JPH07192868A - 有機薄膜型電界発光素子 - Google Patents
有機薄膜型電界発光素子Info
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- JPH07192868A JPH07192868A JP5348390A JP34839093A JPH07192868A JP H07192868 A JPH07192868 A JP H07192868A JP 5348390 A JP5348390 A JP 5348390A JP 34839093 A JP34839093 A JP 34839093A JP H07192868 A JPH07192868 A JP H07192868A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【構成】 基板上に陽極及び陰極とこれらの間に挟持さ
れた一層又は複数層の有機化合物層より構成される積層
体を配置した有機薄膜電界発光素子において、該積層体
を保護するように封止保護層６が設けられ、その封止保
護層６が構成成分として分子量が２０００以下のカーボ
ネート化合物を用いた有機薄膜型電界発光素子。 【効果】 本発明の電界発光素子は、特有な封止保護層
を設けたことから、電界発光素子を外界の水分等から良
好に遮断保護することができるから、ダークスポット等
の劣化のない耐久性の著しく優れたものである。
れた一層又は複数層の有機化合物層より構成される積層
体を配置した有機薄膜電界発光素子において、該積層体
を保護するように封止保護層６が設けられ、その封止保
護層６が構成成分として分子量が２０００以下のカーボ
ネート化合物を用いた有機薄膜型電界発光素子。 【効果】 本発明の電界発光素子は、特有な封止保護層
を設けたことから、電界発光素子を外界の水分等から良
好に遮断保護することができるから、ダークスポット等
の劣化のない耐久性の著しく優れたものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電界の印加によって発光
する、有機薄膜型電界発光素子に関する。
する、有機薄膜型電界発光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】電気信号に応答して多色表示するカラー
表示装置として、近年、完全固体型として高輝度の発光
が得られる有機薄膜型電界発光素子が開発され、各種の
表示装置における発光素子として注目されている。この
有機薄膜型電界発光素子は、有機物質を原料としている
ため、それを構成する材料も多種の材料から選択しうる
こと、完全固体型であるため耐衝撃性に優れているこ
と、低電圧の印加で発光しうること、高輝度高効率の発
光が得られること、更に、多色表示が可能である等、優
れた特性を有しており、それを構成する材料、構造等の
研究が盛んに行なわれている。
表示装置として、近年、完全固体型として高輝度の発光
が得られる有機薄膜型電界発光素子が開発され、各種の
表示装置における発光素子として注目されている。この
有機薄膜型電界発光素子は、有機物質を原料としている
ため、それを構成する材料も多種の材料から選択しうる
こと、完全固体型であるため耐衝撃性に優れているこ
と、低電圧の印加で発光しうること、高輝度高効率の発
光が得られること、更に、多色表示が可能である等、優
れた特性を有しており、それを構成する材料、構造等の
研究が盛んに行なわれている。
【０００３】有機薄膜型電界発光素子としては、その構
造として、陰極／発光層／正孔輸送層／陽極、陰極／電
子輸送層／発光層／陽極、陰極／電子輸送層／発光層／
正孔輸送層／陽極、等の構成のものが開発されている。
具体的には、例えば、透明基板上に、複数の透明陽極、
必要により正孔輸送層、発光層、必要により電子輸送
層、前記透明電極に交差する複数の背面陰極を、順に積
層したものである。
造として、陰極／発光層／正孔輸送層／陽極、陰極／電
子輸送層／発光層／陽極、陰極／電子輸送層／発光層／
正孔輸送層／陽極、等の構成のものが開発されている。
具体的には、例えば、透明基板上に、複数の透明陽極、
必要により正孔輸送層、発光層、必要により電子輸送
層、前記透明電極に交差する複数の背面陰極を、順に積
層したものである。
【０００４】正孔輸送層は、陽極からの正孔を注入させ
易くする機能と、電子をブロックする機能とを有し、一
方電子輸送層は陰極からの電子を注入させ易くする機能
を有している。発光層において、一対の電極から注入さ
れた電子と正孔との再結合によって励起子が生じ、この
励起子が放射失活する過程で光を放ち、この光が透明電
極及び透明基板を介して外部に放出され、表示が可能と
なる。
易くする機能と、電子をブロックする機能とを有し、一
方電子輸送層は陰極からの電子を注入させ易くする機能
を有している。発光層において、一対の電極から注入さ
れた電子と正孔との再結合によって励起子が生じ、この
励起子が放射失活する過程で光を放ち、この光が透明電
極及び透明基板を介して外部に放出され、表示が可能と
なる。
【０００５】このような有機薄膜型電界発光素子におい
て、素子の高精細化のために電極パターンを微細化する
ことが望まれており、電極間に層間絶縁膜を形成し、発
光の均一性を保持し、パターン精度を向上させたものが
提案されている（特開平３−２５０５８３号）。また有
機化合物層と電極間に絶縁層を形成し、パターン精度及
び表示品質を向上させたものも提案されている（特開平
３−２７４６９４号）。更にまた、電極の縁部に絶縁層
を形成し、クロストークや発光のにじみを減少させたも
のも提案されている（特開平４−５１４９４号）。
て、素子の高精細化のために電極パターンを微細化する
ことが望まれており、電極間に層間絶縁膜を形成し、発
光の均一性を保持し、パターン精度を向上させたものが
提案されている（特開平３−２５０５８３号）。また有
機化合物層と電極間に絶縁層を形成し、パターン精度及
び表示品質を向上させたものも提案されている（特開平
３−２７４６９４号）。更にまた、電極の縁部に絶縁層
を形成し、クロストークや発光のにじみを減少させたも
のも提案されている（特開平４−５１４９４号）。
【０００６】更に、これらの有機薄膜型電界発光素子は
外界からの水分の侵入等によって、耐久性低下の原因と
なるダークスポットと呼ばれる非発光部が多発するた
め、その表面に封止保護層を設けることが数多く提案さ
れている（例えば、特開平４−２３３１９２号、特開平
４−２０６３８６号、特開平４−７９１９４号、特開平
４−２１２２８４号）。しかしながら、未だ満足するも
のが得られていないのが現状である。
外界からの水分の侵入等によって、耐久性低下の原因と
なるダークスポットと呼ばれる非発光部が多発するた
め、その表面に封止保護層を設けることが数多く提案さ
れている（例えば、特開平４−２３３１９２号、特開平
４−２０６３８６号、特開平４−７９１９４号、特開平
４−２１２２８４号）。しかしながら、未だ満足するも
のが得られていないのが現状である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、かかる事情
に鑑み、外界からの水分等の侵入を防止し、ダークスポ
ットの発生が少なく、耐久性に優れた電界発光素子を提
供することを目的とする。
に鑑み、外界からの水分等の侵入を防止し、ダークスポ
ットの発生が少なく、耐久性に優れた電界発光素子を提
供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、第１
に、基板上に陽極及び陰極とこれらの間に挟持された一
層又は複数層の有機化合物層より構成される積層体を配
置した有機薄膜型電界発光素子において、該積層体を保
護するように封止保護層が設けられ、その封止保護層が
構成成分として分子量２０００以下のカーボネート化合
物の少なくとも１種を含有することを特徴とする有機薄
膜型電界発光素子が提供される。第２に、カーボネート
化合物が下記一般式（Ｉ）で示される化合物である前記
電界発光素子が提供され、
に、基板上に陽極及び陰極とこれらの間に挟持された一
層又は複数層の有機化合物層より構成される積層体を配
置した有機薄膜型電界発光素子において、該積層体を保
護するように封止保護層が設けられ、その封止保護層が
構成成分として分子量２０００以下のカーボネート化合
物の少なくとも１種を含有することを特徴とする有機薄
膜型電界発光素子が提供される。第２に、カーボネート
化合物が下記一般式（Ｉ）で示される化合物である前記
電界発光素子が提供され、
【化１】 〔式中、Ｒ1，Ｒ2は水素原子、置換もしくは無置換のア
ルキル基、置換もしくは無置換のアリール基を表わし、
Ｒ1，Ｒ2はＮと共合して環を形成してもよい。Ｙは置換
もしくは無置換のアリレン基又は次式
ルキル基、置換もしくは無置換のアリール基を表わし、
Ｒ1，Ｒ2はＮと共合して環を形成してもよい。Ｙは置換
もしくは無置換のアリレン基又は次式
【化２】 （上式中、Ａｒ1，Ａｒ2は置換もしくは無置換のアリレ
ン基を表わし、Ｒ3，Ｒ4は水素原子、置換もしくは無置
換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基を表
わし、ｌは１もしくは２の整数を表わす。）からなる群
より選ばれ、Ｒ1とＲ2もしくはＲ1とＹは夫々共同で環
を形成してもよい。Ｘは置換もしくは無置換のアルキレ
ン基、ジアルキレンエーテル基、置換もしくは無置換の
アリレン基、又は次式
ン基を表わし、Ｒ3，Ｒ4は水素原子、置換もしくは無置
換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基を表
わし、ｌは１もしくは２の整数を表わす。）からなる群
より選ばれ、Ｒ1とＲ2もしくはＲ1とＹは夫々共同で環
を形成してもよい。Ｘは置換もしくは無置換のアルキレ
ン基、ジアルキレンエーテル基、置換もしくは無置換の
アリレン基、又は次式
【化３】−Ａｒ3−Ｚ−Ａｒ4− （式中、Ａｒ3，Ａｒ4は置換もしくは無置換のアリレン
基を表わし、Ｚは置換もしくは無置換のアルキレン基、
ジアルキレンエーテル基、置換もしくは無置換のシクロ
アルキリデン基、酸素原子、イオウ原子、ビニレン基を
表わす。）を表わす。ｍは０もしくは１、ｎは０〜６の
整数を表わす。〕第３に、カーボネート化合物が下記一
般式（ＩＩ）で示される化合物である前記電界発光素子
が提供され、
基を表わし、Ｚは置換もしくは無置換のアルキレン基、
ジアルキレンエーテル基、置換もしくは無置換のシクロ
アルキリデン基、酸素原子、イオウ原子、ビニレン基を
表わす。）を表わす。ｍは０もしくは１、ｎは０〜６の
整数を表わす。〕第３に、カーボネート化合物が下記一
般式（ＩＩ）で示される化合物である前記電界発光素子
が提供され、
【化３】 〔上式中、Ｒ1，Ｒ2は水素原子、置換もしくは無置換の
アルキル基、置換もしくは無置換のアリール基を表わ
し、Ｙは置換もしくは無置換のアリレン基、又は次式
アルキル基、置換もしくは無置換のアリール基を表わ
し、Ｙは置換もしくは無置換のアリレン基、又は次式
【化２】 （上式中、Ａｒ1，Ａｒ2は置換もしくは無置換のアリレ
ン基を表わし、Ｒ3，Ｒ4は水素原子、置換もしくは無置
換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基を表
わし、ｌは１もしくは２の整数を表わす。）からなる群
より選ばれ、Ｒ1とＲ2もしくはＲ1とＹは夫々共同で環
を形成してもよい。Ｒ6は無置換のアルキル基、置換も
しくは無置換のアリール基を表わし、ｍは０もしくは
１、ｎは０〜６の整数を表わす。〕第４に封止保護層の
上に更に第２保護層を設け、その構成成分を無機酸化物
好ましくは一酸化ゲルマニウムとした前電界発光素子が
提供される。
ン基を表わし、Ｒ3，Ｒ4は水素原子、置換もしくは無置
換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基を表
わし、ｌは１もしくは２の整数を表わす。）からなる群
より選ばれ、Ｒ1とＲ2もしくはＲ1とＹは夫々共同で環
を形成してもよい。Ｒ6は無置換のアルキル基、置換も
しくは無置換のアリール基を表わし、ｍは０もしくは
１、ｎは０〜６の整数を表わす。〕第４に封止保護層の
上に更に第２保護層を設け、その構成成分を無機酸化物
好ましくは一酸化ゲルマニウムとした前電界発光素子が
提供される。
【０００９】以下、本発明を図面に沿って説明する。図
１は、本発明の代表的な電界発光素の構成図であり、１
はガラス基板、２は陽極、３は正孔輸送層、４は発光
層、５は陰極、６は封止保護層である。
１は、本発明の代表的な電界発光素の構成図であり、１
はガラス基板、２は陽極、３は正孔輸送層、４は発光
層、５は陰極、６は封止保護層である。
【００１０】本発明に係る封止保護層は前記したよう
に、分子量２０００以下のカーボネート化合物の少なく
とも１種を主成分とする。カーボネート化合物の分子量
が２０００を越えると、膜形成時に分解等が生じ、封止
保護層として性能が低下するので好ましくない。
に、分子量２０００以下のカーボネート化合物の少なく
とも１種を主成分とする。カーボネート化合物の分子量
が２０００を越えると、膜形成時に分解等が生じ、封止
保護層として性能が低下するので好ましくない。
【００１１】本発明で好ましく用いられるカーボネート
化合物は、前記一般式（Ｉ）及び（ＩＩ）で示されるも
のである。
化合物は、前記一般式（Ｉ）及び（ＩＩ）で示されるも
のである。
【００１２】一般式（Ｉ）で示される化合物の具体例と
しては、後記表１〜２に示されるヒドロキシ化合物と表
３に示されるビス（クロロホルメート）化合物との反応
生成物等が挙げられる。また、前記一般式（ＩＩ）で示
される化合物の具体例としては後記表４に示される化合
物が挙げられる。
しては、後記表１〜２に示されるヒドロキシ化合物と表
３に示されるビス（クロロホルメート）化合物との反応
生成物等が挙げられる。また、前記一般式（ＩＩ）で示
される化合物の具体例としては後記表４に示される化合
物が挙げられる。
【００１３】本発明に係る電界発光素子の他の構成例を
図２に示す。図２に示される電界発光素子は図１の封止
保護層６（第１保護層）の上に第２封止保護層７を設け
たものである。この第２封止保護層の主成分は無機酸化
物である。無機酸化物としては、ＣｅＯ2、Ｃｒ2Ｏ3、
ＭｇＯ、ＭｏＯ3、ＳｉＯ、ＳｉＯ2、ＴｉＯ、Ｔｉ
Ｏ2、ＧｅＯ等が挙げられるが、好ましいのはＧｅＯ
（一酸化ゲルマニウム）である。
図２に示す。図２に示される電界発光素子は図１の封止
保護層６（第１保護層）の上に第２封止保護層７を設け
たものである。この第２封止保護層の主成分は無機酸化
物である。無機酸化物としては、ＣｅＯ2、Ｃｒ2Ｏ3、
ＭｇＯ、ＭｏＯ3、ＳｉＯ、ＳｉＯ2、ＴｉＯ、Ｔｉ
Ｏ2、ＧｅＯ等が挙げられるが、好ましいのはＧｅＯ
（一酸化ゲルマニウム）である。
【００１４】図２に示される素子は、に第１封止保護層
の上に更に無機酸化物を主成分とする第２封止保護層を
設けたことから、密着性が向上し、剥離しにくいものと
なるので図１の素子に比べ耐久性が一層高められたもの
となる。
の上に更に無機酸化物を主成分とする第２封止保護層を
設けたことから、密着性が向上し、剥離しにくいものと
なるので図１の素子に比べ耐久性が一層高められたもの
となる。
【００１５】第１及び第２封止保護層の作成は蒸着法、
溶液塗布法等の良好な膜形成法であれば任意の形成法を
利用できる。例えば蒸着法の場合には多元蒸着法により
所望の形態で作製が可能であり、溶液塗布法では所望の
割合で塗布液を調整して成膜することができる。封止保
護層の緻密性や素子作製時の積層容易性等から蒸着法が
好ましく、また抵抗加熱による蒸発が困難な無機酸化物
を用いる場合には電子ビーム蒸着法等を利用するのが好
ましい。また第２封止保護層を形成する場合、他の構成
要素が抵抗加熱蒸着法により形成されているのであれ
ば、第２封止保護層もかかる蒸着法を採用するのがよ
い。このことにより連続操作が可能となる。封止保護層
の膜厚は任意であるが、保護層の機能の発現性からみ
て、いずれの保護層も５００Å以上好ましくは１０００
Å以上であることがより好ましい。
溶液塗布法等の良好な膜形成法であれば任意の形成法を
利用できる。例えば蒸着法の場合には多元蒸着法により
所望の形態で作製が可能であり、溶液塗布法では所望の
割合で塗布液を調整して成膜することができる。封止保
護層の緻密性や素子作製時の積層容易性等から蒸着法が
好ましく、また抵抗加熱による蒸発が困難な無機酸化物
を用いる場合には電子ビーム蒸着法等を利用するのが好
ましい。また第２封止保護層を形成する場合、他の構成
要素が抵抗加熱蒸着法により形成されているのであれ
ば、第２封止保護層もかかる蒸着法を採用するのがよ
い。このことにより連続操作が可能となる。封止保護層
の膜厚は任意であるが、保護層の機能の発現性からみ
て、いずれの保護層も５００Å以上好ましくは１０００
Å以上であることがより好ましい。
【００１６】
【表１−（１）】
【００１７】
【表１−（２）】
【００１８】
【表１−（３）】
【００１９】
【表１−（４）】
【００２０】
【表１−（５）】
【００２１】
【表２−（１）】
【００２２】
【表３−（１）】
【００２３】
【表３−（２）】
【００２４】
【表３−（３）】
【００２５】
【表３−（４）】
【００２６】
【表３−（５）】
【００２７】
【表３−（６）】
【００２８】
【表４−（１）】
【００２９】
【表４−（２）】
【００３０】
【表４−（３）】
【００３１】
【表４−（４）】
【００３２】
【表４−（５）】
【００３３】次に、本発明の他の構成要素について説明
する。有機化合物を構成成分とする層としては、例えば
発光層、正孔輸送性化合物と電子輸送性化合物との組合
せになる発光層、正孔輸送層、電子輸送層等が挙げら
れ、有機化合物としては従来公知のものがいずれも使用
できる。以下、その具体例を示す。
する。有機化合物を構成成分とする層としては、例えば
発光層、正孔輸送性化合物と電子輸送性化合物との組合
せになる発光層、正孔輸送層、電子輸送層等が挙げら
れ、有機化合物としては従来公知のものがいずれも使用
できる。以下、その具体例を示す。
【００３４】正孔輸送能を有する電子供与性有機化合物
としては、ポリビニルカルバゾールのような正孔輸送能
に優れた高分子化合物や正孔輸送能に優れた低分子化合
物が挙げられる。低分子化合物の例としては、トリフェ
ニルアミン類、スチルベン誘導体類、オキサジアゾール
類等が挙げられ、その具体例としては、例えば以下のよ
うなものが例示される。
としては、ポリビニルカルバゾールのような正孔輸送能
に優れた高分子化合物や正孔輸送能に優れた低分子化合
物が挙げられる。低分子化合物の例としては、トリフェ
ニルアミン類、スチルベン誘導体類、オキサジアゾール
類等が挙げられ、その具体例としては、例えば以下のよ
うなものが例示される。
【００３５】
【表５】
【００３６】発光性有機化合物としては、電子輸送性ま
たは正孔輸送性を持ち、固体状態で強い蛍光を発する物
質を用いる。電子輸送性の物質としては例えば、ペリノ
ン誘導体、、キノリン錯体誘導体が挙げられるが、その
具体例としては次のような物質等を挙げることができ
る。
たは正孔輸送性を持ち、固体状態で強い蛍光を発する物
質を用いる。電子輸送性の物質としては例えば、ペリノ
ン誘導体、、キノリン錯体誘導体が挙げられるが、その
具体例としては次のような物質等を挙げることができ
る。
【００３７】
【表６】
【００３８】正孔輸送性の物質としては例えば、トリフ
ェニルアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、トリフ
ェニルアミン誘導体が挙げられるが、その具体例として
は次のような物質等を挙げることができる。
ェニルアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、トリフ
ェニルアミン誘導体が挙げられるが、その具体例として
は次のような物質等を挙げることができる。
【００３９】
【表７】
【００４０】発光層は、正孔輸送性、電子輸送性、発光
特性を有する化合物を各々単独で用いた単層、あるいは
正孔輸送性化合物、発光性化合物あるいは電子輸送性化
合物の組合せによりなる多層で形成されていてもよい。
特性を有する化合物を各々単独で用いた単層、あるいは
正孔輸送性化合物、発光性化合物あるいは電子輸送性化
合物の組合せによりなる多層で形成されていてもよい。
【００４１】陽極２としては金、白金、パラジウムなど
の金属の蒸着、スパッタ膜あるいはスズ、インジウム−
スズの酸化薄膜（ＩＴＯ）等で形成され、発光を取り出
すため、４００ｎｍ以上の波長領域で透明であることが
望ましい。
の金属の蒸着、スパッタ膜あるいはスズ、インジウム−
スズの酸化薄膜（ＩＴＯ）等で形成され、発光を取り出
すため、４００ｎｍ以上の波長領域で透明であることが
望ましい。
【００４２】陽極４は、金属の真空蒸着により前記発光
層上に形成されるが、その材質としては真空蒸着可能な
あらゆる金属が使用され得るが、仕事関数が小さい金
属、特にＭｇ、Ａｌ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｍｎ、
あるいはこれらの合金を用いることが望ましい。
層上に形成されるが、その材質としては真空蒸着可能な
あらゆる金属が使用され得るが、仕事関数が小さい金
属、特にＭｇ、Ａｌ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｍｎ、
あるいはこれらの合金を用いることが望ましい。
【００４３】
【実施例】つぎに、本発明を実施例により更に詳細に説
明する。
明する。
【００４４】実施例１ ＩＴＯより成る２ｍｍ幅のストライプ状陽極パターンを
形成したガラス基板を用い、図１に示すように正孔輸送
層５００Å、発光層５００Åを蒸着して積層した。な
お、正孔輸送層、発光層に用いた有機化合物は各々下記
に示す〔化４〕、〔化５〕である。次にＭｇＣｕ合金
（Ｍｇ：Ｃｕ＝１０：１）より成る陰極を２ｍｍ幅でＩ
ＴＯ陽極パターンと交差するように膜厚３０００Åで蒸
着した。最後に封止保護層としてカーボネート化合物
〔表１−（１）Ｎｏ．１と表３−（２）Ｎｏ．１１との
反応生成物〕を用い、膜厚３０００Åに積層し電界発光
素子を作製した。以上のようにして作製した素子は、素
子作製１カ月後においても、ダークスポットによる発光
領域の減少率は約１０％であり、耐久性に優れた素子で
あった。
形成したガラス基板を用い、図１に示すように正孔輸送
層５００Å、発光層５００Åを蒸着して積層した。な
お、正孔輸送層、発光層に用いた有機化合物は各々下記
に示す〔化４〕、〔化５〕である。次にＭｇＣｕ合金
（Ｍｇ：Ｃｕ＝１０：１）より成る陰極を２ｍｍ幅でＩ
ＴＯ陽極パターンと交差するように膜厚３０００Åで蒸
着した。最後に封止保護層としてカーボネート化合物
〔表１−（１）Ｎｏ．１と表３−（２）Ｎｏ．１１との
反応生成物〕を用い、膜厚３０００Åに積層し電界発光
素子を作製した。以上のようにして作製した素子は、素
子作製１カ月後においても、ダークスポットによる発光
領域の減少率は約１０％であり、耐久性に優れた素子で
あった。
【化４】
【化５】
【００４５】実施例２ 実施例１における第１封止保護層成分を表１−（１）Ｎ
ｏ．６と表３−（２）Ｎｏ．１１で示される化合物との
反応生成物であるカーボネート化合物に代えた以外は実
施例１と同様にして電界発光素子を作製した。この素子
は、素子作製後１ケ月後においてもダークスポットによ
る発光領域の減少率は約９％であり、耐久性に優れた素
子であった。
ｏ．６と表３−（２）Ｎｏ．１１で示される化合物との
反応生成物であるカーボネート化合物に代えた以外は実
施例１と同様にして電界発光素子を作製した。この素子
は、素子作製後１ケ月後においてもダークスポットによ
る発光領域の減少率は約９％であり、耐久性に優れた素
子であった。
【００４６】実施例３ 実施例１における第１封止保護層成分のカーボネート化
合物を表４のＮｏ．１２のカーボネート化合物に代えた
以外は実施例１と同様にして電界発光素子を作製した。
この素子は、素子作製後１ケ月後においてもダークスポ
ットによる発光領域の減少率は約１２％であり、耐久性
に優れた素子であった。
合物を表４のＮｏ．１２のカーボネート化合物に代えた
以外は実施例１と同様にして電界発光素子を作製した。
この素子は、素子作製後１ケ月後においてもダークスポ
ットによる発光領域の減少率は約１２％であり、耐久性
に優れた素子であった。
【００４７】実施例４ 実施例１と同様にして作製した素子に更に第２封止保護
層としてＧｅＯを用い蒸着により膜厚３０００Åで積層
し、図２に示すような電界発光素子を作製した。以上の
ようにして作製した素子は、素子作製２ケ月後において
もダークスポットによる発光領域の減少率は約６％であ
り、耐久性に優れた素子であった。
層としてＧｅＯを用い蒸着により膜厚３０００Åで積層
し、図２に示すような電界発光素子を作製した。以上の
ようにして作製した素子は、素子作製２ケ月後において
もダークスポットによる発光領域の減少率は約６％であ
り、耐久性に優れた素子であった。
【００４８】実施例５ 実施例３と同様にして作製した素子に更に第２封止保護
層としてＳｉＯを用い蒸着により膜厚３０００Åで積層
し、図２に示すような電界発光素子を作製した。以上の
ようにして作製した素子は、素子作製２ケ月後において
もダークスポットによる発光領域の減少率は約８％であ
り、耐久性に優れた素子であった。
層としてＳｉＯを用い蒸着により膜厚３０００Åで積層
し、図２に示すような電界発光素子を作製した。以上の
ようにして作製した素子は、素子作製２ケ月後において
もダークスポットによる発光領域の減少率は約８％であ
り、耐久性に優れた素子であった。
【００４９】比較例 陰極を積層するまでは実施例１と同様にして素子を作製
した。その後封止保護層としてＳｉＯを用い膜厚３００
０Åで蒸着して積層し、電界発光素子を作製した。以上
のようにして作製した素子は、素子作製１週間後には封
止保護層の部分的剥離が生じ、その時のダークスポット
による発光領域の減少率は約５０％以上であった。
した。その後封止保護層としてＳｉＯを用い膜厚３００
０Åで蒸着して積層し、電界発光素子を作製した。以上
のようにして作製した素子は、素子作製１週間後には封
止保護層の部分的剥離が生じ、その時のダークスポット
による発光領域の減少率は約５０％以上であった。
【００５０】
【発明の効果】請求項１の電界発光素子は、前記したよ
うに特有な封止保護層を設けたことから、電界発光素子
を外界の水分等から良好に遮断保護することができるの
で、ダークスポット等の劣化のない耐久性の著しく優れ
たものである。請求項２の電界発光素子は、第２封止保
護層を設けたことから更に密着性が良好となり剥離を生
じないことから、更に耐久性が向上したものとなる。
うに特有な封止保護層を設けたことから、電界発光素子
を外界の水分等から良好に遮断保護することができるの
で、ダークスポット等の劣化のない耐久性の著しく優れ
たものである。請求項２の電界発光素子は、第２封止保
護層を設けたことから更に密着性が良好となり剥離を生
じないことから、更に耐久性が向上したものとなる。
【００５１】
【図１】 本発明に係る電界発光素子の模式断面図。
【図２】 本発明に係る他の電界発光素子の模式断面
図。
図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 安達 千波矢 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 田元 望 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内
Claims (5)
- 【請求項１】 基板上に陽極及び陰極とこれらの間に挟
持された一層又は複数層の有機化合物層より構成される
積層体を配置した有機薄膜型電界発光素子において、該
積層体を保護するように封止保護層が設けられ、その封
止保護層が構成成分として分子量２０００以下のカーボ
ネート化合物の少なくとも１種を含有することを特徴と
する有機薄膜型電界発光素子。 - 【請求項２】 カーボネート化合物が下記一般式（Ｉ）
で示される化合物である請求項１の電界発光素子。 【化１】 〔式中、Ｒ1，Ｒ2は水素原子、置換もしくは無置換のア
ルキル基、置換もしくは無置換のアリール基を表わし、
Ｒ1，Ｒ2はＮと共合して環を形成してもよい。Ｙは置換
もしくは無置換のアリレン基又は次式 【化２】 （式中、Ａｒ1，Ａｒ2は置換もしくは無置換のアリレン
基を表わし、Ｒ3，Ｒ4は水素原子、置換もしくは無置換
のアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基を表わ
し、ｌは１もしくは２の整数を表わす。）からなる群よ
り選ばれ、Ｒ1とＹは夫々共同で環を形成してもよい。
Ｘは置換もしくは無置換のアルキレン基、ジアルキレン
エーテル基、置換もしくは無置換のアリレン基、又は次
式 −Ａｒ3−Ｚ−Ａｒ4− （式中、Ａｒ3，Ａｒ4は置換も
しくは無置換のアリレン基を表わし、Ｚは置換もしくは
無置換のアルキレン基、ジアルキレンエーテル基、置換
もしくは無置換のシクロアルキリデン基、酸素原子、イ
オウ原子、ビニレン基を表わす。）を表わす。ｍは０も
しくは１、ｎは０〜６の整数を表わす。〕 - 【請求項３】 カーボネート化合物が下記一般式（Ｉ
Ｉ）で示される化合物である請求項１の電界発光素子。 【化３】 〔式中、Ｒ1，Ｒ2は水素原子、置換もしくは無置換のア
ルキル基、置換もしくは無置換のアリール基を表わし、
Ｙは置換もしくは無置換のアリレン基、又は次式 【化２】 （式中、Ａｒ1，Ａｒ2は置換もしくは無置換のアリレン
基を表わし、Ｒ3，Ｒ4は水素原子、置換もしくは無置換
のアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基を表わ
し、ｌは１もしくは２の整数を表わす。）からなる群よ
り選ばれ、Ｒ1とＲ2もしくはＲ1とＹは夫々共同で環を
形成してもよい。Ｒ6は無置換のアルキル基、置換もし
くは無置換のアリール基を表わし、ｍは０もしくは１、
ｎは０〜６の整数を表わす。〕 - 【請求項４】 封止保護層の上に更に第２保護層を設
け、その構成成分を無機酸化物とした請求項１乃至３何
れか記載の電界発光素子。 - 【請求項５】 無機酸化物が一酸化ゲルマニウムである
請求項４の電界発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5348390A JPH07192868A (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 有機薄膜型電界発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5348390A JPH07192868A (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 有機薄膜型電界発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07192868A true JPH07192868A (ja) | 1995-07-28 |
Family
ID=18396706
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5348390A Pending JPH07192868A (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 有機薄膜型電界発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07192868A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6583557B2 (en) | 2000-04-26 | 2003-06-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Organic luminescent element |
| KR20110064749A (ko) * | 2009-12-08 | 2011-06-15 | 삼성전자주식회사 | 폴리아믹산, 폴리이미드, 그 제조방법 및 이를 이용한 폴리이미드 필름 |
-
1993
- 1993-12-27 JP JP5348390A patent/JPH07192868A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6583557B2 (en) | 2000-04-26 | 2003-06-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Organic luminescent element |
| KR20110064749A (ko) * | 2009-12-08 | 2011-06-15 | 삼성전자주식회사 | 폴리아믹산, 폴리이미드, 그 제조방법 및 이를 이용한 폴리이미드 필름 |
| US8426550B2 (en) | 2009-12-08 | 2013-04-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Polyamic acid, polyimide, manufacturing method thereof, and polyimide film |
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