JPH0720145A - 半導体加速度センサの製造方法 - Google Patents
半導体加速度センサの製造方法Info
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- JPH0720145A JPH0720145A JP16095093A JP16095093A JPH0720145A JP H0720145 A JPH0720145 A JP H0720145A JP 16095093 A JP16095093 A JP 16095093A JP 16095093 A JP16095093 A JP 16095093A JP H0720145 A JPH0720145 A JP H0720145A
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- glass
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- semiconductor acceleration
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 シリコンセンサチップのシリコンマス部の中
心とガラスマス部の重心の位置ずれを生じることなく、
歩留りを高めることができ、かつ生産性に優れた半導体
加速度センサの製造方法を得る。 【構成】 シリコンセンサチップのユニットを複数有す
るマザーのシリコンセンサチップ５０に、ガラスマス部
の周囲に連結部４４を介してガラスリム部を一体化した
ユニットを複数有するマザーのガラス基板４０を接着し
た後、ガラス基板４０の連結部４４を切断しガラスマス
部とガラスリム部を分離し、次にマザのシリコン台座６
０をガラスリム部の下端面に接着した後、個々の半導体
加速度センサのユニットに切断し分離する。
心とガラスマス部の重心の位置ずれを生じることなく、
歩留りを高めることができ、かつ生産性に優れた半導体
加速度センサの製造方法を得る。 【構成】 シリコンセンサチップのユニットを複数有す
るマザーのシリコンセンサチップ５０に、ガラスマス部
の周囲に連結部４４を介してガラスリム部を一体化した
ユニットを複数有するマザーのガラス基板４０を接着し
た後、ガラス基板４０の連結部４４を切断しガラスマス
部とガラスリム部を分離し、次にマザのシリコン台座６
０をガラスリム部の下端面に接着した後、個々の半導体
加速度センサのユニットに切断し分離する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、自動車等に用いる半導
体加速度センサの製造方法に関するものである。
体加速度センサの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体を用いた加速度センサとしては、
半導体基板に形成されたダイヤフラム部に抵抗素子部を
形成し、検出すべき加速度により抵抗素子部に機械的変
形を生じさせ、この機械的変形を電気抵抗の変化として
検出するセンサが提案されている。このような半導体加
速度センサは、例えば、特開平３−２５３５号公報等に
開示されている。
半導体基板に形成されたダイヤフラム部に抵抗素子部を
形成し、検出すべき加速度により抵抗素子部に機械的変
形を生じさせ、この機械的変形を電気抵抗の変化として
検出するセンサが提案されている。このような半導体加
速度センサは、例えば、特開平３−２５３５号公報等に
開示されている。
【０００３】図８は、従来の半導体加速度センサの一例
を示す部分切欠斜視図である。図８を参照して、ｎ型シ
リコン基板からなるシリコンセンサチップ１には、環状
にエッチングすることにより、厚さ数１０μｍのダイヤ
フラム部２が形成されている。シリコンセンサチップ１
の中央部にはシリコンマス部３が形成されており、シリ
コンマス部３は円錐台の形状を有している。シリコンセ
ンサチップ１のダイヤフラム部２には、ドーパントを拡
散することによりｐ型のピエゾ抵抗の抵抗素子部４，５
が、Ｘ軸・Ｙ軸用として２組形成されている。これらの
抵抗素子部４，５には、アルミ配線７が接続されてい
る。抵抗素子部４，５及びアルミ配線７が形成されたシ
リコンセンサチップ１の表面には、保護膜として二酸化
シリコン膜６が形成されている。
を示す部分切欠斜視図である。図８を参照して、ｎ型シ
リコン基板からなるシリコンセンサチップ１には、環状
にエッチングすることにより、厚さ数１０μｍのダイヤ
フラム部２が形成されている。シリコンセンサチップ１
の中央部にはシリコンマス部３が形成されており、シリ
コンマス部３は円錐台の形状を有している。シリコンセ
ンサチップ１のダイヤフラム部２には、ドーパントを拡
散することによりｐ型のピエゾ抵抗の抵抗素子部４，５
が、Ｘ軸・Ｙ軸用として２組形成されている。これらの
抵抗素子部４，５には、アルミ配線７が接続されてい
る。抵抗素子部４，５及びアルミ配線７が形成されたシ
リコンセンサチップ１の表面には、保護膜として二酸化
シリコン膜６が形成されている。
【０００４】シリコンマス部３の下端面にはガラスマス
部９が接着されている。シリコンセンサチップ１のダイ
ヤフラム部２の周囲のシリコンリム部１２には、ガラス
リム部８が接着されている。このガラスリム部８の下端
面には、シリコン台座部１１が接着されている。シリコ
ン台座部１１の中央部は凹形状を有しており、ガラスマ
ス部９の下端面との間にギャップ部１０が形成されてい
る。
部９が接着されている。シリコンセンサチップ１のダイ
ヤフラム部２の周囲のシリコンリム部１２には、ガラス
リム部８が接着されている。このガラスリム部８の下端
面には、シリコン台座部１１が接着されている。シリコ
ン台座部１１の中央部は凹形状を有しており、ガラスマ
ス部９の下端面との間にギャップ部１０が形成されてい
る。
【０００５】図９は、このような従来の多層構造を有す
る半導体加速度センサの製造工程を示す断面図である。
図９（ａ）を参照して、まず通常の半導体製造技術を用
いて、シリコンセンサチップ１を用意する。このシリコ
ンセンサチップ１には、上述のようにエッチングにより
厚さ数１０μｍのダイヤフラム部２が形成される。
る半導体加速度センサの製造工程を示す断面図である。
図９（ａ）を参照して、まず通常の半導体製造技術を用
いて、シリコンセンサチップ１を用意する。このシリコ
ンセンサチップ１には、上述のようにエッチングにより
厚さ数１０μｍのダイヤフラム部２が形成される。
【０００６】図９（ｂ）を参照して、シリコンセンサチ
ップ１の中央部のシリコンマス部３にガラスマス部９が
静電圧着により接着され、シリコンリム部１２には、ガ
ラスリム部８が静電圧着により接着される。静電圧着
は、例えば、３００℃雰囲気中で、１００ｇ／ｃｍ2 の
荷重を加え、５００Ｖの電圧を１０分間印加して行われ
る。
ップ１の中央部のシリコンマス部３にガラスマス部９が
静電圧着により接着され、シリコンリム部１２には、ガ
ラスリム部８が静電圧着により接着される。静電圧着
は、例えば、３００℃雰囲気中で、１００ｇ／ｃｍ2 の
荷重を加え、５００Ｖの電圧を１０分間印加して行われ
る。
【０００７】次に、図９（ｃ）を参照して、シリコン台
座１１がガラスリム部８に静電圧着により取付けられ
る。
座１１がガラスリム部８に静電圧着により取付けられ
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の製造方法では、シリコンセンサチップのシリ
コンマス部の中心とガラスマス部の重心の位置合わせが
難しく、位置ずれを生じやすいという問題があった。
うな従来の製造方法では、シリコンセンサチップのシリ
コンマス部の中心とガラスマス部の重心の位置合わせが
難しく、位置ずれを生じやすいという問題があった。
【０００９】図１０は、ガラスマス部の重心がシリコン
マス部の中心の位置からずれた半導体加速度センサに、
Ｘ軸方向に振動を加えたときのＸ軸出力及びＹ軸出力を
示した図である。図１０に示されるように、Ｘ軸出力の
み検出されなければいけない場合にも、Ｙ軸出力に信号
が検出されている。このような現象は種々の加速度測定
時にも発生し、特性誤差となり好ましくない。このよう
な多層構造のセンサにおいては、加速度によるマス部の
移動に対するダイヤフラム部の変形を抵抗変化として検
知しているため、シリコンマス部の中心とガラスマス部
の重心がずれている素子では、加速度に対し非対称なダ
イヤフラム部の変形を生じ、これが誤差となる。
マス部の中心の位置からずれた半導体加速度センサに、
Ｘ軸方向に振動を加えたときのＸ軸出力及びＹ軸出力を
示した図である。図１０に示されるように、Ｘ軸出力の
み検出されなければいけない場合にも、Ｙ軸出力に信号
が検出されている。このような現象は種々の加速度測定
時にも発生し、特性誤差となり好ましくない。このよう
な多層構造のセンサにおいては、加速度によるマス部の
移動に対するダイヤフラム部の変形を抵抗変化として検
知しているため、シリコンマス部の中心とガラスマス部
の重心がずれている素子では、加速度に対し非対称なダ
イヤフラム部の変形を生じ、これが誤差となる。
【００１０】本発明の目的は、このような従来の問題点
を解消し、シリコンセンサチップのシリコンマス部の中
心とガラスマス部の重心の位置ずれを生じることなく、
歩留りを高めることができ、かつ生産性に優れた半導体
加速度センサの製造方法を提供することにある。
を解消し、シリコンセンサチップのシリコンマス部の中
心とガラスマス部の重心の位置ずれを生じることなく、
歩留りを高めることができ、かつ生産性に優れた半導体
加速度センサの製造方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の製造方法は、シ
リコンマス部の周囲にダイヤフラム部が形成され、ダイ
ヤフラム部の周囲にシリコンリム部が形成されたシリコ
ンセンサチップと、シリコンマス部の下端面に接着され
るガラスマス部と、シリコンリム部の下端面に接着され
るガラスリム部と、ガラスリム部の下端面と接着され、
その際ガラスマス部の下端面との間にギャップ部が形成
される形状のシリコン台座部とを備える半導体加速度セ
ンサの製造方法であり、シリコンセンサチップのユニッ
トを複数有するマザーのシリコンセンサチップに、ガラ
スマス部の周囲に連結部を介してガラスリム部を一体化
したユニットを複数有するマザーのガラス基板を接着し
た後、ガラス基板の連結部を切断しガラスマス部とガラ
スリム部とに分離し、次にシリコン台座のユニットを複
数有するマザーのシリコン台座をガラスリム部の下端面
に接着した後、個々の半導体加速度センサのユニットに
切断し分離することを特徴としている。
リコンマス部の周囲にダイヤフラム部が形成され、ダイ
ヤフラム部の周囲にシリコンリム部が形成されたシリコ
ンセンサチップと、シリコンマス部の下端面に接着され
るガラスマス部と、シリコンリム部の下端面に接着され
るガラスリム部と、ガラスリム部の下端面と接着され、
その際ガラスマス部の下端面との間にギャップ部が形成
される形状のシリコン台座部とを備える半導体加速度セ
ンサの製造方法であり、シリコンセンサチップのユニッ
トを複数有するマザーのシリコンセンサチップに、ガラ
スマス部の周囲に連結部を介してガラスリム部を一体化
したユニットを複数有するマザーのガラス基板を接着し
た後、ガラス基板の連結部を切断しガラスマス部とガラ
スリム部とに分離し、次にシリコン台座のユニットを複
数有するマザーのシリコン台座をガラスリム部の下端面
に接着した後、個々の半導体加速度センサのユニットに
切断し分離することを特徴としている。
【００１２】また、本発明において、シリコンマス部の
下端面と、シリコンマス部の接着面とは互いに相似な形
状であることが好ましい。
下端面と、シリコンマス部の接着面とは互いに相似な形
状であることが好ましい。
【００１３】
【作用】本発明の製造方法では、シリコンセンサチップ
のユニットを複数有するマザーのシリコンセンサチップ
に、ガラスマス部の周囲に連結部を介してガラスリム部
を一体化したユニットを複数有するマザーのガラス基板
を接着し、接着後連結部を切断してガラスマス部とガラ
スリム部に分離し、次にシリコン台座のユニットを複数
有するマザーのシリコン台座を接着し、その後個々の半
導体加速度センサのユニットに切断し分離して、複数の
ユニットの半導体加速度センサを一度に製造している。
このため、従来に比べ量産性に優れている。
のユニットを複数有するマザーのシリコンセンサチップ
に、ガラスマス部の周囲に連結部を介してガラスリム部
を一体化したユニットを複数有するマザーのガラス基板
を接着し、接着後連結部を切断してガラスマス部とガラ
スリム部に分離し、次にシリコン台座のユニットを複数
有するマザーのシリコン台座を接着し、その後個々の半
導体加速度センサのユニットに切断し分離して、複数の
ユニットの半導体加速度センサを一度に製造している。
このため、従来に比べ量産性に優れている。
【００１４】また、複数のガラスマス部を有したガラス
基板の位置合わせにより、複数のガラスマス部の位置合
わせを同時に行うことができ、シリコンマス部の中心と
ガラスマス部の重心との位置合わせを従来より容易に行
うことができる。
基板の位置合わせにより、複数のガラスマス部の位置合
わせを同時に行うことができ、シリコンマス部の中心と
ガラスマス部の重心との位置合わせを従来より容易に行
うことができる。
【００１５】さらに、シリコンマス部の下端面とガラス
マス部の接着面とを互いに相似な形状としておくことに
より、位置合わせをさらに容易に行うことができる。す
なわち、シリコンマス部の下端面の外周とガラスマス部
の接着面の外周との距離が全周において均一になるよう
にすることで位置合わせを容易にすることができる。な
お、本発明において相似な形状には、同一の形状も含ま
れている。
マス部の接着面とを互いに相似な形状としておくことに
より、位置合わせをさらに容易に行うことができる。す
なわち、シリコンマス部の下端面の外周とガラスマス部
の接着面の外周との距離が全周において均一になるよう
にすることで位置合わせを容易にすることができる。な
お、本発明において相似な形状には、同一の形状も含ま
れている。
【００１６】
【実施例】図７は、本発明に従う製造方法の実施例にお
いて得られる半導体加速度センサを示す部分切欠斜視図
である。図７を参照して、ｎ型シリコン基板からなるシ
リコンセンサチップ２０には、環状にエッチングが施さ
れることによって、厚さ数１０μｍのダイヤフラム部２
２が形成されている。ダイヤフラム部２２がエッチング
で環状に形成されることにより、ダイヤフラム部２２に
より囲まれる中央部にはシリコンマス部２３が形成され
ている。ダイヤフラム部２２には、ピエゾ抵抗の抵抗素
子部２４，２５がＸ軸・Ｙ軸用として２組形成されてい
る。この抵抗素子部２４，２５は、ドーパントを拡散す
ることによりｐ型のピエゾ抵抗として形成されている。
この抵抗素子部２４，２５には、アルミ配線２７が電気
的に接続されている。抵抗素子部２４，２５及びアルミ
配線２７が形成されたシリコンセンサチップ２０の表面
には、保護膜として二酸化シリコン膜２６が形成されて
いる。
いて得られる半導体加速度センサを示す部分切欠斜視図
である。図７を参照して、ｎ型シリコン基板からなるシ
リコンセンサチップ２０には、環状にエッチングが施さ
れることによって、厚さ数１０μｍのダイヤフラム部２
２が形成されている。ダイヤフラム部２２がエッチング
で環状に形成されることにより、ダイヤフラム部２２に
より囲まれる中央部にはシリコンマス部２３が形成され
ている。ダイヤフラム部２２には、ピエゾ抵抗の抵抗素
子部２４，２５がＸ軸・Ｙ軸用として２組形成されてい
る。この抵抗素子部２４，２５は、ドーパントを拡散す
ることによりｐ型のピエゾ抵抗として形成されている。
この抵抗素子部２４，２５には、アルミ配線２７が電気
的に接続されている。抵抗素子部２４，２５及びアルミ
配線２７が形成されたシリコンセンサチップ２０の表面
には、保護膜として二酸化シリコン膜２６が形成されて
いる。
【００１７】シリコンマス部２３の下端面には、ガラス
マス部２９が静電圧着により接着されている。また、ダ
イヤフラム部２２の周囲のシリコンリム部２１には、ガ
ラスリム部２８が静電圧着により圧着されている。ガラ
スマス部２９とガラスリム部２８の間には、ギャップ部
３２が形成され、ギャップ部３２の下方はさらに狭い間
隔のギャップ部３３が形成されている。このギャップ部
３２及び３３よりガラスマス部２９とガラスリム部２８
とが分離された状態となっている。ガラスリム部２８の
下端面には、シリコン台座３１が静電圧着により接着さ
れている。シリコン台座３１の中央部は凹形状に形成さ
れ、ガラスマス部２９の下端面との間でギャップ部３０
が形成されている。
マス部２９が静電圧着により接着されている。また、ダ
イヤフラム部２２の周囲のシリコンリム部２１には、ガ
ラスリム部２８が静電圧着により圧着されている。ガラ
スマス部２９とガラスリム部２８の間には、ギャップ部
３２が形成され、ギャップ部３２の下方はさらに狭い間
隔のギャップ部３３が形成されている。このギャップ部
３２及び３３よりガラスマス部２９とガラスリム部２８
とが分離された状態となっている。ガラスリム部２８の
下端面には、シリコン台座３１が静電圧着により接着さ
れている。シリコン台座３１の中央部は凹形状に形成さ
れ、ガラスマス部２９の下端面との間でギャップ部３０
が形成されている。
【００１８】以上のような図７に示す構造の半導体加速
度センサは、以下の製造工程によって製造することがで
きる。図１は、本発明に従う製造方法の実施例を示す断
面図である。図１（ａ）を参照して、まずシリコンセン
サチップのユニットを複数有するマザーのシリコンセン
サチップ５０を用意する。これは、複数のユニット分の
サイズのｎ型シリコン基板をエッチングすることにより
得ることができる。
度センサは、以下の製造工程によって製造することがで
きる。図１は、本発明に従う製造方法の実施例を示す断
面図である。図１（ａ）を参照して、まずシリコンセン
サチップのユニットを複数有するマザーのシリコンセン
サチップ５０を用意する。これは、複数のユニット分の
サイズのｎ型シリコン基板をエッチングすることにより
得ることができる。
【００１９】図１（ｂ）を参照して、マザーのシリコン
センサチップ５０にガラス基板４０を静電圧着する。こ
のガラス基板４０は、ガラスマス部とガラスリム部とを
連結部を介して一体化させたユニットを複数有したもの
である。
センサチップ５０にガラス基板４０を静電圧着する。こ
のガラス基板４０は、ガラスマス部とガラスリム部とを
連結部を介して一体化させたユニットを複数有したもの
である。
【００２０】図３〜図５は、このガラス基板を製造する
工程を示す斜視図である。図３に示すような複数のユニ
ット分に相当するガラス基板４０を用意する。次に、図
４を参照して、このガラス基板４０にガラスマス部に相
当する面積で凹部４１を形成する。この際、図４に示す
ように、中央部には接着面となる凸部４２を残すように
形成する。次に、図５を参照して、ガラスマス部とガラ
スリム部の境界となる領域に所定の深さまで溝４３を形
成する。これによって、ガラスマス部の周囲に連結部４
４を介してガラスリム部を一体化したガラス基板４０が
得られる。
工程を示す斜視図である。図３に示すような複数のユニ
ット分に相当するガラス基板４０を用意する。次に、図
４を参照して、このガラス基板４０にガラスマス部に相
当する面積で凹部４１を形成する。この際、図４に示す
ように、中央部には接着面となる凸部４２を残すように
形成する。次に、図５を参照して、ガラスマス部とガラ
スリム部の境界となる領域に所定の深さまで溝４３を形
成する。これによって、ガラスマス部の周囲に連結部４
４を介してガラスリム部を一体化したガラス基板４０が
得られる。
【００２１】以上のようにして形成したガラス基板４０
を、図１（ｂ）を参照して、マザーのシリコンセンサチ
ップ５０と接着させる。この接着の際、ガラスマス部の
接着面に相当する凸部４２とシリコンマス部５３とが位
置合わせされた状態で静電圧着により接着される。シリ
コンマス部５３の下端面の外周形状とガラス基板４０の
凸部４２の接着面の外周形状とを相似の形状にしておく
ことにより位置合わせをさらに容易に行うことができ
る。図６はこの位置合わせを説明するための図であり、
図６（ａ）は平面図、図６（ｂ）は側面図である。図６
に示すように、シリコンマス部５３の外周の形状を円形
とし、凸部４２の外周の形状を相似形状である円形とす
れば、シリコンマス部５３の外周と凸部４２の外周の間
の距離が全体に均一になるように目視により確認しなが
ら接着することができる。これによって、位置合わせを
容易に行うことができる。
を、図１（ｂ）を参照して、マザーのシリコンセンサチ
ップ５０と接着させる。この接着の際、ガラスマス部の
接着面に相当する凸部４２とシリコンマス部５３とが位
置合わせされた状態で静電圧着により接着される。シリ
コンマス部５３の下端面の外周形状とガラス基板４０の
凸部４２の接着面の外周形状とを相似の形状にしておく
ことにより位置合わせをさらに容易に行うことができ
る。図６はこの位置合わせを説明するための図であり、
図６（ａ）は平面図、図６（ｂ）は側面図である。図６
に示すように、シリコンマス部５３の外周の形状を円形
とし、凸部４２の外周の形状を相似形状である円形とす
れば、シリコンマス部５３の外周と凸部４２の外周の間
の距離が全体に均一になるように目視により確認しなが
ら接着することができる。これによって、位置合わせを
容易に行うことができる。
【００２２】次に、図１（ｃ）を参照して、ガラス基板
４０の溝４３の下方の連結部４４の部分に、例えばダイ
シングによって溝４５を形成して、ガラスマス部に相当
する部分とガラスリム部に相当する部分とを分離する。
４０の溝４３の下方の連結部４４の部分に、例えばダイ
シングによって溝４５を形成して、ガラスマス部に相当
する部分とガラスリム部に相当する部分とを分離する。
【００２３】次に、図１（ｄ）を参照して、ガラス基板
４０のガラスリム部に相当する部分に、シリコン台座の
ユニットを複数有するマザーのシリコン台座６０を静電
圧着により接着する。マザーのシリコン台座６０には、
接着後ガラスマス部の下端面とギャップ６１が形成され
るような凹部が形成されている。
４０のガラスリム部に相当する部分に、シリコン台座の
ユニットを複数有するマザーのシリコン台座６０を静電
圧着により接着する。マザーのシリコン台座６０には、
接着後ガラスマス部の下端面とギャップ６１が形成され
るような凹部が形成されている。
【００２４】次に、このようにしてマザーのシリコンセ
ンサチップ５０、ガラス基板４０、及びマザーのシリコ
ン台座６０を接着して組み合わせた後、ダイシングソー
等を用いて切断し、個々の半導体加速度ケンサに分離す
る。
ンサチップ５０、ガラス基板４０、及びマザーのシリコ
ン台座６０を接着して組み合わせた後、ダイシングソー
等を用いて切断し、個々の半導体加速度ケンサに分離す
る。
【００２５】なお、本実施例において、マザーのシリコ
ンセンサチップ５０とガラス基板４０、ガラス基板４０
とマザーのシリコン台座６０の間の静電圧着は、例え
ば、３００℃の雰囲気で、１００ｇ／ｃｍ2 の荷重を加
え、５００Ｖを２０分間印加して行うことができる。
ンセンサチップ５０とガラス基板４０、ガラス基板４０
とマザーのシリコン台座６０の間の静電圧着は、例え
ば、３００℃の雰囲気で、１００ｇ／ｃｍ2 の荷重を加
え、５００Ｖを２０分間印加して行うことができる。
【００２６】図２は、個々の半導体加速度センサに分離
した後の状態を示す断面図である。図２に示すように、
分離して得られる半導体加速度センサは、シリコンセン
サチップ２０のシリコンマス部２３にガラスマス部２９
が接着され、シリコンリム部２１にガラスリム部２８が
接着され、ガラスリム部２８の下端面にシリコン台座３
１が接着されている。このように本発明の製造方法に従
えば、複数の半導体加速度センサのユニットを同時に製
造することができ、量産性に優れる。
した後の状態を示す断面図である。図２に示すように、
分離して得られる半導体加速度センサは、シリコンセン
サチップ２０のシリコンマス部２３にガラスマス部２９
が接着され、シリコンリム部２１にガラスリム部２８が
接着され、ガラスリム部２８の下端面にシリコン台座３
１が接着されている。このように本発明の製造方法に従
えば、複数の半導体加速度センサのユニットを同時に製
造することができ、量産性に優れる。
【００２７】
【発明の効果】本発明に従えば、複数のユニットの半導
体加速度センサを一度に製造することができるので、量
産性に優れている。
体加速度センサを一度に製造することができるので、量
産性に優れている。
【００２８】また、複数のガラスマス部を有したガラス
基板を位置合わせして接着することにより、複数のガラ
スマス部の位置合わせを同時に行うことができ、シリコ
ンマス部の中心とガラスマス部の重心との位置合わせ
を、従来より容易に行うことができる。従って、従来に
比べ簡易な工程で位置合わせを行うことができ、また位
置合わせの精度も向上させることができるので、歩留り
を高めることができる。
基板を位置合わせして接着することにより、複数のガラ
スマス部の位置合わせを同時に行うことができ、シリコ
ンマス部の中心とガラスマス部の重心との位置合わせ
を、従来より容易に行うことができる。従って、従来に
比べ簡易な工程で位置合わせを行うことができ、また位
置合わせの精度も向上させることができるので、歩留り
を高めることができる。
【図１】本発明に従う実施例の製造工程を示す断面図。
【図２】図１に示す製造工程で得られたものを個々の半
導体加速度センサに分離した状態を示す断面図。
導体加速度センサに分離した状態を示す断面図。
【図３】本発明に従う実施例において用いるガラス基板
の加工前の状態を示す斜視図。
の加工前の状態を示す斜視図。
【図４】本発明に従う実施例において用いられるガラス
基板に凹部及び凸部を形成した後の状態を示す斜視図。
基板に凹部及び凸部を形成した後の状態を示す斜視図。
【図５】本発明に従う実施例において用いられるガラス
基板を示す斜視図。
基板を示す斜視図。
【図６】本発明に従う実施例においてシリコンマス部と
ガラスマス部との接着の際の位置合わせの状態を示して
おり、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図。
ガラスマス部との接着の際の位置合わせの状態を示して
おり、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図。
【図７】本発明に従う実施例において得られる半導体加
速度センサを示す部分切欠斜視図。
速度センサを示す部分切欠斜視図。
【図８】従来の半導体加速度センサの一例を示す部分切
欠斜視図。
欠斜視図。
【図９】図８に示す従来の半導体加速度センサの製造工
程を示す断面図。
程を示す断面図。
【図１０】ガラスマス部の重心がシリコンマス部の中心
の位置からずれた半導体加速度センサに、Ｘ軸方向に振
動を加えたときのＸ軸出力及びＹ軸出力を示した図。
の位置からずれた半導体加速度センサに、Ｘ軸方向に振
動を加えたときのＸ軸出力及びＹ軸出力を示した図。
２０…シリコンセンサチップ ２１…シリコンリム部 ２２…ダイヤフラム部 ２３…シリコンマス部 ２４，２５…抵抗素子部 ２６…二酸化シリコン膜 ２７…アルミ配線 ２８…ガラスリム部 ２９…ガラスマス部 ３０…ギャップ部 ３１…シリコン台座 ３２，３３…ギャップ部 ４０…マザーのガラス基板 ４１…凹部 ４２…凸部 ４３…溝 ４４…連結部 ４５…溝 ５０…マザーのシリコンセンサチップ ５３…シリコンマス部 ６０…マザーのシリコン台座 ６１…ギャップ部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 国見 敬 埼玉県羽生市東５丁目４番71号 曙ブレー キ工業株式会社開発本部内 (72)発明者 小林 忠 埼玉県羽生市東５丁目４番71号 株式会社 曙ブレーキ中央技術研究所内
Claims (2)
- 【請求項１】 シリコンマス部の周囲にダイヤフラム部
が形成され、ダイヤフラム部の周囲にシリコンリム部が
形成されたシリコンセンサチップと、前記シリコンマス
部の下端面に接着されるガラスマス部と、前記シリコン
リム部の下端面に接着されるガラスリム部と、前記ガラ
スリム部の下端面と接着され、接着された際前記ガラス
マス部の下端面との間にギャップ部が形成される形状の
シリコン台座部とを備える半導体加速度センサの製造方
法において、 前記シリコンセンサチップのユニットを複数有するマザ
ーのシリコンセンサチップに、前記ガラスマス部の周囲
に連結部を介して前記ガラスリム部を一体化したユニッ
トを複数有するマザーのガラス基板を接着した後、前記
ガラス基板の前記連結部を切断しガラスマス部とガラス
リム部を分離し、次に前記シリコン台座のユニットを複
数有するマザーのシリコン台座を前記ガラスリム部の下
端面に接着した後、個々の半導体加速度センサのユニッ
トに切断し分離することを特徴とする半導体加速度セン
サの製造方法。 - 【請求項２】 前記シリコンマス部の下端面と、該下端
面と接着するガラスマス部の接着面とが互いに相似な形
状であることを特徴とする、請求項１に記載の半導体加
速度センサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16095093A JPH0720145A (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | 半導体加速度センサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16095093A JPH0720145A (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | 半導体加速度センサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0720145A true JPH0720145A (ja) | 1995-01-24 |
Family
ID=15725712
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16095093A Pending JPH0720145A (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | 半導体加速度センサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0720145A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114670352A (zh) * | 2022-05-26 | 2022-06-28 | 广东高景太阳能科技有限公司 | 一种实时自动控制的硅片生产方法、系统、介质及设备 |
-
1993
- 1993-06-30 JP JP16095093A patent/JPH0720145A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114670352A (zh) * | 2022-05-26 | 2022-06-28 | 广东高景太阳能科技有限公司 | 一种实时自动控制的硅片生产方法、系统、介质及设备 |
| CN114670352B (zh) * | 2022-05-26 | 2022-08-12 | 广东高景太阳能科技有限公司 | 一种实时自动控制的硅片生产方法、系统、介质及设备 |
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