JP2000311616A - Air discharge hole for plasma display panel substrate - Google Patents

Air discharge hole for plasma display panel substrate

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JP2000311616A
JP2000311616A JP12091299A JP12091299A JP2000311616A JP 2000311616 A JP2000311616 A JP 2000311616A JP 12091299 A JP12091299 A JP 12091299A JP 12091299 A JP12091299 A JP 12091299A JP 2000311616 A JP2000311616 A JP 2000311616A
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JP
Japan
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chamfering
exhaust hole
substrate
glass substrate
plasma display
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Withdrawn
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JP12091299A
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Yasushi Tantani
恭史 段谷
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Dai Nippon Printing Co Ltd
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Dai Nippon Printing Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce the breakdown of a substrate in a baking process and a heating process by performing the chamfering to the periphery of an air discharge hole of a plasma display panel. SOLUTION: An air discharge hole 1 of a plasma display substrate is provided in a glass substrate of the plasma display panel, and chamfering 1 m is performed to the periphery of an opening of the hole passing through the glass substrate. This chamfering can be performed to both surfaces of the glass substrate, or can be provided in the only periphery of the air discharge hole of an outer air surface side of a panel body at the time of assembling the substrate. The shape of chamfering can be thread chamfering or round chamfering.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマディスプ
レイパネル(PDP)の基板に関する。詳しくはPDP
背面板あるいは前面板に関して、パネル化工程でパネル
内の排気やガス封入に使用する排気孔に関して、その排
気孔を特定の形状とすることにより焼成や熱工程に対す
るガラス基板強度を向上させる技術に関する。
[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a substrate for a plasma display panel (PDP). Specifically, PDP
The present invention relates to a technique for improving the strength of a glass substrate in a baking or heat process by forming a specific shape of an exhaust hole used for exhausting gas or filling a gas in a panel in a paneling process with respect to a rear plate or a front plate.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般にPDPは、2枚の対向するガラス
基板(前面板と背面板)にそれぞれ規則的に配列した一
対の電極を設け、その間にNe,Xe,He等を主体と
するガスを封入した構造になっている。そしてそれらの
電極間に電圧を印加し、電極周辺の微小なセル内で放電
を発生させることにより、各セルを発光させて表示を行
うようにしている。このPDPには、電極が放電空間に
露出している直流型(DC型)と絶縁層で覆われている
交流型(AC型)の2タイプがあり、双方とも表示機能
や駆動方法の違いによって、さらにリフレッシュ駆動方
式とメモリー駆動方式に分類される。
2. Description of the Related Art In general, a PDP is provided with a pair of electrodes regularly arranged on two opposing glass substrates (a front plate and a back plate), between which a gas mainly composed of Ne, Xe, He or the like is supplied. It has a sealed structure. Then, a voltage is applied between the electrodes to generate a discharge in the minute cells around the electrodes, so that each cell emits light and display is performed. There are two types of PDPs, a direct current type (DC type) in which the electrodes are exposed to the discharge space, and an alternating current type (AC type) in which the electrodes are covered with an insulating layer. And a refresh driving method and a memory driving method.

【0003】図6は、AC型PDPの一構成例を示す分
解斜視図である。この図はガラス基板12からなる前面
板とガラス基板11からなる背面板を離した状態で示し
たもので、図示のように2枚のガラス基板11,12が
互いに平行かつ対向して配設されており、両者は背面板
となるガラス基板上に設けられたバリアーリブ8により
一定の間隔に保持されるようになっている。前面板とな
るガラス基板12の背面側には透明電極である維持電極
14と金属電極であるバス電極13とで構成される複合
電極X,Yが互いに平行に形成され、これを覆って誘電
体層16が形成されており、さらにその上に保護膜19
(MgO層)が形成されている。
FIG. 6 is an exploded perspective view showing an example of the configuration of an AC type PDP. This figure shows a state in which a front plate made of a glass substrate 12 and a back plate made of a glass substrate 11 are separated from each other. As shown, two glass substrates 11 and 12 are arranged in parallel and opposed to each other. The two are held at a fixed interval by a barrier rib 8 provided on a glass substrate serving as a back plate. On the rear side of the glass substrate 12 serving as a front plate, composite electrodes X and Y each composed of a sustain electrode 14 which is a transparent electrode and a bus electrode 13 which is a metal electrode are formed in parallel with each other, and a dielectric A layer 16 is formed, and a protective film 19 is further formed thereon.
(MgO layer) is formed.

【0004】また、背面板の前面側にはバリアーリブ8
の間に位置してアドレス電極15が互いに平行に形成さ
れている。さらにバリアーリブ8の壁面とセル底面を覆
うようにして蛍光体層18が設けられている。このアド
レス電極は、銀および低融点ガラスフリットからなる電
極ペースト材料をスクリーン印刷法を利用したパターン
印刷で形成するか、あるいは感光性の電極材料を利用し
たフォトリソ法で所定のパターンに形成した後、焼成を
行って形成する。さらに、誘電体層17を塗布して焼成
した後、バリアーリブ8を形成する。
A barrier rib 8 is provided on the front side of the back plate.
The address electrodes 15 are formed in parallel with each other. Further, a phosphor layer 18 is provided so as to cover the wall surface of the barrier rib 8 and the cell bottom surface. This address electrode, after forming an electrode paste material consisting of silver and low melting point glass frit by pattern printing using a screen printing method, or after forming a predetermined pattern by a photolithography method using a photosensitive electrode material, It is formed by firing. Further, after applying and firing the dielectric layer 17, the barrier ribs 8 are formed.

【0005】バリアーリブ8を形成する方法として、ス
クリーン印刷法、サンドブラスト法、ドライフィルムレ
ジストを利用したいわゆる埋め込み法、特定形状の成形
型を押し付けて形状を形成する方法がある。これらの中
でも特に、サンドブラスト法で形成する方法が主流とな
りつつある。この方法は背面板となるガラス基板上に所
定のパターンにてアドレス電極15あるいは誘電体層1
7を設けた基板上に、バリアーリブとなるガラスペース
トを、スクリーン印刷あるいはダイコート等のコーティ
ング法で所定の膜厚で特定のパターンに塗布、乾燥し、
さらに感光性のドライフィルムレジストをラミネート
し、特定のパターンが形成されているフォトマスクをと
おして、露光して現像することで、ドライフィルムレジ
ストを特定のパターン形状にする。
As a method of forming the barrier rib 8, there are a screen printing method, a sand blast method, a so-called embedding method using a dry film resist, and a method of pressing a molding die having a specific shape to form the shape. Among these, the method of forming by the sand blast method is becoming mainstream. In this method, address electrodes 15 or dielectric layers 1 are formed in a predetermined pattern on a glass substrate serving as a back plate.
On a substrate provided with 7, a glass paste to be a barrier rib is applied to a specific pattern with a predetermined thickness by a coating method such as screen printing or die coating, and dried,
Further, a photosensitive dry film resist is laminated, exposed and developed through a photomask on which a specific pattern is formed, thereby forming the dry film resist into a specific pattern shape.

【0006】一般的にAC駆動のPDPでは、そのパタ
ーン形状は一定の線幅とピッチを有するライン&スペー
スで構成されている。ドライフィルムレジストパターン
を形成した後、サンドブラストを行いドライフィルムレ
ジストが形成された部分はペーストが残るためバリアー
リブとなり、ドライフィルムレジストが現像により除去
された部分はペーストが残らず、蛍光面が形成されるセ
ルとなる。その後、ドライフィルムレジストを剥離し、
焼成することでバリアーリブ構造が形成される。さらに
その後、スクリーン印刷法、あるいは感光性を有した蛍
光体ペーストを利用したフォトリソ法で蛍光面を形成す
る。一方、前面板はガラス基板上に所定のパターンにて
透明電極、バス電極を形成後、誘電体層、さらには保護
層(MgO層)を形成することで完成する。
Generally, in an AC-driven PDP, the pattern shape is constituted by lines and spaces having a fixed line width and a constant pitch. After the dry film resist pattern is formed, sand blasting is performed, and the portion where the dry film resist is formed becomes a barrier rib because the paste remains, and the portion where the dry film resist is removed by development does not leave the paste and a phosphor screen is formed. It becomes a cell. Then, peel off the dry film resist,
By firing, a barrier rib structure is formed. Thereafter, a phosphor screen is formed by a screen printing method or a photolithography method using a phosphor paste having photosensitivity. On the other hand, the front plate is completed by forming a transparent electrode and a bus electrode in a predetermined pattern on a glass substrate, and then forming a dielectric layer and further a protective layer (MgO layer).

【0007】これらの構成を有した前面板と背面板を張
り合わせて張り合わせパネルとし、そのパネル内を排気
して特定のガス(Ne,Xe,He等が主成分)を封入
することでパネルが完成する。その排気及びガス封入の
ためには背面板あるいは前面板に、排気能力あるいはガ
ス封入に十分な口径を有した孔をガラス基板に設ける必
要がある。従って、この排気孔は基板のいずれかの部分
(通常は観察者の目に入らないコーナー部や額縁部分)
に設けられている。なお、排気はこの孔の周囲にガラス
製の短管をシール剤を用いて取り付けた後、真空排気し
てガスを封入する。その後、このガラス管の開口部分を
バーナーで熱をかけて溶融して封じ切ることにより行
う。
[0007] A front panel and a rear panel having these structures are bonded to form a bonded panel, and the panel is completed by exhausting the inside of the panel and enclosing a specific gas (mainly composed of Ne, Xe, He, etc.). I do. In order to exhaust and fill the gas, it is necessary to provide a hole having a sufficient exhaust capacity or a sufficient diameter for filling the gas in the back plate or the front plate. Therefore, this exhaust hole is located on any part of the substrate (a corner or frame that is not normally visible to the observer).
It is provided in. In addition, after exhausting, a glass short tube is attached around this hole using a sealing agent, and then gas is sealed by evacuating. Then, the opening of the glass tube is melted by applying heat with a burner and sealed off.

【0008】図5は、従来の排気孔を示す図である。図
5(A)は排気孔10を有する従来の基板の平面図、図
5(B)は、図5(A)のA−A線に沿う断面図、図5
(C)は排気孔周囲を拡大して示す平面図である。図3
(A)のように、従来の排気孔10は、通常は直径0.
5mm〜5mmの大きさで、ガラス基板11の側辺から
2mm〜50mmの位置に設けられることが多い。図中
点状のハッチングを施した部分は、アドレス電極や誘電
体層等のPDPパネルを構成するいずれかの構成膜2が
形成されている領域である。図5(B)のように、従来
の排気孔10は面取り加工のない直線孔(直径r)で形
成されていたが、図5(C)のように孔の周囲に微小な
チッピング10cや亀裂10kが生じていて、焼成や熱
工程において当該部分から基板の破損が生じることが多
かった。
FIG. 5 is a view showing a conventional exhaust hole. FIG. 5A is a plan view of a conventional substrate having an exhaust hole 10, FIG. 5B is a cross-sectional view taken along line AA of FIG.
(C) is an enlarged plan view showing around the exhaust hole. FIG.
As shown in FIG. 1A, the conventional exhaust hole 10 is usually provided with a diameter of about 0.1 mm.
It is often 5 mm to 5 mm, and is provided at a position 2 mm to 50 mm from the side of the glass substrate 11 in many cases. In the drawing, a dotted portion is a region where any one of the constituent films 2 constituting the PDP panel, such as an address electrode and a dielectric layer, is formed. As shown in FIG. 5 (B), the conventional exhaust hole 10 is formed as a straight hole (diameter r) without chamfering. However, as shown in FIG. 5 (C), a small chipping 10c or a crack is formed around the hole. 10k was generated, and the substrate was often damaged from the portion in the firing or heating process.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】しかし、背面板および
前面板は各構成層を形成するためには、焼成工程および
乾燥等の加熱工程を行う必要があり、その際にガラス基
板に大きな応力がかかり、前記のように排気孔部分を始
点としてガラス基板が割れたり、ひびが入ることが頻繁
に生じる。これは、排気孔加工時に、特に排気孔の内側
の端面に形成される微小な欠け(チッピングとかハマ欠
けとも言われる。)等がこれらの破損の原因の一つとな
っていると考えられる。1回の焼成工程や熱工程による
基板破損の発生比率は実績的には数%以内であるが、P
DPパネル製造工程においては、電極形成、誘電体層塗
布、バリアーリブ形成、蛍光体層塗布、の各工程におい
て、その都度焼成が行われる他、熱乾燥等の熱工程があ
るので、その累積する破損数量は無視できない数量とな
る。そこで、本発明はPDP基板の加工において不可欠
な焼成工程や熱工程においてもガラス基板が割れたり、
ひびが入ることのない排気孔形状を研究して完成された
ものである。
However, the back plate and the front plate need to be subjected to a heating step such as a firing step and a drying step in order to form the respective constituent layers. At that time, a large stress is applied to the glass substrate. As a result, the glass substrate frequently breaks or cracks starting from the exhaust hole portion as described above. This is considered to be one of the causes of such breakage due to a minute chip (also referred to as chipping or chipping) formed particularly at the inner end face of the exhaust hole during the processing of the exhaust hole. Although the rate of occurrence of substrate damage due to one baking step or heating step is within several percent in actuality, P
In the DP panel manufacturing process, in each of the steps of electrode formation, dielectric layer application, barrier rib formation, and phosphor layer application, baking is performed each time, and there is a heat process such as heat drying. The quantity is a quantity that cannot be ignored. Therefore, the present invention is intended to break the glass substrate even in a baking step or a heat step which is indispensable in processing the PDP substrate,
It was completed by studying the shape of the exhaust hole without cracking.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明の請求項1の発明は、プラズマディスプレイパ
ネルのガラス基板に設ける排気孔であってガラス基板を
貫通する孔の開口周囲に面取り加工を施したことを特徴
とするプラズマディスプレイパネル基板の排気孔、にあ
る。かかる排気孔であるため熱工程において基板に損傷
が生じることが少ない。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a plasma display panel having a chamfer around an opening of an exhaust hole provided in a glass substrate of the plasma display panel. An exhaust hole of the plasma display panel substrate, which has been processed. Due to such exhaust holes, the substrate is less likely to be damaged in the thermal process.

【0011】上記課題を解決するための本発明の請求項
2の発明は、請求項1記載のプラズマディスプレイパネ
ル基板の排気孔において、面取り加工をガラス基板の両
面の排気孔周囲に設けたことを特徴とし、請求項3の発
明は、請求項1記載のプラズマディスプレイパネル基板
の排気孔において、面取り加工をガラス基板を組み立て
た際のパネル体の外気側面にのみ設けたことを特徴とす
る。このようにすることで、いずれの場合でも熱工程に
おいて基板に損傷が生じることを少なくすることができ
る。また、本発明の請求項4の発明は、請求項1および
請求項2記載のプラズマディスプレイパネル基板の排気
孔において、面取り形状が糸面取りまたはR面取りであ
ることを特徴とする。かかる面取り形状であれば、いず
れの場合も基板に損傷が生じることが少ない。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a plasma display panel substrate according to the first aspect, wherein chamfering is provided around the exhaust holes on both sides of the glass substrate. According to a third aspect of the present invention, in the exhaust hole of the plasma display panel substrate according to the first aspect, chamfering is provided only on the outside air side surface of the panel body when the glass substrate is assembled. By doing so, in any case, it is possible to reduce occurrence of damage to the substrate in the thermal process. According to a fourth aspect of the present invention, in the exhaust hole of the plasma display panel substrate according to the first and second aspects, the chamfering shape is a thread chamfer or an R chamfer. With such a chamfered shape, in any case, the substrate is less likely to be damaged.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施形態について説明する。なお、各図面は本発明が理解
できる程度に各部の大きさや形状、および位置関係を概
略的に示したものである。また、以下の説明において特
定の材料および条件を用いて説明する場合があるが、こ
れらの材料および条件等は、一例の一つに過ぎず、本発
明は何らこれに限定されるものではない。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In addition, each drawing schematically shows the size, shape, and positional relationship of each part so that the present invention can be understood. In the following description, specific materials and conditions may be used, but these materials, conditions, and the like are merely examples, and the present invention is not limited thereto.

【0013】図1は、本発明の排気孔をガラス基板に設
けた状態を示している。図1(A)はその平面図、図1
(B)は、図1(A)のA−A線に沿う断面における両
面糸面取りした場合、図1(C)は、同じく片面糸面取
りした場合、の排気孔断面を示している。図1において
11はガラス基板、1は本発明の排気孔、2はPDPガ
ラス基板に形成されるいずれかの構成膜を示している。
図1(B)のように、両面糸面取りの場合はパネル内面
側に対しても、直径rの排気孔1に対して片側xの面取
り部分1mが生じるので、パネル内面には直径r+2x
の開口が形成されることになる。糸面取りは排気孔の直
線部に対して断面直線状の傾斜面を設ける場合である
が、面取りの角度(図1(B)中のα)は、通常10°
〜60°程度に形成する。
FIG. 1 shows a state in which an exhaust hole according to the present invention is provided in a glass substrate. FIG. 1A is a plan view thereof, and FIG.
(B) shows the cross section of the exhaust hole when the double-sided yarn is chamfered in the cross section along the line AA in FIG. 1 (A), and FIG. 1 (C) shows the cross section of the exhaust hole when the single-sided yarn is chamfered. In FIG. 1, 11 is a glass substrate, 1 is an exhaust hole of the present invention, and 2 is any constituent film formed on a PDP glass substrate.
As shown in FIG. 1 (B), in the case of double-sided yarn chamfering, a chamfered portion 1m on one side x is formed on the inner surface side of the panel with respect to the exhaust hole 1 having a diameter r, so that the inner surface of the panel has a diameter r + 2x.
Is formed. The yarn chamfering is a case where an inclined surface having a linear cross section is provided with respect to the straight portion of the exhaust hole, and the chamfering angle (α in FIG. 1B) is usually 10 °.
It is formed to about 60 °.

【0014】当該開口の周囲はこの2x分だけ孔径が広
がることにより、例えば誘電体層、バリアーリブ層を形
成する際に構成膜2に膜厚異常などの影響を受けやすく
なる。特にコーティング方式で塗膜形成する場合にはそ
の形成面に制限を与える影響が大きい。図1(C)はこ
のため、面取り加工を排気孔のパネル外面側開口周囲に
対してのみ施した場合を示している。この場合は、パネ
ル内面側では開口部が拡大することはないので、構成膜
2が影響を受けることはない。
The periphery of the opening is increased in diameter by 2 ×, so that, for example, when the dielectric layer and the barrier rib layer are formed, the constituent film 2 is easily affected by abnormal film thickness. In particular, when a coating film is formed by a coating method, there is a great effect of restricting the formed surface. FIG. 1C shows a case where the chamfering process is performed only around the opening of the exhaust hole on the outer surface of the panel. In this case, since the opening does not expand on the inner surface side of the panel, the constituent film 2 is not affected.

【0015】図2は、面取りの種類を示す図である。図
2(A)は糸面取り、図2(B)はR面取りを示してい
る。糸面取りは前記のように穿孔に対してほぼ直線状に
傾斜した縁面(糸面取り部1i)を一定の角度を設けて
開口周囲に設ける場合で、R面取りは断面円弧状の縁面
(R面取り部1r)を設ける場合をいう。本発明ではい
ずれの場合も同等の効果が得られることが確認されてい
る。
FIG. 2 is a diagram showing the types of chamfers. FIG. 2A shows thread chamfering, and FIG. 2B shows R chamfering. The thread chamfering is a case in which an edge surface (yarn chamfered portion 1i) which is substantially linearly inclined with respect to the perforation is provided around the opening at a predetermined angle as described above, and the R chamfering is a circular arc-shaped edge surface (R This refers to the case where the chamfered portion 1r) is provided. In the present invention, it has been confirmed that the same effect can be obtained in any case.

【0016】次に、ガラス基板に穿孔したり面取り加工
する状況について説明する。図3は、直線孔を穿孔する
工具の一例を示す図である。直線状の円孔の場合は、中
空円筒状のシャンク41の先端にダイヤモンド砥粒を含
むドリル刃部45を取り付けたコアドリル4を用い後端
部48を機械のスピンドルに取り付けて回転穿さくする
ことが通常行われる。片側からのみ穿さくする場合は、
ドリルがガラス基板を最後に貫通する際に、開口の周囲
に破損を生じることが多いので、位置合わせをして両面
から交互にあるいは同時に穿さくすることが行われる。
切削屑の排出と潤滑および発熱の防止を目的としてシャ
ンク内から水を流しながら行うのが通常である。ドリル
刃部は円環状に設けてもよいが、図3のように間隙47
を有することが切削屑の排出が容易になる。
Next, a situation in which a glass substrate is perforated or chamfered will be described. FIG. 3 is a diagram illustrating an example of a tool for drilling a straight hole. In the case of a straight circular hole, the rear end portion 48 is attached to the spindle of the machine by using a core drill 4 having a hollow cylindrical shank 41 to which a drill blade portion 45 containing diamond abrasive grains is attached at the tip end, and is rotated and drilled. Is usually performed. If you only want to drill from one side,
When the drill last penetrates the glass substrate, it often breaks around the opening, so that the alignment is performed and the drilling is performed alternately or simultaneously from both sides.
In general, the cutting is performed while flowing water from inside the shank for the purpose of discharging cutting chips, lubricating, and preventing heat generation. The drill blade may be provided in an annular shape, but as shown in FIG.
Having the above makes it easier to discharge cutting chips.

【0017】面取り加工を行う場合は、直線孔を穿さく
した後に面取り加工を行う場合と、穿孔と面取り加工を
同時に行う場合とがある。図4は、穿孔と面取り加工を
同時に行う工具の一例を示す図である。この場合は、ダ
イヤモンドコアドリル4を使用することに変わりない
が、ドリル刃部45の根元に面取り加工を行うシーマ部
44が設けられている。この部分もダイヤモンド砥粒を
含むチップにより構成されている。シーマ部の形状やド
リル刃部の長さは用途や目的によって変えて使用する。
ドリル刃部45が穿孔を形成した後に、シーマ部が開口
周縁を研削して面取り形状を形成する。穿孔と面取り加
工を同時に行うことで加工効率が向上することは明らか
である。
In the case of chamfering, there are a case where chamfering is performed after forming a straight hole and a case where boring and chamfering are performed simultaneously. FIG. 4 is a diagram illustrating an example of a tool that performs drilling and chamfering simultaneously. In this case, the diamond core drill 4 is used, but a seamer portion 44 for chamfering is provided at the root of the drill blade portion 45. This portion is also constituted by a chip containing diamond abrasive grains. The shape of the seamer and the length of the drill bit are changed depending on the application and purpose.
After the drill blade 45 forms a hole, the seamer grinds the periphery of the opening to form a chamfered shape. It is clear that the machining efficiency is improved by performing the drilling and chamfering at the same time.

【0018】直線状の穿孔の場合は、図5(C)のよう
に開口の周囲にチッピング10cや亀裂10kが生じ易
い。チッピングや亀裂は熱工程においてガラス基板に応
力が生じると当該部分から亀裂が拡大していくことにな
り、結果的に基板の破損という事態になる。
In the case of a straight hole, chipping 10c and crack 10k are likely to occur around the opening as shown in FIG. When stress is applied to the glass substrate in the thermal process, the crack expands from the portion, resulting in breakage of the substrate.

【0019】このようなチッピング等は面取り加工を行
うことにより除去されて、美麗な表面を形成することが
できる。試験結果では、このような面取り加工をしたガ
ラス基板で各種の焼成処理を行った結果、基板の破損は
ほとんど生じなくなることが確認されている。しかも、
面取り加工はガラス基板のパネルを組み立てた際の外気
側にのみ設けるだけで十分な効果が得られることが確認
されている。また、この排気孔に設ける面取りは排気孔
がガラス基板の中心線に対して接近して設けられている
場合に、より効果的であることが確認されている。排気
孔がガラス基板の中心線に接近して設けられている場合
は、コーナー部にある場合に比較して熱工程時に応力を
受け易く破損が生じる比率が従来から高いからであり、
その場合にも破損を減少させることができるからある。
Such chipping and the like can be removed by chamfering to form a beautiful surface. According to the test results, it has been confirmed that as a result of performing various kinds of firing treatment on the glass substrate subjected to such chamfering, the substrate is hardly damaged. Moreover,
It has been confirmed that a sufficient effect can be obtained by providing the chamfering process only on the outside air side when a glass substrate panel is assembled. Further, it has been confirmed that the chamfer provided in the exhaust hole is more effective when the exhaust hole is provided close to the center line of the glass substrate. If the exhaust hole is provided close to the center line of the glass substrate, compared to the case where it is at the corner portion, it is easier to receive stress during the heating process and the ratio of breakage is higher than before,
In that case, breakage can be reduced.

【0020】[0020]

【実施例】以下、図1等を参照して本発明の実施例を説
明する。なお、実施例中の符号は各図面に付された符号
に対応するものである。 (実施例1)アドレス電極形成後の焼成工程において、
基板破損の生じる数を調べる目的で、糸面取り加工を両
面に行った排気孔付き基板について試験を行った。な
お、ガラス基板11には、厚み2.8mm、サイズ96
4mm×570mmの高歪点ガラス(旭硝子株式会社製
「PD−200」、以下「GA」と表示する。)および
(日本電気硝子株式会社製「PP−8」、以下「GN」
と表示する。)を各500枚ずつ使用した。また、排気
孔は直径r=2±0.2mm、糸面取りの面取り部x=
0.4〜0.6mmとし、面取り角度α=45°となる
ようにした。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to FIG. The reference numerals in the embodiments correspond to the reference numerals given to the respective drawings. (Example 1) In a firing step after forming an address electrode,
For the purpose of examining the number of occurrences of substrate breakage, a test was performed on a substrate with exhaust holes that had been subjected to yarn chamfering on both sides. The glass substrate 11 has a thickness of 2.8 mm and a size of 96 mm.
4 mm × 570 mm high strain point glass (“PD-200” manufactured by Asahi Glass Co., Ltd., hereinafter referred to as “GA”) and “PP-8” manufactured by Nippon Electric Glass Co., Ltd., hereinafter “GN”
Is displayed. ) Was used for each 500 sheets. The exhaust hole has a diameter r = 2 ± 0.2 mm and a chamfered portion x =
0.4 to 0.6 mm, and the chamfer angle α was set to 45 °.

【0021】アドレス電極の形成および焼成は以下の条
件による。 <電極形成>銀および低融点ガラスフリットからなる電
極ペースト材料を使用してガラス基板11上にアドレス
電極15を形成した後、170°Cで乾燥して焼成を行
った。アドレス電極はライン&スペースのパターンで、
1本の幅0.15mmで背面基板にピッチ0.36mm
で、本数2556本をフォトリソ法でパターン形成し
た。焼成には連続焼成炉を使用した。焼成炉の焼成温度
はピーク温度600°C、トータル時間300分間であ
った。
The formation and firing of the address electrodes are performed under the following conditions. <Formation of Electrode> After the address electrode 15 was formed on the glass substrate 11 using an electrode paste material composed of silver and a low-melting glass frit, it was dried at 170 ° C. and fired. The address electrode is a line & space pattern.
Pitch 0.36mm on the back substrate with one width 0.15mm
Thus, a pattern was formed by the photolithography method for 2556 pieces. A continuous firing furnace was used for firing. The firing temperature of the firing furnace was a peak temperature of 600 ° C. and the total time was 300 minutes.

【0022】(実施例2)実施例1と同様の条件で行っ
たが、糸面取り加工は実施例1と同一の条件で基板の外
気側となる面にのみ面取りした排気孔付き基板について
試験を行った。GAとGNは、それぞれ500枚ずつ試
験を行った。
Example 2 The same conditions as in Example 1 were used, except that the yarn chamfering was performed under the same conditions as in Example 1 for a substrate with an exhaust hole which was chamfered only on the outside air side of the substrate. went. GA and GN were each tested for 500 sheets.

【0023】(実施例3)実施例1と同様の条件で行っ
たが、R面取り加工を基板の外気側となる面にのみ行っ
た排気孔付き基板について試験を行った。GAとGN
は、それぞれ500枚ずつ試験を行った。R面取りの曲
率x=0.2〜0.7mmとした。
Example 3 A test was performed on a substrate with an exhaust hole, which was performed under the same conditions as in Example 1 except that the R-chamfering process was performed only on the surface of the substrate on the outside air side. GA and GN
Were tested for 500 sheets each. The curvature x of the R chamfer was set to 0.2 to 0.7 mm.

【0024】(比較例1)実施例1と同様の条件で行っ
たが、面取り加工を行わない直線孔の基板について試験
を行った。GAとGNは、それぞれ500枚ずつ試験を
行った。なお、直線孔の直径r=2±0.2mmであ
り、実施例1〜実施例3と同一である。
(Comparative Example 1) A test was performed under the same conditions as in Example 1 except that the substrate had a straight hole without chamfering. GA and GN were each tested for 500 sheets. Note that the diameter r of the straight hole is 2 ± 0.2 mm, which is the same as in the first to third embodiments.

【0025】(試験結果)実施例1〜実施例3および比
較例1の試験結果を整理すると(表1)のようになる。
(Test Results) The test results of Examples 1 to 3 and Comparative Example 1 are summarized in Table 1 below.

【表1】 (表1)[Table 1] (Table 1)

【0026】以上の結果から、排気孔の周囲に面取り加
工を施した場合は、破損数が顕著に減少することが確認
された。それも面取り加工を両面の開口周囲に設ける必
要はなく、各種PDP構成膜の形成に支障とならないパ
ネル外気側面にのみ設けるだけでその効果が十分に得ら
れることが確認された。
From the above results, it was confirmed that the number of breaks was significantly reduced when chamfering was performed around the exhaust hole. Also, it was confirmed that it was not necessary to provide chamfering around the openings on both sides, and that the effect could be sufficiently obtained only by providing it on the outside air side of the panel, which would not hinder the formation of various PDP constituent films.

【0027】[0027]

【発明の効果】本発明のプラズマディスプレイパネルの
排気孔であれば、開口の周囲に面取り加工がされている
ので、焼成工程等において熱履歴を受けても、排気孔の
微小な欠損部分から発生する基板の割れや破損、ひびの
入る数を顕著に減少させることができる。
In the case of the exhaust hole of the plasma display panel of the present invention, since the periphery of the opening is chamfered, even if it receives a heat history in a firing step or the like, the exhaust hole is generated from a minute defective portion of the exhaust hole. The number of cracks, breaks, and cracks in the substrate can be significantly reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の排気孔をガラス基板に設けた状態を
示している。
FIG. 1 shows a state in which an exhaust hole of the present invention is provided in a glass substrate.

【図2】 面取りの種類を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing types of chamfers.

【図3】 直線孔を穿孔する工具の一例を示す図であ
る。
FIG. 3 is a diagram showing an example of a tool for drilling a straight hole.

【図4】 穿孔と面取り加工を同時に行う工具の一例を
示す図である。
FIG. 4 is a diagram illustrating an example of a tool that performs drilling and chamfering simultaneously.

【図5】 従来の排気孔をガラス基板に設けた状態を示
している。
FIG. 5 shows a state in which a conventional exhaust hole is provided in a glass substrate.

【図6】 AC型PDPの一構成例を示す分解斜視図で
ある。
FIG. 6 is an exploded perspective view showing one configuration example of an AC type PDP.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 排気孔 1m 面取り部分 1i 糸面取り 1r R面取り 2 構成膜 4 コアドリル 8 バリアーリブ 10 従来の排気孔 10c チッピング 10k 亀裂 11 ガラス基板(背面板) 12 ガラス基板(前面板) 13 バス電極 14 維持電極 15 アドレス電極 16,17 誘電体層 18 蛍光体層 19 保護膜(MgO層) Reference Signs List 1 exhaust hole 1m chamfered portion 1i yarn chamfer 1r R chamfer 2 component film 4 core drill 8 barrier rib 10 conventional exhaust hole 10c chipping 10k crack 11 glass substrate (back plate) 12 glass substrate (front plate) 13 bus electrode 14 sustain electrode 15 address Electrodes 16, 17 Dielectric layer 18 Phosphor layer 19 Protective film (MgO layer)

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 プラズマディスプレイパネルのガラス基
板に設ける排気孔であってガラス基板を貫通する孔の開
口周囲に面取り加工を施したことを特徴とするプラズマ
ディスプレイパネル基板の排気孔。
1. An exhaust hole of a plasma display panel substrate, wherein an exhaust hole provided in the glass substrate of the plasma display panel is chamfered around an opening of the hole penetrating the glass substrate.
【請求項2】面取り加工をガラス基板の両面の排気孔周
囲に設けたことを特徴とする請求項1記載のプラズマデ
ィスプレイパネル基板の排気孔。
2. The exhaust hole of a plasma display panel substrate according to claim 1, wherein the chamfering process is provided around the exhaust hole on both surfaces of the glass substrate.
【請求項3】面取り加工をガラス基板を組み立てた際の
パネル体の外気側面の排気孔周囲にのみ設けたことを特
徴とする請求項1記載のプラズマディスプレイパネル基
板の排気孔。
3. The exhaust hole of a plasma display panel substrate according to claim 1, wherein the chamfering process is provided only around the exhaust hole on the outside air side surface of the panel body when the glass substrate is assembled.
【請求項4】面取り形状が糸面取りまたはR面取りであ
ることを特徴とする請求項1から請求項3記載のプラズ
マディスプレイパネル基板の排気孔。
4. The exhaust hole of a plasma display panel substrate according to claim 1, wherein the chamfering shape is thread chamfering or round chamfering.
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