JPH07182656A - 情報記録媒体の初期化方法及び装置 - Google Patents
情報記録媒体の初期化方法及び装置Info
- Publication number
- JPH07182656A JPH07182656A JP5329111A JP32911193A JPH07182656A JP H07182656 A JPH07182656 A JP H07182656A JP 5329111 A JP5329111 A JP 5329111A JP 32911193 A JP32911193 A JP 32911193A JP H07182656 A JPH07182656 A JP H07182656A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- disc
- recording medium
- information recording
- xenon
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- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明はキセノンランプを複数本配置して、
フラッシュ露光により、光ディスクの初期結晶化を短時
間で行うものである。 【構成】 複数本配置されたキセノンランプの間隔を可
変とし、平行に配置されたキセノンランプの間隔が中心
では端部よりも相対的に広くし、また、キセノンランプ
とディスク面の距離を可変とし、ディスク面の内周側で
は外周側よりも相対的に高くすることにより、中央付近
の光源および熱が低減されディスク基板全体に同量の光
源および熱が、照射され均一な結晶化ができるものであ
る。
フラッシュ露光により、光ディスクの初期結晶化を短時
間で行うものである。 【構成】 複数本配置されたキセノンランプの間隔を可
変とし、平行に配置されたキセノンランプの間隔が中心
では端部よりも相対的に広くし、また、キセノンランプ
とディスク面の距離を可変とし、ディスク面の内周側で
は外周側よりも相対的に高くすることにより、中央付近
の光源および熱が低減されディスク基板全体に同量の光
源および熱が、照射され均一な結晶化ができるものであ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、相変化型光ディスクの
記録膜を一括して、結晶化を行うための方法および装置
に関するものである。
記録膜を一括して、結晶化を行うための方法および装置
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より円盤状の基板からなるディスク
基板から一方の面に記録媒体層を形成し、ディスク基板
側よりレーザ光を照射して、光学的濃度を変化させたビ
ットを形成して記録・再生、更に記録媒体層の光学的濃
度を可逆的に変化させて繰り返し記録・消去が可能な消
去ディスクが実用化されている。記録媒体としては、Ｔ
ｅ系カルコゲナイドガラスのように非晶質状態と結晶状
態との間の相変態を利用したものが用いられている。
基板から一方の面に記録媒体層を形成し、ディスク基板
側よりレーザ光を照射して、光学的濃度を変化させたビ
ットを形成して記録・再生、更に記録媒体層の光学的濃
度を可逆的に変化させて繰り返し記録・消去が可能な消
去ディスクが実用化されている。記録媒体としては、Ｔ
ｅ系カルコゲナイドガラスのように非晶質状態と結晶状
態との間の相変態を利用したものが用いられている。
【０００３】記録は、レーザ光を照射して記録薄膜を、
融点以上に加熱急冷することで非晶質化する。
融点以上に加熱急冷することで非晶質化する。
【０００４】消去は、レーザ光を照射して記録薄膜を加
熱徐冷する事により非晶質を結晶化することでおこな
う。すなわち、非晶質化の反射率と結晶化の反射率の差
を利用している。
熱徐冷する事により非晶質を結晶化することでおこな
う。すなわち、非晶質化の反射率と結晶化の反射率の差
を利用している。
【０００５】但し、Ｔｅ系カルコゲナイドガラスなどの
薄膜の形成後は、一般的に非晶質または中間状態であ
り、完全な結晶状態ではない。従って、記録薄膜をあら
かじめ初期結晶化を行う必要がある。
薄膜の形成後は、一般的に非晶質または中間状態であ
り、完全な結晶状態ではない。従って、記録薄膜をあら
かじめ初期結晶化を行う必要がある。
【０００６】その方法として、半導体レーザの集光ビー
ムを用いて初期結晶化を行っている。
ムを用いて初期結晶化を行っている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来技術の半
導体レーザの集光ビームでの初期結晶化方法では、集光
ビームを直径３０〜６０μｍに絞り、回転するディスク
に照射して結晶化を行う為、例えば直径３０ｃｍの光デ
ィスクを初期結晶化するのに数時間を要する、したがっ
て、生産性において効率が悪くなるといった課題があっ
た。
導体レーザの集光ビームでの初期結晶化方法では、集光
ビームを直径３０〜６０μｍに絞り、回転するディスク
に照射して結晶化を行う為、例えば直径３０ｃｍの光デ
ィスクを初期結晶化するのに数時間を要する、したがっ
て、生産性において効率が悪くなるといった課題があっ
た。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記、課題を解決するた
め、本発明はキセノンランプを複数本配置して、フラッ
シュ露光により、光ディスクの初期結晶化を短時間で行
うものである。
め、本発明はキセノンランプを複数本配置して、フラッ
シュ露光により、光ディスクの初期結晶化を短時間で行
うものである。
【０００９】
【作用】複数本配置されたキセノンランプの間隔を可変
とし、平行に配置されたキセノンランプの間隔が中心で
は端部よりも相対的に広くし、また、キセノンランプと
ディスク面の距離を可変とし、ディスク面の内周側では
外周側よりも相対的に高くすることにより、中央付近の
光源および熱が低減されディスク基板全体に同量の光源
および熱が、照射され均一な結晶化ができるものであ
る。
とし、平行に配置されたキセノンランプの間隔が中心で
は端部よりも相対的に広くし、また、キセノンランプと
ディスク面の距離を可変とし、ディスク面の内周側では
外周側よりも相対的に高くすることにより、中央付近の
光源および熱が低減されディスク基板全体に同量の光源
および熱が、照射され均一な結晶化ができるものであ
る。
【００１０】
【実施例】以下図面に基づいて本発明を説明する。
【００１１】図１は、本発明の結晶化装置である。１は
反射板、２はキセノンランプ、３はディスク基板、４は
マスク、５は光源である。キセノンランプ２の配置を図
２および図３に示す。図２は、キセノンランプ２とディ
スク基板３との距離を示している、ランプ１１〜１４
は、ランプ１とランプ２４よりも５〜１０ｍｍディスク
基板との距離を高くして、ランプ１〜ランプ１１は０．
５ｍｍづつディスク基板との距離を高くしている。逆に
ランプ１４〜ランプ２４は０．５ｍｍづつディスク基板
との距離を低くする。
反射板、２はキセノンランプ、３はディスク基板、４は
マスク、５は光源である。キセノンランプ２の配置を図
２および図３に示す。図２は、キセノンランプ２とディ
スク基板３との距離を示している、ランプ１１〜１４
は、ランプ１とランプ２４よりも５〜１０ｍｍディスク
基板との距離を高くして、ランプ１〜ランプ１１は０．
５ｍｍづつディスク基板との距離を高くしている。逆に
ランプ１４〜ランプ２４は０．５ｍｍづつディスク基板
との距離を低くする。
【００１２】図３は、キセノンランプ２の間隔を示して
いる。ランプ１とランプ２の間隔は２ｍｍで以降ランプ
１２まで０．１ｍｍあるいは０．２ｍｍづつ間隔を大き
くして広げていく、すなわち、ランプ１１とランプ１２
の間隔は３ｍｍあるいは４ｍｍとなる、逆にランプ１３
とランプ１４は３ｍｍあるいは４ｍｍで以降ランプ２４
まで０．１ｍｍあるいは０．２ｍｍづつ間隔を狭くして
いる、すなわち、ランプ２３とランプ２４の間隔は２ｍ
ｍである。また、ランプ１２とランプ１３の間隔は３ｍ
ｍまたは４ｍｍである。
いる。ランプ１とランプ２の間隔は２ｍｍで以降ランプ
１２まで０．１ｍｍあるいは０．２ｍｍづつ間隔を大き
くして広げていく、すなわち、ランプ１１とランプ１２
の間隔は３ｍｍあるいは４ｍｍとなる、逆にランプ１３
とランプ１４は３ｍｍあるいは４ｍｍで以降ランプ２４
まで０．１ｍｍあるいは０．２ｍｍづつ間隔を狭くして
いる、すなわち、ランプ２３とランプ２４の間隔は２ｍ
ｍである。また、ランプ１２とランプ１３の間隔は３ｍ
ｍまたは４ｍｍである。
【００１３】図４は、ディスク基板３の断面図であり、
４１は基板、４２は第１の誘電体膜、４３は記録膜、４
４は第２の誘電体膜、４５は反射膜、４６は接着剤、４
７は保護板である。また、ディスク基板はこの限りでは
なく光吸収の大きい記録膜を持つものであればよく、更
に、両面ディスクでもよい。
４１は基板、４２は第１の誘電体膜、４３は記録膜、４
４は第２の誘電体膜、４５は反射膜、４６は接着剤、４
７は保護板である。また、ディスク基板はこの限りでは
なく光吸収の大きい記録膜を持つものであればよく、更
に、両面ディスクでもよい。
【００１４】図５は、マスク４に文字を切り抜いた例示
でありこの限りではない。図６は、第１図のキセノンラ
ンプ２を放電させるための回路の一例を示したものであ
る。メインコンデンサーＣは、（３０００μＦ〜３１０
０μＦ）充電抵抗Ｒ（１０ＫΩ／１００Ｗ）を通してＶ
C ＝ＶL まで充電される。
でありこの限りではない。図６は、第１図のキセノンラ
ンプ２を放電させるための回路の一例を示したものであ
る。メインコンデンサーＣは、（３０００μＦ〜３１０
０μＦ）充電抵抗Ｒ（１０ＫΩ／１００Ｗ）を通してＶ
C ＝ＶL まで充電される。
【００１５】この時、キセノンランプ２の内部のキセノ
ンガスはまだ絶縁状態を保っている。同様にトリガコン
デンサＣT は、抵抗ｒを通してＶCT＝ＶT に充電されて
おり、この状態でスイッチＳＷを閉じると、ＣT に蓄え
られたエネルギーは、トリガコイルにより高周波・高電
圧のエネルギーに変換されてキセノンランプ２のトリガ
電極に印加される。
ンガスはまだ絶縁状態を保っている。同様にトリガコン
デンサＣT は、抵抗ｒを通してＶCT＝ＶT に充電されて
おり、この状態でスイッチＳＷを閉じると、ＣT に蓄え
られたエネルギーは、トリガコイルにより高周波・高電
圧のエネルギーに変換されてキセノンランプ２のトリガ
電極に印加される。
【００１６】この高周波・高電圧によりキセノンランプ
２の内部のキセノンガスが絶縁破壊され、陰陽極間に急
激な放電が開始される。これにより、メインコンデンサ
Ｃに蓄えられたエネルギーは光のエネルギーとなり瞬間
的に発光する。この結晶化装置を用いて相変化光ディス
クの初期結晶化方法について説明する。キセノンランプ
２は直径１１ｍｍで放電距離３５０ｍｍを２４本使用
し、距離を図２のように配置し、ランプ１とランプ２４
の距離は２５ｍｍで、直径３００ｍｍのディスク基板３
とマスク４をセットして、キセノンランプ２の出力を６
００〜６５０W・sec／本で結晶化を行い、初期特性のＣ
／Ｎ，Ｅｒｓを評価したところ半導体レーザで結晶化を
行った時の初期特性と同様の結果が得られ初期結晶化が
できていることが確認できた。但し、光量分布が＋５％
以上になると、ディスクの内周付近の結晶化が不十分と
なり記録・消去を繰り返すことにより、反射率が少しず
つ高くなってくる。また、光量分布がー５％以下になる
と、ディスクの内周付近のエネルギーが、強すぎて記録
膜にクラックが発生する。光量分布は、ディテクターを
使用して測定した。更に、初期結晶化時間は半導体レー
ザの１／３０と短縮できた。また、マスク４を図４に示
すように文字をくりぬき、基板の内周部にセットして、
結晶化を行うことにより、くりぬいている文字のところ
と、マスクされているところの反射率がことなるため、
文字がうかびあがるそのことにより、あらためてラベル
などを貼り付ける必要がなくなる。
２の内部のキセノンガスが絶縁破壊され、陰陽極間に急
激な放電が開始される。これにより、メインコンデンサ
Ｃに蓄えられたエネルギーは光のエネルギーとなり瞬間
的に発光する。この結晶化装置を用いて相変化光ディス
クの初期結晶化方法について説明する。キセノンランプ
２は直径１１ｍｍで放電距離３５０ｍｍを２４本使用
し、距離を図２のように配置し、ランプ１とランプ２４
の距離は２５ｍｍで、直径３００ｍｍのディスク基板３
とマスク４をセットして、キセノンランプ２の出力を６
００〜６５０W・sec／本で結晶化を行い、初期特性のＣ
／Ｎ，Ｅｒｓを評価したところ半導体レーザで結晶化を
行った時の初期特性と同様の結果が得られ初期結晶化が
できていることが確認できた。但し、光量分布が＋５％
以上になると、ディスクの内周付近の結晶化が不十分と
なり記録・消去を繰り返すことにより、反射率が少しず
つ高くなってくる。また、光量分布がー５％以下になる
と、ディスクの内周付近のエネルギーが、強すぎて記録
膜にクラックが発生する。光量分布は、ディテクターを
使用して測定した。更に、初期結晶化時間は半導体レー
ザの１／３０と短縮できた。また、マスク４を図４に示
すように文字をくりぬき、基板の内周部にセットして、
結晶化を行うことにより、くりぬいている文字のところ
と、マスクされているところの反射率がことなるため、
文字がうかびあがるそのことにより、あらためてラベル
などを貼り付ける必要がなくなる。
【００１７】つぎに、この結晶化装置を用いて相変化光
ディスクの初期結晶化方法について説明する。キセノン
ランプ２の放電距離３５０ｍｍを２４本使用し、ランプ
とディスク間の距離をすべて２５ｍｍとし、ランプの間
隔を第３図のように配置し、直径３００ｍｍのディスク
基板３とマスク４をセットして、キセノンランプ２の出
力を６００〜６５０W・sec／本で結晶化を行い、初期特
性のＣ／Ｎ，Ｅｒｓを評価したところ半導体レーザで結
晶化を行った時の初期特性と同様の結果が得られ初期結
晶化ができていることが確認できた。更に、初期結晶化
時間は半導体レーザの１／３０と短縮できた。
ディスクの初期結晶化方法について説明する。キセノン
ランプ２の放電距離３５０ｍｍを２４本使用し、ランプ
とディスク間の距離をすべて２５ｍｍとし、ランプの間
隔を第３図のように配置し、直径３００ｍｍのディスク
基板３とマスク４をセットして、キセノンランプ２の出
力を６００〜６５０W・sec／本で結晶化を行い、初期特
性のＣ／Ｎ，Ｅｒｓを評価したところ半導体レーザで結
晶化を行った時の初期特性と同様の結果が得られ初期結
晶化ができていることが確認できた。更に、初期結晶化
時間は半導体レーザの１／３０と短縮できた。
【００１８】
【発明の効果】本発明により、相変化光ディスクの初期
結晶化の時間短縮が図れ、且つ、生産性が向上する効果
が得られた。
結晶化の時間短縮が図れ、且つ、生産性が向上する効果
が得られた。
【図１】本発明の実施例１における結晶化装置の断面図
【図２】キセノンランプとディスクとの距離を示す断面
図
図
【図３】キセノンランプ間の間隔を示す断面図
【図４】ディスク基板３の断面図
【図５】マスク４に文字を切り抜いた所を示す平面図
【図６】キセノンランプ２を放電させるための回路図
１ 反射板 ２ キセノンランプ ３ ディスク基板 ４ マスク ５ 光源
Claims (5)
- 【請求項１】フラッシュ露光で記録膜を結晶化すること
によって、ディスクの初期状態を得る方法であって、結
晶化を行う際には、ディスクの中央部をマスクで覆うこ
とによって光を遮断し、更に、そのマスクには、その情
報記録媒体に関する情報を、予めカッティングしておく
ことを特徴とする情報記録媒体の初期化方法。 - 【請求項２】マスクにカッティングする情報がディスク
のロットＮｏ．、トレードマーク、メーカ名からなるグ
ループから選ばれる少なくとも１種からなることを特徴
とする請求項１記載の情報記録媒体の初期化方法。 - 【請求項３】コンデンサの充放電設定および発光起動を
行うコントロールユニット、トリガコンデンサの充放電
をするトリガユニット、メインコンデンサに充電をする
高圧電源、ディスクを載置する載置台、直管形のキセノ
ンランプを備えており、上記キセノンランプは複数本が
平行に、かつ、ディスク面と平行に配置されており、更
に、ディスク表面での光量分布が±５％以内とする手段
を備えていることを特徴とする情報記録媒体の初期化装
置。 - 【請求項４】請求項３において、光量分布を±５％以内
にする手段として、複数本配置されたキセノンランプの
間隔を可変とし、平行に配置されたキセノンランプの間
隔が中心では端部よりも相対的に広くしたことを特徴と
する請求項３記載の情報記録媒体の初期化装置。 - 【請求項５】光量分布を±５％以内にする手段として、
キセノンランプとディスク面の距離を可変とし、ディス
ク面の内周側では外周側よりも相対的に高くすることを
特徴とする請求項３記載の情報記録媒体の初期化装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32911193A JP3257211B2 (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | 情報記録媒体の初期化装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32911193A JP3257211B2 (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | 情報記録媒体の初期化装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07182656A true JPH07182656A (ja) | 1995-07-21 |
| JP3257211B2 JP3257211B2 (ja) | 2002-02-18 |
Family
ID=18217739
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32911193A Expired - Fee Related JP3257211B2 (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | 情報記録媒体の初期化装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3257211B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003515232A (ja) * | 1999-11-16 | 2003-04-22 | ポラロイド コーポレイション | 相変化記録媒体を初期化するシステムおよび方法 |
-
1993
- 1993-12-24 JP JP32911193A patent/JP3257211B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003515232A (ja) * | 1999-11-16 | 2003-04-22 | ポラロイド コーポレイション | 相変化記録媒体を初期化するシステムおよび方法 |
| JP4886954B2 (ja) * | 1999-11-16 | 2012-02-29 | センシン・キャピタル，リミテッド・ライアビリティ・カンパニー | 相変化記録媒体を初期化するシステムおよび方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3257211B2 (ja) | 2002-02-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |