JPH07147228A - ホトリソグラフィシステムにおける使用点へ液体を供給する熱制御ライン - Google Patents

ホトリソグラフィシステムにおける使用点へ液体を供給する熱制御ライン

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JPH07147228A
JPH07147228A JP6165343A JP16534394A JPH07147228A JP H07147228 A JPH07147228 A JP H07147228A JP 6165343 A JP6165343 A JP 6165343A JP 16534394 A JP16534394 A JP 16534394A JP H07147228 A JPH07147228 A JP H07147228A
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liquid
coolant
chamber
control line
thermal control
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Michael R Biche
アール. ビッシュ マイケル
Vuong P Nguyen
ピイ. ニューエン ビュオン
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Semiconductor Systems Inc
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    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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    • GPHYSICS
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    • G03F7/162Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 スピンコーティング装置において熱的に制御
した態様で液体を供給する。 【構成】 スピンコーティング又は現像剤装置において
温度制御した状態で液体を供給する装置及び方法を提供
する。本装置は、熱制御ラインであって、それは液体供
給ライン用の少なくとも1本の導管を包囲する内部コア
壁を有すると共に、冷却剤を循環させるための少なくと
も1個の室を取囲む外部環状壁を有している。内部コア
壁及び外部環状壁は、冷却剤と液体との間で効率的な熱
交換が行なわれるような物質から形成されている。冷却
剤は、供給される液体を所望の温度に維持するのに充分
な割合で環状室内を循環される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ホトリソグラフィシス
テムに関するものであって、更に詳細には、半導体基板
のコーティング又は現像を行なうために液体を熱的に制
御した状態で供給するための熱制御ラインを有するスピ
ンコーティング装置又は現像装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】最初に基板を薄い層のホトレジストでコ
ーティングし、該レジストを所望のパターンで露光し、
次いで該ホトレジスト層を現像することによって半導体
基板上にホトレジストマスクを形成する。最初のステッ
プにおいて、スピンコーティング装置によって基板をホ
トレジストでコーティングする。スピンコーティング装
置において、溶媒に溶解させたホトレジストを有する液
体を、基板をゆっくり回転させながら、基板の上表面へ
付与する。このプロセス期間中に、液体内の溶媒が蒸発
し、ホトジレストを固化させる。その液体は液体供給ラ
インを介して付与される。通常、液体が供給される場
合、液体が供給ラインを介して通過する場合に何等熱制
御が行なわれることはない。本発明者等の知得したとこ
ろによれば、この様な熱制御を行なわないことによって
コーティングが非一様なものとなることが判明した。従
って、本発明者等は、スピンコーティング装置において
供給される液体を温度制御することが必要であることを
知得した。同様に、本発明者等は、現像装置において供
給される液体を温度制御することが必要であることも知
得した。
【0003】図1は長年の間関連業界において使用され
ているスピンコーティング装置の分解図を示している。
スピンコーティング装置100は基板103上にノズル
組立体(即ち、使用点)104Cから液体を供給する液
体供給ライン120を有している。基板103は、スピ
ンモータ101へ接続されている平坦な真空チャック1
02によって支持されている。
【0004】スピンコーティング装置100は排気系を
有しており、それは液体排出ライン105、空気パージ
ライン106、セーフティライン107を有している。
ライン105及び106はコーティング室100Aへ接
続しており、且つライン107はスピンコーティング装
置100のモータ室100Bへ接続している。ライン1
05及び106はドレインタンク109へ接続してお
り、ドレインタンク109は過剰な液体を回収するため
に使用される。ライン107は排気マニホールド110
へ接続しており、排気マニホールド110は工場の排気
システムへ接続している。接続ライン111はドレイン
タンク109からの蒸気が排気マニホールド110へ入
ることを許容している。
【0005】各基板が処理されると、液体が余りにも早
く乾燥することを防止するために、コーティング室10
0A内の雰囲気中において所定の濃度の蒸気を維持す
る。遠心力によってその化学物質をスプレッド即ち拡布
する期間中の該化学物質の乾燥は、該化学物質から蒸発
する溶媒蒸気を閉込めることによって遅滞化される。シ
プレイ社のマイクロポジット(Microposit)
XP−90190−21化学物質における特定の溶媒及
び溶媒の量の場合には、該化学物質が約20℃乃至22
℃の温度にある場合には、1000rpm乃至1500
rpmの回転速度の場合に特に良好な結果が得られる。
スピンコーティングプロセス期間中に、プログラマブル
な排気ユニット112が導管111における蝶形弁(不
図示)を閉塞し、ドレインタンク109から排気マニホ
ールド110への空気及び蒸気の流れを制限する。この
ことは、ライン105及び106における蒸気及び空気
の流れを制限し、且つコーティング室100A内におけ
る蒸気濃度を増加したレベルに維持する。コーティング
プロセスが完了すると、プログラマブルな排気ユニット
112が蝶形弁を開成し、且つライン105及び106
を介しての工場の排気システム内への蒸気及び空気の通
常の流れが再確立される。
【0006】本発明者等は、このような従来の装置及び
方法において幾つかの欠点を見出した。従来の装置及び
方法における主要な欠点は、基板の上に供給される液体
の温度が制御されてないということである。従って、蝶
形弁を使用することによって蒸気濃度を所定のレベルに
維持したとしても、周囲の温度変化によってコーティン
グが一様でなくなる場合がある。
【0007】ある従来のシステムでは、液体供給ライン
の温度をある程度制御することが可能である。このよう
な従来のシステムにおいても、液体供給ラインの液体出
口端部(使用点)において温度制御を行なうものではな
く、且つ液体供給端部から上流側にかなり離れた距離
(数フィート)において行なわれるものである。このよ
うな距離にわたって温度制御を行なわない場合には、液
体に温度変化が発生することとなる。この問題は、液体
が継続的に供給されるものではない場合には特に深刻な
ものとなる。例えば、液体供給動作を夜間の間中断する
場合には液体出口端部付近における液体の温度は、シス
テムが再度始動される場合に制御することはできない。
【0008】又、供給すべき液体の冷却を行なうある従
来のシステムにおいては、冷却剤が、単一の液体供給ラ
インの周りのジャケット内において循環される。そのジ
ャケットを液体供給ライン上へ装着するためには機械的
なフィッティング即ち取付具が使用されるので、このよ
うな従来のフィッティングは、しばしば、リークを発生
し且つ冷却剤が排出されることとなる。ジャケットは液
体供給端部(使用点)から上流側にかなりの距離におい
て終端するものであっても、ジャケットからの冷却剤の
放出は基板を損傷するか又はシステム内のその他の機械
的部分を損傷する場合がある。
【0009】最後に、供給すべき液体を冷却するために
使用される従来の装置は、通常、基板への及び基板の周
りの空気の流れを阻止するようなかなり大きな寸法のも
のである。このように空気の流れが阻止されることによ
ってコーティングが一様のものでなくなる。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的とすると
ころは、スピンコーティング装置において熱的に制御さ
れた態様で液体を供給する装置及び方法を提供すること
である。通常、液体が供給される場合には、何等熱的な
制御は行なわれず、且つこのような熱的な制御が行なわ
れないことによってコーティングが一様なものではなく
なる。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明に基づく装置及び
方法においては、熱制御ラインが液体供給ライン用の導
管を取囲む内部コア壁を有すると共に、冷却剤を循環さ
せるための室を取囲む外部環状壁を有している。内部コ
ア壁及び外部環状壁は、冷却剤と液体との間で効率的な
熱交換を行なわせることを可能とする物質から形成され
ている。
【0012】本発明の一実施形態においては、熱制御ラ
インが3本の液体供給ラインを収容する3本の導管を取
囲む内部コア壁を有している。又、外部環状壁が2つの
室、即ち第一室と該第一室に隣接し且つ対抗して配設さ
れた第二室とを取囲んでいる。冷却剤は、最初に、熱制
御ラインの第一室内に入り且つ液体出口端部へ向けて流
れる。冷却剤は第二室における液体出口端部から帰還す
る。冷却剤は、供給される液体を所望の温度に維持する
のに充分な割合で循環される。
【0013】
【実施例】図2は本発明の好適実施例に基づいて構成さ
れた熱制御ラインの一実施例を示した分解図である。図
2に示した如く、熱制御ライン200は、押出し成形管
202を有しており、それは、両端部において液体入口
キャップ201と液体出口キャップ203とを有してい
る。液体入口キャップ201及び液体出口キャップ20
3は機械加工したアルミニウム部品であり、一方押出し
成形管202はアルミニウムの押出し成形物である。キ
ャップ201及び203は押出し成形管202上に溶接
して熱制御ライン200を形成している。
【0014】更に、図2においては、基板をコーティン
グするために使用される液体を供給する3個のテフロン
管205が示されている。管205は液体出口端部20
6(使用点)と液体入口端部207との間において熱制
御ライン200の内側に延在している。液体出口端部2
06において、オプションとして、基板上へ液体を放出
するためにノズル組立体208を使用することが可能で
ある。
【0015】熱制御ライン200がマウント即ち装着具
210を介してスピンコーティング装置に装着されてい
る。熱制御ライン200は、モータ220によって駆動
されるベルト及びプーリ機構230によってZ軸周りに
回転させることが可能である。又、熱制御ライン200
はモータ240によって駆動されるリードスクリュー2
70によってZ方向に並進運動させることが可能であ
る。モータ220及び240は、マイクロコントローラ
(不図示)によってモータ制御ケーブル280を介して
制御される。冷却剤は、冷却剤供給ライン292によっ
て熱制御ライン200へ供給され且つ冷却剤排出ライン
294によって排出される。
【0016】図3Aは図2におけるA−A線に沿ってと
った熱制御ライン200の押出し成形管202の断面を
示している。押出し成形管202は、外部環状壁301
と、導管304を取囲む内部コア壁302と、半径方向
壁330及び340とを有している。図3Aに示した如
く、外部環状壁301と内部コア壁302との間の空間
は半径方向壁330及び340によって分割されてい
る。従って、半径方向壁330及び340は、環状壁3
01及び内部コア壁302と共に、室310及び320
を画定している。室310及び320は冷却剤を循環さ
せるために使用される。冷却剤を循環させることによっ
て、テフロン管205(図2において示されている)内
の液体の温度は所望のレベルに維持される。
【0017】この実施例においては、内部コア壁302
は3本のテフロン管205を収容するために3本の内部
導管304を取囲むように形成されているが、本発明に
基づいて内部コア壁302によって任意の数の導管30
4を形成することが可能である。
【0018】図3Bは図2におけるB−B線に沿ってと
った押出し成形管202の断面を示している。図3Bに
示した如く、内部コア壁302は液体出口端部306及
び液体入口端部307において環状壁301を超えて突
出している。これら2つの端部における突出部は、押出
し成形管202の2つの端部において外部環状壁301
及び側壁330及び340を機械加工によって除去する
ことによって形成されている。図3Cは押出し成形管2
02の液体入口端部307の詳細な断面を示している。
図3Dは図2に示したZ方向に見た場合の押出し成形管
202の液体入口端部の構成を示している。
【0019】図3Eは押出し成形管202の液体出口端
部における断面を示している。図3Eに示した如く、壁
330及び340を機械加工することによって、液体出
口端部306において押出し成形管202の突出部分内
における壁330及び340内に開口350が形成され
ている。図3Fは図2に示したZ方向に見た場合の押出
し成形管202の液体出口端部の構成を示している。
【0020】図4Aは熱制御ラインの液体入口キャップ
201の側面図である。図4Bは図2のZ方向に見た場
合の液体入口キャップ201の構成を示している。液体
入口キャップ201はアルミニウムの中実円筒状ブロッ
クから機械加工したものである。図4A及び4Bに示し
た如く、液体入口キャップ201は、円筒状の壁401
と、2つの平坦な壁402及び403と、内部コア壁4
04とを有している。円筒壁401は、互いに120度
の角度で形成された2つのパイプネジ形状の半径方向孔
410及び420を有している。又、ほぼ平坦な壁40
3は直角に穿設されており、且つ夫々孔410及び42
0と連通している2つの孔412及び422を有してい
る。
【0021】液体入口キャップ201は充分な寸法を有
しており、従ってそれは液体入口端部において押出し成
形管202上に組み付けることが可能である。図4Cは
熱制御ライン200の液体入口端部207における組立
体の断面図を示している。図4Dは図2のZ方向に見た
場合の液体入口端部207の構成を示している。図4C
及び4Dに示した如く、液体入口端部207における組
立体は、液体入口キャップ201を押出し成形管202
上に組み付けることによって形成されている。この組立
体は、キャップ201の平坦壁403が押出し成形管2
02と対面し、従ってキャップ201の孔412及び4
22(図4A)が押出し成形管202の室310及び3
20(図3D)と連通するような態様で構成されてい
る。この組立体がリークがないような態様で密封させる
ために溶接452及び454が使用されている。
【0022】図5Aは熱制御ラインの液体出口キャップ
203の断面を示している。図5Bは図2のZ方向に見
た場合の液体出口キャップ203の構造を示している。
液体出口キャップ203はアルミニウムの中実円筒ブロ
ックから機械加工されたものである。図5A及び5Bに
示した如く、液体出口キャップ203は円筒状の壁50
1と内部コア壁502と2つの凹所503及び505と
を有している。
【0023】液体出口キャップ203は充分な寸法を有
しており、従って、それは液体出口端部において押出し
成形管202上に組み付けることが可能である。図5C
は図2においてB−B方向にとった熱制御ライン200
の液体出口端部206の断面を示している。図5Dは図
2に示したZ方向に見た場合の熱制御ラインの液体出口
端部206の構成を示している。図5C及び5Dに示し
た如く、液体出口端部206は、押出し成形管202上
に液体出口キャップ203を組み付けることによって形
成されている。この組立体は、キャップ203の平坦な
壁506が押出し成形管202の開口部350及び室3
10及び320に対面するような態様で構成されてい
る。この組立体をリークがないような態様で密封するた
めに溶接552及び554が使用されている。導管30
4は液体出口端部206においてアクセスが可能である
ようにされている。
【0024】熱制御ラインが上述した如くキャップ20
1及び203を押出し成形管202へ溶接することによ
って形成されると、液体入口端部207において室31
0及び320(図3F)への唯一のアクセスはキャップ
201における孔410及び420を介してのものであ
る。液体出口端部206においては室310及び320
へのアクセスは存在しない。然しながら、液体出口端部
206においては、押出し成形管202の壁330及び
340における開口部350が、冷却剤が室310から
室320へ流れることを可能としている。押出し成形管
202の導管304は、液体入口端部207及び液体出
口端部206の両方において外界へのアクセスが可能な
状態のままとされている。3本テフロン管205が図2
を参照して上述した如く液体出口端部206と液体入口
端部207との間において導管304を介して延在して
いる。動作期間中に、供給されるべき液体は液体入口端
部207からテフロン管205内側の液体出口端部20
6へ流れる。
【0025】冷却剤は液体入口キャップ201(図4A
及び4B)の孔410及び412を介して冷却剤供給ラ
イン294(図2)から熱制御ラインへ入る。熱制御ラ
イン内部においては、冷却剤が押出し成形管202の内
部コア壁302(図3A)に隣接する室310(図3
A)に流入する。冷却剤は、液体入口端部207から液
体出口端部206(図2)へ室310内を継続して流れ
る。液体出口端部205において、冷却剤は開口部35
0(図5C)を介して室310から室320へ流れる。
次いで、冷却剤は液体入口端部207に到達するまで押
出し成形管202の内部コア壁302(図3A)に隣接
する室320内に反対方向に流れる。液体入口端部20
7において、冷却剤は液体入口キャップ201(図4A
及び4B)における孔422及び420を介して冷却剤
排出ライン292によって除去される。従って、熱制御
ラインを介して通過する間、管205内の液体は室31
0及び320内を循環する冷却剤によって冷却される。
【0026】冷却剤は、テフロン管205内の液体を所
望の温度に維持するのに充分な割合で熱制御ライン20
0を介して流れる。好適実施例においては、冷却剤は循
環されるが、その他の実施例においては、テフロン管2
05内の液体を加熱することが必要である場合には、よ
り高い温度の熱交換用流体を循環させることが可能であ
る。
【0027】冷却剤を循環させることによって、半導体
基板上に供給すべき液体を供給する前に所望の温度に維
持させることを可能としている。従って、熱制御ライン
を取り巻く環境の温度が局所的に変動する場合であって
も、供給されるべき液体の温度に与える影響は最小とさ
れる。供給される液体の熱を制御することによって、半
導体基板上に供給する液体のコーティングを一貫したも
のとし且つ一様なものとすることを確保している。好適
実施例においては、供給される液体はホトレジストと溶
媒とを有している。
【0028】本発明によれば、熱制御ライン200の壁
は、導管304を介して流れるテフロン管205内部の
液体と室310及び320内部の冷却剤との間で効率的
な熱交換が行なわれることを可能とする物質から形成さ
れている。好適実施例においては、押出し成形管202
及びキャップ201及び203は高い熱交換効率を達成
するためにアルミニウムから形成されている。好適実施
例においては、アルミニウムは通常アルミニウム押出し
成形管を形成するために使用される標準的な等級のアル
ミニウムである。
【0029】上述した本発明に基づく熱制御ラインは幾
つかの利点を有している。単一の押出し成形管を使用す
ることにより、冷却剤と液体との間に効率的な熱交換を
発生させることが可能である。押出し成形管202の半
径方向壁330及び340は、押出し成形管の製造を容
易とさせるために図3Aに示した如くに位置決めされて
いる。然しながら、この半径方向壁は、本発明に基づい
て熱交換効率を改善するために異なる配向状態で形成す
ることも可能である。又、冷却剤を循環させるため及び
テフロン管を支持するために単一の押出し成形管を使用
することによって、製造コストを低下させることが可能
である。
【0030】本発明者等が知得したところによれば、こ
の熱制御ラインを使用することによって、周囲の温度が
変化した場合であっても、一様なコーティングを得るこ
とが可能である。何故ならば、液体の温度は液体出口端
部(使用点)に到達するまで制御されるからである。従
って、周囲の温度とは無関係に、単一の一様な温度にお
いて基板を液体でコーティングすることが可能である。
【0031】又、冷却剤は液体出口端部において完全に
溶接されている環状の管内を循環されるので、冷却剤が
リークする可能性はない。従って、冷却剤が放出される
ことによって基板が損傷されることはあり得ない。
【0032】最後に、熱制御ラインは、充分に小さな寸
法であって、従って基板に対して及び基板の周りの空気
の流れとの干渉は最小である。このことは基板のコーテ
ィングを一様とさせることに貢献する。又、上述した実
施例においては、内部コア壁内に3本の導管が形成され
ており、従って3つの異なった流体を単一の冷却剤によ
って同時的に冷却することが可能である。このことはシ
ステムを小型のものとすることを可能としており、従っ
て一様なコーティングを形成することを可能としてい
る。
【0033】図2乃至5Dに示した実施例においては、
簡単な熱交換構成が示されているが、熱制御ラインは多
様な形状及び寸法を取得るものであって且つ本発明の技
術的範囲を逸脱することなしに種々の構成とすることが
可能であることは勿論である。例えば、熱交換特性を向
上させるために内部中央壁上にフィンを設けることが可
能である。更に、冷却剤循環室は、環状室の一部として
形成することは必ずしも必要なものでない。例えば、冷
却剤循環ラインは液体供給ラインの周りに巻着させた二
重のヘリカルスパイラル形状に形成することが可能であ
る。
【0034】以上、本発明の具体的実施の態様について
詳細に説明したが、本発明は、これら具体例にのみ限定
されるべきものではなく、本発明の技術的範囲を逸脱す
ることなしに種々の変形が可能であることは勿論であ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】 従来のスピンコーティング装置を示した概略
分解図。
【図2】 本発明に基づいて構成された熱制御ラインの
1実施例を示した概略分解図。
【図3A】 図2に示したA−A方向にとった熱制御ラ
インの押出し成形管の断面図。
【図3B】 図2に示したB−B方向にとった押出し成
形管の概略断面図。
【図3C】 押出し成形管の液体入口端部の概略断面
図。
【図3D】 図2に示したZ方向に見た押出し成形管の
液体入口端部の端面図。
【図3E】 押出し成形管の液体出口端部の一部破断概
略断面図。
【図3F】 図2に示したZ方向に見た場合の押出し成
形管の液体出口端部の端面図。
【図4A】 熱制御ラインの液体入口キャップの概略側
面図。
【図4B】 図2のZ方向に見た場合の液体入口キャッ
プの概略図。
【図4C】 熱制御ラインの液体入口端部における組立
体を示した概略断面図。
【図4D】 図2のZ方向に見た場合の液体入口端部に
おける組立体を示した概略図。
【図5A】 熱制御ラインの液体出口キャップを示した
概略断面図。
【図5B】 図2のZ方向に見た場合の液体出口キャッ
プを示した概略図。
【図5C】 液体制御ラインの液体出口端部における組
立体を示した概略断面図。
【図5D】 図2に示したZ方向に見た場合の液体出口
端部の組立体を示した概略図。
【符号の説明】
200 熱制御ライン 201 液体入口キャップ 202 押出し成形管 203 液体出口キャップ 205 テフロン管 206 液体出口端部 207 液体入口端部 208 ノズル組立体 220 モータ 230 ベルト・プーリ機構 240 モータ 270 リードスクリュー 280 モータ制御ケーブル 292 冷却剤供給ライン 294 冷却剤排出ライン 301 外部環状壁 302 内部コア壁 304 導管 330,340 半径方向壁
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ビュオン ピイ. ニューエン アメリカ合衆国, カリフォルニア 95111, サン ノゼ, ゴールデンレイ ン ドライブ 47

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ホトリソグラフィシステムにおいて基板
    に隣接した使用点へ液体を供給する装置において、液体
    供給管と、冷却剤供給ラインと、熱制御ラインとが設け
    られており、前記熱制御ラインは、液体を送給するため
    の少なくとも1個の導管を包囲する内部コア壁を有する
    と共に冷却剤を循環させるための少なくとも1個の室を
    包囲する外部環状壁を有しており、前記導管が前記液体
    供給管へ接続しており且つ前記室が前記冷却剤供給ライ
    ンへ接続していることを特徴とする装置。
  2. 【請求項2】 請求項1において、前記室が実質的に前
    記導管と同延であることを特徴とする装置。
  3. 【請求項3】 請求項1において、前記内部コア壁が前
    記冷却剤と前記液体との間で効率的な熱交換を許容する
    物質から形成されていることを特徴とする装置。
  4. 【請求項4】 請求項1において、 (i)前記熱制御ラインが液体入口端部と前記液体入口
    端部の反対側に液体出口端部とを有しており、 (ii)前記冷却剤が前記液体入口端部から前記熱制御ラ
    インへ入り、且つ前記冷却剤が前記液体出口端部を介し
    て前記熱制御ラインから出る、ことを特徴とする装置。
  5. 【請求項5】 請求項4において、前記外部環状壁が第
    一室及び前記第一室に隣接し且つ対抗して配設された第
    二室を取囲んでいることを特徴とする装置。
  6. 【請求項6】 請求項5において、前記冷却剤が前記第
    一室における前記液体出口端部へ向かい且つ前記第二室
    における前記液体出口端部から流れ、且つ前記液体出口
    端部において前記第一室から前記第二室の間で流れるこ
    とを特徴とする装置。
  7. 【請求項7】 請求項1において、前記液体がホトレジ
    スト用の溶媒を有することを特徴とする装置。
  8. 【請求項8】 請求項1において、前記液体が現像剤用
    の溶媒を有することを特徴とする装置。
  9. 【請求項9】 請求項1において、前記導管内に管が設
    けられており、前記管が前記液体を閉込めていることを
    特徴とする装置。
  10. 【請求項10】 請求項1において、前記内部コア壁が
    3本の導管を包囲していることを特徴とする装置。
  11. 【請求項11】 スピンコーティング装置における液体
    供給ラインを使用するホトリソグラフィシステムにおい
    て所望される温度において液体を供給する方法におい
    て、 前記液体供給ラインを少なくとも1個の冷却剤循環室に
    よって取囲み、 供給される液体を前記所望の温度に位置するのに充分な
    割合で前記冷却剤循環室を介して冷却剤を循環させる、
    上記各ステップを有することを特徴とする方法。
  12. 【請求項12】 請求項11において、前記循環ステッ
    プの前に、前記冷却剤の温度が前記所望の温度よりも低
    いことを特徴とする方法。
  13. 【請求項13】 ホトリソグラフィシステムにおいて、 (i)基板に隣接した使用点へ液体を供給する熱制御ラ
    インが設けられており、前記ラインは液体を送給するた
    めの少なくとも1本の導管を取囲む内部コア壁を有する
    と共に冷却剤を循環させるための少なくとも1個の室を
    取囲む外部環状壁を有しており、 (ii)前記導管へ接続して液体供給管が設けられてお
    り、 (iii )前記室へ接続して冷却剤供給ラインが設けられ
    ており、 (iv)前記基板を支持するためのモータに接続して平坦
    な真空チャックが設けられている、ことを特徴とするシ
    ステム。
  14. 【請求項14】 請求項13において、前記液体を前記
    基板上へ供給するためのノズル組立体が設けられてお
    り、前記ノズル組立体は前記使用点において前記熱制御
    ラインに装着されていることを特徴とするシステム。
JP6165343A 1993-07-16 1994-07-18 ホトリソグラフィシステムにおける使用点へ液体を供給する熱制御ライン Pending JPH07147228A (ja)

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US92728 1993-07-16
US08/092,728 US5427820A (en) 1993-07-16 1993-07-16 Thermal control line for delivering liquid to a point of use in a photolithography system

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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5849084A (en) 1996-06-21 1998-12-15 Micron Technology, Inc. Spin coating dispense arm assembly
US5916368A (en) * 1997-02-27 1999-06-29 The Fairchild Corporation Method and apparatus for temperature controlled spin-coating systems
US5962070A (en) * 1997-09-25 1999-10-05 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate treating method and apparatus
US6302960B1 (en) 1998-11-23 2001-10-16 Applied Materials, Inc. Photoresist coater
EP1124252A2 (en) * 2000-02-10 2001-08-16 Applied Materials, Inc. Apparatus and process for processing substrates
US7798764B2 (en) 2005-12-22 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool
US7819079B2 (en) 2004-12-22 2010-10-26 Applied Materials, Inc. Cartesian cluster tool configuration for lithography type processes
US7396412B2 (en) 2004-12-22 2008-07-08 Sokudo Co., Ltd. Coat/develop module with shared dispense
US7651306B2 (en) 2004-12-22 2010-01-26 Applied Materials, Inc. Cartesian robot cluster tool architecture
US7699021B2 (en) 2004-12-22 2010-04-20 Sokudo Co., Ltd. Cluster tool substrate throughput optimization
JP2006278966A (ja) * 2005-03-30 2006-10-12 Toshiba Corp 半導体製造装置
CN105487296B (zh) * 2016-01-06 2019-01-22 京东方科技集团股份有限公司 取向膜材料及其制备方法、取向膜、显示基板制备方法
DE102017109965A1 (de) * 2017-05-09 2018-11-15 Flaco-Geräte GmbH Tankanlage

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2703533C2 (de) * 1977-01-28 1979-02-01 Papier- Und Kunststoff-Werke Linnich Gmbh, 4000 Duesseldorf Kartonzuschnitt für eine gas- und flüssigkeitsdichte, insbesondere außenseitig bedruckte Faltschachtel
US4190015A (en) * 1977-12-08 1980-02-26 Machine Technology, Inc. Apparatus for dispensing liquid to spinning workpieces
US4561486A (en) * 1981-04-30 1985-12-31 Hoxan Corporation Method for fabricating polycrystalline silicon wafer
JPH0444216Y2 (ja) * 1985-10-07 1992-10-19
US5279446A (en) * 1991-01-11 1994-01-18 The Cornelius Company Beverage cooling system
US5121612A (en) * 1991-04-15 1992-06-16 Etienne Guay Water separator
US5297700A (en) * 1993-08-02 1994-03-29 Ebtech, Inc. Bottled water station with removable reservoir

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KR950004422A (ko) 1995-02-18
US5427820A (en) 1995-06-27

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