JPH0719722B2 - 固体電解コンデンサ - Google Patents
固体電解コンデンサInfo
- Publication number
- JPH0719722B2 JPH0719722B2 JP60237584A JP23758485A JPH0719722B2 JP H0719722 B2 JPH0719722 B2 JP H0719722B2 JP 60237584 A JP60237584 A JP 60237584A JP 23758485 A JP23758485 A JP 23758485A JP H0719722 B2 JPH0719722 B2 JP H0719722B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- solid electrolytic
- lead dioxide
- electrolytic capacitor
- oxide film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、特定の結晶化度を有する二酸化鉛を導電体層
として用いた性能の良好な固体電解コンデンサに関す
る。
として用いた性能の良好な固体電解コンデンサに関す
る。
従来の技術 例えば特公昭58−21414号公報に記載されるように、二
酸化鉛を半導体層として用いた固体電解コンデンサは知
られている。しかしながら、上記した従来の固体電解コ
ンデンサは、二酸化鉛を酸化皮膜上に形成させる方法が
鉛イオンを含んだ反応母液を熱分解して形成させる方法
であるため、酸化皮膜が熱的に亀裂したり、さらには発
生ガスによって化学的に損傷するという問題がある。
酸化鉛を半導体層として用いた固体電解コンデンサは知
られている。しかしながら、上記した従来の固体電解コ
ンデンサは、二酸化鉛を酸化皮膜上に形成させる方法が
鉛イオンを含んだ反応母液を熱分解して形成させる方法
であるため、酸化皮膜が熱的に亀裂したり、さらには発
生ガスによって化学的に損傷するという問題がある。
このような欠点を防止するために、例えば特公昭49−29
374号公報に記載されるように、酸化皮膜上に二酸化鉛
を化学的析出によって形成させる方法が知られている。
しかしながら、この方法は、二酸化鉛を化学的に析出さ
せるに際して、触媒として銀イオンを必要とするため、
銀または銀の化合物が酸化皮膜表面に付着した形とな
り、絶縁抵抗が低下するという問題がある。
374号公報に記載されるように、酸化皮膜上に二酸化鉛
を化学的析出によって形成させる方法が知られている。
しかしながら、この方法は、二酸化鉛を化学的に析出さ
せるに際して、触媒として銀イオンを必要とするため、
銀または銀の化合物が酸化皮膜表面に付着した形とな
り、絶縁抵抗が低下するという問題がある。
かかる観点から、本発明者等は、熱分解反応を利用せ
ず、しかもコンデンサ特性に悪影響を及ぼす銀イオンの
ような触媒も使用せずに、酸化皮膜上に二酸化鉛の半導
体層を化学的析出方法によって形成させた固体電解コン
デンサの製造方法を提案した(特願昭60−193185号)。
しかしながら、この方法で得られる固体電解コンデンサ
は、コンデンサの誘電正接が必ずしも十分満足すべきも
のではなかった。
ず、しかもコンデンサ特性に悪影響を及ぼす銀イオンの
ような触媒も使用せずに、酸化皮膜上に二酸化鉛の半導
体層を化学的析出方法によって形成させた固体電解コン
デンサの製造方法を提案した(特願昭60−193185号)。
しかしながら、この方法で得られる固体電解コンデンサ
は、コンデンサの誘電正接が必ずしも十分満足すべきも
のではなかった。
発明が解決しようとする問題点 本発明の目的は、熱分解反応を利用せず、しかもコンデ
ンサ性能に悪影響を及ぼす銀イオンを利用せずに、酸化
皮膜上に化学的析出によって二酸化鉛の半導体層を形成
させた、誘電正接の小さい固体電解コンデンサを提供す
ることにある。
ンサ性能に悪影響を及ぼす銀イオンを利用せずに、酸化
皮膜上に化学的析出によって二酸化鉛の半導体層を形成
させた、誘電正接の小さい固体電解コンデンサを提供す
ることにある。
問題点を解決するための手段 本発明者等は、前記従来技術の欠点を解決すべく種々検
討した結果、二酸化鉛の結晶化度を特定することによ
り、誘電正接の小さい固体電解コンデンサが得られるこ
とを見い出した。
討した結果、二酸化鉛の結晶化度を特定することによ
り、誘電正接の小さい固体電解コンデンサが得られるこ
とを見い出した。
即ち、本発明に従えば、二酸化鉛を半導体層とする固体
電解コンデンサにおいて、該二酸化鉛の結晶化度が30重
量%以下であることを特徴とする固体電解コンデンサが
提供される。
電解コンデンサにおいて、該二酸化鉛の結晶化度が30重
量%以下であることを特徴とする固体電解コンデンサが
提供される。
本発明の固体電解コンデンサは、アルミニウム、タンタ
ル、ニオブ等の弁金属の薄膜もしくは焼結体の酸化皮膜
の細孔に二酸化鉛の一部が進入した構造を有する。
ル、ニオブ等の弁金属の薄膜もしくは焼結体の酸化皮膜
の細孔に二酸化鉛の一部が進入した構造を有する。
弁金属の箔もしくは焼結体に酸化皮膜を形成する方法
は、当業界で公知の方法を採用することができる。
は、当業界で公知の方法を採用することができる。
本発明において、二酸化鉛の半導体層は、化学的析出に
よって酸化皮膜上に形成される。酸化皮膜上に二酸化鉛
を化学的析出によって形成させるための反応母液として
は、鉛イオンおよび過硫酸イオンを含んだ水溶液が使用
される。
よって酸化皮膜上に形成される。酸化皮膜上に二酸化鉛
を化学的析出によって形成させるための反応母液として
は、鉛イオンおよび過硫酸イオンを含んだ水溶液が使用
される。
使用される鉛イオンおよび過硫酸イオンには特に制限は
なく、鉛イオンを与える化合物の代表例としては、例え
ばクエン酸鉛、酢酸鉛、塩基性酢酸鉛、ホウフッ化鉛、
酢酸鉛水和物等があげられ、これらは二種以上混合して
使用してもよい。また、過硫酸イオンを与える化合物の
代表例としては、例えば過硫酸アンモニウム、過硫酸カ
リ、過硫酸ナトリウム等があげられ、これらは二種以上
混合して使用してもよい。反応母液中の鉛イオンの濃度
は、7モル/から0.1モル/の範囲内、好ましくは
5モル/から1.3モル/の範囲内、特に好ましくは
飽和溶解度を与える濃度である。鉛イオン濃度が7モル
/より高い場合には、反応母液の粘度が高くなりすぎ
て使用困難となり、また鉛イオン濃度が0.モル/より
低い場合は、反応母液中の鉛イオン濃度が薄すぎるため
塗布回数を多くしなければならないという難点を有す
る。また、過硫酸イオンの使用量は、鉛イオンに対して
3から0.5倍モルの間である。過硫酸イオンの使用量が
鉛イオンに対して3倍モルより多い場合は、コスト的に
メリットはなく、また0.5倍モル未満では性能の良好な
固体電解コンデンサを得ることができない。
なく、鉛イオンを与える化合物の代表例としては、例え
ばクエン酸鉛、酢酸鉛、塩基性酢酸鉛、ホウフッ化鉛、
酢酸鉛水和物等があげられ、これらは二種以上混合して
使用してもよい。また、過硫酸イオンを与える化合物の
代表例としては、例えば過硫酸アンモニウム、過硫酸カ
リ、過硫酸ナトリウム等があげられ、これらは二種以上
混合して使用してもよい。反応母液中の鉛イオンの濃度
は、7モル/から0.1モル/の範囲内、好ましくは
5モル/から1.3モル/の範囲内、特に好ましくは
飽和溶解度を与える濃度である。鉛イオン濃度が7モル
/より高い場合には、反応母液の粘度が高くなりすぎ
て使用困難となり、また鉛イオン濃度が0.モル/より
低い場合は、反応母液中の鉛イオン濃度が薄すぎるため
塗布回数を多くしなければならないという難点を有す
る。また、過硫酸イオンの使用量は、鉛イオンに対して
3から0.5倍モルの間である。過硫酸イオンの使用量が
鉛イオンに対して3倍モルより多い場合は、コスト的に
メリットはなく、また0.5倍モル未満では性能の良好な
固体電解コンデンサを得ることができない。
酸化皮膜上に二酸化鉛の半導体層を化学的に析出、形成
させる方法としては、例えば鉛イオンを含む水溶液と過
硫酸イオンを含む水溶液を混合後、酸化皮膜に塗布する
方法があげられる。
させる方法としては、例えば鉛イオンを含む水溶液と過
硫酸イオンを含む水溶液を混合後、酸化皮膜に塗布する
方法があげられる。
二酸化鉛の結晶化度を30重量%以下にする方法として
は、例えば化学的析出によって二酸化鉛を析出させる時
間を短くする方法があげられる。例えば酢酸鉛3水和物
と過硫酸アンモニウムの各々の飽和水溶液を混合して酸
化皮膜に塗布し、酸化皮膜上に二酸化鉛層を化学的に析
出させる場合、室温で2.5時間以内、好ましくは2時間
以内に反応を停止させることによって得られる。
は、例えば化学的析出によって二酸化鉛を析出させる時
間を短くする方法があげられる。例えば酢酸鉛3水和物
と過硫酸アンモニウムの各々の飽和水溶液を混合して酸
化皮膜に塗布し、酸化皮膜上に二酸化鉛層を化学的に析
出させる場合、室温で2.5時間以内、好ましくは2時間
以内に反応を停止させることによって得られる。
二酸化鉛の結晶化度が30重量%より多い場合は、誘電正
接の良好な固体電解コンデンサが得られない。
接の良好な固体電解コンデンサが得られない。
発明の効果 本発明の固体電解コンデンサは、従来公知の固体電解コ
ンデンサに比較して以下のような利点を有している。
ンデンサに比較して以下のような利点を有している。
高温に加熱することなく、酸化皮膜上に結晶化度が
30%以下の二酸化鉛の半導体層を形成できるので、陽極
の酸化皮膜を損傷する恐れがなく、補修のための陽極酸
化(再化成)を行なう必要もない。そのため、定格電圧
を従来の数倍に上げることができ、同容量、同定格電圧
のコンデンサを得るのに、従来のものに比較して形状を
小型化できる。
30%以下の二酸化鉛の半導体層を形成できるので、陽極
の酸化皮膜を損傷する恐れがなく、補修のための陽極酸
化(再化成)を行なう必要もない。そのため、定格電圧
を従来の数倍に上げることができ、同容量、同定格電圧
のコンデンサを得るのに、従来のものに比較して形状を
小型化できる。
漏れ電流が小さい。
高耐圧のコンデンサを作製することができる。
高周波特性が良い。
二酸化鉛(半導体層)の非晶部分の割合が大きいの
で結晶粒界が少なく、そのため誘電正接が小さい。
で結晶粒界が少なく、そのため誘電正接が小さい。
実 施 例 以下、実施例および比較例をあげて本発明をさらに詳細
に説明する。なお、二酸化鉛の結晶化度は、和光化学
(株)社製の二酸化鉛を理学電機(株)社製のX線回折
装置「ロータリフレックス」で測定して常法に従って解
析し、この二酸化鉛の結晶化度を100%として検量線を
作製し、その検量線から求めた。各例の固体電解コンデ
ンサの特性値を第1表に示した。
に説明する。なお、二酸化鉛の結晶化度は、和光化学
(株)社製の二酸化鉛を理学電機(株)社製のX線回折
装置「ロータリフレックス」で測定して常法に従って解
析し、この二酸化鉛の結晶化度を100%として検量線を
作製し、その検量線から求めた。各例の固体電解コンデ
ンサの特性値を第1表に示した。
実施例 1 厚さ100μmのアルミニウム箔(純度99.99%)を陽極と
し、直流および交流を交互使用して、箔の表面を電気化
学的にエッチングして平均細孔径が2μmで、比表面積
が12m2/gの多孔質アルミニウム箔とした。次いで、この
エッチング処理したアルミニウム箔をホウ酸アンモニウ
ムの液中に浸漬し、液中で電気化学的にアルミニウム箔
の上に誘電体の薄層を形成した。
し、直流および交流を交互使用して、箔の表面を電気化
学的にエッチングして平均細孔径が2μmで、比表面積
が12m2/gの多孔質アルミニウム箔とした。次いで、この
エッチング処理したアルミニウム箔をホウ酸アンモニウ
ムの液中に浸漬し、液中で電気化学的にアルミニウム箔
の上に誘電体の薄層を形成した。
一方、酢酸鉛の濃度が2.0モル/の酢酸鉛水溶液と過
硫酸カリの濃度が2.5モル/の過硫酸カリ水溶液を混
合して反応母液を得た。この反応母液を直ちに上記した
誘電体薄層に塗布し、減圧下で1時間放置して誘電体薄
層上に二酸化鉛層を形成させた。次いで、二酸化鉛層を
水で充分洗浄した後、110℃で3時間乾燥した。二酸化
鉛の結晶化度は11重量%であった。この二酸化鉛層上に
カーボンペーストを塗布して乾燥した後、銀ペーストを
塗り、再度乾燥した。陽極にアルミニウム箔を使用し、
樹脂封口して固体電解コンデンサを作製した。
硫酸カリの濃度が2.5モル/の過硫酸カリ水溶液を混
合して反応母液を得た。この反応母液を直ちに上記した
誘電体薄層に塗布し、減圧下で1時間放置して誘電体薄
層上に二酸化鉛層を形成させた。次いで、二酸化鉛層を
水で充分洗浄した後、110℃で3時間乾燥した。二酸化
鉛の結晶化度は11重量%であった。この二酸化鉛層上に
カーボンペーストを塗布して乾燥した後、銀ペーストを
塗り、再度乾燥した。陽極にアルミニウム箔を使用し、
樹脂封口して固体電解コンデンサを作製した。
実施例 2 実施例1で酢酸鉛水溶液と過硫酸カリ水溶液からなる反
応母液の代わりに酢酸鉛3水和物の濃度が3.5モル/
の水溶液と過硫酸アンモニウムの濃度が4.2モル/の
水溶液からなる反応母液を使用し、減圧下に1時間放置
する減圧下に2時間放置した以外は、実施例1と同様に
してコンデンサを作製した。形成された二酸化鉛の結晶
化度は19重量%であった。
応母液の代わりに酢酸鉛3水和物の濃度が3.5モル/
の水溶液と過硫酸アンモニウムの濃度が4.2モル/の
水溶液からなる反応母液を使用し、減圧下に1時間放置
する減圧下に2時間放置した以外は、実施例1と同様に
してコンデンサを作製した。形成された二酸化鉛の結晶
化度は19重量%であった。
実施例3 実施例2で反応母液の放置を2.5時間にした以外は実施
例2と同様にして固体電解コンデンサを作製した。形成
された二酸化鉛の結晶化度は26重量%であった。
例2と同様にして固体電解コンデンサを作製した。形成
された二酸化鉛の結晶化度は26重量%であった。
比較例1 実施例1で誘電体薄層上に反応母液を塗布した後、減圧
下に20時間放置した以外は、実施例1と同様にコンデン
サを作製した。形成された二酸化鉛の結晶化度は45%で
あった。
下に20時間放置した以外は、実施例1と同様にコンデン
サを作製した。形成された二酸化鉛の結晶化度は45%で
あった。
比較例2 実施例1で酢酸鉛水溶液と過硫酸カリ水溶液からなる反
応母液のかわりに、誘電体薄層が形成されたアルミニウ
ム箔を酢酸鉛水溶液に浸漬し、引き上げた後260℃で熱
分解することをくり返して二酸化鉛層を形成した以外
は、実施例1と同様にして固体電解コンデンサを作製し
た。形成された二酸化鉛の結晶化度は37重量%であっ
た。
応母液のかわりに、誘電体薄層が形成されたアルミニウ
ム箔を酢酸鉛水溶液に浸漬し、引き上げた後260℃で熱
分解することをくり返して二酸化鉛層を形成した以外
は、実施例1と同様にして固体電解コンデンサを作製し
た。形成された二酸化鉛の結晶化度は37重量%であっ
た。
第1表より明らかなごとく、実施例1および実施例2で
得られた固体電解コンデンサの誘電正接(tanδ)は、
比較例で得られた固体電解コンデンサの誘電正接(tan
δ)より小さい。
得られた固体電解コンデンサの誘電正接(tanδ)は、
比較例で得られた固体電解コンデンサの誘電正接(tan
δ)より小さい。
Claims (1)
- 【請求項1】二酸化鉛を半導体層とする固体電解コンデ
ンサにおいて、該二酸化鉛の結晶化度が30重量%以下で
あることを特徴とする固体電解コンデンサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60237584A JPH0719722B2 (ja) | 1985-10-25 | 1985-10-25 | 固体電解コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60237584A JPH0719722B2 (ja) | 1985-10-25 | 1985-10-25 | 固体電解コンデンサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6298712A JPS6298712A (ja) | 1987-05-08 |
JPH0719722B2 true JPH0719722B2 (ja) | 1995-03-06 |
Family
ID=17017482
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60237584A Expired - Lifetime JPH0719722B2 (ja) | 1985-10-25 | 1985-10-25 | 固体電解コンデンサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0719722B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
ES2964547T3 (es) * | 2018-06-08 | 2024-04-08 | Fujifilm Corp | Compuesto, sal del mismo y partículas lipídicas |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4929374A (ja) * | 1972-07-17 | 1974-03-15 | ||
JPS5412447A (en) * | 1977-06-30 | 1979-01-30 | Hitachi Condenser | Solid electrolytic capacitor |
-
1985
- 1985-10-25 JP JP60237584A patent/JPH0719722B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6298712A (ja) | 1987-05-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US3397446A (en) | Thin film capacitors employing semiconductive oxide electrolytes | |
US4648010A (en) | Solid electrolytic capacitor and process for preparation thereof | |
WO2007074874A1 (ja) | 複合酸化物膜及びその製造方法、複合体及びその製造方法、誘電材料、圧電材料、コンデンサ、圧電素子並びに電子機器 | |
JP3032570B2 (ja) | アルミ電解コンデンサ用電極箔及びその製造法 | |
JPH0719722B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
JP2637207B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
US3553087A (en) | Method of manufacturing solid electrolytic capacitors | |
JPS6060709A (ja) | 電解コンデンサ用アルミニウム電極 | |
JP2731243B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
JPH0719721B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造法 | |
JPH0337853B2 (ja) | ||
JPH0722080B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造法 | |
JP2773499B2 (ja) | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
JPH0719723B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造法 | |
JPH0719725B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
JPS62216211A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
JPH0642445B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
JPH0727849B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造法 | |
JPH09246107A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
JPH0719727B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
JPS629206B2 (ja) | ||
JPS5935167B2 (ja) | コンデンサの製造方法 | |
JPS62216311A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
JPH0642446B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
JPH06306678A (ja) | 基板と誘電体よりなる複合体の製造方法 |