JPH07179433A - フェノキシメチルピリミジン誘導体の製造方法 - Google Patents
フェノキシメチルピリミジン誘導体の製造方法Info
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- JPH07179433A JPH07179433A JP32472393A JP32472393A JPH07179433A JP H07179433 A JPH07179433 A JP H07179433A JP 32472393 A JP32472393 A JP 32472393A JP 32472393 A JP32472393 A JP 32472393A JP H07179433 A JPH07179433 A JP H07179433A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 遊離のカルボキシル基を有するフェノキシメ
チルピリミジン誘導体の効率的製造法の提供。 【構成】 一般式（II）のサリチル酸類を、一般式（II
I）で表されるハロゲン化又はスルホニルオキシ化メチ
ル基で置換されたピリミジン類と、水系の溶媒中、塩基
の存在下に反応させることよりなる、一般式（Ｉ）で表
されるフェノキシメチルピリミジン誘導体の製造法。 〔式中、Ｘはハロゲン原子、低級アルキル基、低級アル
コキシ基等；Ｒ１およびＲ２は低級アルキル基；Ｕは低
級アルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオ
キシ基、ハロゲン原子；を示し、ｎは０，１、または２
である〕
チルピリミジン誘導体の効率的製造法の提供。 【構成】 一般式（II）のサリチル酸類を、一般式（II
I）で表されるハロゲン化又はスルホニルオキシ化メチ
ル基で置換されたピリミジン類と、水系の溶媒中、塩基
の存在下に反応させることよりなる、一般式（Ｉ）で表
されるフェノキシメチルピリミジン誘導体の製造法。 〔式中、Ｘはハロゲン原子、低級アルキル基、低級アル
コキシ基等；Ｒ１およびＲ２は低級アルキル基；Ｕは低
級アルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオ
キシ基、ハロゲン原子；を示し、ｎは０，１、または２
である〕
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、フェノキシメチルピリ
ミジン誘導体の製造方法に関する。更に詳しくは、種々
のサリチル酸類と置換ピリミジン類を反応させてフェノ
キシメチルピリミジン誘導体を製造する方法に関するも
のである。
ミジン誘導体の製造方法に関する。更に詳しくは、種々
のサリチル酸類と置換ピリミジン類を反応させてフェノ
キシメチルピリミジン誘導体を製造する方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】特開平４−３２７５７８号公報には、フ
ェノキシメチルピリミジン誘導体およびそれを含む除草
剤が記載され、除草剤として極めて優れた性能を有する
ことが示されている。該公報記載の誘導体は種々のサリ
チル酸の誘導体と言うこともでき、サリチル酸誘導体の
一般的な製造法については、従来種々の方法が知られ、
同公報に記載される製造法はその代表的なものである。
この公報には、フェノキシメチルピリミジン誘導体を下
記式Ａに示す反応によって製造することが記載されてい
る。
ェノキシメチルピリミジン誘導体およびそれを含む除草
剤が記載され、除草剤として極めて優れた性能を有する
ことが示されている。該公報記載の誘導体は種々のサリ
チル酸の誘導体と言うこともでき、サリチル酸誘導体の
一般的な製造法については、従来種々の方法が知られ、
同公報に記載される製造法はその代表的なものである。
この公報には、フェノキシメチルピリミジン誘導体を下
記式Ａに示す反応によって製造することが記載されてい
る。
【０００３】
【化４】
【０００４】［式中、Ｘはハロゲン原子、低級アルキル
基、低級アルコキシ基、低級アシルオキシ基またはニト
ロ基を示し、ｎは０、１または２を示し、Ｒ1およびＲ2
は各々独立して低級アルキル基を示し、Ｙは水素原子、
低級アルキル基、低級アルケニル基、低級アルキニル
基、置換低級アルキル基、置換低級アルケニル基、置換
低級アルキニル基、アルカリ金属原子、アルカリ土類金
属原子、またはアルキル基で置換されていてもよいアン
モニウムカチオンを示し、Ｚはハロゲン原子、またはア
ルキルスルホニルオキシ基を示す］
基、低級アルコキシ基、低級アシルオキシ基またはニト
ロ基を示し、ｎは０、１または２を示し、Ｒ1およびＲ2
は各々独立して低級アルキル基を示し、Ｙは水素原子、
低級アルキル基、低級アルケニル基、低級アルキニル
基、置換低級アルキル基、置換低級アルケニル基、置換
低級アルキニル基、アルカリ金属原子、アルカリ土類金
属原子、またはアルキル基で置換されていてもよいアン
モニウムカチオンを示し、Ｚはハロゲン原子、またはア
ルキルスルホニルオキシ基を示す］
【０００５】上記反応式Ａに示す方法によれば、無溶媒
ないし溶媒を用いる場合、例えば、ベンゼン、トルエ
ン、キシレン等の炭化水素系溶媒；ジエチルエーテル、
ジイソプロピルエーテル、テトラヒドロフラン、１，４
−ジオキサン等のエーテル系溶媒；アセトン、メチルエ
チルケトン等のケトン系溶媒；酢酸メチル、酢酸エチル
等のエステル系溶媒；ジメチルホルムアミド、ジメチル
スルホキシド、ジメチルアセトアミド等の非プロトン性
溶媒；アセトニトリル、水などの存在下、塩基を用い
て、−７８℃ないし溶媒の沸点の温度範囲において、サ
リチル酸誘導体とピリミジン誘導体を反応させて、フェ
ノキシピリミジン誘導体を製造している。
ないし溶媒を用いる場合、例えば、ベンゼン、トルエ
ン、キシレン等の炭化水素系溶媒；ジエチルエーテル、
ジイソプロピルエーテル、テトラヒドロフラン、１，４
−ジオキサン等のエーテル系溶媒；アセトン、メチルエ
チルケトン等のケトン系溶媒；酢酸メチル、酢酸エチル
等のエステル系溶媒；ジメチルホルムアミド、ジメチル
スルホキシド、ジメチルアセトアミド等の非プロトン性
溶媒；アセトニトリル、水などの存在下、塩基を用い
て、−７８℃ないし溶媒の沸点の温度範囲において、サ
リチル酸誘導体とピリミジン誘導体を反応させて、フェ
ノキシピリミジン誘導体を製造している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記方
法は、エステル残基を有するフェノキシピリミジン誘導
体を製造する方法としては有用であるが、遊離のカルボ
キシル基を有するフェノキシメチルピリミジン誘導体を
製造するための方法としては、反応がほとんど進行しな
いか、もしくは進行に極めて長時間を要することから、
工業的に有利な方法とは言い難かった。このような理由
から、特開平４−３２７５７８号公報に具体的に例示さ
れている全ての遊離のカルボキシル基を有するフェノキ
シピリミジン誘導体は、一旦エステル残基を有する化合
物を製造した上で、それを加水分解することによって製
造されている。
法は、エステル残基を有するフェノキシピリミジン誘導
体を製造する方法としては有用であるが、遊離のカルボ
キシル基を有するフェノキシメチルピリミジン誘導体を
製造するための方法としては、反応がほとんど進行しな
いか、もしくは進行に極めて長時間を要することから、
工業的に有利な方法とは言い難かった。このような理由
から、特開平４−３２７５７８号公報に具体的に例示さ
れている全ての遊離のカルボキシル基を有するフェノキ
シピリミジン誘導体は、一旦エステル残基を有する化合
物を製造した上で、それを加水分解することによって製
造されている。
【０００７】そこで、本発明者らは、従来法では容易に
製造することが困難であった、遊離のカルボキシル基を
有するフェノキシメチルピリミジン誘導体を、従来法と
は異なる溶媒を用いて、エステル残基を有する化合物を
経由することなく、種々の遊離のサリチル酸から直接製
造する、工業的に有利な方法を見いだし、本発明を完成
するに至った。
製造することが困難であった、遊離のカルボキシル基を
有するフェノキシメチルピリミジン誘導体を、従来法と
は異なる溶媒を用いて、エステル残基を有する化合物を
経由することなく、種々の遊離のサリチル酸から直接製
造する、工業的に有利な方法を見いだし、本発明を完成
するに至った。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、下記一般式
（I）：
（I）：
【０００９】
【化５】
【００１０】［式中、Ｘはハロゲン原子、低級アルキル
基、低級アルコキシ基、低級アシルオキシ基またはニト
ロ基を示し、ｎは０、１または２を示し、Ｒ1およびＲ2
は各々独立して低級アルキル基を示す］で表されるフェ
ノキシメチルピリミジン誘導体を製造するにあたり、下
記一般式（II）：
基、低級アルコキシ基、低級アシルオキシ基またはニト
ロ基を示し、ｎは０、１または２を示し、Ｒ1およびＲ2
は各々独立して低級アルキル基を示す］で表されるフェ
ノキシメチルピリミジン誘導体を製造するにあたり、下
記一般式（II）：
【００１１】
【化６】
【００１２】［式中、Ｘおよびｎは前記と同義である］
で表されるサリチル酸誘導体を下記一般式（III）：
で表されるサリチル酸誘導体を下記一般式（III）：
【００１３】
【化７】
【００１４】［式中、Ｒ1およびＲ2は前記と同義であ
り、Ｕは低級アルキル、アラルキル基もしくはアリール
基で置換されたスルホニルオキシ基、またはハロゲン原
子を示す］で表される置換ピリミジン類と、水系の溶媒
中、塩基の存在下に反応させることを特徴とするフェノ
キシンメチルピリミジン誘導体の製造法である。
り、Ｕは低級アルキル、アラルキル基もしくはアリール
基で置換されたスルホニルオキシ基、またはハロゲン原
子を示す］で表される置換ピリミジン類と、水系の溶媒
中、塩基の存在下に反応させることを特徴とするフェノ
キシンメチルピリミジン誘導体の製造法である。
【００１５】
【発明の具体的説明】前記一般式（Ｉ）、（II）および
（III）において、Ｘ、ｎ、Ｒ1およびＲ2の定義中の基
の具体例を以下に説明する。ハロゲン原子 ：フッ素、塩素、臭素またはヨウ素を挙げ
ることができる。低級アルキル基 ：例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピ
ル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、第二ブチ
ル、第三ブチル、ｎ−ペンチル、ネオペンチル、第三ペ
ンチル、ヘキシル基等の如き炭素数１〜６の直鎖または
分岐した低級アルキル基を挙げることができる。
（III）において、Ｘ、ｎ、Ｒ1およびＲ2の定義中の基
の具体例を以下に説明する。ハロゲン原子 ：フッ素、塩素、臭素またはヨウ素を挙げ
ることができる。低級アルキル基 ：例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピ
ル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、第二ブチ
ル、第三ブチル、ｎ−ペンチル、ネオペンチル、第三ペ
ンチル、ヘキシル基等の如き炭素数１〜６の直鎖または
分岐した低級アルキル基を挙げることができる。
【００１６】低級アルコキシ基：例えば、メトキシ、エ
トキシ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、ペン
トキシ基等の如き、前記低級アルキル基をアルキル部分
として含む低級アルコキシ基を挙げることができる。低級アシルオキシ基 ：例えば、アセトキシ、プロピオニ
ルオキシ、ブチリルオキシ、イソブチリルオキシ基等の
如き炭素数２〜７の低級アシルオキシ基を挙げることが
できる。アラルキル基 ：例えば、ベンジル、フェネチル、１−ナ
フチルメチル基等を挙げることができる。また、これら
のアラルキル基はハロゲン原子、低級アルキル基、低級
アルコキシ基、低級ハロアルキル基もしくはニトロ基で
置換されていてもよい。アリール基 ：例えば、フェニル、トリル、キシリル、ナ
フチル基等を挙げることができる。また、これらのアラ
ルキル基はハロゲン原子、低級アルキル基、低級アルコ
キシ基、低級ハロアルキルもしくはニトロ基で置換基さ
れていてもよい。低級ハロアルキル基 ：例えば、クロロメチル、ジクロロ
メチル、ジクロロフルオロメチル、トリフルオロメチル
基等の低級アルキル基の水素原子の少なくとも１つがハ
ロゲン原子で置換された基を挙げることができる。
トキシ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、ペン
トキシ基等の如き、前記低級アルキル基をアルキル部分
として含む低級アルコキシ基を挙げることができる。低級アシルオキシ基 ：例えば、アセトキシ、プロピオニ
ルオキシ、ブチリルオキシ、イソブチリルオキシ基等の
如き炭素数２〜７の低級アシルオキシ基を挙げることが
できる。アラルキル基 ：例えば、ベンジル、フェネチル、１−ナ
フチルメチル基等を挙げることができる。また、これら
のアラルキル基はハロゲン原子、低級アルキル基、低級
アルコキシ基、低級ハロアルキル基もしくはニトロ基で
置換されていてもよい。アリール基 ：例えば、フェニル、トリル、キシリル、ナ
フチル基等を挙げることができる。また、これらのアラ
ルキル基はハロゲン原子、低級アルキル基、低級アルコ
キシ基、低級ハロアルキルもしくはニトロ基で置換基さ
れていてもよい。低級ハロアルキル基 ：例えば、クロロメチル、ジクロロ
メチル、ジクロロフルオロメチル、トリフルオロメチル
基等の低級アルキル基の水素原子の少なくとも１つがハ
ロゲン原子で置換された基を挙げることができる。
【００１７】本発明で用いられるサリチル酸誘導体は、
上記一般式（II）で表されるものであり、具体例として
は、例えば、サリチル酸、６−クロロ−２−ヒドロキシ
安息香酸、５−クロロ−ヒドロキシ安息香酸、４−クロ
ロ−２−ヒドロキシ安息香酸、６−メチル−２−ヒドロ
キシ安息香酸、５−メチル−ヒドロキシ安息香酸、４−
メチル−２−ヒドロキシ安息香酸、６−メトキシ−２−
ヒドロキシ安息香酸、５−メトキシ−ヒドロキシ安息香
酸、４−メトキシ−２−ヒドロキシ安息香酸、６−アセ
トキシ−２−ヒドロキシ安息香酸、５−アセトキシ−ヒ
ドロキシ安息香酸、４−アセトキシ−２−ヒドロキシ安
息香酸、６−ニトロ−２−ヒドロキシ安息香酸、５−ニ
トロ−ヒドロキシ安息香酸、４−ニトロ−２−ヒドロキ
シ安息香酸などが挙げられる。
上記一般式（II）で表されるものであり、具体例として
は、例えば、サリチル酸、６−クロロ−２−ヒドロキシ
安息香酸、５−クロロ−ヒドロキシ安息香酸、４−クロ
ロ−２−ヒドロキシ安息香酸、６−メチル−２−ヒドロ
キシ安息香酸、５−メチル−ヒドロキシ安息香酸、４−
メチル−２−ヒドロキシ安息香酸、６−メトキシ−２−
ヒドロキシ安息香酸、５−メトキシ−ヒドロキシ安息香
酸、４−メトキシ−２−ヒドロキシ安息香酸、６−アセ
トキシ−２−ヒドロキシ安息香酸、５−アセトキシ−ヒ
ドロキシ安息香酸、４−アセトキシ−２−ヒドロキシ安
息香酸、６−ニトロ−２−ヒドロキシ安息香酸、５−ニ
トロ−ヒドロキシ安息香酸、４−ニトロ−２−ヒドロキ
シ安息香酸などが挙げられる。
【００１８】本発明で用いられる置換ピリミジン類は、
上記一般式（III）で表されるものであり、具体的に
は、例えば、次記のものを挙げることができる。 １）置換基Ｕがハロゲン原子である場合：例えば、２−
ブロモメチル−４，６−ジメトキシピリミジン、２−ク
ロロメチル−４，６−ジメトキシピリミジン、２−ブロ
モメチル−４，６−ジエトキシピリミジン、２−クロロ
メチル−４，６−ジエトキシピリミジン等を挙げること
ができる。
上記一般式（III）で表されるものであり、具体的に
は、例えば、次記のものを挙げることができる。 １）置換基Ｕがハロゲン原子である場合：例えば、２−
ブロモメチル−４，６−ジメトキシピリミジン、２−ク
ロロメチル−４，６−ジメトキシピリミジン、２−ブロ
モメチル−４，６−ジエトキシピリミジン、２−クロロ
メチル−４，６−ジエトキシピリミジン等を挙げること
ができる。
【００１９】２）置換基Ｕが低級アルキル基で置換され
たスルホニルオキシ基である場合：例えば、４，６−ジ
メトキシ−２−メチルスルホニルオキシメチルピリミジ
ン、４，６−ジメトキシ−２−エチルスルホニルオキシ
メチルピリミジン、４，６−ジメトキシ−２−プロピル
スルホニルオキシメチルピリミジン、４，６−ジメトキ
シ−２−イソプロピルスルホニルオキシメチルピリミジ
ン、４，６−ジエトキシ−２−エチルスルホニルオキシ
メチルピリミジン、４，６−ジエトキシ−２−プロピル
スルホニルオキシメチルピリミジン、４，６−ジエトキ
シ−２−イソプロピルスルホニルオキシメチルピリミジ
ン等を挙げることができる。
たスルホニルオキシ基である場合：例えば、４，６−ジ
メトキシ−２−メチルスルホニルオキシメチルピリミジ
ン、４，６−ジメトキシ−２−エチルスルホニルオキシ
メチルピリミジン、４，６−ジメトキシ−２−プロピル
スルホニルオキシメチルピリミジン、４，６−ジメトキ
シ−２−イソプロピルスルホニルオキシメチルピリミジ
ン、４，６−ジエトキシ−２−エチルスルホニルオキシ
メチルピリミジン、４，６−ジエトキシ−２−プロピル
スルホニルオキシメチルピリミジン、４，６−ジエトキ
シ−２−イソプロピルスルホニルオキシメチルピリミジ
ン等を挙げることができる。
【００２０】３）置換基Ｕがアラルキル基で置換された
スルホニルオキシ基である場合：例えば、２−ベンジル
スルホニルオキシメチル−４，６−ジメトキシピリミジ
ン、２−（オルトメチルベンジルスルホニルオキシメチ
ル）−４，６−ジメトキシピリミジン、２−（メタメチ
ルベンジルスルホニルオキシメチル）−４，６−ジメト
キシピリミジン、２−（パラメチルベンジルスルホニル
オキシメチル）−４，６−ジメトキシピリミジン、２−
（オルトクロロメチルベンジルスルホニルオキシメチ
ル）−４，６−ジメトキシピリミジン、２−（メタクロ
ロメチルベンジルスルホニルオキシメチル）−４，６−
ジメトキシピリミジン、２−（パラクロロメチルベンジ
ルスルホニルオキシメチル）−４，６−ジメトキシピリ
ミジン、２−（ナフチルメチルスルホニルオキシメチ
ル）−４，６−ジメトキシピリミジン、２−（フェネチ
ルスルホニルオキシメチル）−４，６−ジメトキシピリ
ミジン；２−ベンジルスルホニルオキシメチル−４，６
−ジエトキシピリミジン、２−（オルトメチルベンジル
スルホニルオキシメチル）−４，６−ジエトキシピリミ
ジン、２−（メタメチルベンジルスルホニルオキシメチ
ル）−４，６−ジエトキシピリミジン、２−（パラメチ
ルベンジルスルホニルオキシメチル）−４，６−ジエト
キシピリミジン、２−（オルトクロロメチルベンジルス
ルホニルオキシメチル）−４，６−ジエトキシピリミジ
ン、２−（メタクロロメチルベンジルスルホニルオキシ
メチル）−４，６−ジエトキシピリミジン、２−（パラ
クロロメチルベンジルスルホニルオキシメチル）−４，
６−ジエトキシピリミジン、２−（ナフチルメチルスル
ホニルオキシメチル）−４，６−ジエトキシピリミジ
ン、２−（フェネチルスルホニルオキシメチル）−４，
６−ジエトキシピリミジン等を挙げることができる。
スルホニルオキシ基である場合：例えば、２−ベンジル
スルホニルオキシメチル−４，６−ジメトキシピリミジ
ン、２−（オルトメチルベンジルスルホニルオキシメチ
ル）−４，６−ジメトキシピリミジン、２−（メタメチ
ルベンジルスルホニルオキシメチル）−４，６−ジメト
キシピリミジン、２−（パラメチルベンジルスルホニル
オキシメチル）−４，６−ジメトキシピリミジン、２−
（オルトクロロメチルベンジルスルホニルオキシメチ
ル）−４，６−ジメトキシピリミジン、２−（メタクロ
ロメチルベンジルスルホニルオキシメチル）−４，６−
ジメトキシピリミジン、２−（パラクロロメチルベンジ
ルスルホニルオキシメチル）−４，６−ジメトキシピリ
ミジン、２−（ナフチルメチルスルホニルオキシメチ
ル）−４，６−ジメトキシピリミジン、２−（フェネチ
ルスルホニルオキシメチル）−４，６−ジメトキシピリ
ミジン；２−ベンジルスルホニルオキシメチル−４，６
−ジエトキシピリミジン、２−（オルトメチルベンジル
スルホニルオキシメチル）−４，６−ジエトキシピリミ
ジン、２−（メタメチルベンジルスルホニルオキシメチ
ル）−４，６−ジエトキシピリミジン、２−（パラメチ
ルベンジルスルホニルオキシメチル）−４，６−ジエト
キシピリミジン、２−（オルトクロロメチルベンジルス
ルホニルオキシメチル）−４，６−ジエトキシピリミジ
ン、２−（メタクロロメチルベンジルスルホニルオキシ
メチル）−４，６−ジエトキシピリミジン、２−（パラ
クロロメチルベンジルスルホニルオキシメチル）−４，
６−ジエトキシピリミジン、２−（ナフチルメチルスル
ホニルオキシメチル）−４，６−ジエトキシピリミジ
ン、２−（フェネチルスルホニルオキシメチル）−４，
６−ジエトキシピリミジン等を挙げることができる。
【００２１】４）置換基Ｕがアリール基で置換されたス
ルホニルオキシ基である場合：例えば、２−ベンゼンス
ルホニルオキシメチル−４，６−ジメトキシピリミジ
ン、４，６−ジメトキシ−２−トシルオキシメチルピリ
ミジン、４，６−ジメトキシ−２−（４−メトキシベン
ゼンスルホニルオキシメチル）ピリミジン、２−（４−
ブロモベンゼンスルホニルオキシメチル）−４，６−ジ
エトキシピリミジン、４，６−ジエトキシ−２−（３−
ニトロベンゼンスルホニルオキシメチル）ピリミジン、
２−（２，３−ジクロロベンゼンスルホニルオキシメチ
ル）−４，６−ジメトキシピリミジン、２−（２−クロ
ロ−４−メチルベンゼンスルホニルオキシメチル）−
４，６−ジメトキシピリミジン、２−（２−ブロモメチ
ル−３−メトキシベンゼンスルホニルオキシメチル）−
４，６−ジメトキシピリミジン、４，６−ジメトキシ−
２−（１−ナフチルスルホニルオキシメチル）−ピリミ
ジン、４，６−ジエトキシ−２−（１−ナフチルスルホ
ニルオキシメチル）−ピリミジン、４，６−ジメトキシ
−２−（２−ナフチルスルホニルオキシメチル）−ピリ
ミジン、４，６−ジメトキシ−２−（４−クロロ−１−
ナフチルスルホニルオキシメチル）−ピリミジン、４，
６−ジメトキシ−２−（６−メチル−１−ナフチルスル
ホニルオキシメチル）−ピリミジン等を挙げることがで
きる。
ルホニルオキシ基である場合：例えば、２−ベンゼンス
ルホニルオキシメチル−４，６−ジメトキシピリミジ
ン、４，６−ジメトキシ−２−トシルオキシメチルピリ
ミジン、４，６−ジメトキシ−２−（４−メトキシベン
ゼンスルホニルオキシメチル）ピリミジン、２−（４−
ブロモベンゼンスルホニルオキシメチル）−４，６−ジ
エトキシピリミジン、４，６−ジエトキシ−２−（３−
ニトロベンゼンスルホニルオキシメチル）ピリミジン、
２−（２，３−ジクロロベンゼンスルホニルオキシメチ
ル）−４，６−ジメトキシピリミジン、２−（２−クロ
ロ−４−メチルベンゼンスルホニルオキシメチル）−
４，６−ジメトキシピリミジン、２−（２−ブロモメチ
ル−３−メトキシベンゼンスルホニルオキシメチル）−
４，６−ジメトキシピリミジン、４，６−ジメトキシ−
２−（１−ナフチルスルホニルオキシメチル）−ピリミ
ジン、４，６−ジエトキシ−２−（１−ナフチルスルホ
ニルオキシメチル）−ピリミジン、４，６−ジメトキシ
−２−（２−ナフチルスルホニルオキシメチル）−ピリ
ミジン、４，６−ジメトキシ−２−（４−クロロ−１−
ナフチルスルホニルオキシメチル）−ピリミジン、４，
６−ジメトキシ−２−（６−メチル−１−ナフチルスル
ホニルオキシメチル）−ピリミジン等を挙げることがで
きる。
【００２２】本発明の目的化合物である、前記一般式
（I）で示されるフェノキシピリミジン誘導体は、前記
一般式（II）で表されるサリチル酸類及び前記一般式
（III）で表される置換ピリミジン類を原料として、 こ
れらを水系の溶媒中、塩基の存在下に反応させることに
より、製造することができる。本発明の方法において、
前記サリチル酸類１モルに対する前記ピリミジン類の使
用量は、特に厳格な制限はないが、一般に０．５〜５倍
モル、好ましくは１〜２倍モルである。
（I）で示されるフェノキシピリミジン誘導体は、前記
一般式（II）で表されるサリチル酸類及び前記一般式
（III）で表される置換ピリミジン類を原料として、 こ
れらを水系の溶媒中、塩基の存在下に反応させることに
より、製造することができる。本発明の方法において、
前記サリチル酸類１モルに対する前記ピリミジン類の使
用量は、特に厳格な制限はないが、一般に０．５〜５倍
モル、好ましくは１〜２倍モルである。
【００２３】本発明方法で用いる溶媒は水系の溶媒、即
ち、水と有機溶媒との混合溶媒である。水と混合して用
いられる有機溶媒としては、例えば、ベンゼン、トルエ
ン、キシレン等の炭化水素系溶媒；ジエチルエーテル、
ジイソプロピルエーテル、テトラヒドロフラン、１，４
−ジオキサン等のエーテル系溶媒；アセトン、メチルエ
チルケトン等のケトン系溶媒；酢酸メチル、酢酸エチル
等のエステル系溶媒；ジメチルホルムアミド、ジメチル
スルホキシド、ジメチルアセトアミド等の非プロトン性
溶媒；メタノール、エタノール、ｎ−プロピルアルコー
ル、イソプロピルアルコール等のアルコール系溶媒、ア
セトニトリルなどが挙げられる。
ち、水と有機溶媒との混合溶媒である。水と混合して用
いられる有機溶媒としては、例えば、ベンゼン、トルエ
ン、キシレン等の炭化水素系溶媒；ジエチルエーテル、
ジイソプロピルエーテル、テトラヒドロフラン、１，４
−ジオキサン等のエーテル系溶媒；アセトン、メチルエ
チルケトン等のケトン系溶媒；酢酸メチル、酢酸エチル
等のエステル系溶媒；ジメチルホルムアミド、ジメチル
スルホキシド、ジメチルアセトアミド等の非プロトン性
溶媒；メタノール、エタノール、ｎ−プロピルアルコー
ル、イソプロピルアルコール等のアルコール系溶媒、ア
セトニトリルなどが挙げられる。
【００２４】上記した溶媒中では、テトラヒドロフラ
ン、１，４−ジオキサン、アセトン、ジメチルホルムア
ミド、メタノール、エタノール、ｎ−プロピルアルコー
ル、イソプロピルアルコール、アセトニトリル等の水溶
性有機溶媒が好ましく、特に１，４−ジオキサンが最も
好ましい。混合溶媒の混合比としては、任意の混合比を
選択することができるが、水／有機溶媒＝１０／１〜１
／１０が好ましく、特に水／有機溶媒＝１／２〜２／１
が好適である。溶媒の使用量について特に制限はない
が、置換ピリミジン類の濃度が、反応液に対して２〜２
０重量％、より好ましくは４〜１０重量％となる量が好
適である。
ン、１，４−ジオキサン、アセトン、ジメチルホルムア
ミド、メタノール、エタノール、ｎ−プロピルアルコー
ル、イソプロピルアルコール、アセトニトリル等の水溶
性有機溶媒が好ましく、特に１，４−ジオキサンが最も
好ましい。混合溶媒の混合比としては、任意の混合比を
選択することができるが、水／有機溶媒＝１０／１〜１
／１０が好ましく、特に水／有機溶媒＝１／２〜２／１
が好適である。溶媒の使用量について特に制限はない
が、置換ピリミジン類の濃度が、反応液に対して２〜２
０重量％、より好ましくは４〜１０重量％となる量が好
適である。
【００２５】本発明の方法において、反応系に存在させ
る塩基としては、例えば、炭酸ナトリウム、炭酸カリウ
ム等の炭酸塩類、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等
の水酸化金属類、ナトリウムメチラート、ナトリウムエ
チラート等の金属アルコラート、水素化ナトリウム、水
素化カリウム等の水素化アルカリ金属等を挙げることが
できる。塩基の使用量については、２〜１０当量が好ま
しく、特に２〜５当量が好適である。本発明による反応
の際の圧力には特に制限はないが、常圧から２００kg/c
m2の範囲で行われる。反応温度は０〜１００℃が好まし
く、特に２０〜６０℃が好適である。反応時間は１〜５
０時間が好ましく、特に１〜２４時間が好適である。反
応終了後は有機溶媒で抽出し、有機層の濃縮残査を再結
晶、またはシリカゲルカラムクロマトグラフィー等の手
段で精製することにより、目的のフェノキシメチルピリ
ミジン誘導体を単離することができる。
る塩基としては、例えば、炭酸ナトリウム、炭酸カリウ
ム等の炭酸塩類、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等
の水酸化金属類、ナトリウムメチラート、ナトリウムエ
チラート等の金属アルコラート、水素化ナトリウム、水
素化カリウム等の水素化アルカリ金属等を挙げることが
できる。塩基の使用量については、２〜１０当量が好ま
しく、特に２〜５当量が好適である。本発明による反応
の際の圧力には特に制限はないが、常圧から２００kg/c
m2の範囲で行われる。反応温度は０〜１００℃が好まし
く、特に２０〜６０℃が好適である。反応時間は１〜５
０時間が好ましく、特に１〜２４時間が好適である。反
応終了後は有機溶媒で抽出し、有機層の濃縮残査を再結
晶、またはシリカゲルカラムクロマトグラフィー等の手
段で精製することにより、目的のフェノキシメチルピリ
ミジン誘導体を単離することができる。
【００２６】
【実施例】以下、本発明を実施例により更に具体的に説
明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものでは
ない。なお、各例における収率は、下記式に従って算出
した。また、表中の反応時間は、高速液体クロマトグラ
フィー分析により確認された原料ピリミジンの消失した
時間を示す。
明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものでは
ない。なお、各例における収率は、下記式に従って算出
した。また、表中の反応時間は、高速液体クロマトグラ
フィー分析により確認された原料ピリミジンの消失した
時間を示す。
【００２７】
【数１】
【００２８】実施例１６−クロロ−２−［（４，６−ジメトキシ−２−ピリミ
ジニル）メチルオキシ］ベンゾイックアシッドの合成 １，４−ジオキサン４．５ｍｌ、水４．５ｍｌおよび水
酸化ナトリウム１３９ｍｇ（3.48mmol）からなる溶液
に、６−クロロ−２−ヒドロキシ安息香酸３００ｍｇ
（1.74mmol）および２−ブロモメチル−４，６−ジメト
キシピリミジン４００ｍｇ（1.74mmol）を加え、室温で
２３時間撹拌した。反応混合物を水に注ぎ、１Ｎ希塩酸
で酸性にした後、酢酸エチルで抽出、硫酸マグネシウム
で乾燥後溶媒を留去した後、シリカゲルクロマトグラフ
ィー（展開溶媒：クロロホルム／メタノ−ル／酢酸＝３
２／１／１）を用いて精製し、目的の６−クロロ−２−
［（４，６−ジメトキシ−２−ピリミジニル）メチルオ
キシ］ベンゾイックアシッド４２４ｍｇを得た（収率７
５％）。 融点：１６５〜１６７℃1 Ｈ−ＮＭＲ（δ，ＣＤＣｌ3）:３.８９（6H,s），５.
３５（2H,s），５.９１（1H,s），６.９〜７.３（3H,
m）ppm，
ジニル）メチルオキシ］ベンゾイックアシッドの合成 １，４−ジオキサン４．５ｍｌ、水４．５ｍｌおよび水
酸化ナトリウム１３９ｍｇ（3.48mmol）からなる溶液
に、６−クロロ−２−ヒドロキシ安息香酸３００ｍｇ
（1.74mmol）および２−ブロモメチル−４，６−ジメト
キシピリミジン４００ｍｇ（1.74mmol）を加え、室温で
２３時間撹拌した。反応混合物を水に注ぎ、１Ｎ希塩酸
で酸性にした後、酢酸エチルで抽出、硫酸マグネシウム
で乾燥後溶媒を留去した後、シリカゲルクロマトグラフ
ィー（展開溶媒：クロロホルム／メタノ−ル／酢酸＝３
２／１／１）を用いて精製し、目的の６−クロロ−２−
［（４，６−ジメトキシ−２−ピリミジニル）メチルオ
キシ］ベンゾイックアシッド４２４ｍｇを得た（収率７
５％）。 融点：１６５〜１６７℃1 Ｈ−ＮＭＲ（δ，ＣＤＣｌ3）:３.８９（6H,s），５.
３５（2H,s），５.９１（1H,s），６.９〜７.３（3H,
m）ppm，
【００２９】実施例２〜４および比較例１〜２ 実施例１と同様の原料および塩基を用い、溶媒を変え、
同様に反応を行った。結果を下記表１に示す。
同様に反応を行った。結果を下記表１に示す。
【００３０】
【表１】
【００３１】実施例５〜７ 実施例１と同様の溶媒および塩基を用い、原料のサリチ
ル酸類およびハロゲン化メチル基で置換されたピリミジ
ン類を変え、同様に反応を行った。結果を下記表２に示
す。
ル酸類およびハロゲン化メチル基で置換されたピリミジ
ン類を変え、同様に反応を行った。結果を下記表２に示
す。
【００３２】
【表２】
【００３３】これらの化合物のＮＭＲスペクトル及び融
点を表３に示す。
点を表３に示す。
【００３４】
【表３】
【００３５】実施例８６−クロロ−２−［（４，６−ジメトキシ−２−ピリミ
ジニル）メチルオキシ］ベンゾイックアシッドの合成 まず、５％水酸化カリウム水溶液３ｍｌを調製し、これ
に室温下、撹拌しながら６−クロロ−２−ヒドロキシ安
息香酸２００ｍｇ（1.16mmol）を加えた。この溶液に
４，６−ジメトキシ−２−メチルスルホニルオキシメチ
ルピリミジン２９０ｍｇ（1.16mmol）を１，４−ジオキ
サン３ｍｌを溶かして加え、室温にて３２時間撹拌した
後、反応混合物を水に注ぎ希塩酸で酸性にした後、酢酸
エチルで抽出した。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥さ
せ、溶媒を留去したのち、シリカゲルクロマトグラフィ
ー（展開溶媒：クロロホルム／メタノ−ル／酢酸＝３２
／１／１）を用いて精製し、目的の６−クロロ−２−
［（４，６−ジメトキシ−２−ピリミジニル）メチルオ
キシ］ベンゾイックアシッド２８３ｍｇを得た（収率７
６％）。 融点：１６５〜１６７℃1 Ｈ−ＮＭＲ（δ，ＣＤＣｌ3）:３.８９（6H,s），５.
３５（2H,s），５.９１（1H,s），６.９〜７.３（3H,
m）ppm，
ジニル）メチルオキシ］ベンゾイックアシッドの合成 まず、５％水酸化カリウム水溶液３ｍｌを調製し、これ
に室温下、撹拌しながら６−クロロ−２−ヒドロキシ安
息香酸２００ｍｇ（1.16mmol）を加えた。この溶液に
４，６−ジメトキシ−２−メチルスルホニルオキシメチ
ルピリミジン２９０ｍｇ（1.16mmol）を１，４−ジオキ
サン３ｍｌを溶かして加え、室温にて３２時間撹拌した
後、反応混合物を水に注ぎ希塩酸で酸性にした後、酢酸
エチルで抽出した。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥さ
せ、溶媒を留去したのち、シリカゲルクロマトグラフィ
ー（展開溶媒：クロロホルム／メタノ−ル／酢酸＝３２
／１／１）を用いて精製し、目的の６−クロロ−２−
［（４，６−ジメトキシ−２−ピリミジニル）メチルオ
キシ］ベンゾイックアシッド２８３ｍｇを得た（収率７
６％）。 融点：１６５〜１６７℃1 Ｈ−ＮＭＲ（δ，ＣＤＣｌ3）:３.８９（6H,s），５.
３５（2H,s），５.９１（1H,s），６.９〜７.３（3H,
m）ppm，
【００３６】実施例９〜１０および比較例３〜４ 実施例８と同様の原料および塩基を用い、溶媒を変え、
同様に反応を行った。結果を下記表４に示す。
同様に反応を行った。結果を下記表４に示す。
【００３７】
【表４】
【００３８】実施例１１〜１５ 実施例８と同様の溶媒および塩基を用い、原料のサリチ
ル酸類および置換ピリミジン類を変え、同様に反応を行
った。結果を下記表５に示す。
ル酸類および置換ピリミジン類を変え、同様に反応を行
った。結果を下記表５に示す。
【００３９】
【表５】
【００４０】これらの化合物のＮＭＲスペクトルを表６
に示す。
に示す。
【００４１】
【表６】
【００４２】実施例１６６−クロロ−２−［（４，６−ジメトキシ−２−ピリミ
ジニル）メチルオキシ］ベンゾイックアシッドの合成 １，４−ジオキサン１５ｍｌ、水１５ｍｌおよび水酸化
ナトリウム０．４１ｇ（10.25mmol）の混合溶液に、６
−クロロ−２−ヒドロキシ安息香酸０．８６ｇ（5mmo
l）および４，６−ジメトキシ−２−トシルオキシメチ
ルピリミジン１．６２ｇ（5mmol）を加え、室温で４日
間撹拌した。反応混合物を飽和食塩水に注ぎ１Ｎ希塩酸
で酸性にした後、酢酸エチルで抽出し有機層を硫酸マグ
ネシウムで乾燥後溶媒を留去し、得られた粗結晶をアセ
トニトリルから再結晶し、目的の６−クロロ−２−
［（４，６−ジメトキシ−２−ピリミジニル）メチルオ
キシ］ベンゾイックアシッド１．００ｇを得た（収率６
２％）。 融点：１６５〜１６７℃1 Ｈ−ＮＭＲ（δ，ＣＤＣｌ3）:３.８９（6H,s），５.
３５（2H,s），５.９１（1H,s），６.９〜７.３（3H,
m）ppm，
ジニル）メチルオキシ］ベンゾイックアシッドの合成 １，４−ジオキサン１５ｍｌ、水１５ｍｌおよび水酸化
ナトリウム０．４１ｇ（10.25mmol）の混合溶液に、６
−クロロ−２−ヒドロキシ安息香酸０．８６ｇ（5mmo
l）および４，６−ジメトキシ−２−トシルオキシメチ
ルピリミジン１．６２ｇ（5mmol）を加え、室温で４日
間撹拌した。反応混合物を飽和食塩水に注ぎ１Ｎ希塩酸
で酸性にした後、酢酸エチルで抽出し有機層を硫酸マグ
ネシウムで乾燥後溶媒を留去し、得られた粗結晶をアセ
トニトリルから再結晶し、目的の６−クロロ−２−
［（４，６−ジメトキシ−２−ピリミジニル）メチルオ
キシ］ベンゾイックアシッド１．００ｇを得た（収率６
２％）。 融点：１６５〜１６７℃1 Ｈ−ＮＭＲ（δ，ＣＤＣｌ3）:３.８９（6H,s），５.
３５（2H,s），５.９１（1H,s），６.９〜７.３（3H,
m）ppm，
【００４３】実施例１７〜１９６−クロロ−２−［（４，６−ジメトキシ−２−ピリミ
ジニル）メチルオキシ］ベンゾイックアシッドの合成 実施例１と同様の溶媒および塩基を用い、原料のサリチ
ル酸類および置換ピリミジン類を変え、同様に反応を行
った。結果を下記表７に示す。
ジニル）メチルオキシ］ベンゾイックアシッドの合成 実施例１と同様の溶媒および塩基を用い、原料のサリチ
ル酸類および置換ピリミジン類を変え、同様に反応を行
った。結果を下記表７に示す。
【００４４】
【表７】
【００４５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
種々のサリチル酸類と置換ピリミジン類とを、水系の溶
媒中、塩基の存在下反応させることによって、従来法よ
り著しく低い反応温度において収率良く、目的とするフ
ェノキシメチルピリミジン誘導体が得られるという顕著
な効果を奏することができる。
種々のサリチル酸類と置換ピリミジン類とを、水系の溶
媒中、塩基の存在下反応させることによって、従来法よ
り著しく低い反応温度において収率良く、目的とするフ
ェノキシメチルピリミジン誘導体が得られるという顕著
な効果を奏することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 工藤 祐夫 茨城県稲敷郡阿見町中央８丁目３番１号 三菱油化株式会社筑波総合研究所内 (72)発明者 郷 敦 茨城県稲敷郡阿見町中央８丁目３番１号 三菱油化株式会社筑波総合研究所内
Claims (1)
- 【請求項１】 下記一般式（I）： 【化１】 ［式中、Ｘはハロゲン原子、低級アルキル基、低級アル
コキシ基、低級アシルオキシ基またはニトロ基を示し、
ｎは０、１または２を示し、Ｒ1およびＲ2は各々独立し
て低級アルキル基を示す］で表されるフェノキシメチル
ピリミジン誘導体を製造するにあたり、下記一般式（I
I）： 【化２】 ［式中、Ｘおよびｎは前記と同義である］で表されるサ
リチル酸誘導体を下記一般式（III）： 【化３】 ［式中、Ｒ1およびＲ2は前記と同義であり、Ｕは低級ア
ルキル基、アラルキル基もしくはアリール基で置換され
たスルホニルオキシ基、またはハロゲン原子を示す］で
表される置換ピリミジン類と、水系の溶媒中、塩基の存
在下に反応させることを特徴とするフェノキシメチルピ
リミジン誘導体の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32472393A JPH07179433A (ja) | 1993-12-22 | 1993-12-22 | フェノキシメチルピリミジン誘導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32472393A JPH07179433A (ja) | 1993-12-22 | 1993-12-22 | フェノキシメチルピリミジン誘導体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07179433A true JPH07179433A (ja) | 1995-07-18 |
Family
ID=18168993
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32472393A Pending JPH07179433A (ja) | 1993-12-22 | 1993-12-22 | フェノキシメチルピリミジン誘導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07179433A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6794538B2 (en) * | 1999-12-03 | 2004-09-21 | Borregaard Italia S.P.A. | Process for the preparation of ethers deriving from hydroxybenzoic acids |
-
1993
- 1993-12-22 JP JP32472393A patent/JPH07179433A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6794538B2 (en) * | 1999-12-03 | 2004-09-21 | Borregaard Italia S.P.A. | Process for the preparation of ethers deriving from hydroxybenzoic acids |
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