JPH07181083A - 輻射熱センサ - Google Patents
輻射熱センサInfo
- Publication number
- JPH07181083A JPH07181083A JP32465493A JP32465493A JPH07181083A JP H07181083 A JPH07181083 A JP H07181083A JP 32465493 A JP32465493 A JP 32465493A JP 32465493 A JP32465493 A JP 32465493A JP H07181083 A JPH07181083 A JP H07181083A
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- JP
- Japan
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- radiant heat
- thermistor
- cover
- reflector
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 予測できないような箇所から入射する輻射熱
エネルギーを防止し、精度良く検出のできる輻射熱セン
サの提供。 【構成】 同一特性を有する２個のサーミスタＴＨ１、
ＴＨ２を集光部に配置した輻射熱センサにおいて、反射
鏡１の集光面以外からの熱的影響等を防ぐために、サー
ミスタＴＨ１、ＴＨ２を含め反射鏡１の背面全体にカバ
ー４を取り付けた構成。
エネルギーを防止し、精度良く検出のできる輻射熱セン
サの提供。 【構成】 同一特性を有する２個のサーミスタＴＨ１、
ＴＨ２を集光部に配置した輻射熱センサにおいて、反射
鏡１の集光面以外からの熱的影響等を防ぐために、サー
ミスタＴＨ１、ＴＨ２を含め反射鏡１の背面全体にカバ
ー４を取り付けた構成。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば感熱素子として
サーミスタを用いた場合のサーミスタボロメータタイプ
の輻射熱センサ等の測定精度の向上技術に関する。
サーミスタを用いた場合のサーミスタボロメータタイプ
の輻射熱センサ等の測定精度の向上技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、輻射熱を測定する手段としては、
半導体の光電効果を利用した量子型センサと光の輻射熱
を吸収し温度が上昇することを利用した熱効果型センサ
の２つに分類される。
半導体の光電効果を利用した量子型センサと光の輻射熱
を吸収し温度が上昇することを利用した熱効果型センサ
の２つに分類される。
【０００３】量子型センサは測定精度が高く応答性も良
い反面、測定できる光の波長域が狭く、常温で使用でき
ないという欠点を有している。それに対し熱効果型セン
サは測定精度や応答性は量子型センサに劣るが、測定で
きる光の波長域が広く、常温で使用できるという利点を
有している。
い反面、測定できる光の波長域が狭く、常温で使用でき
ないという欠点を有している。それに対し熱効果型セン
サは測定精度や応答性は量子型センサに劣るが、測定で
きる光の波長域が広く、常温で使用できるという利点を
有している。
【０００４】代表的な熱効果型センサには、熱電対を用
いたものや、圧電体の焦電効果を利用した焦電タイプ、
輻射熱エネルギーを吸収して生じる熱によって抵抗値が
変化するサーミスタや測温抵抗体を用いたものがある。
いたものや、圧電体の焦電効果を利用した焦電タイプ、
輻射熱エネルギーを吸収して生じる熱によって抵抗値が
変化するサーミスタや測温抵抗体を用いたものがある。
【０００５】図７にサーミスタを用いたボロメータタイ
プの輻射熱センサの構成を示す。１は輻射熱エネルギー
Ｅを集熱する反射鏡で、ＴＨ１は輻射熱の入射を許容す
る（輻射熱を吸収する）サーミスタで、ＴＨ２は輻射熱
の入射を遮断するサーミスタである。また、Ｅ’は周囲
から来る外乱の輻射熱エネルギーを示している。
プの輻射熱センサの構成を示す。１は輻射熱エネルギー
Ｅを集熱する反射鏡で、ＴＨ１は輻射熱の入射を許容す
る（輻射熱を吸収する）サーミスタで、ＴＨ２は輻射熱
の入射を遮断するサーミスタである。また、Ｅ’は周囲
から来る外乱の輻射熱エネルギーを示している。
【０００６】このタイプの検出原理は、輻射熱の入射を
許容するサーミスタＴＨ１と輻射熱の入射を遮断するサ
ーミスタＴＨ２の吸収輻射熱量の違いによって生じる温
度差を利用するものである。このようにサーミスタを用
いたボロメータタイプの輻射熱センサの構成は簡単で、
潜在的にコストダウンの可能性を有している。
許容するサーミスタＴＨ１と輻射熱の入射を遮断するサ
ーミスタＴＨ２の吸収輻射熱量の違いによって生じる温
度差を利用するものである。このようにサーミスタを用
いたボロメータタイプの輻射熱センサの構成は簡単で、
潜在的にコストダウンの可能性を有している。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記サ
ーミスタを用いたボロメータタイプの輻射熱センサの場
合、予測できないような箇所から入射する輻射熱エネル
ギーや、空気中特にサーミスタ付近に存在する電磁誘導
ノイズ等により、測定精度が悪くなるという問題があっ
た。
ーミスタを用いたボロメータタイプの輻射熱センサの場
合、予測できないような箇所から入射する輻射熱エネル
ギーや、空気中特にサーミスタ付近に存在する電磁誘導
ノイズ等により、測定精度が悪くなるという問題があっ
た。
【０００８】検出値は微小なので、これを何百倍にも増
幅して活用するため、反射鏡以外の箇所から入射する輻
射熱エネルギーや、空気中特にサーミスタ付近に存在す
る電磁誘導によるノイズがあると、同様に何百倍にも増
幅してしまうので大きな検出誤差要因となる。
幅して活用するため、反射鏡以外の箇所から入射する輻
射熱エネルギーや、空気中特にサーミスタ付近に存在す
る電磁誘導によるノイズがあると、同様に何百倍にも増
幅してしまうので大きな検出誤差要因となる。
【０００９】本発明は、かかる点に鑑み、予測できない
ような箇所から入射する輻射熱エネルギーや、空気中に
存在する電磁誘導ノイズを防止し、精度良く検出のでき
る輻射熱センサの提供を目的とする。
ような箇所から入射する輻射熱エネルギーや、空気中に
存在する電磁誘導ノイズを防止し、精度良く検出のでき
る輻射熱センサの提供を目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明では、同一特性を有する２個の感熱素子を集
光部に配置した輻射熱センサにおいて、反射鏡の集光面
以外からの熱的影響等を防ぐために、前記感熱素子を含
め前記反射鏡背面全体にカバーを取り付けた構成として
いる。
に、本発明では、同一特性を有する２個の感熱素子を集
光部に配置した輻射熱センサにおいて、反射鏡の集光面
以外からの熱的影響等を防ぐために、前記感熱素子を含
め前記反射鏡背面全体にカバーを取り付けた構成として
いる。
【００１１】また、請求項３では、外部からの電磁誘導
ノイズによる影響を防ぐために、反射鏡一体型カバーを
感熱素子を含むホイートストンブリッジ回路の基準電圧
に、電気的に接続する構成としている。
ノイズによる影響を防ぐために、反射鏡一体型カバーを
感熱素子を含むホイートストンブリッジ回路の基準電圧
に、電気的に接続する構成としている。
【００１２】
【作用】上記構成によれば、感熱素子を含む反射鏡背面
全体にカバーを取り付けているので、反射鏡の集光面以
外からの熱的影響等が防止される。
全体にカバーを取り付けているので、反射鏡の集光面以
外からの熱的影響等が防止される。
【００１３】また、請求項３では、反射鏡一体型カバー
を感熱素子を含むホイートストンブリッジ回路の基準電
圧（例えば０Ｖ）に、電気的に接続しているので、外部
からの電磁誘導ノイズによる影響が防止される。
を感熱素子を含むホイートストンブリッジ回路の基準電
圧（例えば０Ｖ）に、電気的に接続しているので、外部
からの電磁誘導ノイズによる影響が防止される。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の第１実施例〜第３実施例につ
いて図面に基づいて説明する。図１は本実施例に用いる
検出回路図である。この検出回路はホイートストンブリ
ッジ回路で構成されている。Ｒ1、Ｒ2は抵抗で、ＴＨ１
は輻射熱の入射を許容するサーミスタ、ＴＨ２は輻射熱
の入射を遮断するサーミスタである。抵抗Ｒ1、Ｒ2及び
サーミスタＴＨ１、ＴＨ２とで図のようにホイートスト
ンブリッジ回路を構成している。２は利得Ａの差動増幅
器で、ＶIN1、ＶIN2は差動増幅器２の入力電圧で、Ｖ
OUTは出力電圧である。また、ＶBは電源電圧（例えば５
Ｖ）で、３は基準電圧（グランド）で通常０Ｖである。
いて図面に基づいて説明する。図１は本実施例に用いる
検出回路図である。この検出回路はホイートストンブリ
ッジ回路で構成されている。Ｒ1、Ｒ2は抵抗で、ＴＨ１
は輻射熱の入射を許容するサーミスタ、ＴＨ２は輻射熱
の入射を遮断するサーミスタである。抵抗Ｒ1、Ｒ2及び
サーミスタＴＨ１、ＴＨ２とで図のようにホイートスト
ンブリッジ回路を構成している。２は利得Ａの差動増幅
器で、ＶIN1、ＶIN2は差動増幅器２の入力電圧で、Ｖ
OUTは出力電圧である。また、ＶBは電源電圧（例えば５
Ｖ）で、３は基準電圧（グランド）で通常０Ｖである。
【００１５】次に、この回路の動作について説明する。
差動増幅器２の入力電圧ＶIN1、ＶI N2はそれぞれ以下の
ように表される。
差動増幅器２の入力電圧ＶIN1、ＶI N2はそれぞれ以下の
ように表される。
【００１６】 ＶIN1＝｛Ｒ2／（Ｒ1＋Ｒ2）｝×ＶB ・・・（１）
【００１７】 ＶIN2＝｛ＲTH2／（ＲTH1＋ＲTH2）｝×ＶB ・・・（２） ここで、ＲTH1：サーミスタＴＨ１の抵抗値 ＲTH2：サーミスタＴＨ２の抵抗値 である。
【００１８】また、差動増幅器２の出力電圧ＶOUTは、
以下のように表される。
以下のように表される。
【００１９】 ＶOUT＝（ＶIN2−ＶIN1）×Ａ ・・・（３）
【００２０】従って、サーミスタＴＨ１、ＴＨ２は同一
特性なので、輻射エネルギーＥが入射していない状態で
はＲTH1＝ＲTH2 であるから、Ｒ1＝Ｒ2としておけば、
ＶIN1＝ＶIN2となり、差動増幅器２の出力電圧Ｖ
OUTは、０Ｖとなる。
特性なので、輻射エネルギーＥが入射していない状態で
はＲTH1＝ＲTH2 であるから、Ｒ1＝Ｒ2としておけば、
ＶIN1＝ＶIN2となり、差動増幅器２の出力電圧Ｖ
OUTは、０Ｖとなる。
【００２１】また、サーミスタＴＨ１及びＴＨ２の抵抗
値は、それぞれ以下のように表される。
値は、それぞれ以下のように表される。
【００２２】
【数１】
【００２３】
【数２】 ここで、 Ｒ25 ：サーミスタＴＨ１、ＴＨ２の常温で
の抵抗値 Ｂ ：サーミスタＴＨ１、ＴＨ２のＢ定数 ＴTH1：サーミスタＴＨ１の絶対温度 ＴTH2：サーミスタＴＨ２の絶対温度 Ｔ25 ：常温のサーミスタの絶対温度 である。
の抵抗値 Ｂ ：サーミスタＴＨ１、ＴＨ２のＢ定数 ＴTH1：サーミスタＴＨ１の絶対温度 ＴTH2：サーミスタＴＨ２の絶対温度 Ｔ25 ：常温のサーミスタの絶対温度 である。
【００２４】サーミスタのＢ定数は、普通３０００〜４
０００程度なので、上式から温度が上昇するとサーミス
タの抵抗値は小さくなり、温度が低下するとサーミスタ
の抵抗値は大きくなる。従って、サーミスタＴＨ１は輻
射熱エネルギーＥの入射により温度ＴTH1が上昇し、サ
−ミスタＴＨ１の抵抗値ＲTH1は小さくなる。
０００程度なので、上式から温度が上昇するとサーミス
タの抵抗値は小さくなり、温度が低下するとサーミスタ
の抵抗値は大きくなる。従って、サーミスタＴＨ１は輻
射熱エネルギーＥの入射により温度ＴTH1が上昇し、サ
−ミスタＴＨ１の抵抗値ＲTH1は小さくなる。
【００２５】抵抗値ＲTH1が小さくなると、（２）式か
らＶIN2が上昇しブリッジ回路の平衡に変化が生じ、差
動増幅器２の出力電圧ＶOUT には、以下の式で表される
出力が生じる。
らＶIN2が上昇しブリッジ回路の平衡に変化が生じ、差
動増幅器２の出力電圧ＶOUT には、以下の式で表される
出力が生じる。
【００２６】
【数３】
【００２７】このようにして、本実施例のサ−ミスタボ
ロメ−タタイプの輻射熱センサは、輻射熱エネルギ−Ｅ
を電気信号として検出している。
ロメ−タタイプの輻射熱センサは、輻射熱エネルギ−Ｅ
を電気信号として検出している。
【００２８】次に第１実施例の説明をする。図７に示す
従来の構成では、何等かの要因で反射鏡１の集光面後部
より輻射熱エネルギ−Ｅ’が入射するとサ−ミスタＴＨ
１の温度ＴTH1が上昇し、抵抗値ＲTH1が小さくなるの
で、出力電圧ＶOUT に変化が生じる。また、輻射熱エネ
ルギ−Ｅ’以外にもサ−ミスタＴＨ１に直接外気が当た
ると、熱収支のバランスが崩れ、出力電圧ＶOUT が不安
定になるという問題があった。
従来の構成では、何等かの要因で反射鏡１の集光面後部
より輻射熱エネルギ−Ｅ’が入射するとサ−ミスタＴＨ
１の温度ＴTH1が上昇し、抵抗値ＲTH1が小さくなるの
で、出力電圧ＶOUT に変化が生じる。また、輻射熱エネ
ルギ−Ｅ’以外にもサ−ミスタＴＨ１に直接外気が当た
ると、熱収支のバランスが崩れ、出力電圧ＶOUT が不安
定になるという問題があった。
【００２９】以下に挙げる各実施例は上記の問題を解決
している。図２に第１実施例の構成を示す。１は輻射熱
エネルギーＥを集熱する反射鏡で、ＴＨ１は輻射熱の入
射を許容するサーミスタで、ＴＨ２は輻射熱の入射を遮
断するサーミスタである。４はサーミスタＴＨ１、ＴＨ
２に反射鏡１の集光面後部より輻射熱エネルギーＥ’が
入射したり、外気に直接当たるのを防止するカバーであ
る。
している。図２に第１実施例の構成を示す。１は輻射熱
エネルギーＥを集熱する反射鏡で、ＴＨ１は輻射熱の入
射を許容するサーミスタで、ＴＨ２は輻射熱の入射を遮
断するサーミスタである。４はサーミスタＴＨ１、ＴＨ
２に反射鏡１の集光面後部より輻射熱エネルギーＥ’が
入射したり、外気に直接当たるのを防止するカバーであ
る。
【００３０】このカバー４を設けることにより、サーミ
スタＴＨ１、ＴＨ２に反射鏡１の集光面後部より輻射熱
エネルギーＥ’が入射したり、外気に直接当たるのを防
止するので、双方のサーミスタの外気状態は同じにな
り、双方のサーミスタの自己発熱量はアンバランスにな
りにくい。
スタＴＨ１、ＴＨ２に反射鏡１の集光面後部より輻射熱
エネルギーＥ’が入射したり、外気に直接当たるのを防
止するので、双方のサーミスタの外気状態は同じにな
り、双方のサーミスタの自己発熱量はアンバランスにな
りにくい。
【００３１】次に第２実施例の説明をする。図３に第２
実施例の構成を示す。５は反射鏡とカバーを一体にした
反射鏡一体型カバーで、ＴＨ１は輻射熱の入射を許容す
るサーミスタで、ＴＨ２は輻射熱の入射を遮断するサー
ミスタである。また、Ｅは輻射熱エネルギーを示してい
る。この反射鏡一体型カバー５を設けることにより、反
射鏡１の温度上昇から生じる双方のサーミスタに及ぼす
熱的影響は同等になり、検出誤差要因は大幅に軽減でき
る。
実施例の構成を示す。５は反射鏡とカバーを一体にした
反射鏡一体型カバーで、ＴＨ１は輻射熱の入射を許容す
るサーミスタで、ＴＨ２は輻射熱の入射を遮断するサー
ミスタである。また、Ｅは輻射熱エネルギーを示してい
る。この反射鏡一体型カバー５を設けることにより、反
射鏡１の温度上昇から生じる双方のサーミスタに及ぼす
熱的影響は同等になり、検出誤差要因は大幅に軽減でき
る。
【００３２】次に第３実施例の説明をする。上記第２実
施例に示す構成にしても、熱的な影響は防止できるが、
電磁誘導によるノイズの問題が存在する。空気中特にサ
ーミスタ付近に電磁誘導によるノイズが存在すれば、出
力電圧ＶOUT に及ぼす影響は無視できない。図５は、こ
の場合の出力電圧ＶOUT を示しており、出力信号波形ａ
にノイズ波形ｂが乗っている様子を示している。輻射熱
センサを電子レンジ等に応用する場合には、マイクロ波
ノイズが乗りやすいため、なおさらこの問題は無視でき
ない。
施例に示す構成にしても、熱的な影響は防止できるが、
電磁誘導によるノイズの問題が存在する。空気中特にサ
ーミスタ付近に電磁誘導によるノイズが存在すれば、出
力電圧ＶOUT に及ぼす影響は無視できない。図５は、こ
の場合の出力電圧ＶOUT を示しており、出力信号波形ａ
にノイズ波形ｂが乗っている様子を示している。輻射熱
センサを電子レンジ等に応用する場合には、マイクロ波
ノイズが乗りやすいため、なおさらこの問題は無視でき
ない。
【００３３】図４に第３実施例の構成を示す。５は輻射
熱エネルギーＥを集熱する反射鏡一体型カバーで、ＴＨ
１は輻射熱の入射を許容するサーミスタで、ＴＨ２は輻
射熱の入射を遮断するサーミスタである。３は基準電圧
（グランド）で、６は電磁誘導によって生じるノイズ電
流を基準電圧（グランド）に流すためのアース線であ
る。
熱エネルギーＥを集熱する反射鏡一体型カバーで、ＴＨ
１は輻射熱の入射を許容するサーミスタで、ＴＨ２は輻
射熱の入射を遮断するサーミスタである。３は基準電圧
（グランド）で、６は電磁誘導によって生じるノイズ電
流を基準電圧（グランド）に流すためのアース線であ
る。
【００３４】この実施例では、ホイートストンブリッジ
回路の基準電圧が図１に示すようにグランド電圧にとっ
ているため、反射鏡一体型カバー５をグランドに接続し
ているが、ホイートストンブリッジ回路の基準電圧と同
電圧に接続する限り、グランド電圧でなく、他の電圧点
に接続してもよい。
回路の基準電圧が図１に示すようにグランド電圧にとっ
ているため、反射鏡一体型カバー５をグランドに接続し
ているが、ホイートストンブリッジ回路の基準電圧と同
電圧に接続する限り、グランド電圧でなく、他の電圧点
に接続してもよい。
【００３５】このアース線６を設けることによって、サ
ーミスタ周辺の電磁誘導によって生じるノイズは大幅に
軽減される。図６は第３実施例の出力電圧ＶOUT の波形
を示しており、信号波形ａ及び軽減されたノイズ波形ｃ
の様子を示している。このように、本実施例の輻射熱セ
ンサによれば、良好に輻射熱エネルギーを検出すること
ができる。
ーミスタ周辺の電磁誘導によって生じるノイズは大幅に
軽減される。図６は第３実施例の出力電圧ＶOUT の波形
を示しており、信号波形ａ及び軽減されたノイズ波形ｃ
の様子を示している。このように、本実施例の輻射熱セ
ンサによれば、良好に輻射熱エネルギーを検出すること
ができる。
【００３６】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、同一特
性を有する２個の感熱素子を集光部に配置した輻射熱セ
ンサにおいて、感熱素子を含め反射鏡背面全体にカバー
を取り付けているので、反射鏡の集光面以外からの熱的
影響等を防止できる。
性を有する２個の感熱素子を集光部に配置した輻射熱セ
ンサにおいて、感熱素子を含め反射鏡背面全体にカバー
を取り付けているので、反射鏡の集光面以外からの熱的
影響等を防止できる。
【００３７】また、請求項２では、感熱素子カバーを反
射鏡と一体に形成しているので、各々の感熱素子に及ぼ
す反射鏡の温度上昇から生じる熱的影響を防止できると
いう効果もある。
射鏡と一体に形成しているので、各々の感熱素子に及ぼ
す反射鏡の温度上昇から生じる熱的影響を防止できると
いう効果もある。
【００３８】また、請求項３では、反射鏡一体型カバー
を感熱素子を含むホイートストンブリッジ回路の基準電
圧に、電気的に接続しているので、外部からの電磁誘導
ノイズによる影響を防止できるという効果もある。
を感熱素子を含むホイートストンブリッジ回路の基準電
圧に、電気的に接続しているので、外部からの電磁誘導
ノイズによる影響を防止できるという効果もある。
【図１】 本発明のサーミスタボロメータタイプの輻射
熱センサの検出回路図。
熱センサの検出回路図。
【図２】 第１実施例のサーミスタボロメータタイプの
輻射熱センサの構成図。
輻射熱センサの構成図。
【図３】 第２実施例のサーミスタボロメータタイプの
輻射熱センサの構成図。
輻射熱センサの構成図。
【図４】 第３実施例のサーミスタボロメータタイプの
輻射熱センサの構成図。
輻射熱センサの構成図。
【図５】 第３実施例を施さない場合の出力信号波形を
示す図。
示す図。
【図６】 第３実施例を施した場合の出力信号波形を示
す図。
す図。
【図７】 従来のサーミスタボロメータタイプの輻射熱
センサの構成図。
センサの構成図。
１ 反射鏡 Ｅ 輻射熱エネルギー Ｅ’ 反射鏡の後部から入る外乱の輻射熱エネルギー ＴＨ１ 輻射熱の入射を許容するサーミスタ ＴＨ２ 輻射熱の入射を遮断するサーミスタ ２ 利得Ａの差動増幅器 Ｒ１ 抵抗 Ｒ２ 抵抗 ＶB 電源電圧 ＶIN1 差動増幅器の入力電圧 ＶIN2 差動増幅器のもう一方の入力電圧 ＶOUT 差動増幅器の出力電圧 ３ 基準電圧（グランド） ４ カバー ５ 反射鏡一体型カバー ６ アース線 ａ 出力信号波形 ｂ 電磁誘導によるノイズ波形 ｃ 軽減された電磁誘導によるノイズ波形
Claims (3)
- 【請求項１】 同一特性を有する２個の感熱素子を集光
部に配置した輻射熱センサにおいて、 反射鏡の集光面以外からの熱的影響等を防ぐために、前
記感熱素子を含め前記反射鏡背面全体にカバーを取り付
けたことを特徴とする輻射熱センサ。 - 【請求項２】 各々の感熱素子に及ぼす反射鏡の温度上
昇から生じる熱的影響を防ぐために、前記カバーを反射
鏡と一体に形成したことを特徴とする請求項１に記載の
輻射熱センサ。 - 【請求項３】 外部からの電磁誘導ノイズによる影響を
防ぐために、反射鏡一体型カバーを感熱素子を含むホイ
ートストンブリッジ回路の基準電圧に、電気的に接続す
ることを特徴とする請求項２に記載の輻射熱センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5324654A JP3040048B2 (ja) | 1993-12-22 | 1993-12-22 | 輻射熱センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5324654A JP3040048B2 (ja) | 1993-12-22 | 1993-12-22 | 輻射熱センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07181083A true JPH07181083A (ja) | 1995-07-18 |
| JP3040048B2 JP3040048B2 (ja) | 2000-05-08 |
Family
ID=18168245
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5324654A Expired - Fee Related JP3040048B2 (ja) | 1993-12-22 | 1993-12-22 | 輻射熱センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3040048B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10321649A1 (de) * | 2003-05-13 | 2004-12-02 | Heimann Sensor Gmbh | Infrarotsensor mit Signalverarbeitung |
-
1993
- 1993-12-22 JP JP5324654A patent/JP3040048B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10321649A1 (de) * | 2003-05-13 | 2004-12-02 | Heimann Sensor Gmbh | Infrarotsensor mit Signalverarbeitung |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3040048B2 (ja) | 2000-05-08 |
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