JPH0722397A - プラズマ処理装置とこれを用いたプラズマ処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 均一なプラズマを形成することができ、プラ
ズマ密度の制御、イオン加速の制御を独立に行うことが
でき、共通の装置をもって各種プラズマ処理とチャンバ
ー内のクリーニング・モードを大気開放をすることなく
行うことができるようにする。 【構成】 平行平板型構成を採り、この平行平板型構成
による被処理体１の載置台２とこれに対向する対向電極
３すなわち陽極との間に低周波または高周波を印加する
低周波または高周波印加手段４と、チャンバー５の内壁
面近傍にバイアス電界及び磁力線を印加して電子をサイ
クロイド運動させながらチャンバー５の内壁面に沿って
リング状に回転させ、チャンバー５の内壁面の近傍で高
密度プラズマを発生させる高密度プラズマ発生手段６と
を有してなる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えばプラズマ・エッ
チング処理、プラズマＣＶＤ（化学的気相成長）処理、
プラズ・マアッシグ処理等のプラズマ処理を行うことの
できるプラズマ処理装置とこれを用いたプラズマ処理方
法に係わる。

【０００２】

【従来の技術】

【０００３】例えば半導体集積回路装置おいては、その
多層配線構造の層間絶縁層に穿設したコンタクト用透孔
を通じて上層配線を下層配線に電気的にコンタクトする
という構造が採られる。この場合のコンタクト用透孔
は、集積回路の高密度微細化から、より微細化の一途を
辿っているものであり、この様なコンタクト用透孔は、
これに上層配線、もしくは上層配線を下層配線に接続す
るための導電材を良好に充填することができ、しかも微
細化をはかることができるように、断面が樽型となるこ
となく垂直に形成されることが望まれる。

【０００４】このような、コンタクト用透孔の穿設等に
おいては、異方性エッチングが適用され、この異方性エ
ッチングとしては、荷電粒子（イオン）を生成してバイ
アス印加によって方向性を付与する反応性イオンエッチ
ング（ＲＩＥ）が用いられる。

【０００５】このＲＩＥとして、磁場中で高周波放電を
行うマグネトロン平行平板型のＲＩＥ装置がある。この
マグネトロン平行平板型のＲＩＥ装置は、高周波放電に
よってプラズマが形成され、被処理体が配置される載置
台すなわち陰極に高周波電力が印加されてこれの上に生
じたイオンシースの電界によって加速されたイオンが被
処理体に衝突するようになされる。そして、この被処理
体に衝突したイオン種はエネルギーを失い、２次電子を
放出する。この２次電子は、負の電荷を持つため、イオ
ンとは逆の方向に加速される。この２次電子は、磁場の
影響をうけて電界Ｅ×磁束密度Ｂドリフト運動すること
からサイクロイド運動を起こしてこれが被処理体の表面
を全面的に走査し、これによって電子とガス種の衝突確
率が増し、高密度のプラズマを発生するようになされて
いる。

【０００６】しかしながら、この種のマグネトロン平行
平板型のＲＩＥ装置では、電子のドリフトが電界の小さ
い陰極すなわち被処理体の載置台の端面で終了し、ここ
に電子の溜まりが生じプラズマが不均一となるという問
題がある。

【０００７】また、この場合イオンの加速は、プラズマ
を生成するエネルギーとイオンを加速するエネルギー
が、高周波印加によって与えられる。つまり、イオンの
加速エネルギーは、プラズマの圧力、密度で間接的に決
まるものであり、両者は独立に選定することはできな
い。

【０００８】一方、平行平板型プラズマ処理装置は、平
行する電極間の空間において、プラズマを発生させる
が、この場合プラズマによってガス分子が重合し、ポリ
マーが発生する。

【０００９】この発生したポリマーは、被プラズマ処理
体の例えば半導体ウエーハ表面に付着して、これがプラ
ズマ処理、例えばプラズマ・エッチング処理、プラズマ
ＣＶＤの特性の劣化を来すのみならず、このポリマーが
ーチャンバーの内壁面に全面的に堆積し、これがいわゆ
るパーティクルの原因となり、このプラズマ処理装置を
用いて作製した半導体装置の歩留りの低下、信頼性の低
下をきたす。

【００１０】また、チャンバー壁面に堆積した堆積物
は、表面に不純物等を多く吸着し、放電中、この不純物
がプラズマ処理作業中に放出し、この処理の安定性を低
下させる。

【００１１】例えば、酸化膜に対するエッチング装置の
場合、チャンバー壁面への堆積物の付着によってエッチ
ングレートを低下させる。図７は従来の平行平板型のプ
ラズマ処理装置によってエッチングを行った場合の半導
体ウエーハのエッチング処理枚数に対するエッチングレ
ートを測定した結果を示すもので、矢印ａ及びｂで示す
時点でチャンバーのクリーニングを行った。これをみて
明らかなように、ウエーハ処理が繰返されるにつれ、エ
ッチングレートが低下することものであり、このため矢
印ａ及びｂで示すように２０００枚処理毎にチャンバー
壁面へのクリーニングが行われるものである。

【００１２】このクリーニングは、チャンバーを大気開
放してチャンバー壁の付着物を除去するメカニカルクリ
ーニングによるものであって、このクリーニングには約
４時間を費やすものであり、その時間的、労力的損失は
大きい。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、均一なプラ
ズマを形成することができ、更にプラズマ密度の制御、
イオン加速の制御を独立に行うことができ、共通の装置
をもって各種処理モードを採ることができ、さらに大気
開放をすることなく簡便にクリーニング作業を行うこと
ができるようにしたプラズマ処理装置を提供するもので
ある。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明装置は、図１にそ
の一例の略線的断面図を示すように、平行平板型構成を
採り、この平行平板型構成による被処理体１の載置台２
とこれに対向する対向電極３すなわち陽極との間に低周
波または高周波を印加する低周波または高周波印加手段
４と、チャンバー５の内壁面近傍にバイアス電界及び磁
力線を印加して電子をサイクロイド運動させながらチャ
ンバー５の内壁面に沿ってリング状に回転させ、チャン
バー５の内壁面の近傍で高密度プラズマを発生させる高
密度プラズマ発生手段６とを有してなる。

【００１５】また、本発明方法は、上述の本発明装置を
用いて、エッチングモードによって選択的エッチングを
行う第１のエッチング工程と、被処理体１の載置台２と
これに対向する対向電極３との間に低周波または高周波
を印加することなく、高密度プラズマ発生手段６を動作
させるデポジションモードによる保護膜のデポジション
工程と、エッチングモードによる第２のエッチング工程
とを順次行うことにより被処理体に対する選択的エッチ
ングを行う。

【００１６】

【作用】本発明装置によれば、平行平板型構成とは別
に、チャンバー５の内壁面近傍にバイアス電界及び磁力
線印加による電子のサイクロトロン運動と回転による高
密度プラズマを発生させるマグネトロン放電による高密
度プラズマ発生手段６を設けたので、イオンの加速エネ
ルギーの選定と殆ど独立に、高密度プラズマ発生手段６
によってプラズマエネルギーの制御を行うことができて
目的に応じた最適のイオン加速エネルギーと高密度プラ
ズマ発生を行うことができるものである。

【００１７】したがって、例えばプラズマ処理速度、例
えばエッチング速度の選定、異方性エッチングの異方性
を高めることができるなどのエッチング条件の選定の自
由度が大となる。

【００１８】また、この高密度プラズマ発生手段６によ
れば、電子をサイクロイド運動させながらチャンバー５
の内壁面に沿ってリング状に、すなわち電子が無限に回
転するので電子の滞留が回避されプラズマの均一化がは
かられる。したがって、上述したプラズマ密度の制御性
と相まって目的とするプラズマ処理を正確、かつ均一に
行うことができる。

【００１９】また、高密度プラズマ発生手段６と、平行
平板型構成部との組み合わせ動作によってすなわち高密
度プラズマ発生手段６のオン・オフ、低周波または高周
波印加手段４のオン・オフの組み合わせによって、各種
の放電モードをとることができることから、ＲＩＥ（反
応性エッチング）はもとより、マグネトロン放電による
高密度プラズマを用いたＲＩＥ（以下ＭＲＩＥという）
各エッチングモードをとることができ、更に用いるプロ
セスガスの選定によってデポシション・モード、クリー
ニング・モードの各プラズマ処理を行うことができる。

【００２０】そして、このようにチャンバー５を大気開
放することなくクリーニングすることができることか
ら、簡便にクリーニングを行うことができる。したがっ
て各被処理体１の処理終了毎にチャンバー５のクリーニ
ングを行うことによって、常にクリーンな状態でのプラ
ズマ処理がなされることから、例えばエッチング速度の
低下をきたしたり、パーティクルの発生を来すなどの不
都合を回避でき、被処理体１の各処理の特性劣化等の問
題、したがって歩留り、信頼性の向上をはかることがで
きるとともに、このクリーニングに伴う労力、作業時間
の縮小をはかることができる。

【００２１】また、本発明方法によれば、選択的エッチ
ング作業において、本発明装置を用いることによって、
ＭＲＩＥモードによる第１のエッチング→デポジション
・モードによるデポジション→ＭＲＩＥモードによる第
２のエッチング・モードを順次行うことによって、例え
ば第１のエッチングで目的とする深さのいわゆるジャス
トエッチングを行い、その後デポジション動作によっ
て、そのエッチングによって生じた側面にエッチングの
保護膜を被着させ、その後第２のエッチングによって充
分なエッチングいわゆるオーバーエッチングを行うこと
ができるので、サイドエッチングを回避した垂直性に優
れた確実な選択的エッチングを行うことができる。

【００２２】

【実施例】図１を参照して本発明装置の一例を詳細に説
明する。本発明装置は、平行平板型構成をとるものであ
り、チャンバー５内に被処理体１の載置台２に陰極７が
配置され、これに対向して対向電極３すなわち陽極が配
置される。

【００２３】この被処理体１の載置台２は、陰極７にセ
ラミック等の絶縁体８を介してその外側に配置された導
体９によってシールドされて成る。

【００２４】そして、この平行平板構成の載置台２すな
わち陰極７と陽極３との間に低周波またはを高周波が、
その印加手段４すなわち低周波または高周波電源から供
給される。図１で示した例では、陰極側に低周波または
を高周波を供給するカソードカップリング構成を採った
場合である。このようにしてプラズマＳ₁ が生じる。

【００２５】チャンバー５は、例えば円筒状のＡｌ容器
の内周に円筒状絶縁体１０が配置された構成を有する。
この絶縁体１０は、これがスパッタリングされたとき
に、被処理体１に対してその電気的特性に悪い影響を与
えることのない石英ガラス、アルミナ等によって構成さ
れる。

【００２６】そして、高密度プラズマ発生手段６を設け
る。この高密度プラズマ発生手段６は、チャンバー５の
内壁面近傍にバイアス電界及び磁力線を印加して電子を
サイクロイド運動させながらチャンバー５の内壁面に沿
ってリング状に回転させ、チャンバー５の内壁面の近傍
で高密度プラズマを発生させるものである。

【００２７】この高密度プラズマ発生手段６は、チャン
バー５の絶縁体１０内に配置された円筒状のマグネトロ
ン電極１１と、この電極１１の軸心方向に沿う磁力線Ｈ
を発生させるコイルがチャンバー５の外周に巻回配置さ
れ磁界発生用電磁石１２とより構成され、マグネトロン
電極１１に低周波または高周波電源１３から低周波また
は高周波を印加して、これによりチャンバー５の内壁面
近傍にセルフバイアスすなわち電位ドロップを発生させ
るようにする。

【００２８】このようにして、このセルフバイアスＶｍ
と電磁石１２による磁力線との相互作用によって図２で
その電子の運動を模式的に示すように、チャンバー１の
内壁面に沿って電子がサイクロイド運動を起こす。この
サイクロイド運動によって電子はこの内壁面に沿うよう
にリング状に、したがって無限に回転し、内壁面近傍に
高密度のプラズマシースＳ₂ を形成する。

【００２９】チャンバー５内は、例えばターボ分子ポン
プ１４及びドライポンプ１５によって高真空とされ、例
えば０．１Ｐａ〜５０Ｐａで動作できるようになされ
る。

【００３０】そして、多数の透孔が穿設されてなる例え
ば石英板からなるガス分散板１６を介して、プラズマ発
生部Ｓ₁ に、プロセスガス供給口１７からプロセスガス
を分散供給する。

【００３１】この構成によれば、載置台２上の被処理体
１上に発生するプラズマシース部分Ｓ₃ でイオンが加速
され、この加速されたイオンによって、被処理体１上で
プラズマ処理がなされる。

【００３２】そして、この本発明装置によれば、低周波
またはを高周波印加手段すなわち低周波またはを高周波
電源４のオン・オフ、高密度プラズマ発生手段６のオン
・オフ、プロセスガスの選定によってＭＲＩＥ、ＲＩＥ
モード、デポジション・モード、クリーニング・モード
を採ることができる。

【００３３】これら各モードと各部の動作状態との関係
と、使用プロセスガスの例と、これら各モードにおける
特徴とを表１に示す。

【００３４】

【表１】

【００３５】次に、本発明装置を用いた本発明方法の一
例を図３の工程図を参照して説明する。本発明方法で
は、プラズマ処理によって例えば配線パターンを形成す
るための配線層に対する選択的エッチングを行う場合等
に適用する。このような選択的エッチングを行う場合、
例えば配線パターン相互の短絡等の発生を確実に排除す
る上で配線層に対するエッチングは、通常オーバーエッ
チングとする。

【００３６】本発明方法では、このようなオーバーエッ
チングを行う場合においても、サイドエッチング、すな
わち横方向のエッチングが生じて、例えば配線パターン
の形成においては、その配線パターンのいわゆる細りが
生じるような不都合を回避するものである。

【００３７】この方法においては、被処理体１に対して
上述したＭＲＩＥもしくはエッチングモードによる第１
のエッチング工程と、デポジション・モードによる保護
膜のデポジション工程と、同様のＭＲＩＥもしくはＲＩ
Ｅのエッチング・モードによる第２のエッチング工程と
を採る。

【００３８】この本発明方法の一実施例を説明する。こ
の実施例ではＭＲＩＥモードによるエッチングとした。

【００３９】実施例１ この例では、被処理体１が、Ｓｉウエーハで、これの上
に形成された厚さ４０ｎｍのＳｉＯ₂ より成る絶縁層２
２上に形成した配線層２７を所定のパターンにエッチン
グして配線パターンの形成を行う場合である。配線層２
７は、厚さ５ｎｍのＴｉ層２３と厚さ１０ｎｍのＴｉＮ
層２４とよりなる下地層上にＡｌ−Ｓｉが１μｍの厚さ
に形成され、厚さ５ｎｍの表面層２７が形成されてい
る。

【００４０】この配線層２７上に、フォトレジスト２８
を目的とする配線パターンのパターンに、周知の方法に
よって形成する（図３Ａ）。

【００４１】このウエーハすなわち被処理体１を、図１
で説明した本発明装置のチャンバー５内の載置台２上に
配置して、これの上に形成したフォトレジスト２８をエ
ッチングレジストとしてを用いて例えばプロセスガスと
してＣｌ₂ のエッチングガスを供給し，表１で示したＭ
ＲＩＥモード動作によって第１のエッチングを行って配
線パターン２９を形成する。このときのエッチングは、
オーバーエッチングを避け、配線層２７が丁度エッチン
グされた程度のいわゆるジャストエッチングでそのエッ
チングを停止する（図３Ｂ）。

【００４２】続いて、大気にさらすことなく、同一装置
内で、プロセスガスをＡｒに変えて表１に基づくデポジ
ション・モードの動作を行う。このようにすると、チャ
ンバー１の内壁の絶縁体１０がスパッタリングされ、配
線パターン２９の外部に露出する側面に絶縁被膜による
保護膜３０がデポジットされる（図３Ｃ）。この場合、
他のデポジション原料ガスの供給によって保護膜３０を
形成することもできる。

【００４３】更に続いて、大気にさらすことなく、同一
装置内で、上述したと同様のＭＲＩＥモード動作によっ
て第２のエッチングによるオーバーエッチングを行う
（図３Ｄ）。その後、フォトレジスト２８を除去する。

【００４４】この実施例１における各ＭＲＩＥモード、
デポジション・モード、クリーニング・モードの各動作
条件を表２に示す。

【００４５】

【表２】

【００４６】この本発明方法によれば、第２のエッチン
グによるオーバーエッチングに際しては、配線パターン
２９の側面には絶縁性保護膜３０が被着されていること
によって配線パターンに細りが生じる不都合が回避され
る。

【００４７】そして、このように第１のエッチング工程
後に保護膜３０のデポジット工程を介在させるにもかか
わらず、これら第１のエッチング工程、デポジット工
程、第２のエッチング工程はすべて同一装置内で連続的
に行うので、その作業は極めて能率的に簡単に行うこと
ができる。

【００４８】また、このようなプラズマ処理を行って後
は、被処理体１を取り出して後、例えば排気を行いつつ
表２で示したクリーニング・モード動作を行えばマグネ
トロン放電によってチャンバー１の内壁面に付着された
ポリマー等の付着物がスパッタリングされてクリーニン
グされる。

【００４９】図１で示した例は、図４にその構成図を示
すように、カソードカップリング型構成によったもの
で，この場合高密度プラズマ発生手段６によるマグネト
ロン放電による高密度プラズマとは独立に被処理体１に
かかるイオンエネルギーを制御できることから、イオン
エネルギーの制御を必要とする例えば多結晶Ｓｉ膜に対
するエッチングを、上述のＭＲＩＥモードによって行う
に好適である。例えば多結晶Ｓｉ膜が、半導体ウエーハ
上に形成されたＳｉＯ₂ 層上に形成された場合におい
て、そのＳｉ膜を選択的にエッチングする場合、プロセ
スガスすなわちエッチングガスとしてＨＢｒを用い、載
置台２すなわち陰極７に高周波例えば１ＭＨｚを印加
し、この高周波バイアスを制御することによって例えば
Ｓｉ膜とＳｉＯ ₂ 層とのエッチングの選択比を制御する
ことができるので、ＳｉＯ₂ 層を残してＳｉ膜の選択的
エッチングを行うことができる。

【００５０】しかしながら、図５にその構成図を示すよ
うに、図１の構成において低周波または高周波電源４を
対向電極３すなわち陽極側に接続して低周波またはを高
周波印加を行うアノードカップリング型構成とすること
もできる。この構成は被処理体１へのイオンエネルギー
が例えば３０ｅＶ程度の極めて低いものであって，デポ
ジションモードでの使用、特にＣＶＤ（化学的気相成
長）装置として用いて好適なものである。

【００５１】この構成において、被処理体１例えば半導
体ウエーハ上にＳｉをＣＶＤする場合の例を挙げると、
この場合、例えば載置台２に図示しないがヒータ等の加
熱手段を設け、これによって被処理体１の半導体ウエー
ハを３５０℃〜５００℃に加熱し、モノシランＳｉＨ₄
及びＨｅガスを供給することに行うことができる。この
場合、対向電極３及びチャンバー５の内壁面に低周波ま
たはを高周波バイアスが掛けられているので、これら電
極及び内壁面に堆積物が付着することが回避される。

【００５２】また、本発明装置の他の例として、図１の
構成において、図６に示すように、載置台３すなわち陰
極７と対向電極とに低周波またはを高周波を印加するス
プリット構成を採ることもできる。これは、ＳｉＯ₂ 等
の比較的高いイオンエネルギーを必要とするものに対す
るエッチングを行う場合に適用して異方性の高いエッチ
ングを行うことができる。この場合、１０Ｐａ程度の比
較的低い圧力領域で、プロセスガスはＣＨＦ₃ とＣＯと
をそれぞれ流量４５ｓｃｃｍと１７５ｓｃｃｍで供給す
ることによって行うことができる。

【００５３】そして、例えば酸化膜のエッチングにおい
て、高密度プラズマ発生手段６をオフとしてスプリット
モードのエッチングを行い、このエッチング作業後毎に
クリーニングを、電極７及び３への低周波またはを高周
波印加をオフとして高密度プラズマ発生手段６をオンに
して行うことができる。

【００５４】図４〜図６において図１と対応する部分に
は同一符号を付して重複説明を省略する。

【００５５】また、本発明装置によれば、プラズマアッ
シングを行うこともできる。

【００５６】上述したように、本発明装置によれば、種
々の動作モードを採ることができるのでこれらの組み合
わせによって半導体装置を始めとして各種デバイスの製
造においてエッチング、ＣＶＤ、アッシング、クリーニ
ングを任意に組み合わせて連続的に行うことができる。

【００５７】

【発明の効果】上述したように、本発明装置によれば、
平行平板型構成とは別に、チャンバー５の内壁面近傍に
バイアス電界及び磁力線印加による電子のサイクロトロ
ン運動と回転による高密度プラズマを発生させるマグネ
トロン放電による高密度プラズマ発生手段６を設けてた
ことにより、これらの高密度プラズマ発生手段６と、平
行平板型構成部との組み合わせ動作によってＲＩＥはも
とより、マグネトロン放電による高密度プラズマを用い
たＭＲＩＥの各エッチング・モードをとることができ、
更に用いるプロセスガスの選定によってデポシション・
モード、クリーニング・モードの各プラズマ処理を行う
ことができる。

【００５８】また、イオンの加速エネルギーの制御と高
密度プラズマ発生の制御とを殆ど独立に行うことができ
ることから、目的とする作業に応じて最適な条件で各プ
ラズマ処理を行うことができる。

【００５９】また、高密度プラズマ発生手段６として
は、電子をサイクロイド運動させながらチャンバー５の
内壁面に沿ってリング状に、すなわち電子を無限に回転
させるので電子の滞留が回避されプラズマの均一化がは
かられる。したがって、上述したプラズマ密度の制御性
と相まって目的とするプラズマ処理を正確、かつ均一に
行うことができる。

【００６０】また、本発明装置によれば、チャンバー５
を大気開放することなくクリーニングすることができる
ことから、簡便にクリーニングを行うことができ、ま
た、各処理終了毎にチャンバー５のクリーニングを行う
ことができるので、常にクリーンな状態でのプラズマ処
理を行うことができ、冒頭に述べたように、例えばエッ
チング速度の低下をきたしたり、パーティクルの発生を
来すような不都合を回避でき、被処理体１の各処理の特
性劣化等の問題、したがって歩留り、信頼性の向上をは
かることができるとともに、このクリーニングに伴う労
力、作業時間の縮小をはかることができる。

【００６１】また、本発明方法によれば、選択的エッチ
ング作業において、本発明装置を用いることによって、
第１のエッチング工程によるジャストエッチング→デポ
ジションモードによる保護膜のデポジション→第２のエ
ッチング工程によるオーバーエッチングを行うことがで
きるので、サイドエッチングを回避した垂直性に優れた
選択的エッチングを行うことができる。

【００６２】上述したように本発明装置及び本発明方法
によれば、工業的に多くの利益をもたらすものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明装置の一例の断面図である。

【図２】本発明装置の高密度プラズマ発生手段の電子の
振る舞いを示す図である。

【図３】本発明方法の一実施例の工程図である。

【図４】本発明装置の一例の構成図である。

【図５】本発明装置の他の例の構成図である。

【図６】本発明装置の更に他の例の構成図である。

【図７】プラズマエッチングにおける処理枚数に対する
エッチングレートの測定結果を示す図である。

【符号の説明】

１ 被処理体 ２ 載置台 ３ 対向電極（陽極） ４ 低周波またはを高周波印加手段 ５ チャンバー ６ 高密度プラズマ発生手段

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/205

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 平行平板型構成を採り、 該平行平板型構成による被処理体の載置台と、これに対
   向する対向電極との間に低周波または高周波を印加する
   低周波または高周波印加手段と、 チャンバーの内壁面近傍にバイアス電界及び磁力線を印
   加して電子をサイクロイド運動させながら上記チャンバ
   ーの内壁面に沿ってリング状に回転させ、上記チャンバ
   ーの内壁面の近傍で高密度プラズマを発生させる高密度
   プラズマ発生手段とを有することを特徴とするプラズマ
   処理装置。
2. 【請求項２】 平行平板型構成を採り、 該平行平板型構成による被処理体の載置台とこれに対向
   する対向電極との間に低周波または高周波を印加する低
   周波または高周波印加手段と、 チャンバーの内壁面近傍にバイアス電界及び磁力線を印
   加して電子をサイクロイド運動させながら上記チャンバ
   ーの内壁面に沿ってリング状に回転させ、上記チャンバ
   ーの内壁面の近傍で高密度プラズマを発生させる高密度
   プラズマ発生手段とを有するプラズマ処理装置を用い
   て、 エッチングモードによる選択的エッチングを行う第１の
   エッチング工程と、 上記被処理体の載置台とこれに対向する対向電極との間
   に上記低周波または高周波を印加することなく上記高密
   度プラズマ発生手段を動作させるデポジションモードに
   よる保護膜のデポジション工程と、 エッチングモードによる第２のエッチング工程とを順次
   行うことを特徴とするプラズマ処理方法。