム基板1の走行速度を変化させて膜厚が0.005
μmから0.2μmの膜を形成した。第1磁性層形成
後、巻き取ったロールを1回巻き直してその上に第2磁
性層を入射角の範囲70゜から50゜で形成した。蒸発
源5にCoを仕込み60kWの電子ビームによって溶解
した。ガス導入ノズル5から毎分1.0リットルの酸素
を導入した。高分子フィルム基板1の走行速度を調整し
て膜厚が0.06μmの膜を形成した。
(Example 1) The first magnetic layer has an incident angle range of 8
It was formed at 0 ° to 60 °. Co is charged in the evaporation source 5
It was melted by an electron beam of 0 kW. 0.9 liter of oxygen was introduced from the gas introduction nozzle 5 per minute. The film thickness was changed to 0.005 by changing the running speed of the polymer film substrate 1.
A film having a thickness of μm to 0.2 μm was formed. After forming the first magnetic layer, the wound roll was rewound once, and the second magnetic layer was formed thereon with an incident angle range of 70 ° to 50 °. Co was charged in the evaporation source 5 and melted by an electron beam of 60 kW. From the gas introduction nozzle 5, 1.0 liter of oxygen was introduced per minute. The running speed of the polymer film substrate 1 was adjusted to form a film having a thickness of 0.06 μm.

【0034】出来たサンプルをテープ状にスリットし、
記録再生特性を調べた。記録再生特性はセンダストから
なるギャップ長0.15μmのリング型磁気ヘッドを用
いて測定した。なお、再生出力は記録波長0.4μmで
の値、ノイズは記録波長0.4μmの信号を記録した際
の、記録信号の周波数より1MHz低い周波数における
ノイズである。結果を図4に示す。
The resulting sample is slit into a tape,
The recording / reproducing characteristics were examined. The recording / reproducing characteristics were measured by using a ring type magnetic head made of sendust and having a gap length of 0.15 μm. The reproduction output is a value at a recording wavelength of 0.4 μm, and the noise is noise at a frequency 1 MHz lower than the frequency of the recording signal when a signal having a recording wavelength of 0.4 μm is recorded. The results are shown in Fig. 4.

【0035】図4は再生出力およびノイズの第1磁性層
膜厚依存性である。第1磁性層膜厚の増加とともに再生
出力は増加し飽和している。これは、第1磁性層の下地
としての機能が膜厚とともに増加するためと考えられ
る。膜厚0.01μm以上でその機能が充分に発揮され
ているとみなされる。また、ノイズも第1磁性層膜厚の
増加とともに増加している。膜厚0.06μm以上では
急激にノイズが高くなっており、柱状粒子の粗大化の影
響が顕著に現れたものと考えられる。この傾向は第2磁
性層を他の膜厚に選んでも変わらない。ただし、ノイズ
絶対値は第2磁性層の膜厚増加とともに増大する。図4
から第1磁性層の膜厚の最適の範囲がわかる。
FIG. 4 shows the dependence of reproduction output and noise on the thickness of the first magnetic layer. The reproduction output increases and saturates as the thickness of the first magnetic layer increases. It is considered that this is because the function of the first magnetic layer as a base increases with the film thickness. It is considered that the function is sufficiently exhibited when the film thickness is 0.01 μm or more. Further, noise also increases with an increase in the film thickness of the first magnetic layer. It is considered that when the film thickness is 0.06 μm or more, the noise is sharply increased, and the influence of the coarsening of the columnar particles is remarkable. This tendency does not change even if the second magnetic layer is selected to have another thickness. However, the absolute noise value increases as the film thickness of the second magnetic layer increases. Figure 4
From this, the optimum range of the thickness of the first magnetic layer is known.

【0036】(実施例2)実施例1と同様な方法で磁性
層を形成した。ただし、第1磁性層として、高分子フィ
ルム基板1の走行速度を調整して膜厚が0.02μmの
膜を形成し、第2磁性層として、高分子フィルム基板1
の走行速度を変化させて膜厚が0.02μmから0.2
μmの膜を形成した。実施例1と同様に出来たサンプル
をテープ状にスリットし、記録再生特性を調べた。結果
を図5に示す。
(Example 2) A magnetic layer was formed in the same manner as in Example 1. However, as the first magnetic layer, the traveling speed of the polymer film substrate 1 is adjusted to form a film having a film thickness of 0.02 μm, and as the second magnetic layer, the polymer film substrate 1 is formed.
The film thickness was changed from 0.02μm to 0.2 by changing the running speed of
A μm film was formed. A sample produced in the same manner as in Example 1 was slit into a tape shape, and the recording / reproducing characteristics were examined. Results are shown in FIG.

【0037】図5は再生出力およびノイズの第2磁性層
膜厚依存性である。第2磁性層膜厚の増加とともに再生
出力は増加し飽和している。これは、磁性層の総膜厚と
し0.05μm以上が必要であることを示している。ま
た、ノイズも第2磁性層膜厚の増加とともに増加してい
る。膜厚0.1μm以上ではノイズがかなり高くなって
おり、柱状粒子の粗大化の影響が現れたものと考えられ
る。この傾向は第1磁性層を他の膜厚に選んでも変わら
ない。ただし、ノイズ絶対値は第1磁性層の膜厚増加と
ともに増大し、ノイズが急激に増加し始める第2磁性層
の膜厚が薄い方に移動する。これは、第2磁性層の柱状
粒子の粒径が第1磁性層の柱状粒子の粒径をある程度受
け継いでいるためと考えられる。すなわち、ノイズを低
く抑えるためには、第1磁性層が厚い場合には第2磁性
層を薄くする必要があるし、第1磁性層が薄い場合には
第2磁性層をある程度厚くしてもノイズを低く抑えるこ
とができるということである。
FIG. 5 shows the dependence of the reproduction output and noise on the thickness of the second magnetic layer. The reproduction output increases and saturates as the film thickness of the second magnetic layer increases. This indicates that the total thickness of the magnetic layer needs to be 0.05 μm or more. Further, noise also increases with an increase in the thickness of the second magnetic layer. When the film thickness is 0.1 μm or more, noise is considerably high, and it is considered that the influence of coarsening of columnar particles appears. This tendency does not change even if the first magnetic layer is selected to have another thickness. However, the absolute noise value increases with an increase in the film thickness of the first magnetic layer, and the film thickness of the second magnetic layer at which the noise starts to increase sharply shifts to a smaller thickness. It is considered that this is because the particle size of the columnar particles of the second magnetic layer inherits the particle size of the columnar particles of the first magnetic layer to some extent. That is, in order to suppress noise to a low level, it is necessary to make the second magnetic layer thin when the first magnetic layer is thick, and even if the second magnetic layer is made thick to some extent when the first magnetic layer is thin. This means that noise can be kept low.

【0038】実施例1および実施例2のような系統的な
検討を行うことから、磁性層の総膜厚の好適な範囲が、
0.05μmから0.12μmであり、第2磁性層の磁
性層の膜厚全体に占める割合が50%以上80%以下が
好適という判断ができる。さらに、再生出力およびC/
Nの観点から判断すると、磁性層の総膜厚の範囲が0.
06μmから0.1μmであり、かつ第2磁性層の膜厚
全体に占める割合が60%以上75%以下であることが
より望ましい。
Since the systematic examination as in Example 1 and Example 2 is conducted, the preferable range of the total thickness of the magnetic layer is
It is 0.05 μm to 0.12 μm, and it can be judged that the ratio of the second magnetic layer to the total thickness of the magnetic layer is preferably 50% or more and 80% or less. In addition, playback output and C /
Judging from the viewpoint of N, the range of the total film thickness of the magnetic layer is 0.
It is more preferable that the thickness is from 06 μm to 0.1 μm, and the ratio of the second magnetic layer to the entire thickness is 60% or more and 75% or less.

【0039】(実施例3)実施例1と同様な方法で磁性
層を形成した。ただし、第1磁性層として、高分子フィ
ルム基板1の走行速度を調整して膜厚が0.03μmの
膜を形成し、第2磁性層として、高分子フィルム基板1
の走行速度を調整して膜厚が0.07μmの膜を形成し
た。また、第2磁性層を形成する際に、導入酸素量を変
化させた。実施例1と同様に出来たサンプルをテープ状
にスリットし、記録再生特性を調べた。結果を図6に示
す。
Example 3 A magnetic layer was formed in the same manner as in Example 1. However, the running speed of the polymer film substrate 1 is adjusted as the first magnetic layer to form a film having a thickness of 0.03 μm, and the second magnetic layer is used as the polymer film substrate 1.
The traveling speed of was adjusted to form a film having a thickness of 0.07 μm. Further, the amount of oxygen introduced was changed when the second magnetic layer was formed. A sample produced in the same manner as in Example 1 was slit into a tape shape, and the recording / reproducing characteristics were examined. Results are shown in FIG.

【0040】図6は再生出力およびノイズの第2磁性層
形成時の酸素導入量依存性である。再生出力に対して導
入酸素量に最適値があることがわかる。また、最適値以
上の酸素導入量では再生出力が急激に低下する。これ
は、過剰酸素により柱状粒子の結晶性が著しく低下する
ためと考えられる。一方、ノイズは導入酸素量の増加と
ともに単調に低下する。これは、導入酸素量の増加に伴
う飽和磁化の低下と柱状粒子間の磁気的分離の促進が考
えられる。図6における導入酸素量が0.6リットル/
分から1.2リットル/分の間のサンプルの磁化容易方
向は基板面から10゜以上25゜以下の範囲にあった。
他方、0.4リットル/分のサンプルは7゜であり、
0.14リットル/分のサンプルは32゜であった。こ
のことから、導入酸素量による磁化容易方向の制御が重
要であることがわかる。また、図6からは、高いC/N
を得るための最適導入酸素量の範囲は狭く、導入酸素量
を厳しく制御する必要があることがわかる。
FIG. 6 shows the dependence of reproduction output and noise on the amount of oxygen introduced during the formation of the second magnetic layer. It can be seen that the amount of introduced oxygen has an optimum value with respect to the reproduction output. Further, when the oxygen introduction amount is equal to or more than the optimum value, the reproduction output sharply decreases. It is considered that this is because the crystallinity of the columnar particles is significantly reduced by the excess oxygen. On the other hand, the noise monotonously decreases as the amount of introduced oxygen increases. It is considered that this is because the saturation magnetization is reduced and the magnetic separation between the columnar particles is promoted as the amount of introduced oxygen increases. The amount of oxygen introduced in FIG. 6 is 0.6 liter /
The direction of easy magnetization of the sample between min and 1.2 l / min was within the range of 10 ° to 25 ° from the substrate surface.
On the other hand, the 0.4 liter / min sample is 7 °,
The 0.14 liter / min sample was 32 °. From this, it is understood that the control of the easy magnetization direction by the amount of introduced oxygen is important. Also, from FIG. 6, high C / N
It can be seen that the range of the optimum amount of introduced oxygen for obtaining the above is narrow and the amount of introduced oxygen must be strictly controlled.

【0041】つぎに、図2に示した本発明の磁気記録媒
体の製造装置を用いて、Co−O膜を磁性層として形成
した。高分子フィルム基板1として厚さ7μmのポリエ
チレンテレフタレートフィルムを用いた。円筒状キャン
2の直径は1.5mである。
Next, a Co—O film was formed as a magnetic layer using the magnetic recording medium manufacturing apparatus of the present invention shown in FIG. A polyethylene terephthalate film having a thickness of 7 μm was used as the polymer film substrate 1. The diameter of the cylindrical can 2 is 1.5 m.

【0042】(実施例4)第1磁性層の入射角の範囲が
85゜から75゜となるように、また第2磁性層の入射
角の範囲が80゜から55゜となるように遮蔽板を設定
した。蒸発源51および52にCoを仕込んだ。蒸発源
51へのCoの仕込み量は蒸発源52の1/3とした。
電子ビームの投入パワーは、第1蒸発源に対して20k
W、第2蒸発源に対しては60kWとした。ガス導入ノ
ズル91から毎分0.4リットルの酸素を、ガス導入ノ
ズル92から毎分1.0リットルの酸素を導入した。高
分子フィルム基板1の走行速度を調整して磁性層の総膜
厚が0.9μmの膜を形成した。
(Embodiment 4) A shielding plate is provided so that the incident angle range of the first magnetic layer is 85 ° to 75 ° and the incident angle range of the second magnetic layer is 80 ° to 55 °. It was set. Co was charged in the evaporation sources 51 and 52. The amount of Co charged into the evaporation source 51 was ⅓ of the evaporation source 52.
The input power of the electron beam is 20k for the first evaporation source.
W and 60 kW for the second evaporation source. 0.4 l / min of oxygen was introduced from the gas introduction nozzle 91, and 1.0 l / min of oxygen was introduced from the gas introduction nozzle 92. The running speed of the polymer film substrate 1 was adjusted to form a film having a total magnetic layer thickness of 0.9 μm.

【0043】出来たサンプルをテープ状にスリットし、
実施例1と同様にして記録再生特性を調べ、市販のME
テープと比較した。その結果、本実施例のテープは市販
のMEテープに対して再生出力で+7dB以上、C/N
で+6dB以上であった。
The resulting sample was slit into a tape,
The recording / reproducing characteristics were examined in the same manner as in Example 1, and a commercially available ME
Compared to tape. As a result, the tape of this example has a reproduction output of +7 dB or more and C / N as compared with the commercially available ME tape.
Was +6 dB or more.

【0044】このように本実施例のテープが優れた記録
再生特性を示すのは、磁性層の磁気異方性エネルギーが
高いためと考えられる。そこで、両者の磁気異方性エネ
ルギーKuを調べた。その結果、市販のMEテープのKu
が約1.4×106erg/ccであるのに対し、本実
施例のテープのKuは約2.7×106erg/ccであ
った。本実施例のテープは、膜厚は薄いが以上のように
高エネルギーであるために優れた性能を示すものと言え
る。
The excellent recording / reproducing characteristics of the tape of this example are considered to be due to the high magnetic anisotropy energy of the magnetic layer. Therefore, the magnetic anisotropy energies K u of both were investigated. As a result, the commercially available ME tape Ku
Of about 1.4 × 10 6 erg / cc, whereas the K u of the tape of this example was about 2.7 × 10 6 erg / cc. It can be said that the tape of this example exhibits excellent performance because of its high energy as described above although the tape thickness is thin.

【0045】(比較例1)実施例4と同様な方法で磁性
層を形成した。ただし、第1磁性層の入射角の範囲を9
0゜から75゜とした。できたサンプルをテープ状にス
リットして記録再生特性を調べたが、テープ表面に傷が
つきやすく測定が困難であった。これは、入射角を90
゜まで拡大したために結晶粒が異常成長し、異常成長し
た結晶粒がヘッドとの摺動で破壊されやすいことが原因
と考えられる。また、異方性エネルギーKuも約2.1
×106erg/ccと低かった。
Comparative Example 1 A magnetic layer was formed by the same method as in Example 4. However, if the incident angle range of the first magnetic layer is 9
The angle was 0 ° to 75 °. The resulting sample was slit into a tape and the recording / reproducing characteristics were examined, but the surface of the tape was easily scratched and the measurement was difficult. This has an incident angle of 90
It is considered that this is because the crystal grains grow abnormally due to the expansion up to a degree and the crystal grains that grow abnormally are easily broken by sliding with the head. Also, the anisotropic energy K u is about 2.1.
It was as low as × 10 6 erg / cc.

【0046】(比較例2)実施例4と同様な方法で磁性
層を形成した。ただし、遮蔽板81の後端部の鍵状部分
を除去し円筒状キャン2との間隔を広くした。できたサ
ンプルをテープ状にスリットして記録再生特性を調べた
が、実施例4におけるテープより再生出力およびC/N
とも3から4dB低かった。また、異方性エネルギーK
uも約1.7×106erg/ccと低かった。これは、
第1磁性層用に導入された酸素が第2磁性層の初期入射
側に侵入して、第2磁性層の結晶性を著しく低下させた
ためと考えられる。この結果から、導入酸素の管理が非
常に重要であることがわかる。余剰酸素の振る舞いを考
慮し、速やかに排気出来る構造が必要である。また、酸
素を膜の形成初期側から導入せずに、膜形成終期側から
導入する必要性があることもわかる。
(Comparative Example 2) A magnetic layer was formed in the same manner as in Example 4. However, the key-like portion at the rear end portion of the shielding plate 81 was removed to widen the gap with the cylindrical can 2. The produced sample was slit into a tape shape and the recording / reproducing characteristics were examined.
Both were 3 to 4 dB lower. Also, the anisotropic energy K
u was also low at about 1.7 × 10 6 erg / cc. this is,
It is considered that oxygen introduced for the first magnetic layer penetrated into the initial incidence side of the second magnetic layer and significantly lowered the crystallinity of the second magnetic layer. From this result, it is understood that the control of introduced oxygen is very important. Considering the behavior of excess oxygen, it is necessary to have a structure that can be quickly exhausted. It is also understood that it is necessary to introduce oxygen from the final stage of film formation without introducing oxygen from the initial stage of film formation.

【0047】以上の実施例では、円筒状キャン2の直径
を1.5mとしたが他の大きさでもよい。また、高分子
フィルム基板1としは、ポリエチレンテレフタレート以
外の高分子材料からなるフィルムでもよい。入射角や膜
厚等の条件は、本発明で明示している範囲内であれば良
い。
In the above embodiment, the diameter of the cylindrical can 2 is set to 1.5 m, but other sizes may be used. Further, the polymer film substrate 1 may be a film made of a polymer material other than polyethylene terephthalate. The conditions such as the incident angle and the film thickness may be within the ranges specified in the present invention.

【0048】[0048]

【発明の効果】以上のように本発明の磁気記録媒体とそ
の製造方法によれば、磁性層の磁気異方性エネルギーを
高めることができるため、高C/N化を達成でき、ディ
ジタル機器に対応できる優れた記録再生特性を有する磁
気記録媒体を得ることが可能である。
As described above, according to the magnetic recording medium of the present invention and the method of manufacturing the same, the magnetic anisotropy energy of the magnetic layer can be increased, so that a high C / N ratio can be achieved and the digital device can be used. It is possible to obtain a magnetic recording medium having excellent recording and reproducing characteristics that can be dealt with.

【0049】さらに本発明の製造装置を用いれば、上記
した磁気記録媒体を生産性よく得ることが可能である。
Furthermore, by using the manufacturing apparatus of the present invention, it is possible to obtain the above magnetic recording medium with high productivity.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の磁気記録媒体の構造を示す概略断面図FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing the structure of a magnetic recording medium of the present invention.

【図2】本発明の磁気記録媒体の製造装置の内部の一例
を示す概略断面図
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing an example of the inside of an apparatus for manufacturing a magnetic recording medium of the present invention.

【図3】従来の磁気記録媒体の製造装置の内部の一例を
示す概略断面図
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing an example of the inside of a conventional magnetic recording medium manufacturing apparatus.

【図4】第1磁性層の膜厚に対する再生出力およびノイ
ズの関係を示す図
FIG. 4 is a diagram showing the relationship between the reproduction output and noise with respect to the film thickness of the first magnetic layer.

【図5】第2磁性層の膜厚に対する再生出力およびノイ
ズの関係を示す図
FIG. 5 is a diagram showing the relationship between the reproduction output and noise with respect to the film thickness of the second magnetic layer.

【図6】第2磁性層形成時の酸素導入量に対する再生出
力およびノイズの関係を示す図
FIG. 6 is a diagram showing the relationship between the reproduction output and noise with respect to the amount of oxygen introduced when forming the second magnetic layer.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

100 高分子フィルム基板 101 第1磁性層 102 第2磁性層 1 高分子フィルム基板 2 円筒状キャン 3 供給ロール 4 巻き取りロール 5 蒸発源 51 第1蒸発源 52 第2蒸発源 6 電子ビーム 61 電子ビーム 62 電子ビーム 7 遮蔽板 71 遮蔽板 72 遮蔽板 8 遮蔽板 81 遮蔽板 82 遮蔽板 9 酸素導入口 91 酸素導入口 92 酸素導入口 10 フリーローラー 111 第1開口部 112 第2開口部 100 polymer film substrate 101 first magnetic layer 102 second magnetic layer 1 polymer film substrate 2 cylindrical can 3 supply roll 4 winding roll 5 evaporation source 51 first evaporation source 52 second evaporation source 6 electron beam 61 electron beam 62 Electron Beam 7 Shield Plate 71 Shield Plate 72 Shield Plate 8 Shield Plate 81 Shield Plate 82 Shield Plate 9 Oxygen Inlet Port 91 Oxygen Inlet Port 92 Oxygen Inlet Port 10 Free Roller 111 First Opening 112 Second Opening 112

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石田 達朗 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Tatsuro Ishida 1006 Kadoma, Kadoma City, Osaka Prefecture Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】コバルトと酸素を主成分とする磁性層から
なる薄膜型磁気記録媒体であって、前記磁性層の膜厚が
0.05μm以上0.12μm以下であり、前記磁性層
が基板上に形成された第1磁性層と前記第1磁性層上に
形成された第2磁性層とからなり、前記第1磁性層およ
び前記第2磁性層を形成する柱状粒子が略同方向に傾斜
しており、前記第2磁性層の膜厚が前記磁性層の膜厚全
体に占める割合が50%以上80%以下であることを特
徴とする磁気記録媒体。
1. A thin film magnetic recording medium comprising a magnetic layer containing cobalt and oxygen as main components, wherein the thickness of the magnetic layer is 0.05 μm or more and 0.12 μm or less, and the magnetic layer is on a substrate. The first magnetic layer formed on the first magnetic layer and the second magnetic layer formed on the first magnetic layer, the columnar particles forming the first magnetic layer and the second magnetic layer are inclined in substantially the same direction. The magnetic recording medium is characterized in that the ratio of the film thickness of the second magnetic layer to the total film thickness of the magnetic layer is 50% or more and 80% or less.
【請求項2】磁性層を形成する柱状粒子が基板面から2
0゜以上35゜以下の範囲で傾斜しており、磁性層の磁
化容易方向が基板面から10゜以上25゜以下の範囲に
ある請求項1記載の磁気記録媒体。
2. The columnar particles forming the magnetic layer are separated from the substrate surface by 2
The magnetic recording medium according to claim 1, wherein the magnetic layer is inclined in the range of 0 ° to 35 ° and the easy magnetization direction of the magnetic layer is in the range of 10 ° to 25 ° from the substrate surface.
【請求項3】円筒状キャンの周面に沿って走行しつつあ
る高分子フィルム基板上に、斜方蒸着法により、コバル
トと酸素を主成分とする第1磁性層および第2磁性層を
順次形成する磁気記録媒体の製造方法において、前記高
分子フィルム基板の法線と蒸発原子の入射方向との成す
角を入射角と定義するとき、前記第1および第2磁性層
形成初期の入射角が形成終期の入射角より大であり、か
つ前記第1磁性層形成終期の入射角が前記第2磁性層形
成終期の入射角より大であり、かつ前記第1磁性層を形
成する際の(酸素導入量)/(膜堆積速度)の値が、前
記第2磁性層を形成する際の(酸素導入量)/(膜堆積
速度)の値より大であることを特徴とする磁気記録媒体
の製造方法。
3. A first magnetic layer containing cobalt and oxygen as main components and a second magnetic layer are sequentially formed on a polymer film substrate running along the peripheral surface of a cylindrical can by an oblique evaporation method. In the method of manufacturing a magnetic recording medium to be formed, when the angle formed by the normal line of the polymer film substrate and the incident direction of vaporized atoms is defined as the incident angle, the incident angle at the initial stage of formation of the first and second magnetic layers is The incident angle at the final stage of formation is larger than the incident angle at the final stage of formation of the first magnetic layer, and the incident angle at the final stage of formation of the second magnetic layer is larger than the incident angle at the time of forming the first magnetic layer. The value of (introduction amount) / (film deposition rate) is larger than the value of (oxygen introduction amount) / (film deposition rate) when forming the second magnetic layer. Method.
【請求項4】磁性層形成初期の入射角が85゜以下であ
り、磁性層形成終期の入射角が50゜以上である請求項
3記載の磁気記録媒体の製造方法。
4. The method for producing a magnetic recording medium according to claim 3, wherein the incident angle at the initial stage of forming the magnetic layer is 85 ° or less and the incident angle at the final stage of forming the magnetic layer is 50 ° or more.
【請求項5】円筒状キャンに沿って走行しつつある高分
子フィルム基板上に、真空蒸着法によって磁性層を形成
する磁気記録媒体の製造装置であって、1個の円筒状キ
ャンに対して高分子フィルム基板走行方向に沿って第1
および第2蒸発源を前記円筒状キャンの中心を通る鉛直
線に対して前記高分子フィルム基板走行上流側の同じ側
に配置し、前記円筒状キャンと前記第1および第2蒸発
源との間に、それぞれの蒸発源に対応した第1および第
2開口部を設定する遮蔽板を配置し、前記円筒状キャン
の中心を通る鉛直線と前記第1蒸発源の蒸発部の中心と
の距離が、前記円筒状キャンの半径よりも長く、前記円
筒状キャンの中心を通る鉛直線と前記第2蒸発源の蒸発
部の中心との距離が、前記円筒状キャンの半径よりも短
く、前記第1蒸発源が前記第2開口部の水平位置より上
方に配置されていることを特徴とする磁気記録媒体の製
造装置。
5. A magnetic recording medium manufacturing apparatus for forming a magnetic layer by a vacuum deposition method on a polymer film substrate which is traveling along a cylindrical can. 1st along the running direction of polymer film substrate
And a second evaporation source are arranged on the same side of the polymer film substrate traveling upstream side with respect to a vertical line passing through the center of the cylindrical can, and between the cylindrical can and the first and second evaporation sources. A shield plate that sets the first and second openings corresponding to each evaporation source, and the distance between the vertical line passing through the center of the cylindrical can and the center of the evaporation portion of the first evaporation source is A distance between a vertical line passing through the center of the cylindrical can and the center of the evaporation portion of the second evaporation source is shorter than the radius of the cylindrical can, and is shorter than the radius of the cylindrical can; An apparatus for manufacturing a magnetic recording medium, wherein an evaporation source is disposed above a horizontal position of the second opening.
【請求項6】1個の電子ビーム源から発生される電子ビ
ームを2個の蒸発源に振り分けて、前記2個の蒸発源を
加熱する請求項5記載の磁気記録媒体の製造装置。
6. An apparatus for manufacturing a magnetic recording medium according to claim 5, wherein an electron beam generated from one electron beam source is distributed to two evaporation sources to heat the two evaporation sources.
【請求項7】2個の蒸発源の加熱手段が電子ビーム照射
であって、それぞれの蒸発源に差し向けられる電子ビー
ムが、他の蒸発源から開口部に向かう蒸発原子流と交差
しない請求項5記載の磁気記録媒体の製造装置。
7. The heating means for the two evaporation sources is an electron beam irradiation, and the electron beams directed to the respective evaporation sources do not intersect with a vaporized atomic flow from another evaporation source toward the opening. 5. An apparatus for manufacturing a magnetic recording medium according to 5.
【請求項8】第2蒸発源よりも第1蒸発源が小型である
請求項5記載の磁気記録媒体の製造装置。
8. The apparatus for manufacturing a magnetic recording medium according to claim 5, wherein the first evaporation source is smaller than the second evaporation source.
【請求項9】2個の開口部のそれぞれに対して、高分子
フィルム基板走行上流側に向けて酸素を導入する酸素導
入口が、開口部の高分子フィルム基板走行下流側を設定
している遮蔽板近傍に配設されている請求項5記載の磁
気記録媒体の製造装置。
9. An oxygen introducing port for introducing oxygen toward the upstream side of the running of the polymer film substrate to each of the two openings, sets the running side of the opening of the polymer film substrate of the opening. The magnetic recording medium manufacturing apparatus according to claim 5, which is arranged near the shield plate.
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