JPH0715352Y2 - インバータ装置 - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この考案は、部品の異常温度上昇を検出するサーマルプ
ロテクタを用いて回路保護を行うインバータ装置に関す
るものである。

〔従来の技術〕

第10図にインバータ装置の第１の従来例を示す。第10図
のインバータ装置は、１石式であって、トランジスタか
らなるスイッチング素子Tr₁を制御回路Ｂによってオン
オフさせ、インダクタL₁，コンデンサC₁およびインダク
タL₂により振動電流を発生して蛍光ランプ等の放電ラン
プl₁に高周波電流を供給し、これによって放電ランプl₁
を点灯させるようになっている。Ｅは直流電源、D₁はダ
イオード、C₂はコンデンサである。

この第10図の回路では、放電ランプl₁の寿命末期等にお
いて、インダクタL₁,L₂，スイッチング素子Tr₁等の部品
に流れる電流が増加し、それらの温度が異常に上昇した
ときに、サーマルプロテクタTPがそれらの部品のいずれ
かの温度上昇を検知し、導通状態から非導通状態へ移行
することにより高周波変換動作を停止させるようになっ
ている。

第11図にインバータ装置の第２の従来例を示す。第11図
のインバータ装置は、バランサL₃を用いて２本の放電ラ
ンプl₁,l₂を並列点灯させるようにしてあり、その他の
構成は第10図のものと同様である。C₃はコンデンサであ
る。

〔考案が解決しようとする課題〕

第10図に示したインバータ装置においては、放電ランプ
l₁の脱着時（交換時）に、電源を再投入しなくても高周
波変換動作を開始させるために、主回路の振動が停止し
ているときでも、制御回路Ｂからスイッチング素子Tr₁
の駆動信号を継続して供給している。この回路構成で
は、放電ランプl₁の寿命末期等の異常時にサーマルプロ
テクタTPがいずれかの部品の異常温度上昇を検知し、サ
ーマルプロテクタTPが非導通状態となって主回路の振動
動作を停止させるが、停止後もスイッチング素子Tr₁が
オンオフ動作を行っており、主回路の振動の停止に伴っ
て部品の温度が降下し、サーマルプロテクタTPが非導通
状態から導通状態に復帰したときに、主回路が再び振動
を始め、部品温度が上昇することになる。この結果、サ
ーマルプロテクタTPが動作−復帰を繰り返すことにな
り、安全上好ましくない動作になる。

第11図に示したインバータ装置においては、第10図のも
のと同様の問題を有する他、２本の放電ランプl₁,l₂の
何れか一方のみが寿命末期になったが他方は正常である
場合でも、２本の放電ランプl₁,l₂の両方が消灯してし
まう。したがって、異常が生じた例えば放電ランプl₁は
消灯させるが正常な放電ランプl₂は点灯させておくとい
うような動作を行うことは不可能である。

上記第10図および第11図のインバータ装置のような問題
を解消するには、サーマルプロテクタを制御回路Ｂの中
の回路に設け、異常が発生してサーマルプロテクタが動
作した時に、高周波発振出力を絞り、電源オフ等による
リセット信号が入るまで、高周波発振出力を絞った状態
を保持するように制御回路Ｂを構成することが考えられ
る。

上記のように、サーマルプロテクタを制御回路Ｂ内に設
けると、第10図および第11図のように主回路中にサーマ
ルプロテクタTPを介挿した場合のように温度上昇時に主
回路の動作を停止させるというような一意的な保護動作
を行うのとは異なり、制御回路Ｂの回路設計により保護
対象に合わせた多様な保護動作を行うことができる。

しかしながら、サーマルプロテクタTPは、導通信頼性を
確保するために、最小使用電流i_minが定められており、
i_min＝10〜50mAが通常である。したがって、サーマルプ
ロテクタTPの接点を制御回路Ｂ内に設ける場合、制御回
路Ｂの消費電流が大きくなり、制御回路電源の容量が大
きくなってしまい、発熱，コスト高を招いたり、装置全
体の効率低下を招く等の問題があった。

この考案の目的は、制御回路の発熱，コスト高ならびに
装置全体の効率低下を招くことなくサーマルプロテクタ
の導通の信頼性を確保することができ、しかもサーマル
プロテクタの動作信号に基づき保護対象に合わせた多様
な保護動作を行うことができるインバータ装置を提供す
ることである。

〔課題を解決するための手段〕

この考案のインバータ装置は、直流電源の電圧を高周波
変換回路で高周波電圧に変換して負荷へ供給するように
なっている。また、高周波変換回路の発熱部品に熱結合
させたサーマルプロテクタを直流電源および高周波変換
回路の何れか一方の内部の通電経路中に介挿し、サーマ
ルプロテクタと並列に抵抗を接続している。

さらに、サーマルプロテクタの動作に伴う抵抗の両端電
圧の変化または抵抗に流れる電流の変化を検出する検出
回路を設けるとともに、検出回路の出力に基づきサーマ
ルプロテクタの動作時に高周波変換回路から負荷への供
給電力を制限する制御回路を設けている。

〔作用〕

この考案の構成によれば、サーマルプロテクタを直流電
源および高周波変換回路の何れか一方の内部の通電経路
中に介挿しているので、サーマルプロテクタに最小使用
電流以上の電流を流すことができてサーマルプロテクタ
の導通の信頼性を確保することができる。また、サーマ
ルプロテクタに抵抗を並列に接続しているので、その抵
抗値を適切に設定することにより、サーマルプロテクタ
の動作信号を微小電流で動作する制御回路に最適なレベ
ルで伝達することができる。この結果、サーマルプロテ
クタの動作信号に基づき保護対象に合わせた多様な保護
動作を行うことができる。しかも、制御回路中にサーマ
ルプロテクタを設けてはいないので、制御回路の発熱，
コスト高ならびに装置全体の効率低下を招くことがな
い。

〔実施例〕

以下、この考案の実施例を図面を参照しながら説明す
る。

具体的な実施例の回路構成の説明に先立って、このイン
バータ装置の基本的な構成を第１図および第２図に基づ
き、１石式インバータを例にとって説明する。

このインバータ装置は、第１図に示すように、直流電源
Ｅの電圧を高周波変換回路Ａで高周波電圧に変換して負
荷Ｌへ供給するようになっている。高周波変換回路Ａ
は、例えば、スイッチング素子SWとダイオードD₁とコン
デンサC₁とインダクタL₁,L₂とからなり、その動作は従
来例で述べた通りである。また、負荷Ｌは、例えば従来
例と同様に放電ランプおよびコンデンサで構成される。

また、高周波変換回路Ａの発熱部品（例えば、スイッチ
ング素子SWまたはインダクタL₁,L₂等）に熱結合させた
サーマルプロテクタTPを直流電源Ｅおよび高周波変換回
路Ａの何れか一方の内部の通電経路中に介挿し、サーマ
ルプロテクタTPと並列に抵抗Ｚを接続している。このサ
ーマルプロテクタTPおよび抵抗Ｚの並列回路の挿入位置
としては、第１図に示すように、例えば一点鎖線X₁〜X₅
の位置が考えられる。なお、直流電源Ｅを、第２図に示
すように、交流電源ACの電圧をダイオードブリッジDB₁
で全波整流し、さらに平滑コンデンサC₀で平滑して得る
構成の場合、サーマルプロテクタTPおよび抵抗Ｚの並列
回路の挿入位置としては、一点鎖線X₆,X₇の位置も考え
られる。この場合、サーマルプロテクタTPを一点鎖線
X₁,X₂の位置に挿入すると、サーマルプロテクタTPに直
流電流が流れ、一点鎖線X₃,X₄,X₅の位置に挿入すると、
サーマルプロテクタTPに高周波電流が流れ、一点鎖線
X₆,X₇の位置に挿入すると、サーマルプロテクタTPに平
滑に伴うリップル電流が流れる。この際、サーマルプロ
テクタTPに流れる電流はいずれも最小使用電流i_minを超
えるものとなる。

さらに、サーマルプロテクタTPの動作に伴う抵抗Ｚの両
端電圧の変化または抵抗Ｚに流れる電流の変化を検出す
る検出回路DK₁を設けるとともに、検出回路DK₁の出力に
基づきサーマルプロテクタTPの動作時（開成時）に高周
波変換回路Ａから負荷Ｌへの供給電力を制限する制御回
路Ｂを設けている。この際、サーマルプロテクタTPの動
作信号を検出回路DK₁を介して制御回路Ｂに加える場合
に、その信号の大きさは、抵抗Ｚのインピーダンスを選
ぶことにより、任意に設定することができる。

以上のような構成のインバータ装置では、高周波変換回
路Ａや負荷Ｌに異常が生じて、高周波変換回路Ａ内の部
品の温度が異常に上昇すると、サーマルプロテクタTPが
動作（開成）し、抵抗Ｚの両端電圧または抵抗Ｚに流れ
る電流が変化する。検出回路DK₁は、上記の変化を検出
し、検出結果を制御回路Ｂに与えることになる。この結
果、制御回路Ｂは高周波変換回路Ａから負荷Ｌへの供給
電力を低く制限して、高周波変換回路Ａの構成部品およ
び負荷Ｌ等の保護を図ることになる。この場合、高周波
変換回路Ａの出力の低減は、例えばスイッチング素子SW
のオンデューティを小さくすることにより行うことがで
きるが、これには限らない。

このインバータ装置によれば、サーマルプロテクタTPを
直流電源Ｅおよび高周波変換回路Ａの何れか一方の内部
の通電経路中に介挿しているので、サーマルプロテクタ
TPに最小使用電流i_min以上の電流を流すことができてサ
ーマルプロテクタTPの導通の信頼性を確保することがで
きる。

また、サーマルプロテクタTPに抵抗Ｚを並列に接続して
いるので、その抵抗値を適切に設定することにより、サ
ーマルプロテクタTPの動作信号を微小電流で動作する制
御回路Ｂに最適なレベルで伝達することができる。この
結果、サーマルプロテクタTPの動作信号に基づき保護対
象に合わせた多様な保護動作を行うことができる。例え
ば、いったんサーマルプロテクタTPが動作して高周波変
換回路Ａの出力を低下させると、リセット信号を制御回
路Ｂに与えるまで高周波変換回路Ａの出力を復帰させな
いようにすることが可能となり、サーマルプロテクタTP
の動作・復旧の繰り返しを防止することができる。ま
た、サーマルプロテクタTPが動作したときに、高周波変
換回路Ａの出力を零にするのではなく、任意のレベルに
減少させることが可能となる。この結果、例えば他灯の
点灯回路において、１灯が異常となったときにも、点灯
状態を維持しながら、回路の保護を図ることができる。

しかも、制御回路Ｂ中にサーマルプロテクタTPを設けて
はいないので、制御回路Ｂの発熱，コスト高ならびに装
置全体の効率低下を招くことがない。

また、サーマルプロテクタTPおよび抵抗Ｚの並列回路を
第１図における一点鎖線X₁またはX₃の位置あるいは第２
図における一点鎖線X₇の位置に設けると、検出回路DK₁
および制御回路ＢとサーマルプロテクタTPおよび抵抗Ｚ
の並列回路とのグラウンドラインを共通にすることがで
き、絶縁処理、レベルシフト処理等を行うことが不要と
なり、信号の伝達を容易に行うことができる。

つぎに、インバータ装置の具体的な実施例を以下に説明
する。

第３図にインバータ装置の具体的な第１の実施例を示
す。このインバータ装置は、サーマルプロテクタおよび
抵抗を第１図における一点鎖線X₃の位置に挿入した例を
示している。

直流電源Ｅは、交流電源ACとダイオードブリッジDB₁と
平滑コンデンサC₀からなる。

高周波変換回路Ａは、１石式で第１図と同様の構成であ
り、スイッチング素子SWとして、トランジスタからなる
スイッチング素子Tr₁を用いている。負荷Ｌは、放電ラ
ンプl₁とコンデンサC₂からなる。

R₁₀は抵抗、C₄はコンデンサ、ZD₁はツェナーダイオード
で、これらの電源電圧V_CCを発生し、制御回路Ｂおよび
検出回路DK₁の電源となる。

スイッチング素子Tr₁のオンオフを制御する制御回路Ｂ
は、タイマ集積回路（μPC555等）IC₁と抵抗R₇,R₈,R₉,R
₁₁,R₁₂，コンデンサC₅,C₆およびトランジスタTr₃からな
り、発振動作を行う。その発振周波数ｆおよびデューテ
ィは、タイマ集積回路IC₁の５番ピンの電圧と抵抗R₈,R₉
およびコンデンサC₆とで決まる。この場合、コンデンサ
C₆の充電速度を高めると、スイッチング素子Tr₁のオン
期間が短くなる。タイマ集積回路IC₁の３番ピンが発振
出力であり、ハイレベルとローレベルとを繰り返す方形
波信号を出力し、この方形波信号によってスイッチング
素子Tr₁をオンオフ駆動し、インダクタL₁,L₂およびコン
デンサC₁により高周波信号を生じさせて放電ランプl₁を
点灯させる。

一方、サーマルプロテクタTPおよび抵抗Ｚの並列回路が
スイッチング素子Tr₁のエミッタ側に直列に挿入接続さ
れており、抵抗Ｚの両端電圧の高低をコンパレータIC₂
によって検出するようになっている。サーマルプロテク
タTPは、通常は閉成状態であり、抵抗Ｚの両端電圧V_Zは
０である。例えば放電ランプl₁が寿命末期（いわゆる、
エミッタ消耗状態）となると、高周波変換回路Ａの主回
路電流が増加し、インダクタL₁,L₂やスイッチング素子T
r₁に過電流が流れてそれらの部品の発熱が増加する。こ
れらの部品のいずれかとサーマルプロテクタTPとを熱結
合しておくことにより、部品の発熱の増大に連動してサ
ーマルプロテクタTPが動作（開成）する。その結果、抵
抗Ｚにスイッチング素子Tr₁のエミッタ電流I_Eが流れ、
抵抗Ｚの両端間にＺ・I_Eなる電圧V_Zが発生する。

いま、Ｚ・I_E＞V_ZD2となるように、あらかじめ抵抗Ｚの
抵抗値やツェナーダイオードZD₂のツェナー電圧を設定
しておけば、サーマルプロテクタTPが動作して開成する
ことで、コンパレータCP₂の出力がローレベルからハイ
レベルに変化する。この結果、Ｒ−Ｓフリップフロップ
IC₃がセットされ、Ｒ−ＳフリップフロップIC₃のＱ出力
がローレベルからハイイレベルに変化し、Ｑ出力がハイ
レベルに固定される。

R-SフリップフロップIC₃のＱ出力がハイレベルになる
と、トランジスタTr₂,Tr₃がそれぞれオフからオンに変
化し、抵抗R₁₁が抵抗R₈に並列に接続されることとな
る。この結果、コンデンサC₆の充電速度が高くなり、タ
イマ集積回路IC₁の３番端子から出力される発振信号の
ハイレベル期間が短くなり、したがってスイッチング素
子Tr₁のオン期間が短縮され、高周波変換回路Ａの主回
路電流が減少し、負荷Ｌへの供給電力が減少する。

このように高周波変換回路Ａから負荷Ｌへの供給電力が
減少すると、高周波変換回路Ａの部品の発熱が低減さ
れ、サーマルプロテクタTPの温度も下降してサーマルプ
ロテクタTPが復帰（閉成）する。なお、サーマルプロテ
クタTPが復帰しても、Ｒ−ＳフリップフロップIC₃のＱ
出力は変化しないので、高周波変換回路Ａの出力は少な
く制限された状態を保持する。

電源スイッチを遮断して再度投入すると、コンデンサC₇
および抵抗R₄を通してＲ−ＳフリップフロップIC₃がリ
セットされ、Ｒ−ＳフリップフロップIC₃のＱ出力がロ
ーレベルに復帰し、制御回路Ｂが元の状態にもどり、し
たがって高周波変換回路Ａの出力も元の状態に復帰す
る。

R₂,R₃,R₅,R₆は抵抗である。

この実施例の回路構成では、サーマルプロテクタTPにス
イッチング素子TR₁であるトランジスタのエミッタ電流I
_Eが流れており、例えば27W用の蛍光ランプを負荷Ｌとし
た場合に、実効値で100〜300mAの電流がサーマルプロテ
クタTPに流れることになり、サーマルプロテクタTPの最
小使用電流50mAを十分に保証することができる。

また、サーマルプロテクタTPの動作時のコンパレータCP
₂への入力電圧は抵抗Ｚの抵抗値を選択することにより
任意に設定することができる。

また、サーマルプロテクタTPの温度が低下してサーマル
プロテクタTPが復帰しても、高周波変換回路Ａは出力低
減状態を保持され、再び高周波変換回路Ａが始動して、
その出力が上昇し、再度サーマルプロテクタTPが動作す
るというような繰り返し動作は起こらず、安全性の高い
ものである。

なお、サーマルプロテクタTPの接続状態は、第３図のも
のに限らず、第４図（ａ），（ｂ）に示すようなものも
考えられる。第４図（ａ）の場合は、直列接続した抵抗
Z₁,Z₂のうち抵抗Z₂の方にサーマルプロテクタTPを並列
接続している。第４図（ｂ）の場合は、並列接続した抵
抗Z₁,Z₂のうち抵抗Z₂の方にサーマルプロテクタTPを直
列介挿している。

第５図にインバータ装置の具体的な第２の実施例を示
す。このインバータ装置は、サーマルプロテクタおよび
抵抗を第２図における一点鎖線X₇の位置に挿入した例を
示している。

このインバータ装置でも、前記実施例と同様に、サーマ
ルプロテクタTPの動作に伴う抵抗Ｚの両端電圧の変化を
検出回路DK₂で検出し、その検出信号を制御回路Ｂに与
えることにより、サーマルプロテクタTPの動作時に高周
波変換回路Ａの出力を低く制限するようにしている。そ
の他は前記の実施例と同様である。

つぎに、このインバータ装置の動作を説明する。

放電ランプl₁,l₂が正常である場合、発熱素子の温度が
一定のレベル以下の状態で高周波変換回路Ａが動作して
いて、放電ランプl₁,l₂が定格点灯している。このと
き、サーマルプロテクタTPは閉成していて、抵抗Ｚには
電流が流れず、その両端には電圧が発生しないため、検
出回路DK₂の出力はなく、制御回路Ｂは高周波変換回路
Ａを定格状態で動作させる。

一方、放電ランプl₁,l₂が寿命末期等になって発熱素子
の温度が一定のレベルを超えると、サーマルプロテクタ
TPが開成して、抵抗Ｚの両端に電圧が生じ、検出回路DK
₂が制御回路Ｂへ信号を送る。この結果、制御回路Ｂ
は、高周波変換回路Ａのオン・デューティを変化させた
り、周波数を変化させたり、あるいは高周波変換回路Ａ
内に含まれる限流インダクタンスを変化させることによ
り、ランプ電流を減少させ、これによって発熱素子の温
度上昇が一定以上にならないように制御する。

この場合、平滑コンデンサC₀と直列にサーマルプロテク
タTPおよび抵抗Ｚの並列回路を接続すると、サーマルプ
ロテクタTPに平滑コンデンサC₀のリップル電流（例えば
0.5A程度）が流れてサーマルプロテクタTPの最小使用電
流（例えば50mAが保証され、確実にサーマルプロテクタ
TPを動作させることができ、微小電流で動作する制御回
路Ｂを働かせることができる。

この実施例では、保持回路が含まれていないので、高周
波変換回路Ａの出力を制限してサーマルプロテクタTPの
温度が降下し、サーマルプロテクタTPが復帰すると、検
出回路DK₂がサーマルプロテクタTPの復帰を検出して制
御回路Ｂに信号を与えることから、高周波変換回路Ａの
出力も元に復帰し、サーマルプロテクタTPの動作・復帰
の繰り返し動作が行われるが、その他の点については前
記実施例で述べたのと同様である。

第６図は第５図のブロックを具体化した回路図を示して
いる。このインバータ装置の基本動作は、第５図につい
て説明したので、説明は省く。また、制御回路Ｂは、特
開昭64-4000号公報に開示されたものと同様の構成であ
り、詳しい動作説明は省く。

検出回路DK₂は、平滑コンデンサC₀と抵抗Ｚの接続点を
抵抗R₂₁を介してトランジスタTr₁₀のベースに接続し、
トランジスタTr₁₀のベース・エミッタ間に抵抗R₂₂を接
続し、トランジスタTr₁₀のコレクタが検出回路DK₂の出
力端となり、制御回路Ｂへ抵抗R₂₃を通して入力されて
いる。そして、トランジスタTr₁₀のオンオフによってコ
ンパレータCP₄のマイナス入力端子へ加わる電圧が切り
替わる。

サーマルプロテクタTPは、第６図ではインダクタL₁に熱
結合し、インダクタL₁の温度を検出するようになってい
る。

つぎに、動作を説明する。

放電ランプl₁,l₂が正常なときには、インダクタL₁はサ
ーマルプロテクタTPが動作する温度より低い状態で安定
している。このとき、サーマルプロテクタTPには、平滑
コンデンサC₀のリップル電流が流れる。この電流値は、
平滑コンデンサC₀が大型コンデンサ（180V,100μＦ）の
ものなら、約0.5A程度であり、サーマルプロテクタTPの
最小使用電流50mAを十分に保証している。このとき、抵
抗Ｚの両端には電圧が発生しないため、トランジスタTr
₁₀はオフであって、抵抗R₂₃とアース間は開放となり、
制御回路Ｂは抵抗R₂₃がない状態、つまり定格動作の状
態となり、放電ランプl₁,l₂には定格電流が流れる。

つぎに、放電ランプl₁,l₂が寿命末期となって、出力電
流が増加すると、インダクタL₁の温度が上昇してサーマ
ルプロテクタTPの動作温度を超え、サーマルプロテクタ
TPが開成することになる。この結果、抵抗Ｚの両端に電
圧が発生してトランジスタTr₁₀がオンとなり、抵抗R₂₄
と並列に接続され、コンパレータCP₄のマイナス入力端
子の電圧が低下し、スイッチング素子Tr₁のオン・デュ
ーティが小さくなり、発振周波数も高くなり、ランプ電
流を減少させる。

なお、上記各実施例では、１石式のインバータに本考案
を適用したが、ハーフブリッジ式のインバータやプッシ
ュプル式のインバータにも本考案を適用することが可能
である。

また、高周波変換回路Ａの出力可変の手段としても、ス
イッチング素子Tr₁のオン・デューティを変化させるだ
けでなく、発振周波数を変化させたり、限流インダクタ
ンスを変化させるようにしてもよい。また、サーマルプ
ロテクタTPによる温度検出は、発振用のインダクタL₁に
限らず、限流用のインバータL₂やスイッチング素子Tr₁
等、放電ランプl₁,l₂の寿命末期のエミッタ消耗時に温
度が正常時よりも高く上昇する部品なら何の温度を検出
してもよい。

このように構成すると、負荷として、多灯の放電ランプ
l₁,l₂がある場合において、１灯が寿命末期となって回
路素子の温度上昇でサーマルプロテクタTPが働いたとし
ても、高周波変換回路Ａを遮断して、全ての放電ランプ
l₁,l₂を不点にすることは防止することができ、制御回
路Ｂによって、ランプ電流を減少させながら、残り放電
ランプを点灯させながら、回路素子の温度上昇を低減さ
せることができる。

第７図にインバータ装置の具体的な第３の実施例を示
す。このインバータ装置は、第６図の回路の変形例とな
るもので、トランジスタTr₁₀と抵抗R₂₃との間に保持回
路HGを挿入したもので、その他は第６図のものと同様で
ある。

保持回路HGは、トランジスタTr₁₀のコレクタに接続した
抵抗R₃₁，反転バッファIC₅，フリップフロップIC₆，リ
セット用のコンデンサC₃₁および抵抗R₃₂，トランジスタ
Tr₁₁，抵抗R₃₃で構成されている。

この実施例によれば、いったんサーマルプロテクタTPが
動作して高周波変換回路Ａの出力が制限されると、保持
回路HGの作用でサーマルプロテクタTPの復帰後も高周波
変換回路Ａの出力制限状態が保持され、サーマルプロテ
クタTPの動作・復帰の繰り返しがなく、安全性の高い。
その他の効果は第６図に示したものと同様である。

第８図にインバータ装置の具体的な第４の実施例を示
す。このインバータ装置は、サーマルプロテクタおよび
抵抗を第１図における一点鎖線X₄の位置に挿入した例を
示している。このインバータ装置では、サーマルプロテ
クタTPと並列にカレントトランスCTの１次巻線を接続
し、カレントトランスCTの２次巻線にダイオードD₂を介
して抵抗Z₃,Z₄の直列回路を接続し、抵抗Z₄の電圧をト
ランジスタTr₁₂のベース・エミッタ間に加え、さらにト
ランジスタTr₁₂のコレクタ出力を制御回路Ｂに加えるこ
とで、サーマルプロテクタTPが動作したときの抵抗Z₄の
両端間の電圧を変化をトランジスタTr₁₂で検出し、高周
波変換回路Ａの出力を制限するようにしている。

動作について説明すると、サーマルプロテクタTPが動作
して接点が開放されると、カレントトランスCTの１次巻
線に電流が流れ、その２次巻線にも電流が発生し、ダイ
オードD₂および抵抗Z₃を通してトランジスタTr₁₂にベー
ス電流が供給されて、トランジスタTr₁₂がオンとなる。
これに伴って、制御回路Ｂが高周波変換回路Ａの出力を
制限することになる。

この場合、カレントトランスCTは、高周波変換回路Ａと
制御回路Ｂとの絶縁を図るために設けられている。

その他の構成は、高周波変換回路Ａの動作および制御回
路の動作は第３図に示したものと同様である。

このインバータ装置の場合、サーマルプロテクタTPが常
閉型であって、常時サーマルプロテクタTPにランプ電流
が流れており、放電ランプl₁が例えば27Wのものである
場合に約400mAの電流が流れ、サーマルプロテクタTPの
最小使用電流を保証している。

この実施例の効果としては、サーマルプロテクタTPの繰
り返し動作を防ぐ効果は得られないが、その他は第３図
に示したものと同様である。

第９図にインバータ装置の具体的な第５の実施例を示
す。このインバータ装置は、サーマルプロテクタおよび
抵抗を第１図における一点鎖線X₅の位置に挿入した例を
示している。このインバータ装置は、絶縁のために、カ
レントトランスCTに代えて、ホトカプラPCを用いてい
る。この場合、サーマルプロテクタTPの開閉に応じてホ
トカプラPCがオンオフする。

動作について説明すると、サーマルプロテクタTPが動作
して接点が開放すると、ランプ電流が抵抗Z₅およびZ₆を
通して流れ、このうち抵抗Z₆を通る電流がホトカプラPC
の発光素子側に流れ、受光素子がオンとなってサーマル
プロテクタTPが動作したことを制御回路に伝達する。

その他の動作は第８図のものと同様である。

この実施例の効果は第８図のものと同様である。

〔考案の効果〕

この考案のインバータ装置によれば、サーマルプロテク
タを直流電源および高周波変換回路の何れか一方の内部
の通電経路中に介挿しているので、サーマルプロテクタ
に最小使用電流以上の電流を流すことができてサーマル
プロテクタの導通の信頼性を確保することができる。

また、サーマルプロテクタに抵抗を並列に接続している
ので、その抵抗値を適切に設定することにより、サーマ
ルプロテクタの動作信号を微小電流で動作する制御回路
に最適なレベルで伝達することができる。この結果、サ
ーマルプロテクタの動作信号に基づき保護対象に合わせ
た多様な保護動作を行うことができる。しかも、制御回
路中にサーマルプロテクタを設けてはいないので、制御
回路の発熱，コスト高ならびに装置全体の効率低下を招
くことがない。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図はそれぞれこの考案のインバータ装
置の基本的な構成を示す回路図、第３図はこの考案の具
体的な第１の実施例の構成を示す回路図、第４図
（ａ），（ｂ）は第３図の実施例の変形回路構成を示す
部分回路図、第５図はこの考案の具体的な第２の実施例
の構成を示すブロック図、第６図は第５図のブロックの
具体構成を示す回路図、第７図はこの考案の具体的な第
３の実施例の構成を示す部分回路図、第８図はこの考案
の具体的な第４の実施例の構成を示す部分回路図、第９
図はこの考案の具体的な第５の実施例の構成を示す部分
回路図、第10図はインバータ装置の第１の従来図を示す
回路図、第11図はインバータ装置の第２の従来図を示す
回路図である。 Ｅ……直流電源、Ａ……高周波変換回路、Ｂ……制御回
路、Ｌ……負荷、TP……サーマルプロテクタ、Ｚ……抵
抗、DK₁……検出回路

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】直流電源と、この直流電源の電圧を高周波
   電圧に変換して負荷へ供給する高周波変換回路と、前記
   直流電源および高周波変換回路の何れか一方の内部の通
   電経路中に介挿されて前記高周波変換回路の発熱部品に
   熱結合させたサーマルプロテクタと、このサーマルプロ
   テクタと並列に接続された抵抗と、前記サーマルプロテ
   クタの動作に伴う前記抵抗の両端電圧の変化または前記
   抵抗に流れる電流の変化を検出する検出回路と、この検
   出回路の出力に基づき前記サーマルプロテクタの動作時
   に前記高周波変換回路から前記負荷への供給電力を制限
   する制御回路とを備えたインバータ装置。