JPH0720242A - 距離及び速度計測装置 - Google Patents
距離及び速度計測装置Info
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- JPH0720242A JPH0720242A JP5164412A JP16441293A JPH0720242A JP H0720242 A JPH0720242 A JP H0720242A JP 5164412 A JP5164412 A JP 5164412A JP 16441293 A JP16441293 A JP 16441293A JP H0720242 A JPH0720242 A JP H0720242A
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- laser
- light
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Abstract
(57)【要約】
【構成】小さな駆動電流の低出力な半導体レーザと、こ
の半導体レーザから出射したレーザ光を増幅する光増幅
装置を組み合わせた発光装置を光源として用い、低出力
の半導体レーザのみを高速で変調することにより所望の
大出力短パルス光を得る。 【効果】従来特殊な電源と大きな装置サイズを必要とし
たレーザ距離測定装置が３cm角程度の小型のサイズで実
現できる。
の半導体レーザから出射したレーザ光を増幅する光増幅
装置を組み合わせた発光装置を光源として用い、低出力
の半導体レーザのみを高速で変調することにより所望の
大出力短パルス光を得る。 【効果】従来特殊な電源と大きな装置サイズを必要とし
たレーザ距離測定装置が３cm角程度の小型のサイズで実
現できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、自動車衝突防止等に用
いるレーザ光を用いた距離及び速度計測装置に関する。
いるレーザ光を用いた距離及び速度計測装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のレーザ距離計測装置は図４に示す
ように高出力の半導体レーザから出射したレーザ光が反
射して戻るまでの時間を計測しこれによって対象物まで
の距離を測定するものであった。
ように高出力の半導体レーザから出射したレーザ光が反
射して戻るまでの時間を計測しこれによって対象物まで
の距離を測定するものであった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来のレーザ距離
計測装置では、対称物からの微弱な反射光を検出して距
離の計測を行うため大出力のレーザ光を必要とし駆動電
流も数アンペアの大電流が必要であった。また対称物ま
での光の走行時間により距離を測定するため１０ｎｓ以
下の短いパルスを得る必要があった。しかし、このよう
な大出力でパルス幅の小さいレーザ光を得るには特殊な
駆動電源を必要とし装置の小型化，低価格化の妨げにな
っていた。
計測装置では、対称物からの微弱な反射光を検出して距
離の計測を行うため大出力のレーザ光を必要とし駆動電
流も数アンペアの大電流が必要であった。また対称物ま
での光の走行時間により距離を測定するため１０ｎｓ以
下の短いパルスを得る必要があった。しかし、このよう
な大出力でパルス幅の小さいレーザ光を得るには特殊な
駆動電源を必要とし装置の小型化，低価格化の妨げにな
っていた。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記従来のレーザ距離計
測装置の問題点を解決するために、本発明では従来用い
られていた高出力の半導体レーザに代り、小さな駆動電
流の低出力な半導体レーザと、この半導体レーザから出
射したレーザ光を増幅する光増幅装置を組み合わせた発
光装置を光源として用い、低出力の半導体レーザのみを
高速で変調することにより所望の大出力短パルス光を得
ることを考案した。また、この光増幅装置の一部にレン
ズ機能を有するような屈折率又は利得の分布を設ける。
さらにこのレーザ光源の定電圧駆動時の電流の応答をモ
ニタすることによりこの素子を受光器としても使用す
る。
測装置の問題点を解決するために、本発明では従来用い
られていた高出力の半導体レーザに代り、小さな駆動電
流の低出力な半導体レーザと、この半導体レーザから出
射したレーザ光を増幅する光増幅装置を組み合わせた発
光装置を光源として用い、低出力の半導体レーザのみを
高速で変調することにより所望の大出力短パルス光を得
ることを考案した。また、この光増幅装置の一部にレン
ズ機能を有するような屈折率又は利得の分布を設ける。
さらにこのレーザ光源の定電圧駆動時の電流の応答をモ
ニタすることによりこの素子を受光器としても使用す
る。
【０００５】
【作用】本発明の構造によればパルス駆動する必要があ
るのは低出力の半導体レーザのみであり、駆動電流が１
００から２００ｍＡ程度であるため容易に短パルス駆動
することが可能である。このようにして発生した光パル
スをレーザ増幅器により増幅することにより数ワットの
高出力パルスが容易に得られる。こように従来のレーザ
距離計測装置では、大出力でパルス幅の小さい駆動電流
を必要とすることが装置の小型化，低価格化の妨げにな
っていたが、本発明によりこのような問題が解決でき小
型低価格のレーザ距離計測装置を得ることができる。さ
らに、この光増幅装置の一部にレンズ機能を有するよう
な屈折率又は利得の分布を設けることにより光の自己収
束現象を防止することができ、出射光の放射形状を均一
化することができる。また、本発明の第三の実施例の装
置によればこのレーザ光源を受光器として用いる。レー
ザ距離測定装置に対象物体から戻って来る微弱な光を増
幅しながら検出できるので、電圧電流特性に現われる戻
り光の信号を十分に検出することが可能である。
るのは低出力の半導体レーザのみであり、駆動電流が１
００から２００ｍＡ程度であるため容易に短パルス駆動
することが可能である。このようにして発生した光パル
スをレーザ増幅器により増幅することにより数ワットの
高出力パルスが容易に得られる。こように従来のレーザ
距離計測装置では、大出力でパルス幅の小さい駆動電流
を必要とすることが装置の小型化，低価格化の妨げにな
っていたが、本発明によりこのような問題が解決でき小
型低価格のレーザ距離計測装置を得ることができる。さ
らに、この光増幅装置の一部にレンズ機能を有するよう
な屈折率又は利得の分布を設けることにより光の自己収
束現象を防止することができ、出射光の放射形状を均一
化することができる。また、本発明の第三の実施例の装
置によればこのレーザ光源を受光器として用いる。レー
ザ距離測定装置に対象物体から戻って来る微弱な光を増
幅しながら検出できるので、電圧電流特性に現われる戻
り光の信号を十分に検出することが可能である。
【０００６】
（実施例１）本発明の第一の実施例を図１に従い説明す
る。本構造ではまずｎ−ＧａＡｓ基板１上に、ｎ−Ａｌ
0.5Ｇａ0.5Ａｓクラッド層２，多重量子井戸活性層３，
ｐ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓクラッド層４，ｐ−ＧａＡｓコ
ンタクト層５を順次結晶成長した。多重量子井戸活性層
３はＡｌ0.1Ｇａ0.9Ａｓウエル層３層６とＡｌ0.3Ｇａ
0.7Ａｓバリア層４層７からなっている。つぎに、気相
化学堆積法およびホトリソグラフ技術を用いてＳｉＯ2
マスクを形成する。次に、ＳｉＯ2膜をマスクとして、
ｐ−ＧａＡｓコンタクト層５及びｐ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａ
ｓクラッド層４の一部をエッチングした後、有機金属気
相成長法によりｎ−ＧａＡｓブロック層８をＳｉＯ2 膜
のない領域に選択的に成長した。素子の直列抵抗低減の
ため、ＳｉＯ2 膜を除去した後、ｐ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａ
ｓ埋込層９及びｐ−ＧaＡsキャップ層１０を形成した。
る。本構造ではまずｎ−ＧａＡｓ基板１上に、ｎ−Ａｌ
0.5Ｇａ0.5Ａｓクラッド層２，多重量子井戸活性層３，
ｐ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓクラッド層４，ｐ−ＧａＡｓコ
ンタクト層５を順次結晶成長した。多重量子井戸活性層
３はＡｌ0.1Ｇａ0.9Ａｓウエル層３層６とＡｌ0.3Ｇａ
0.7Ａｓバリア層４層７からなっている。つぎに、気相
化学堆積法およびホトリソグラフ技術を用いてＳｉＯ2
マスクを形成する。次に、ＳｉＯ2膜をマスクとして、
ｐ−ＧａＡｓコンタクト層５及びｐ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａ
ｓクラッド層４の一部をエッチングした後、有機金属気
相成長法によりｎ−ＧａＡｓブロック層８をＳｉＯ2 膜
のない領域に選択的に成長した。素子の直列抵抗低減の
ため、ＳｉＯ2 膜を除去した後、ｐ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａ
ｓ埋込層９及びｐ−ＧaＡsキャップ層１０を形成した。
【０００７】次に、ウエハの表面及び裏面にＡｕ電極１
１を形成し、図１のドライエッチング領域１２を塩素系
ガスを用いたリアクティブイオンエッチングによりエッ
チングした。これによりドライエッチング領域１２の境
界線に活性層に垂直な面１３ができる。低出力のレーザ
となる領域ではレーザのストライプ幅は約５μｍであ
り、境界線はレーザストライプと直交しておりこの面か
らの反射によりレーザ共振器が形成される。光増幅器と
なる領域ではストライプの幅は約３００μｍであり、ス
トライプと境界線は１０度以上の角度をもって交差して
おり光増幅器からレーザへの反射光を防止している。
１を形成し、図１のドライエッチング領域１２を塩素系
ガスを用いたリアクティブイオンエッチングによりエッ
チングした。これによりドライエッチング領域１２の境
界線に活性層に垂直な面１３ができる。低出力のレーザ
となる領域ではレーザのストライプ幅は約５μｍであ
り、境界線はレーザストライプと直交しておりこの面か
らの反射によりレーザ共振器が形成される。光増幅器と
なる領域ではストライプの幅は約３００μｍであり、ス
トライプと境界線は１０度以上の角度をもって交差して
おり光増幅器からレーザへの反射光を防止している。
【０００８】このようにして形成した半導体レーザを短
パルス供給のための集積回路電源とともに約３０mm角の
パッケージに組立て、光増幅器部分に約５００ｍＡの直
流電流を流しながら、低出力レーザに集積回路電源から
供給される幅１０ｎｓ，波高値２００ｍＡの電流を流す
と光増幅器の増幅作用及びＱスイッチ現象により幅１０
ｎｓ，波高値４０Ｗのレーザ光が得られた。
パルス供給のための集積回路電源とともに約３０mm角の
パッケージに組立て、光増幅器部分に約５００ｍＡの直
流電流を流しながら、低出力レーザに集積回路電源から
供給される幅１０ｎｓ，波高値２００ｍＡの電流を流す
と光増幅器の増幅作用及びＱスイッチ現象により幅１０
ｎｓ，波高値４０Ｗのレーザ光が得られた。
【０００９】（実施例２）本発明の第二の実施例を図２
に従い説明する。本構造ではまずｎ−ＧａＡｓ基板１上
にｎ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓクラッド層２，多重量子井戸
活性層３，ｐ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓクラッド層４，ｐ−
ＧａＡｓコンタクト層５を、順次、結晶成長した。多重
量子井戸活性層３はＡｌ0.1Ｇａ0.9Ａｓウエル層３層６
とＡｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓバリア層４層７からなっている。
次に、気相化学堆積法およびホトリソグラフ技術を用い
てＳｉＯ2 マスク及びホトレジストマスクを形成する。
単一モードレーザを形成する領域ではＳｉＯ2 ホトレジ
ストとも幅約５μｍのストライプ形状であり、増幅器と
なる領域ではＳｉＯ2 は幅３００μｍ曲率半径６００μ
ｍのレンズ状ＳｉＯ2１４ となっており、ホトレジスト
マスクは幅３００μｍのストライプ状形状になってい
る。次に、ホトレジストをマスクとして、ｐ−ＧａＡｓ
コンタクト層５及びｐ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓクラッド層
４の一部をエッチングし、さらにｐ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａ
ｓクラッド層５上に有機金属気相成長法によりｎ−Ｇａ
Ａｓブロック層８をＳｉＯ2 膜のない領域に選択的に成
長した。素子の直列抵抗低減のため、ＳｉＯ2 膜を除去
した後、ｐ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓ埋込層９及びｐ−Ｇａ
Ａｓキャップ層１０を形成した。
に従い説明する。本構造ではまずｎ−ＧａＡｓ基板１上
にｎ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓクラッド層２，多重量子井戸
活性層３，ｐ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓクラッド層４，ｐ−
ＧａＡｓコンタクト層５を、順次、結晶成長した。多重
量子井戸活性層３はＡｌ0.1Ｇａ0.9Ａｓウエル層３層６
とＡｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓバリア層４層７からなっている。
次に、気相化学堆積法およびホトリソグラフ技術を用い
てＳｉＯ2 マスク及びホトレジストマスクを形成する。
単一モードレーザを形成する領域ではＳｉＯ2 ホトレジ
ストとも幅約５μｍのストライプ形状であり、増幅器と
なる領域ではＳｉＯ2 は幅３００μｍ曲率半径６００μ
ｍのレンズ状ＳｉＯ2１４ となっており、ホトレジスト
マスクは幅３００μｍのストライプ状形状になってい
る。次に、ホトレジストをマスクとして、ｐ−ＧａＡｓ
コンタクト層５及びｐ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓクラッド層
４の一部をエッチングし、さらにｐ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａ
ｓクラッド層５上に有機金属気相成長法によりｎ−Ｇａ
Ａｓブロック層８をＳｉＯ2 膜のない領域に選択的に成
長した。素子の直列抵抗低減のため、ＳｉＯ2 膜を除去
した後、ｐ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓ埋込層９及びｐ−Ｇａ
Ａｓキャップ層１０を形成した。
【００１０】次に、ウエハの表面及び裏面にＡｕ電極１
１を形成し、図２のドライエッチング領域１２を塩素系
ガスを用いたリアクティブイオンエッチングによりエッ
チングした。これによりドライエッチング領域１２の境
界線に活性層に垂直な面１３ができる。低出力のレーザ
となる領域では境界線はレーザストライプと直交してお
りこの面からの反射によりレーザ共振器が形成される。
光増幅器となる領域ではストライプと境界線は１０度以
上の角度をもって交差しており光増幅器からレーザへの
反射光を防止している。以上のようにして形成した半導
体レーザを単パルス供給のための集積回路電源とともに
約３０mm角のパッケージに組立て、光増幅器部分に約５
００ｍＡの直流電流を流しながら、低出力レーザに集積
回路電源から供給される幅１０ｎｓ，波高値２００ｍＡ
の電流を流すと光増幅器の増幅作用及びＱスイッチ現象
により幅１０ｎｓ，波高値４０Ｗのレーザ光が得られ
た。
１を形成し、図２のドライエッチング領域１２を塩素系
ガスを用いたリアクティブイオンエッチングによりエッ
チングした。これによりドライエッチング領域１２の境
界線に活性層に垂直な面１３ができる。低出力のレーザ
となる領域では境界線はレーザストライプと直交してお
りこの面からの反射によりレーザ共振器が形成される。
光増幅器となる領域ではストライプと境界線は１０度以
上の角度をもって交差しており光増幅器からレーザへの
反射光を防止している。以上のようにして形成した半導
体レーザを単パルス供給のための集積回路電源とともに
約３０mm角のパッケージに組立て、光増幅器部分に約５
００ｍＡの直流電流を流しながら、低出力レーザに集積
回路電源から供給される幅１０ｎｓ，波高値２００ｍＡ
の電流を流すと光増幅器の増幅作用及びＱスイッチ現象
により幅１０ｎｓ，波高値４０Ｗのレーザ光が得られ
た。
【００１１】（実施例３）本発明の第三の実施例を図３
に従い説明する。実施例１，２では、レーザ部と増幅部
を一体構成としているが、上記両者は別々の部品であっ
てもよい。例えばまずｎ−ＧａＡｓ基板１上にｎ−Ａｌ
0.5Ｇａ0.5Ａｓクラッド層２，多重量子井戸活性層３，
ｐ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓクラッド層４，ｐ−ＧａＡｓコ
ンタクト層５を、順次、結晶成長した。多重量子井戸活
性層３はＡｌ0.1Ｇａ0.9Ａｓウエル層３層６とＡｌ0.3
Ｇａ0.7Ａｓバリア層４層７からなっている。つぎに、
気相化学堆積法およびホトリソグラフ技術を用いてｐ−
ＧａＡｓコンタクト層５及びｐ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓク
ラッド層４の一部をエッチングした後、有機金属気相成
長法によりｎ−ＧａＡｓブロック層８をＳｉＯ2 膜のな
い領域に選択的に成長した。素子の直列抵抗低減のた
め、ＳｉＯ2膜を除去した後、ｐ−Ａl0.5Ｇa0.5Ａs埋込
層９及びｐ−ＧａＡｓキャップ層１０を形成した。次
に、ウエハの表面及び裏面にＡｕ電極１１を形成し、単
一モードレーザ１５は長さ約３００μｍに、光増幅器１
６は長さ約１mmにへき開した。単一波長レーザ１５はこ
のような構造の半導体レーザのストライプ幅を５μｍ程
度とすることにより得られ、光増幅器１６はストライプ
幅を３００μｍとした。
に従い説明する。実施例１，２では、レーザ部と増幅部
を一体構成としているが、上記両者は別々の部品であっ
てもよい。例えばまずｎ−ＧａＡｓ基板１上にｎ−Ａｌ
0.5Ｇａ0.5Ａｓクラッド層２，多重量子井戸活性層３，
ｐ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓクラッド層４，ｐ−ＧａＡｓコ
ンタクト層５を、順次、結晶成長した。多重量子井戸活
性層３はＡｌ0.1Ｇａ0.9Ａｓウエル層３層６とＡｌ0.3
Ｇａ0.7Ａｓバリア層４層７からなっている。つぎに、
気相化学堆積法およびホトリソグラフ技術を用いてｐ−
ＧａＡｓコンタクト層５及びｐ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓク
ラッド層４の一部をエッチングした後、有機金属気相成
長法によりｎ−ＧａＡｓブロック層８をＳｉＯ2 膜のな
い領域に選択的に成長した。素子の直列抵抗低減のた
め、ＳｉＯ2膜を除去した後、ｐ−Ａl0.5Ｇa0.5Ａs埋込
層９及びｐ−ＧａＡｓキャップ層１０を形成した。次
に、ウエハの表面及び裏面にＡｕ電極１１を形成し、単
一モードレーザ１５は長さ約３００μｍに、光増幅器１
６は長さ約１mmにへき開した。単一波長レーザ１５はこ
のような構造の半導体レーザのストライプ幅を５μｍ程
度とすることにより得られ、光増幅器１６はストライプ
幅を３００μｍとした。
【００１２】両者を図３に示すような配置に組み立て、
光増幅器の両端面にＳｉ3Ｎ4／ＳｉＯ2 無反射コーティ
ングを行い、直流で約５００ｍＡの電流を流した状態で
単一モードレーザにより得られた幅１０ｎｓ，波高値５
０ｍＷの光を導入した。光増幅器の増幅作用及びＱスイ
ッチ現象により幅１０ｎｓ，波高値４０Ｗのレーザ光が
得られた。図３に示すように、本レーザ光を広がり角約
２０度で測定対象物体１７に照射したところ、被写体よ
り約４ｍＷの反射光が被写体とレーザ光源の距離に対応
した時間遅れを持って光増幅器に入射した。この戻り光
により光増幅機の両端に印加される電圧に揺らぎが生じ
るので放射パルスと戻り光による電圧の揺らぎの時間間
隔を測定することによりレーザから被写体までの距離を
測定することができる。
光増幅器の両端面にＳｉ3Ｎ4／ＳｉＯ2 無反射コーティ
ングを行い、直流で約５００ｍＡの電流を流した状態で
単一モードレーザにより得られた幅１０ｎｓ，波高値５
０ｍＷの光を導入した。光増幅器の増幅作用及びＱスイ
ッチ現象により幅１０ｎｓ，波高値４０Ｗのレーザ光が
得られた。図３に示すように、本レーザ光を広がり角約
２０度で測定対象物体１７に照射したところ、被写体よ
り約４ｍＷの反射光が被写体とレーザ光源の距離に対応
した時間遅れを持って光増幅器に入射した。この戻り光
により光増幅機の両端に印加される電圧に揺らぎが生じ
るので放射パルスと戻り光による電圧の揺らぎの時間間
隔を測定することによりレーザから被写体までの距離を
測定することができる。
【００１３】
【発明の効果】本発明によれば従来特殊な電源と大きな
装置サイズを必要としたレーザ距離測定措置が３cm角程
度の小型のサイズで実現できる。
装置サイズを必要としたレーザ距離測定措置が３cm角程
度の小型のサイズで実現できる。
【図１】本発明の第一の実施例の距離計測装置の斜視
図。
図。
【図２】本発明の第二の実施例の距離計測装置の斜視
図。
図。
【図３】本発明の第三の実施例の距離計測装置の説明
図。
図。
【図４】従来の距離計測装置の説明図。
１…ｎ−ＧａＡｓ基板、２…ｎ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓク
ラッド層、３…多重量子井戸活性層、４…ｐ−Ａｌ0.5
Ｇａ0.5Ａｓクラッド層、５…ｐ−ＧａＡｓコンタクト
層、６…Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ａｓウエル層、７…Ａｌ0.3Ｇ
ａ0.7Ａｓバリア層、８…ｎ−ＧａＡｓブロック層、９
…ｐ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓ埋込層、１０…ｐ−ＧａＡｓ
キャップ層、１１…Ａｕ電極、１２…ドライエッチング
領域、１３…活性層に垂直な面。
ラッド層、３…多重量子井戸活性層、４…ｐ−Ａｌ0.5
Ｇａ0.5Ａｓクラッド層、５…ｐ−ＧａＡｓコンタクト
層、６…Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ａｓウエル層、７…Ａｌ0.3Ｇ
ａ0.7Ａｓバリア層、８…ｎ−ＧａＡｓブロック層、９
…ｐ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓ埋込層、１０…ｐ−ＧａＡｓ
キャップ層、１１…Ａｕ電極、１２…ドライエッチング
領域、１３…活性層に垂直な面。
Claims (3)
- 【請求項１】レーザ光を放射する第一の光源と、前記第
一の光源より放射されたレーザ光を増幅するための第二
の光源を有し、前記第一のレーザ光源の出力を変調し、
第二の光源により増幅することにより測定に必要な高出
力パルス光を得ることを特徴とする距離及び速度計測装
置。 - 【請求項２】導電型の異なる半導体により形成され、通
電による利得を発生することにより外部より入射したレ
ーザ光を増幅する機能を有する半導体素子であって、前
記半導体素子の一部にレンズ機能を有する距離及び速度
計測装置。 - 【請求項３】請求項１または２において、前記レーザ光
源の定電圧駆動に対する電流の応答をモニタすることに
よりこの素子を受光器としても使用する距離及び速度計
測装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5164412A JPH0720242A (ja) | 1993-07-02 | 1993-07-02 | 距離及び速度計測装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5164412A JPH0720242A (ja) | 1993-07-02 | 1993-07-02 | 距離及び速度計測装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0720242A true JPH0720242A (ja) | 1995-01-24 |
Family
ID=15792656
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5164412A Pending JPH0720242A (ja) | 1993-07-02 | 1993-07-02 | 距離及び速度計測装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0720242A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017009939A1 (ja) * | 2015-07-13 | 2017-01-19 | 三菱電機株式会社 | レーザレーダ装置 |
-
1993
- 1993-07-02 JP JP5164412A patent/JPH0720242A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017009939A1 (ja) * | 2015-07-13 | 2017-01-19 | 三菱電機株式会社 | レーザレーダ装置 |
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