JPH07230014A - ２つの導波路間の近接結合のための集積光装置 - Google Patents
２つの導波路間の近接結合のための集積光装置Info
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- JPH07230014A JPH07230014A JP7035869A JP3586995A JPH07230014A JP H07230014 A JPH07230014 A JP H07230014A JP 7035869 A JP7035869 A JP 7035869A JP 3586995 A JP3586995 A JP 3586995A JP H07230014 A JPH07230014 A JP H07230014A
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- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
- G02B6/125—Bends, branchings or intersections
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/29—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection
- G02F1/31—Digital deflection, i.e. optical switching
- G02F1/313—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure
- G02F1/3132—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure of directional coupler type
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 低損失でありかつ所望のカットオフ波長特異
性を有する改良された光近接カプラを提供する。 【構成】 第１および第２のストレ−トな導波路セグメ
ント２７，２８の入力端部に、それぞれ第１および第２
の湾曲セグメント３３，３４を含む手段によって、第１
および第２の端部セグメント３７，３８が接続されてい
る。端部セグメントは両方とも、それらが接続される従
来の光ファイバによって決定される同じ予め定められた
サイズである。ストレ−ト・セグメントの一方が他方よ
り狭くなされなければならない。装置の過剰損失を軽減
するために、第１のストレ−ト・セグメントと、各湾曲
セグメントの少なくとも一部分が端部セグメントより若
干短くなされ、そして第２のストレ−ト・セグメント
と、各湾曲セグメントの少なくとも一部分が端部セグメ
ントより若干幅広くなされる。
性を有する改良された光近接カプラを提供する。 【構成】 第１および第２のストレ−トな導波路セグメ
ント２７，２８の入力端部に、それぞれ第１および第２
の湾曲セグメント３３，３４を含む手段によって、第１
および第２の端部セグメント３７，３８が接続されてい
る。端部セグメントは両方とも、それらが接続される従
来の光ファイバによって決定される同じ予め定められた
サイズである。ストレ−ト・セグメントの一方が他方よ
り狭くなされなければならない。装置の過剰損失を軽減
するために、第１のストレ−ト・セグメントと、各湾曲
セグメントの少なくとも一部分が端部セグメントより若
干短くなされ、そして第２のストレ−ト・セグメント
と、各湾曲セグメントの少なくとも一部分が端部セグメ
ントより若干幅広くなされる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は基板中に集積された２つ
の導波路間の近接結合のための光学装置に関し、さらに
詳細には低損失で広帯域の動作を特徴とし、かつ許容し
うるカットオフ波長特性を有するこの種の装置に関す
る。
の導波路間の近接結合のための光学装置に関し、さらに
詳細には低損失で広帯域の動作を特徴とし、かつ許容し
うるカットオフ波長特性を有するこの種の装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】多数の加入者間でファイバを共用するこ
とによって光ネットワ−クのコスト軽減を得ることがで
きる。例えば、イオン交換技術が、１６もの出力ポ−ト
を有する１×Ｎスプリッタ−を作成するための技術とし
て有望であることが判っている。このような装置は、Ｙ
ジャンクションとして形成された場合には、低コストで
優れた色消し性と均一性を与える。
とによって光ネットワ−クのコスト軽減を得ることがで
きる。例えば、イオン交換技術が、１６もの出力ポ−ト
を有する１×Ｎスプリッタ−を作成するための技術とし
て有望であることが判っている。このような装置は、Ｙ
ジャンクションとして形成された場合には、低コストで
優れた色消し性と均一性を与える。
【０００３】（ａ）２つの異なる信号の多重化、（ｂ）
分割点に達するための異なる通路における冗長、（ｃ）
ネットワ−クの将来的展開における柔軟性、および
（ｄ）ネットワ−ク試験入口ポイント（netwark testin
g entry point）の提供のような種々の理由で、１つの
システムに第２の入力を設け得ることがさらに望ましく
なりつつある。第２の入力を提供することができるジャ
ンクション、例えば２×２ジャンクションは、プレ−ナ
Ｙジャンクション技術を使用する場合には、１×２ジャ
ンクションよりも実現するのが困難である。１つが１×
Ｎスプリッタ−に第２の入力を与えるためのものである
２つのＹジャンクションを組合せると、さらに３ｄＢの
損失を生ずることになり、そのような大きい損失は許容
できない。
分割点に達するための異なる通路における冗長、（ｃ）
ネットワ−クの将来的展開における柔軟性、および
（ｄ）ネットワ−ク試験入口ポイント（netwark testin
g entry point）の提供のような種々の理由で、１つの
システムに第２の入力を設け得ることがさらに望ましく
なりつつある。第２の入力を提供することができるジャ
ンクション、例えば２×２ジャンクションは、プレ−ナ
Ｙジャンクション技術を使用する場合には、１×２ジャ
ンクションよりも実現するのが困難である。１つが１×
Ｎスプリッタ−に第２の入力を与えるためのものである
２つのＹジャンクションを組合せると、さらに３ｄＢの
損失を生ずることになり、そのような大きい損失は許容
できない。
【０００４】したがって、集積回路で信号を結合するた
めに干渉計装置が用いられた。図１は、波長の異なる２
つの信号を結合／分離するための波長分割マルチプレク
サ（ＷＤＭ）として機能する対称導波路カプラ１０を示
している。それは、２つのストレ−トな平行した導波路
１１および１２と、端部が入力／出力ポ−トと呼ばれる
湾曲した進入セグメント１３、１４、１５および１６を
具備している。それらのポ−トはそれらの例えば「ピグ
テ−リング」（pigtailing）の技術によってそれらのポ
−トに付着された被覆光ファイバ１９−２２の直径によ
って定められる距離だけ離間されている。
めに干渉計装置が用いられた。図１は、波長の異なる２
つの信号を結合／分離するための波長分割マルチプレク
サ（ＷＤＭ）として機能する対称導波路カプラ１０を示
している。それは、２つのストレ−トな平行した導波路
１１および１２と、端部が入力／出力ポ−トと呼ばれる
湾曲した進入セグメント１３、１４、１５および１６を
具備している。それらのポ−トはそれらの例えば「ピグ
テ−リング」（pigtailing）の技術によってそれらのポ
−トに付着された被覆光ファイバ１９−２２の直径によ
って定められる距離だけ離間されている。
【０００５】広帯域光導波通路カプラがA. Takagi ewt
al. "Broadband Silica-Based Optical Waveguide Coup
ler with Asymmetric Structure", Electronics Letter
s, 18 Jan. 1990, Vol 26, No. 2, pp. 132-133という
刊行物に開示されている。その装置は、２つの通路をそ
れらが結合領域で異なる伝播定数を有するように形成す
ることによって広帯域化される。図１を参照すると、導
波路通路のうちの１つの幅を変えることによって伝播定
数が異なるようになされる。ストレ−トな導波路１１
と、セグメント１３および１５はＷＤＭカプラ内では同
じ幅であるが、導波路１２’が導波路１１’より狭くな
されており、進入セグメント１４および１６は入力およ
び出力ポ−トにおける標準幅から導波路１２’における
狭い幅までテ−パされている。
al. "Broadband Silica-Based Optical Waveguide Coup
ler with Asymmetric Structure", Electronics Letter
s, 18 Jan. 1990, Vol 26, No. 2, pp. 132-133という
刊行物に開示されている。その装置は、２つの通路をそ
れらが結合領域で異なる伝播定数を有するように形成す
ることによって広帯域化される。図１を参照すると、導
波路通路のうちの１つの幅を変えることによって伝播定
数が異なるようになされる。ストレ−トな導波路１１
と、セグメント１３および１５はＷＤＭカプラ内では同
じ幅であるが、導波路１２’が導波路１１’より狭くな
されており、進入セグメント１４および１６は入力およ
び出力ポ−トにおける標準幅から導波路１２’における
狭い幅までテ−パされている。
【０００６】Δβ近接カプラでは、一方の導波路から他
方の導波路に伝達されるパワ−は P1-2 = F2 sin2 {(C/F)L} (1) で与えられる。ただし、Lは相互作用の長さ、Cは結合定
数であり、そしてFはΔβ、すなわち２つの導波路の伝
播定数β1およびβ2間の差に依存し、 F = 1 + [(β1 - β2)2/4C2]-1/2 (2) ３ｄＢカプラを作成するためには、近接カプラの波長レ
スポンスは、F2が1/2に等しく、かつCL/Fが(2n + 1)π/
2に等しくなるようにLが選定された場合に、最大限フラ
ットになることが示され得る。不完全なパワ−伝達が生
じ、そのため、波長の関数としての出力パワ−がよりフ
ラットになる。
方の導波路に伝達されるパワ−は P1-2 = F2 sin2 {(C/F)L} (1) で与えられる。ただし、Lは相互作用の長さ、Cは結合定
数であり、そしてFはΔβ、すなわち２つの導波路の伝
播定数β1およびβ2間の差に依存し、 F = 1 + [(β1 - β2)2/4C2]-1/2 (2) ３ｄＢカプラを作成するためには、近接カプラの波長レ
スポンスは、F2が1/2に等しく、かつCL/Fが(2n + 1)π/
2に等しくなるようにLが選定された場合に、最大限フラ
ットになることが示され得る。不完全なパワ−伝達が生
じ、そのため、波長の関数としての出力パワ−がよりフ
ラットになる。
【０００７】上記Takagi et al.の刊行物のΔβカプラ
は、Si上へのSiO2の火炎加水分解沈積と、フォトリソグ
ラフィ（photolithography）と、反応イオン・エッチン
グの組合せによって形成される。狭くされた進入セグメ
ント１４’および１６’の湾曲した部分には、それらの
直径が減寸されているために、比較的小さい過剰損失が
誘起される。
は、Si上へのSiO2の火炎加水分解沈積と、フォトリソグ
ラフィ（photolithography）と、反応イオン・エッチン
グの組合せによって形成される。狭くされた進入セグメ
ント１４’および１６’の湾曲した部分には、それらの
直径が減寸されているために、比較的小さい過剰損失が
誘起される。
【０００８】イオン交換法は、最大屈折率を減少させる
ことなしにはイオン交換導波路通路の幅を減寸すること
ができない点で、火炎加水分解や他のプレ−ナ技術とは
異なっている。したがって、狭い通路の実効屈折率は
（ａ）通路幅を狭くすること、および（ｂ）屈折率を低
下させることによって低下される。Δβ近接カプラにお
ける導波路通路を形成するためにイオン交換技術が用い
られる場合には、上記（ａ）および（ｂ）の両方とも２
つの通路間の実効屈折率の差（すなわちΔβ）を増加さ
せ、そしてまた屈曲した進入領域における損失を増大さ
せるであろう。
ことなしにはイオン交換導波路通路の幅を減寸すること
ができない点で、火炎加水分解や他のプレ−ナ技術とは
異なっている。したがって、狭い通路の実効屈折率は
（ａ）通路幅を狭くすること、および（ｂ）屈折率を低
下させることによって低下される。Δβ近接カプラにお
ける導波路通路を形成するためにイオン交換技術が用い
られる場合には、上記（ａ）および（ｂ）の両方とも２
つの通路間の実効屈折率の差（すなわちΔβ）を増加さ
せ、そしてまた屈曲した進入領域における損失を増大さ
せるであろう。
【０００９】
【本発明が解決しようとする課題】したがって、本発明
の１つの目的は改良された集積光近接カプラを提供する
ことである。他の目的は低い損失を呈示しかつ所望のカ
ットオフ波長特性を呈示する広帯域化された集積光近接
カプラを提供することである。
の１つの目的は改良された集積光近接カプラを提供する
ことである。他の目的は低い損失を呈示しかつ所望のカ
ットオフ波長特性を呈示する広帯域化された集積光近接
カプラを提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】簡単に述べると、本発明
は２つの導波路間の近接結合のための集積光装置に関す
る。この装置は同じ幅を有する第１および第２の導波路
入力端部セグメントを具備している。第１および第２の
ストレ−トな相互作用導波路セグメントは互いに平行で
かつ接近している。第１のストレ−トなセグメントは第
１および第２の入力端部セグメントより狭く、そして第
２のストレ−トな相互作用セグメントは第１および第２
の入力端部セグメントより幅が広い。第１の入力手段が
第１の入力端部セグメントを第１のストレ−トなセグメ
ントに接続し、そして第２の入力手段が第２の端部セグ
メントを第２のストレ−トなセグメントに接続する。出
力手段は第１および第２のストレ−トな通路のうちの１
つからの信号を結合する。
は２つの導波路間の近接結合のための集積光装置に関す
る。この装置は同じ幅を有する第１および第２の導波路
入力端部セグメントを具備している。第１および第２の
ストレ−トな相互作用導波路セグメントは互いに平行で
かつ接近している。第１のストレ−トなセグメントは第
１および第２の入力端部セグメントより狭く、そして第
２のストレ−トな相互作用セグメントは第１および第２
の入力端部セグメントより幅が広い。第１の入力手段が
第１の入力端部セグメントを第１のストレ−トなセグメ
ントに接続し、そして第２の入力手段が第２の端部セグ
メントを第２のストレ−トなセグメントに接続する。出
力手段は第１および第２のストレ−トな通路のうちの１
つからの信号を結合する。
【００１１】
【実施例】本発明の改良されたΔβカプラ２６が図２に
示されている。このカプラは２つのストレ−トで平行な
導波路２７および２８と、進入セグメント２９、３０、
３１および３２を具備している。ストレ−ト・セグメン
ト２７に接続された進入セグメント２９および３１は、
それぞれ遷移セグメント４１および４３によって端部セ
グメント３８および４０に接続された湾曲セグメント３
４および３６を具備している。遷移セグメントは、光フ
ァイバに対してカプラの導波路通路間の低損失接続を与
えるために必要とされる。図２では遷移セグメントは端
部セグメントに隣接して配置されているが、それらは図
１に示されているように湾曲セグメントの長さに沿って
配置されてもよい。しかし、遷移セグメントを湾曲領域
に配置すると、損失が大きくなるおそれがある。
示されている。このカプラは２つのストレ−トで平行な
導波路２７および２８と、進入セグメント２９、３０、
３１および３２を具備している。ストレ−ト・セグメン
ト２７に接続された進入セグメント２９および３１は、
それぞれ遷移セグメント４１および４３によって端部セ
グメント３８および４０に接続された湾曲セグメント３
４および３６を具備している。遷移セグメントは、光フ
ァイバに対してカプラの導波路通路間の低損失接続を与
えるために必要とされる。図２では遷移セグメントは端
部セグメントに隣接して配置されているが、それらは図
１に示されているように湾曲セグメントの長さに沿って
配置されてもよい。しかし、遷移セグメントを湾曲領域
に配置すると、損失が大きくなるおそれがある。
【００１２】ストレ−ト導波路セグメント２７は端部セ
グメント３７および３９より狭い。過剰損失を少なくす
るために、狭い通路２７は従来技術（図１参照）のよう
に狭くはなされていない。これは、他方のストレ−ト導
波路通路２８をセグメント３８および４０ようり若干幅
広くすることによって達成される。したがって、通路２
７をそれの幅と低下された屈折率が過剰損失を過剰に増
加させるように狭くすることなしに、所要のΔβを得る
ことができる。
グメント３７および３９より狭い。過剰損失を少なくす
るために、狭い通路２７は従来技術（図１参照）のよう
に狭くはなされていない。これは、他方のストレ−ト導
波路通路２８をセグメント３８および４０ようり若干幅
広くすることによって達成される。したがって、通路２
７をそれの幅と低下された屈折率が過剰損失を過剰に増
加させるように狭くすることなしに、所要のΔβを得る
ことができる。
【００１２】ストレ−ト・セグメント２８の幅が大きく
なるにつれて、それのカットオフ波長が増加する。２次
モ−ドの標準カットオフ波長は約1200nmである。通路幅
の1.0μmの差がカットオフ波長に200nmのシフトを生ず
ることになる。幅の広い通路２８はそれのカットオフ波
長が動作波長より大きくなるように幅広くはなされ得な
い。なぜなら、２次モ−ドへのパワ−の注入に基因した
ある程度のノイズまたは損失が生ずるおそれがあるから
である。したがって、２つの結合した導波路の伝播定数
の差は、ストレ−トな通路または等しい幅を有する標準
の狭帯域カプラと比較して、両方の導波路の幅の適度な
変化によって得られる。
なるにつれて、それのカットオフ波長が増加する。２次
モ−ドの標準カットオフ波長は約1200nmである。通路幅
の1.0μmの差がカットオフ波長に200nmのシフトを生ず
ることになる。幅の広い通路２８はそれのカットオフ波
長が動作波長より大きくなるように幅広くはなされ得な
い。なぜなら、２次モ−ドへのパワ−の注入に基因した
ある程度のノイズまたは損失が生ずるおそれがあるから
である。したがって、２つの結合した導波路の伝播定数
の差は、ストレ−トな通路または等しい幅を有する標準
の狭帯域カプラと比較して、両方の導波路の幅の適度な
変化によって得られる。
【００１３】端部セグメントが約2μmと4μmの間の通路
幅を有するには、セグメント２７および２８は端部セブ
メント幅とは通常約0.2μm〜0.5μmだけ幅が異なるであ
ろう。
幅を有するには、セグメント２７および２８は端部セブ
メント幅とは通常約0.2μm〜0.5μmだけ幅が異なるであ
ろう。
【００１４】本発明に従って作成されたΔβカプラで
は、S'は典型的には9μmと12μmの間であり、そしてL'
は1.3および1.55nmにおいて３ｄＢ分割比を有するよう
に500μmと2000μmの間である。距離L'は結合領域の長
さであり、そしてS'は１つの導波路の中心から他の導波
路の中心までの距離である。
は、S'は典型的には9μmと12μmの間であり、そしてL'
は1.3および1.55nmにおいて３ｄＢ分割比を有するよう
に500μmと2000μmの間である。距離L'は結合領域の長
さであり、そしてS'は１つの導波路の中心から他の導波
路の中心までの距離である。
【００１５】テ−パしたセグメント４１〜４４は1mmの
長さになされているが、100μm程度の短い長さで満足に
動作した。それより長いテ−パは装置を不当に長くする
にすぎない。
長さになされているが、100μm程度の短い長さで満足に
動作した。それより長いテ−パは装置を不当に長くする
にすぎない。
【００１６】特定の実施例では、この装置はイオン交換
法によって構成された。ガラス基板の表面に光導波通路
通路をイオン交換によって形成し、そして続いてその通
路を埋設する方法および装置の例が米国特許第３８３６
３４８号、第４７６５７０２号、第４８４２６２９号、
第４９１３７１７号、および第４９３３２６２号に開示
されている。また、R.V. Ramaswamy et al. "Ion-Excha
nged Glass Waveguides: A Review", Journal of Light
wave Technology, Vol. 6, No. 6, June 1988,pp. 984-
1002; H.J. Lilienhof et al. "Index Profiles of Mul
timode Optical Strip Waveguides by Field Enhanced
Ion Exchange in Glasses", Optics Communications, V
ol. 35, No. 1, October, 1980, pp. 49-53; a. Miliou
et al."Fiber-Compatible K+-Na+ Ion-Exchanged Chan
nel Waveguides: Fabricationand Characterization",
IEEE Journal of Wuantum Electronics, Vol. 25, No.
8, August, 1989, pp. 1889-1897の刊行物をも参照さＳ
れたい。基板はナトリウムおよびカリウム・イオンを含
んだアルミノ・ボロシリケ−ト・ガラス（alimino boro
silicate glass）で作成された。それの屈折率は1.463
であった。導波路通路を形成した交換されたイオンはタ
リウムであった。通路２７、３３および３５のためのマ
スク開孔の幅は2.6μmであった。通路２８、３４および
３６のためのマスク開孔の幅は3.2μmであった。マスク
開孔の幅と屈折率分布半径または導波路通路幅との間に
は直接的な相関関係が存在する。高屈折率導波路の断面
形状は幾分円形であり、その分布は拡散された。寸法L'
およびS'は1000μmおよび11.5μmであった。図５はこの
カプラの挿入損失を示している。曲線６１は入力信号が
セグメント３７に印加された場合のセグメント３９にお
ける出力信号を表わしている。曲線６２は入力信号がセ
グメント３７に印加された場合のセグメント４０におけ
る出力信号を表わしている。挿入損失は第１の窓（1260
-1360nm）では3.3dB±0.5dBであり、そして第２の窓（1
480-1580nm）では3.7dB±0.5dBである。したがって、平
均過剰損失は標準のＷＤＭカプラの場合と同じレベルで
ある。
法によって構成された。ガラス基板の表面に光導波通路
通路をイオン交換によって形成し、そして続いてその通
路を埋設する方法および装置の例が米国特許第３８３６
３４８号、第４７６５７０２号、第４８４２６２９号、
第４９１３７１７号、および第４９３３２６２号に開示
されている。また、R.V. Ramaswamy et al. "Ion-Excha
nged Glass Waveguides: A Review", Journal of Light
wave Technology, Vol. 6, No. 6, June 1988,pp. 984-
1002; H.J. Lilienhof et al. "Index Profiles of Mul
timode Optical Strip Waveguides by Field Enhanced
Ion Exchange in Glasses", Optics Communications, V
ol. 35, No. 1, October, 1980, pp. 49-53; a. Miliou
et al."Fiber-Compatible K+-Na+ Ion-Exchanged Chan
nel Waveguides: Fabricationand Characterization",
IEEE Journal of Wuantum Electronics, Vol. 25, No.
8, August, 1989, pp. 1889-1897の刊行物をも参照さＳ
れたい。基板はナトリウムおよびカリウム・イオンを含
んだアルミノ・ボロシリケ−ト・ガラス（alimino boro
silicate glass）で作成された。それの屈折率は1.463
であった。導波路通路を形成した交換されたイオンはタ
リウムであった。通路２７、３３および３５のためのマ
スク開孔の幅は2.6μmであった。通路２８、３４および
３６のためのマスク開孔の幅は3.2μmであった。マスク
開孔の幅と屈折率分布半径または導波路通路幅との間に
は直接的な相関関係が存在する。高屈折率導波路の断面
形状は幾分円形であり、その分布は拡散された。寸法L'
およびS'は1000μmおよび11.5μmであった。図５はこの
カプラの挿入損失を示している。曲線６１は入力信号が
セグメント３７に印加された場合のセグメント３９にお
ける出力信号を表わしている。曲線６２は入力信号がセ
グメント３７に印加された場合のセグメント４０におけ
る出力信号を表わしている。挿入損失は第１の窓（1260
-1360nm）では3.3dB±0.5dBであり、そして第２の窓（1
480-1580nm）では3.7dB±0.5dBである。したがって、平
均過剰損失は標準のＷＤＭカプラの場合と同じレベルで
ある。
【００１７】この装置が２つの信号を結合するためだけ
に用いられる場合には、両方のストレ−ト・セグメント
２７および２８に接続される出力セグメントを有する必
要はない。図３および４では、図２に対応した要素は同
じ符号にダッシを付けて示されている。図３および４に
おいては、湾曲セグメント３６および３５が終端セグメ
ント５０および５５でそれぞれ置換されている。
に用いられる場合には、両方のストレ−ト・セグメント
２７および２８に接続される出力セグメントを有する必
要はない。図３および４では、図２に対応した要素は同
じ符号にダッシを付けて示されている。図３および４に
おいては、湾曲セグメント３６および３５が終端セグメ
ント５０および５５でそれぞれ置換されている。
【００１８】
【発明の効果】本発明によれば、低い損失を呈示しかつ
所望のカットオフ波長特性を呈示する広帯域化された集
積光近接カプラを得ることができるが以上の説明から理
解されるであろう。
所望のカットオフ波長特性を呈示する広帯域化された集
積光近接カプラを得ることができるが以上の説明から理
解されるであろう。
【図１】従来の非対称集積光近接カプラの概略図であ
る。
る。
【図２】本発明に従って作成された非対称集積光近接カ
プラの概略図である。
プラの概略図である。
【図３】図２の装置の出力端部の変更例を示す概略図で
ある。
ある。
【図４】図２の装置の出力端部の変更例を示す概略図で
ある。
ある。
【図５】波長の関数としてプロットされた挿入損失を示
すグラフである。
すグラフである。
２６ Δβカプラ ２７、２８ ストレ−ト・セグメント ２９、３０ 入力手段 ３１、３２ 出力手段 ３３、３４ 湾曲セグメント ３７、３８ 導波路入力端部セグメント ４１、４２ 遷移セグメント
Claims (10)
- 【請求項１】 ２つの導波路間の近接結合のための集積
光装置であって、 同じ幅を有する第１および第２の導波路入力端部セグメ
ント（３７、３８）と、 互いに平行でかつ近接した第１および第２のストレ−ト
な相互作用導波路セグメント（２７、２８）を具備し、
前記第１のストレ−ト・セグメント（２７）は前記第１
および第２の入力端部セグメント（３７、３８）より狭
く、前記第２のストレ−ト・セグメント（２８）は前記
第１および第２の入力端部セグメント（３７、３８）よ
り幅広く、前記第１および第２のストレ−トな相互作用
導波路セグメント（２７、２８）間の間隔は前記第１お
よび第２の入力端部セグメント（３７、３８）間の間隔
より小さく、 前記第１の入力端部セグメント（３７）を前記第１のス
トレ−ト・セグメント（２７）に接続する第１の入力手
段（２９）と、 前記第２の入力端部セグメント（３８）を前記第１のス
トレ−ト・セグメント（２８）に接続する第２の入力手
段（３０）と、 前記第１および第２のストレ−ト・セグメント（２７、
２８）のうちの１つからの信号を結合する出力手段（３
１、３２）を具備している２つの導波路間の近接結合の
ための集積光装置。 - 【請求項２】 前記第１の入力手段（２９）が前記第１
のストレ−ト・セグメント（２７）と前記第１の入力端
部セグメント（３７）の間に接続された第１の湾曲セグ
メント（３３）を具備しており、前記第１の入力手段
（２９）内に第１のテ−パした遷移セグメント（４１）
が配置されており、前記第２の入力手段（３０）が前記
第２のストレ−ト・セグメント（２８）と前記第２の入
力端部セグメント（３８）の間に接続された第２の湾曲
セグメント（３４）を具備しており、前記第１の入力手
段（３０）内に第２のテ−パした遷移セグメント（４
２）が配置されている請求項１の光装置。 - 【請求項３】 前記第１および第２のテ−パした遷移セ
グメント（４１、４２）がそれぞれ前記第１および第２
の入力端部セグメント（３７、３８）に隣接して配置さ
れている請求項２の光装置。 - 【請求項４】 前記第１および第２のテ−パした遷移セ
グメント（４１、４２）がそれぞれ前記第１および第２
の湾曲セグメント（３３、３４）の長さに沿って配置さ
れている請求項２の光装置。 - 【請求項５】 前記出力手段（３１、３１’）が第３の
端部セグメント（３９、３９’）と、前記第２のストレ
−ト・セグメント（２８、２８’）の出力端部と前記第
３の端部セグメント（３９、３９’）の間に接続された
第３の湾曲セグメント（３５、３５’）よりなる請求項
１の光装置。 - 【請求項６】 前記出力手段（３２、３２’）が第４の
端部セグメント（４０、４０’）と、前記第２のストレ
−ト・セグメント（２８、２８’）の出力端部と前記第
４の端部セグメント（４０、４０’）の間に接続された
第４の湾曲セグメント（３６、３６’）よりなる請求項
１または５の光装置。 - 【請求項７】 前記出力手段が前記第１および第２のス
トレ−ト・セグメントのうちの１つに導波路通路によっ
て接続された光ファイバ（２１’、２２’）である請求
項１の光装置。 - 【請求項８】 前記第３または第４の端部セグメントに
対して軸線方向に配置された光ファイバ（２１’）を具
備した請求項５または６の光装置。 - 【請求項９】 前記第３の端部セグメント（３９）に対
して軸線方向に配置された第１の出力光ファイバ（３
９）と、前記第４の端部セグメント（４０）に対して軸
線方向に配置された第２の出力光ファイバ（２２’）を
具備した請求項５または６の光装置。 - 【請求項１０】 前記セグメントがイオン交換処理によ
って形成された請求項１〜９のうちの１つによる光装
置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP94400230A EP0667542B1 (en) | 1994-02-03 | 1994-02-03 | Broadband integrated optical proximity coupler |
| FR94400230.2 | 1994-02-03 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07230014A true JPH07230014A (ja) | 1995-08-29 |
Family
ID=8217982
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7035869A Ceased JPH07230014A (ja) | 1994-02-03 | 1995-02-02 | ２つの導波路間の近接結合のための集積光装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5559913A (ja) |
| EP (1) | EP0667542B1 (ja) |
| JP (1) | JPH07230014A (ja) |
| AU (1) | AU688827B2 (ja) |
| CA (1) | CA2141379A1 (ja) |
| DE (1) | DE69411144T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023140162A1 (ja) * | 2022-01-18 | 2023-07-27 | セーレンＫｓｔ株式会社 | 光合波器 |
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|---|---|---|---|---|
| JP2000329956A (ja) * | 1999-05-24 | 2000-11-30 | Minolta Co Ltd | 光導波路 |
| US8965156B2 (en) * | 2010-08-12 | 2015-02-24 | Octrolix Bv | Beam combiner |
| US8855447B2 (en) | 2010-08-12 | 2014-10-07 | Octrolix Bv | Scanning laser projector |
| JP2019518978A (ja) | 2016-05-10 | 2019-07-04 | モレックス エルエルシー | 光ファイバケーブルアセンブリ及びキャリア |
| CN113534564A (zh) * | 2021-07-14 | 2021-10-22 | 华中科技大学 | 一种提升光学相控阵扫描角度的方法及器件 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3850503A (en) * | 1972-10-26 | 1974-11-26 | Texas Instruments Inc | Asymmetric waveguide pair acoustic surface wave switch |
| JP3031426B2 (ja) * | 1990-04-16 | 2000-04-10 | 日本電信電話株式会社 | 導波型光分岐素子 |
| JPH0462524A (ja) * | 1990-07-02 | 1992-02-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光制御素子 |
| FR2668615B1 (fr) * | 1990-10-31 | 1992-12-11 | France Etat | Separateur de polarisations pour lumiere guidee. |
-
1994
- 1994-02-03 DE DE69411144T patent/DE69411144T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1994-02-03 EP EP94400230A patent/EP0667542B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-01-30 CA CA002141379A patent/CA2141379A1/en not_active Abandoned
- 1995-01-30 AU AU11452/95A patent/AU688827B2/en not_active Ceased
- 1995-01-30 US US08/380,748 patent/US5559913A/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-02-02 JP JP7035869A patent/JPH07230014A/ja not_active Ceased
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023140162A1 (ja) * | 2022-01-18 | 2023-07-27 | セーレンＫｓｔ株式会社 | 光合波器 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CA2141379A1 (en) | 1995-08-05 |
| AU1145295A (en) | 1995-08-10 |
| EP0667542A1 (en) | 1995-08-16 |
| DE69411144D1 (de) | 1998-07-23 |
| EP0667542B1 (en) | 1998-06-17 |
| DE69411144T2 (de) | 1999-03-11 |
| AU688827B2 (en) | 1998-03-19 |
| US5559913A (en) | 1996-09-24 |
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