JPH0714409U - 多芯光ファイバ組立体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 予めメタライズを施してから半田を用いて接
合する高温度域で使用する多芯光ファイバ組立体におい
て、Ｖブロックに加工した複数個を並列に刻設した高精
度なＶ溝のピッチ、整列度が半田付をも高精度であるこ
とが求められている。 【構成】 複数個のＶ溝を並列に刻設したＶブロックの
Ｖ溝上に光ファイバを載置し、光ファイバを挟持するよ
うにＶブロック上を蓋で覆いこの蓋をＶブロックに固定
してなる多芯光ファイバ組立体であって、光ファイバの
先端をＶブロックおよび蓋の端面より突出させ、光ファ
イバの突出する部分と、Ｖブロックおよび蓋の光ファイ
バの突出側の端面にそれぞれメタライズを施し、この部
分を半田付けしてなる多芯光ファイバ組立体とした。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は、多芯光ファイバ組立体に関し、受光または発光素子組立体や光電変 換などの半導体装置と接続するものである。

【０００２】

【従来の技術】

従来のＶブロック多芯ファイバ組立体110 は、図６に示すように、複数個のＶ 溝101 を並列に刻設したセラミック材のＶブロック102 のＶ溝101 上にファイバ 103 を載置し、Ｖブロック102 上をセラミック材の蓋104 で覆いファイバ103 を Ｖブロック102 と蓋104 とで挟持し、ファイバ103 を接着剤105 で固定していた 。また、他の金属部材に接合するためにＶブロック102 と蓋104 の側面にメタラ イズ106 を施し、ファイバ103 の端面部分は光学研磨面107 としてある。

【０００３】 Ｖブロック102 のＶ溝101 は、溝ピッチおよび整列度が非常に高精度であり、 溝ピッチおよび整列度は共にＳＭファイバの場合、±0.001mm 以下を要求される ことが多く、そして外周にはメタライズ106 を施してパッケージへの組み込みの 際半田を用いて固定していた。この精度はファイバ103 をＶ溝101 に密着しファ イバ103 の整列を得ることで、ファイバ103 のピッチや整列度がＶ溝101 のピッ チや整列度とすることを可能としている。

【０００４】 接着組立の場合、パッケージへの組込みなどの製造工程での高温度域ではファ イバのピッチ、整列度が変わってしまうため、接着剤の替わりに半田が用いられ るが、半田を用いるためＶブロックのＶ溝にメタライズし、また、Ｖ溝に載置す る部分のファイバにもメタライズを施して組立てる。 メタライズを施した箇所は、部分的にメッキ厚がバラつくため、組立後ファイ バのピッチおよび整列度がＶ溝のピッチおよび整列度と一致しなくなる。このメ ッキ厚のバラつきはＶブロックとファイバメタライズで合わせて10μｍ以上はあ り、Ｖ溝の精度が全く無駄となる。

【０００５】

【考案が解決しようとする課題】

予めメタライズを施してから半田を用いて接合するＶブロック多芯ファイバ組 立体において、Ｖブロックに加工した複数個並列に刻設した高精度なＶ溝のピッ チ、整列度が半田付け後も高精度であることが求められている。

【０００６】

【課題を解決するための手段】

そこで、本考案は、上記の事情に鑑み、Ｖブロックに加工した複数個並列に刻 設した高精度なＶ溝のピッチ、整列度が半田付け後も高精度とすべく、複数個の Ｖ溝を並列に刻設したＶブロックのＶ溝上に光ファイバを載置し、光ファイバを 挟持するようにＶブロック上を蓋で覆いこの蓋をＶブロックに固定してなる多芯 光ファイバ組立体であって、光ファイバの先端をＶブロックおよび蓋の端面より 突出させ、光ファイバの突出する部分と、Ｖブロックおよび蓋の光ファイバの突 出側の端面にそれぞれメタライズを施し、この部分を半田付けしてなる多芯光フ ァイバ組立体とした。

【０００７】

【作用】

本考案は、光ファイバをＶブロックおよび蓋の端面より突出するように設定し 、光ファイバの突出する部分と、Ｖブロックおよび蓋の光ファイバの突出側の端 面にそれぞれメタライズを施し、この部分を半田付けするので、多芯ファイバ組 立体で高精度な光ファイバのピッチおよび整列度の提供が可能であり、また半田 付けにより接合することから信頼性の高い気密封止を行うことができる。

【０００８】

【実施例】

本考案を添付する図面に示す具体的な実施例に基づいて以下詳細に説明する。 この多芯光ファイバ組立体10は、図１に示すように、Ｖブロック２の一面に高 精度なＶ溝１を複数個並列に刻設してあり、被覆から光ファイバ３を並列に突設 した多芯ファイバアレイ11の光ファイバ３をＶ溝１に載置し、光ファイバ３をＶ ブロック２と蓋４とで挟持してなる。

【０００９】 この多芯光ファイバ組立体10に対向して受光または発光組立体12が配置される 。 この受光または発光素子組立体12は、受光または発光素子のアレイ13と、受光 または発光素子のアレイ13の前面のレンズアレイ14と、受光または発光素子のア レイ13の後面のキャリア15とよりなる。

【００１０】 この多芯光ファイバ組立体10と受光または発光素子組立体12とは、図２に示す ように、この両者の組み合わせでパッケージ16に入れて多芯光ファイバ組立体10 は、半田17にて固着してある。 ここで、多芯光ファイバ組立体10は、図３に示すように、多芯ファイバアレイ 11を、Ｖブロック２と蓋４にて挟持して固定してある。Ｖブロック２と蓋４の材 質はセラミックで、アルミナ、ジルコニアなどを用いる。

【００１１】 多芯ファイバアレイ11は、複数本を並列に並べて、被覆部18より突出した光フ ァイバ３はＶブロック２のＶ溝１より突出する長さに設定してある。 Ｖブロック２の上面には複数個のＶ溝１が並列に並べて刻設してある。Ｖ溝１ 間のピッチとＶ溝１の整列度は、高精度に加工してある。この精度の程度により 多芯光ファイバ組立体10の光ファイバ３のピッチと整列度が決まる。

【００１２】 Ｖブロック２の後部は光ファイバ３の被覆部18を受け入れできるように段部19 が形成してある。 また、蓋４は前記Ｖブッロク２の上面に載置して、光ファイバ３をＶブロック ２と蓋４とで挟持できる大きさに形成し、その後部は光ファイバ３の被覆部19を 受け入れできるように段部20に形成してある。

【００１３】 光ファイバ３は、Ｖブロック２のＶ溝１上に載置し、その被覆部18は段部19上 に載置し、蓋４をＶブロック２上に載置し、その段部20に被覆部11を受け入れさ せ、Ｖブロック２と蓋４とで光ファイバ３を挟持する。 この際、光ファイバ３をＶブロック２に精度よく保持するために、光ファイバ ３のＶブロック２および蓋４の端面から突出する部分と、Ｖブロック２および蓋 ４の光ファイバ３の突出側端面のみにそれぞれメタライズ21・22・23を施す。メ タライズ21・22・23材としては、ＷまたはMo−Mnなどを用いる。

【００１４】 上記のようにしてなる光ファイバ３、Ｖブロック２および蓋４を図４に示すよ うにして組み立てる。 まず、図４(a) に示すように、Ｖブロック２のＶ溝１に光ファイバ３をメタラ イズ21を施した部分を突出させて載置し、被覆部18を段部19上に載置する。蓋４ をＶブロック２上面に載せ、被覆部18を段部20に受け入れさせ、光ファイバ３を Ｖブロック２と蓋４とで挟持させる。

【００１５】 次に、図４(b) に示すように、光ファイバ３が突出しメタライズ21・22・23が 施された部分を半田付け24により固定する。 続いて、図４(c) に示すように、突出した光ファイバ３の半田付け24された部 分を光ファイバ３端面を光が通過できるように、光学研磨面25とし、Ｖブロック ２と蓋４との隙間に接着剤26を充填し、被覆部も接着剤26で固着する。この接着 剤26での固着は半田付け24より前に行ってもよい。

【００１６】 上述の構造により、Ｖブロック２のＶ溝１にはメタライズを施さず、Ｖ溝１の ピッチおよび整列度を維持したままで半田付け24を可能とし、高温度域での光フ ァイバ３のピッチ、整列度がＶブロック２の精度と同一の状態とした信頼性の高 い多芯光ファイバ組立体の提供ができる。 この他の実施例として、図５に示すように、Ｖブロック２の先端上面角部に面 取り27を施し、蓋４の先端下面角部に面取り28を施して、ファイバ３の先端部と 面取り27・28部にメタライズ21・22・23を施し、そこを半田付け24することがで きる。他は前記実施例と全く同じである。

【００１７】

【考案の効果】 本考案は、上述のように、複数個のＶ溝を並列に刻設したＶブロックのＶ溝上 に光ファイバを載置し、光ファイバを挟持するようにＶブロック上を蓋で覆いこ の蓋をＶブロックに固定してなる多芯光ファイバ組立体であって、光ファイバの 先端をＶブロックおよび蓋の端面より突出させ、光ファイバの突出する部分と、 Ｖブロックおよび蓋の光ファイバの突出側の端面にそれぞれメタライズを施し、 この部分を半田付けしてなる多芯光ファイバ組立体であるので、ＶブロックのＶ 溝のピッチおよび整列度を維持したままで半田付けを可能とし、高温度域での光 ファイバのピッチ、整列度がＶブロックの精度と同一の状態とした信頼性の高い 多芯光ファイバ組立体の提供ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案のＶブロック多芯ファイバ組立体と受光
または発光組立体との斜視図である。

【図２】本考案のＶブロック多芯ファイバ組立体と受光
または発光組立体とをパッケージに入れてＶブロック多
芯ファイバ組立体を半田でパッケージに固着した状態を
示す側面図である。

【図３】本考案の光ファイバとＶブロックと蓋との分解
斜視図である。

【図４】本考案のＶブロック多芯ファイバ組立体の組立
工程を示す３面図である。

【図５】他の実施例のＶブロック多芯ファイバ組立体の
縦断面図である。

【図６】従来のＶブロック多芯ファイバ組立体の斜視図
である。

【符号の説明】

１…Ｖ溝 ２…Ｖブロック ３…光ファイバ ４…蓋 21・22・23…メタライズ 24…半田

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 複数個のＶ溝を並列に刻設したＶブロッ
   クのＶ溝上に光ファイバを載置し、光ファイバを挟持す
   るようにＶブロック上を蓋で覆いこの蓋をＶブロックに
   固定してなる多芯光ファイバ組立体であって、光ファイ
   バの先端をＶブロックおよび蓋の端面より突出させ、光
   ファイバの突出する部分と、Ｖブロックおよび蓋の光フ
   ァイバの突出側の端面にそれぞれメタライズを施し、こ
   の部分を半田付けしてなる多芯光ファイバ組立体。