JPH07211497A - 減速管 - Google Patents
減速管Info
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- JPH07211497A JPH07211497A JP6022117A JP2211794A JPH07211497A JP H07211497 A JPH07211497 A JP H07211497A JP 6022117 A JP6022117 A JP 6022117A JP 2211794 A JP2211794 A JP 2211794A JP H07211497 A JPH07211497 A JP H07211497A
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- deceleration
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- decelerated
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- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 20
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 abstract description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 5
- 230000000452 restraining effect Effects 0.000 abstract 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 15
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Particle Accelerators (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 イオン源で発生したイオンビ−ムは加速し
て、高速ビ−ムとして輸送し、減速管で減速してタ−ゲ
ットに照射する。低エネルギ−のイオンビ−ムをタ−ゲ
ットに当てようとする場合は減速管でイオンビ−ムを強
く減速しなければならない。すると空間電荷効果のため
に、ビ−ムが強く発散する。発散を押さえ所望のビ−ム
プルフィルを得ることのできる減速管を与えることが目
的である。 【構成】 初めに減速、ついで加速、最後に減速という
ように、減速、加速、減速の三段階のエネルギ−の調整
を行なう。初めの減速は、最終ビ−ムエネルギ−の数十
倍の程度とする。このときはビ−ム形状が乱れない。加
速でビ−ムを収束させる。パラメ−タが二つあってビ−
ムの形状を制御できる。
て、高速ビ−ムとして輸送し、減速管で減速してタ−ゲ
ットに照射する。低エネルギ−のイオンビ−ムをタ−ゲ
ットに当てようとする場合は減速管でイオンビ−ムを強
く減速しなければならない。すると空間電荷効果のため
に、ビ−ムが強く発散する。発散を押さえ所望のビ−ム
プルフィルを得ることのできる減速管を与えることが目
的である。 【構成】 初めに減速、ついで加速、最後に減速という
ように、減速、加速、減速の三段階のエネルギ−の調整
を行なう。初めの減速は、最終ビ−ムエネルギ−の数十
倍の程度とする。このときはビ−ム形状が乱れない。加
速でビ−ムを収束させる。パラメ−タが二つあってビ−
ムの形状を制御できる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、低エネルギ−イオン
注入装置或いは低エネルギ−イオン薄膜形成装置の減速
管に関する。イオンを用いて物質の特性を改変すること
ができる。イオン注入装置は、イオンを注入することに
より半導体等の電気的特性を変える。またイオンのエネ
ルギ−が低い場合は、薄膜形成に用いることもできる。
イオンビ−ムのエネルギ−が数百keVの場合は、高エ
ネルギ−のビ−ムである。低エネルギ−というのは大体
1keV以下のものを言うが人により場合により定義が
変わる。ここでは数百eV〜数十eVのものを言う。
注入装置或いは低エネルギ−イオン薄膜形成装置の減速
管に関する。イオンを用いて物質の特性を改変すること
ができる。イオン注入装置は、イオンを注入することに
より半導体等の電気的特性を変える。またイオンのエネ
ルギ−が低い場合は、薄膜形成に用いることもできる。
イオンビ−ムのエネルギ−が数百keVの場合は、高エ
ネルギ−のビ−ムである。低エネルギ−というのは大体
1keV以下のものを言うが人により場合により定義が
変わる。ここでは数百eV〜数十eVのものを言う。
【0002】イオンビ−ムを生成するためにはイオン源
が必要である。これは、原料ガスをチャンバに導入し、
放電によりガスを励起しプラズマとし、電極の作用で引
き出すものである。ビ−ムと被処理物の間が離れている
ときは、ビ−ム輸送系が必要である。イオン源からデ−
タイオンビ−ムを加速管で加速し、自由飛行させ、減速
管で減速してから、被処理物に照射する。
が必要である。これは、原料ガスをチャンバに導入し、
放電によりガスを励起しプラズマとし、電極の作用で引
き出すものである。ビ−ムと被処理物の間が離れている
ときは、ビ−ム輸送系が必要である。イオン源からデ−
タイオンビ−ムを加速管で加速し、自由飛行させ、減速
管で減速してから、被処理物に照射する。
【0003】
【従来の技術】イオンビ−ムを輸送するためには、まず
加速し高速のビ−ムにしてから輸送し、直前で減速し低
エネルギ−のビ−ムとして被処理物に照射する。イオン
ビ−ムは荷電粒子であるので互いにク−ロン斥力を及ぼ
し合う。ために常に発散する傾向にある。高速で走行し
ているとか、微小電流である場合はク−ロン斥力よりも
運動エネルギ−が優越するので発散は弱い。このために
ビ−ムの輸送系ではビ−ムを高速にするのである。しか
し、電流が大きいとか、低速ビ−ムの場合はク−ロン斥
力の作用が優越するから発散が著しくなる。
加速し高速のビ−ムにしてから輸送し、直前で減速し低
エネルギ−のビ−ムとして被処理物に照射する。イオン
ビ−ムは荷電粒子であるので互いにク−ロン斥力を及ぼ
し合う。ために常に発散する傾向にある。高速で走行し
ているとか、微小電流である場合はク−ロン斥力よりも
運動エネルギ−が優越するので発散は弱い。このために
ビ−ムの輸送系ではビ−ムを高速にするのである。しか
し、電流が大きいとか、低速ビ−ムの場合はク−ロン斥
力の作用が優越するから発散が著しくなる。
【0004】減速管は、高速で飛行してきたイオンビ−
ムを減速するので、発散の問題が深刻になる。ビ−ムの
速度が急に減衰し運動エネルギ−が減る。しかも空間電
荷密度が増えるからク−ロン斥力の強度が増大する。た
めにビ−ムプロフィルが崩れやすい。一般に半径方向に
拡がったビ−ムとなる。
ムを減速するので、発散の問題が深刻になる。ビ−ムの
速度が急に減衰し運動エネルギ−が減る。しかも空間電
荷密度が増えるからク−ロン斥力の強度が増大する。た
めにビ−ムプロフィルが崩れやすい。一般に半径方向に
拡がったビ−ムとなる。
【0005】従来の減速管は、負の高圧の電極、さらに
高い負の高圧の電極と、接地電極より成っている。図3
の従来例に係る減速管の概略構造を示す。例えば第1の
電極に−20keV、次の電極に−25keV、接地電
極に0Vの電圧を印加する。第1と第2の電極の間で、
イオンビ−ムが加速される。一旦加速してから接地電極
により減速する。このように減速管は加速+減速の作用
を組み合わせたものである。一旦加速するのはビ−ムを
整形するためである。空間電荷密度が小さくなりビ−ム
が収束する傾向を持つようになる。その後減速して所望
の低エネルギ−のビ−ムにする。
高い負の高圧の電極と、接地電極より成っている。図3
の従来例に係る減速管の概略構造を示す。例えば第1の
電極に−20keV、次の電極に−25keV、接地電
極に0Vの電圧を印加する。第1と第2の電極の間で、
イオンビ−ムが加速される。一旦加速してから接地電極
により減速する。このように減速管は加速+減速の作用
を組み合わせたものである。一旦加速するのはビ−ムを
整形するためである。空間電荷密度が小さくなりビ−ム
が収束する傾向を持つようになる。その後減速して所望
の低エネルギ−のビ−ムにする。
【0006】しかしこのような減速管は、第2の電極と
接地電極(第3電極)の間で急に減速するので、ビ−ム
が急に拡がる。一部のイオンビ−ムが逆流することもあ
る。
接地電極(第3電極)の間で急に減速するので、ビ−ム
が急に拡がる。一部のイオンビ−ムが逆流することもあ
る。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】イオン源で発生したイ
オンビ−ムは一旦加速管によって高エネルギ−のビ−ム
にしてから輸送する。これは途中に質量分離装置を設け
る場合に分解能を上げるという効果がある。なによりも
大電流の場合に、空間電荷密度を下げて、空間電荷効果
による発散を抑制するために高速のビ−ムとするのが望
ましい。
オンビ−ムは一旦加速管によって高エネルギ−のビ−ム
にしてから輸送する。これは途中に質量分離装置を設け
る場合に分解能を上げるという効果がある。なによりも
大電流の場合に、空間電荷密度を下げて、空間電荷効果
による発散を抑制するために高速のビ−ムとするのが望
ましい。
【0008】ところが被処理物に照射する時には低エネ
ルギ−のビ−ムとなっていなければならない。このため
に減速管で所望の低エネルギ−まで減速するのである。
電流が小さい場合はビ−ムの発散があまり問題にはなら
ない。しかし処理能力を上げるために大電流のイオンビ
−ムを利用したいという要求がある。大電流のビ−ムの
場合、従来のように加速+減速の組合せでは、減速領域
でのビ−ムの発散が強くて所望のビ−ムプロフィルを得
ることができない。
ルギ−のビ−ムとなっていなければならない。このため
に減速管で所望の低エネルギ−まで減速するのである。
電流が小さい場合はビ−ムの発散があまり問題にはなら
ない。しかし処理能力を上げるために大電流のイオンビ
−ムを利用したいという要求がある。大電流のビ−ムの
場合、従来のように加速+減速の組合せでは、減速領域
でのビ−ムの発散が強くて所望のビ−ムプロフィルを得
ることができない。
【0009】図4は先に本出願人が提案(特願平4−2
16436号:平成4年7月21日出願)した減速管の
構造を示す。これは4つの電極を用いる。第1の電極に
例えば−20keV、第2の電極に例えば−25ke
V、第3の電極に例えば+1keVを印加する。第4の
電極は接地電極である。第3の電極は正電位であるから
ビ−ムを側方から中心に向かって押さえ込む作用があ
り、ビ−ムの戻りを防止できる。第3の電極をレンズ電
極と呼ぶが、これはビ−ムの発散を抑止し、逆流を防ぐ
作用がある。しかし、より大電流のイオンビ−ムの場合
は、接地電極の直前に挿入されたレンズ電極だけでは発
散を防ぐことができない。
16436号:平成4年7月21日出願)した減速管の
構造を示す。これは4つの電極を用いる。第1の電極に
例えば−20keV、第2の電極に例えば−25ke
V、第3の電極に例えば+1keVを印加する。第4の
電極は接地電極である。第3の電極は正電位であるから
ビ−ムを側方から中心に向かって押さえ込む作用があ
り、ビ−ムの戻りを防止できる。第3の電極をレンズ電
極と呼ぶが、これはビ−ムの発散を抑止し、逆流を防ぐ
作用がある。しかし、より大電流のイオンビ−ムの場合
は、接地電極の直前に挿入されたレンズ電極だけでは発
散を防ぐことができない。
【0010】接地電極を除き、接地されたタ−ゲットを
レンズ電極の背後に置くようにした配管を図5に示す。
タ−ゲット自体が接地電極の役割を果たす。この場合も
大電流であるとビ−ムが拡がってしまう。大電流で、低
エネルギ−のイオンビ−ムを必要とする場合において、
ビ−ムの形状を任意に整形できる減速管を提供すること
が本発明の目的である。
レンズ電極の背後に置くようにした配管を図5に示す。
タ−ゲット自体が接地電極の役割を果たす。この場合も
大電流であるとビ−ムが拡がってしまう。大電流で、低
エネルギ−のイオンビ−ムを必要とする場合において、
ビ−ムの形状を任意に整形できる減速管を提供すること
が本発明の目的である。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明の減速管は、初め
に減速し、次に加速し、さらに減速する。つまり初めに
減速の課程を付け加える。本発明のイオンビ−ムに対す
る作用を簡単に書くと、減速+加速+減速となる。この
ために電極を一つ増やす必要がある。電源も一つ増やす
必要がある。しかし電源は、抵抗分圧により他の負電圧
を作り出すことができるので、新たな電源を省くことも
できる。
に減速し、次に加速し、さらに減速する。つまり初めに
減速の課程を付け加える。本発明のイオンビ−ムに対す
る作用を簡単に書くと、減速+加速+減速となる。この
ために電極を一つ増やす必要がある。電源も一つ増やす
必要がある。しかし電源は、抵抗分圧により他の負電圧
を作り出すことができるので、新たな電源を省くことも
できる。
【0012】
【作用】初めの輸送時のエネルギ−を数百〜数十keV
の程度とする。これを最終的に減速管により100eV
まで減速するとする。本発明では、最終エネルギ−の数
十倍である数keVの程度まで、初めに減速する。この
減速は穏やかな減速である。だからビ−ムの形状もそれ
ほど崩れない。ついでこのビ−ムを加速する。加速はビ
−ムを収束させる作用があるので、ビ−ムのプロフィル
が整う。これが再び減速されて所望のエネルギ−のビ−
ムになる。減速によりビ−ムが拡がるが、初めに減速し
てビ−ムの形状を変化させ、加速によりさらに形状を変
化させるので、パラメ−タが一つ増えるのである。初め
のビ−ムのエネルギ−と、最終的な低いビ−ムエネルギ
−が決まっているが、従来のように加速+減速である
と、自由に設定できるパラメ−タは加速エネルギ−Aだ
けである。
の程度とする。これを最終的に減速管により100eV
まで減速するとする。本発明では、最終エネルギ−の数
十倍である数keVの程度まで、初めに減速する。この
減速は穏やかな減速である。だからビ−ムの形状もそれ
ほど崩れない。ついでこのビ−ムを加速する。加速はビ
−ムを収束させる作用があるので、ビ−ムのプロフィル
が整う。これが再び減速されて所望のエネルギ−のビ−
ムになる。減速によりビ−ムが拡がるが、初めに減速し
てビ−ムの形状を変化させ、加速によりさらに形状を変
化させるので、パラメ−タが一つ増えるのである。初め
のビ−ムのエネルギ−と、最終的な低いビ−ムエネルギ
−が決まっているが、従来のように加速+減速である
と、自由に設定できるパラメ−タは加速エネルギ−Aだ
けである。
【0013】本発明は初め減速し、加速しさらに減速す
るので、自由に設定できるパラメ−タは減速エネルギ−
Dと加速エネルギ−Aの二つになる。DとAの調整によ
って、任意の入射エネルギ−、最終エネルギ−のイオン
ビ−ムに対して最適のビ−ムプロフィルを形成すること
ができる。
るので、自由に設定できるパラメ−タは減速エネルギ−
Dと加速エネルギ−Aの二つになる。DとAの調整によ
って、任意の入射エネルギ−、最終エネルギ−のイオン
ビ−ムに対して最適のビ−ムプロフィルを形成すること
ができる。
【0014】
【実施例】図1により本発明の実施例に係る減速管を説
明する。これは負の高位電極aと、減速電極b、サプレ
ス電極c、レンズ電極d等よりなる。これらの終点にタ
−ゲットeが設置される。電極の電位分布が図1の下方
に示される。負の高位電極は、負の高電圧が印加されて
いる。減速電極bが新規であるが、これには負のより小
さい電圧が印加されている。サプレス電極cは負の高電
圧が印加されている。レンズ電極dは低電圧が印加され
る。タ−ゲットeは接地されている。
明する。これは負の高位電極aと、減速電極b、サプレ
ス電極c、レンズ電極d等よりなる。これらの終点にタ
−ゲットeが設置される。電極の電位分布が図1の下方
に示される。負の高位電極は、負の高電圧が印加されて
いる。減速電極bが新規であるが、これには負のより小
さい電圧が印加されている。サプレス電極cは負の高電
圧が印加されている。レンズ電極dは低電圧が印加され
る。タ−ゲットeは接地されている。
【0015】図2に全行程での電圧分布を示す。イオン
源では低い電圧U、Vが印加される。これはタ−ゲット
に打ち込むときのイオンのエネルギ−に、ほぼ等しい。
イオン源ではイオンを引き出し、イオンに数十keVの
エネルギ−を与えるイオン引出し系がある。これが電圧
分布のV、X、Yの部分である。長い輸送部を一定の運
動エネルギ−で走行する。これが減速管に入る。
源では低い電圧U、Vが印加される。これはタ−ゲット
に打ち込むときのイオンのエネルギ−に、ほぼ等しい。
イオン源ではイオンを引き出し、イオンに数十keVの
エネルギ−を与えるイオン引出し系がある。これが電圧
分布のV、X、Yの部分である。長い輸送部を一定の運
動エネルギ−で走行する。これが減速管に入る。
【0016】減速管では、bがaよりも電圧が高い(負
電圧で絶対値が小さい)ので、負の高電位電極a、減速
電極bの間で減速される。減速電極bの電圧は数keV
〜数百keVの程度である。この減速によりビ−ムのプ
ロフィルが著しく変化しない。実際は最終ビ−ムエネル
ギ−によって、減速電極の電圧を加減すると良い。
電圧で絶対値が小さい)ので、負の高電位電極a、減速
電極bの間で減速される。減速電極bの電圧は数keV
〜数百keVの程度である。この減速によりビ−ムのプ
ロフィルが著しく変化しない。実際は最終ビ−ムエネル
ギ−によって、減速電極の電圧を加減すると良い。
【0017】しかし減速電極bとサプレス電極cの間で
は、ビ−ムが加速される。加速されることによりビ−ム
の形が整形される。そして、サプレス電極cの後ではタ
−ゲットeがありこれが接地電位である。レンズ電極は
低電圧を加えるがこれによりビ−ムの拡がりが押さえら
れる。レンズ電極の電位はサプレス電極より大きい。最
大は、正の10keVの程度である。但し、ビ−ム中の
電位が、イオンの出発点であるイオン源の電位(U、
V)よりも小さくなる必要がある。レンズ電極dは省く
こともできる。
は、ビ−ムが加速される。加速されることによりビ−ム
の形が整形される。そして、サプレス電極cの後ではタ
−ゲットeがありこれが接地電位である。レンズ電極は
低電圧を加えるがこれによりビ−ムの拡がりが押さえら
れる。レンズ電極の電位はサプレス電極より大きい。最
大は、正の10keVの程度である。但し、ビ−ム中の
電位が、イオンの出発点であるイオン源の電位(U、
V)よりも小さくなる必要がある。レンズ電極dは省く
こともできる。
【0018】
【発明の効果】低エネルギ−のビ−ムを得ようとする
と、高速にしたビ−ムを減速して低速のビ−ムにしなけ
ればならない。減速の課程でビ−ムが拡がる。大電流で
あると拡がりが著しい。従来の減速管は加速と減速の組
合せによりビ−ムの拡がりを防止しようとしていた。し
かし大電流の場合は不完全である。本発明は、減速管内
に初めに減速領域を設ける。減速してから加速しさらに
減速する。減速と加速の作用により、高エネルギ−入射
イオンの整形を可能とする。一般に減速管までの大電流
の輸送のためには、高エネルギ−輸送が必要であるが、
その場合でも、一度減速領域を設けることにより、整形
された低エネルギ−イオンビ−ムを得ることができる。
と、高速にしたビ−ムを減速して低速のビ−ムにしなけ
ればならない。減速の課程でビ−ムが拡がる。大電流で
あると拡がりが著しい。従来の減速管は加速と減速の組
合せによりビ−ムの拡がりを防止しようとしていた。し
かし大電流の場合は不完全である。本発明は、減速管内
に初めに減速領域を設ける。減速してから加速しさらに
減速する。減速と加速の作用により、高エネルギ−入射
イオンの整形を可能とする。一般に減速管までの大電流
の輸送のためには、高エネルギ−輸送が必要であるが、
その場合でも、一度減速領域を設けることにより、整形
された低エネルギ−イオンビ−ムを得ることができる。
【図1】本発明の減速管の電極構造を示す概略断面図。
【図2】イオンビ−ムの発生、輸送、減速、タ−ゲット
照射の全行程における電極の電位変化を示す概略図。
照射の全行程における電極の電位変化を示す概略図。
【図3】従来の減速管の概略図。
【図4】本出願人の先願に係る特願平4−216436
号の減速管の概略図。
号の減速管の概略図。
【図5】特願平4−216436号の減速管の後にタ−
ゲットを直接に置いたものを示す概略図。
ゲットを直接に置いたものを示す概略図。
1 負の高電位電極 2 サプレス電極 3 レンズ電極 4 レンズ電極 5 タ−ゲット a 負の高電位電極 b 減速電極 c サプレス電極 d レンズ電極 e タ−ゲット
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/265 H05H 5/00 9014−2G
Claims (2)
- 【請求項1】 高速で入射したイオンビ−ムを低速にし
てタ−ゲットに照射するための減速管であって、負の高
電位電極と、これより絶対値の小さい負の電圧を印加し
た減速電極と、減速電極よりも絶対値の大きい負電圧を
印加したサプレス電極とをこの順に含み、減速電極によ
り初めにビ−ムを減速し、ついでサプレス電極により加
速し、さらに接地されたタ−ゲットにより減速するよう
にしたことを特徴とする減速管。 - 【請求項2】 高速で入射したイオンビ−ムを低速にし
てタ−ゲットに照射するための減速管であって、負の高
電位電極と、これより絶対値の小さい負の電圧を印加し
た減速電極と、減速電極よりも絶対値の大きい負電圧を
印加したサプレス電極と、レンズ電極をこの順に含み、
減速電極により初めにビ−ムを減速し、ついでサプレス
電極により加速し、レンズ電極でビ−ムを収束させ、さ
らに接地されたタ−ゲットにより減速するようにしたこ
とを特徴とする減速管。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6022117A JPH07211497A (ja) | 1994-01-21 | 1994-01-21 | 減速管 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6022117A JPH07211497A (ja) | 1994-01-21 | 1994-01-21 | 減速管 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07211497A true JPH07211497A (ja) | 1995-08-11 |
Family
ID=12073950
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6022117A Pending JPH07211497A (ja) | 1994-01-21 | 1994-01-21 | 減速管 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07211497A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1997017716A1 (en) * | 1995-11-08 | 1997-05-15 | Applied Materials, Inc. | An ion implanter with post mass selection deceleration |
WO1997017717A1 (en) * | 1995-11-08 | 1997-05-15 | Applied Materials, Inc. | An ion implanter with post mass selection deceleration |
JP2002517885A (ja) * | 1998-06-02 | 2002-06-18 | バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド | イオン注入器用の加速および分析アーキテクチャー |
WO2007127086A2 (en) * | 2006-04-26 | 2007-11-08 | Axcelis Technologies, Inc. | Methods and systems for trapping ion beam particles and focusing an ion beam |
WO2009083733A1 (en) * | 2008-01-03 | 2009-07-09 | Applied Materials, Inc. | Improvements relating to ion implanters |
-
1994
- 1994-01-21 JP JP6022117A patent/JPH07211497A/ja active Pending
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1997017716A1 (en) * | 1995-11-08 | 1997-05-15 | Applied Materials, Inc. | An ion implanter with post mass selection deceleration |
WO1997017717A1 (en) * | 1995-11-08 | 1997-05-15 | Applied Materials, Inc. | An ion implanter with post mass selection deceleration |
US5969366A (en) * | 1995-11-08 | 1999-10-19 | Applied Materials, Inc. | Ion implanter with post mass selection deceleration |
JP2002517885A (ja) * | 1998-06-02 | 2002-06-18 | バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド | イオン注入器用の加速および分析アーキテクチャー |
WO2007127086A2 (en) * | 2006-04-26 | 2007-11-08 | Axcelis Technologies, Inc. | Methods and systems for trapping ion beam particles and focusing an ion beam |
WO2007127086A3 (en) * | 2006-04-26 | 2008-03-27 | Axcelis Tech Inc | Methods and systems for trapping ion beam particles and focusing an ion beam |
US7598495B2 (en) | 2006-04-26 | 2009-10-06 | Axcelis Technologies, Inc. | Methods and systems for trapping ion beam particles and focusing an ion beam |
WO2009083733A1 (en) * | 2008-01-03 | 2009-07-09 | Applied Materials, Inc. | Improvements relating to ion implanters |
US7928413B2 (en) | 2008-01-03 | 2011-04-19 | Applied Materials, Inc. | Ion implanters |
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