JPH07135411A - 誘電体共振器 - Google Patents
誘電体共振器Info
- Publication number
- JPH07135411A JPH07135411A JP30587293A JP30587293A JPH07135411A JP H07135411 A JPH07135411 A JP H07135411A JP 30587293 A JP30587293 A JP 30587293A JP 30587293 A JP30587293 A JP 30587293A JP H07135411 A JPH07135411 A JP H07135411A
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- JP
- Japan
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- resonator
- resonator element
- dielectric
- dielectric resonator
- electrodes
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 小型でしかも無負荷Ｑの高い誘電体共振器を
提供する。 【構成】 誘電体共振器１０は、たとえば、誘電体から
なる４角柱状の共振器素子１２を含む。共振器素子１２
は、たとえば、誘電体からなる４角筒状の枠体１４の一
面の中央からその一面に対向する他面の中央に延びて、
枠体１４と一体的に形成される。共振器素子１２の長手
方向における両端面には、たとえば半球状の凹部１６ａ
および１６ｂがそれぞれ形成される。また、凹部１６ａ
および１６ｂの表面を含む共振器素子１２の両端面に
は、電極１８ａおよび１８ｂがそれぞれ形成される。さ
らに、共振器素子１２の周囲において枠体１４の外表面
には、外部導体としてたとえば金属からなる導体膜２０
が形成される。この場合、導体膜２０は、電極１８ａお
よび１８ｂと一体的に形成され、電極１８ａおよび１８
ｂに接続される。
提供する。 【構成】 誘電体共振器１０は、たとえば、誘電体から
なる４角柱状の共振器素子１２を含む。共振器素子１２
は、たとえば、誘電体からなる４角筒状の枠体１４の一
面の中央からその一面に対向する他面の中央に延びて、
枠体１４と一体的に形成される。共振器素子１２の長手
方向における両端面には、たとえば半球状の凹部１６ａ
および１６ｂがそれぞれ形成される。また、凹部１６ａ
および１６ｂの表面を含む共振器素子１２の両端面に
は、電極１８ａおよび１８ｂがそれぞれ形成される。さ
らに、共振器素子１２の周囲において枠体１４の外表面
には、外部導体としてたとえば金属からなる導体膜２０
が形成される。この場合、導体膜２０は、電極１８ａお
よび１８ｂと一体的に形成され、電極１８ａおよび１８
ｂに接続される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は誘電体共振器に関し、
特に、誘電体からなる柱状の共振器素子およびその周囲
に設けられる外部導体を有し、ＴＭモードを利用した誘
電体共振器に関する。
特に、誘電体からなる柱状の共振器素子およびその周囲
に設けられる外部導体を有し、ＴＭモードを利用した誘
電体共振器に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、セラミックスからなる誘電体を用
いて共振器を構成する場合、無負荷Ｑが比較的低い場合
には、ＴＥＭモードを利用したストリップラインや同軸
線路が用いられるが、無負荷Ｑが高い場合、ＴＭモード
あるいはＴＥモードが利用される。
いて共振器を構成する場合、無負荷Ｑが比較的低い場合
には、ＴＥＭモードを利用したストリップラインや同軸
線路が用いられるが、無負荷Ｑが高い場合、ＴＭモード
あるいはＴＥモードが利用される。
【０００３】図７はＴＭ110 モードを利用した従来の誘
電体共振器の一例を示す正面図解図であり、図８はその
平面図解図である。この誘電体共振器１は、誘電体から
なる４角柱状の共振器素子２を有し、その共振器素子２
の周囲には、外部導体として金属からなる箱形のケース
３が設けられる。この場合、共振器素子２は、その両端
面が外部導体としてのケース３に接するように設けられ
る。
電体共振器の一例を示す正面図解図であり、図８はその
平面図解図である。この誘電体共振器１は、誘電体から
なる４角柱状の共振器素子２を有し、その共振器素子２
の周囲には、外部導体として金属からなる箱形のケース
３が設けられる。この場合、共振器素子２は、その両端
面が外部導体としてのケース３に接するように設けられ
る。
【０００４】図７および図８に示す誘電体共振器１にお
いて、共振器周波数を一定に保ったまま小型にする場
合、図９に示すように、共振器素子２の長手方向におけ
る長さおよび共振器素子２の長手方向におけるケース３
の内側のサイズが小さく形成される。
いて、共振器周波数を一定に保ったまま小型にする場
合、図９に示すように、共振器素子２の長手方向におけ
る長さおよび共振器素子２の長手方向におけるケース３
の内側のサイズが小さく形成される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上述のよう
に共振器素子２の長手方向における長さおよび共振器素
子２の長手方向におけるケース３の内側のサイズを小さ
く形成すれば、共振器素子２を取り囲む外部導体として
のケース３の空洞の形状のバランスを崩すことになり、
無負荷Ｑの劣化が大きくなる。
に共振器素子２の長手方向における長さおよび共振器素
子２の長手方向におけるケース３の内側のサイズを小さ
く形成すれば、共振器素子２を取り囲む外部導体として
のケース３の空洞の形状のバランスを崩すことになり、
無負荷Ｑの劣化が大きくなる。
【０００６】それゆえに、この発明の主たる目的は、小
型でしかも無負荷Ｑの高い誘電体共振器を提供すること
である。
型でしかも無負荷Ｑの高い誘電体共振器を提供すること
である。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明は、誘電体から
なる柱状の共振器素子、および共振器素子の周囲に設け
られる外部導体を有する誘電体共振器であって、共振器
素子の少なくとも一方の端面に凹部が形成され、共振器
素子の凹部の表面に、外部導体に接続される電極が形成
された、誘電体共振器である。
なる柱状の共振器素子、および共振器素子の周囲に設け
られる外部導体を有する誘電体共振器であって、共振器
素子の少なくとも一方の端面に凹部が形成され、共振器
素子の凹部の表面に、外部導体に接続される電極が形成
された、誘電体共振器である。
【０００８】
【作用】誘電体からなる柱状の共振器素子の少なくとも
一方の端面に凹部が形成され、この凹部の表面に外部導
体に接続される電極が形成されるので、共振器素子の両
端面間の静電容量が増える。このように共振器素子の両
端面間の静電容量が増えると、誘電体共振器の共振周波
数が下がる。誘電体共振器の共振周波数を下げないよう
にするためには、誘電体共振器全体を小型に形成すれば
よい。そのため、共振周波数を変えずに、誘電体共振器
全体を小型に形成できる。また、誘電体共振器全体を小
型に形成すると、共振器素子を取り囲む空洞の形状のバ
ランスがほとんど崩れず、無負荷Ｑがあまり低下しな
い。
一方の端面に凹部が形成され、この凹部の表面に外部導
体に接続される電極が形成されるので、共振器素子の両
端面間の静電容量が増える。このように共振器素子の両
端面間の静電容量が増えると、誘電体共振器の共振周波
数が下がる。誘電体共振器の共振周波数を下げないよう
にするためには、誘電体共振器全体を小型に形成すれば
よい。そのため、共振周波数を変えずに、誘電体共振器
全体を小型に形成できる。また、誘電体共振器全体を小
型に形成すると、共振器素子を取り囲む空洞の形状のバ
ランスがほとんど崩れず、無負荷Ｑがあまり低下しな
い。
【０００９】
【発明の効果】この発明によれば、小型で無負荷Ｑの高
い誘電体共振器が得られる。
い誘電体共振器が得られる。
【００１０】この発明の上述の目的，その他の目的，特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。
【００１１】
【実施例】図１はこの発明の一実施例を示す斜視図であ
り、図２はその正面図であり、図３はその平面図であ
り、図４は図３の線ＩＶ−ＩＶにおける断面図である。
この誘電体共振器１０は、たとえば、セラミックスなど
の誘電体からなる４角柱状の共振器素子１２を含む。こ
の共振器素子１２は、たとえば、セラミックスなどの誘
電体からなる４角筒状の枠体１４の一面の中央からその
一面に対向する他面の中央に延びて形成される。また、
共振器素子１２の長手方向における両端面には、たとえ
ば半球状の凹部１６ａおよび１６ｂがそれぞれ形成され
る。なお、凹部１６ａおよび１６ｂを有する共振器素子
１２と枠体１４とは、誘電体材料を圧縮成形して焼成す
ることによって一体的に形成される。
り、図２はその正面図であり、図３はその平面図であ
り、図４は図３の線ＩＶ−ＩＶにおける断面図である。
この誘電体共振器１０は、たとえば、セラミックスなど
の誘電体からなる４角柱状の共振器素子１２を含む。こ
の共振器素子１２は、たとえば、セラミックスなどの誘
電体からなる４角筒状の枠体１４の一面の中央からその
一面に対向する他面の中央に延びて形成される。また、
共振器素子１２の長手方向における両端面には、たとえ
ば半球状の凹部１６ａおよび１６ｂがそれぞれ形成され
る。なお、凹部１６ａおよび１６ｂを有する共振器素子
１２と枠体１４とは、誘電体材料を圧縮成形して焼成す
ることによって一体的に形成される。
【００１２】また、凹部１６ａおよび１６ｂの表面を含
む共振器素子１２の両端面には、電極１８ａおよび１８
ｂがそれぞれ形成される。
む共振器素子１２の両端面には、電極１８ａおよび１８
ｂがそれぞれ形成される。
【００１３】さらに、共振器素子１２の周囲において枠
体１４の外表面には、外部導体としてたとえば金属から
なる導体膜２０が形成される。この場合、導体膜２０
は、電極１８ａおよび１８ｂと一体的に形成され、電極
１８ａおよび１８ｂに接続される。
体１４の外表面には、外部導体としてたとえば金属から
なる導体膜２０が形成される。この場合、導体膜２０
は、電極１８ａおよび１８ｂと一体的に形成され、電極
１８ａおよび１８ｂに接続される。
【００１４】この誘電体共振器１０は、誘電体からなる
４角柱状の共振器素子１２の周囲において４角筒状の枠
体１４の外表面に外部導体としての金属膜２０が形成さ
れるので、ＴＭ110 モードを利用した誘電体共振器とな
る。
４角柱状の共振器素子１２の周囲において４角筒状の枠
体１４の外表面に外部導体としての金属膜２０が形成さ
れるので、ＴＭ110 モードを利用した誘電体共振器とな
る。
【００１５】また、この誘電体共振器１０では、誘電体
からなる４角柱状の共振器素子１２の両端面に、凹部１
６ａおよび１６ｂが形成され、これらの凹部１６ａおよ
び１６ｂの表面を含む共振器素子１２の両端面に、外部
導体としての導体膜２０に接続される電極１８ａおよび
１８ｂが形成されるので、そのような凹部が形成されて
いない誘電体共振器と比べて、共振器素子の両端面間の
静電容量が増える。このように共振器素子の両端面間の
静電容量が増えると、誘電体共振器の共振周波数が下が
る。そこで、この誘電体共振器１０では、共振周波数を
下げないようにするために、全体が小型に形成されてい
る。したがって、この誘電体共振器１０は、そのような
凹部が形成されていない誘電体共振器と比べて、共振周
波数が変わらずに全体が小型になる。
からなる４角柱状の共振器素子１２の両端面に、凹部１
６ａおよび１６ｂが形成され、これらの凹部１６ａおよ
び１６ｂの表面を含む共振器素子１２の両端面に、外部
導体としての導体膜２０に接続される電極１８ａおよび
１８ｂが形成されるので、そのような凹部が形成されて
いない誘電体共振器と比べて、共振器素子の両端面間の
静電容量が増える。このように共振器素子の両端面間の
静電容量が増えると、誘電体共振器の共振周波数が下が
る。そこで、この誘電体共振器１０では、共振周波数を
下げないようにするために、全体が小型に形成されてい
る。したがって、この誘電体共振器１０は、そのような
凹部が形成されていない誘電体共振器と比べて、共振周
波数が変わらずに全体が小型になる。
【００１６】また、この誘電体共振器１０では、全体が
小型に形成されるので、共振器素子１２を取り囲む空洞
の形状のバランスがほとんど崩れず、無負荷Ｑがあまり
低下しない。
小型に形成されるので、共振器素子１２を取り囲む空洞
の形状のバランスがほとんど崩れず、無負荷Ｑがあまり
低下しない。
【００１７】さらに、この誘電体共振器１０では、凹部
が形成されていない誘電体共振器と比べて、共振器素子
１２の両端面に凹部１６ａおよび１６ｂを形成するとい
う簡単な追加加工を施すだけでよいので、共振器素子を
成形するための金型などの大幅な変更が必要なく、コス
トもあまり高くならない。
が形成されていない誘電体共振器と比べて、共振器素子
１２の両端面に凹部１６ａおよび１６ｂを形成するとい
う簡単な追加加工を施すだけでよいので、共振器素子を
成形するための金型などの大幅な変更が必要なく、コス
トもあまり高くならない。
【００１８】なお、この誘電体共振器１０は、枠体１４
の両側の開口部の少なくとも一方の開口部を介して、た
とえばこの誘電体共振器１０と同様な構造の誘電体共振
器や外部結合ループなどと磁界結合できる。
の両側の開口部の少なくとも一方の開口部を介して、た
とえばこの誘電体共振器１０と同様な構造の誘電体共振
器や外部結合ループなどと磁界結合できる。
【００１９】図５はこの発明の他の実施例を示す正面図
解図であり、図６はその平面図解図である。図５および
図６に示す実施例では、図１ないし図４に示す実施例と
比べて、枠体１４および導体膜２０が形成されていない
代わりに、共振器素子１２の周囲に外部導体としてたと
えば金属からなる中空立方体状のケース２２が設けられ
る。この場合、ケース２２は、共振器素子１２の両端面
に対向するように設けられ、両側の電極１８ａおよび１
８ｂに接続される。
解図であり、図６はその平面図解図である。図５および
図６に示す実施例では、図１ないし図４に示す実施例と
比べて、枠体１４および導体膜２０が形成されていない
代わりに、共振器素子１２の周囲に外部導体としてたと
えば金属からなる中空立方体状のケース２２が設けられ
る。この場合、ケース２２は、共振器素子１２の両端面
に対向するように設けられ、両側の電極１８ａおよび１
８ｂに接続される。
【００２０】図５および図６に示す誘電体共振器１０
は、４角柱状の共振器素子１２が外部導体としての中空
立方体状のケース２２内に設けられるので、ＴＭ110 モ
ードを利用した誘電体共振器となる。
は、４角柱状の共振器素子１２が外部導体としての中空
立方体状のケース２２内に設けられるので、ＴＭ110 モ
ードを利用した誘電体共振器となる。
【００２１】また、図５および図６に示す誘電体共振器
１０では、４角柱状の共振器素子１２の両端面に、凹部
１６ａおよび１６ｂが形成され、これらの凹部１６ａお
よび１６ｂの表面を含む共振器素子１２の両端面に、外
部導体としてのケース２２に接続される電極１８ａおよ
び１８ｂが形成されるので、そのような凹部および電極
が形成されていない従来例と比べて、共振器素子の両端
面間の静電容量が増える。このように共振器素子の両端
面間の静電容量が増えると、誘電体共振器の共振周波数
が下がる。そこで、この誘電体共振器１０では、共振周
波数を下げないようにするために、全体が小型に形成さ
れている。したがって、この誘電体共振器１０は、その
ような凹部および電極が形成されていない従来例と比べ
て、共振周波数が変わらずに全体が小型になる。
１０では、４角柱状の共振器素子１２の両端面に、凹部
１６ａおよび１６ｂが形成され、これらの凹部１６ａお
よび１６ｂの表面を含む共振器素子１２の両端面に、外
部導体としてのケース２２に接続される電極１８ａおよ
び１８ｂが形成されるので、そのような凹部および電極
が形成されていない従来例と比べて、共振器素子の両端
面間の静電容量が増える。このように共振器素子の両端
面間の静電容量が増えると、誘電体共振器の共振周波数
が下がる。そこで、この誘電体共振器１０では、共振周
波数を下げないようにするために、全体が小型に形成さ
れている。したがって、この誘電体共振器１０は、その
ような凹部および電極が形成されていない従来例と比べ
て、共振周波数が変わらずに全体が小型になる。
【００２２】また、図５および図６に示す誘電体共振器
１０では、全体が小型に形成されるので、共振器素子１
２を取り囲む空洞の形状のバランスがほとんど崩れず、
無負荷Ｑがあまり低下しない。
１０では、全体が小型に形成されるので、共振器素子１
２を取り囲む空洞の形状のバランスがほとんど崩れず、
無負荷Ｑがあまり低下しない。
【００２３】さらに、図５および図６に示す誘電体共振
器１０では、凹部および電極が形成されていない従来例
と比べて、共振器素子１２の両端面に凹部１６ａおよび
１６ｂを形成しそれらの部分に電極１８ａおよび１８ｂ
を形成するという簡単な追加加工を施すだけでよいの
で、共振器素子を成形するための金型などの大幅な変更
が必要なく、コストもあまり高くならない。
器１０では、凹部および電極が形成されていない従来例
と比べて、共振器素子１２の両端面に凹部１６ａおよび
１６ｂを形成しそれらの部分に電極１８ａおよび１８ｂ
を形成するという簡単な追加加工を施すだけでよいの
で、共振器素子を成形するための金型などの大幅な変更
が必要なく、コストもあまり高くならない。
【００２４】なお、上述の各実施例では４角柱状の共振
器素子が用いられているが、この発明ではたとえば円柱
状などの他の柱状の共振器素子が用いられてもよい。
器素子が用いられているが、この発明ではたとえば円柱
状などの他の柱状の共振器素子が用いられてもよい。
【００２５】また、上述の各実施例では共振器素子の両
端面に凹部および電極がそれぞれ形成されているが、こ
の発明では共振器素子の一方の端面に凹部および電極が
形成されてもよい。
端面に凹部および電極がそれぞれ形成されているが、こ
の発明では共振器素子の一方の端面に凹部および電極が
形成されてもよい。
【００２６】さらに、上述の各実施例では共振器素子の
端面に半球状の凹部が形成されているが、この発明では
共振器素子の端面に形成される凹部の形状，大きさを任
意に変更してもよい。この場合、凹部の形状，大きさを
適当に選ぶことによって、共振周波数を変えずに、外部
導体として導体膜やケースの内側の縦，横，高さのサイ
ズの比をほとんど変えずに相似的に小さくすくことがで
きる。このように外部導体としての導体膜やケースの内
側の縦，横，高さのサイズの比をほとんど変えずに相似
的に小さくすれば、無負荷Ｑの劣化を小さくできる。つ
まり、外部導体としての導体膜やケースの内側の縦，
横，高さのサイズの比をほとんど変えずに相似的に近い
形で小さくすると、無負荷Ｑはほとんど低下しない。
端面に半球状の凹部が形成されているが、この発明では
共振器素子の端面に形成される凹部の形状，大きさを任
意に変更してもよい。この場合、凹部の形状，大きさを
適当に選ぶことによって、共振周波数を変えずに、外部
導体として導体膜やケースの内側の縦，横，高さのサイ
ズの比をほとんど変えずに相似的に小さくすくことがで
きる。このように外部導体としての導体膜やケースの内
側の縦，横，高さのサイズの比をほとんど変えずに相似
的に小さくすれば、無負荷Ｑの劣化を小さくできる。つ
まり、外部導体としての導体膜やケースの内側の縦，
横，高さのサイズの比をほとんど変えずに相似的に近い
形で小さくすると、無負荷Ｑはほとんど低下しない。
【００２７】また、上述の各実施例ではＴＭ110 モード
を利用した誘電体共振器について説明したが、この発明
は多重モードのＴＭモードを利用した誘電体共振器にも
適用され得る。
を利用した誘電体共振器について説明したが、この発明
は多重モードのＴＭモードを利用した誘電体共振器にも
適用され得る。
【図１】この発明の一実施例を示す斜視図である。
【図２】図１に示す実施例の正面図である。
【図３】図１に示す実施例の平面図である。
【図４】図３の線ＩＶ−ＩＶにおける断面図である。
【図５】この発明の他の実施例を示す正面図解図であ
る。
る。
【図６】図５に示す実施例の平面図解図である。
【図７】ＴＭ110 モードを利用した従来の誘電体共振器
の一例を示す正面図解図である。
の一例を示す正面図解図である。
【図８】図７に示す誘電体共振器の平面図解図である。
【図９】図７および図８に示す誘電体共振器において共
振周波数を変えずに小型にした従来の誘電体共振器の一
例を示す正面図解図である。
振周波数を変えずに小型にした従来の誘電体共振器の一
例を示す正面図解図である。
１０ 誘電体共振器 １２ 共振器素子 １４ 枠体 １６ａ，１６ｂ 凹部 １８ａ，１８ｂ 電極 ２０ 導体膜 ２２ ケース
Claims (1)
- 【請求項１】 誘電体からなる柱状の共振器素子、およ
び前記共振器素子の周囲に設けられる外部導体を有する
誘電体共振器であって、 前記共振器素子の少なくとも一方の端面に凹部が形成さ
れ、 前記共振器素子の前記凹部の表面に、前記外部導体に接
続される電極が形成された、誘電体共振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30587293A JPH07135411A (ja) | 1993-11-10 | 1993-11-10 | 誘電体共振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30587293A JPH07135411A (ja) | 1993-11-10 | 1993-11-10 | 誘電体共振器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07135411A true JPH07135411A (ja) | 1995-05-23 |
Family
ID=17950365
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30587293A Pending JPH07135411A (ja) | 1993-11-10 | 1993-11-10 | 誘電体共振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07135411A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0917238A1 (en) * | 1997-11-05 | 1999-05-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric resonator, dielectric filter using the dielectric resonator and dielectric duplexer |
| EP1056151A1 (en) * | 1999-05-25 | 2000-11-29 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric resonator, filter, duplexer, oscillator and communication apparatus |
| EP2993727A4 (en) * | 2013-06-04 | 2016-05-11 | Huawei Tech Co Ltd | DIELECTRIC RESONATOR AND DIELECTRIC FILTER, TRANSCEIVER AND BASE STATION USING THE SAME |
-
1993
- 1993-11-10 JP JP30587293A patent/JPH07135411A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0917238A1 (en) * | 1997-11-05 | 1999-05-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric resonator, dielectric filter using the dielectric resonator and dielectric duplexer |
| US6064284A (en) * | 1997-11-05 | 2000-05-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric Resonator Device With A Thermal - Conducting Member |
| EP1056151A1 (en) * | 1999-05-25 | 2000-11-29 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric resonator, filter, duplexer, oscillator and communication apparatus |
| US6429756B1 (en) | 1999-05-25 | 2002-08-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric resonator, filter, duplexer, oscillator and communication apparatus |
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