JPH07230756A - Anode forming method for plasma display panel - Google Patents
Anode forming method for plasma display panelInfo
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- JPH07230756A JPH07230756A JP6021077A JP2107794A JPH07230756A JP H07230756 A JPH07230756 A JP H07230756A JP 6021077 A JP6021077 A JP 6021077A JP 2107794 A JP2107794 A JP 2107794A JP H07230756 A JPH07230756 A JP H07230756A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、プラズマディスプレ
イパネルの陽極形成方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for forming an anode of a plasma display panel.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、プラズマディスプレイパネル（以
下、ＰＤＰという）の構造として、例えば文献Ｉ（「長
寿命直流放電型メモリーカラーパネル（ＩＩ）」、本山
靖他、１９９０年、ＴＶ学会年次大会、発表予稿集、
Ｐ．Ｐ４９〜５４．ＩＰＵ９２−３２、ＩＤＹ９２−８
８）に開示されたものがある。2. Description of the Related Art Conventionally, as a structure of a plasma display panel (hereinafter referred to as PDP), for example, reference I ("Long-life DC discharge type memory color panel (II)", Yasushi Motoyama et al., 1990, Annual Conference of TV Society) , Proceedings,
P. P49-54. IPU92-32, IDY92-8
8).
【０００３】この文献Ｉに開示のＰＤＰの主要部分の構
造は、大別すると背面板と、前面板と、隔壁部分とで構
成されている。そして前面板は、ガラス板の表面にスト
ライプ状の陰極を設けて構成してあり、また、前面板と
背面間には、複数の表示セル用の隔壁が設けてある。一
方、背面板はガラス板の表面に抵抗体及びストライプ状
に補助陽極及び陽極を設けている。また、背面板側の隔
壁内の下方には抵抗体を設けてあり、この抵抗体は誘電
体層で埋め込まれている。また、補助陽極及び陽極は誘
電体層と離間してガラス基板（背面板）上に設けてあ
り、隔壁内の誘電体層上に蛍光体が形成してある。The structure of the main part of the PDP disclosed in Document I is roughly divided into a back plate, a front plate and a partition wall. The front plate is formed by providing a striped cathode on the surface of the glass plate, and a plurality of partition walls for display cells are provided between the front plate and the back surface. On the other hand, the back plate is provided with a resistor and a striped auxiliary anode and an anode on the surface of the glass plate. A resistor is provided below the partition on the back plate side, and the resistor is embedded with a dielectric layer. Further, the auxiliary anode and the anode are provided on a glass substrate (back plate) separated from the dielectric layer, and the phosphor is formed on the dielectric layer in the partition.
【０００４】また、従来のサンドブラスト法によるＰＤ
Ｐの電極、特に陰極の形成方法としては、文献ＩＩ
（「サンドブラスト法によるカラーＰＤＰ蛍光面の試
作」、藤井英明他、１９９２年、電気通信情報学会技術
報告、ＥＩＤ９１−１０４、Ｐ．５３〜５６）に開示さ
れているものがある。以下、簡単に文献ＩＩの陰極形成
方法について簡単に説明する。Further, PD by the conventional sandblasting method
As a method for forming the P electrode, particularly the cathode, see Reference II.
("Prototype of color PDP phosphor screen by sandblast method", Hideaki Fujii et al., 1992 Technical Report of The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers, EID91-104, P.53-56). The cathode forming method of Document II will be briefly described below.
【０００５】この従来方法によれば、サンドブラスト法
を用いて隔壁を形成すると共に予め背面板上に設けたス
トライプ状のＮｉ陰極を隔壁内に露出させている。According to this conventional method, the barrier ribs are formed by using the sandblast method, and the striped Ni cathodes previously provided on the back plate are exposed in the barrier ribs.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の文献ＩＩに開示されている陰極の形成方法は、
陰極材料としてニッケル（Ｎｉ）を使用しているため、
耐サンドブラストマスクを用いてサンドブラスト法によ
って隔壁中に陰極の表面を露出させる場合、陰極表面が
ダメージを受けるという問題があった（文献ＩＩ、Ｐ５
４、右段第１３行目参照）。ところで、この出願に係る
発明者等は、文献Ｉに開示されてあるような構成、すな
わち補助陽極と陽極を背面板側に形成する場合を想定し
ている。このとき、隔壁の形成をサンドブラストを用い
て行う場合、陽極側の耐サンドブラストマスクに開口し
ている研磨面積が、補助陽極側の耐サンドブラストマス
クに開口している研磨面積よりも大きいため、サンドブ
ラスト速度に差が生じる。このため、陽極側の誘電体層
の研磨が先に進み、初めに陽極の上面が露出する。その
後、誘電体層は補助陽極の上面まで研磨される。従っ
て、陽極の上面の露出後、補助陽極の上面が露出するま
でに、陽極側の誘電体層の研磨が進み、背面板の上面ま
で研磨される。この期間に、陽極の上面がサンドブラス
トにさらされてダメージ（損傷）を受ける。このダメー
ジは、陽極の断線或いは陽極部分の膜厚の減少に伴う配
線抵抗の増大という電気的劣化を起こす原因となってい
た。However, the method of forming a cathode disclosed in the above-mentioned conventional document II is
Since nickel (Ni) is used as the cathode material,
When the surface of the cathode is exposed in the partition wall by the sandblast method using the sandblast resistant mask, there is a problem that the cathode surface is damaged (Reference II, P5).
4, see right row, line 13). By the way, the inventors of the present application envision a configuration as disclosed in Document I, that is, a case where the auxiliary anode and the anode are formed on the back plate side. At this time, when the partition walls are formed by sandblasting, the polishing area opened in the sandblasting-resistant mask on the anode side is larger than the polishing area opened in the sandblasting-resistant mask on the auxiliary anode side. Difference occurs. Therefore, polishing of the dielectric layer on the anode side proceeds first, and the upper surface of the anode is exposed first. Then, the dielectric layer is polished to the upper surface of the auxiliary anode. Therefore, after the upper surface of the anode is exposed, the dielectric layer on the anode side is polished until the upper surface of the auxiliary anode is exposed, and the upper surface of the back plate is polished. During this period, the upper surface of the anode is exposed to sandblast and is damaged. This damage has been a cause of electrical deterioration such as disconnection of the anode or an increase in wiring resistance accompanying a decrease in the film thickness of the anode portion.
【０００７】また、耐サンドブラスト性を向上するため
に、陽極材料として耐ブラスト性を有するアルミニウム
（Ａｌ）を単体で設ける方法もあるが、Ａｌ材料は、ア
ルカリ性剥離液に溶解され易いので、工程の途中にアル
カリ性剥離液を用いる剥離工程がある場合は、Ａｌ材料
を使用できなかった。There is also a method of providing aluminum (Al) having a blast resistance as an anode material alone in order to improve the sand blast resistance, but since the Al material is easily dissolved in an alkaline stripping solution, If there was a stripping step using an alkaline stripping solution on the way, the Al material could not be used.
【０００８】このため、サンドブラスト法によって誘電
体層を研磨して陽極を形成する際に、陽極のダメージ
（損傷）や溶解を来さずにＰＤＰの陽極を形成する方法
が望まれていた。Therefore, there has been a demand for a method of forming an anode of a PDP without damaging or dissolving the anode when polishing the dielectric layer by a sandblast method to form the anode.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】このため、この発明のプ
ラズマディスプレイ（以下、ＰＤＰという。）の陽極形
成方法によれば、次に述べるような方法で陽極を形成す
る。先ず、基板上に所要の数のストライプ状の陽極と所
要の数のストライプ状の補助陽極とを、共に耐アルカリ
性材料で、互いに平行に、形成する。その後、この陽極
の上面に耐サンドブラスト層を形成する。この耐サンド
ブラスト層を、アルミムウム（Ａｌ）層とする。その
後、基板上に、陽極及びＡｌ層から成る二層構造体と補
助陽極とを埋め込むようにして誘電体層を形成する。こ
のとき、好ましくは誘電体層の上面を平坦面とするのが
良い。更に、この誘電体層上の設計応じた適当な箇所に
隔壁形成用のサンドブラストパタンを形成する。このパ
タンは、好ましくは、陽極及び補助陽極の延在方向と平
行な方向のパタン部分と、この延在方向とは直交する方
向パタン部分とから構成し、平行方向のパタン部分は、
陽極及び補助陽極とは重なりあわないようにし、しか
も、直交方向のパタン部分は陽極とは交差するが補助陽
極とは交差しないように設けるのが良い。Therefore, according to the method for forming an anode of a plasma display (hereinafter referred to as PDP) of the present invention, the anode is formed by the following method. First, a required number of striped anodes and a required number of striped auxiliary anodes are formed of an alkali resistant material in parallel with each other. Then, a sandblast resistant layer is formed on the upper surface of this anode. The anti-sandblast layer is an aluminum (Al) layer. After that, a dielectric layer is formed on the substrate by embedding the two-layer structure including the anode and the Al layer and the auxiliary anode. At this time, the upper surface of the dielectric layer is preferably flat. Further, a sandblast pattern for forming barrier ribs is formed on the dielectric layer at an appropriate location according to the design. This pattern is preferably composed of a pattern portion in a direction parallel to the extending direction of the anode and the auxiliary anode, and a direction pattern portion orthogonal to the extending direction, the parallel pattern portion,
It is preferable that the anode and the auxiliary anode do not overlap with each other, and that the pattern portion in the orthogonal direction intersects with the anode but does not intersect with the auxiliary anode.
【００１０】そして、通常、補助陽極を挟む隣接する二
つの、一方のパタン部分間の間隔は、陽極を挟む隣接す
る二つの平行方向のパタン部分間の間隔及び隣接する二
つの直交方向のパタン部分間の間隔よりも狭く形成す
る。然る後、サンドブラスト法を用いて陽極側の基板の
上面部分と補助陽極の上面とが露出するまで誘電体層を
研磨する。その後、誘電体層を研磨した後に得られた構
造体をアルカリ剥離溶液に浸漬して耐サンドブラストパ
タン及び耐サンドブラストパタン外に露出している耐サ
ンドブラスト層部分を除去する。Usually, the distance between two adjacent pattern portions sandwiching the auxiliary anode is such that the distance between two adjacent parallel pattern portions sandwiching the anode and two adjacent orthogonal pattern portions. Form it narrower than the space between them. Then, the dielectric layer is polished by sandblasting until the upper surface of the substrate on the anode side and the upper surface of the auxiliary anode are exposed. After that, the structure obtained after polishing the dielectric layer is dipped in an alkaline stripping solution to remove the sandblast resistant pattern and the sandblast resistant layer portion exposed outside the sandblast resistant pattern.
【００１１】また、この発明の実施にあたり、好ましく
は、陽極及び補助陽極の材料を、ニッケル（Ｎｉ）、金
（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銀（Ａｇ）−パラジウム（Ｐ
ｄ）合金の金属群の中から選ばれた一種類の材料とする
のが良い。In carrying out the present invention, preferably, the materials of the anode and the auxiliary anode are nickel (Ni), gold (Au), silver (Ag), silver (Ag) -palladium (P).
d) It is preferable to use one kind of material selected from the group of alloy metals.
【００１２】[0012]
【作用】上述したこの発明は、基板上にストライプ状の
陽極とストライプ状の補助陽極を耐アルカリ性材料で形
成してあり、また、陽極の上面には、耐サンドブラスト
層をアルミニウム層で形成してある。このため、陽極は
耐サンドブラストを有するアルミニウム層で保護でき
る。According to the present invention described above, the stripe-shaped anode and the stripe-shaped auxiliary anode are formed on the substrate by the alkali resistant material, and the sandblast resistant layer is formed by the aluminum layer on the upper surface of the anode. is there. Therefore, the anode can be protected by an aluminum layer having a sandblast resistance.
【００１３】また、基板上に、補助陽極と陽極及び耐サ
ンドブラスト層から成る二層構造体を埋め込んで誘電体
層を形成する。更に、誘電体層上に隔壁形成用の耐サン
ドブラストパタンを形成し、サンドブラスト法を用いて
誘電体層を、補助陽極の上面陽極側の基板上面の一部が
露出するまで研磨する。補助陽極の上面側の、隣接する
二つのパタン部分間の間隔は陽極側の隣接する二つの隣
接するパタン部分間の間隔よりも狭いので、陽極側の誘
電体層の研磨面積は、補助陽極側の誘電体層の研磨面積
に比べて大きい。このため、サンドブラストを行った際
に、陽極側の誘電体層の研磨が進行して、先に、基板面
に達する。その後、補助陽極の上面が露出するまで研磨
が続く。このとき、陽極の表面は、アルミニウムの耐サ
ンドブラスト層で保護されているので、陽極面まで研磨
されることはない。A two-layer structure composed of an auxiliary anode, an anode and a sandblast resistant layer is embedded on the substrate to form a dielectric layer. Further, an anti-sandblast pattern for forming partition walls is formed on the dielectric layer, and the dielectric layer is polished by the sandblast method until a part of the upper surface of the auxiliary anode on the anode side of the substrate is exposed. Since the space between two adjacent pattern parts on the upper surface side of the auxiliary anode is narrower than the space between two adjacent pattern parts on the anode side, the polishing area of the dielectric layer on the anode side is the auxiliary anode side. Is larger than the polished area of the dielectric layer. Therefore, when sandblasting is performed, polishing of the dielectric layer on the anode side proceeds to reach the substrate surface first. Then, polishing is continued until the upper surface of the auxiliary anode is exposed. At this time, since the surface of the anode is protected by the aluminum sandblast resistant layer, the anode surface is not polished.
【００１４】また、研磨した後に得られた構造体をアル
カリ剥離溶液に浸漬して、耐サンドブラストパタンとこ
の耐サンドブラストパタン外に露出している耐サンドブ
ラスト層の部分を除去する。このとき、耐サンドブラス
トパタンと耐サンドブラスト層（アルミニウム層）のみ
がアルカリ剥離溶液によって溶解して除去されるが、陽
極や補助陽極は、耐アルカリ性材料で形成されているた
め、アルカリ剥離溶液に対して溶解されずに残存する。Further, the structure obtained after polishing is immersed in an alkali stripping solution to remove the sandblast resistant pattern and the portion of the sandblast resistant layer exposed outside the sandblast resistant pattern. At this time, only the sand blast resistant pattern and the sand blast resistant layer (aluminum layer) are dissolved and removed by the alkali stripping solution. However, since the anode and the auxiliary anode are made of the alkali resistant material, the alkaline stripping solution is not used. It remains without being dissolved.
【００１５】従って、この発明によって形成された陽極
は、サンドブラストによって表面が損傷を受けたり、ア
ルカリ剥離溶液で溶解したりしていないので、陽極表面
が粗されず、しかも、膜厚が実質的均一な設計通りの値
となっているので、形成された陽極は電気的な障害をも
たらすことはない。Therefore, since the surface of the anode formed by the present invention is neither damaged by sandblasting nor dissolved by the alkaline stripping solution, the surface of the anode is not roughened and the film thickness is substantially uniform. Since the value is as designed, the formed anode does not cause an electrical obstacle.
【００１６】[0016]
【実施例】以下、図面を参照してこの発明のプラズマデ
ィスプレイ（ＰＤＰ）の陽極形成方法について説明す
る。なお、図１の（Ａ）〜図６の（Ａ）及び（Ｂ）は、
この発明が理解できる程度に各構成成分の形状、大きさ
及び配置を概略的に示してあるにすぎない。また、以下
説明する実施例は、単なる好適例にすぎず、従って、こ
の発明はこの実施例にのみ限定されるものではない。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A method for forming an anode of a plasma display (PDP) according to the present invention will be described below with reference to the drawings. In addition, (A) of FIG. 1- (A) and (B) of FIG.
The shapes, sizes, and arrangements of the respective constituents are only schematically shown so that the present invention can be understood. Further, the embodiment described below is merely a preferred example, and the present invention is not limited to this embodiment.
【００１７】［１］この発明のＰＤＰの構造 この発明のＰＤＰの陽極形成方法の説明に先立ち、先
ず、ＰＤＰの構造について図４、図５及び図６を参照し
て説明する。なお、図４はＰＤＰの概略的平面図であ
り、図５は図１のＸ−Ｘ線に沿って切断した断面図であ
る。また、図６は図１のＹ−Ｙ線に沿って切断したとき
の断面図である。[1] Structure of PDP of the Present Invention Prior to description of the method of forming an anode of the PDP of the present invention, first, the structure of the PDP will be described with reference to FIGS. 4, 5 and 6. 4 is a schematic plan view of the PDP, and FIG. 5 is a sectional view taken along the line XX of FIG. FIG. 6 is a sectional view taken along the line YY of FIG.
【００１８】この発明のＰＤＰ構造は、大別すると基板
１０（背面板ともいう。）と、隔壁１６と、前面板２２
とから構成されている。なお、隔壁１６は、陽極１２及
び補助陽極１３の延在方向と直交する方向に設けられて
いる直交隔壁部分１６ａと、これら両陽極１２及び１３
の延在方向と平行方向に設けられている平行隔壁部分１
６ｂとから成る。The PDP structure of the present invention is roughly classified into a substrate 10 (also referred to as a back plate), a partition wall 16 and a front plate 22.
It consists of and. The partition wall 16 has an orthogonal partition wall portion 16 a provided in a direction orthogonal to the extending direction of the anode 12 and the auxiliary anode 13, and both the anodes 12 and 13.
Parallel partition part 1 provided in a direction parallel to the extending direction of the
6b and.
【００１９】そして、背面板１０上には、ほぼ同一の幅
でストライプ状の陽極１２及び補助陽極１３を所要の本
数づつ設けてある。また、陽極１２は、その一部分が隔
壁１６で囲まれた領域内に露出するように設けてあり、
補助陽極１３はある隣接する二つの平行隔壁部分１６ｂ
間にストライプ状に設けてある。また、隔壁陽極側のの
壁面には、蛍光体２０ａを設けてある（図４と図５参
照）。一方、前面板２２上には、ストライプ状の陰極２
４を陽極１２と直交する方向に設けてある。従って、背
面板１０の陽極１２は、前面板２２の陰極２４に対向さ
せて、直交して設けてある（図４参照）。On the back plate 10, stripe-shaped anodes 12 and auxiliary anodes 13 having substantially the same width are provided in a required number. Further, the anode 12 is provided so that a part thereof is exposed in a region surrounded by the partition wall 16,
The auxiliary anode 13 has two adjacent parallel partition portions 16b.
There are stripes between them. Further, a phosphor 20a is provided on the wall surface on the side of the partition wall anode (see FIGS. 4 and 5). On the other hand, on the front plate 22, the stripe-shaped cathodes 2
4 is provided in a direction orthogonal to the anode 12. Therefore, the anode 12 of the back plate 10 is provided orthogonal to the cathode 24 of the front plate 22 (see FIG. 4).
【００２０】また、背面板１０上の陽極１２の上面の一
部には耐サンドブラスト層１４ａが設けてある（図
６）。A sandblast resistant layer 14a is provided on a part of the upper surface of the anode 12 on the back plate 10 (FIG. 6).
【００２１】［２］この発明のＰＤＰの形成方法 次に、図１の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）及び（Ｄ）、図２
の（Ａ）及び（Ｂ）、及び図３を参照してこの発明のＰ
ＤＰの陽極形成方法を説明する。なお、図１お及び図２
の工程図の各断面は、図４のＸ−Ｘ断面に相当する部分
の断面の切口を示してある。また、図３は、耐サンドブ
ラストパタンを説明するための図であり、図１の（Ｄ）
のＷ−Ｗ線に沿って切断したときの断面図である。[2] Method of Forming PDP of the Present Invention Next, FIGS. 1 (A), 1 (B), 1 (C) and 1 (D), and FIG.
(A) and (B) of FIG.
A method of forming a DP anode will be described. 1 and 2
Each of the cross sections of the process chart of FIG. 4 shows a cut of the cross section of a portion corresponding to the XX cross section of FIG. Further, FIG. 3 is a diagram for explaining the anti-sandblast pattern, which is shown in FIG.
It is sectional drawing when it cut | disconnects along the WW line of FIG.
【００２２】先ず、基板１０（背面板ともいう。）とし
て、ガラス基板を用いる。この基板１０上にスクリーン
印刷法を用いてストライプ状の陽極１２及び補助陽極１
３を平行で、かつ設計に応じた適当な間隔例えば等間隔
で形成する（図４の（Ａ））。両陽極１２及び１３の本
数はそれぞれ設計に応じて任意好適に設計すれば良い。
このとき、好ましくは陽極１２及び補助陽極１３の材料
をニッケル（Ｎｉ）ペースト（例えばエレクトロサイエ
ンスラボラトリー社製＃２５５４）とするのが良い。ま
た、この陽極１２及び補助陽極１３を耐アルカリ性材料
とする。First, a glass substrate is used as the substrate 10 (also referred to as a back plate). A striped anode 12 and auxiliary anode 1 are formed on the substrate 10 by screen printing.
3 are formed in parallel and at appropriate intervals according to the design, for example, at equal intervals ((A) in FIG. 4). The number of both anodes 12 and 13 may be arbitrarily and suitably designed according to the design.
At this time, preferably, the material of the anode 12 and the auxiliary anode 13 is a nickel (Ni) paste (eg, # 2554 manufactured by Electro Science Laboratory). Further, the anode 12 and the auxiliary anode 13 are made of alkali resistant material.
【００２３】次に、ニッケルペーストを印刷後、加熱温
度を約１５０℃とし、約１０分間、このペーストに対し
て加熱処理を行う。その後、陽極１２上にスクリーン印
刷法を用いて陽極１２とほぼ同一幅のストライプ状の耐
サンドブラスト層１４としてアルミニウム層を形成する
（図１の（Ｂ））。このとき、耐サンドブラスト層１４
の材料として、好ましくはアルミニウム（Ａｌ）ペース
ト（例えば奥野製薬社製ＤＳ−５００２）を用いるのが
良い。Next, after printing the nickel paste, the heating temperature is set to about 150 ° C., and the paste is heat-treated for about 10 minutes. After that, an aluminum layer is formed on the anode 12 as a stripe-shaped sandblast-resistant layer 14 having a width substantially the same as that of the anode 12 by using a screen printing method ((B) of FIG. 1). At this time, the sandblast resistant layer 14
As a material for the above, it is preferable to use an aluminum (Al) paste (for example, DS-5002 manufactured by Okuno Chemical Industries Co., Ltd.).
【００２４】その後、図１の（Ｂ）の構造体を乾燥炉
（図示せず）に搬入した後、この構造体に対して加熱温
度を約１５０℃とし、約１０分間、加熱処理を行う。続
いて、乾燥炉から取り出した構造体を加熱炉（図示せ
ず）に搬入して、この構造体に対し、加熱温度を５８０
℃とし、ピーク保持時間１０分間の焼成処理を行う。こ
のような処理を経て耐サンドブラスト層１４が形成され
る。After that, the structure shown in FIG. 1B is carried into a drying furnace (not shown), and the structure is heated at a heating temperature of about 150 ° C. for about 10 minutes. Then, the structure taken out of the drying furnace is carried into a heating furnace (not shown), and the heating temperature is set to 580.
C., and a baking treatment with a peak holding time of 10 minutes is performed. The sandblast resistant layer 14 is formed through such treatment.
【００２５】次に、背面板１０上に、補助陽極１３と、
陽極１２及び耐サンドブラスト層１４から成る二層構造
体とを埋め込むように、誘電体層１６を形成する（図１
の（Ｃ））。この誘電体層１６の上面は好ましくは平坦
面とするのが良い。この誘電体層１６は、スクリーン印
刷法を用いて所定の膜厚になるように、背面板１０に誘
電体ペーストをベタ印刷して形成する。誘電体ペースト
の材料として、好ましくは例えば住友金属鉱山社製ＧＬ
Ｐ１６０６２を用いるのが良い。Next, on the rear plate 10, an auxiliary anode 13 and
A dielectric layer 16 is formed so as to embed the two-layer structure including the anode 12 and the sandblast resistant layer 14 (FIG. 1).
(C)). The upper surface of the dielectric layer 16 is preferably a flat surface. The dielectric layer 16 is formed by solid-printing a dielectric paste on the back plate 10 so as to have a predetermined film thickness by using a screen printing method. As a material for the dielectric paste, for example, GL manufactured by Sumitomo Metal Mining Co., Ltd.
It is better to use P16062.
【００２６】次に、誘電体層上に隔壁形成用の耐サンド
ブラストパタン１８を形成し、図１の（Ｄ）及び図３に
示す構造体を得る。尚、図３は、図１（Ｄ）のＷ−Ｗ線
に沿って切断したときの断面図である。この耐サンドブ
ラストパタン１８の材料として、好ましくは、例えば東
京応化社製ＯＲＤＴＬ ＢＦ−２００を用いるのが良
い。Next, a sandblast resistant pattern 18 for forming barrier ribs is formed on the dielectric layer to obtain the structure shown in FIG. 1D and FIG. Note that FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line WW of FIG. As a material for the sandblast resistant pattern 18, it is preferable to use, for example, ORDTL BF-200 manufactured by Tokyo Ohka Co., Ltd.
【００２７】この実施例では、耐サンドブラストパタン
１８は、両陽極１２及び１３と平行な方向に延在する平
行パタン部分１８ａと、この平行パタン部分１８ａに直
交する方向に設けた直交パタン部分１８ｂとを有してい
る。そして、この平行パタン部分１８ａは陽極１２及び
補助陽極１３とは重なりあわないように、陽極１２間と
補助陽極１３及び陽極１２間に設けてある。しかも、こ
の実施例では、補助陽極１３の上方でこの陽極１３の両
側に対応する箇所にそれぞれ設けられた平行パタン部分
１８ａ間の間隔（幅ともいう）Ｌ1 は陽極１２の上方で
この陽極１２の両側に対応する箇所にそれぞれ設けられ
た平行パタン部分１８ａ間の間隔（幅ともいう）Ｌ2 よ
りも狭く形成する。更に、直交パタン部分１８ｂは、隣
接する二つの陽極１２と交差するが補助陽極１３とは交
差しないように設けてある。そして、隣接して設けられ
た二つの直交パタン部分１８ｂ間の間隔Ｌ3 は、前述し
た幅Ｌ1 よりも大きく、この実施例では幅Ｌ2 よりも大
きく形成する。なお、図１の（Ｂ）では、断面切口を示
してあるため、図中、平行パタン部分１８ａの断面部分
しか現していないが、図３では断面として示してあるた
め、平行パタンの側面が現れており、かつ直交パタン部
分１８ｂは断面切口として現れている。In this embodiment, the sandblast resistant pattern 18 includes a parallel pattern portion 18a extending in a direction parallel to both anodes 12 and 13, and an orthogonal pattern portion 18b provided in a direction orthogonal to the parallel pattern portion 18a. have. The parallel pattern portion 18a is provided between the anodes 12 and between the auxiliary anodes 13 and 12 so as not to overlap with the anodes 12 and the auxiliary anodes 13. Moreover, in this embodiment, the space (also referred to as width) L 1 between the parallel pattern portions 18 a provided above the auxiliary anode 13 at positions corresponding to both sides of the anode 13 is above the anode 12 and the distance L 1 is above the anode 12. It is formed to be narrower than the interval (also referred to as the width) L 2 between the parallel pattern portions 18a provided at the positions corresponding to both sides of the. Further, the orthogonal pattern portion 18b is provided so as to intersect two adjacent anodes 12 but not the auxiliary anode 13. The interval L 3 between the two orthogonal pattern portions 18b provided adjacent to each other is larger than the width L 1 described above, and is larger than the width L 2 in this embodiment. In addition, in FIG. 1 (B), since the cross-section cut is shown, only the cross-sectional portion of the parallel pattern portion 18a is shown in the figure, but since it is shown as the cross-section in FIG. 3, the side surface of the parallel pattern appears. And the orthogonal pattern portion 18b appears as a cross section cut.
【００２８】次に、サンドブラストマシン（例えば不二
製作所社製微粉タイプＳＣ−３）を用いて、研磨剤（例
えば不二製作所社製ＳｉＣ＃６００）を耐サンドブラス
トパタン１８側から図１の（Ｄ）及び図３に示す構造体
に吹きつけ、パタン１８外に露出している誘電体層１６
の部分を補助陽極１３及び基板１０の一部が露出するま
で研磨する（図２の（Ａ））。このとき、陽極側の耐サ
ンドブラストパタンの幅Ｌ2 は、補助陽極側の耐サンド
ブラストパタンの幅Ｌ1 に比べて大きいため（図１の
（Ｄ）参照）、陽極側のサンドブラスト速度が速くな
り、陽極側の誘電体層が速く研磨されて、アルミニウム
層１４が最初に露出する。そして、背面板１０の上面ま
で研磨が到達した後、補助陽極１３の上面まで研磨さ
れ、補助陽極の上面が露出した時点で研磨を停止する。
このとき、アルミニウム層１４は耐サンドブラスト性を
有しているので、研磨されずに残存する。従って、その
下側の陽極１２もサンドブラスの影響を受けず、陽極表
面は損傷しない。Next, using a sandblasting machine (for example, fine powder type SC-3 manufactured by Fuji Manufacturing Co., Ltd.), an abrasive (for example, SiC # 600 manufactured by Fuji Manufacturing Co., Ltd.) is applied from the side of the sandblasting resistant pattern 18 as shown in FIG. ) And the dielectric layer 16 exposed on the structure shown in FIG.
The portion is polished until the auxiliary anode 13 and a part of the substrate 10 are exposed ((A) of FIG. 2). At this time, since the width L 2 of the sandblast resistant pattern on the anode side is larger than the width L 1 of the sandblast resistant pattern on the auxiliary anode side (see (D) of FIG. 1), the sandblast speed on the anode side becomes faster, The dielectric layer on the anode side is rapidly polished, exposing the aluminum layer 14 first. Then, after the polishing reaches the upper surface of the back plate 10, the upper surface of the auxiliary anode 13 is polished, and the polishing is stopped when the upper surface of the auxiliary anode is exposed.
At this time, since the aluminum layer 14 has sandblast resistance, it remains without being polished. Therefore, the anode 12 below the anode 12 is not affected by sandblasting, and the anode surface is not damaged.
【００２９】次に、図２の（Ａ）の構造体をアルカリ剥
離液（例えば東京応化社製ＯＳＢＲ剥離液Ａ）中に浸漬
させて、耐サンドブラストパタン１８を除去する。この
とき、耐サンドブラストパタン１８外に露出していたア
ルミニウム層（耐サンドブラスト層）１４の部分もアル
カリ剥離溶液によって除去されるが、耐サンドブラスト
パタン１８の下側に位置していたアルミニウム層１４の
部分（図３の１８ｂで示す直交パタン部分の下側アルミ
ニウム層部分）は除去されずに残存する。すなわち、隔
壁１６で囲まれている領域内の基板１０上に露出してい
る耐サンドブラスト層の一部がアルカリ剥離溶液で除去
される。しかし、耐サンドブラスト層１４が露出してい
ない部分（１４ａ）は、残存する（図６参照）。Next, the structure shown in FIG. 2A is immersed in an alkaline stripping solution (for example, OSBR stripping solution A manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) to remove the sandblast resistant pattern 18. At this time, the part of the aluminum layer (sandblast resistant layer) 14 exposed outside the sandblast resistant pattern 18 is also removed by the alkali stripping solution, but the part of the aluminum layer 14 located below the sandblast resistant pattern 18 is removed. (The lower aluminum layer portion of the orthogonal pattern portion shown by 18b in FIG. 3) remains without being removed. That is, a part of the anti-sandblast layer exposed on the substrate 10 in the region surrounded by the partition wall 16 is removed by the alkali stripping solution. However, the portion (14a) where the sandblast resistant layer 14 is not exposed remains (see FIG. 6).
【００３０】その後、図２の（Ｂ）の構造体を任意好適
な加熱処理を行って残存する誘電体層を焼成する（図２
の（Ｂ））。このとき、形成された隔壁形成用の誘電体
層は、陽極１２と直交する部分を１６ａとし、陽極１２
及び補助陽極１３と平行する部分を１６ｂとする。そし
て、誘電体層１６ａ及び１６ｂで隔壁１６を形成する。After that, the structure of FIG. 2B is subjected to any suitable heat treatment to burn the remaining dielectric layer (FIG. 2).
(B)). At this time, in the formed dielectric layer for forming partition walls, a portion orthogonal to the anode 12 is 16a,
A portion parallel to the auxiliary anode 13 is designated as 16b. Then, the partition wall 16 is formed by the dielectric layers 16a and 16b.
【００３１】次に、隔壁１６内に印刷法を用いて蛍光体
ペーストを埋め込む（図示せず）。このとき用いる蛍光
体ペーストは、好ましくは蛍光体粉末と樹脂ビークルの
体積比を１：１に混合したものを用いるのが良い。な
お、蛍光体粉末には、赤色、緑色及び青色の粉末（例え
ば赤色は、ＫＸ５０４Ａ、緑色はＰ１Ｇ１、青色はＫＸ
５０１Ａ（いずれも化成オプトニクス社製））を用いる
のが良い。また、樹脂ビークルの材料には、スクリーン
オイル（例えば奥野製薬社製＃６００９）を用いるのが
好適である。Next, a phosphor paste is embedded in the partition wall 16 by a printing method (not shown). The phosphor paste used at this time is preferably a mixture of phosphor powder and resin vehicle at a volume ratio of 1: 1. The phosphor powder includes red, green and blue powders (for example, KX504A for red, P1G1 for green, KX for blue).
501A (both manufactured by Kasei Optonix Co., Ltd.) is preferably used. Further, it is preferable to use screen oil (for example, # 6009 manufactured by Okuno Chemical Industries Co., Ltd.) as the material of the resin vehicle.
【００３２】次に、再度、サンドブラストを用いて隔壁
１６内の蛍光体の一部を除去する。このとき、蛍光体の
底面にある陽極１２の一部が露出するように形成するの
が良い（図５及び図６参照）。Then, again using sandblasting, a part of the phosphor in the partition 16 is removed. At this time, it is preferable that the anode 12 on the bottom surface of the phosphor is partially exposed (see FIGS. 5 and 6).
【００３３】上述した工程を経てガス放電表示用パネル
の背面板１０が形成される。The back plate 10 of the gas discharge display panel is formed through the above steps.
【００３４】次に、前面板２２として、ガラス基板を用
いる。そして、前面板２２上にストライプ状の陰極２４
を形成する（図５及び図６参照）。この陰極２４は、Ｎ
ｉペースト（例えばエレクトロサイエンスラボラトリ社
製＃２５５４）を用いて前面板２２上にスクリーン印刷
する。その後、Ｎｉぺーストを加熱温度１５０℃とし、
１０分間の乾燥処理を行う。更に、加熱炉に前面板の構
造体を搬入して、加熱温度を約５８０℃とし、ピース保
持時間１０分間の加熱処理を行って前面板２２上のＮｉ
ペーストを焼成する。Next, a glass substrate is used as the front plate 22. Then, a striped cathode 24 is formed on the front plate 22.
Are formed (see FIGS. 5 and 6). This cathode 24 is N
Screen printing is performed on the front plate 22 using an i paste (for example, # 2554 manufactured by Electro Science Laboratory). After that, the Ni paste is heated to a heating temperature of 150 ° C.,
A drying process is performed for 10 minutes. Further, the front plate structure is loaded into the heating furnace, the heating temperature is set to about 580 ° C., and a heat treatment is performed for 10 minutes to hold the piece of Ni on the front plate 22.
Bake the paste.
【００３５】その後、前面板２２の陰極２４と背面板１
０の陽極１２とが直交するように背面板１０と前面板２
２を結合して、この発明のＰＤＰが完成する。なお、隔
壁１６内には、任意好適な放電ガスを封入してある。After that, the cathode 24 of the front plate 22 and the rear plate 1
The back plate 10 and the front plate 2 are arranged so that the anode 12 of 0 is orthogonal to each other.
The two are combined to complete the PDP of the present invention. The partition 16 is filled with an arbitrary suitable discharge gas.
【００３６】この発明の実施例では、陽極１２上にＡｌ
層１４を形成し、二重構造としてある。このため、Ａｌ
層１４が耐サンドブラスト性を有しているため、サンド
ブラストによって研磨されず、従って、陽極１２は保護
される。また、Ａｌ層１４は、アルカリ剥離溶液に対し
て容易に溶解されるが、陽極１２のＮｉ材料はなんらア
ルカリ剥離溶剤に対して溶解されないので、陽極の表面
は粗されておらず、かつ均一な膜厚になる。従って、従
来、サンドブラスト法によてＰＤＰの陽極（または陰
極）を形成する場合の障害になっていた電気的特性の劣
化、すなわち断線や配線抵抗値の増大は著しく改善され
る。In the embodiment of the present invention, Al is formed on the anode 12.
Layer 14 is formed and has a double structure. Therefore, Al
Because layer 14 is sandblast resistant, it is not sandblasted and thus anode 12 is protected. Further, the Al layer 14 is easily dissolved in the alkaline stripping solution, but the Ni material of the anode 12 is not dissolved in the alkaline stripping solvent, so that the surface of the anode is not roughened and is uniform. It becomes the film thickness. Therefore, the deterioration of the electrical characteristics, that is, the disconnection and the increase of the wiring resistance value, which have been an obstacle when the anode (or cathode) of the PDP is conventionally formed by the sandblast method, are remarkably improved.
【００３７】[0037]
【発明の効果】上述した説明からも明らかなように、こ
の発明のＰＤＰの陽極形成方法によれば、基板上にスト
ライプ状の電極とストライプ状の補助陽極とを耐アルカ
リ性材料で形成し、この陽極の上面に耐サンドブラスト
層をアルミニウム（Ａｌ）層として形成してある。この
ため、サンドブラスト法によって、誘電体層を、陽極側
の基板の上面部分まで研磨した場合、陽極はアルムニウ
ム（Ａｌ）層で保護されているので、サンドブラストに
よって陽極の表面がダメージを受けない。As is apparent from the above description, according to the method of forming an anode for a PDP of the present invention, stripe-shaped electrodes and stripe-shaped auxiliary anodes are formed of an alkali resistant material on a substrate, and A sandblast resistant layer is formed as an aluminum (Al) layer on the upper surface of the anode. Therefore, when the dielectric layer is polished up to the upper surface of the substrate on the anode side by the sandblast method, the anode is protected by the aluminum (Al) layer, and therefore the surface of the anode is not damaged by the sandblast.
【００３８】また、陽極及び補助陽極材料に耐アルカリ
性材料を用いているため、耐サンドブラストパタンをア
ルカリ性剥離溶液で除去する際に、陽極或いは補助陽極
が溶解されず、従って、陽極の表面が粗されず、かつ膜
厚さの均一な陽極を形成することができる。従って、陽
極の断線或いは膜厚の減少による配線抵抗の増大はなく
なり、電気特性の優れたＰＤＰを作製できる。Further, since the alkali resistant material is used for the anode and the auxiliary anode material, the anode or the auxiliary anode is not dissolved when the sandblast resistant pattern is removed by the alkaline stripping solution, so that the surface of the anode is roughened. It is possible to form an anode having a uniform thickness. Therefore, there is no increase in wiring resistance due to disconnection of the anode or reduction in film thickness, and a PDP having excellent electrical characteristics can be manufactured.
【図１】（Ａ）〜（Ｄ）は、この発明のＰＤＰの形成方
法を説明するために供する工程図である。FIG. 1A to FIG. 1D are process drawings provided for explaining a method for forming a PDP of the present invention.
【図２】（Ａ）〜（Ｂ）は、図２の後工程を説明するた
めに供する工程図である。2 (A) to (B) are process drawings provided for explaining a post-process of FIG. 2.
【図３】耐サンドブラストパタンの説明に供するため図
１の（Ｄ）のＰＤＰ構造のＷ−Ｗ線に沿って切断したと
きの断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view of the PDP structure of FIG. 1D taken along the line WW for explaining the sandblast resistance pattern.
【図４】この発明の実施例に用いたＰＤＰ構造を説明す
るために供する概略的平面図である。FIG. 4 is a schematic plan view provided for explaining a PDP structure used in an embodiment of the present invention.
【図５】図４のＰＤＰ構造のＸ−Ｘ線に沿って切断した
ときの概略的断面図である。5 is a schematic cross-sectional view of the PDP structure of FIG. 4 taken along line XX.
【図６】図４のＰＤＰ構造のＹ−Ｙ線に沿って切断した
ときの概略的断面図である。6 is a schematic cross-sectional view of the PDP structure of FIG. 4 taken along line YY.
１０：ガラス基板 １２：陽極 １３：補助陽極 １４、１４ａ：耐サンドブラスト層 １６、１６ａ、１６ｂ：誘電体層 １８、１８ａ、１８ｂ：耐サンドブラストパタン ２０、２０ａ：蛍光体 ２２：前面板 ２４：陰極 10: Glass substrate 12: Anode 13: Auxiliary anode 14, 14a: Sandblast resistant layer 16, 16a, 16b: Dielectric layer 18, 18a, 18b: Sandblast resistant pattern 20, 20a: Phosphor 22: Front plate 24: Cathode
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山形 俊和 東京都港区虎ノ門１丁目７番12号 沖電気 工業株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (72) Inventor Toshikazu Yamagata 1-7-12 Toranomon, Minato-ku, Tokyo Oki Electric Industry Co., Ltd.
Claims (2)
成するに当たり、（ａ）基板上にストライプ状の陽極と
ストライプ状の補助陽極とを、耐アルカリ性材料で、互
いに平行に形成する工程と、（ｂ）前記陽極の上面に耐
サンドブラスト層をアルミニウム（Ａｌ）層として形成
する工程と、（ｃ）前記基板上に、前記補助陽極と前記
陽極及びアルミニウム層から成る二層構造体とを埋め込
むように、誘電体層を形成する工程と、（ｄ）前記誘電
体層上に隔壁形成用の耐サンドブラストパタンを形成す
る工程と、（ｅ）サンドブラスト法を用いて、前記陽極
側の基板の上面部分と前記補助陽極の上面とが露出する
まで前記誘電体層を研磨する工程と、（ｆ）前記（ｅ）
工程で得られた構造体をアルカリ性剥離溶液に浸漬して
前記耐サンドブラストパタン及び該サンドブラストパタ
ン外に露出している前記耐サンドブラスト層の部分を除
去する工程とを含むことを特徴とするプラズマディスプ
レイパネルの陽極形成方法。1. When forming an anode of a plasma display panel, (a) a step of forming a stripe-shaped anode and a stripe-shaped auxiliary anode on a substrate in parallel with each other using an alkali resistant material, and (b) A step of forming an anti-sandblast layer as an aluminum (Al) layer on the upper surface of the anode, and (c) a dielectric layer so that the auxiliary anode and the two-layer structure including the anode and the aluminum layer are embedded on the substrate. A step of forming a body layer, (d) a step of forming an anti-sandblast pattern for forming barrier ribs on the dielectric layer, and (e) a sandblast method used to form an upper surface portion of the substrate on the anode side and the auxiliary portion. Polishing the dielectric layer until the upper surface of the anode is exposed, (f) the (e)
And a step of immersing the structure obtained in the step in an alkaline stripping solution to remove the sandblast resistant pattern and a portion of the sandblast resistant layer exposed to the outside of the sandblast pattern. Method for forming an anode.
パネルの陽極を形成する方法において、 前記（ａ）工程に記載の前記陽極及び前記補助陽極の材
料を、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銀
（Ａｇ）−パラジウム（Ｐｄ）合金の金属群の中から選
ばれた一種類の材料とすることを特徴とするプラズマデ
ィスプレイパネルの陽極形成方法。2. The method for forming an anode of a plasma display panel according to claim 1, wherein the material of the anode and the auxiliary anode in the step (a) is nickel (Ni), gold (Au), A method of forming an anode for a plasma display panel, which comprises using one kind of material selected from the group of metals of silver (Ag) and silver (Ag) -palladium (Pd) alloy.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6021077A JPH07230756A (en) | 1994-02-18 | 1994-02-18 | Anode forming method for plasma display panel |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6021077A JPH07230756A (en) | 1994-02-18 | 1994-02-18 | Anode forming method for plasma display panel |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07230756A true JPH07230756A (en) | 1995-08-29 |
Family
ID=12044832
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6021077A Withdrawn JPH07230756A (en) | 1994-02-18 | 1994-02-18 | Anode forming method for plasma display panel |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07230756A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7567032B2 (en) | 2005-03-24 | 2009-07-28 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Plasma display panel and manufacturing method of the same |
-
1994
- 1994-02-18 JP JP6021077A patent/JPH07230756A/en not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7567032B2 (en) | 2005-03-24 | 2009-07-28 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Plasma display panel and manufacturing method of the same |
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