JPH07142198A - プラズマ源 - Google Patents
プラズマ源Info
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- JPH07142198A JPH07142198A JP5314157A JP31415793A JPH07142198A JP H07142198 A JPH07142198 A JP H07142198A JP 5314157 A JP5314157 A JP 5314157A JP 31415793 A JP31415793 A JP 31415793A JP H07142198 A JPH07142198 A JP H07142198A
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- JP
- Japan
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- plasma
- plasma chamber
- cell
- frequency coil
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Abstract
(57)【要約】
【目的】この発明の目的は、蒸発源を別個に設ける必要
性がなく、プラズマの密度および安定性が高く、広くて
安定した動作圧力の確保ができ、しかも、電力に対する
効率がよく、ドーピング効率が向上し、高融点金属のド
ーピングが可能になるプラズマ源を提供することであ
る。 【構成】この発明のプラズマ源は、筒状のケーシング
と、このケーシングの先端部の内側にこの内側と間隔を
置くように取り付けられた内部がプラズマ室になった有
底形状のプラズマセルと、このプラズマセルの外周に巻
回された高周波コイルと、プラズマセルの底部背後に配
置され、高周波コイルの軸線と平行な磁場を形成する永
久磁石と、プラズマセルのプラズマ室側の底部に取り付
けたスパツタターゲットとを備えたものである。
性がなく、プラズマの密度および安定性が高く、広くて
安定した動作圧力の確保ができ、しかも、電力に対する
効率がよく、ドーピング効率が向上し、高融点金属のド
ーピングが可能になるプラズマ源を提供することであ
る。 【構成】この発明のプラズマ源は、筒状のケーシング
と、このケーシングの先端部の内側にこの内側と間隔を
置くように取り付けられた内部がプラズマ室になった有
底形状のプラズマセルと、このプラズマセルの外周に巻
回された高周波コイルと、プラズマセルの底部背後に配
置され、高周波コイルの軸線と平行な磁場を形成する永
久磁石と、プラズマセルのプラズマ室側の底部に取り付
けたスパツタターゲットとを備えたものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は高真空中に設けられた
基板の表面に薄膜を形成したり、あるいは金属をドーピ
ングしたりするときに使用されるプラズマ源に関するも
のである。
基板の表面に薄膜を形成したり、あるいは金属をドーピ
ングしたりするときに使用されるプラズマ源に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来のプラズマ源は図２に示されてお
り、同図において、筒状のケーシング１の内側には、内
部がプラズマ室２ａになった筒状のプラズマセル２がこ
のケーシング１の内側と間隔を置くように取り付けら
れ、また、ケーシング１の先端部には中央部にアパーチ
ャ３ａをもつグリッド３がケーシング１の開口部を覆う
ように取り付けられている。ケーシング１の内側とプラ
ズマセル２との間には、高周波電源（図示せず）に接続
された高周波コイル４がプラズマセル２の外周を囲むよ
うに配置されている。
り、同図において、筒状のケーシング１の内側には、内
部がプラズマ室２ａになった筒状のプラズマセル２がこ
のケーシング１の内側と間隔を置くように取り付けら
れ、また、ケーシング１の先端部には中央部にアパーチ
ャ３ａをもつグリッド３がケーシング１の開口部を覆う
ように取り付けられている。ケーシング１の内側とプラ
ズマセル２との間には、高周波電源（図示せず）に接続
された高周波コイル４がプラズマセル２の外周を囲むよ
うに配置されている。
【０００３】なお、図中、５はプラズマセル２のプラズ
マ室２ａにガスを導入するガス導入口、６はフランジで
ある。
マ室２ａにガスを導入するガス導入口、６はフランジで
ある。
【０００４】このようなプラズマ源において、真空容器
内を１０-4〜１０-5Ｔｏｒｒ程度にする一方で、プラズ
マセル２のプラズマ室２ａを１０-2〜１０-3Ｔｏｒｒ程
度にするようにガス導入口５よりガスを導入しながら、
高周波コイル４より高周波をプラズマセル２を通じてプ
ラズマ室２ａに導入すると、プラズマ室２ａに放電が起
こり、プラズマが生成される。このプラズマ室２ａに生
成されたプラズマ中のラジカルはグリッド３のアパーチ
ャ３ａよりプラズマ室２ａ外に噴出される。
内を１０-4〜１０-5Ｔｏｒｒ程度にする一方で、プラズ
マセル２のプラズマ室２ａを１０-2〜１０-3Ｔｏｒｒ程
度にするようにガス導入口５よりガスを導入しながら、
高周波コイル４より高周波をプラズマセル２を通じてプ
ラズマ室２ａに導入すると、プラズマ室２ａに放電が起
こり、プラズマが生成される。このプラズマ室２ａに生
成されたプラズマ中のラジカルはグリッド３のアパーチ
ャ３ａよりプラズマ室２ａ外に噴出される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来のプラズマ源は、
上記のようにプラズマ室２ａに生成されたプラズマ中の
ラジカルがグリッド３のアパーチャ３ａよりプラズマ室
２ａ外に噴出するだけであったから、高真空中に設けら
れた基板の表面に薄膜を形成したり、あるいは金属をド
ーピングしたりするときには、蒸発源を別個に設けなけ
ればならない問題があった。また、プラズマの発生機構
の原因より、プラズマの密度および安定性が低くて、動
作圧力も限られ、しかも、電力に対する効率が悪いた
め、ドーピング効率が低くなり、特に、高融点金属のド
ーピングが出来なくなる等の問題があった。
上記のようにプラズマ室２ａに生成されたプラズマ中の
ラジカルがグリッド３のアパーチャ３ａよりプラズマ室
２ａ外に噴出するだけであったから、高真空中に設けら
れた基板の表面に薄膜を形成したり、あるいは金属をド
ーピングしたりするときには、蒸発源を別個に設けなけ
ればならない問題があった。また、プラズマの発生機構
の原因より、プラズマの密度および安定性が低くて、動
作圧力も限られ、しかも、電力に対する効率が悪いた
め、ドーピング効率が低くなり、特に、高融点金属のド
ーピングが出来なくなる等の問題があった。
【０００６】この発明の目的は、従来の上記問題を解決
して、蒸発源を別個に設ける必要性なく、プラズマの密
度および安定性が高く、広くて安定した動作圧力の確保
ができ、しかも、電力に対する効率がよく、ドーピング
効率が向上し、高融点金属のドーピングが可能になるプ
ラズマ源を提供することにある。
して、蒸発源を別個に設ける必要性なく、プラズマの密
度および安定性が高く、広くて安定した動作圧力の確保
ができ、しかも、電力に対する効率がよく、ドーピング
効率が向上し、高融点金属のドーピングが可能になるプ
ラズマ源を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明のプラズマ源は、筒状のケーシングと、こ
のケーシングの先端部の内側にこの内側と間隔を置くよ
うに取り付けられた内部がプラズマ室になった有底形状
のプラズマセルと、このプラズマセルの外周に巻回され
た高周波コイルと、プラズマセルの底部背後に配置さ
れ、高周波コイルの軸線と平行な磁場を形成する永久磁
石と、プラズマセルのプラズマ室側の底部に取り付けた
スパッタターゲットとを備えたものである。
に、この発明のプラズマ源は、筒状のケーシングと、こ
のケーシングの先端部の内側にこの内側と間隔を置くよ
うに取り付けられた内部がプラズマ室になった有底形状
のプラズマセルと、このプラズマセルの外周に巻回され
た高周波コイルと、プラズマセルの底部背後に配置さ
れ、高周波コイルの軸線と平行な磁場を形成する永久磁
石と、プラズマセルのプラズマ室側の底部に取り付けた
スパッタターゲットとを備えたものである。
【０００８】
【作用】この発明においては、プラズマセルの外周に高
周波コイルを巻回するとともに、プラズマセルの底部背
後に高周波コイルの軸線と平行な磁場を形成する永久磁
石を配置しているので、プラズマ室にヘリコン波が発生
するようになり、このヘリコン波のエネルギーがランダ
ウ減衰によりプラズマ中の電子に効率よく伝わるように
なる。そのため、プラズマ室に生成されるプラズマの密
度が高く、安定性が向上し、広くて安定した動作圧力の
確保ができ、しかも、電力に対する効率がよくなる。こ
のようなプラズマ中のラジカルは、グリッドのアパーチ
ャ、引き出し電極のアパーチャおよびアース電極のアパ
ーチャよりプラズマ室外に噴出されるようになる。ま
た、プラズマセルのプラズマ室側の底部にスパッタター
ゲットを取り付けているので、プラズマ室に生成された
プラズマ中のイオンはスパッタターゲットをスパッタす
るようになる。そのため、スパッタ粒子は、プラズマ中
のラジカルと同様に、グリッドのアパーチャ、引き出し
電極のアパーチャおよびアース電極のアパーチャよりプ
ラズマ室外に噴出され、プラズマ室外の高真空中に設け
られた基板の表面に薄膜を形成したり、あるいは金属を
ドーピングしたりするようになる。したがって、ドーピ
ングに際しては、ドーピング効率が向上し、高融点金属
のドーピングが可能になる。
周波コイルを巻回するとともに、プラズマセルの底部背
後に高周波コイルの軸線と平行な磁場を形成する永久磁
石を配置しているので、プラズマ室にヘリコン波が発生
するようになり、このヘリコン波のエネルギーがランダ
ウ減衰によりプラズマ中の電子に効率よく伝わるように
なる。そのため、プラズマ室に生成されるプラズマの密
度が高く、安定性が向上し、広くて安定した動作圧力の
確保ができ、しかも、電力に対する効率がよくなる。こ
のようなプラズマ中のラジカルは、グリッドのアパーチ
ャ、引き出し電極のアパーチャおよびアース電極のアパ
ーチャよりプラズマ室外に噴出されるようになる。ま
た、プラズマセルのプラズマ室側の底部にスパッタター
ゲットを取り付けているので、プラズマ室に生成された
プラズマ中のイオンはスパッタターゲットをスパッタす
るようになる。そのため、スパッタ粒子は、プラズマ中
のラジカルと同様に、グリッドのアパーチャ、引き出し
電極のアパーチャおよびアース電極のアパーチャよりプ
ラズマ室外に噴出され、プラズマ室外の高真空中に設け
られた基板の表面に薄膜を形成したり、あるいは金属を
ドーピングしたりするようになる。したがって、ドーピ
ングに際しては、ドーピング効率が向上し、高融点金属
のドーピングが可能になる。
【０００９】
【実施例】以下、この発明の実施例について図面を参照
しながら説明する。この発明の実施例のプラズマ源は図
１に示されており、同図において、筒状のケーシング２
１の先端部の内側にはこの内側と間隔を置くように内部
がプラズマ室２２ａになった耐熱性および絶縁性を有す
る有底形状のプラズマセル２２が取り付けられている。
プラズマセル２２の開口部にはこれを覆うように中央部
にアパーチャ２３ａをもつグリッド２３が取り付けられ
ている。グリッド２３の前面には絶縁物２４を介して中
央部にアパーチャ２５ａをもつ引き出し電極２５が取り
付けられ、更に、その引き出し電極２５の前面には絶縁
物２６を介して中央部にアパーチャ２７ａをもつアース
電極２７が取り付けられており、各アパーチャ２３ａ、
２５ａ、２７ａはケーシング２１の軸線上に一列になっ
ている。プラズマセル２２の外周には、高周波電源２８
に接続された高周波コイル２９が巻回されている。プラ
ズマセル２２の底部背後には高周波コイル２９の軸線と
平行な磁場を形成するように永久磁石３０が高周波コイ
ル２９の軸線と一致するケーシング２１の軸線上に配置
されている。プラズマセル２２のプラズマ室２２ａ側の
底部にはスパッタターゲット３５が取り付けられてい
る。
しながら説明する。この発明の実施例のプラズマ源は図
１に示されており、同図において、筒状のケーシング２
１の先端部の内側にはこの内側と間隔を置くように内部
がプラズマ室２２ａになった耐熱性および絶縁性を有す
る有底形状のプラズマセル２２が取り付けられている。
プラズマセル２２の開口部にはこれを覆うように中央部
にアパーチャ２３ａをもつグリッド２３が取り付けられ
ている。グリッド２３の前面には絶縁物２４を介して中
央部にアパーチャ２５ａをもつ引き出し電極２５が取り
付けられ、更に、その引き出し電極２５の前面には絶縁
物２６を介して中央部にアパーチャ２７ａをもつアース
電極２７が取り付けられており、各アパーチャ２３ａ、
２５ａ、２７ａはケーシング２１の軸線上に一列になっ
ている。プラズマセル２２の外周には、高周波電源２８
に接続された高周波コイル２９が巻回されている。プラ
ズマセル２２の底部背後には高周波コイル２９の軸線と
平行な磁場を形成するように永久磁石３０が高周波コイ
ル２９の軸線と一致するケーシング２１の軸線上に配置
されている。プラズマセル２２のプラズマ室２２ａ側の
底部にはスパッタターゲット３５が取り付けられてい
る。
【００１０】なお、図中、３１はプラズマセル２２のプ
ラズマ室２２ａにガスを導入するガス導入口、３２はガ
ス導入口に連通するガス導入管、３３は永久磁石３０を
支持する磁石ホルダー、３４は真空容器、３６は基板で
ある。
ラズマ室２２ａにガスを導入するガス導入口、３２はガ
ス導入口に連通するガス導入管、３３は永久磁石３０を
支持する磁石ホルダー、３４は真空容器、３６は基板で
ある。
【００１１】このような実施例においては、プラズマセ
ル２２の外周に高周波コイル２９を巻回するとともに、
プラズマセル２２の底部背後に高周波コイル２９の軸線
と平行な磁場を形成する永久磁石３０を配置しているの
で、プラズマ室２２ａにヘリコン波が発生するようにな
り、このヘリコン波のエネルギーがランダウ減衰により
プラズマ中の電子に効率よく伝わるようになる。そのた
め、プラズマ室２２ａに生成されるプラズマの密度が高
くなる。
ル２２の外周に高周波コイル２９を巻回するとともに、
プラズマセル２２の底部背後に高周波コイル２９の軸線
と平行な磁場を形成する永久磁石３０を配置しているの
で、プラズマ室２２ａにヘリコン波が発生するようにな
り、このヘリコン波のエネルギーがランダウ減衰により
プラズマ中の電子に効率よく伝わるようになる。そのた
め、プラズマ室２２ａに生成されるプラズマの密度が高
くなる。
【００１２】また、プラズマセル２２の開口部にはこれ
を覆うように中央部にアパーチャ２３ａをもつグリッド
２３が取り付けられているので、真空容器３４内が１０
-5Ｔｏｒｒ以下の高真空であっても、プラズマ室２２ａ
に放電を起こし、プラズマの安定性が向上し、広くて安
定した動作圧力の確保ができ、しかも、電力に対する効
率がよくなる。
を覆うように中央部にアパーチャ２３ａをもつグリッド
２３が取り付けられているので、真空容器３４内が１０
-5Ｔｏｒｒ以下の高真空であっても、プラズマ室２２ａ
に放電を起こし、プラズマの安定性が向上し、広くて安
定した動作圧力の確保ができ、しかも、電力に対する効
率がよくなる。
【００１３】更に、グリッド２３の前面には絶縁物２４
を介して中央部にアパーチャ２５ａをもつ引き出し電極
２５が取り付けられ、その引き出し電極２５の前面には
絶縁物２６を介して中央部にアパーチャ２７ａをもつア
ース電極２７が取り付けられており、各アパーチャ２３
ａ、２５ａ、２７ａはケーシング２１の軸線上に一列に
なっているので、プラズマ中のラジカルは、各アパーチ
ャ２３ａ、２５ａ、２７ａよりプラズマ室２２ａ外に噴
出されるようになる。
を介して中央部にアパーチャ２５ａをもつ引き出し電極
２５が取り付けられ、その引き出し電極２５の前面には
絶縁物２６を介して中央部にアパーチャ２７ａをもつア
ース電極２７が取り付けられており、各アパーチャ２３
ａ、２５ａ、２７ａはケーシング２１の軸線上に一列に
なっているので、プラズマ中のラジカルは、各アパーチ
ャ２３ａ、２５ａ、２７ａよりプラズマ室２２ａ外に噴
出されるようになる。
【００１４】また、プラズマセル２２のプラズマ室２２
ａ側の底部にスパッタターゲット３５を取り付けている
ので、プラズマ室２２ａに生成されたプラズマ中のイオ
ンはスパッタターゲット３５をスパッタするようにな
る。そのため、スパッタ粒子は、プラズマ中のラジカル
と同様に、各アパーチャ２３ａ、２５ａ、２７ａよりプ
ラズマ室２２ａ外に噴出され、プラズマ室２２ａ外の高
真空中に設けられた基板３６の表面に薄膜を形成した
り、あるいは金属をドーピングしたりするようになる。
したがって、ドーピングに際しては、ドーピング効率が
向上し、高融点金属のドーピングが可能になる。
ａ側の底部にスパッタターゲット３５を取り付けている
ので、プラズマ室２２ａに生成されたプラズマ中のイオ
ンはスパッタターゲット３５をスパッタするようにな
る。そのため、スパッタ粒子は、プラズマ中のラジカル
と同様に、各アパーチャ２３ａ、２５ａ、２７ａよりプ
ラズマ室２２ａ外に噴出され、プラズマ室２２ａ外の高
真空中に設けられた基板３６の表面に薄膜を形成した
り、あるいは金属をドーピングしたりするようになる。
したがって、ドーピングに際しては、ドーピング効率が
向上し、高融点金属のドーピングが可能になる。
【００１５】
【発明の効果】この発明は、プラズマセルの外周に高周
波コイルを巻回するとともに、プラズマセルの底部背後
に高周波コイルの軸線と平行な磁場を形成する永久磁石
を配置しているので、プラズマ室にヘリコン波が発生す
るようになり、このヘリコン波のエネルギーがランダウ
減衰によりプラズマ中の電子に効率よく伝わるようにな
る。そのため、プラズマ室に生成されるプラズマの密度
が高く、安定性が向上し、広くて安定した動作圧力の確
保ができ、しかも、電力に対する効率がよくなる。この
ようなプラズマ中のラジカルは、グリッドのアパーチ
ャ、引き出し電極のアパーチャおよびアース電極のアパ
ーチャよりプラズマ室外に噴出されるようになる。ま
た、プラズマセルのプラズマ室側の底部にスパッタター
ゲットを取り付けているので、プラズマ室に生成された
プラズマ中のイオンはスパッタターゲットをスパッタす
るようになる。そのため、スパッタ粒子は、プラズマ中
のラジカルと同様に、グリッドのアパーチャ、引き出し
電極のアパーチャおよびアース電極のアパーチャよりプ
ラズマ室外に噴出され、プラズマ室外の高真空中に設け
られた基板の表面に薄膜を形成したり、あるいは金属を
ドーピングしたりするようになる。したがって、ドーピ
ングに際しては、ドーピング効率が向上し、高融点金属
のドーピングが可能になる。
波コイルを巻回するとともに、プラズマセルの底部背後
に高周波コイルの軸線と平行な磁場を形成する永久磁石
を配置しているので、プラズマ室にヘリコン波が発生す
るようになり、このヘリコン波のエネルギーがランダウ
減衰によりプラズマ中の電子に効率よく伝わるようにな
る。そのため、プラズマ室に生成されるプラズマの密度
が高く、安定性が向上し、広くて安定した動作圧力の確
保ができ、しかも、電力に対する効率がよくなる。この
ようなプラズマ中のラジカルは、グリッドのアパーチ
ャ、引き出し電極のアパーチャおよびアース電極のアパ
ーチャよりプラズマ室外に噴出されるようになる。ま
た、プラズマセルのプラズマ室側の底部にスパッタター
ゲットを取り付けているので、プラズマ室に生成された
プラズマ中のイオンはスパッタターゲットをスパッタす
るようになる。そのため、スパッタ粒子は、プラズマ中
のラジカルと同様に、グリッドのアパーチャ、引き出し
電極のアパーチャおよびアース電極のアパーチャよりプ
ラズマ室外に噴出され、プラズマ室外の高真空中に設け
られた基板の表面に薄膜を形成したり、あるいは金属を
ドーピングしたりするようになる。したがって、ドーピ
ングに際しては、ドーピング効率が向上し、高融点金属
のドーピングが可能になる。
【図１】この発明の実施例の説明図
【図２】従来のプラズマ源の説明図
２１・・・・・・・ケーシング ２２・・・・・・・プラズマセル ２２ａ・・・・・・プラズマ室 ２３・・・・・・・グリッド ２３ａ・・・・・・アパーチャ ２４・・・・・・・絶縁物 ２５・・・・・・・引き出し電極 ２５ａ・・・・・・アパーチャ ２６・・・・・・・絶縁物 ２７・・・・・・・アース電極 ２７ａ・・・・・・アパーチャ ２８・・・・・・・高周波電源 ２９・・・・・・・高周波コイル ３０・・・・・・・永久磁石 ３１・・・・・・・ガス導入口 ３２・・・・・・・ガス導入管 ３３・・・・・・・磁石ホルダ ３４・・・・・・・真空容器 ３５・・・・・・・スパッタターゲット ３６・・・・・・・基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｊ 37/08 37/317 Ｚ 9172−5Ｅ Ｈ０１Ｌ 21/265 (72)発明者 深沢 博之 神奈川県茅ヶ崎市萩園2500番地日本真空技 術株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】筒状のケーシングと、このケーシングの先
端部の内側にこの内側と間隔を置くように取り付けられ
た内部がプラズマ室になった有底形状のプラズマセル
と、このプラズマセルの外周に巻回された高周波コイル
と、プラズマセルの底部背後に配置され、高周波コイル
の軸線と平行な磁場を形成する永久磁石と、プラズマセ
ルのプラズマ室側の底部に取り付けたスパッタターゲッ
トとを備えたプラズマ源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5314157A JP2920054B2 (ja) | 1993-11-19 | 1993-11-19 | プラズマ源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5314157A JP2920054B2 (ja) | 1993-11-19 | 1993-11-19 | プラズマ源 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07142198A true JPH07142198A (ja) | 1995-06-02 |
| JP2920054B2 JP2920054B2 (ja) | 1999-07-19 |
Family
ID=18049930
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5314157A Expired - Lifetime JP2920054B2 (ja) | 1993-11-19 | 1993-11-19 | プラズマ源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2920054B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004108591A3 (en) * | 2003-06-05 | 2005-08-18 | Lockheed Corp | System, method, and apparatus for continuous synthesis of single-walled carbon nanotubes |
| EP1645542A2 (en) * | 2004-09-20 | 2006-04-12 | Lockheed Martin Corporation | Anisotropic carbon alloy having aligned carbon nanotubes |
| GB2599394A (en) * | 2020-09-30 | 2022-04-06 | Dyson Technology Ltd | Method and apparatus for sputter deposition |
-
1993
- 1993-11-19 JP JP5314157A patent/JP2920054B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004108591A3 (en) * | 2003-06-05 | 2005-08-18 | Lockheed Corp | System, method, and apparatus for continuous synthesis of single-walled carbon nanotubes |
| US7261779B2 (en) | 2003-06-05 | 2007-08-28 | Lockheed Martin Corporation | System, method, and apparatus for continuous synthesis of single-walled carbon nanotubes |
| EP1645542A2 (en) * | 2004-09-20 | 2006-04-12 | Lockheed Martin Corporation | Anisotropic carbon alloy having aligned carbon nanotubes |
| EP1645542A3 (en) * | 2004-09-20 | 2007-02-14 | Lockheed Martin Corporation | Anisotropic carbon alloy having aligned carbon nanotubes |
| GB2599394A (en) * | 2020-09-30 | 2022-04-06 | Dyson Technology Ltd | Method and apparatus for sputter deposition |
| CN114318260A (zh) * | 2020-09-30 | 2022-04-12 | 戴森技术有限公司 | 用于溅射沉积的方法和装置 |
| GB2599394B (en) * | 2020-09-30 | 2024-01-03 | Dyson Technology Ltd | Method and apparatus for sputter deposition |
| CN114318260B (zh) * | 2020-09-30 | 2024-03-19 | 戴森技术有限公司 | 用于溅射沉积的方法和装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2920054B2 (ja) | 1999-07-19 |
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