JPH0713186A

JPH0713186A - 空間光変調素子

Info

Publication number: JPH0713186A
Application number: JP17499293A
Authority: JP
Inventors: Masanobu Shigeta; 正信茂田
Original assignee: Victor Company of Japan Ltd
Current assignee: Victor Company of Japan Ltd
Priority date: 1993-06-22
Filing date: 1993-06-22
Publication date: 1995-01-17

Abstract

(57)【要約】【目的】解像度の低下を招くことなく、バイアス光を
効果的に利用して空間光変調素子の感度の向上を図る。【構成】読出し光中の５４０ｎｍ付近の波長の光は、
増反射ミラー部７６、短波長ミラー部７４で反射され
る。他方、長波長側の光は、それらミラー部７４，７６
における透過率が大きいため、それらを透過して長波長
ミラー部７２に入射する。そして、そのうちの一部が長
波長ミラー部７２を透過して光導電体７０にバイアス光
として入射し、他は反射又は吸収される。このときの透
過光量は、長波長ミラー部７２におけるＳｉＯ2膜とＳ
ｉ膜との積層ペア数を調整することで、最適値に設定さ
れる。このバイアス光の作用によって感度が向上する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えば大画面の投射型
ディスプレイ装置に用いられる光書込み型の空間光変調
素子にかかり、更に具体的には特に大きな光増幅率を必
要とする場合に好適な空間光変調素子の改良に関する。

【０００２】

【従来の技術】プロジェクタなどの投射型ディスプレイ
装置に使用される光書込み型の空間光変調素子は、例え
ば図１０に示すような構成となっている。同図におい
て、光変調体１０の書込み光入射側（矢印ＦＡ側）に
は、誘電体ミラー１２，遮光膜１３，光導電体１４，透
明電極１６，透明ガラス基板２０が順に積層されてい
る。また、光変調体１０の読出し光入射側（矢印ＦＢ参
照）には、透明電極１８，透明ガラス基板２４が順に積
層されている。なお、透明ガラス基板２０，２４には、
いずれも外部からの光入射側に反射防止膜が必要に応じ
て形成される。遮光膜１３も、必要に応じて設けられ
る。透明電極１６，１８には電源２６が接続されてお
り、これから出力された駆動電圧が光変調体１０や光導
電体１４などに印加される構成となっている。

【０００３】以上の各部のうち、光変調体１０は、例え
ば、液晶配向層３０，３４間に適宜のスペーサ（図示せ
ず）によって形成されたセル内に液晶を充填した構成と
なっている。誘電体ミラー１２は、例えばＳｉとＳｉＯ
₂（あるいはＴｉＯ₂とＳｉＯ₂）とを交互に複数回蒸着
などの手法で積層した構成となっている。また、光導電
体１４としては、例えばａ−Ｓｉ：Ｈ（水素化アモルフ
ァスシリコン）やａ−ＳｉＣ：Ｈ（水素化アモルファス
シリコンカーバイド）が用いられる。透明電極１６，１
８としては、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＳｎ
Ｏ₂などが用いられる。

【０００４】次に、以上のような空間光変調素子の作用
を説明すると、透明電極１６，１８間には電源２６によ
って交流電圧が予め印加される。この駆動電圧は、光変
調体１０，誘電体ミラー１２，遮光膜１３，光導電体１
４のインピーダンスに応じて各層に配分される。このよ
うな状態で、画像情報を含む書込み光が矢印ＦＡのよう
に空間光変調素子に入射すると、この書込み光は透明ガ
ラス基板２０，透明電極１６を順に透過して光導電体１
４に到達する。光導電体１４では、書込み光が吸収され
てそのインピーダンスが減少するようになる。すると、
光変調体１０に配分される駆動電圧が増大することにな
る。すなわち、書込み光の強度分布に対応した電界が光
変調体１０に形成されることになる。

【０００５】この状態で、読出し光が矢印ＦＢのように
空間光変調素子に入射すると、この読出し光は透明ガラ
ス基板２４，透明電極１８を順に透過して光変調体１０
に到達する。この読出し光は、前記液晶の複屈折などに
よって、書込み光強度分布に対応する変調を受け、更に
誘電体ミラー１２で反射されて矢印ＦＣのように空間光
変調素子から出力される。このようにして、空間光変調
素子に書き込まれた画像情報が読み出される。読出し光
は、例えばスクリーンに投影される。空間光変調素子を
用いることによって、高輝度，高解像度の画像表示が可
能となる。特に、光変調体１０として垂直配向型の液晶
を用いると、良好なコントラストの画像表示が可能とな
る。

【０００６】ところで、このような光書込み型の空間光
変調素子が画像情報変換のための最低感度を有する場合
の画像表示装置としては、特開平４−５７０３０号公報
に開示された光画像情報変換装置がある。これには、光
書込み型の空間光変調素子における画像の書込み感度を
向上させるためには、一定限度の照度のバイアス光を照
射することが液晶の駆動に有効であることが指摘されて
いる。

【０００７】そして、感度向上の第１の方法として、画
像の書込み側、すなわち空間光変調素子の光導電体側か
らバイアス光を照射する方法が開示されている。また、
第２の方法として、読出し光が一様に透過する導電体ミ
ラーを設けて読出し光の一部が光変調体側から光導電体
側に透過するようにし、これをバイアス光として利用す
る方法が開示されている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、以上の
ような従来技術には次のような不都合がある。まず、第
１の方法では、書込み光の光源以外にバイアス光用の光
源を用意しなければならず、装置の小型化や省力化にと
って不都合である。次に、第２の方法では、格別のバイ
アス光用の光源を用意する必要はないが、読出し光が一
様に透過するため、光源の波長分布によっては光量を最
適にコントロールするのが難しく、却ってコントラスト
が悪化する場合がある。

【０００９】詳述すると、光導電体１４は書込み光を吸
収することによってインピータンス変化を生じる。この
インピーダンス変化による電界変化が光変調体１０に印
加されて良好な感度を得るためには、光導電体１４の膜
の厚み方向全体にわたって書込み光が吸収されてインピ
ーダンス変化が生ずる必要がある。別言すれば、書込み
光が光導電体１４の膜内部まで達する必要がある。特願
平４−３３５５９６号特許出願には、書込み光を８０〜
９５％吸収するように膜厚を設定すると実用的な感度が
得られるとした空間光変調素子が開示されている。

【００１０】光導電体１４は、一般に波長によって光吸
収率が異なり、短波長ほど吸収率は大きい。このため、
最適膜厚は書込み光の波長によって大体決まってしま
う。従って、光変調体１０に印加される電圧変化を大き
く取りたい、すなわち感度を上げたい場合には、書込み
光として波長の大きいものを使用するとともに、それに
対応して光導電体１４の膜厚を厚くするとよいことにな
る。つまり、電源２６の駆動電圧のうちの光導電体１４
の分圧分を大きくし、これが書込み光入射によるインピ
ーダンス変化によって光変調体１０に印加されるように
すると、感度が向上するようになる。しかし、光導電体
１４の膜厚の増加は解像度の劣化を招くため、高解像度
化という観点からは避けなければならない。

【００１１】上述したバイアス光の利用は、光導電体１
４の膜厚増加を伴わずに、すなわち高解像度で感度の向
上を図ることができるという利点がある。しかし、この
場合も光の波長が重要となってくる。光導電体１４に短
波長側の光が入射しても、膜の表面付近にのみ作用する
だけである。更に内部まで作用させようとして短波長光
の光量を上げると、光導電体１４の表面が強く感光する
ようになり、感度向上どころか却ってコントラスト比を
悪化させることになる。

【００１２】これに対し、長波長側の光は光導電体１４
の膜内部に達するため膜全体に効果的である。すなわ
ち、バイアス光としては、長波長側の光の方が有効であ
ることが理解できる。このような理由から、読出し光の
一部をバイアス光として利用する場合、有効な長波長側
の光を最適量透過させることが重要となる。

【００１３】ところが、上述した従来の誘電体ミラー１
２や遮光膜１３では、遮光したい光の波長と透過させた
い光の波長とを独立にコントロールすることができなか
った。例えば、長波長の光の遮光性を適度に上げようと
すると、一般に遮光膜の遮光性は長波長で低いため、短
波長側から見ると不必要なほどの膜厚になる。図１１に
は、遮光膜の光透過率特性の一例が示されている。同図
中、横軸は光の波長を示し、縦軸は光学濃度で数値が大
きいほど透過率が小さいことを示す。つまり、短波長側
で遮光性が高く長波長側で遮光性が低い。このため、長
波長側で十分な遮光性を得るように膜厚を大きくする
と、そもそも遮光性がよい短波長側では必要以上に膜厚
が大きくなってしまうことになる。そして、このような
遮光膜の膜厚増加は感度低下や解像度悪化の原因ともな
る。

【００１４】これとは別の方法として、読出し光源の光
量をコントロールしてバイアス光の光量を最適化する方
法も考えられる。ところが、例えば光導電体１４がａ−
Ｓｉ：Ｈなどの場合、最大感度が７００ｎｍ付近の近赤
外にあるため、可視光域の光量を全く変化させずに近赤
外の帯域の光量だけをコントロールすることは困難であ
る。また、フィルタなどを利用して無理に近赤外光のみ
をコントロールしようとすると、今度は読出し光のロス
が大きくなり、表示画像が暗くなるという不都合が生ず
る。

【００１５】本発明は、これらの点に着目したもので、
解像度の低下を招くことなく、バイアス光を効果的に利
用して書込み感度の向上を図ることができる空間光変調
素子を提供することを、その目的とする。

【００１６】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明は、駆動電源に接続された透明電極間に少な
くとも光導電体、誘電体ミラー、光変調体が積層されて
おり、光書込み手段によって光導電体に情報を書込むと
ともに、読出し手段から出力された読出し光を光変調体
により書込み情報に対応して変調し、変調後の読出し光
を誘電体ミラーで反射して出力する空間光変調素子にお
いて、前記誘電体ミラーは、読出し光の略中心波長がそ
の設定波長である第１のミラー部と、読出し光のうちの
書込み光波長と同程度以上の長波長の光を、光導電体側
にバイアス光として必要量透過する第２のミラー部とを
備えたことを特徴とする。

【００１７】

【作用】本発明によれば、読出し光のうちの中心波長付
近の光は、光変調体による変調を受けた後主として第１
のミラー部によって反射されて出力される。しかし、読
出し光中の長波長側の光は、その一部が第２のミラー部
を透過して光導電体側に透過する。このとき、第２のミ
ラー部の膜厚を調整することで、透過光量が制御され
る。光導電体側に透過した長波長側の読出し光はバイア
ス光として作用し、感度の向上に寄与する。

【００１８】

【実施例】以下、本発明による空間光変調素子の一実施
例について、添付図面を参照しながら詳細に説明する。
なお、上述した従来技術と同一の構成部分又は従来技術
に対応する構成部分には、同一の符号を用いることとす
る。

【００１９】＜透過率変化の前提構成＞最初に、図１〜
図４を参照しながら、本実施例における透過率変化の前
提構成について説明する。図１に示すように、ガラス基
板５０上に、光学膜厚λ／４（実際の膜厚ｄ＝λ／４
ｎ、ｎ：膜の屈折率、λ：光の波長）のＳｉＯ₂膜５２
とＳｉ膜５４を交互に積層してサンプルを得る。ＳｉＯ
₂膜５２の成膜は酸素イオンビームアシスト蒸着法によ
って行われ、その成膜速度は１０Å／ｓである。また、
Ｓｉ膜５４の成膜は真空蒸着法によって酸素ガス圧２×
１０^-6Torr中で行われ、その成膜速度は３Å／ｓであ
る。基板温度はいずれも室温である。

【００２０】図２〜図４には、設定波長をλ＝４４０ｎ
ｍ、５４０ｎｍ、及び７１０ｎｍとして、ＳｉＯ₂膜５
２とＳｉ膜５４の積層ペア数を変化した場合の透過率特
性がそれぞれ示されている。まず、図２から説明する
と、設定波長のλ＝４４０ｎｍにおいて、積層ペア数が
２→３→５と大きくなるほど光学濃度が増大、すなわち
透過率が減少している。次に、図３についてみると、設
定波長のλ＝５４０ｎｍにおいて、積層ペア数が２→３
→４→５と大きくなるほど同様に透過率が減少してい
る。次に、図４についても同様で、設定波長のλ＝７１
０ｎｍにおいて、積層ペア数が４→５→６と大きくなる
ほど同様に透過率が減少している。このように、ＳｉＯ
₂膜５２とＳｉ膜５４の積層ペア数を変えることによっ
て、設定波長λ付近の光透過率を変化させることができ
る。

【００２１】次に、図５及び図６を参照しながら、以上
のような透過率特性の変化を利用した誘電体ミラーの構
成例について説明する。図５（Ａ）は本実施例にかかる
サンプルで、設定波長λが７１０ｎｍでＳｉＯ₂膜５２
とＳｉ膜５４とを６ペア積層した長波長ミラー部６０
と、設定波長λが５４０ｎｍでＳｉＯ₂膜５２とＳｉ膜
５４とを５ペア積層した短波長ミラー部６０とを積層し
た構成となっている。つまり、２つの波長に対するミラ
ー構成となっている。同図（Ｂ）のサンプルは、設定波
長λが５４０ｎｍでＳｉＯ₂膜５２とＳｉ膜５４とを１
０ペア積層した構成となっている。つまり、単一波長に
対するミラー構成となっている。

【００２２】図６には、以上のようなサンプルの透過率
特性がそれぞれ示されている。同図中、本実施例にかか
るサンプルはグラフＧＡ，従来技術のサンプルはグラフ
ＧＢである。グラフＧＡは、図３の積層ペア数５のグラ
フと図４の積層ペア数６のグラフを加えたものに概略近
似する。また、グラフＧＢは、図３でペア数を１０とし
た場合に相当する。

【００２３】まず図３の各グラフと図６のグラフＧＢと
を比較すると、従来の単一波長のミラー構成では、層数
を増加しても７００ｎｍ以上の透過率を変化させる（光
学濃度を上げる）ことができないことが分る。これに対
し、本実施例にかかる２波長のミラー構成では、グラフ
ＧＡ，ＧＢを比較すれば明らかなように、長波長側にお
ける透過率が変化している。これからすると、２波長の
ミラー構成において積層ペア数を適宜設定することで、
バイアス光の波長とその透過量を制御することができる
ことが分る。

【００２４】＜本実施例のサンプル＞次に、以上のよう
な手法を適用した空間光変調素子の実施例について説明
する。図７に示すように、ＩＴＯ膜付ガラス基板（図示
せず）上に、Ｂを０．３ｐｐｍドープしたａ−Ｓｉ：Ｈ
による厚さ２０μｍの光導電体７０をＣＶＤ法によって
形成する。この上に、光学膜厚λ／４（実際の膜厚ｄ＝
λ／４ｎｎ：膜の屈折率、λ＝７１０ｎｍ）のＳｉＯ
₂膜とＳｉ膜を交互に数ペア積層して、長波長ミラー部
７２を形成する。なお、長波長ミラー部７２の積層ペア
数は、サンプル１が４ペア、サンプル２が５ペア、サン
プル３が６ペアである。

【００２５】続いて、光学膜厚λ／４（λ＝５４０ｎ
ｍ）のＳｉＯ₂膜とＳｉ膜を交互に３層ずつ積層して短
波長ミラー部７４を形成する。更に、光学膜厚λ／４
（λ＝５４０ｎｍ）のＳｉＯ₂膜とＴｉＯ₂膜を交互に２
層ずつ積層するとともに、その上に光学膜厚λ／２（λ
＝５４０ｎｍ）のＳｉＯ₂膜を１層加えて、遮光膜を兼
ねた反射膜である増反射ミラー部７６を形成する。

【００２６】なお、ＳｉＯ₂及びＴｉＯ₂の成膜は酸素イ
オンビームアシスト蒸着法によって行われ、成膜速度は
それぞれ１０Å／ｓ、１Å／ｓである。また、Ｓｉの成
膜は真空蒸着法によって酸素ガス圧２×１０^-6Torr中で
行われ、成膜速度は３Å／ｓである。基板温度はいずれ
も室温である。

【００２７】このようにして得た誘電体ミラー７８が形
成された基板と、もう一つのＩＴＯ付基板に垂直配向処
理をそれぞれ施すとともに、スペーサを介して張り合わ
せ、チッソ社製のネマチック液晶「ＥＮ−３８」を注入
して光変調体８０とし、図１０に示した空間光変調素子
を作製した。

【００２８】＜比較例のサンプル＞以上のような本実施
例の各サンプルと特性を比較するため、従来例にかかる
サンプルを作製した。まずサンプルＡから説明すると、
図８に示すように、ＩＴＯ膜付ガラス基板（図示せず）
上に、Ｂを０．３ｐｐｍドープしたａ−Ｓｉ：Ｈによる
厚さ２０μｍの光導電体７０をＣＶＤ法によって形成す
る。この光導電体７０は前記実施例のサンプルと同様で
ある。この上に、光学膜厚λ／４（λ＝５４０ｎｍ）の
ＳｉＯ₂膜とＳｉ膜を交互に９層ずつ積層して短波長ミ
ラー部８２を形成する。更に、光学膜厚λ／４（λ＝５
４０ｎｍ）のＳｉＯ₂膜とＴｉＯ₂膜を交互に２層ずつ積
層するとともに、その上に光学膜厚λ／２（λ＝５４０
ｎｍ）のＳｉＯ₂膜を１層加えて、遮光膜を兼ねた反射
膜である増反射ミラー部７６を形成する。

【００２９】このように、サンプルＡは、図７に示す実
施例のサンプルの長波長ミラー部７２及び短波長ミラー
部７４を単一波長の短波長ミラー部８２とした構成とな
っている。なお、製膜条件は前記実施例と同様である。
こうして得た誘電体ミラー９０が形成された基板を用い
て、前記実施例と同様にして空間光変調素子を作製し
た。

【００３０】次に、従来例のサンプルＢ〜Ｄについて説
明すると、図９に示すように、光導電体７０上にＣｄＴ
ｅによる遮光膜９２をスパッタ法により形成する。この
遮光膜９２の厚さは、サンプルＢが１．０μｍ、サンプ
ルＣが２．２μｍ、サンプルＤが２．９μｍである。こ
れらの遮光膜９２上に、光学膜厚λ／４（λ＝５４０ｎ
ｍ）のＳｉＯ₂膜とＴｉＯ₂膜を交互に６層ずつ積層する
とともに、最後に光学膜厚λ／２（λ＝５４０ｎｍ）の
ＳｉＯ₂膜を１層加えた増反射ミラー部９４を形成す
る。なお、製膜条件は前記実施例と同様である。こうし
て得た誘電体ミラー９６が形成された基板を用いて、前
記実施例と同様にして空間光変調素子を作製した。

【００３１】＜特性の比較＞次に、以上のようにして得
た実施例のサンプル１〜３と従来例のサンプルＡ〜Ｄの
各空間光変調素子について、特性の評価を行った結果を
表１に示す。

【００３２】

【表１】

【００３３】なお、透過率特性を測定した書込み光光源
としては、波長７３０ｎｍのＬＥＤを用い、書込み光パ
ワーは５０μＷ／ｃｍ²である。また、読出し光光源と
しては３００Ｗのキセノンランプを用い、その出力光に
中心波長５４０ｎｍ、半値幅９０ｎｍのバンドパスフィ
ルタを通して得らたものを読出し光として用いている。
また、空間光変調素子の駆動周波数は５ｋＨｚとした。
同表中コントラスト比は、バイアス電圧（駆動電圧）を
光変調体の液晶が動き始める直前の値に設定したときの
書込み光のＯＮとＯＦＦにおける読出し光の輝度の比で
表わしている。

【００３４】次に、この表１の結果を検討する。実施例
にかかるサンプル１〜３の結果を見ると明らかなよう
に、長波長ミラー部７２（図７参照）の積層ペア数を変
えることによって、解像度の低下を招くことなくコント
ラスト比が変化しており、バイアス光量がコントロール
されていることが分る。すなわち、読出し光中の５４０
ｎｍ付近の波長の光は、増反射ミラー部７６、短波長ミ
ラー部７４で反射される。他方、長波長側の光は、それ
らミラー部７４，７６における透過率が大きいため（図
３参照）、それらを透過して長波長ミラー部７２に入射
するようになる。そして、そのうちの一部が長波長ミラ
ー部７２を透過して光導電体７０にバイアス光として入
射し、他は反射又は吸収されることになる。

【００３５】表１の結果からすると、積層ペア数が５の
場合に読出し光の輝度が最も高くなる。入射光量が同じ
あるから、輝度が高くなるということは感度が向上した
ことになる。これに対し、従来例のサンプルＡは、解像
度は８と良いものの、長波長ミラー部がないために読出
し光中の長波長の光、すなわち近赤外光がほとんど光導
電体側に透過してしまう。このため、コントラスト比が
２：１と大幅に低下している。

【００３６】次に、従来例のサンプルＢ〜Ｄは、遮光膜
９２によってバイアス光量をコントロールしたものであ
る。これらの結果を見ると、遮光膜９２が１．０μｍと
薄いと透過光量が多すぎてコントラスト比が１０：１と
低下する（サンプルＢ）。そこで、遮光膜９２の膜厚を
１．０→２．２→２．９μｍと厚くすることで対応する
ことになるが、今度は解像度が８→１０→１２と悪化す
るようになる（サンプルＣ，Ｄ）。従って、本実施例の
ように解像度の低下が生じないようにコントラスト比の
みを改善することはできない。

【００３７】このように、本実施例によれば、長波長ミ
ラー部７２の積層数を適宜設定することで、読出し光中
の長波長側の光が最適量だけ光導電体側に透過してバイ
アス光として作用するので、解像度の低下を招くことな
く、書込み感度の向上を図ることができる。従って、格
別なバイアス用の光源を必要とせず、装置の小型化や省
力化に貢献する。

【００３８】＜他の実施例＞なお、本発明は、何ら上記
実施例に限定されるものではなく、例えば次のようなも
のも含まれる。（１）前記実施例では、誘電体ミラーとしてＳｉＯ₂／
Ｓｉを交互に形成したものを用いたが、Ｓｉ_xＧｅ_1-xや
Ｓｉ_xＧｅ_yＣ_z、及びそれらの水素化物、Ｇｅ_x（Ａ１₂
Ｏ₃）_yなどの光吸収性を有する材料を用いた誘電体ミラ
ーを用いるようにしてもよい。また、ＳｉＯ₂／ＴｉＯ₂
の組み合わせによるものやその他の光吸収性のない誘電
体ミラーを用いてもよい。

【００３９】（２）前記実施例で示した長波長ミラー部
の設定波長の値は、光導電体７０として用いたａ−Ｓ
ｉ：Ｈの光吸収特性に対応するものである。従って、光
導電体７０として他の光導電材料を用いる場合にはそれ
に対応して変更するようにする。同様に、短波長ミラー
部などは、読出し光波長に対応して設定波長を変更する
ようにすればよい。各ミラー部の積層数は、良好な解像
度と感度が得られるように適宜設定するようにする。（３）更に、前記実施例において、長波長及び短波長の
ミラー部に遮光膜を組み合わせるようにしてもよい。

【００４０】（４）前記実施例では、光導電体側に長波
長ミラー部、光変調体側に短波長ミラー部を配置した
が、逆の配置としてもよい。この場合、５４０ｎｍ付近
の読出し光に長波長ミラー部の透過率が作用するので多
少減衰するようになる。また、長波長ミラー部を透過し
たバイアス光には短波長ミラー部の透過率が作用する
が、これは前記実施例の場合と同様である。

【００４１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明による空間
光変調素子によれば、読出し光のうちの書込み光と同程
度以上の長波長の光を最適量透過する長波長ミラー部を
設けることとしたので、解像度の低下を招くことなく感
度の向上を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の空間光変調素子における透過率変化の
基本的な前提構成を示す説明図である。

【図２】前記前提構成の積層ペア数と透過率変化を示す
グラフである。

【図３】前記前提構成の積層ペア数と透過率変化を示す
グラフである。

【図４】前記前提構成の積層ペア数と透過率変化を示す
グラフである。

【図５】本実施例と従来例の誘電体ミラーの基本的構成
を示す説明図である。

【図６】本実施例と従来例の誘電体ミラーの透過率特性
を比較して示すグラフである。

【図７】本実施例にかかるサンプルの構成を示す説明図
である。

【図８】従来例にかかるサンプルの構成を示す説明図で
ある。

【図９】従来例にかかるサンプルの構成を示す説明図で
ある。

【図１０】空間光変調素子の一般的な構成を示す説明図
である。

【図１１】遮光膜の透過率特性の一例を示すグラフであ
る。

【符号の説明】

１０，８０…光変調体、１２，７８，９０，９６…誘電
体ミラー、１３，９２…遮光膜、１４，７０…光導電
体、２６…電源、６０，７２…長波長ミラー部（第２の
ミラー部）、６２，７４，８２…短波長ミラー部（第１
のミラー部）、７６，７６，９４…増反射ミラー部。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】駆動電源に接続された透明電極間に少な
くとも光導電体、誘電体ミラー、光変調体が積層されて
おり、光書込み手段によって光導電体に情報を書込むと
ともに、読出し手段から出力された読出し光を光変調体
により書込み情報に対応して変調し、変調後の読出し光
を誘電体ミラーで反射して出力する空間光変調素子にお
いて、前記誘電体ミラーは、読出し光の略中心波長がその設定
波長である第１のミラー部と、読出し光のうちの書込み
光波長と同程度以上の長波長の光を、光導電体側にバイ
アス光として必要量透過する第２のミラー部とを備えた
ことを特徴とする空間光変調素子。