JPH07135080A - 有機・無機系ハイブリット型発光素子およびその製造方法 - Google Patents

有機・無機系ハイブリット型発光素子およびその製造方法

Info

Publication number
JPH07135080A
JPH07135080A JP5282699A JP28269993A JPH07135080A JP H07135080 A JPH07135080 A JP H07135080A JP 5282699 A JP5282699 A JP 5282699A JP 28269993 A JP28269993 A JP 28269993A JP H07135080 A JPH07135080 A JP H07135080A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
organic
light emitting
layer
inorganic
phosphor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP5282699A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroyuki Ogura
広幸 小倉
Norifumi Hanano
規文 花野
Masaya Sugita
昌弥 杉田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Yazaki Corp
Original Assignee
Yazaki Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Yazaki Corp filed Critical Yazaki Corp
Priority to JP5282699A priority Critical patent/JPH07135080A/ja
Priority to DE19944440410 priority patent/DE4440410A1/de
Publication of JPH07135080A publication Critical patent/JPH07135080A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • H05B33/145Arrangements of the electroluminescent material
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/10Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/20Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the material in which the electroluminescent material is embedded
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/22Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
    • H05B33/24Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers of metallic reflective layers

Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【目的】蛍光体の熱劣化が小さく、高輝度で、耐湿性お
よび堅牢性がすぐれた有機・無機系ハイブリット型発光
素子およびこの有機・無機系ハイブリット型発光素子を
300℃以下の低温で効率的な製造方法を提供。 【構成】金属素地10の表面に、絶縁反射層20、バイ
ンダ中に蛍光体31を分散させた蛍光体発光層30、透
明導電膜40および表面保護層50を順次形成すると共
に、金属素地10と透明導電膜40とを電気的に連結し
た分散型発光素子において、蛍光体発光層30が、多孔
性無機系絶縁物の少なくとも表層側の小孔を、有機系絶
縁物で封孔した有機・無機系蛍光体発光層から構成され
る。金属素地が線状金属芯材の場合は、有機・無機蛍光
体発光層および表面保護層を同時形成、金属素地が金属
薄板の場合は絶縁反射層および有機・無機系蛍光体発光
層を一挙に形成し、さらに有機・無機系蛍光体発光層上
に透明導電膜および表面保護層を順次形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、無機分散型発光素子
および有機分散型発光素子が有する長所を兼備した有機
・無機系ハイブリット型発光素子およびその製造方法に
関し、さらに詳しくは、蛍光体の熱劣化が小さく、高輝
度で、耐湿性および堅牢性がすぐれた有機・無機系ハイ
ブリット型発光素子およびこの有機・無機系ハイブリッ
ト型発光素子を300℃以下の低温で効率的に製造する
方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、分散型発光素子としては、図7お
よび図8に示した構造のものが知られており、これらは
自動車用計器やショーウィンドの装飾用などの用途に広
く用いられている。
【0003】すなわち、図7に示した従来の分散型発光
素子(フラット型)は、ステンレス鋼に代表される薄板
状金属素地1上に、白色系のホーロー釉からなる絶縁反
射層2、蛍光体をバインダ中に分散せしめた蛍光体発光
層3、ITOフィルムなどの透明導電膜4およびこの透
明導電膜4を保護するための表面保護層5を順次形成す
ることにより構成されている。
【0004】そして、透明導電膜4に設けた電極4a
と、金属素地1に設けた電極1aとを、リード線6など
により電気的に連結し、電源7から電圧を印加すること
により、蛍光体発光層3に電界を生じ、蛍光体が発光す
るようになっている。
【0005】同じく、図8に示した従来の分散型発光素
子(指針型)は、ステンレス鋼に代表される線状金属芯
材1上に、絶縁反射層2、蛍光体発光層3、透明導電膜
4および表面保護層5が順次形成されており、上記フラ
ット型の発光素子と同様に蛍光体を発光せしめることに
よって、指針の全体形状の視認性を高めるように構成さ
れている。
【0006】ところで、上記従来の分散型発光素子にお
いては、蛍光体発光層3のバインダの選択が、高い誘電
率、蛍光体へのすぐれた電圧(電界)の分配、高輝度お
よび高効率化に貢献するといわれており、バインダの種
類によって、無機分散型発光素子および有機分散型発光
素子の2種類に大別されていた。
【0007】すなわち、蛍光体発光層3のバインダが、
ガラス、ホーロー、およびセラミックなどの無機系絶縁
物により構成されている場合を無機分散型発光素子、ま
た樹脂、プラスチックなどの有機系絶縁物で構成されて
いる場合を有機分散型発光素子と称していた。
【0008】また、分散型発光素子の絶縁反射層2は、
素子の絶縁耐圧を高めると共に、蛍光体発光層3から金
属素地1側に出射した光を反射するために機能するが、
この絶縁反射層2としては、無機分散型発光素子におい
ては白色のガラス層などが、また有機分散型発光素子に
おいては白色の樹脂あるいは無機粉体を透明樹脂に分散
させたものなどが主として用いられていた。
【0009】しかるに、従来の無機分散型発光素子にお
いては、無機系絶縁物やガラス質の絶縁反射層2を焼結
する際に600〜700℃の高温を必要とするため、製
造時の熱効率が悪く、しかも熱により蛍光体が劣化して
発光輝度の低下を招くばかりか、無機系絶縁物は有機系
絶縁物に比較して誘電率が低いことから、駆動条件や電
極間の距離などの条件を同一とした場合に、有機分散型
発光素子よりも発光輝度が低いという問題を包含してい
た。
【0010】さらに、従来の有機分散型発光素子におい
ては、バインダとして誘電率や透明性などが高い有機系
絶縁物を選択することによって、無機分散型発光素子に
比較して高輝度が期待できるものの、発光素子がほとん
ど有機系樹脂材料により構成されているために、耐湿性
が劣り、外部からの水分の侵入によって蛍光体が劣化し
やすく、輝度の低下を招きやすいばかりか、発光素子に
加わる物理的な外力に対する堅牢性が劣るという問題を
包含していた。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】この発明は、上述した
従来の無機分散型発光素子および有機分散型発光素子が
有する問題点を解決するために検討した結果、達成され
たものである。
【0012】したがって、この発明の目的は、蛍光体の
熱劣化が小さく、高輝度で、耐湿性および堅牢性がすぐ
れた有機・無機系ハイブリット型発光素子およびこの有
機・無機系ハイブリット型発光素子を300℃以下の低
温で効率的に製造する方法を提供することにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、この発明の有機・無機系ハイブリット型発光素子
は、金属素地の表面に、絶縁反射層、バインダ中に蛍光
体を分散させた蛍光体発光層、透明導電膜および表面保
護層を順次形成すると共に、前記金属素地と前記透明導
電膜とを電気的に連結した分散型発光素子において、前
記蛍光体発光層が、多孔性無機系絶縁物をバインダとし
てこれに蛍光体を分散させてなり、かつこの多孔性無機
系絶縁物の少なくとも表層側の小孔を、有機系絶縁物で
封孔した有機・無機系蛍光体発光層からなることを特徴
とする。
【0014】また、この発明の有機・無機系ハイブリッ
ト型発光素子は、下記(1)〜(3)の方法によって、
効率的に製造することができる。
【0015】(1)金属素地の表面に形成した絶縁反射
層上に、蛍光体を多孔性無機系絶縁物に分散した多孔性
無機系分散膜を形成し、さらにこれを有機系絶縁物の溶
液に浸漬し、乾燥して、前記多孔性無機系分散膜の少な
くとも表層側の小孔を前記有機系絶縁物で封孔すること
により、有機・無機系蛍光体発光層を形成した後、この
有機・無機系蛍光体発光層上に透明導電膜および表面保
護層を順次形成する。
【0016】(2)金属素地として線状金属芯材を用
い、この線状金属芯材上に絶縁反射層、シリカ膜からな
る内側封止層、蛍光体を多孔性無機系絶縁物に分散した
多孔性無機系分散膜、シリカ膜からなる外側封止層およ
び透明導電膜を順次形成した後、これを有機系絶縁物に
浸漬すると共に、前記内側封止層と前記外側封止層との
間に前記有機系絶縁物を吸引させ、次いで前記有機系絶
縁物を硬化させることにより、有機・無機系蛍光体発光
層および表面保護層を同時に形成する。
【0017】(3)金属素地として金属薄板を用い、こ
の金属薄板上に蛍光体を多孔性無機系絶縁物に分散した
多孔性無機系分散膜を形成した後、この多孔性無機系分
散膜に対し、前記金属薄板側に白濁部分を残した状態
で、有機系絶縁物を浸透せしめ、次いで前記有機系絶縁
物を硬化することにより、前記白濁部分からなる絶縁反
射層および前記有機系絶縁物の浸透部分からなる有機・
無機系蛍光体発光層を一挙に形成し、さらに前記有機・
無機系蛍光体発光層上に透明導電膜および表面保護層を
順次形成する。
【0018】
【作用】この発明の有機・無機系ハイブリット型発光素
子は、多孔性無機系絶縁物および有機系絶縁物の複合体
をバインダとして上記有機・無機系蛍光体発光層を構成
したため、無機分散型発光素子および有機分散型発光素
子の長所を合せ持つ性能を発揮する。
【0019】すなわち、ホーローやガラスなどを用いる
ことなく、アルミナ・シリカゾルなどの300℃程度の
低温で焼結可能な多孔性無機系絶縁物をバインダとして
用いたため、従来の無機分散型発光素子に比較して、蛍
光体が熱劣化を受けることがなく、輝度の低下を招く恐
れがないばかりか、高誘電性の有機系絶縁物を用いて前
記多孔性無機系絶縁物の小孔を封孔したため、蛍光体に
かかる電界強度が増加し、従来の無機分散型発光素子に
対し、同一駆動条件における高輝度化を達成することが
できる。
【0020】また、従来の有機分散型発光素子に比較し
て、多孔性無機系絶縁物をバインダとして蛍光体が被覆
されているため、水分の浸透による蛍光体の劣化が少な
く、耐湿性にすぐれるばかりか、バインダが多孔性無機
系絶縁物をベースとしているため、物理的な外力に対す
る堅牢性もすぐれている。
【0021】さらに、この発明の有機・無機系ハイブリ
ット型発光素子の製造方法によれば、上記すぐれた性能
を有する有機・無機系ハイブリット型発光素子を、30
0℃以下の低温で効率的に製造することができ、上記
(1)法はフラット型および指針型発光素子の製造に共
通して、また上記(2)法はとくに指針型発光素子の製
造に、上記(3)法はとくにフラット型発光素子の製造
に、それぞれ好適に適用することができる。
【0022】したがって、この発明によれば、有機・無
機系ハイブリット型発光素子を従来よりも低温で、一層
効率的に製造することができ、しかもこの発明の有機・
無機系ハイブリット型発光素子は、蛍光体の熱劣化が小
さく、高輝度で、耐湿性および堅牢性がすぐれた特性を
有していることから、例えば自動車用計器の指針やショ
ーウィンドの装飾用などとして広く用いることができ
る。
【0023】
【実施例】以下、図面を参照しつつ、この発明の有機・
無機系ハイブリット型発光素子およびその製造方法の実
施例について具体的に説明する。
【0024】図1はこの発明の有機・無機系ハイブリッ
ト型発光素子の第1実施例(指針型)を示す断面説明
図、図2は図1における有機・無機系蛍光体発光層の有
機系絶縁物含浸前の状態を示す拡大模式図、図3はこの
発明の有機・無機系ハイブリット型発光素子の第2実施
例(指針型)を示す断面説明図、図4は図3の有機・無
機系ハイブリット型発光素子の製造過程を示す説明図、
図5はこの発明の有機・無機系ハイブリット型発光素子
の第3実施例(フラット型)を示す断面説明図、図6は
図5の有機・無機系ハイブリット型発光素子の製造過程
を示す説明図である。
【0025】図1に示した第1実施例おいて、この発明
の有機・無機系ハイブリット型発光素子は、金属素地と
しての線状金属芯材10の表面に、絶縁反射層20、有
機・無機系蛍光体発光層30、透明導電膜40および表
面保護層50を順次形成してなり、さらに前記線状金属
芯材10に設けた電極(図示せず)と前記透明導電膜4
0に設けた電極(図示せず)とを、エナメル線などのリ
ード線を介して電源に電気的に連結することにより構成
されている。
【0026】なお、図中60は、線状金属芯材20から
の成分侵入を防止するために、線状金属芯材10と絶縁
反射層20との間に必要に応じて設けられるシリカ膜な
どからなるパッシベーション膜である。
【0027】次に、この第1実施例の有機・無機系ハイ
ブリット型発光素子の基本構造およびこの有機・無機系
ハイブリット型発光素子を上記(1)法により製造する
方法について説明する。
【0028】線状金属芯材10は脱炭素鋼またはステン
レス鋼などから選ばれた金属よりなる指針形状の棒状物
で、望ましくは先細りテーパー状で、その長さは20〜
100mm、平均直径(長手方向中央部の直径)は0.7
〜2.0mm程度であることが好ましい。
【0029】また、この線状金属芯材10は、上記パッ
シベーション膜60または絶縁反射層20の形成に先立
ち、予め清浄化処理が施されることによって、パッシベ
ーション膜60または絶縁反射層20との密着性が改良
されていることが望ましい。
【0030】絶縁反射層20は、線状金属芯材10また
はパッシベーション膜60上に白色の無機系顔料を分散
したフッソ樹脂溶液を塗布し、これを乾燥することによ
り、5〜10μm程度の膜圧の範囲に設定されている。
【0031】図2に示したように、この発明の最も特徴
とする有機・無機系蛍光体発光層30は、有機系絶縁物
の含浸前の状態において、硫化亜鉛などの蛍光体31が
多孔性無機系絶縁物32中に均一分散した多孔性無機系
分散膜33を形成しており、この多孔性無機系分散膜3
3にはその全体に小孔34が均一に形成されている。
【0032】有機・無機系蛍光体発光層30のバインダ
としての多孔性無機系絶縁物32は、できるだけ低温で
成膜できる材料からなることが望ましく、アルミナ・シ
リカゾルの使用が最も推奨される。
【0033】しかるに、上記のようにバインダを多孔性
無機系分散膜33で形成し、多孔質の状態を保持したま
まの蛍光体発光層30では、内部での蛍光体31の発光
が多孔質であるがゆえに拡散し、減衰することになる。
【0034】したがって、この発明においては、多孔性
無機系分散膜33の小孔34を有機系絶縁物で封孔し、
透明な有機・無機系蛍光体発光層30とすることによっ
て、蛍光体31の発光を効率よく外部へ取り出すことを
可能としている。
【0035】そして、多孔性無機系分散膜33少なくと
も表層側の小孔34を有機系絶縁物で封孔するに際して
は、有機系絶縁物の有機溶媒溶液中に多孔性無機系分散
膜33を浸漬し、次いで乾燥して有機溶媒を蒸発する。
【0036】ここで用いる有機系絶縁物としては、シア
ノエチルセルロース、シアノエチルプルラン、シアノエ
チルポバールおよびフッ素樹脂、UV型のアクリル系樹
脂、熱硬化型アクリル樹脂、熱硬化型、UV硬化型エポ
キシ樹脂、二液混合硬化型のエポキシ樹脂から選択した
少なくとも1種であり、これら有機系絶縁物をジメチル
ホルムアミドなどの有機溶媒に10〜20重量%の濃度
で溶解した溶液が上記浸漬処理に適用される。また、こ
れらの溶剤のあるものも可能であるが充てん率を高める
ために数回操作を繰り返すことが好ましい。
【0037】かくして形成される有機・無機系蛍光体発
光層30は、多孔性無機系絶縁物32の小孔に有機系絶
縁物が封孔されると共に、少なくとも多孔性無機系絶縁
物32の表層側に有機系絶縁物の薄い層が形成されて、
多孔性無機系絶縁物32および有機系絶縁物からなる透
明な複合体を構成している。
【0038】なお、この有機・無機系蛍光体発光層30
の膜厚は30〜60μ程度に設定されている。
【0039】次いで、上記有機・無機系蛍光体発光層3
0上に、透明導電膜40および表面保護層50を順次形
成することにより、本第1実施例の有機・無機系ハイブ
リット型発光素子が完成する。
【0040】透明導電膜40は、例えばITO膜(酸化
インジウムにスズを添加したもの)などのフィルムを有
機・無機系蛍光体発光層30上に積層するか、あるいは
有機・無機系蛍光体発光層30上に真空蒸着やスパッタ
リング法などの乾式法によりあるいはゾルゲル法、塗布
熱分解法などの湿式法によりITO膜を成膜することな
どにより形成され、この透明導電膜40に設ける電極の
取出位置は任意に選択される。
【0041】この透明導電膜40の膜厚は、通常0.1
〜1.0μに設定される。
【0042】透明導電膜40の表面に形成される表面保
護層50は、外部との絶縁および素子の保護を図るため
に機能し、この表面保護層50の材料としては、ポリエ
チレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリフ
ッ化ビニリデン、ポリスチレン、ポリビニルアルコー
ル、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シアノエチルセルロ
ース、シアノエチルプルラン、シアノエチルポバール、
シアノエチルサッカロース、シアノエチルソルビトール
およびシアノエチルシュックロースなどの高分子材料が
用いられる。
【0043】表面保護層50は、滴下、スクリーン印刷
およびディッピングなどの方法で形成することができ、
その膜厚は、通常20〜500μに設定される。
【0044】かくして得られる本第1実施例の有機・無
機系ハイブリット型発光素子は、ホーローやガラスなど
を用いることなく、アルミナ・シリカゾルなどの300
℃以下程度の低温で焼結可能な多孔性無機系絶縁物をバ
インダとして用いたため、蛍光体が熱劣化を受けること
がなく、輝度の低下を招く恐れがないばかりか、高誘電
性の有機系絶縁物を用いて多孔性無機系分散膜33の小
孔34を封孔したため、蛍光体31にかかる電界強度が
増加し、従来の無機分散型発光素子に対し、同一駆動条
件における高輝度化を達成することができる。
【0045】また、多孔性無機系分散膜33に有機系絶
縁物が被覆されているため、水分の浸透による蛍光体3
4の劣化が少なく、耐湿性にすぐれるばかりか、バイン
ダが多孔性無機系絶縁物33をベースとしているため、
物理的な外力に対する堅牢性もすぐれている。
【0046】しかも、上記の製造方法(1)によれば、
上記のすぐれた性能を有する有機・無機系ハイブリット
型発光素子を、フラット型および指針型発光素子の製造
に共通して、300℃以下の低温で効率的に製造するこ
とができる。
【0047】ところで、上記第1実施例の有機・無機系
ハイブリット型発光素子においては、合成樹脂などの有
機系絶縁物を構成内に含むことから、後工程で高温をか
けることは好ましくなく、例えば上記(1)法で説明し
たように、有機・無機系蛍光体発光層30上に対する透
明導電膜40の形成にスパッタリング法などの高温熱分
解を伴う方法を適用した場合には、有機系絶縁物の分
解、酸化等の不具合が生起することが懸念される。
【0048】しかも、とくに金属素地10が図1に示し
たような線状金属芯材10(指針型)である場合には、
例えばITOフィルムを有機・無機系蛍光体発光層30
上に貼り付け、積層する方法を採用することは困難であ
る。
【0049】したがって、上記(1)法は、指針型の有
機・無機系ハイブリット型発光素子を製造する方法とし
ては、材料の選択などにある程度の制約を包含すること
になる。
【0050】そこで、以下に説明する図3および図4に
示した第2実施例は、上記の制約を解消したものであ
り、とくに指針型の有機・無機系ハイブリット型発光素
子にとって好適な製造方法、すなわち上記(2)法、お
よびこの方法により得られた有機・無機系ハイブリット
型発光素子の構造を示すものである。
【0051】まず、本第2実施例の製造方法について図
4にしたがって説明し、次にこの方法により得られた有
機・無機系ハイブリット型発光素子の構造について図3
にしたがって説明する。
【0052】本第2実施例は、透明導電膜の形成プロセ
スを、有機・無機系蛍光体発光層に対する有機系絶縁物
の充填に先だって行い、また有機系絶縁物の充填と同時
に表面保護層を形成することによって、有機系絶縁物の
分解、酸化などの不具合を解消し、スパッタリング法な
どの乾式法により透明導電膜を容易に形成することを可
能としたことを特徴とするものである。
【0053】図4において、(a)は(c)のa−a断
面図、(b)は(c)のb−b断面図、(c)は有機系
絶縁物の充填工程を示す断面図である。
【0054】すなわち、本第2実施例においては、金属
素地として線状金属芯材10を用い、まずこの線状金属
芯材10上に好ましくはアルミナ・シリカからなる絶縁
反射層20、シリカ膜からなる内側封止層21および蛍
光体34を多孔性無機系絶縁物(アルミナ・シリカ)に
分散した多孔性無機系分散膜33を順次形成して、図4
(a)に示した状態とする。
【0055】ここで、内側封止層21は、後工程で有機
系絶縁物を充填する際に、有機系絶縁物が絶縁反射層2
0に浸透してこれを透明化し、光拡散性が低下するのを
防止するために機能するものであり、絶縁反射層20お
よび内側封止層21との境界では多孔質の有機系絶縁物
20の小孔にシリカが浸透し、封孔されている。
【0056】次に、上記多孔性無機系分散膜33上に、
末端に未封止部分(図4(c)におけるX部)を残し
て、アルミナ・シリカからなる被覆層22、シリカ膜か
らなる外側封止層23および透明導電膜40を順次形成
して、図4(b)に示した状態の中間物60とする。
【0057】ここで、アルミナ・シリカからなる被覆層
22は、とくに多孔性無機系分散膜33の膜厚が薄い場
合に、多孔性無機系分散膜33の表面に突出している蛍
光体粒子31による断線を防止し、多孔性無機系分散膜
33の表面を平滑化するために必要に応じて設けられる
層であり、その肉厚は5〜10μ程度に設定される。
【0058】また、シリカ膜からなる外側封止層23
は、透明導電膜がシリカ膜表面に充分な導電率を有する
膜として密着積層されるため、また上記内側封止層21
と同様に、多孔性無機系分散膜33または被覆層22の
表面の小孔を封孔するために機能し、上記内側封止層2
1と同様の膜厚、たとえば0.2〜3μに膜厚が設定さ
れている。
【0059】さらに、上記未封止部分Xの長さは、通常
1〜5mmに設定されており、後工程において、この未封
止部分Xから多孔性無機系分散膜33内へ有機系絶縁物
が含浸されるようになっている。
【0060】そして、有機系絶縁物の含浸は、図4
(c)に示したように、真空吸引法により行われる。
【0061】すなわち、有機系絶縁物35を満たした容
器70を、図示しない真空槽中に設置し、上記図4
(b)の中間物60を槽内上空に保持したまま真空吸引
する。
【0062】そして、所定の真空圧に達した後、槽内に
セットした引上げ機(図示せず)で中間物60を有機系
絶縁物35内へ徐々に引き下ろし、未封止部分Xまでを
有機系絶縁物35内に浸漬した後、槽内を大気圧に戻す
ことで、上記未封止部分Xから多孔性無機系分散膜33
内に有機系絶縁物35が吸引されて、多孔性無機系分散
膜33が十分透明化するまで、すなわち、所定量の有機
系絶縁物35が多孔性無機系分散膜33内に充填される
まで浸漬を続ける。
【0063】このような真空吸引によって、内側封止層
21と外側封止層23との間に有機系絶縁物35が吸引
され、同時に透明導電膜40の表面に有機系絶縁物35
が塗布されることになるので、次にこの吸引処理後の中
間物60を真空槽内から引き上げ、これに紫外線照射ま
たはオーブン加温などの硬化処理を施すことによって、
有機系絶縁物35が硬化し、有機・無機系蛍光体発光層
30および表面保護層50を同時に形成することができ
る。
【0064】本第2実施例で使用する上記有機系絶縁物
35としては、熱硬化型樹脂、紫外線硬化型樹脂および
2液混合型樹脂から選ばれた無溶剤型の熱硬化性樹脂が
使用される。
【0065】なお、上記有機系絶縁物35の充填時に
は、透明導電膜40は有機系絶縁物35により完全に被
覆されることになるので、電極端子を取り出すために、
あらかじめ透明導電膜40の一部にリード端子をエナメ
ル線などで取り出しておくか、真空槽からの引き上げ後
から硬化までの適当なタイミングで、有機系絶縁物を一
部剥離しておくことが望ましい。
【0066】かくして得られる本第2実施例の有機・無
機系ハイブリット型発光素子は、図3に示したように、
線状金属芯材10上に絶縁反射層20、シリカ膜からな
る内側封止層21、蛍光体31が多孔性無機系絶縁物に
分散し、かつこの多孔性無機系絶縁物の小孔が有機系絶
縁物で封孔されて透明化した有機・無機系蛍光体発光層
30、被覆層22、シリカ膜からなる外側封止層23、
透明導電膜40および有機系絶縁物の硬化物からなる表
面保護層50が順次形成されたものであり、上記第1実
施例の有機・無機系ハイブリット型発光素子と同様の性
能を有するものである。
【0067】そして、本第2実施例の方法によれば、透
明導電膜40の形成プロセスを、有機・無機系蛍光体発
光層30に対する有機系絶縁物35の充填に先だって行
い、また有機系絶縁物35の充填と同時に表面保護層5
0を形成するようにしたため、有機系絶縁物35の分
解、酸化などの不具合を起こすことなく、スパッタリン
グ法などの乾式法により透明導電膜40を容易に形成す
ることができ、しかも表面保護層50の形成工程が簡略
化されて、一層効率的に指針型の有機・無機系ハイブリ
ット型発光素子を製造することが可能である。
【0068】次に、図5および図6に示した第3実施例
は、とくにフラット型の有機・無機系ハイブリット型発
光素子の製造にとって有利な方法、すなわち上記(3)
法、およびこの方法により得られた有機・無機系ハイブ
リット型発光素子を示すものである。
【0069】まず、本第3実施例の製造方法について図
6にしたがって説明し、次にこの方法により得られた有
機・無機系ハイブリット型発光素子の構造について図5
にしたがって説明する。
【0070】本第3実施例は、有機・無機系蛍光体発光
層の形成と同時に絶縁反射層を形成することができ、し
かも例えばITOフィルムの貼り付け、積層などによっ
て透明導電膜40を形成可能で、あらかじめ有機・無機
系蛍光体発光層に含浸した有機系絶縁物に対する分解、
酸化などの不具合の発生を解消したことを特徴とするも
のである。
【0071】図6において、(a)は金属素地上に多孔
性無機系分散膜を形成した状態を示す断面図、(b)は
多孔性無機系分散膜に対し有機系絶縁物を含浸した状態
を示す断面図である。
【0072】すなわち、本第3実施例においては、金属
素地としてアルミ、ステンレス鋼などの金属薄板10を
用い、この金属薄板10上に、蛍光体31を好ましくは
アルミナ・シリカなどの多孔性無機系絶縁物32に分散
した多孔性無機系分散膜33を形成することにより、図
4(a)の状態の中間物とする。
【0073】この場合の多孔性無機系分散膜33の膜厚
は、30〜100μに設定される。
【0074】次に、上記中間物の多孔性無機系分散膜3
3の表面に対し、滴下、スクリーン印刷およびディッピ
ングなどの方法により、金属薄板10側に白濁部分の3
6を残した状態で、有機系絶縁物35を浸透せしめ、図
4(b)の状態となす。
【0075】このとき、多孔性無機系分散膜33に対し
有機系絶縁物35が充填された部分は透明化するが、白
濁部分36は不透明なまま残り、絶縁反射層と同じ機能
を有することになる。
【0076】次いで、含浸させた有機系絶縁物35に紫
外線照射またはオーブン加温などの硬化処理を施すこと
によって、有機系絶縁物35が硬化し、白濁部分36が
硬化した絶縁反射層20および多孔性無機系分散膜33
の小孔が有機系絶縁物35で封孔されて透明化した有機
・無機系蛍光体発光層30を一挙に形成することができ
る。
【0077】また、有機・無機系蛍光体発光層30の上
層には、有機系絶縁物の単独層37(図4(b)参照)
が形成され、この層37は蛍光体31の保護機能を奏す
る。
【0078】そして、上記有機・無機系蛍光体発光層3
0上に透明導電膜40および表面保護層50を順次形成
することによって、本第3実施例の有機・無機系ハイブ
リット型発光素子が完成する。
【0079】なお、本第3実施例で使用する上記有機系
絶縁物としては、上述した第2実施例と同様に、熱硬化
型樹脂、紫外線硬化型樹脂および2液混合型樹脂から選
ばれた無溶剤型の熱硬化性樹脂が使用される。
【0080】かくして得られる本第3実施例の有機・無
機系ハイブリット型発光素子は、図5に示したように、
金属薄板10上に絶縁反射層20、蛍光体31が多孔性
無機系絶縁物に分散し、かつこの多孔性無機系絶縁物の
小孔が有機系絶縁物で封孔されて透明化した有機・無機
系蛍光体発光層30、透明導電膜40および表面保護層
50が順次形成されたものであり、上記第1および第2
実施例の有機・無機系ハイブリット型発光素子と同様の
性能を有している。
【0081】そして、本第3実施例の方法によれば、有
機・無機系蛍光体発光層30の形成と同時に絶縁反射層
20を形成することができ、しかも例えばITOフィル
ムの貼り付け、積層などによって透明導電膜40を形成
可能で、あらかじめ有機・無機系蛍光体発光層に含浸し
た有機系絶縁物に対する分解、酸化などの不具合を起こ
すことなく、フラット型の有機・無機系ハイブリット型
発光素子を効率的に製造することが可能である。
【0082】以下に、試験例を挙げて、この発明の構成
および効果をさらに詳述する。
【0083】<試験例1…(1)法> 金属素地(芯材)の準備 金属素地として、SUS420製、直径:1.0mm、長
さ:70mmの線状金属芯材を用意し、その表面をアルコ
ール中での超音波洗浄により清浄化した。
【0084】バッシベーション膜の形成 上記を、日産化学社製シリカ膜形成剤NT−L600
8中にディッピングし、引き上げ後、100℃で10分
乾燥、400℃で30分焼成することにより、膜厚:約
1μのバッシベーション膜を形成した。
【0085】絶縁反射層の形成 上記を、白色顔料を分散したフルオロエチレン系フッ
素樹脂溶液中にディッピングし、引き上げ後、80℃で
10分乾燥、180℃で30分焼成することにより、膜
厚:約5μの絶縁反射層を形成した。
【0086】有機・無機系蛍光体発光層の形成 上記を、日産化学社製アルミナ・シリカゾルNT−G
501と、シルバニア社製EL用蛍光体729とを3:
7(重量比)で混合したものにディッピングし、引き上
げ後、80℃で10分乾燥、200℃で30分焼成する
ことにより、膜厚:約40μの多孔性無機系分散膜を形
成した。次に、これをシアノエチルセルロースをジメチ
ルホルムアミドに溶解して調整した15重量%濃度の溶
液中にディッピングし、引き上げ後、150〜200℃
で約1時間乾燥することにより、表面までシアノエチル
セルロースで被覆され、透明化した有機・無機系蛍光体
発光層を形成した。
【0087】透明導電膜の形成 ITO微粒子(平均粒径0.1μm程度)をバインダー
となる有機樹脂とともに溶媒中に分散した溶液に浸漬し
引き上げ後、10分自然乾燥し続いて120℃オーブン
中にて10分間強制乾燥して0.2μmのITOを形成
した。
【0088】表面保護層の形成 ITO膜上に、上記と同様のディッピング法により膜
厚:1μの表面保護層(シリカ膜)を形成した。
【0089】電極の形成 電極形成部分を剥離し、線状金属芯材の一部に電極を設
けると共に、ITO膜にエナメル線を巻いて、簡易電極
とすることにより、この発明の有機・無機系ハイブリッ
ト型発光素子を完成した。
【0090】一方、比較のために、上記有機・無機系蛍
光体発光層におけるシアノエチルセルロースの含浸を省
略した以外は同様にして、比較用の無機分散型発光素子
を得た。
【0091】これら2種類の分散型発光素子について、
ITO膜上の電極と、線状金属芯材の電極との間に、交
流電界を印加したところ、100V、400Hzにおい
て、比較用無機分散型発光素子は最大15cd/m2 であ
ったのに対し、この発明の有機・無機系ハイブリット型
発光素子は最大30cd/m2 と約2倍の高発光輝度が得
られ、また吸湿による蛍光体の劣化もなく、堅牢で信頼
性の高いものであった。
【0092】<試験例2…(2)法> 金属素地(芯材)の準備 金属素地として、SUS440製、直径:1.0mm、長
さ:70mmの線状金属芯材を用意し、その表面をアルコ
ール中での超音波洗浄により清浄化した。
【0093】絶縁反射層の形成 上記を、日産化学社製アルミナ・シリカゾルNT−G
501中にディッピングし、引き上げ後、100℃で1
0分乾燥、350℃で30分焼成することにより、膜
厚:約10μの絶縁反射層を形成した。
【0094】内側封止層の形成 上記を、日産化学社製シリカ膜形成剤NT−L500
7中にディッピングし、引き上げ後、100℃で10分
乾燥、400℃で30分焼成することにより、膜厚:約
1μの内側封止層を形成した。
【0095】多孔性無機系分散膜の形成 上記を、日産化学社製アルミナ・シリカゾルNT−G
501と、シルバニア社製EL用蛍光体729とを3:
7(重量比)で混合したものにディッピングし、引き上
げ後、100℃で10分乾燥、300℃で30分焼成す
ることにより、膜厚:約40μの多孔性無機系分散膜を
形成した。なお、この場合には上記との境界末端部分
に、長さ1mmの未封止部分を形成した。
【0096】被覆層の形成 上記を、日産化学社製アルミナ・シリカゾルNT−G
501中に未封止部分を残してディッピングし、引き上
げ後、100℃で10分乾燥、300℃で30分焼成す
ることにより、膜厚:約5μの被覆層を形成した。
【0097】外側封止層の形成 上記を、日産化学社製シリカ膜形成剤NT−L500
7中に未封止部分を残してディッピングし、引き上げ
後、100℃で10分乾燥、400℃で30分焼成する
ことにより、膜厚:約2μの外側封止層を形成した。
【0098】透明導電膜の形成 アセチルアセトナート系の有機インジウム(一部スズ添
加)を前駆体溶液とする塗布熱分解法により、外側封止
層上に透明導電膜形成した。具体的には、上記を前駆
体溶液に未封止部分を残してディッピングし、引き上げ
後、80℃で10分乾燥し、次いで窒素雰囲気下400
℃まで昇温し、10時間保持してから徐冷することによ
り、5KΩ/□のITO膜を形成した。
【0099】有機系絶縁物の充填 スリーボンド社製、紫外線硬化型アクリル系樹脂TB3
042C(粘度:1500cps)を満たした容器を、
真空槽中に設置し、上記を槽内上空に保持したまま真
空吸引する。次に真空圧が1×10-7Toorに達した後、
槽内にセットした引上げ機で上記をTB3042内へ
徐々に引き下ろし、未封止部分までを浸漬した後、槽内
を大気圧に戻すことで、TB3042が多孔性無機系分
散膜内に充填され、透明化するまで浸漬を続けた。
【0100】次にこれを真空槽内から引き上げ、紫外線
照射を施すことによって、TB3042が硬化し、有機
・無機系蛍光体発光層および表面保護層を同時に形成し
た。
【0101】電極の形成 電極形成部分を剥離し、線状金属芯材の一部に電極を設
けると共に、ITO膜にエナメル線を巻いて、簡易電極
とすることにより、この発明の有機・無機系ハイブリッ
ト型発光素子を完成した。
【0102】一方、比較のために、上記TB3042の
充填を省略した以外は同様にして、比較用の無機分散型
発光素子を得た。
【0103】これら2種類の分散型発光素子について、
ITO膜上の電極と、線状金属芯材の電極との間に、交
流電界を印加したところ、100V、400Hzにおい
て、比較用無機分散型発光素子は最大18cd/m2 であ
ったのに対し、この発明の有機・無機系ハイブリット型
発光素子は最大40cd/m2 と約2倍の高発光輝度が得
られ、また吸湿による蛍光体の劣化もなく、堅牢で信頼
性の高いものであった。
【0104】<試験例3…(3)法> 金属素地(板材)の準備 金属素地として、厚さ:0.5mmのアルミ板を用意し、
アルコール中での超音波洗浄により清浄化した。
【0105】多孔性無機系分散膜の形成 上記を、日産化学社製アルミナ・シリカゾルNT−G
501と、シルバニア社製EL用蛍光体729とを6:
4(重量比)で混合したものにディッピングし、引き上
げ後、150℃で10分乾燥、300℃で30分焼成す
ることにより、膜厚:約45μの多孔性無機系分散膜を
形成した。
【0106】有機系絶縁物の充填 上記の表層側を、スリーボンド社製、紫外線硬化型ア
クリル系樹脂TB3042C(粘度:1500cps)
に30秒間ディッビングし、引き上げ速度:1mm/秒で
引き上げた後、ただちに80℃で乾燥しながら、紫外線
照射を施すことによって、TB3042Cが硬化した膜
厚:15μの絶縁反射層(白濁層)および膜厚:30μ
の有機・無機系蛍光体発光層(透明層)を同時に形成し
た。
【0107】透明導電膜の形成 上記上に、膜厚:0.2μのITO(スズ添加酸化イ
ンジウム)フィルムを貼り付け、積層した。
【0108】表面保護層の形成 上記のITO膜上に、ディッピング法により膜厚:1
μのシリカ膜を形成した。
【0109】電極の形成 電極形成部分を剥離し、アルミ板の一部に電極を設ける
と共に、ITO膜にエナメル線を巻いて、簡易電極とす
ることにより、この発明の有機・無機系ハイブリット型
発光素子を完成した。
【0110】一方、比較のために、上記有機・無機系蛍
光体発光層における3042Cの充填を省略した以外は
同様にして、比較用の無機分散型発光素子を得た。
【0111】これら2種類の分散型発光素子について、
ITO膜上の電極と、アルミ板の電極との間に、交流電
界を印加したところ、100V、400Hzにおいて、
比較用無機分散型発光素子は最大18cd/m2 であった
のに対し、この発明の有機・無機系ハイブリット型発光
素子は最大40cd/m2 と約2倍の高発光輝度が得ら
れ、また吸湿による蛍光体の劣化もなく、堅牢で信頼性
の高いものであった。
【0112】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、有機・無機系ハイブリット型発光素子を従来よりも
低温で、一層効率的に製造することができ、しかもこの
発明の有機・無機系ハイブリット型発光素子は、蛍光体
の熱劣化が小さく、高輝度で、耐湿性および堅牢性がす
ぐれた特性を有していることから、例えば自動車用計器
の指針やショーウィンドの装飾用などとして広く用いる
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1はこの発明の有機・無機系ハイブリット型
発光素子の第1実施例(指針型)を示す断面説明図であ
る。
【図2】図2は図1における有機・無機系蛍光体発光層
の有機系絶縁物含浸前の状態を示す拡大模式図である。
【図3】図3はこの発明の有機・無機系ハイブリット型
発光素子の第2実施例(指針型)を示す断面説明図であ
る。
【図4】図4は図3の有機・無機系ハイブリット型発光
素子の製造過程を示す説明図であり、(a)は(c)の
a−a断面図、(b)は(c)のb−b断面図、(c)
は有機系絶縁物の充填工程を示す断面図である。
【図5】図5はこの発明の有機・無機系ハイブリット型
発光素子の第3実施例(フラット型)を示す断面説明図
である。
【図6】図6は図5の有機・無機系ハイブリット型発光
素子の製造過程を示す説明図であり、(a)は金属素地
上に多孔性無機系分散膜を形成した状態を示す断面図、
(b)は多孔性無機系分散膜に対し有機系絶縁物を含浸
した状態を示す断面図である。
【図7】図7は従来の分散型発光素子(フラット型)を
示す説明図である。
【図8】図8は従来の分散型発光素子(指針型)を示す
説明図である。
【符号の説明】
10 金属素地 20 絶縁反射層 21 内側封止層 22 被覆層 23 外側封止層 30 有機・無機系蛍光体発光層 31 蛍光体 32 多孔性無機系絶縁物 33 多孔性無機系分散膜 34 小孔 35 有機系絶縁物 36 白濁部分 40 透明導電膜 50 表面保護層
【手続補正書】
【提出日】平成6年3月2日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0036
【補正方法】変更
【補正内容】
【0036】ここで用いる有機系絶縁物としては、UV
型のアクリル系樹脂、熱硬化型アクリル樹脂、熱硬化
型、UV硬化型エポキシ樹脂、二液混合硬化型のエポキ
シ樹脂等の無溶剤タイプのものから選択した少なくとも
1種、あるいは有機系絶縁物シアノエチルセルロース、
シアノエチルプルラン、シアノエチルポバールおよびフ
ッ素樹脂をDMFなどの有機溶媒に10〜60重量%の
濃度で溶解した溶液が上記浸漬処理に適用される。溶剤
のあるものについては充てん率を高めるために数回操作
を繰り返すことが好ましい。
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0076
【補正方法】変更
【補正内容】
【0076】次いで、含浸させた有機系絶縁物35に紫
外線照射またはオーブン加温などの硬化処理を施すこと
によって、有機系絶縁物35が硬化し、白濁部分が残っ
絶縁反射層20および多孔性無機系分散膜33の小孔
が有機系絶縁物35で封孔されて透明化した有機・無機
系蛍光体発光層30を一挙に形成することができる。
【手続補正3】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0095
【補正方法】変更
【補正内容】
【0095】多孔性無機系分散膜の形成 上記を、日産化学社製アルミナ・シリカゾルNT−G
501と、シルバニア社製EL用蛍光体729とを3:
7(重量比)で混合したものにディッピングし、引き上
げ後、100℃で10分乾燥、300℃で30分焼成す
ることにより、膜厚:約40μの多孔性無機系分散膜を
形成した。
【手続補正4】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0096
【補正方法】変更
【補正内容】
【0096】被覆層の形成 上記を、日産化学社製アルミナ・シリカゾルNT−G
501中にディッピングし、引き上げ後、100℃で1
0分乾燥、300℃で30分焼成することにより、膜
厚:約5μの被覆層を形成した。
【手続補正5】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0097
【補正方法】変更
【補正内容】
【0097】外側封止層の形成 上記を、日産化学社製シリカ膜形成剤NT−L500
7中にディッピングし、引き上げ後、100℃で10分
乾燥、400℃で30分焼成することにより、膜厚:約
2μの外側封止層を形成した。なお、この場合には上記
との境界末端部分に、長さ1mmの未封止部分を形成し
た。

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 金属素地10の表面に、絶縁反射層2
    0、バインダ中に蛍光体31を分散させた蛍光体発光層
    30、透明導電膜40および表面保護層50を順次形成
    すると共に、前記金属素地10と前記透明導電膜40と
    を電気的に連結した分散型発光素子において、前記蛍光
    体発光層30が、多孔性無機系絶縁物33をバインダと
    してこれに蛍光体31を分散させてなり、かつこの多孔
    性無機系絶縁物33の少なくとも表層側の小孔34を、
    有機系絶縁物35で封孔した有機・無機系蛍光体発光層
    からなることを特徴とする有機・無機系ハイブリット型
    発光素子。
  2. 【請求項2】 金属素地10が、線状金属芯材または金
    属薄板からなることを特徴とする請求項1に記載の有機
    ・無機系ハイブリット型発光素子。
  3. 【請求項3】 金属素地10の表面に形成した絶縁反射
    層20上に、蛍光体31を多孔性無機系絶縁物32に分
    散した多孔性無機系分散膜33を形成し、さらにこれを
    有機系絶縁物35の溶液に浸漬し、乾燥して、前記多孔
    性無機系分散膜33の少なくとも表層側の小孔34を前
    記有機系絶縁物35で封孔することにより、有機・無機
    系蛍光体発光層30を形成した後、この有機・無機系蛍
    光体発光層30上に透明導電膜40および表面保護層5
    0を順次形成することを特徴とする有機・無機系ハイブ
    リット型発光素子の製造方法。
  4. 【請求項4】 有機系絶縁物35が、シアノエチルセル
    ロース、シアノエチルプルラン、シアノエチルポバール
    およびアクリル樹脂、エポキシ樹脂、フッ素樹脂から選
    択した少なくとも1種であることを特徴とする請求項3
    に記載の有機・無機系ハイブリット型発光素子の製造方
    法。
  5. 【請求項5】 金属素地として線状金属芯材10を用
    い、この線状金属芯材10上に絶縁反射層20、シリカ
    膜からなる内側封止層21、蛍光体31を多孔性無機系
    絶縁物32に分散した多孔性無機系分散膜33、シリカ
    膜からなる外側封止層23および透明導電膜40を順次
    形成した後、これを有機系絶縁物35に浸漬すると共
    に、前記内側封止層21と前記外側封止層23との間に
    前記有機系絶縁物35を吸引させ、次いで前記有機系絶
    縁物35を硬化させることにより、有機・無機系蛍光体
    発光層30および表面保護層50を同時に形成すること
    を特徴とする有機・無機系ハイブリット型発光素子の製
    造方法。
  6. 【請求項6】 透明導電膜40の形成を、真空蒸着法ま
    たはスパッタリング法などの乾式法あるいはゾルゲル
    法、塗布熱分解法などの湿式法により行うことを特徴と
    する請求項5に記載の有機・無機系ハイブリット型発光
    素子の製造方法。
  7. 【請求項7】 金属素地として金属薄板10を用い、こ
    の金属薄板10上に蛍光体31を多孔性無機系絶縁物3
    2に分散した多孔性無機系分散膜33を形成した後、こ
    の多孔性無機系分散膜33の表層側から内層側にかけ
    て、前記金属薄板10側に白濁部分36を残した状態
    で、有機系絶縁物35を浸透せしめ、次いで前記有機系
    絶縁物35を硬化することにより、前記白濁部分36か
    らなる絶縁反射層20および前記有機系絶縁物35の浸
    透部分からなる有機・無機系蛍光体発光層30を一挙に
    形成し、さらに前記有機・無機系蛍光体発光層30上に
    透明導電膜40および表面保護層50を順次形成するこ
    とを特徴とする有機・無機系ハイブリット型発光素子の
    製造方法。
  8. 【請求項8】 透明導電膜40の形成を、フィルムの積
    層により行うことを特徴とする請求項7に記載の有機・
    無機系ハイブリット型発光素子の製造方法。
  9. 【請求項9】 有機系絶縁物35が、熱硬化型樹脂、紫
    外線硬化型樹脂および2液混合型樹脂から選ばれた無溶
    剤型の熱硬化性樹脂であることを特徴とする請求項5、
    6、7または8に記載の有機・無機系ハイブリット型発
    光素子の製造方法。
  10. 【請求項10】 有機・無機系蛍光体発光層30のバイ
    ンダーとして用いる多孔性無機系絶縁物32が、アルミ
    ナ・シリカからなることを特徴とする請求項1または2
    に記載の有機・無機系ハイブリット型発光素子および請
    求項3、4、5、6、7、8または9に記載の有機・無
    機系ハイブリット型発光素子の製造方法。
JP5282699A 1993-11-11 1993-11-11 有機・無機系ハイブリット型発光素子およびその製造方法 Pending JPH07135080A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5282699A JPH07135080A (ja) 1993-11-11 1993-11-11 有機・無機系ハイブリット型発光素子およびその製造方法
DE19944440410 DE4440410A1 (de) 1993-11-11 1994-11-11 Lichtemittierendes Element des organisch/anorganischen Hybridtyps und Verfahren zu dessen Herstellung

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5282699A JPH07135080A (ja) 1993-11-11 1993-11-11 有機・無機系ハイブリット型発光素子およびその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH07135080A true JPH07135080A (ja) 1995-05-23

Family

ID=17655908

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5282699A Pending JPH07135080A (ja) 1993-11-11 1993-11-11 有機・無機系ハイブリット型発光素子およびその製造方法

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JPH07135080A (ja)
DE (1) DE4440410A1 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020032406A (ko) * 2000-10-26 2002-05-03 야마자끼 순페이 발광 장치
US6432516B1 (en) 1997-04-17 2002-08-13 Kureha Kagaku Kogyo K.K. Moistureproofing film and electroluminescent device
KR100870542B1 (ko) * 2006-09-29 2008-11-26 부산대학교 산학협력단 하나의 유기-무기 혼성 홀 주입-수송층을 포함하는 유기전기발광소자 및 그 제조방법
JP2014078392A (ja) * 2012-10-10 2014-05-01 Peccell Technologies Inc ペロブスカイト化合物を用いた電界発光素子

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19741333A1 (de) * 1997-09-19 1999-04-01 Bosch Gmbh Robert Elektrolumineszierende Anordnung

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE963172C (de) * 1952-08-09 1957-05-02 Gen Electric Elektrolumineszenzzelle
DE1051401B (de) * 1955-01-17 1959-02-26 Gen Electric Spannungs-Elektrolumineszenzlampe
JPS4845187A (ja) * 1971-10-11 1973-06-28
DE2221441A1 (de) * 1972-05-02 1973-11-15 Bernt Von Grabe Optoelektronischer zeichengenerator
US4097776A (en) * 1977-03-25 1978-06-27 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Coated electroluminescent phosphors

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6432516B1 (en) 1997-04-17 2002-08-13 Kureha Kagaku Kogyo K.K. Moistureproofing film and electroluminescent device
KR20020032406A (ko) * 2000-10-26 2002-05-03 야마자끼 순페이 발광 장치
US7566253B2 (en) 2000-10-26 2009-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic light emitting device with anodized anode surface
KR100870542B1 (ko) * 2006-09-29 2008-11-26 부산대학교 산학협력단 하나의 유기-무기 혼성 홀 주입-수송층을 포함하는 유기전기발광소자 및 그 제조방법
JP2014078392A (ja) * 2012-10-10 2014-05-01 Peccell Technologies Inc ペロブスカイト化合物を用いた電界発光素子

Also Published As

Publication number Publication date
DE4440410A1 (de) 1995-05-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW381408B (en) Electrolumiscent light source
KR101595895B1 (ko) 광소결로 접합된 은 나노와이어를 포함하는 투명전극용 필름, 광소결을 이용한 은 나노와이어 접합용 분산액 및 은 나노와이어의 접합 방법
JP2005529450A (ja) 透明表面電極とエレクトロルミネッセント発光素子を備えた多層エレメントの製造方法
JPH07135080A (ja) 有機・無機系ハイブリット型発光素子およびその製造方法
WO2009007919A2 (en) Organic light emitting diodes having improved optical out-coupling
US7541733B2 (en) Light-emitting element, method for producing the same and display device
US3148299A (en) Electroluminescent lamp having envelope of water-impermeable plastic having hydrophilic plastic liner
US3252845A (en) Manufacture of electroluminescent cells
WO1997015939A2 (en) Electroluminescent light source
US20060290284A1 (en) Lamp with phosphor layer on an exterior surface and method of applying the phosphor layer
JPS62177087A (ja) 蛍光組成物
JPH07235376A (ja) 線状el発光体及びその製造方法
JPH0547470A (ja) 分散型elおよびその製造法
JPH07142172A (ja) 分散型発光素子
JPS6010320Y2 (ja) 薄膜elパネル
JPH0197397A (ja) 電界発光灯
JPH0670195U (ja) El発光体
JPH0547474A (ja) 電界発光素子
KR930009287B1 (ko) 가열가능한 방풍창 노치 밀봉재
JPH01304701A (ja) 電子部品
JPH0141198Y2 (ja)
KR100495899B1 (ko) 교류 분말형 모서리 발광 el 소자 및 그 제조방법
JPH04264389A (ja) Elパネル及びその製造方法
JPH10134963A (ja) 電界発光灯及びその製造方法
JPH05283163A (ja) Elランプおよびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
RD01 Notification of change of attorney

Effective date: 20040302

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421