JPH0722209B2 - 光増幅器の絶対雑光指数決定装置および決定方法 - Google Patents
光増幅器の絶対雑光指数決定装置および決定方法Info
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- JPH0722209B2 JPH0722209B2 JP3324056A JP32405691A JPH0722209B2 JP H0722209 B2 JPH0722209 B2 JP H0722209B2 JP 3324056 A JP3324056 A JP 3324056A JP 32405691 A JP32405691 A JP 32405691A JP H0722209 B2 JPH0722209 B2 JP H0722209B2
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-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/07—Arrangements for monitoring or testing transmission systems; Arrangements for fault measurement of transmission systems
- H04B10/073—Arrangements for monitoring or testing transmission systems; Arrangements for fault measurement of transmission systems using an out-of-service signal
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光増幅器に関する。更に
詳細には、本発明は光増幅器の絶対雑光（ノイズ）指数
を決定する方法および装置に関する。
詳細には、本発明は光増幅器の絶対雑光（ノイズ）指数
を決定する方法および装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】光増幅器を使用する多くの通信用途で
は、光増幅器自体の雑光指数を知ることが重要である。
特に、増幅器雑光指数は所定のビット誤り率（ＢＥＲ）
を維持するのに必要な入力を決定するのに重要な因子で
ある。実際に、雑光指数は増幅器感度の目安であり、増
幅器を光受信機におけるプレアンプ（前置増幅器）とし
て使用する場合に、使用決定を行うための有用な因子で
ある。
は、光増幅器自体の雑光指数を知ることが重要である。
特に、増幅器雑光指数は所定のビット誤り率（ＢＥＲ）
を維持するのに必要な入力を決定するのに重要な因子で
ある。実際に、雑光指数は増幅器感度の目安であり、増
幅器を光受信機におけるプレアンプ（前置増幅器）とし
て使用する場合に、使用決定を行うための有用な因子で
ある。
【０００３】１９８９年１２月発行の“エレクトロニク
ス レタース(Electronics Letters) ”，２５巻，２５
号，１６８１〜１６８２頁に掲載されたジー・アール・
ウオーカー(G.R.Walker)らの「コヒーレント光伝送系に
おける半導体レーザ増幅器雑光指数の測定」と題する論
文は、半導体レーザ光増幅器の雑光指数を決定する２種
類の方法を開示している。第１の方法は、増幅器利得対
自然放出分光濃度の比率を直接測定することからなる。
この論文の著者らは、局所発振器−自発うなり部分だけ
を別個に算出し、そして除去できる場合に、検光子自体
の雑光最低値、局部発振器ショット雑光、自発ショット
雑光、自発−自発うなり雑光および局部発振器−自発う
なり雑光などのような各種の異なる広帯域雑光源を所望
の量に重畳されるものとして引用している。第２の決定
方法は、５６５メガビットのヘテロダイン伝送系におけ
る半導体増幅器の動作に関連する。この方法でも、各種
の異なる雑光源の寄与部分は最小になるものと思われ
が、増幅器雑光指数は信号入力／出力比を評価すること
により決定される。
ス レタース(Electronics Letters) ”，２５巻，２５
号，１６８１〜１６８２頁に掲載されたジー・アール・
ウオーカー(G.R.Walker)らの「コヒーレント光伝送系に
おける半導体レーザ増幅器雑光指数の測定」と題する論
文は、半導体レーザ光増幅器の雑光指数を決定する２種
類の方法を開示している。第１の方法は、増幅器利得対
自然放出分光濃度の比率を直接測定することからなる。
この論文の著者らは、局所発振器−自発うなり部分だけ
を別個に算出し、そして除去できる場合に、検光子自体
の雑光最低値、局部発振器ショット雑光、自発ショット
雑光、自発−自発うなり雑光および局部発振器−自発う
なり雑光などのような各種の異なる広帯域雑光源を所望
の量に重畳されるものとして引用している。第２の決定
方法は、５６５メガビットのヘテロダイン伝送系におけ
る半導体増幅器の動作に関連する。この方法でも、各種
の異なる雑光源の寄与部分は最小になるものと思われ
が、増幅器雑光指数は信号入力／出力比を評価すること
により決定される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】これらの２種類の方法
の明白な限界は、各種の異なる雑光源の相対的寄与部分
に関する仮定およびその他の雑光源の存在による算出雑
光指数における合成誤差である。
の明白な限界は、各種の異なる雑光源の相対的寄与部分
に関する仮定およびその他の雑光源の存在による算出雑
光指数における合成誤差である。
【０００５】従って、本発明の目的は、系内の各種の異
なる雑光源に殆ど左右されない結果を与える、光増幅器
の雑光指数の決定方法を提供することである。
なる雑光源に殆ど左右されない結果を与える、光増幅器
の雑光指数の決定方法を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の一実施例によれ
ば、光受信機および受信機出力に結合される電力検出器
に対する入力として印加される“雑光”源からなる試験
装置を使用する。入力雑光源の電力を変化させ、そし
て、電力検出器出力の変化を入力雑光電力変化の関数と
して測定する。入力“雑光”電力に対して電力検出器出
力をプロットするとほぼ直線的な関係が得られる。この
直線関係は、試験装置の雑光最低値（Ｎ0）においてｙ
−交点（すなわち、入力雑光＝０）を有する。
ば、光受信機および受信機出力に結合される電力検出器
に対する入力として印加される“雑光”源からなる試験
装置を使用する。入力雑光源の電力を変化させ、そし
て、電力検出器出力の変化を入力雑光電力変化の関数と
して測定する。入力“雑光”電力に対して電力検出器出
力をプロットするとほぼ直線的な関係が得られる。この
直線関係は、試験装置の雑光最低値（Ｎ0）においてｙ
−交点（すなわち、入力雑光＝０）を有する。
【０００７】更に、この装置は、試験装置の雑光源と光
受信機との間に光増幅器を挿入可能にする手段を有す
る。挿入後、入力雑光電力を再び変化させ、試験装置に
ついて新たなプロットを作成する。新たなプロットはＮ
0 よりも大きな値のＮ1 においてｙ−交点（雑光最低
値）を生じる。
受信機との間に光増幅器を挿入可能にする手段を有す
る。挿入後、入力雑光電力を再び変化させ、試験装置に
ついて新たなプロットを作成する。新たなプロットはＮ
0 よりも大きな値のＮ1 においてｙ−交点（雑光最低
値）を生じる。
【０００８】
【作用】本発明の利点は、本発明の試験装置を、例えば
半導体レーザ光増幅器またはエルビウムがドープされた
ファイバ増幅器などのような実際的に殆ど全てのタイプ
の光増幅器について使用できることである。
半導体レーザ光増幅器またはエルビウムがドープされた
ファイバ増幅器などのような実際的に殆ど全てのタイプ
の光増幅器について使用できることである。
【０００９】本発明の別の利点は、本発明の試験装置お
よび方法が２個の雑光最低値値間の差だけに依拠するの
で、各種の異なる雑光寄与部分（例えば、前記のような
ショット雑光およびうなり雑光源など）が相殺されるこ
とである。この２個の雑光最低値は実質的に同一の系雑
光成分を含有している。
よび方法が２個の雑光最低値値間の差だけに依拠するの
で、各種の異なる雑光寄与部分（例えば、前記のような
ショット雑光およびうなり雑光源など）が相殺されるこ
とである。この２個の雑光最低値は実質的に同一の系雑
光成分を含有している。
【００１０】
【実施例】以下、図面を参照しながら本発明を更に詳細
に説明する。図１は、本発明の教示により光増幅器の絶
対雑光指数を決定するために使用できる試験装置１０の
一例の模式的構成図である。装置１０は電力レベルＰNS
により周波数ωNSで動作する雑光源１２を含む。雑光源
１２としてはランプ、ＬＥＤまたは既知電力の一定光信
号を発生するために好適なその他のあらゆる光源などを
使用することができる。雑光源１２からの出力は第１の
信号路１４（例えば、光ファイバまたは集積光導波路）
に結合され、続いて、光カプラ（例えば、３ｄＢ光カプ
ラ）に対する第１の入力として印加される。光カプラ１
６に対する残りの入力は電力レベルＰLOにより周波数ω
LOで動作する局部発振器１８からなる。局部発振器１８
は第２の光信号路２０により光カプラ１６に結合されて
いる。当業者に周知なように、光カプラ１６は下記の数
式で示される一対の出力信号を発生する。
に説明する。図１は、本発明の教示により光増幅器の絶
対雑光指数を決定するために使用できる試験装置１０の
一例の模式的構成図である。装置１０は電力レベルＰNS
により周波数ωNSで動作する雑光源１２を含む。雑光源
１２としてはランプ、ＬＥＤまたは既知電力の一定光信
号を発生するために好適なその他のあらゆる光源などを
使用することができる。雑光源１２からの出力は第１の
信号路１４（例えば、光ファイバまたは集積光導波路）
に結合され、続いて、光カプラ（例えば、３ｄＢ光カプ
ラ）に対する第１の入力として印加される。光カプラ１
６に対する残りの入力は電力レベルＰLOにより周波数ω
LOで動作する局部発振器１８からなる。局部発振器１８
は第２の光信号路２０により光カプラ１６に結合されて
いる。当業者に周知なように、光カプラ１６は下記の数
式で示される一対の出力信号を発生する。
【００１１】Ｐ1 ＝ＰNS＋ｊＰLO ；および Ｐ2 ＝ｊＰNS＋ＰLO
【００１２】カプラ１６からの出力信号Ｐ1 およびＰ2
は続いて、光受信機２２に対する個別的入力として印加
される。図１の実施例では、平衡受信機形態が使用され
ている。簡単に説明すれば、平衡受信機２２は対向する
極性に接続された一対のホトダイオード２４，２６から
なる。ホトダイオード２４は光信号Ｐ1 に応答し、ホト
ダイオード２６は光信号Ｐ2 に応答する。対向極性構成
では、全ての同相信号（例えば、局部発振器１８により
発生された輝度雑光）が相殺されるように、入力信号は
合計される。ホトダイオード２４，２６からの光電流出
力の合計値は続いて、増幅器２８を通過し、受信機２２
の出力電流ｉ（ｔ）を生成する。従って、平衡受信機２
２からの出力電流ｉ（ｔ）は、様々な調波における追加
期間を有する場合、数式（ＰNSＰLO）1/2cos[(ωLO−ω
NS）ｔ］で示される量に比例する。
は続いて、光受信機２２に対する個別的入力として印加
される。図１の実施例では、平衡受信機形態が使用され
ている。簡単に説明すれば、平衡受信機２２は対向する
極性に接続された一対のホトダイオード２４，２６から
なる。ホトダイオード２４は光信号Ｐ1 に応答し、ホト
ダイオード２６は光信号Ｐ2 に応答する。対向極性構成
では、全ての同相信号（例えば、局部発振器１８により
発生された輝度雑光）が相殺されるように、入力信号は
合計される。ホトダイオード２４，２６からの光電流出
力の合計値は続いて、増幅器２８を通過し、受信機２２
の出力電流ｉ（ｔ）を生成する。従って、平衡受信機２
２からの出力電流ｉ（ｔ）は、様々な調波における追加
期間を有する場合、数式（ＰNSＰLO）1/2cos[(ωLO−ω
NS）ｔ］で示される量に比例する。
【００１３】バンドパスフィルタ３０を使用し、これら
調波成分を除去し、ωLO±ωNSに帯域制限された信号
ｉ′（ｔ）を発生することができる。しかし、このよう
なバンドパスフィルタの使用は単なる一例であり、本発
明の測定方法では特に必要とされない。バンドパスフィ
ルタ３０からの出力信号ｉ′（ｔ）はその後、電力検出
器３２に対する入力として印加される。電力検出器３２
は例えば、ショットキーダイオード検出器、熱電対検出
器または全ての適当な高感度マイクロ波電力検出器など
からなる。電力検出器３２は続いて、出力として、電圧
Ｖ0 （ｔ）を発生する。この電圧は、ＰNSＰLOｃｏｓΔ
ωｔ（ここで、Δω＝ωNS±ωLOである）で表される量
に比例する。
調波成分を除去し、ωLO±ωNSに帯域制限された信号
ｉ′（ｔ）を発生することができる。しかし、このよう
なバンドパスフィルタの使用は単なる一例であり、本発
明の測定方法では特に必要とされない。バンドパスフィ
ルタ３０からの出力信号ｉ′（ｔ）はその後、電力検出
器３２に対する入力として印加される。電力検出器３２
は例えば、ショットキーダイオード検出器、熱電対検出
器または全ての適当な高感度マイクロ波電力検出器など
からなる。電力検出器３２は続いて、出力として、電圧
Ｖ0 （ｔ）を発生する。この電圧は、ＰNSＰLOｃｏｓΔ
ωｔ（ここで、Δω＝ωNS±ωLOである）で表される量
に比例する。
【００１４】本発明による装置１０の雑光最低値を決定
するために、入力雑光電力レベルＰNSを変化させ、電力
検出器３２からの電圧Ｖ0 （ｔ）の合成変動を測定し
た。入力レベルは、第１の光信号路１４内で、雑光源１
２と光カプラ１６の間に配置された減衰器３４を用いて
変化させた。減衰器３４は、受信機２２に対して所定の
雑光電力レベルＰNS,1を供給するように調整し、測定電
力検出器出力Ｖ0,1 を発生することができる。その後、
第２の異なる雑光電力レベルＰNS,2を供給するように減
衰器３４を更に調整し、第２の測定電力検出器出力Ｖ
0,2 を発生させる。このような少なくとも２個の測定値
が必要であるが、更に多数の測定値が得られれば、光増
幅器雑光指数の最終決定の正確度も一層向上することが
できる。
するために、入力雑光電力レベルＰNSを変化させ、電力
検出器３２からの電圧Ｖ0 （ｔ）の合成変動を測定し
た。入力レベルは、第１の光信号路１４内で、雑光源１
２と光カプラ１６の間に配置された減衰器３４を用いて
変化させた。減衰器３４は、受信機２２に対して所定の
雑光電力レベルＰNS,1を供給するように調整し、測定電
力検出器出力Ｖ0,1 を発生することができる。その後、
第２の異なる雑光電力レベルＰNS,2を供給するように減
衰器３４を更に調整し、第２の測定電力検出器出力Ｖ
0,2 を発生させる。このような少なくとも２個の測定値
が必要であるが、更に多数の測定値が得られれば、光増
幅器雑光指数の最終決定の正確度も一層向上することが
できる。
【００１５】図３は前記の、入力雑光電力レベルと測定
電力検出器出力との関係をグラフにした特性図である。
プロットI は図１の装置１０の出力電圧Ｖ0 と入力雑光
電力ＰNSの関係を示すものであり、特に、３組の入力電
力レベルとこれに付随する測定電力検出器出力との関係
を例証している。図示されているように、関係はほぼ直
線的であり、装置の利得に対して勾配Ｓ1 を有する。従
って、ゼロ入力電力（すなわち、ＰNS＝０）において決
定されるｙ−交点は装置雑光最低値と定義される。
電力検出器出力との関係をグラフにした特性図である。
プロットI は図１の装置１０の出力電圧Ｖ0 と入力雑光
電力ＰNSの関係を示すものであり、特に、３組の入力電
力レベルとこれに付随する測定電力検出器出力との関係
を例証している。図示されているように、関係はほぼ直
線的であり、装置の利得に対して勾配Ｓ1 を有する。従
って、ゼロ入力電力（すなわち、ＰNS＝０）において決
定されるｙ−交点は装置雑光最低値と定義される。
【００１６】装置雑光最低値が決定されたら、具体例と
しての光増幅器の雑光指数を突き止めることができる。
図１の装置１０を改変し、入力信号路に沿って光増幅器
を組み込む。第１の信号路１４に沿って、減衰器３４と
光カプラ１６の間に配置された具体例としての光増幅器
４０を含む試験装置１０Ａを図２に示す。光増幅器４０
が挿入された増幅装置１０Ａの動作条件は、図１の装置
１０の動作条件とほぼ同一である。減衰器３４を何度も
調整し、一連の、少なくとも２個の異なる入力雑光電力
レベルを供給する。電力検出器３２からの付随出力を測
定し、出力と入力の関係をプロットする。特に、図３の
プロットIIは図２の装置１０Ａの入力雑光電力レベルと
電力検出器出力との間の関係を例証する。プロットII
は、プロットI よりも増大した、光増幅器４０の利得Ｇ
（ここで、Ｇ＝Ｓ2 ／Ｓ1 である）に関連する、勾配Ｓ
2 を示す。更に、増幅された試験装置１０Ａは一層高い
雑光最低値Ｎ1 を有するものと思われる。
しての光増幅器の雑光指数を突き止めることができる。
図１の装置１０を改変し、入力信号路に沿って光増幅器
を組み込む。第１の信号路１４に沿って、減衰器３４と
光カプラ１６の間に配置された具体例としての光増幅器
４０を含む試験装置１０Ａを図２に示す。光増幅器４０
が挿入された増幅装置１０Ａの動作条件は、図１の装置
１０の動作条件とほぼ同一である。減衰器３４を何度も
調整し、一連の、少なくとも２個の異なる入力雑光電力
レベルを供給する。電力検出器３２からの付随出力を測
定し、出力と入力の関係をプロットする。特に、図３の
プロットIIは図２の装置１０Ａの入力雑光電力レベルと
電力検出器出力との間の関係を例証する。プロットII
は、プロットI よりも増大した、光増幅器４０の利得Ｇ
（ここで、Ｇ＝Ｓ2 ／Ｓ1 である）に関連する、勾配Ｓ
2 を示す。更に、増幅された試験装置１０Ａは一層高い
雑光最低値Ｎ1 を有するものと思われる。
【００１７】従って、光増幅器４０の絶対雑光指数は増
幅された装置の雑光最低値Ｎ1 から試験装置の雑光最低
値Ｎ0 を引くことにより突き止められる。従って、Ｎ1
−Ｎ 0 の差（図３において、ＮA で示されている）は光
増幅器４０の絶対雑光指数である。各種の異なる雑光寄
与部分（例えば、極部発振器−自発うなり雑光、自発シ
ョット雑光など）がＮ0 およびＮ1 の双方の中に存在す
るので、このような寄与部分は引き算の過程で相殺さ
れ、絶対雑光指数ＮA が得られる。
幅された装置の雑光最低値Ｎ1 から試験装置の雑光最低
値Ｎ0 を引くことにより突き止められる。従って、Ｎ1
−Ｎ 0 の差（図３において、ＮA で示されている）は光
増幅器４０の絶対雑光指数である。各種の異なる雑光寄
与部分（例えば、極部発振器−自発うなり雑光、自発シ
ョット雑光など）がＮ0 およびＮ1 の双方の中に存在す
るので、このような寄与部分は引き算の過程で相殺さ
れ、絶対雑光指数ＮA が得られる。
【００１８】言うまでもなく、本発明の測定機構は半導
体レーザ光増幅器、ファイバ増幅器または光増幅を起こ
すために使用できる全てのその他の装置にも応用でき
る。更に、本発明の機構の受信機装置は図示されたよう
な平衡受信機の他、その他の任意のタイプの光受信機で
あることもできる。例えば、入力信号の結合、入力電力
の減衰および／または出力電力検出などのようなその他
の手段を含めることにより、図１および図２に示された
集成装置を様々に改変することができる。
体レーザ光増幅器、ファイバ増幅器または光増幅を起こ
すために使用できる全てのその他の装置にも応用でき
る。更に、本発明の機構の受信機装置は図示されたよう
な平衡受信機の他、その他の任意のタイプの光受信機で
あることもできる。例えば、入力信号の結合、入力電力
の減衰および／または出力電力検出などのようなその他
の手段を含めることにより、図１および図２に示された
集成装置を様々に改変することができる。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の試験装置
は、例えば半導体レーザ光増幅器またはエルビウムがド
ープされたファイバ増幅器などのような実際的に殆ど全
てのタイプの光増幅器について使用できることである。
は、例えば半導体レーザ光増幅器またはエルビウムがド
ープされたファイバ増幅器などのような実際的に殆ど全
てのタイプの光増幅器について使用できることである。
【００２０】また、本発明の試験装置および方法は２個
の雑光最低値間の差だけに依拠するので、各種の異なる
雑光寄与部分（例えば、前記のようなショット雑光およ
びうなり雑光源など）が相殺され、比較的簡単に光増幅
器の絶対雑光指数を決定することができる。この２個の
雑光最低値は実質的に同一の装置雑光成分を含有してい
る。
の雑光最低値間の差だけに依拠するので、各種の異なる
雑光寄与部分（例えば、前記のようなショット雑光およ
びうなり雑光源など）が相殺され、比較的簡単に光増幅
器の絶対雑光指数を決定することができる。この２個の
雑光最低値は実質的に同一の装置雑光成分を含有してい
る。
【図１】光増幅器の絶対雑光指数を決定するために、本
発明の教示に従って使用できる実例的な試験装置の模式
的構成図であり、この図示された装置は試験装置の雑光
最低値Ｎ0 を決定するために使用される。
発明の教示に従って使用できる実例的な試験装置の模式
的構成図であり、この図示された装置は試験装置の雑光
最低値Ｎ0 を決定するために使用される。
【図２】入力信号路に光増幅器が付加された図１の実例
的な試験装置の模式的構成図であり、図示された装置は
光増幅器と試験装置とを組合わせた場合の雑光最低値Ｎ
1 を決定するために使用される。
的な試験装置の模式的構成図であり、図示された装置は
光増幅器と試験装置とを組合わせた場合の雑光最低値Ｎ
1 を決定するために使用される。
【図３】図１および図２の装置に関する入力雑光電力
（ＰNS）対電力検出器出力（Ｖ0）の関係を示す特性図
であり、特に、両装置のｙ−交点、およびｙ−交点差
（Ｎ1 −Ｎ0 ）を図示している。このｙ−交点差（Ｎ1
−Ｎ0 ）は光増幅器の絶対雑光指数ＮA として定義され
る。
（ＰNS）対電力検出器出力（Ｖ0）の関係を示す特性図
であり、特に、両装置のｙ−交点、およびｙ−交点差
（Ｎ1 −Ｎ0 ）を図示している。このｙ−交点差（Ｎ1
−Ｎ0 ）は光増幅器の絶対雑光指数ＮA として定義され
る。
１０ 試験装置 １０Ａ 光増幅器が挿入された試験装置 １２ 雑光源 １４ 第１の信号路 １６ 光カプラ １８ 局部発振器 ２０ 第２の信号路 ２２ 光受信機 ２４ ホトダイオード ２６ ホトダイオード ２８ 増幅器 ３０ バンドパスフィルタ ３２ 電力検出器 ３４ 減衰器 ４０ 光増幅器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０４Ｂ 10/16 10/17
Claims (31)
- 【請求項１】 光受信機（２２）と、光雑光源からの出
力を入力として前記光受信機に印加する手段（１６）
と、雑光源と光受信機との間の信号路内に光増幅器（４
０）を挿入する手段（１４）と、光増幅器が存在しない
前記装置の第１の雑光最低値（Ｎ0 ）を決定し、そし
て、前記光増幅器が存在する前記装置の第２の雑光最低
値（Ｎ1 ）を決定する手段（３２，３４）と、第２およ
び第１の雑光最低値（Ｎ1 −Ｎ0 ）の差は光増幅器絶対
雑光指数（ＮA ）と定義される；からなる光増幅器の絶
対雑光指数決定装置。 - 【請求項２】 光受信機は平衡受信機からなる請求項１
の装置。 - 【請求項３】 所定の周波数ωLOおよび所定の電力レベ
ルＰLOを有する光信号を出力として発生する局部発振器
手段（１８）；および、雑光源の出力および局部発振器
手段の出力を別個の入力として受信し、そして、入力信
号の組合わせを表す第１および第２の光信号を一対の出
力として発生するための結合手段（１６）、第１および
第２の結合手段の出力信号は別個の入力として平衡受信
機に印加される；ことからなる請求項２の装置。 - 【請求項４】 平衡受信機は、第１の結合手段出力信号
を受信するために結合され、そして、この信号に関連す
る第１の光電流を出力として発生する第１のホトダイオ
ード（２４）；第２の結合手段出力信号を受信するため
に結合され、そして、この信号に関連する第２の光電流
を出力として発生する第２のホトダイオード（２６）、
第１および第２のホトダイオードは、ホトダイオードか
らの共通出力がホトダイオードに印加された入力信号の
合計値を表す光電流であるように、対向する極性配列で
配置されている；および、第１および第２のホトダイオ
ードからの合計光電流に応答し、入力光電流の合計を表
す増幅電流を平衡受信機の出力として発生する増幅手段
（２８）；からなる請求項３の装置。 - 【請求項５】 雑光最低値決定手段は、前記光受信機出
力電力を測定し、そして、入力雑光電力に対して前記受
信機出力電力を比較するための、光受信機の出力側に結
合された出力電力検出手段（３２）；および、ゼロレベ
ルにおける出力電力値が決定されるように、入力雑光信
号の電力レベルを変化するための、雑光源に結合された
入力電力調整手段（３４）、入力電力がゼロの場合の出
力電力値は装置の雑光最低値として定義される；ことか
らなる請求項１の装置。 - 【請求項６】 出力電力検出手段はショットキーダイオ
ード電力検出器からなる請求項５の装置。 - 【請求項７】 入力電力調整手段は入力光信号路内に配
置された光減衰器からなる請求項５の装置。 - 【請求項８】 光受信機と光検出手段との間の出力信号
路内に配置されたフィルタ手段（３０）を更に有する請
求項５の装置。 - 【請求項９】 入力雑光源がＬＥＤからなる請求項１の
装置。 - 【請求項１０】 入力雑光源がランプからなる請求項１
の装置。 - 【請求項１１】 挿入手段が、雑光源と光受信機との間
に光増幅器を結合することのできる光ファイバからなる
請求項１の装置。 - 【請求項１２】 入力雑光源と光受信機との間で相互接
続を行わせるための光結合手段を含む請求項１の装置。 - 【請求項１３】 光結合手段は３ｄＢ光カプラからなる
請求項１２の装置。 - 【請求項１４】 挿入手段は半導体光増幅器を装置に結
合するために使用される請求項１の装置。 - 【請求項１５】 挿入手段はファイバ増幅器を装置に結
合するために使用される請求項１の装置。 - 【請求項１６】 ファイバ増幅器はエルビウムがドープ
されたファイバ増幅器からなる請求項１５の装置。 - 【請求項１７】 周波数ωNSで動作する雑光源（１
２）；異なる周波数ωLOで動作する局部発振器（１
８）；個別的入力信号の組合わせを表す第１および第２
の出力信号を発生するために、雑光源および局部発振器
からの出力信号を個別的な入力信号として受信する光カ
プラ（１６）；前記光カプラからの第１および第２の出
力信号を個別的入力として受信し、そして、個別的入力
の合計に関連する光電流（ｉ（ｔ））を出力として発生
する平衡光受信機（２２）；複数個の異なる電力レベル
を発生するために、前記雑光源を調整する、雑光源と光
カプラとの間に配置された減衰手段（３４）；雑光入力
電力の変化の関数として、受信機出力電力の変化を測定
する、前記平衡受信機の出力側に結合された電力検出手
段（３２）；および、電力検出手段が信号路中に光増幅
器を有する装置と有しない装置の両方について出力電力
値を測定することができ、これにより、ゼロ入力雑光電
力における装置間の差が挿入光増幅器の絶対雑光指数を
確定するように、減衰手段と平衡受信機との間の信号路
中に光増幅器を挿入する手段（１４）；からなる光増幅
器の絶対雑光指数決定装置。 - 【請求項１８】 (a) 一組の少なくとも２個の異なる入
力電力レベルについて、光受信機の出力電力レベルを測
定し； (b) ゼロ入力電力レベルにおける出力電力（雑光最低
値）に対して前記工程(a) からの値を外挿することによ
り、受信機の第１の雑光最低値を決定し； (C) 入力信号路内に光増幅器を挿入し； (d) 第２の雑光最低値を決定するために、工程(C) の装
置について工程(a) および(b) を反復し；そして、 (e) 光増幅器の絶対雑光指数を確定するために、第２の
雑光最低値から第１の雑光最低値を引き算する；ことか
らなる光増幅器の絶対雑光指数を決定する方法。 - 【請求項１９】 工程(a) を行う際、 (a1)光受信機の出力側に電力検出手段を配設し；そし
て、 (a2)印加される入力電力に比例する電圧を発生する；工
程が実施される請求項１８の方法。 - 【請求項２０】 ショットキーダイオード電力検出器が
配設される請求項１９の方法。 - 【請求項２１】 工程(c) を行う際、半導体レーザ光増
幅器が挿入される請求項１８の方法。 - 【請求項２２】 工程(c) を行う際、ファイバ増幅器が
挿入される請求項１８の方法。 - 【請求項２３】 (a) 入力雑光源を準備し； (b) 光受信機装置を準備し； (c) 入力雑光源を光受信機に結合し； (d) 第１の装置雑光最低値Ｎ0 を決定し； (e) 雑光源と光受信機との間の信号路内に光増幅器を挿
入し； (f) 第２の装置雑光最低値Ｎ1 を決定するために、工程
(c) および(d) を反復し；そして、 (g) 光増幅器絶対雑光指数ＮA を求めるために、工程
(f) の値から工程(d) の値を引き算する； ことからなる光増幅器の絶対雑光指数を決定する方法。 - 【請求項２４】 工程(d) を行う際、 (d1)入力雑光源電力レベルを所定の値ＰNS,1に設定し； (d2)工程(d1)の入力雑光電力レベルについて光受信機出
力レベルＶ0,1 を測定し； (d3)２個の値に関する関数を決定するのに十分な多数回
にわたって工程(d1)および(d2)を行い；そして、 (d4)第１の雑光最低値と定義される、ゼロ入力雑光レベ
ルにおける光受信機出力値を決定するために、工程(d3)
の関数を外挿する；工程が行われる請求項２３の方法。 - 【請求項２５】 工程(d2)を行う際、光受信機の出力側
に電力検出手段を配設し；そして、 印加される入力電力に比例する電圧を発生する；工程が
実施される請求項２４の方法。 - 【請求項２６】 ショットキーダイオード電力検出器が
配設される請求項２３の方法。 - 【請求項２７】 工程(a) において、ＬＥＤが準備され
る請求項２３の方法。 - 【請求項２８】 工程(a) において、ランプが準備され
る請求項２３の方法。 - 【請求項２９】 工程(b) において、平衡光受信機が準
備される請求項２３の方法。 - 【請求項３０】 工程(e) において、半導体光増幅器が
挿入される請求項２３の方法。 - 【請求項３１】 工程(e) において、ファイバ増幅器が
挿入される請求項２３の方法。
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-
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