JPH0713954B2 - Liquid crystal display device manufacturing method - Google Patents
Liquid crystal display device manufacturing methodInfo
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- JPH0713954B2 JPH0713954B2 JP58208652A JP20865283A JPH0713954B2 JP H0713954 B2 JPH0713954 B2 JP H0713954B2 JP 58208652 A JP58208652 A JP 58208652A JP 20865283 A JP20865283 A JP 20865283A JP H0713954 B2 JPH0713954 B2 JP H0713954B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、透光性導電膜および昇華性絶縁物（以下、こ
れらを合わせて被加工物という）を有機樹脂薄膜上に形
成させ、この被加工物にパルスレーザ光を照射して開溝
または開孔を形成する液晶表示装置作製方法に関するも
のである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial field of application] The present invention forms a translucent conductive film and a sublimable insulator (hereinafter collectively referred to as a workpiece) on an organic resin thin film. The present invention relates to a method for manufacturing a liquid crystal display device in which a work piece is irradiated with pulsed laser light to form an opening or a groove.
従来、レーザ光を用いて被加工物を除去し、開溝を形成
する方法には、たとえば、特開昭57−12568号公報の
「太陽電池の製造法」、特開昭57−53986号公報の「光
電池アレイおよび製法」、あるいは特開昭57−176778号
公報の「太陽電池アレー」等がある。また、レーザ光に
よるスクライブの後にできる残渣物を除去する例とし
て、特開昭50−28751号公報の「ウエハのスクライブ
法」、また特開昭49−122278号公報の「レーザスクライ
ブの方法」等がある。Conventionally, a method of removing an object to be processed by using a laser beam to form an opening groove is described in, for example, JP-A-57-12568, "Solar Cell Manufacturing Method" and JP-A-57-53986. "Photovoltaic cell array and manufacturing method", or "Solar cell array" in JP-A-57-176778. Further, as an example of removing a residue formed after scribing with a laser beam, Japanese Patent Laid-Open Publication No. 50-28751 discloses a "wafer scribing method", and Japanese Patent Laid-Open Publication No. Sho 49-122278 discloses a "laser scribing method". There is.
特に、上記特開昭57−12568号公報における太陽電池の
製造法は、ガラスまたはプラスチック基板上に形成され
た透光性導電膜となる酸化インジューム錫に開溝を設け
ることが記載されている。そして、上記開溝の製造法
は、ウエハをスクライブする場合と同様な考えであり、
ガラスまたはプラスチックを損傷させることなく、加工
による残渣物を除去するものではない。In particular, the above-mentioned Japanese Patent Laid-Open No. 57-12568 discloses a method of manufacturing a solar cell in which an indium tin oxide serving as a translucent conductive film formed on a glass or plastic substrate is provided with an opening groove. . And, the manufacturing method of the open groove is the same idea as the case of scribing the wafer,
It does not remove processing residues without damaging the glass or plastic.
しかし、上記太陽電池等の基板にガラス板、セラミック
板等の耐熱性の基板を用いると、これらの耐熱性基板
は、レーザ光の高温に対し、耐えられる基板であるが、
価格が高価であり、破損しやすいという欠点を有してい
た。However, when a glass plate, a heat-resistant substrate such as a ceramic plate is used as the substrate of the solar cell or the like, these heat-resistant substrates are substrates that can withstand high temperatures of laser light,
It has the drawback of being expensive and easily damaged.
近年、ディスプレー装置等への応用を考えた時、基板と
して安価でしかも可撓性を有する有機樹脂薄膜の使用が
求められるようになってきた。In recent years, in consideration of application to a display device or the like, it has been required to use an inexpensive and flexible organic resin thin film as a substrate.
本発明は、以上のような課題を解決するためのもので、
有機樹脂薄膜上の透光性導電膜および昇華性絶縁物、特
に液晶の配向処理に用いられる一酸化珪素（SiO）に対
して、パルスレーザ光を照射して、この有機樹脂薄膜を
損傷せずに、透光性導電膜および昇華性絶縁物を除去す
ることができる有機樹脂上被膜のレーザ加工方法を提供
することを目的とする。The present invention is to solve the above problems,
Do not damage the organic resin thin film by irradiating the translucent conductive film on the organic resin thin film and the sublimable insulator, especially silicon monoxide (SiO) used for alignment treatment of liquid crystal with pulsed laser light. Another object of the present invention is to provide a laser processing method of an organic resin upper coating capable of removing a translucent conductive film and a sublimable insulating material.
本発明は、連続使用上限温度が150℃ないし300℃におい
て、使用可能な透光性有機樹脂薄膜上に形成された酸化
インジューム、または酸化スズを主成分とする透光性導
電膜に対し、先端温度が1700℃ないし2200℃のパルス状
のレーザ光を照射して走査加工し、有機樹脂薄膜に損傷
を与えることなく、有機樹脂薄膜上の昇華性である酸化
スズまたは酸化インジュームを主成分とする透光性導電
膜、およびその上の他の昇華性絶縁物である一酸化珪素
とを選択的に除去し、開溝または開孔を形成する液晶表
示装置作製方法を提供することを目的とする。The present invention, the continuous use upper limit temperature is 150 ℃ ~ 300 ℃, indium oxide formed on a transparent organic resin thin film that can be used, or for a transparent conductive film containing tin oxide as a main component, The main component is tin oxide or indium oxide that is sublimable on the organic resin thin film without damaging the organic resin thin film by irradiating pulsed laser light with a tip temperature of 1700 ° C to 2200 ° C. An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a liquid crystal display device, in which a transmissive conductive film having the above-described structure and silicon monoxide which is another sublimable insulator on the transparent conductive film are selectively removed to form an opening or a hole. And
前記目的を達成するために、本発明の液晶表示装置作製
方法は、有機樹脂薄膜（１）上にITO、または酸化アン
チモン、酸化スズ、酸化インジュームを主成分とする透
光性導電膜（２）、および一酸化珪素膜（22）を順次形
成した後、前記透光性導電膜（２）および一酸化珪素膜
（22）にパルスレーザ光を照射し、パルスレーザ光の照
射された透光性導電膜（２）および一酸化珪素膜（22）
を切断または開孔する際に、パルスレーザ光のパルス繰
り返し周波数、パルスレーザ光の平均出力（Ｗ）、パル
スレーザ光の走査速度（cm/分）を制御することによ
り、有機樹脂薄膜（１）に損傷を与えることなく加工す
ることを特徴とする。In order to achieve the above-mentioned object, the liquid crystal display device manufacturing method of the present invention comprises a transparent conductive film (2) containing ITO, or antimony oxide, tin oxide, or indium oxide as a main component on the organic resin thin film (1). ), And a silicon monoxide film (22) are sequentially formed, and then the translucent conductive film (2) and the silicon monoxide film (22) are irradiated with pulsed laser light, and the translucent light irradiated with the pulsed laser light is irradiated. Conductive film (2) and silicon monoxide film (22)
The organic resin thin film (1) is controlled by controlling the pulse repetition frequency of the pulsed laser light, the average output (W) of the pulsed laser light, and the scanning speed (cm / min) of the pulsed laser light when cutting or opening holes. It is characterized by being processed without damaging the.
また、本発明の液晶表示装置作製方法は、パルスレーザ
光を照射した後、希弗酸またはアセトンの洗浄溶液で洗
浄することにより、開溝または開孔、あるいはそれらの
近傍に残存する残渣物を除去することを特徴とする。Further, the liquid crystal display device manufacturing method of the present invention, after irradiating the pulsed laser light, by cleaning with a cleaning solution of dilute hydrofluoric acid or acetone, to remove the residual residue in the groove or opening, or their vicinity. It is characterized by removing.
本出願人は、上記有機樹脂薄膜上に、たとえば、ITO、
または酸化アンチモン、酸化スズ、酸化インジュームを
主成分とする透光性導電膜や配向処理用の一酸化珪素膜
等の被加工物に対して、パルスレーザ光を照射して、こ
の有機樹脂薄膜を損傷せずに、前記被加工物を除去する
ことができる条件のあることを実験的に検討した。その
結果、本出願人は、レーザ光を１つの場所に長時間（数
10m秒以上）照射することなく、また、パルス繰り返し
周波数、パルスレーザ光の平均出力および走査速度を適
切化することにより、上記被加工物のみを選択的に除去
することが可能であることを発見した。The applicant of the present invention, on the organic resin thin film, for example, ITO,
Alternatively, a pulsed laser beam is applied to a work piece such as a light-transmitting conductive film containing antimony oxide, tin oxide, or indium oxide as a main component or a silicon monoxide film for alignment treatment, and the organic resin thin film is formed. It was experimentally examined that there is a condition that the workpiece can be removed without damaging the workpiece. As a result, the applicant has been able to apply laser light to one place for a long time (several
It has been discovered that it is possible to selectively remove only the above-mentioned work piece without irradiating, and by optimizing the pulse repetition frequency, average output of pulsed laser light and scanning speed. did.
たとえば、液晶表示装置は、有機樹脂薄膜のような安価
でしかも可撓性を有する基板が要求されるようになっ
た。For example, a liquid crystal display device has been required to have an inexpensive and flexible substrate such as an organic resin thin film.
そこで、本出願人は、上記有機樹脂薄膜からなる基板上
に形成された透光性導電膜等をレーザ光によって開溝と
すると、有機樹脂薄膜が損傷されて、液晶表示装置の寿
命を短くすることに気付いた。そして、本出願人は、パ
ルス繰り返し周波数、パルスレーザ光の平均出力および
走査速度等の条件を変えて有機樹脂薄膜の損傷されない
条件を発見した。Therefore, the applicant of the present invention, when the translucent conductive film or the like formed on the substrate made of the organic resin thin film is opened by laser light, the organic resin thin film is damaged and the life of the liquid crystal display device is shortened. I realized that. Then, the present applicant has found conditions under which the organic resin thin film is not damaged by changing conditions such as the pulse repetition frequency, the average output of pulsed laser light, and the scanning speed.
すなわち、レーザ光の照射により有機樹脂薄膜は、熱伝
導率が小さい（一般には１ないし７×10-4Cal/sec/cm2
／℃/cm）ため、同じ位置に繰り返しレーザパルスを加
えると、劣化し炭化して切断されてしまう。That is, the organic resin thin film has a small thermal conductivity upon irradiation with laser light (generally 1 to 7 × 10 −4 Cal / sec / cm 2
Therefore, if a laser pulse is repeatedly applied to the same position, it deteriorates, carbonizes, and is cut.
しかし、その繰り返しを１回ないし数回とすると、この
有機樹脂薄膜の熱伝導率が被加工物の1/103であるた
め、逆に被加工物のみを選択的にレーザ光の照射された
場所のみを除去することができる。However, when the repetition is repeated once or several times, the thermal conductivity of this organic resin thin film is 1/10 3 of the work piece, so that only the work piece is selectively irradiated with the laser beam. Only the place can be removed.
特に、有機樹脂薄膜上に形成された透光性導電膜等をレ
ーザ光によって開溝を作製する際に、所定の条件を選択
することによって、有機樹脂薄膜が損傷されないため、
寿命の長い液晶表示装置を得ることができた。In particular, when the light-transmitting conductive film or the like formed on the organic resin thin film is formed with laser light to form the open groove, by selecting a predetermined condition, the organic resin thin film is not damaged,
A liquid crystal display device having a long life could be obtained.
以下、その実施例を図面に従って詳述する。 Hereinafter, the embodiment will be described in detail with reference to the drawings.
有機樹脂薄膜（１）として、たとえば、住友ベークライ
ト製スミライトFS−1300を用いた。この有機樹脂薄膜
（１）は、連続使用上限温度180℃、熱伝導率4.3×10-4
Cal/sec/cm2／℃/cm、光線透孔率86.3％（100μｍの厚
さとする）、表面抵抗率5.4×1014Ω、堆積抵抗率1.7×
1016Ωcmをその代表例として有する。この有機樹脂薄膜
（１）上にスパッタ法にて、ITOを700Åの厚さに形成さ
せた。すると、そのシート抵抗は、200Ω／cm2を有して
いた。As the organic resin thin film (1), for example, Sumirite FS-1300 manufactured by Sumitomo Bakelite was used. This organic resin thin film (1) has a maximum continuous use temperature of 180 ° C and a thermal conductivity of 4.3 × 10 -4.
Cal / sec / cm 2 / ° C / cm, light transmittance 86.3% (100μm thickness), surface resistivity 5.4 × 10 14 Ω, deposition resistivity 1.7 ×
It has 10 16 Ωcm as a typical example. ITO was formed on the organic resin thin film (1) to a thickness of 700Å by a sputtering method. Then, the sheet resistance was 200 Ω / cm 2 .
さらに、この上面に昇華性絶縁物である一酸化珪素膜
（22）を斜蒸着法により300Åないし0.3μｍの厚さに電
子ビーム蒸着法、または一酸化珪素用タンクル・ルツポ
により真空蒸着を行なった。Further, a silicon monoxide film (22), which is a sublimable insulator, was vapor-deposited on the upper surface by an electron beam vapor deposition method with a thickness of 300 Å to 0.3 μm by oblique vapor deposition method, or by a vacuum tank vapor deposition method for silicon monoxide. .
さらに、ここにYAGレーザ（発光波長1.06μｍ、焦点距
離50mm、光径50μｍを照射した。その条件として、パル
スレーザの繰り返し周波数6KHz、平均出力1.3W、パルス
幅100n秒ないし１μｍ秒、走査速度60cm/分とした。す
ると、第１図に示すごとき開溝（10）（10′）を得るこ
とができた。そして、この開溝（10）（10′）で二つの
被膜は、概略同一形状を有していた。Furthermore, a YAG laser (emission wavelength 1.06 μm, focal length 50 mm, light diameter 50 μm was irradiated here. The conditions were as follows: pulse laser repetition frequency 6 KHz, average output 1.3 W, pulse width 100 nsec to 1 μmsec, scanning speed 60 cm. Then, the open grooves (10) and (10 ') as shown in Fig. 1 were obtained, and the two coatings had substantially the same shape in the open grooves (10) and (10'). Had.
この時、電子顕微鏡にて調べたが、有機樹脂薄膜表面
は、何等の損傷もまた部分的な劣化も見られなかった。
このレーザ光は、1800℃以上の温度を有すると推察され
るが、連続使用上限温度が180℃程度の低い耐熱性しか
有ない有機樹脂薄膜に何等損傷を与えなかった。すなわ
ち、有機樹脂薄膜上の被加工物に対し、選択的に開溝
（10）（10′）を作製することができることがわかっ
た。At this time, it was examined by an electron microscope, but no damage or partial deterioration was observed on the surface of the organic resin thin film.
This laser light is presumed to have a temperature of 1800 ° C. or higher, but it did not damage the organic resin thin film having a low heat resistance such that the continuous use upper limit temperature was about 180 ° C. That is, it was found that the grooves (10) and (10 ') can be selectively formed on the work piece on the organic resin thin film.
第１図はこの有機樹脂薄膜（１）上の透光性導電膜
（２）に対し、一酸化珪素膜（22）を貫通させてプロー
ブ（３）、（４）、テスタ（５）の２端子法にて、その
抵抗を測定した。その結果、500KΩ以上の抵抗（幅は1c
mとする）を開溝（10）により得ることができた。FIG. 1 shows a probe (3), (4) and a tester (5) which are formed by penetrating a silicon monoxide film (22) through a transparent conductive film (2) on the organic resin thin film (1). The resistance was measured by the terminal method. As a result, resistance of 500KΩ or more (width is 1c
m) was obtained by the open groove (10).
この開溝（10）、（10′）が形成し得る理由は、レーザ
光の照射による熱エネルギーが下地の有機樹脂薄膜
（１）の熱伝導度がきわめて少ないため、透光性導電膜
（２）内に保存され、かつ、この熱により透光性導電膜
（２）と一酸化珪素膜（22）とが昇華、すなわち、液体
ならず固体により気体に気化してしまうためであると推
定される。さらに、この気化と同時に気化熱を奪い、結
果として、有機樹脂が熱反応をしてしまうのに必要な時
間よりはるかに短い時間で比較的低い温度で保存させる
ことができているためであると考えられる。The reason why the open grooves (10) and (10 ') can be formed is that the thermal energy of the laser light irradiation is extremely low in the thermal conductivity of the underlying organic resin thin film (1). It is presumed that this is because the transparent conductive film (2) and the silicon monoxide film (22) are sublimated by this heat, that is, vaporized into gas by solids instead of liquids. It Further, it is because the heat of vaporization is taken away at the same time as this vaporization, and as a result, the organic resin can be stored at a relatively low temperature in a time much shorter than the time required for the thermal reaction. Conceivable.
第２図はレーザ光の繰り返し周波数を可変にしたもの
で、開溝が形成される場合の電気抵抗を示す。FIG. 2 shows the electric resistance when the repetitive frequency of the laser light is made variable and an open groove is formed.
第２図において、走査速度60cm/分の平均出力0.8W、光
径50μｍのYAGレーザを用いた。すると、その周波数を1
0KHzより下げてゆくと、曲線（９）は、7KHz以下で急激
に500KΩ以上となって、電気的にアイソレイションを行
なうことができるようになったことが判明した。In FIG. 2, a YAG laser with a scanning speed of 60 cm / min and an average output of 0.8 W and a light diameter of 50 μm was used. Then, change the frequency to 1
When it was lowered from 0 KHz, the curve (9) rapidly became 500 KΩ or more at 7 KHz or less, and it became clear that electrical isolation could be performed.
しかし、この周波数が4KHz以下では、この被加工物に加
えて下地の有機樹脂薄膜をもその中心部（ガウス分布の
エネルギー密度の最も高い領域）で損傷してしまった。
このことにより、有機樹脂薄膜（１）上の透光性導電膜
（２）のレーザスクライブには、符号（11）で示す範囲
が適していた。However, when the frequency was 4 KHz or less, not only the work piece but also the underlying organic resin thin film was damaged at the center part (the region having the highest energy density of Gaussian distribution).
Therefore, the range indicated by the reference numeral (11) was suitable for the laser scribing of the transparent conductive film (2) on the organic resin thin film (1).
さらに、この下地の有機樹脂薄膜（１）に損傷を与える
ことなく透光性導電膜（２）のみを除去する範囲を調べ
たところ、第３図を得た。Furthermore, the range in which only the transparent conductive film (2) was removed without damaging the underlying organic resin thin film (1) was examined, and FIG. 3 was obtained.
すなわち、走査速度を０ないし120cm/分、平均出力０な
いし3W、繰り返し周波数6KHz、焦点距離50cm、レーザ光
の直径50μｍのYAGレーザとすると、領域（15）の範囲
は、有機樹脂薄膜（１）の損傷がなく被加工物のみを除
去することができた。That is, when the scanning speed is 0 to 120 cm / min, the average output is 0 to 3 W, the repetition frequency is 6 KHz, the focal length is 50 cm, and the diameter of the laser light is 50 μm, the range (15) is the organic resin thin film (1). It was possible to remove only the workpiece without any damage.
領域（13）は、被加工物すらも除去することができない
領域であり、領域（12）は、パルス光が透光性導電膜
（２）上で連続せず、破線のごとく不連続な開溝を形成
させる領域である。領域（14）は、透光性導電膜（２）
のみならず、下地の有機樹脂薄膜（１）に対しても損傷
を与えてしまった領域であった。The region (13) is a region where even the work piece cannot be removed, and the region (12) is such that the pulsed light is not continuous on the transparent conductive film (2) and is discontinuous as shown by the broken line. This is a region where a groove is formed. The region (14) is a transparent conductive film (2).
Not only was this a region in which the underlying organic resin thin film (1) was damaged.
このことにより、下地の有機樹脂薄膜（１）に対して損
傷を与えることなく、被加工物のみを選択的に開溝とし
て除去することのできる領域（15）があることがわかっ
た。領域（16）は、レーザパルス光の繰り返し周波数を
15KHzとした場合である。レーザパルス光の繰り返し周
波数を6KHzから15KHzに増加した場合、透光性導電膜
（２）のみに選択的にレーザスクライブを行う領域は、
第３図における符号（15）より（16）に平行移動してい
る。From this, it was found that there is a region (15) in which only the workpiece can be selectively removed as an open groove without damaging the underlying organic resin thin film (1). Area (16) shows the repetition frequency of the laser pulsed light.
This is the case when the frequency is 15 KHz. When the repetition frequency of the laser pulse light is increased from 6 KHz to 15 KHz, the area where laser scribing is selectively performed only on the transparent conductive film (2),
The reference numeral (15) in FIG. 3 is translated to (16).
これらのことより、カプトン、ポリイミド、エポキシ等
の樹脂のうち、実用的には有機樹脂薄膜（１）が150℃
ないし300℃、またはそれ以上の連続使用の可能な、か
つ熱伝導率が１×10-3cal/sec/cm2／℃/cmの低い値を有
する有機樹脂薄膜（１）であることが好ましい。From these facts, among the resins such as Kapton, polyimide and epoxy, the organic resin thin film (1) is practically 150 ° C.
It is preferable that the organic resin thin film (1) has a low thermal conductivity of 1 × 10 −3 cal / sec / cm 2 / ° C./cm and is capable of continuous use at 300 ° C. to 300 ° C. or higher. .
また、透光性導電膜（２）は、300Åないし１μｍの範
囲、また、一酸化珪素膜（22）は、配向処理用であるた
め斜め蒸着がなされ、その平均の厚さが300Åないし２
μｍの範囲であることがレーザ加工をし易かった。In addition, the transparent conductive film (2) is in the range of 300Å to 1 μm, and the silicon monoxide film (22) is for oblique treatment because it is for oblique treatment, and its average thickness is 300Å to 2 μm.
Laser processing was easy in the range of μm.
もちろん、この被加工物における透光性導電膜（２）
は、ミクロに平面状であっても針状（テクスチャー）を
していても、またITO（酸化スズが10重量％以下添加さ
れた酸化インジューム）上に酸化スズが100Åないし500
Åの厚さに形成された２層膜を用いてもよいことはいう
までもない。Of course, the translucent conductive film (2) in this workpiece
Is microscopically flat or needle-shaped (texture), and 100 Å to 500 tin oxide on ITO (indium oxide containing 10 wt% or less tin oxide).
It goes without saying that a two-layer film formed to have a thickness of Å may be used.
また昇華性の絶縁物も一酸化珪素（22）のみならず、以
下の表に示されるごとき材料も同様に取り扱うことがで
きる。Further, the sublimable insulator is not limited to silicon monoxide (22), and the materials shown in the following table can be handled similarly.
さらに、本発明に用いた透光性導電膜（２）である一酸
化珪素膜（22）も以下に示す。Furthermore, the silicon monoxide film (22) which is the translucent conductive film (2) used in the present invention is also shown below.
また、このレーザ光を照射してしまった後、希弗酸（水
で10倍ないし100倍に希釈）またはアセトン、水、その
他の洗浄溶液にこの処理薄膜を浸漬し、超音波洗浄をし
て付着物を除去することは有効である。 Also, after irradiating this laser beam, dip this treated thin film in dilute hydrofluoric acid (diluted 10 times to 100 times with water), acetone, water, or other cleaning solution, and ultrasonically clean it. It is effective to remove the deposits.
以上の説明より明らかなごとく、本発明は、有機樹脂薄
膜上の被加工物に対し、レーザ光を照射してその被加工
物のみに開溝を形成して除去することが可能になった。As is clear from the above description, according to the present invention, it becomes possible to irradiate a work piece on an organic resin thin film with a laser beam to form an open groove only in the work piece and remove it.
さらに、この被加工物に形成された開溝は線ではなく、
レーザ光または下地をXY方向に移動し種々の形状を作製
することができる。しかし、その際、レーザ光が同一点
を何度（10回以上）も照射するとこの領域での温度が上
昇し、下地を損傷させてしまうため作動には注意を要す
る。Furthermore, the open groove formed in this work piece is not a line,
Various shapes can be manufactured by moving the laser beam or the base in the XY directions. However, in that case, if the laser beam is applied to the same point many times (10 times or more), the temperature in this region rises, and the base is damaged, so caution is required in the operation.
本発明の以上の説明は、連続した線条を有する１本の開
溝を形成する場合を示した。しかし、走査速度を一定と
し、レーザ光の照射を断続させることにより、１つの孔
または破線のごとき複数の開孔または開溝を作ることが
できることはいうまでもない。The above description of the present invention shows the case of forming one open groove having continuous filaments. However, it goes without saying that one hole or a plurality of holes or grooves such as broken lines can be formed by making the scanning speed constant and intermittently irradiating the laser beam.
本発明において、有機樹脂上に1200℃以上好ましくは15
00℃以上の融点を有する窒化珪素または炭化珪素を300
Åないし１μｍの厚さにコーティングさせていてもよ
い。In the present invention, the organic resin is preferably 1200 ° C. or higher, preferably 15
Silicon nitride or silicon carbide having a melting point of 00 ° C or higher is 300
It may be coated to a thickness of Å to 1 μm.
しかし、そのコーティング材は、融点1000℃以下のソー
ダガラス、リンガラス等はレーザ照射の際、溶融し、こ
の溶融ガラスと被加工物とが反応し、さらに、このガラ
スに熱衝撃により微妙なクラックが発生してしまうため
不適当であった。However, the coating material is such that soda glass having a melting point of 1000 ° C. or less, phosphorous glass, etc. are melted during laser irradiation, the molten glass reacts with the work piece, and further, the glass is subtly cracked by thermal shock. It was unsuitable because it occurs.
本発明においては、有機樹脂薄膜上の透光性導電膜と絶
縁物とを共に除去する方法を主として示した。しかし透
光性導電膜上の一酸化珪素のみを選択的に除去すること
も可能である。すなわち、透光性導電膜をIn2O3、また
はITOとすると、レーザスクライブの際SnO2よりも昇華
させにくく、一酸化珪素のみを選択的に除去することが
できる。他方透光性導電膜がSnO2、またはSb2O3、Cl、
Ｆを添加させたSnO2膜においては、第１図に示すごとく
透光性導電膜と絶縁物とを共に除去させ易かった。In the present invention, the method of removing both the translucent conductive film on the organic resin thin film and the insulator has been mainly shown. However, it is also possible to selectively remove only silicon monoxide on the transparent conductive film. That is, when the transparent conductive film is In 2 O 3 or ITO, it is more difficult to sublime than SnO 2 during laser scribing, and only silicon monoxide can be selectively removed. On the other hand, the transparent conductive film is SnO 2 , or Sb 2 O 3 , Cl,
In the SnO 2 film to which F was added, it was easy to remove both the transparent conductive film and the insulator as shown in FIG.
なお、本発明の実施は、大気中、大気圧とした。しか
し、透光性導電膜の昇華を促すため、真空雰囲気または
不活性気体が導入された減圧雰囲気で行うことが有効で
ある。The present invention was carried out in the atmosphere at atmospheric pressure. However, in order to promote sublimation of the translucent conductive film, it is effective to perform it in a vacuum atmosphere or a reduced pressure atmosphere in which an inert gas is introduced.
このようなパターニングを行うことにより、表示用ディ
スプレーへの応用が可能となった。By performing such patterning, application to a display for display becomes possible.
本発明によれば、パルスレーザのパルス繰り返し周波
数、平均出力、走査速度を所定の範囲に選択することに
よって、たとえば、透光性導電膜および配向処理用の一
酸化珪素、または当該一酸化珪素のみを切断または開孔
しても、有機樹脂薄膜に損傷を与えることなくレーザ加
工を行なうことができる。According to the present invention, by selecting the pulse repetition frequency, the average output, and the scanning speed of the pulse laser within a predetermined range, for example, a transparent conductive film and silicon monoxide for alignment treatment, or only the silicon monoxide is used. Laser cutting can be performed without damaging the organic resin thin film even if the holes are cut or opened.
本発明によれば、パルスレーザ加工後、開溝または開
孔、あるいはそれらの近傍に残存する残渣を洗浄するこ
とによって、開溝間の抵抗を高くすることができる。According to the present invention, after the pulse laser processing, the resistance between the open grooves can be increased by cleaning the open groove or the open hole or the residue remaining in the vicinity thereof.
本発明によれば、安価でしかも可撓性を有する有機樹脂
薄膜がレーザ光の照射によっても損傷されないため、液
晶表示装置の寿命が長くなった。According to the present invention, an inexpensive and flexible organic resin thin film is not damaged even by irradiation with laser light, so that the life of the liquid crystal display device is extended.
第１図は有機薄膜上の透光性導電膜および半導体の２層
膜に開溝を形成した図面である。 第２図はレーザ光の繰り返し周波数を可変にしたもの
で、開溝が形成される場合の電気抵抗を示す。 第３図はレーザ光の走査速度および平均出力との関係を
示す図面である。 １……有機樹脂薄膜 ２……透光性導電膜 ３、４……プローブ ５……テスタ ７、８……領域 10、10′……開溝 22……一酸化珪素膜FIG. 1 is a drawing in which an open groove is formed in a translucent conductive film on an organic thin film and a two-layer film of a semiconductor. FIG. 2 shows the electric resistance when the repetitive frequency of the laser light is made variable and an open groove is formed. FIG. 3 is a drawing showing the relationship between the scanning speed of laser light and the average output. 1 ... Organic resin thin film 2 ... Translucent conductive film 3, 4 ... Probe 5 ... Tester 7, 8 ... Region 10, 10 '... Open groove 22 ... Silicon monoxide film
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 渡部 五月 東京都世田谷区北烏山７丁目21番21号 株 式会社半導体エネルギー研究所内 (56)参考文献 特開 昭57−12568（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−53986（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−176778（ＪＰ，Ａ) 特開 昭50−28751（ＪＰ，Ａ) 特開 昭49−122278（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−88733（ＪＰ，Ａ) ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor May Watanabe 7-21-21 Kitakarasuyama, Setagaya-ku, Tokyo Inside Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (56) Reference JP-A-57-12568 (JP, A) JP-A-57-53986 (JP, A) JP-A-57-176778 (JP, A) JP-A-50-28751 (JP, A) JP-A-49-122278 (JP, A) JP-A-57-88733 (JP, A)
Claims (2)
モン、酸化スズ、酸化インジュームを主成分とする透光
性導電膜、および一酸化珪素膜を順次形成した後、前記
透光性導電膜および一酸化珪素膜にパルスレーザ光を照
射し、パルスレーザ光の照射された透光性導電膜および
一酸化珪素膜を切断または開孔する際に、パルスレーザ
光のパルス繰り返し周波数、パルスレーザ光の平均出力
（Ｗ）、パルスレーザ光の走査速度（cm/分）を制御す
ることにより、有機樹脂薄膜に損傷を与えることなく加
工することを特徴とする液晶表示装置作製方法。1. A light-transmitting conductive film containing ITO, antimony oxide, tin oxide, or indium oxide as a main component and a silicon monoxide film are sequentially formed on an organic resin thin film, and then the light-transmitting conductive film. When the silicon monoxide film is irradiated with the pulsed laser light to cut or open the translucent conductive film and the silicon monoxide film irradiated with the pulsed laser light, the pulse repetition frequency of the pulsed laser light, the pulsed laser light A method for producing a liquid crystal display device, which comprises processing the organic resin thin film without damaging it by controlling the average output (W) and the scanning speed (cm / min) of the pulsed laser light.
ーザ光を照射した後、希弗酸またはアセトンの洗浄溶液
で洗浄することにより、開溝または開孔、あるいはそれ
らの近傍に残存する残渣物を除去することを特徴とする
液晶表示装置作製方法。2. The residue remaining in the groove or hole, or in the vicinity thereof, by irradiating with pulsed laser light and then cleaning with a cleaning solution of dilute hydrofluoric acid or acetone according to claim 1. A method for manufacturing a liquid crystal display device, which comprises removing an object.
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