JPH07153962A - Liquid crystal display unit - Google Patents
Liquid crystal display unitInfo
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- JPH07153962A JPH07153962A JP29837693A JP29837693A JPH07153962A JP H07153962 A JPH07153962 A JP H07153962A JP 29837693 A JP29837693 A JP 29837693A JP 29837693 A JP29837693 A JP 29837693A JP H07153962 A JPH07153962 A JP H07153962A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示装置に関する
ものであり、特にマトリクス状に配列された画素部を駆
動するため各画素部に薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴ
という）が配置されたアクティブマトリクス型の液晶表
示装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device, and in particular, a thin film transistor (hereinafter referred to as a TFT) is provided in each pixel portion for driving the pixel portion arranged in a matrix.
Is referred to as an active matrix type liquid crystal display device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、ＴＦＴを用いた液晶ディスプレイ
が、ＴＶ、ビデオカメラ、ノート型パソコン等の表示デ
ィスプレイに用いられてきている。このようなアクティ
ブマトリクス型の液晶表示装置においては、ガラス基板
等の透明性基板上にＴＦＴがマトリックス状に配置さ
れ、ＴＦＴ上には層間絶縁膜が設けられる。層間絶縁膜
としては、一般に酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）膜や窒化シ
リコン（ＳｉＮX ）膜等が形成される。2. Description of the Related Art In recent years, liquid crystal displays using TFTs have been used as display displays for TVs, video cameras, notebook computers and the like. In such an active matrix type liquid crystal display device, TFTs are arranged in a matrix on a transparent substrate such as a glass substrate, and an interlayer insulating film is provided on the TFTs. As the interlayer insulating film, a silicon oxide (SiO 2 ) film, a silicon nitride (SiN x ) film or the like is generally formed.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】窒化シリコン膜は、酸
化シリコン膜と比べ緻密な膜質であり、絶縁耐圧が高い
絶縁膜であるが、膜中の内部応力が大きいため、素子特
性が悪化したり、膜にクラック等が発生するという問題
があった。The silicon nitride film has a denser film quality than the silicon oxide film and has a high withstand voltage. However, since the internal stress in the film is large, the device characteristics may deteriorate. However, there is a problem that cracks or the like occur in the film.
【０００４】このような内部応力を低減するため、プラ
ズマＣＶＤ法による成膜の際にＨ2流量比を増加させ内
部応力の小さな窒化シリコン膜を形成する方法が考えら
れる。しかし、窒化シリコン膜の下地層としてインジウ
ム錫酸化物（ＩＴＯ）膜等が存在すると、下地層が部分
的に水素によって還元されてしまい、それによって下地
層に凹凸が発生する。その結果，凹凸が結晶の核とな
り、部分的に窒化シリコン膜の異常成長が発生し、リー
ク電流の増加や透過率の低下等の問題を引き起こす。In order to reduce such internal stress, a method of increasing the H 2 flow rate ratio during the film formation by the plasma CVD method to form a silicon nitride film having a small internal stress can be considered. However, if an indium tin oxide (ITO) film or the like is present as an underlayer of the silicon nitride film, the underlayer is partially reduced by hydrogen, which causes unevenness in the underlayer. As a result, the irregularities serve as crystal nuclei, and abnormal growth of the silicon nitride film occurs partially, causing problems such as an increase in leak current and a decrease in transmittance.
【０００５】本発明の目的は、このような従来の問題点
を解消し、内部応力の小さな窒化シリコン膜を層間絶縁
膜として形成しても上記問題を発生することがなく、緻
密でかつ透過率の高い膜質の層間絶縁膜を形成すること
のできる液晶表示装置を提供することにある。The object of the present invention is to solve the above problems of the prior art, and even if a silicon nitride film having a small internal stress is formed as an interlayer insulating film, the above problems do not occur, and the density and the transmittance are high. An object of the present invention is to provide a liquid crystal display device capable of forming an interlayer insulating film having high film quality.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置
は、基板上に、酸化物導電膜からなる透明電極、及び薄
膜トランジスタがマトリクス状に配列して設けられ、該
透明電極及び薄膜トランジスタ上に層間絶縁膜が設けら
れた液晶表示装置であり、層間絶縁膜が、少なくとも透
明電極上に設けられる酸化窒化シリコン（ＳｉＮ
X ＯY ）膜からなる第１の絶縁膜と、該第１の絶縁膜上
に設けられる窒化シリコン（ＳｉＮX ）膜からなる第２
の絶縁膜とから構成されていることを特徴としている。A liquid crystal display device of the present invention is provided with a transparent electrode formed of an oxide conductive film and thin film transistors arranged in a matrix on a substrate, and an interlayer is formed on the transparent electrode and the thin film transistor. A liquid crystal display device provided with an insulating film, wherein the interlayer insulating film is at least a silicon oxynitride (SiN) provided on the transparent electrode.
A first insulating film made of a XO Y ) film and a second insulating film made of a silicon nitride (SiN X ) film provided on the first insulating film.
It is characterized in that it is composed of an insulating film.
【０００７】本発明において透明電極として用いられる
酸化物導電膜は、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）、Ｓｎ
Ｏ2 （酸化錫）、ＺｎＯ（酸化亜鉛）等の低抵抗で、か
つ高い透過率を有する金属酸化物である。The oxide conductive film used as the transparent electrode in the present invention is made of ITO (indium tin oxide), Sn.
It is a metal oxide having a low resistance and a high transmittance, such as O 2 (tin oxide) and ZnO (zinc oxide).
【０００８】また、透明電極は、液晶表示装置における
補助容量電極として形成されているものであってもよい
し、表示電極として形成されているものであってもよ
く、さらには他の目的で形成されるものであってもよ
い。Further, the transparent electrode may be formed as an auxiliary capacitance electrode in a liquid crystal display device, may be formed as a display electrode, and is formed for another purpose. It may be one that is done.
【０００９】本発明において、層間絶縁膜の第１の絶縁
膜は酸化窒化シリコン膜から形成される。この酸化窒化
シリコン膜の形成方法は特に限定されるものではない
が、例えばプラズマＣＶＤ法や光ＣＶＤ法等のＣＶＤ法
により形成することができる。また、酸化シリコン膜を
ＮＨ3 雰囲気等の中で加熱し熱窒化させる方法により酸
化窒化シリコン膜を形成させてもよく、応用物理 第６
０巻 第１１号（１９９１）の１１２７〜１１３０頁等
に紹介されている、いわゆる急速加熱法（Ｒａｐｉｄ
Ｔｈｅｒｍａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ；ＲＴＰ）によ
り窒化処理を施し、酸化窒化シリコン膜を形成させても
よい。In the present invention, the first insulating film of the interlayer insulating film is formed of a silicon oxynitride film. The method for forming this silicon oxynitride film is not particularly limited, but it can be formed by a CVD method such as a plasma CVD method or an optical CVD method. Alternatively, the silicon oxynitride film may be formed by a method of heating and nitriding the silicon oxide film in an NH 3 atmosphere or the like.
0, No. 11 (1991), pages 1127 to 1130, etc., so-called rapid heating method (Rapid).
A silicon oxynitride film may be formed by performing a nitriding treatment by thermal processing (RTP).
【００１０】また、本発明における層間絶縁膜の第２の
絶縁膜を構成する窒化シリコン膜は、従来から公知の方
法により形成させることができ、例えばプラズマＣＶＤ
法や光ＣＶＤ法等により形成させることができる。ま
た、本発明では、窒化シリコン膜として、内部応力の小
さい窒化シリコン膜を形成することが好ましく、従って
Ｈ2 流量比を増加させた条件で窒化シリコン膜を形成す
ることが好ましい。The silicon nitride film forming the second insulating film of the interlayer insulating film in the present invention can be formed by a conventionally known method, for example, plasma CVD.
It can be formed by a method or a photo CVD method. Further, in the present invention, it is preferable to form a silicon nitride film having a small internal stress as the silicon nitride film, and therefore it is preferable to form the silicon nitride film under the condition that the H 2 flow rate ratio is increased.
【００１１】[0011]
【作用】本発明では、透明電極上に酸化窒化シリコン膜
からなる第１の絶縁膜を形成し、この第１の絶縁膜の上
に窒化シリコン膜からなる第２の絶縁膜を形成してい
る。このため、第２の絶縁膜である窒化シリコン膜を形
成する際の下地層は、酸化窒化シリコン膜となり、窒化
シリコン膜を形成する際に異常成長が発生することがな
く、従ってリーク電流の増加や透過率低下等の問題を引
き起こすことがない。In the present invention, the first insulating film made of the silicon oxynitride film is formed on the transparent electrode, and the second insulating film made of the silicon nitride film is formed on the first insulating film. . Therefore, the underlying layer when forming the silicon nitride film that is the second insulating film becomes the silicon oxynitride film, and abnormal growth does not occur when forming the silicon nitride film, and therefore the leak current increases. It does not cause a problem such as a decrease in transmittance and the like.
【００１２】[0012]
【実施例】図１は、本発明に従う一実施例の液晶表示装
置を示す断面図である。ガラス基板等からなる透光性絶
縁基板１の上にポリシリコン膜等からなる半導体活性層
２が形成されており、この半導体活性層２には不純物を
ドープすることによりドレイン領域２ａ及びソース領域
２ｃが形成されており、ドレイン領域２ａ及びソース領
域２ｃの間にチャンネル領域２ｂが設けられている。チ
ャンネル領域２ｂ上には酸化シリコン膜等からなるゲー
ト絶縁膜３を介してゲート電極４が設けられている。ゲ
ート電極４は、例えば不純物をドープしたポリシリコン
膜と核ポリシリコンの上にシリサイド化したモリブデン
膜等を積層形成した構造のものが採用される。半導体活
性層２、ゲート絶縁膜３及びゲート電極４から薄膜トラ
ンジスタが構成されている。1 is a sectional view showing a liquid crystal display device of an embodiment according to the present invention. A semiconductor active layer 2 made of a polysilicon film or the like is formed on a translucent insulating substrate 1 made of a glass substrate or the like, and the semiconductor active layer 2 is doped with an impurity to form a drain region 2a and a source region 2c. And the channel region 2b is provided between the drain region 2a and the source region 2c. A gate electrode 4 is provided on the channel region 2b via a gate insulating film 3 made of a silicon oxide film or the like. As the gate electrode 4, for example, one having a structure in which an impurity-doped polysilicon film and a silicided molybdenum film or the like are laminated and formed on nuclear polysilicon is adopted. A thin film transistor is composed of the semiconductor active layer 2, the gate insulating film 3, and the gate electrode 4.
【００１３】液晶層が設けられる画素部の基板１上に
は、ＩＴＯ等からなる補助容量電極５が形成されてい
る。この補助容量電極５及び薄膜トランジスタを覆うよ
うに酸化窒化シリコン膜からなる第１の絶縁膜６が形成
されており、この第１の絶縁膜６の上に窒化シリコン膜
からなる第２の絶縁膜７が形成されている。層間絶縁膜
は、この第１の絶縁膜６及び第２の絶縁膜７から構成さ
れている。ドレイン領域２ａ及びソース領域２ｃの上方
の層間絶縁膜がエッチング除去され、コンタクトホール
７ａ，７ｂが形成されている。画素部上の第２の絶縁膜
７上にはＩＴＯ等からなる表示電極８が形成されてお
り、この表示電極８はコンタクトホール７ｂ内に延び、
ソース領域２ｃと電気的に接続している。またこのコン
タクトホール７ｂ内の表示電極８を覆うように金属から
なるソース電極１０が設けられている。コンタンクトホ
ール７ａ内には金属からなるドレイン電極９が形成され
ており、このドレイン電極９がドレイン領域２ａと電気
的に接続している。An auxiliary capacitance electrode 5 made of ITO or the like is formed on the substrate 1 of the pixel portion where the liquid crystal layer is provided. A first insulating film 6 made of a silicon oxynitride film is formed so as to cover the auxiliary capacitance electrode 5 and the thin film transistor, and a second insulating film 7 made of a silicon nitride film is formed on the first insulating film 6. Are formed. The interlayer insulating film is composed of the first insulating film 6 and the second insulating film 7. The interlayer insulating film above the drain region 2a and the source region 2c is removed by etching, and contact holes 7a and 7b are formed. A display electrode 8 made of ITO or the like is formed on the second insulating film 7 on the pixel portion, and the display electrode 8 extends into the contact hole 7b.
It is electrically connected to the source region 2c. A source electrode 10 made of metal is provided so as to cover the display electrode 8 in the contact hole 7b. A drain electrode 9 made of metal is formed in the contact hole 7a, and the drain electrode 9 is electrically connected to the drain region 2a.
【００１４】図２は、図１に示す実施例を製造する工程
を示す断面図である。図２（ａ）を参照して、基板１上
には半導体活性層２が形成される。この半導体活性層２
は、例えばポリシリコン膜からなる。ポリシリコン膜は
ＣＶＤ法により形成させてもよいし、非晶質シリコン膜
を形成しこれをアニールして結晶化させ形成させてもよ
い。この半導体活性層２には不純物をドープすることに
よりドレイン領域２ａ及びソース領域２ｃが形成されて
おり、ドレイン領域２ａ及びソース領域２ｃの間にチャ
ンネル領域２ｂが設けられている。チャンネル領域２ｂ
上にはゲート絶縁膜３が形成され、該ゲート絶縁膜３上
にゲート電極４が形成されている。半導体活性層２、ゲ
ート絶縁膜３及びゲート電極４から薄膜トランジスタが
構成されている。また、画素部の基板１上にはＩＴＯか
らなる補助容量電極５が形成されている。FIG. 2 is a sectional view showing a process of manufacturing the embodiment shown in FIG. Referring to FIG. 2A, semiconductor active layer 2 is formed on substrate 1. This semiconductor active layer 2
Is made of, for example, a polysilicon film. The polysilicon film may be formed by a CVD method, or may be formed by forming an amorphous silicon film and annealing it to crystallize it. A drain region 2a and a source region 2c are formed in the semiconductor active layer 2 by doping impurities, and a channel region 2b is provided between the drain region 2a and the source region 2c. Channel area 2b
A gate insulating film 3 is formed on the gate insulating film 3, and a gate electrode 4 is formed on the gate insulating film 3. A thin film transistor is composed of the semiconductor active layer 2, the gate insulating film 3, and the gate electrode 4. In addition, an auxiliary capacitance electrode 5 made of ITO is formed on the substrate 1 of the pixel portion.
【００１５】図２（ｂ）を参照して、基板１上の薄膜ト
ランジスタ及び補助容量電極５上に酸化窒化シリコン膜
からなる第１の絶縁膜６を形成する。この第１の絶縁膜
６の膜厚は、５００〜１０００Å程度が好ましい。第１
の絶縁膜６の膜厚が薄すぎる場合には、この第１の絶縁
膜６上に窒化シリコン膜を形成する際、下地層であるＩ
ＴＯからなる補助容量電極５の還元反応を抑制するのが
不充分になる場合がある。また第１の絶縁膜６の膜厚が
厚すぎる場合には、酸化窒化シリコン膜の応力が大きい
ため、クラック発生等の問題を生じる場合がある。Referring to FIG. 2B, a first insulating film 6 made of a silicon oxynitride film is formed on the thin film transistor on the substrate 1 and the auxiliary capacitance electrode 5. The thickness of the first insulating film 6 is preferably about 500 to 1000Å. First
When the film thickness of the insulating film 6 is too thin, when the silicon nitride film is formed on the first insulating film 6, the underlying layer I
In some cases, it may be insufficient to suppress the reduction reaction of the auxiliary capacitance electrode 5 made of TO. If the thickness of the first insulating film 6 is too thick, the stress of the silicon oxynitride film is large, which may cause problems such as cracks.
【００１６】本実施例では、第１の絶縁膜６の酸化窒化
シリコン膜を、ＳｉＨ4 流量５ｓｃｃｍ、ＮＨ3 流量２
０ｓｃｃｍ、Ｎ2 Ｏ流量３ｓｃｃｍ、基板温度３００
℃、ＲＦパワー１５０Ｗの条件で形成している。In this embodiment, the silicon oxynitride film of the first insulating film 6 is formed with a SiH 4 flow rate of 5 sccm and an NH 3 flow rate of 2
0 sccm, N 2 O flow rate 3 sccm, substrate temperature 300
It is formed under the conditions of ° C and RF power of 150W.
【００１７】次に、図２（ｃ）を参照して、第１の絶縁
膜６上に窒化シリコン膜からなる第２の絶縁膜７を形成
する。第２の絶縁膜７の膜厚は特に限定されるものでは
ないが、後述の理由により第１の絶縁膜６の３倍以上の
膜厚が好ましい。本実施例では、第２の絶縁膜７である
窒化シリコン膜を、プラズマＣＶＤ法により形成してお
り、形成条件は、ＳｉＨ4 流量８ｓｃｃｍ、ＮＨ3 流量
３２ｓｃｃｍ、Ｈ2 流量７０ｓｃｃｍ、Ｎ2 流量７０ｓ
ｃｃｍ、基板温度３００℃、ＲＦパワー１５０Ｗとして
いる。Next, referring to FIG. 2C, a second insulating film 7 made of a silicon nitride film is formed on the first insulating film 6. The thickness of the second insulating film 7 is not particularly limited, but is preferably three times or more the thickness of the first insulating film 6 for the reason described below. In this embodiment, the silicon nitride film which is the second insulating film 7 is formed by the plasma CVD method, and the forming conditions are SiH 4 flow rate 8 sccm, NH 3 flow rate 32 sccm, H 2 flow rate 70 sccm, N 2 flow rate 70 s.
ccm, substrate temperature 300 ° C., and RF power 150 W.
【００１８】次に、図２（ｄ）を参照して、第１の絶縁
膜６及び第２の絶縁膜７からなる層間絶縁膜に、エッチ
ング等によりコンタンクトホール７ａ，７ｂを形成す
る。次に、図１に示すように、画素部の第２の絶縁膜７
上に表示電極８を形成し、この表示電極８をソース領域
２ｃ上にまで延ばし、コンタンクトホール７ｂ内にソー
ス電極１０を形成する。またコンタンクトホール７ａ内
にはドレイン電極９を形成する。Next, referring to FIG. 2D, contact holes 7a and 7b are formed in the interlayer insulating film composed of the first insulating film 6 and the second insulating film 7 by etching or the like. Next, as shown in FIG. 1, the second insulating film 7 of the pixel portion is formed.
The display electrode 8 is formed on the display electrode 8, the display electrode 8 is extended to the source region 2c, and the source electrode 10 is formed in the contact hole 7b. Further, the drain electrode 9 is formed in the contact hole 7a.
【００１９】以上のようにして、図１に示すような構造
の液晶表示装置の駆動部分が得られる。図３は、第２の
絶縁膜／第１の絶縁膜の膜厚比を変化させた場合の内部
応力を示す図である。この内部応力は、シリコンウエハ
の上に第１の絶縁膜である酸化窒化シリコン膜と第２の
絶縁膜である窒化シリコン膜を膜厚比を変えて形成し、
シリコンウエハに生じたソリから測定したものである。
なお、ここで第１の絶縁膜と第２の絶縁膜の合計の膜厚
は約４０００Åになるように調整されている。図３から
明らかなように、第２の絶縁膜の膜厚が第１の絶縁膜の
膜厚に比べ大きくなるに従い内部応力が低下している。
これは、第１の絶縁膜である酸化窒化シリコン膜が第２
の絶縁膜である窒化シリコン膜よりも内部応力が大きい
ためである。膜厚比が２．５以下になると、膜表面にわ
ずかながらクラックの発生が認められた。従って、第２
の絶縁膜／第１の絶縁膜の膜厚比は３以上、すなわち、
第２の絶縁膜の膜厚が第１の絶縁膜の３倍以上であるこ
とが好ましい。なお、ここで形成している窒化シリコン
膜は、形成時にＨ2 流量比を増加させることにより低応
力にした窒化シリコン膜である。As described above, the driving portion of the liquid crystal display device having the structure shown in FIG. 1 is obtained. FIG. 3 is a diagram showing the internal stress when the film thickness ratio of the second insulating film / the first insulating film is changed. The internal stress is formed by forming a silicon oxynitride film that is a first insulating film and a silicon nitride film that is a second insulating film on a silicon wafer while changing the film thickness ratio,
It is measured from the warp generated on the silicon wafer.
Here, the total film thickness of the first insulating film and the second insulating film is adjusted to be about 4000 Å. As is clear from FIG. 3, the internal stress decreases as the film thickness of the second insulating film becomes larger than the film thickness of the first insulating film.
This is because the silicon oxynitride film that is the first insulating film is the second
This is because the internal stress is larger than that of the silicon nitride film, which is the insulating film. When the film thickness ratio was 2.5 or less, a slight crack was observed on the film surface. Therefore, the second
The insulating film / first insulating film thickness ratio is 3 or more, that is,
It is preferable that the thickness of the second insulating film be three times or more that of the first insulating film. The silicon nitride film formed here is a silicon nitride film having a low stress by increasing the H 2 flow rate ratio at the time of formation.
【００２０】なお、上記実験例では、膜厚比が２．５以
下になると膜表面にクラックが発生したが、その程度は
従来の低応力ではない窒化シリコン膜を形成した場合に
比べ軽微であり、従来と比較すれば膜厚比２．５以下で
も良好な結果が得られている。In the above experimental example, when the film thickness ratio was 2.5 or less, cracks were generated on the film surface, but the extent of the cracks was smaller than in the case of forming a conventional silicon nitride film having low stress. As compared with the conventional one, good results are obtained even when the film thickness ratio is 2.5 or less.
【００２１】次に、上記実施例の薄膜形成条件で、第１
の絶縁膜の膜厚５００Å、第２の絶縁膜３５００Åにし
て層間絶縁膜を形成した本発明例と、上記薄膜形成条件
で第１の絶縁膜を形成せず第２の絶縁膜である窒化シリ
コン膜のみを膜厚４０００Åとして形成しこれを層間絶
縁膜とした従来例１、並びに低応力でない窒化シリコン
膜の薄膜形成条件（ＳｉＨ4 流量８ｓｃｃｍ、ＮＨ3 流
量１５ｓｃｃｍ、Ｈ2流量３２ｓｃｃｍ、Ｎ2 流量３５
０ｓｃｃｍ、基板温度３００℃、ＲＦパワー１５０Ｗ）
で第２の絶縁膜である窒化シリコン膜のみを膜厚４００
０Åとなるように形成しこれを層間絶縁膜とした従来例
２を作製した。これらの液晶表示装置について以下の方
法で透過率、異常成長密度、ショート発生率、素子特
性、及び耐クラック性を評価し、結果を表１に示した。Next, under the thin film forming conditions of the above embodiment, the first
Example of the present invention in which the interlayer insulating film is formed with the film thickness of the insulating film of 500 Å and the second insulating film 3500 Å, and the silicon nitride which is the second insulating film without forming the first insulating film under the above thin film forming conditions. Conventional example 1 in which only a film is formed with a film thickness of 4000 Å and this is used as an interlayer insulating film, and thin film forming conditions of a silicon nitride film without low stress (SiH 4 flow rate 8 sccm, NH 3 flow rate 15 sccm, H 2 flow rate 32 sccm, N 2 flow rate) 35
0sccm, substrate temperature 300 ° C, RF power 150W)
Then, only the silicon nitride film that is the second insulating film has a thickness of 400
Conventional Example 2 was prepared in which the interlayer insulating film was formed so as to have 0Å. The transmittance, abnormal growth density, short-circuit occurrence rate, device characteristics, and crack resistance of these liquid crystal display devices were evaluated by the following methods, and the results are shown in Table 1.
【００２２】（評価方法） 透過率：絶縁膜／ＩＴＯ／ガラス構造でガラスをリファ
レンスとして可視光領域の透過率を測定し平均した。(Evaluation Method) Transmittance: In the insulating film / ITO / glass structure, the transmittance in the visible light region was measured and averaged using glass as a reference.
【００２３】異常成長密度：単位面積当たり（μｍ2 ）
の突起数を表面ＳＥＭ観察で評価した。 ショート発生率：電極／絶縁膜／ＩＴＯ構造でマトリク
スパターンを形成したときの（ショート発生数／パター
ン数）の百分率。Abnormal growth density: per unit area (μm 2 )
The number of protrusions was evaluated by surface SEM observation. Short circuit occurrence rate: Percentage of (number of short circuits / number of patterns) when a matrix pattern is formed with an electrode / insulating film / ITO structure.
【００２４】素子特性：バイアステスト（Ｂ−Ｔ処理）
によるＴＦＴ特性（オン／オフ比）の変化の割合を、変
化なし（○）、１桁未満の変化（△）、１桁以上の変化
（×）で評価した。Device characteristics: Bias test (BT process)
The rate of change in the TFT characteristics (on / off ratio) due to was evaluated by no change (◯), change of less than one digit (Δ), and change of one digit or more (x).
【００２５】耐クラック性：各サイズのコンタンクトホ
ール形成時のクラック発生率で評価し、発生率０％を
○、発生率１０％未満を△、発生率１０％以上を×とし
た。Crack resistance: The crack occurrence rate at the time of forming a concatenated hole of each size was evaluated. The occurrence rate of 0% was ◯, the occurrence rate of less than 10% was Δ, and the occurrence rate of 10% or more was x.
【００２６】[0026]
【表１】 [Table 1]
【００２７】表１から明らかなように、低応力の窒化シ
リコン膜のみを形成した従来例１では、耐クラック性に
優れるものの、透過率、異常成長密度、及びショート発
生率において劣っている。これに対し低応力でない窒化
シリコン膜を形成した従来例２では透過率、異常成長密
度、ショート発生率において優れているが、耐クラック
性に劣っている。これらに対し本発明例では、透過率、
異常成長密度、及びショート発生率に優れ、しかも耐ク
ラック性に優れた液晶表示装置となっていることがわか
る。As is apparent from Table 1, in Conventional Example 1 in which only a low-stress silicon nitride film is formed, the crack resistance is excellent, but the transmittance, abnormal growth density, and short-circuit occurrence rate are poor. On the other hand, in Conventional Example 2 in which a silicon nitride film having low stress is formed, the transmittance, the abnormal growth density, and the short-circuit occurrence rate are excellent, but the crack resistance is poor. On the other hand, in the present invention example, the transmittance,
It can be seen that the liquid crystal display device is excellent in the abnormal growth density, the short-circuit occurrence rate, and the crack resistance.
【００２８】図４は、本発明に従う他の実施例を示す断
面図である。図４に示す実施例では、第１の絶縁膜６が
補助容量電極５上にのみ形成されており、その他の領域
では第２の絶縁膜７のみが層間絶縁膜となっている。こ
のように、本発明に従えば、少なくとも透明電極の上を
第１の絶縁膜で被覆すればよい。FIG. 4 is a sectional view showing another embodiment according to the present invention. In the embodiment shown in FIG. 4, the first insulating film 6 is formed only on the auxiliary capacitance electrode 5, and in the other regions, only the second insulating film 7 is the interlayer insulating film. Thus, according to the present invention, at least the transparent electrode may be covered with the first insulating film.
【００２９】図５は、本発明に従うさらに他の実施例を
示す断面図である。本実施例では、基板上に表示電極８
が設けられており、この表示電極８がソース領域の２ｃ
上にまで延びている。この表示電極８上に第１の絶縁膜
６が形成され、第１の絶縁膜６上に第２の絶縁膜７が形
成されている。このように、本発明において、透明電極
は補助容量電極に限定されるものではなく、表示電極上
に層間絶縁膜を形成する場合にも適用され得るものであ
る。FIG. 5 is a sectional view showing still another embodiment according to the present invention. In this embodiment, the display electrode 8 is formed on the substrate.
Is provided, and the display electrode 8 is a source region 2c.
It extends to the top. The first insulating film 6 is formed on the display electrode 8, and the second insulating film 7 is formed on the first insulating film 6. As described above, in the present invention, the transparent electrode is not limited to the auxiliary capacitance electrode, but can be applied to the case where the interlayer insulating film is formed on the display electrode.
【００３０】上記実施例では、透明電極を形成する酸化
物導電膜としてＩＴＯ膜を例にして説明したが、本発明
はこれに限定されるものではく、酸化錫等の他の酸化物
導電膜にも適用され得るものである。In the above embodiments, the ITO film was used as an example of the oxide conductive film forming the transparent electrode, but the present invention is not limited to this, and other oxide conductive films such as tin oxide are used. Can also be applied to.
【００３１】[0031]
【発明の効果】本発明では、層間絶縁膜として、少なく
とも透明電極上に酸化窒化シリコン膜からなる第１の絶
縁膜と、該第１の絶縁膜上に設けられる窒化シリコン膜
からなる第２の絶縁膜とが形成される。本発明に従え
ば、透明電極上に酸化窒化シリコン膜が形成されるの
で、その上に第２の絶縁膜である窒化シリコン膜を形成
する際、透明電極２に対する還元作用を抑制することが
でき、窒化シリコン膜の異常成長を抑制することができ
る。このため、リーク電流の増加や透過率の低下を防ぐ
ことができる。従って、本発明によれば、低応力の窒化
シリコン膜を第２の絶縁膜として形成することができ、
クラック等の発生がなく、素子特性に優れた液晶表示装
置とすることができる。According to the present invention, as an interlayer insulating film, a first insulating film made of a silicon oxynitride film is formed on at least a transparent electrode, and a second insulating film made of a silicon nitride film is formed on the first insulating film. An insulating film is formed. According to the present invention, since the silicon oxynitride film is formed on the transparent electrode, it is possible to suppress the reducing action on the transparent electrode 2 when the silicon nitride film which is the second insulating film is formed thereon. The abnormal growth of the silicon nitride film can be suppressed. Therefore, it is possible to prevent an increase in leak current and a decrease in transmittance. Therefore, according to the present invention, a low stress silicon nitride film can be formed as the second insulating film,
It is possible to obtain a liquid crystal display device which is free from cracks and has excellent element characteristics.
【図１】本発明に従う一実施例を示す断面図。FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment according to the present invention.
【図２】図１に示す実施例を製造する工程を示す断面
図。FIG. 2 is a cross-sectional view showing a process of manufacturing the embodiment shown in FIG.
【図３】第２の絶縁膜／第１の絶縁膜の膜厚比と内部応
力との関係を示す図。FIG. 3 is a diagram showing a relationship between a film thickness ratio of a second insulating film / a first insulating film and an internal stress.
【図４】本発明に従う他の実施例を示す断面図。FIG. 4 is a sectional view showing another embodiment according to the present invention.
【図５】本発明に従うさらに他の実施例を示す断面図。FIG. 5 is a sectional view showing still another embodiment according to the present invention.
【符号の説明】 １…基板 ２…半導体活性層 ２ａ…ドレイン領域 ２ｂ…チャンネル領域 ２ｃ…ソース領域 ３…ゲート絶縁膜 ４…ゲート電極 ５…補助容量電極 ６…第１の絶縁膜（酸化窒化シリコン膜） ７…第２の絶縁膜（窒化シリコン膜） ７ａ，７ｂ…コンタンクトホール ８…表示電極 ９…ドレイン電極 １０…ソース電極[Description of Reference Signs] 1 ... Substrate 2 ... Semiconductor active layer 2a ... Drain region 2b ... Channel region 2c ... Source region 3 ... Gate insulating film 4 ... Gate electrode 5 ... Auxiliary capacitance electrode 6 ... First insulating film (silicon oxynitride) Film) 7 ... Second insulating film (silicon nitride film) 7a, 7b ... Contact hole 8 ... Display electrode 9 ... Drain electrode 10 ... Source electrode
Claims (1)
極、及び薄膜トランジスタがマトリクス状に配列して設
けられ、該透明電極及び薄膜トランジスタ上に層間絶縁
膜が設けられる液晶表示装置において、 前記層間絶縁膜が、少なくとも前記透明電極上に設けら
れる酸化窒化シリコン膜からなる第１の絶縁膜と、該第
１の絶縁膜上に設けられる窒化シリコン膜からなる第２
の絶縁膜とから構成されることを特徴とする液晶表示装
置。1. A liquid crystal display device, comprising: a substrate on which transparent electrodes made of an oxide conductive film and thin film transistors are arranged in a matrix, and an interlayer insulating film is provided on the transparent electrodes and the thin film transistors. An insulating film is at least a first insulating film made of a silicon oxynitride film provided on the transparent electrode, and a second insulating film made of a silicon nitride film provided on the first insulating film.
A liquid crystal display device comprising:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29837693A JP3197723B2 (en) | 1993-11-29 | 1993-11-29 | Liquid crystal display |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29837693A JP3197723B2 (en) | 1993-11-29 | 1993-11-29 | Liquid crystal display |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07153962A true JPH07153962A (en) | 1995-06-16 |
| JP3197723B2 JP3197723B2 (en) | 2001-08-13 |
Family
ID=17858895
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29837693A Expired - Fee Related JP3197723B2 (en) | 1993-11-29 | 1993-11-29 | Liquid crystal display |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3197723B2 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100336889B1 (en) * | 1998-10-27 | 2008-11-28 | 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 | Thin Film Transistor Liquid Crystal Display |
| JP2014215485A (en) * | 2013-04-26 | 2014-11-17 | 三菱電機株式会社 | Thin film transistor substrate and method of manufacturing the same |
-
1993
- 1993-11-29 JP JP29837693A patent/JP3197723B2/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100336889B1 (en) * | 1998-10-27 | 2008-11-28 | 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 | Thin Film Transistor Liquid Crystal Display |
| JP2014215485A (en) * | 2013-04-26 | 2014-11-17 | 三菱電機株式会社 | Thin film transistor substrate and method of manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3197723B2 (en) | 2001-08-13 |
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