JPH07202264A - 発光ダイオード - Google Patents
発光ダイオードInfo
- Publication number
- JPH07202264A JPH07202264A JP35471493A JP35471493A JPH07202264A JP H07202264 A JPH07202264 A JP H07202264A JP 35471493 A JP35471493 A JP 35471493A JP 35471493 A JP35471493 A JP 35471493A JP H07202264 A JPH07202264 A JP H07202264A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 導体の電流の拡散を増加して発光効率が高
く、また、ＧａＰとＧａＡｓの良好な界面により、生産
効率が高い発光ダイオードを提供する。 【構成】 第１導電性の半導体を基板とし、ＡｌＧａＩ
ｎＰのダブルヘテロ体と第２導電性の二層からなる半導
体のウインド層構造を有し、上記ダブルヘテロ体は、一
層の第１導電性のＡｌＧａＩｎＰ、一層の中性のＡｌＧ
ａＩｎＰ及び、一層の第１導電性のＡｌＧａＩｎＰによ
り共同組成し、各層のＡｌＧａＩｎＰは、ＯＭＶＰＥの
技術を用いて、基板上に堆積する。また、ウインド層の
部分は、一層のＧａＡｓと一層のＧａＰで組成し、まず
第１ウインド層のＧａＡｓ層のＯＭＶＰＥ技術でＡｌＧ
ａＩｎＰダブルヘテロ構造上に堆積し、第２ウインド層
のＧａＰ層を、ＯＭＶＰＥ或いはＶＰＥ技術で、第１ウ
インド層上に堆積する。
く、また、ＧａＰとＧａＡｓの良好な界面により、生産
効率が高い発光ダイオードを提供する。 【構成】 第１導電性の半導体を基板とし、ＡｌＧａＩ
ｎＰのダブルヘテロ体と第２導電性の二層からなる半導
体のウインド層構造を有し、上記ダブルヘテロ体は、一
層の第１導電性のＡｌＧａＩｎＰ、一層の中性のＡｌＧ
ａＩｎＰ及び、一層の第１導電性のＡｌＧａＩｎＰによ
り共同組成し、各層のＡｌＧａＩｎＰは、ＯＭＶＰＥの
技術を用いて、基板上に堆積する。また、ウインド層の
部分は、一層のＧａＡｓと一層のＧａＰで組成し、まず
第１ウインド層のＧａＡｓ層のＯＭＶＰＥ技術でＡｌＧ
ａＩｎＰダブルヘテロ構造上に堆積し、第２ウインド層
のＧａＰ層を、ＯＭＶＰＥ或いはＶＰＥ技術で、第１ウ
インド層上に堆積する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、一種の発光ダイオード
に関し、特に、アルミニウムガリウムインジウムリンの
ダブルヘテロ構造（ｄｏｕｂｌｅ ｈｅｔｅｒｏｓｔｒ
ｕｃｔｕｒｅＡｌＧａＩｎＰ）を含む、発光ダイオード
に関する。
に関し、特に、アルミニウムガリウムインジウムリンの
ダブルヘテロ構造（ｄｏｕｂｌｅ ｈｅｔｅｒｏｓｔｒ
ｕｃｔｕｒｅＡｌＧａＩｎＰ）を含む、発光ダイオード
に関する。
【０００２】
【従来の技術】アルミニウムガリウムインジウムリン
（ＡｌＧａＩｎＰ）のダブルヘテロ構造を有する発光ダ
イオードの研究が近年進んでいるが、典型的なアルミニ
ウムガリウムインジウムリン素子は、ｎ型（ｎ−ｔｙｐ
ｅ）のＧａＡｓ基板を有し、その基板上に数層の半導体
を堆積、形成させるものである。これは、まず一層の制
限層（ｃｏｎｆｉｎｉｎｇ ｌａｙｅｒ）であるｎ型の
ＡｌＧａＩｎＰを基板上に堆積させ、その後、一層の中
性のＡｌＧａＩｎＰ能動層（ａｃｔｉｖｅ ｌａｙｅ
ｒ）を上記制限層上に形成し、さらに一層のｐ型（ｐ−
ｔｙｐｅ）のＡｌＧａＩｎＰ能動層を堆積させる。
（ＡｌＧａＩｎＰ）のダブルヘテロ構造を有する発光ダ
イオードの研究が近年進んでいるが、典型的なアルミニ
ウムガリウムインジウムリン素子は、ｎ型（ｎ−ｔｙｐ
ｅ）のＧａＡｓ基板を有し、その基板上に数層の半導体
を堆積、形成させるものである。これは、まず一層の制
限層（ｃｏｎｆｉｎｉｎｇ ｌａｙｅｒ）であるｎ型の
ＡｌＧａＩｎＰを基板上に堆積させ、その後、一層の中
性のＡｌＧａＩｎＰ能動層（ａｃｔｉｖｅ ｌａｙｅ
ｒ）を上記制限層上に形成し、さらに一層のｐ型（ｐ−
ｔｙｐｅ）のＡｌＧａＩｎＰ能動層を堆積させる。
【０００３】このようなダイオードの発光効率は、電流
拡散状況により決定されるが、上層のｐ型ＡｌＧａＩｎ
Ｐの抵抗が高いため、電流の拡散は一般に小さい。しか
し、上層の制限層の厚さを増し、電流を拡散させるため
には、さらに厚いＡｌＧａＩｎＰ層を堆積させる必要が
あり、これは技術的に非常に難しかった。
拡散状況により決定されるが、上層のｐ型ＡｌＧａＩｎ
Ｐの抵抗が高いため、電流の拡散は一般に小さい。しか
し、上層の制限層の厚さを増し、電流を拡散させるため
には、さらに厚いＡｌＧａＩｎＰ層を堆積させる必要が
あり、これは技術的に非常に難しかった。
【０００４】これまでにＡｌＧａＩｎＰのダブルヘテロ
構造の改良方法が研究されているが、その中には、上層
のｐ型ＡｌＧａＩｎＰ上に一層の高ポテンシャル（ｈｉ
ｇｈｂａｎｄ ｇａｐ）と高導電性のガリウムアルミニ
ウムヒ素（ＧａＡｌＡｓ）のような材料で、各種形状及
び構造の電流ブロック層（ｃｕｒｒｅｎｔ ｂｌｏｃｋ
ｉｎｇ ｌａｙｅｒ）を形成し、これにより電流の密度
を増すものがある。この技術は波長の比較的長い赤光及
びオレンジ光に適用し、波長の短い、黄光、及び緑光に
は適用することが難しい。
構造の改良方法が研究されているが、その中には、上層
のｐ型ＡｌＧａＩｎＰ上に一層の高ポテンシャル（ｈｉ
ｇｈｂａｎｄ ｇａｐ）と高導電性のガリウムアルミニ
ウムヒ素（ＧａＡｌＡｓ）のような材料で、各種形状及
び構造の電流ブロック層（ｃｕｒｒｅｎｔ ｂｌｏｃｋ
ｉｎｇ ｌａｙｅｒ）を形成し、これにより電流の密度
を増すものがある。この技術は波長の比較的長い赤光及
びオレンジ光に適用し、波長の短い、黄光、及び緑光に
は適用することが難しい。
【０００５】さらに、もう一つの技術として、結晶構造
で、相似でないガリウムリン（ＧａＰ）を上層のＡｌＧ
ａＩｎＰ軽減層上に堆積させるものがある。これは、結
晶体の構造が非相似であるために、ＧａＰとＡｌＧａＩ
ｎＰの界面に断属および欠陥が発生しやすい。よって、
一定の厚さと高い品質のＧａＰウインド層（ｗｉｎｄｏ
ｗ ｌａｙｅｒ）を堆積させることは簡単ではなく、こ
の技術によるダイオードは、長期の使用における信頼性
と安定性で不安があった。
で、相似でないガリウムリン（ＧａＰ）を上層のＡｌＧ
ａＩｎＰ軽減層上に堆積させるものがある。これは、結
晶体の構造が非相似であるために、ＧａＰとＡｌＧａＩ
ｎＰの界面に断属および欠陥が発生しやすい。よって、
一定の厚さと高い品質のＧａＰウインド層（ｗｉｎｄｏ
ｗ ｌａｙｅｒ）を堆積させることは簡単ではなく、こ
の技術によるダイオードは、長期の使用における信頼性
と安定性で不安があった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】導体の電流の拡散を増
加し、ダイオードの発光効率を高めることができ、ま
た、ＧａＰとＧａＡｓの良好な界面により、生産効率を
高めることができる発光ダイオードを提供する。
加し、ダイオードの発光効率を高めることができ、ま
た、ＧａＰとＧａＡｓの良好な界面により、生産効率を
高めることができる発光ダイオードを提供する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は一種の高効率の
発光ダイオードを提供するものである。本発明は、従来
のダブルヘテロ体ＡｌＧａＩｎＰをｎ型ＧａＡｓ基板上
に堆積させ、さらに２層からなるウインド層（ｄｏｕｂ
ｌｅ ｌａｙｅｒ ｗｉｎｄｏｗ）を堆積させるもので
ある。上記ダブルヘテロ体ＡｌＧａＩｎＰは、一層のｎ
型ＡｌＧａＩｎＰ下制限層と、中性の中性のＡｌＧａＩ
ｎＰ能動層と、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ上制限層からなる。
また、上記ウインド層は、一層の非常に薄いＧａＡｓ層
と、一層のＧａＰ層からなる。
発光ダイオードを提供するものである。本発明は、従来
のダブルヘテロ体ＡｌＧａＩｎＰをｎ型ＧａＡｓ基板上
に堆積させ、さらに２層からなるウインド層（ｄｏｕｂ
ｌｅ ｌａｙｅｒ ｗｉｎｄｏｗ）を堆積させるもので
ある。上記ダブルヘテロ体ＡｌＧａＩｎＰは、一層のｎ
型ＡｌＧａＩｎＰ下制限層と、中性の中性のＡｌＧａＩ
ｎＰ能動層と、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ上制限層からなる。
また、上記ウインド層は、一層の非常に薄いＧａＡｓ層
と、一層のＧａＰ層からなる。
【０００８】
【作用】本発明のウインド層の第１層である上記ＧａＡ
ｓ層は、ＡｌＧａＩｎＰと同じ格子係数を有し、故に容
易に堆積する。よって、ウインド層の第２層であるＧａ
Ｐ層も、第１層上に良好に堆積をし、良い品質を得るこ
とができる。ＧａＡｓは、一種の不透明な材料であり、
そのポテンシャルはＡｌＧａＩｎＰ動作層のポテンシャ
ルより低く、その導電性は極めて高い。また、ＧａＰは
一種の透明な材料であり、ＡｌＧａＩｎＰ動作層のポテ
ンシャルよりも大きなポテンシャルを有する。ウインド
層第１層のＧａＡｓ層を設けることで、ウインド層の界
面品質が高まるばかりでなく、ダイオード電流の拡散を
強めることができる。また製品の導電性が高まり、ウイ
ンド層構造の厚さを薄くすることもできる。
ｓ層は、ＡｌＧａＩｎＰと同じ格子係数を有し、故に容
易に堆積する。よって、ウインド層の第２層であるＧａ
Ｐ層も、第１層上に良好に堆積をし、良い品質を得るこ
とができる。ＧａＡｓは、一種の不透明な材料であり、
そのポテンシャルはＡｌＧａＩｎＰ動作層のポテンシャ
ルより低く、その導電性は極めて高い。また、ＧａＰは
一種の透明な材料であり、ＡｌＧａＩｎＰ動作層のポテ
ンシャルよりも大きなポテンシャルを有する。ウインド
層第１層のＧａＡｓ層を設けることで、ウインド層の界
面品質が高まるばかりでなく、ダイオード電流の拡散を
強めることができる。また製品の導電性が高まり、ウイ
ンド層構造の厚さを薄くすることもできる。
【０００９】
【実施例】実施例については図を参照して説明する。な
お、本明細書で使用する材料の和訳は、以下の通りであ
る。ＧａＡｓ（ガリウムヒ素）、ＧａＰ（ガリウムリ
ン）、ＡｌＧａＩｎＰ（アルミニウムガリウムインジウ
ムリン）、ＧａＡｌＡｓ（ガリウムアルミニウムヒ
素）。図１の断面図に示されるように、本発明の発光ダ
イオードは、ｎ型のＧａＡｓ半導体材料を基板（７）と
する。この基板（７）の厚さは、約２５０〜３００μｍ
とし、このＧａＡｓの基板（７）上にＯＭＶＰＥの技術
を用いて、ｎ型のＡｌＧａＩｎＰ下制限層（６）を堆積
する。このＡｌＧａＩｎＰ下制限層（６）の厚さは、約
０．１〜２μｍとする。このＡｌＧａＩｎＰ下制限層
（６）上に、同じ技術を用いて一層の中性のＡｌＧａＩ
ｎＰ能動層（５）を堆積し、その後、さらに一層のｐ型
ＡｌＧａＩｎＰ上制限層（４）を堆積する。この中性の
ＡｌＧａＩｎＰ能動層（５）と、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ上
制限層（４）の厚さは、いずれも約０．１〜２μｍとす
る。
お、本明細書で使用する材料の和訳は、以下の通りであ
る。ＧａＡｓ（ガリウムヒ素）、ＧａＰ（ガリウムリ
ン）、ＡｌＧａＩｎＰ（アルミニウムガリウムインジウ
ムリン）、ＧａＡｌＡｓ（ガリウムアルミニウムヒ
素）。図１の断面図に示されるように、本発明の発光ダ
イオードは、ｎ型のＧａＡｓ半導体材料を基板（７）と
する。この基板（７）の厚さは、約２５０〜３００μｍ
とし、このＧａＡｓの基板（７）上にＯＭＶＰＥの技術
を用いて、ｎ型のＡｌＧａＩｎＰ下制限層（６）を堆積
する。このＡｌＧａＩｎＰ下制限層（６）の厚さは、約
０．１〜２μｍとする。このＡｌＧａＩｎＰ下制限層
（６）上に、同じ技術を用いて一層の中性のＡｌＧａＩ
ｎＰ能動層（５）を堆積し、その後、さらに一層のｐ型
ＡｌＧａＩｎＰ上制限層（４）を堆積する。この中性の
ＡｌＧａＩｎＰ能動層（５）と、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ上
制限層（４）の厚さは、いずれも約０．１〜２μｍとす
る。
【００１０】本発明中では、ウインド層構造を形成する
に際し、まず、上記ＡｌＧａＩｎＰ能動層（５）の材料
と結晶構造が相似で、かつポテンシャルの小さい、例え
ばＧａＡｓ等で、第１ウインド層（３）を、ＡｌＧａＩ
ｎＰダブルヘテロ構造の上層の上記ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ
上制限層（４）上に堆積する。この第１ウインド層
（３）は不透明で、比較的薄く堆積し、その厚さは一般
に約０．０１〜０．１μｍとし、これもＯＭＶＰＥの技
術を用いて堆積する。
に際し、まず、上記ＡｌＧａＩｎＰ能動層（５）の材料
と結晶構造が相似で、かつポテンシャルの小さい、例え
ばＧａＡｓ等で、第１ウインド層（３）を、ＡｌＧａＩ
ｎＰダブルヘテロ構造の上層の上記ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ
上制限層（４）上に堆積する。この第１ウインド層
（３）は不透明で、比較的薄く堆積し、その厚さは一般
に約０．０１〜０．１μｍとし、これもＯＭＶＰＥの技
術を用いて堆積する。
【００１１】さらに、第２ウインド層（２）を、ＶＰＥ
あるいはＯＭＶＰＥの技術を用いて直接第１ウインド層
（３）上に堆積する。この第２ウインド層（２）は、ｐ
型で、且つ能動層の材料よりポテンシャルの高い材料、
例えばＧａＰを用いる。また透明材料を用い、その厚さ
は、５〜１５μｍとする。
あるいはＯＭＶＰＥの技術を用いて直接第１ウインド層
（３）上に堆積する。この第２ウインド層（２）は、ｐ
型で、且つ能動層の材料よりポテンシャルの高い材料、
例えばＧａＰを用いる。また透明材料を用い、その厚さ
は、５〜１５μｍとする。
【００１２】最後に、ダイオードの負電極層（８）を蒸
着方法で、ＧａＡｓの基板（７）の背面に蒸着し、正の
電極層（１）を第２ウインド層（２）の上面に蒸着す
る。以上の半導体製作過程を終えると、結晶片を立方体
の結晶粒にカットし、本発明の発光ダイオードとする。
着方法で、ＧａＡｓの基板（７）の背面に蒸着し、正の
電極層（１）を第２ウインド層（２）の上面に蒸着す
る。以上の半導体製作過程を終えると、結晶片を立方体
の結晶粒にカットし、本発明の発光ダイオードとする。
【００１３】以上により、完成された本発明は、第１ウ
インド層であるＧａＡｓを介入させることで、導体の電
流の拡散を増加し、ダイオードの発光効率を高めること
ができる。また、ＧａＰとＧａＡｓの良好な界面によ
り、ダイオードの生産効率も高まる。
インド層であるＧａＡｓを介入させることで、導体の電
流の拡散を増加し、ダイオードの発光効率を高めること
ができる。また、ＧａＰとＧａＡｓの良好な界面によ
り、ダイオードの生産効率も高まる。
【００１４】
【発明の効果】伝統的なダブルヘテロ構造のＡｌＧａＩ
ｎＰ発光ダイオードは、ＡｌＧａＩｎＰ層上に直接一層
の結晶構造の異なるＧａＰウインド層を堆積する必要が
あった。但しこれは堆積が難しく、傷が生じやすく、甚
だしく能動層の構造に影響を与えた。本発明では、一層
の薄いＧａＡｓ層を堆積し、これを第１ウインド層とす
る。このＧａＡｓ層の結晶構造はＡｌＧａＩｎＰに類似
しているため、制御成分により密着させることができ
る。その後、本発明では第２ウインド層であるＧａＰ層
をＧａＡｓ層上に容易に堆積することができる。かつ良
好な界面を有するため、本発明の製造方法は、生産効率
を大きく高めることができる。また、第１ウインド層の
ＧａＡｓ層は、低ポテンシャルであり、またＡｌＧａＩ
ｎＰ及びＧａＰの導電性より高い導電性を有するため
に、ウインド層全体の構造における抵抗は低くなり、ダ
イオードの順方向電圧は低くなり、電流の拡散は増強さ
れる。このために、発光効率を高めることができる。こ
の他、ウインド層構造の抵抗が低くなり、その厚さはそ
れに相対的に薄くなり、生産に有利である。
ｎＰ発光ダイオードは、ＡｌＧａＩｎＰ層上に直接一層
の結晶構造の異なるＧａＰウインド層を堆積する必要が
あった。但しこれは堆積が難しく、傷が生じやすく、甚
だしく能動層の構造に影響を与えた。本発明では、一層
の薄いＧａＡｓ層を堆積し、これを第１ウインド層とす
る。このＧａＡｓ層の結晶構造はＡｌＧａＩｎＰに類似
しているため、制御成分により密着させることができ
る。その後、本発明では第２ウインド層であるＧａＰ層
をＧａＡｓ層上に容易に堆積することができる。かつ良
好な界面を有するため、本発明の製造方法は、生産効率
を大きく高めることができる。また、第１ウインド層の
ＧａＡｓ層は、低ポテンシャルであり、またＡｌＧａＩ
ｎＰ及びＧａＰの導電性より高い導電性を有するため
に、ウインド層全体の構造における抵抗は低くなり、ダ
イオードの順方向電圧は低くなり、電流の拡散は増強さ
れる。このために、発光効率を高めることができる。こ
の他、ウインド層構造の抵抗が低くなり、その厚さはそ
れに相対的に薄くなり、生産に有利である。
【００１５】以上述べてきたように、本発明の発光ダイ
オードは、産業場の利用価値を有し、かつ新規性を有す
るものである。
オードは、産業場の利用価値を有し、かつ新規性を有す
るものである。
【図１】本発明の発光ダイオードの断面構造図である。
（１）正の電極層 （２）第２ウインド層（ｐ型ガリウムリン） （３）第１ウインド層（ｐ型ガリウムヒ素） （４）ＡｌＧａＩｎＰ上制限層（ｐ型アルミニウムガリ
ウムインジウムリン） （５）中性ＡｌＧａＩｎＰ能動層（中性アルミニウムガ
リウムインジウムリン） （６）ＡｌＧａＩｎＰ下制限層（ｎ型アルミニウムガリ
ウムインジウムリン） （７）基板（ｎ型ガリウムヒ素） （８）負の電極層
ウムインジウムリン） （５）中性ＡｌＧａＩｎＰ能動層（中性アルミニウムガ
リウムインジウムリン） （６）ＡｌＧａＩｎＰ下制限層（ｎ型アルミニウムガリ
ウムインジウムリン） （７）基板（ｎ型ガリウムヒ素） （８）負の電極層
Claims (4)
- 【請求項１】 第１層である導電性の半導体基板と、こ
の基板の一部表面に形成した一つの電極と、基板上に形
成する第１導電性のＡｌＧａＩｎＰ下制限層と、この下
制限層上に形成する一層の中性（ｕｎｄｏｐｅｄ）のＡ
ｌＧａＩｎＰ能動層と、この能動層上に形成する第２導
電性のＡｌＧａＩｎＰ上制限層と、一つの、第１及び第
２ウインド層の２層からなるウインド層構造であり、そ
の第１ウインド層は上制限層の上に形成し、その材料は
第２導電性を有し、かつそのポテンシャルは能動層より
小さく、第２ウインド層は、第１ウインド層上に形成
し、その材料は第２導電性を有し、かつポテンシャルは
能動層より大きいものと、第２ウインド層上に形成する
もう一つの電極と、から構成し、第１ウインド層の低ポ
テンシャル及び高導電性により電流の拡散を増強し、発
光効率を高めた、発光ダイオード。 - 【請求項２】 前記第１ウインド層の材料はＧａＡｓと
する、請求項１に記載の発光ダイオード。 - 【請求項３】 前記第１層の材料は、ＧａＡｓとする、
請求項１に記載の発光ダイオード。 - 【請求項４】 前記第２ウインド層の材料はＧａＰとす
る、請求項１に記載の発光ダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35471493A JPH07123171B2 (ja) | 1993-12-22 | 1993-12-22 | 発光ダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35471493A JPH07123171B2 (ja) | 1993-12-22 | 1993-12-22 | 発光ダイオード |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07202264A true JPH07202264A (ja) | 1995-08-04 |
| JPH07123171B2 JPH07123171B2 (ja) | 1995-12-25 |
Family
ID=18439414
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35471493A Expired - Fee Related JPH07123171B2 (ja) | 1993-12-22 | 1993-12-22 | 発光ダイオード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07123171B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105702822A (zh) * | 2016-03-30 | 2016-06-22 | 扬州乾照光电有限公司 | 一种砷化镓基高电压黄绿光发光二极管芯片及其制作方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04229665A (ja) * | 1990-08-20 | 1992-08-19 | Toshiba Corp | 半導体発光装置 |
| JPH05167101A (ja) * | 1991-12-12 | 1993-07-02 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
-
1993
- 1993-12-22 JP JP35471493A patent/JPH07123171B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04229665A (ja) * | 1990-08-20 | 1992-08-19 | Toshiba Corp | 半導体発光装置 |
| JPH05167101A (ja) * | 1991-12-12 | 1993-07-02 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105702822A (zh) * | 2016-03-30 | 2016-06-22 | 扬州乾照光电有限公司 | 一种砷化镓基高电压黄绿光发光二极管芯片及其制作方法 |
| CN105702822B (zh) * | 2016-03-30 | 2017-11-28 | 扬州乾照光电有限公司 | 一种砷化镓基高电压黄绿光发光二极管芯片及其制作方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07123171B2 (ja) | 1995-12-25 |
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