JP2000052071A - Film removing method using laser lights - Google Patents

Film removing method using laser lights

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JP2000052071A
JP2000052071A JP10220848A JP22084898A JP2000052071A JP 2000052071 A JP2000052071 A JP 2000052071A JP 10220848 A JP10220848 A JP 10220848A JP 22084898 A JP22084898 A JP 22084898A JP 2000052071 A JP2000052071 A JP 2000052071A
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thin film
laser beam
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formed
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JP10220848A
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Inventor
Kenichi Hayashi
健一 林
Original Assignee
Sumitomo Heavy Ind Ltd
住友重機械工業株式会社
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a method wherein a residue is hardly left on the surface of a supporting substrate by preparing a processed substrate wherein a thin film is formed on a single face of the supporting substrate, emitting a laser light on the processed substrate from the face on which the thin film is not formed, and removing a portion of the film irradiated with the laser light by means of the laser light energy. SOLUTION: A laser beam 2 is ejected from a laser light source 1. A processed substrate 6 is held by a holding stand 5 at a light condensing position of a convergent laser beam 4. The holding stand 5 can be moved in a plan perpendicular to an optical axis of the convergence laser beam 4. The processed substrate 6 includes a supporting substrate 6a and a thin film 6b formed on one surface, and the convergence laser beam 4 is incident on the processed substrate 6 from the surface on which the film 6b is not formed. The thin film 6b is removed in a region of the convergent laser beam 4 where the energy density exceeds a threshold ET being abraded. The residue does not occur by ejecting the convergence laser beam 4 from the face without a ITO film.

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、レーザ光を用いた薄膜除去方法に関し、特に支持基板の片側の表面上に形成された薄膜を部分的に除去する方法に関する。 The present invention relates to relates to a thin film removal method using a laser beam, to a method of partially removing the thin film formed particularly on one surface of the supporting substrate.

【0002】 [0002]

【従来の技術】液晶パネルの製造途中に、ガラス基板表面を被覆するインジウム錫オキサイド(ITO)膜を部分的に除去して識別マークを形成したい場合がある。 During manufacture of the liquid crystal panel, it may be desired to form an identification mark indium tin oxide (ITO) film covering the glass substrate surface is partially removed. I
TO膜の表面からレーザ光を照射することにより、IT By irradiating a laser beam from the surface of the TO layer, IT
O膜をアブレーションさせて部分的に除去することができる。 O film is ablated to can be partially removed. ITO膜の除去された部分と残っている部分との光反射率が異なるためコントラストが付く。 Contrast the light reflectance is different between the portion that remains between the removed portion of the ITO film is attached. ITO膜を所定の識別マークの模様になるように除去することにより、例えば光学顕微鏡を用いて識別マークを認識することができる。 By removing such that the ITO film is patterned in a predetermined identifying mark, it is possible to recognize an identification mark, for example, using an optical microscope.

【0003】 [0003]

【発明が解決しようとする課題】ITO膜の表面からレーザ光の照射を行うと、ITO膜が除去された領域のガラス基板の表面上に、残留物が残る場合がある。 When irradiation is performed from the surface of the laser beam of the ITO film [0005], on the surface of the glass substrate in the region where ITO film is removed, there is a case where residues remain. 残留物が残ると、識別マークのコントラストが低下し、識別マークを認識することが困難になる。 If residue remains, the contrast of the identification mark is lowered, it becomes difficult to recognize the identification mark. この残留物を除去するためには、化学的なエッチング等を用いなければならず、工程増につながる。 In order to remove this residue is not necessary to use a chemical etching or the like, leading to increase process.

【0004】本発明の目的は、レーザ照射された支持基板の表面上に残留物が残りにくい薄膜除去方法を提供することである。 An object of the present invention is to provide a residue remaining hard film removal method on the surface of the supporting substrate which is laser irradiation.

【0005】 [0005]

【課題を解決するための手段】本発明の一観点によると、支持基板の片方の表面上に薄膜が形成された被加工基板を準備する工程と、前記被加工基板の前記薄膜の形成されていない面から該被加工基板内にレーザ光を入射させ、該レーザ光のエネルギにより前記薄膜の該レーザ光に照射された部分を除去する工程とを有する薄膜除去方法が提供される。 According to one aspect of the present invention SUMMARY OF THE INVENTION, a step of preparing a substrate to be processed on which a thin film is formed on one surface of the supporting substrate, wherein are formed of the thin film of the substrate to be processed from surface without a laser light was irradiated to said processing substrate, a thin film removal method and a step of removing the irradiated portion in the laser beam of the thin film by the energy of the laser light is provided.

【0006】薄膜の形成されていない面からレーザ照射を行うことにより、薄膜をきれいに除去することができる。 [0006] By performing laser irradiation from the surface not formed with the thin film can be cleanly removed a thin film.

【0007】 [0007]

【発明の実施の形態】図1は、本発明の実施例で用いる薄膜除去装置の概略図を示す。 Figure 1 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION shows a schematic view of a thin film removing apparatus used in an embodiment of the present invention. レーザ光源1からレーザビーム2が出射する。 Laser beam 2 is emitted from the laser light source 1. 実施例では、レーザビーム2として、Nd:YLFレーザの2倍波(波長524nm)を用いた。 In the embodiment, as the laser beam 2, Nd: 2 harmonic (wavelength 524 nm) of the YLF laser was used. ビーム径は10mmである。 Beam diameter is 10mm. レーザビーム2がレンズ3による集光され、収束レーザビーム4になる。 Laser beam 2 is focused by the lens 3, the focused laser beam 4.
実施例で用いたレンズ3は、焦点距離が28mmのものである。 Lens used in Example 3 is a focal length of 28mm.

【0008】収束レーザビーム4の集光位置に、被加工基板6が保持台5により保持されている。 [0008] focusing position of the focused laser beam 4, the processed substrate 6 is held by the holding base 5. 保持台5は、 Holding base 5,
駆動機構7により駆動され、レーザビーム4の光軸に垂直な平面内で移動する。 It is driven by a driving mechanism 7 to move in a plane perpendicular to the optical axis of the laser beam 4. 被加工基板6は、ガラス基板(支持基板)6a及びその片方の表面上に形成された薄膜6bを含んで構成されており、レーザビーム4が、薄膜6bの形成されていない表面から被加工基板6に入射するように配置されている。 The processing substrate 6 is a glass substrate (support substrate) 6a and is configured to include a thin film 6b formed on the surface of one, the laser beam 4, a substrate to be processed from the surface not formed with the thin film 6b It is arranged to be incident to 6.

【0009】図2は、収束レーザビーム4の集光位置におけるエネルギ密度分布の一例を示す。 [0009] Figure 2 shows an example of the energy density distribution in the focusing position of the focused laser beam 4. 薄膜6bがアブレーションされるしきい値E T以上のエネルギ密度となる領域Aにおいて、薄膜6bが除去される。 In region A thin film 6b is the threshold E T or more energy density ablated thin film 6b is removed.

【0010】図3(A)は、ITOからなる薄膜6bの一部を除去した後の被加工基板6の顕微鏡写真をスケッチした図であり、図3(B)は、図3(A)の一点鎖線B−Bにおける断面図を示す。 [0010] FIG. 3 (A) is a diagram micrographs sketch of a processing substrate 6 after removal of portions of the thin film 6b formed of ITO, FIG. 3 (B), Figure 3 (A) It shows a cross sectional view taken along one-dot chain line B-B. レーザビームの1パルスあたりのエネルギを0.05mJとし、1ショットごとに照射位置を約50μm移動させた。 The energy per pulse of the laser beam and 0.05 mJ, was about 50μm moving the irradiation position every shot. なお、ガラス基板6aの厚さは0.7mm、薄膜6bの厚さは約0.3〜 The thickness of the glass substrate 6a is 0.7 mm, about 0.3 the thickness of the thin film 6b
0.5μmである。 It is 0.5μm.

【0011】比較のために、薄膜6b側からレーザビームの照射を行った後の被加工基板6の顕微鏡写真をスケッチした図を図3(C)に示し、その一点鎖線D−Dにおける断面図を図3(D)に示す。 [0011] For comparison, the diagram micrographs sketch of a processing substrate 6 after the irradiation of the laser beam from the thin film 6b side shown in FIG. 3 (C), cross-sectional view taken along the dashed line D-D shown in Figure 3 (D). なお、比較例の場合には、1回の照射で確実にガラス基板表面まで薄膜を除去するために、レーザビームの1パルスあたりのエネルギを0.13mJとした。 In the case of the comparative example, in order to remove the thin film to ensure the glass substrate surface in a single irradiation, an energy per pulse of the laser beam and 0.13MJ. その他の条件は、図3(A) Other conditions, FIG. 3 (A)
及び(B)の場合と同様である。 And the same as in the case of which (B).

【0012】実施例の方法で薄膜の除去を行った場合には、図3(A)及び(B)に示すように、レーザビーム照射部分の薄膜6bがきれいに除去され、ガラス基板6 [0012] When performing the removal of the thin film by the method of Example, as shown in FIG. 3 (A) and (B), a thin film 6b of the laser beam irradiated portion is removed cleanly, glass substrate 6
aの表面に残留物は残されていない。 Residue on the surface of a is not left. これに対し、比較例の場合には、レーザビームの照射を行った領域のガラス基板6aの表面上に残留物が残っている。 In contrast, in the comparative example, there remains a residue on the surface of the glass substrate 6a of the area subjected to laser beam irradiation. 残留物の表面は波うっており、それを上から見ると図3(C)に示すように縞模様状に見える。 Surface residues are wavy, see it from above when looks striped pattern as shown in Figure 3 (C).

【0013】このように、ITO膜の形成されていない面からレーザビームを入射させることにより、残留物を残すことなくきれいにITO膜を除去することができる。 [0013] Thus, by the surface not formed with the ITO film to incident laser beam, it can be removed cleanly ITO film without leaving a residue.

【0014】ガラス基板上にCr膜を形成した試料について上記実施例と同様の評価を行った。 [0014] was evaluated in the same manner as the above examples for samples forming a Cr film on a glass substrate. Cr膜の形成されていない面からレーザビームを照射した場合には、C When the laser beam from a surface not formed with the Cr film, C
r膜をきれいに除去することができたが、Cr膜側からレーザビームを照射した場合には、ITO膜除去の場合と同様にガラス基板の表面上に残留物が残った。 It could be cleanly removed r film, but when the laser beam from the Cr film side, the residue remained on the surface of the glass substrate as in the case of ITO film removal. 除去対象の薄膜が透明材料である場合に限らず、不透明材料である場合にも、上記実施例の場合と同様の効果が得られることがわかる。 Thin film to be removed is not limited to a transparent material, even when an opaque material, it can be seen that the same effects as the above embodiment can be obtained.

【0015】上記実施例では、1ショット毎に被加工基板を50μm移動させ、薄膜の除去された点を行列状に配置させた。 [0015] In the above embodiment, the processed substrate is 50μm moved in every shot, it was placed a point removed a thin film in a matrix. 被加工基板の移動を制御することにより、 By controlling the movement of the substrate to be processed,
薄膜の除去された部分で所望の模様を描くことができる。 Desired pattern at the removed portion of the film can be drawn. この模様の部分には残留物が残らないため、コントラストの高い模様を形成することができる。 Because residues in the portion of the pattern does not remain, it is possible to form a high contrast pattern.

【0016】上記実施例では、Nd:YLFレーザの2 [0016] In the above embodiment, Nd: YLF 2 laser
倍波を用いた場合を説明したが、その他のレーザ光を用いることもできる。 Having described the case of using a double wave, it is possible to use other laser beam. 薄膜の形成されている支持基板材料に対して透明な波長領域のレーザ光を用いることが好ましい。 It is preferable to use a laser beam of a transparent wavelength region with respect to the support substrate material formed of a thin film. 例えば、石英ガラス基板を用いる場合には、赤外線領域、可視光領域、若しくは紫外線領域のレーザ光を用いることができる。 For example, in the case of using a quartz glass substrate, the infrared region, laser light can be used in the visible light region or ultraviolet region. 紫外線を吸収する一般的な板ガラスを用いる場合には、赤外線領域もしくは可視光領域のレーザ光を用いることができる。 When using a common plate glass that absorbs ultraviolet light, laser light can be used in the infrared range or visible light region. シリコン基板を用いる場合には、シリコンに対して透明な波長領域のレーザ光を用いることができる。 When using a silicon substrate, it is possible to use laser light transparent wavelength region relative to silicon.

【0017】また、薄膜を支持する支持基板がレーザビームによるダメージを受けないようにするために、支持基板内におけるレーザビームのエネルギ密度が、支持基板のダメージしきい値以下となるようにすることが好ましい。 Further, in order to support substrate for supporting the thin film is prevented damaged by the laser beam, the energy density of the laser beam in the support substrate is made to be less damage threshold of the support substrate It is preferred. ここで、ダメージしきい値は、レーザビームを集光して基板を照射した時に、アブレーションが生じる最小のエネルギと定義される。 Here, the damage threshold, when irradiated with the substrate by focusing a laser beam, is defined as the smallest energy ablation occurs. アブレーション現象は、一般的には非線形現象であり、しきい値以下では支持基板がダメージを受けることはない。 Ablation phenomenon is generally a nonlinear phenomenon, never support substrate damaged in the threshold or less.

【0018】以上実施例に沿って本発明を説明したが、 [0018] While the present invention has been described with the preferred embodiments,
本発明はこれらに制限されるものではない。 The present invention is not limited thereto. 例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。 For example, various modifications, improvements, combinations and the like can be obvious to those skilled in the art.

【0019】 [0019]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、 As described in the foregoing, according to the present invention,
支持基板の片側の表面上に形成された薄膜を、その薄膜の形成されていない面からレーザ照射してきれいに除去することができる。 It was formed on the one surface of the support substrate a thin film can be cleanly removed by laser irradiation from the surface not formed with the thin film thereof.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】本発明の実施例で使用する薄膜除去装置の概略図である。 1 is a schematic view of a thin film removing apparatus used in an embodiment of the present invention.

【図2】レーザビームのエネルギ密度分布の一例を示すグラフである。 2 is a graph showing an example of the energy density distribution of the laser beam.

【図3】図3(A)は、実施例による方法で薄膜の除去を行った場合の被加工基板の顕微鏡写真をスケッチした図であり、図3(B)は、図3(A)の一点鎖線B−B [3] FIG. 3 (A) is a diagram sketched a photomicrograph of the substrate to be processed in the case of performing removal of film by the method according to the embodiment, FIG. 3 (B), Figure 3 (A) one-dot chain line B-B
における断面図である。 Is a cross-sectional view taken along. 図3(C)は、比較例によ方法で薄膜の除去を行った場合の被加工基板の顕微鏡写真をスケッチした図であり、図3(D)は、図3(C)の一点鎖線D−Dにおける断面図である。 FIG. 3 (C) are diagrams of photomicrographs sketch of the substrate to be processed in the case of performing removal of film in by way comparative example, FIG. 3 (D) one-dot chain line in FIG. 3 (C) D it is a cross-sectional view of -D.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1 レーザ光源 2 レーザビーム 3 レンズ 4 収束レーザビーム 5 保持台 6 被加工基板 6a 支持基板 6b 薄膜 7 駆動機構 1 laser light source 2 laser beam 3 lens 4 converges the laser beam 5 holder 6 to be processed substrate 6a supporting substrate 6b thin film 7 drive mechanism

Claims (4)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 支持基板の片方の表面上に薄膜が形成された被加工基板を準備する工程と、 前記被加工基板の前記薄膜の形成されていない面から該被加工基板内にレーザ光を入射させ、該レーザ光のエネルギにより前記薄膜の該レーザ光に照射された部分を除去する工程とを有する薄膜除去方法。 Preparing a substrate to be processed on which a thin film is formed to 1. A one support substrate on the surface, the to said machining the substrate from a surface not formed of the thin film of the substrate to be processed with laser light It is incident, a thin film removal method and a step of removing the irradiated portion in the laser beam of the thin film by the energy of the laser beam.
  2. 【請求項2】 前記薄膜を除去する工程において、前記レーザ光と前記被加工基板との相対位置を移動させながら前記薄膜の除去を行い、前記被加工基板の表面上に、 2. A step of removing the thin film, the while moving a relative position between the workpiece substrate and the laser beam subjected to removal of the thin film, on the surface of the substrate to be processed,
    前記薄膜の除去された領域からなるマークを形成する請求項1に記載の薄膜除去方法。 Film removing method according to claim 1 which forms a mark composed of a removal region of the thin film.
  3. 【請求項3】 前記薄膜を除去する工程において、前記レーザ光を前記薄膜内に集光させる請求項1または2に記載の薄膜除去方法。 3. A step of removing the thin film, the thin film removing method according to claim 1 or 2 condenses the laser beam into said thin film.
  4. 【請求項4】 前記薄膜を除去する工程において、前記支持基板内における前記レーザ光のエネルギ密度が、該支持基板のダメージしきい値以下となるようなレーザ光を入射させる請求項3に記載の薄膜除去方法。 4. A step of removing the thin film, the energy density of the laser beam in the supporting substrate is, according to claim 3 which is incident the laser beam such that less damage threshold of the support substrate thin film removal method.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006315030A (en) * 2005-05-12 2006-11-24 Shibaura Mechatronics Corp Thin film panel machining apparatus
JP2010012519A (en) * 2001-08-10 2010-01-21 First Solar Inc Method and apparatus for laser scribing glass sheet substrate coatings
EP2480342A4 (en) * 2009-09-22 2017-08-02 First Solar, Inc System and method for tracking and removing coating from an edge of a substrate

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010012519A (en) * 2001-08-10 2010-01-21 First Solar Inc Method and apparatus for laser scribing glass sheet substrate coatings
JP2006315030A (en) * 2005-05-12 2006-11-24 Shibaura Mechatronics Corp Thin film panel machining apparatus
EP2480342A4 (en) * 2009-09-22 2017-08-02 First Solar, Inc System and method for tracking and removing coating from an edge of a substrate

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