JPH07131062A - 受発光素子 - Google Patents
受発光素子Info
- Publication number
- JPH07131062A JPH07131062A JP27240793A JP27240793A JPH07131062A JP H07131062 A JPH07131062 A JP H07131062A JP 27240793 A JP27240793 A JP 27240793A JP 27240793 A JP27240793 A JP 27240793A JP H07131062 A JPH07131062 A JP H07131062A
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- JP
- Japan
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- light emitting
- light
- junction structure
- emission output
- light emission
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- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 発光部と発光出力検出部との対向面の露出に
よる不具合を解消することができる受発光素子を提供す
ることにある。 【構成】 ＧａＡｓ基板１の上には、ｎ−ＡｌＧａＡｓ
層２、ＧａＡｓ層３、ｐ−ＡｌＧａＡｓ層４、ｐ−Ｇａ
Ａｓ層５が順に積層されている。ｐ−ＧａＡｓ層５の上
には発光部用ｐ側電極６と発光出力検出部用ｐ側電極７
とが離間して配置されている。発光部用ｐ側電極６と発
光出力検出部用ｐ側電極７との間には、分離部８が形成
されている。つまり、ＧａＡｓ基板１上にｐｎ接合構造
よりなる発光部９が形成されるとともに、ＧａＡｓ基板
１上に発光部９とは離間して発光部９からの光強度を検
出するためのｐｎ接合構造よりなる発光出力検出部１０
が形成されている。さらに、発光部９と発光出力検出部
１０との対向する面がメサ形状にされ、この面に反射防
止膜１１と保護膜１２が形成されている。
よる不具合を解消することができる受発光素子を提供す
ることにある。 【構成】 ＧａＡｓ基板１の上には、ｎ−ＡｌＧａＡｓ
層２、ＧａＡｓ層３、ｐ−ＡｌＧａＡｓ層４、ｐ−Ｇａ
Ａｓ層５が順に積層されている。ｐ−ＧａＡｓ層５の上
には発光部用ｐ側電極６と発光出力検出部用ｐ側電極７
とが離間して配置されている。発光部用ｐ側電極６と発
光出力検出部用ｐ側電極７との間には、分離部８が形成
されている。つまり、ＧａＡｓ基板１上にｐｎ接合構造
よりなる発光部９が形成されるとともに、ＧａＡｓ基板
１上に発光部９とは離間して発光部９からの光強度を検
出するためのｐｎ接合構造よりなる発光出力検出部１０
が形成されている。さらに、発光部９と発光出力検出部
１０との対向する面がメサ形状にされ、この面に反射防
止膜１１と保護膜１２が形成されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、受発光素子に関する
ものである。
ものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、図５に示すように、受発光素子に
おいて、同一のＧａＡｓ基板３０上に、ｐｎ接合構造よ
りなる発光部３１と、発光部３１からの光強度を検出す
るためのｐｎ接合構造よりなる発光出力検出部３２とを
配置することが行われている。ここで、基板３０上にお
いて、発光部３１と発光出力検出部３２とは分離部３５
により離間して配置され、その対向する面は垂直に形成
されていた。尚、図５において、３６はｎ−ＡｌＧａＡ
ｓ層、３７はＧａＡｓ層、３８はｐ−ＡｌＧａＡｓ層、
３９はｐ−ＧａＡｓ層、４０，４１，４２は電極であ
る。
おいて、同一のＧａＡｓ基板３０上に、ｐｎ接合構造よ
りなる発光部３１と、発光部３１からの光強度を検出す
るためのｐｎ接合構造よりなる発光出力検出部３２とを
配置することが行われている。ここで、基板３０上にお
いて、発光部３１と発光出力検出部３２とは分離部３５
により離間して配置され、その対向する面は垂直に形成
されていた。尚、図５において、３６はｎ−ＡｌＧａＡ
ｓ層、３７はＧａＡｓ層、３８はｐ−ＡｌＧａＡｓ層、
３９はｐ−ＧａＡｓ層、４０，４１，４２は電極であ
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、発光部３１
と発光出力検出部３２との間の分離部３５は空間となっ
ているので、発光部３１と発光出力検出部３２との対向
面は露出してしまっていた。そのために、発光部３１と
発光出力検出部３２との対向面に対し保護処理等を施す
場合は、対向する面は垂直に形成されていたので、図５
に示すように、均一な厚さで反射防止膜３３や保護膜３
４を形成することができず、高信頼性な素子を得ること
は困難であった。特に、真空蒸着法又はスパッタ法では
蒸着粒子又はスパッタ粒子はその粒子の飛散方向に指向
性があるので垂直壁では分離部３５の底部と上方部では
均一に膜を形成することが困難であった。又、発光部３
１と発光出力検出部３２との分離部３５を空間としてい
るために、発光部３１側端面及び発光出力検出部３２側
端面でのフレネル反射損失が大きく、発光出力検出部３
２の入射光強度が制限されていた。
と発光出力検出部３２との間の分離部３５は空間となっ
ているので、発光部３１と発光出力検出部３２との対向
面は露出してしまっていた。そのために、発光部３１と
発光出力検出部３２との対向面に対し保護処理等を施す
場合は、対向する面は垂直に形成されていたので、図５
に示すように、均一な厚さで反射防止膜３３や保護膜３
４を形成することができず、高信頼性な素子を得ること
は困難であった。特に、真空蒸着法又はスパッタ法では
蒸着粒子又はスパッタ粒子はその粒子の飛散方向に指向
性があるので垂直壁では分離部３５の底部と上方部では
均一に膜を形成することが困難であった。又、発光部３
１と発光出力検出部３２との分離部３５を空間としてい
るために、発光部３１側端面及び発光出力検出部３２側
端面でのフレネル反射損失が大きく、発光出力検出部３
２の入射光強度が制限されていた。
【０００４】そこで、この発明の目的は、発光部と発光
出力検出部との対向面の露出による不具合を解消するこ
とができる受発光素子を提供することにある。
出力検出部との対向面の露出による不具合を解消するこ
とができる受発光素子を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、半導
体基板上に形成され、ｐｎ接合構造またはｐｉｎ接合構
造よりなる発光部と、前記半導体基板上にて前記発光部
とは離間して形成され、該発光部からの光強度を検出す
るためのｐｎ接合構造またはｐｉｎ接合構造よりなる発
光出力検出部とからなる受発光素子において、前記発光
部と前記発光出力検出部との対向する面をメサ形状に
し、この面に膜を形成した受発光素子をその要旨とする
ものである。
体基板上に形成され、ｐｎ接合構造またはｐｉｎ接合構
造よりなる発光部と、前記半導体基板上にて前記発光部
とは離間して形成され、該発光部からの光強度を検出す
るためのｐｎ接合構造またはｐｉｎ接合構造よりなる発
光出力検出部とからなる受発光素子において、前記発光
部と前記発光出力検出部との対向する面をメサ形状に
し、この面に膜を形成した受発光素子をその要旨とする
ものである。
【０００６】請求項２の発明は、半導体基板上に形成さ
れ、ｐｎ接合構造またはｐｉｎ接合構造よりなる発光部
と、前記半導体基板上にて前記発光部とは離間して形成
され、該発光部からの光強度を検出するためのｐｎ接合
構造またはｐｉｎ接合構造よりなる発光出力検出部とか
らなる受発光素子において、前記発光部と前記発光出力
検出部との間に、光伝搬材料を配置した受発光素子をそ
の要旨とするものである。
れ、ｐｎ接合構造またはｐｉｎ接合構造よりなる発光部
と、前記半導体基板上にて前記発光部とは離間して形成
され、該発光部からの光強度を検出するためのｐｎ接合
構造またはｐｉｎ接合構造よりなる発光出力検出部とか
らなる受発光素子において、前記発光部と前記発光出力
検出部との間に、光伝搬材料を配置した受発光素子をそ
の要旨とするものである。
【０００７】
【作用】請求項１の発明は、発光部と発光出力検出部と
の対向する面がメサ形状となり、この面に厚みが均一な
保護膜等の膜を真空蒸着法やスパッタ法等により形成し
やすくなる。
の対向する面がメサ形状となり、この面に厚みが均一な
保護膜等の膜を真空蒸着法やスパッタ法等により形成し
やすくなる。
【０００８】請求項２の発明は、発光部と発光出力検出
部との間に、光伝搬材料が配置され、この光伝搬材料を
通して発光部から発光出力検出部に光が伝搬される。そ
の結果、発光部側端面及び発光出力検出部側端面でのフ
レネル反射損失が抑制される。
部との間に、光伝搬材料が配置され、この光伝搬材料を
通して発光部から発光出力検出部に光が伝搬される。そ
の結果、発光部側端面及び発光出力検出部側端面でのフ
レネル反射損失が抑制される。
【０００９】
【実施例】（第１実施例）以下、この発明を具体化した
第１実施例を図面に従って説明する。
第１実施例を図面に従って説明する。
【００１０】図１に示すように、半導体基板としてのＧ
ａＡｓ基板１の上には、クラッド層としてのｎ−ＡｌＧ
ａＡｓ層２、発光層としてのＧａＡｓ層３、クラッド層
としてのｐ−ＡｌＧａＡｓ層４、ｐ−ＧａＡｓ層５がエ
ピタキシャル成長にて順に積層されている。さらに、ｐ
−ＧａＡｓ層５の上には発光部用ｐ側電極６と発光出力
検出部用ｐ側電極７とが離間して配置されている。この
発光部用ｐ側電極６と発光出力検出部用ｐ側電極７との
間には、ＧａＡｓ基板１に至るＶ溝よりなる分離部８が
形成されている。即ち、ＧａＡｓ基板１上において、ｐ
ｎ接合構造よりなる発光部９と、発光部９とは離間して
発光出力検出部１０が形成され、発光出力検出部１０は
発光部９からの光強度を検出するためのｐｎ接合構造よ
りなる。
ａＡｓ基板１の上には、クラッド層としてのｎ−ＡｌＧ
ａＡｓ層２、発光層としてのＧａＡｓ層３、クラッド層
としてのｐ−ＡｌＧａＡｓ層４、ｐ−ＧａＡｓ層５がエ
ピタキシャル成長にて順に積層されている。さらに、ｐ
−ＧａＡｓ層５の上には発光部用ｐ側電極６と発光出力
検出部用ｐ側電極７とが離間して配置されている。この
発光部用ｐ側電極６と発光出力検出部用ｐ側電極７との
間には、ＧａＡｓ基板１に至るＶ溝よりなる分離部８が
形成されている。即ち、ＧａＡｓ基板１上において、ｐ
ｎ接合構造よりなる発光部９と、発光部９とは離間して
発光出力検出部１０が形成され、発光出力検出部１０は
発光部９からの光強度を検出するためのｐｎ接合構造よ
りなる。
【００１１】分離部８は、発光部用ｐ側電極６及び発光
出力検出部用ｐ側電極７をマスクとしてエッチングによ
り形成されたものである。この分離部８の形成におい
て、ＧａＡｓ基板１の各面方位のエッチング速度の差か
ら分離部８の側面とＧａＡｓ基板１の基板面の間に両者
の面指数に応じた角度をなす。
出力検出部用ｐ側電極７をマスクとしてエッチングによ
り形成されたものである。この分離部８の形成におい
て、ＧａＡｓ基板１の各面方位のエッチング速度の差か
ら分離部８の側面とＧａＡｓ基板１の基板面の間に両者
の面指数に応じた角度をなす。
【００１２】今、ＧａＡｓ基板１の面方位を（１００）
として、図２に示すように、分離部８を（０１１）面に
垂直に［０１１］方向に形成すると、エッチング速度は
｛１１１｝Ａ面＜｛１００｝面＜｛１１０｝面の順で大
きくなる。従って、分離部８の側面は（１１１）Ａ面に
より形成される。（１１１）Ａ面は、図２に示すよう
に、（１００）面に対して約５４°の角度をなす順メサ
形状となる。
として、図２に示すように、分離部８を（０１１）面に
垂直に［０１１］方向に形成すると、エッチング速度は
｛１１１｝Ａ面＜｛１００｝面＜｛１１０｝面の順で大
きくなる。従って、分離部８の側面は（１１１）Ａ面に
より形成される。（１１１）Ａ面は、図２に示すよう
に、（１００）面に対して約５４°の角度をなす順メサ
形状となる。
【００１３】このように形成された分離部８の側面（発
光部９と発光出力検出部１０との対向する面）が順メサ
形状となる。そして、図１に示すように、発光出力検出
部１０の側面には、厚みが均一な反射防止膜１１が形成
されている。又、発光部９の側面には、厚みが均一な保
護膜１２が形成されている。つまり、分離部８の側面が
順メサ形状となれば、反射防止膜１１と保護膜１２と
が、分離部８のＧａＡｓ基板１の深さ方向に対して均一
に形成できる。
光部９と発光出力検出部１０との対向する面）が順メサ
形状となる。そして、図１に示すように、発光出力検出
部１０の側面には、厚みが均一な反射防止膜１１が形成
されている。又、発光部９の側面には、厚みが均一な保
護膜１２が形成されている。つまり、分離部８の側面が
順メサ形状となれば、反射防止膜１１と保護膜１２と
が、分離部８のＧａＡｓ基板１の深さ方向に対して均一
に形成できる。
【００１４】特に、真空蒸着法又はスパッタ法では蒸着
粒子又はスパッタ粒子はその粒子の飛散方向に指向性が
あり、発光部９と発光出力検出部１０との対向する面が
垂直壁となっていると分離部８の底部と上方部では均一
に膜を形成することは困難であった。しかし、本実施例
では発光部９と発光出力検出部１０との対向する面がメ
サ形状になっているので、厚さが均一な膜を形成でき
る。
粒子又はスパッタ粒子はその粒子の飛散方向に指向性が
あり、発光部９と発光出力検出部１０との対向する面が
垂直壁となっていると分離部８の底部と上方部では均一
に膜を形成することは困難であった。しかし、本実施例
では発光部９と発光出力検出部１０との対向する面がメ
サ形状になっているので、厚さが均一な膜を形成でき
る。
【００１５】又、ＧａＡｓ基板１の裏面には電極１３が
配置されている。次に、このように構成した受発光素子
の作用を説明する。発光部用ｐ側電極６と裏面の電極１
３との間の通電により、発光層であるＧａＡｓ層３内で
光が誘導放出される。その光は、保護膜１２を通して発
光出力検出部１０に向かって放出される。そして、光
は、反射防止膜１２を通して発光出力検出部１０のＧａ
Ａｓ層３に受光され、発光出力検出部１０内で光電変換
される。その結果、発光出力検出部用ｐ側電極７と裏面
の電極１３との間に入射光に応じた光電流が発生する。
この光電流を測定することで、発光部９から発せられる
光の出力を検知することができる。
配置されている。次に、このように構成した受発光素子
の作用を説明する。発光部用ｐ側電極６と裏面の電極１
３との間の通電により、発光層であるＧａＡｓ層３内で
光が誘導放出される。その光は、保護膜１２を通して発
光出力検出部１０に向かって放出される。そして、光
は、反射防止膜１２を通して発光出力検出部１０のＧａ
Ａｓ層３に受光され、発光出力検出部１０内で光電変換
される。その結果、発光出力検出部用ｐ側電極７と裏面
の電極１３との間に入射光に応じた光電流が発生する。
この光電流を測定することで、発光部９から発せられる
光の出力を検知することができる。
【００１６】このように本実施例では、ＧａＡｓ基板１
（半導体基板）上にｐｎ接合構造よりなる発光部９を形
成するとともに、ＧａＡｓ基板１上に発光部９とは離間
して発光部９からの光強度を検出するためのｐｎ接合構
造よりなる発光出力検出部１０を形成した。さらに、発
光部９と発光出力検出部１０との対向する面をメサ形状
にし、この面に反射防止膜１１と保護膜１２を形成し
た。よって、発光部９と発光出力検出部１０との対向す
る面がメサ形状となっているので、この面に厚みが均一
な反射防止膜１１と保護膜１２を真空蒸着法やスパッタ
法等により形成しやすくなる。 （第２実施例）次に、第２実施例を第１実施例との相違
点を中心に説明する。
（半導体基板）上にｐｎ接合構造よりなる発光部９を形
成するとともに、ＧａＡｓ基板１上に発光部９とは離間
して発光部９からの光強度を検出するためのｐｎ接合構
造よりなる発光出力検出部１０を形成した。さらに、発
光部９と発光出力検出部１０との対向する面をメサ形状
にし、この面に反射防止膜１１と保護膜１２を形成し
た。よって、発光部９と発光出力検出部１０との対向す
る面がメサ形状となっているので、この面に厚みが均一
な反射防止膜１１と保護膜１２を真空蒸着法やスパッタ
法等により形成しやすくなる。 （第２実施例）次に、第２実施例を第１実施例との相違
点を中心に説明する。
【００１７】本実施例では、図３に示すように、電極ス
トライプ構造（ＳｉＯ2 型）となっている。又、発光部
９と発光出力検出部１０の間の分離溝１４は垂直壁にな
っており、その分離溝１４に光伝搬材料としての光学接
着剤１５が充填されている。光学接着剤１５にはエポキ
シ系またはアクリル系光学接着剤が使用されている。エ
ポキシ系またはアクリル系光学接着剤の屈折率は約１．
４〜約１．７であり、発光部９を構成するＧａＡｓの屈
折率の３．６と近いものとなっている。又、エポキシ系
またはアクリル系光学接着剤は発光部９の発光波長であ
る８５０ｎｍに対して透光性を有している。
トライプ構造（ＳｉＯ2 型）となっている。又、発光部
９と発光出力検出部１０の間の分離溝１４は垂直壁にな
っており、その分離溝１４に光伝搬材料としての光学接
着剤１５が充填されている。光学接着剤１５にはエポキ
シ系またはアクリル系光学接着剤が使用されている。エ
ポキシ系またはアクリル系光学接着剤の屈折率は約１．
４〜約１．７であり、発光部９を構成するＧａＡｓの屈
折率の３．６と近いものとなっている。又、エポキシ系
またはアクリル系光学接着剤は発光部９の発光波長であ
る８５０ｎｍに対して透光性を有している。
【００１８】このような光学接着剤１５を、発光部９の
発光層（ＧａＡｓ層３）と発光出力検出部１０の受光層
（ＧａＡｓ層３）との間に充填することにより、発光部
９の分離溝側端面及び発光出力検出部１０の分離溝側端
面でのフレネル反射損失が低減する。尚、図３におい
て、１６はｉ−ＡｌＧａＡｓ層であり、１７は絶縁膜で
ある。
発光層（ＧａＡｓ層３）と発光出力検出部１０の受光層
（ＧａＡｓ層３）との間に充填することにより、発光部
９の分離溝側端面及び発光出力検出部１０の分離溝側端
面でのフレネル反射損失が低減する。尚、図３におい
て、１６はｉ−ＡｌＧａＡｓ層であり、１７は絶縁膜で
ある。
【００１９】このように本実施例では、発光部９と発光
出力検出部１０との間に、光学接着剤１５（光伝搬材
料）を配置し、この光学接着剤１５を通して発光部９か
ら発光出力検出部１０に光が伝搬される。その結果、発
光部９の側端面及び発光出力検出部１０の側端面でのフ
レネル反射損失が抑制される。 （第３実施例）次に、第３実施例を第２実施例との相違
点を中心に説明する。
出力検出部１０との間に、光学接着剤１５（光伝搬材
料）を配置し、この光学接着剤１５を通して発光部９か
ら発光出力検出部１０に光が伝搬される。その結果、発
光部９の側端面及び発光出力検出部１０の側端面でのフ
レネル反射損失が抑制される。 （第３実施例）次に、第３実施例を第２実施例との相違
点を中心に説明する。
【００２０】本実施例では、図４に示すように、発光部
９と発光出力検出部１０の間の分離溝１８は垂直壁にな
っており、その分離溝１８には光伝搬材料としての光フ
ァイバコア１９が分離溝１８に沿って分離溝１８の側面
に密着した状態で埋め込まれている。この光ファイバコ
ア１９は接着剤２０により固定されている。そして、発
光部９からの出射光は光ファイバコア１９を通過して発
光出力検出部１０へ至る。このとき、この光ファイバコ
ア１９は集光レンズの機能を果たす。光ファイバコア１
９の屈折率は約１．４〜約１．６であり、第２実施例と
同様に発光部９と発光出力検出部１０の分離溝１８の側
端面でのフレネル反射損失を低減することができる。
９と発光出力検出部１０の間の分離溝１８は垂直壁にな
っており、その分離溝１８には光伝搬材料としての光フ
ァイバコア１９が分離溝１８に沿って分離溝１８の側面
に密着した状態で埋め込まれている。この光ファイバコ
ア１９は接着剤２０により固定されている。そして、発
光部９からの出射光は光ファイバコア１９を通過して発
光出力検出部１０へ至る。このとき、この光ファイバコ
ア１９は集光レンズの機能を果たす。光ファイバコア１
９の屈折率は約１．４〜約１．６であり、第２実施例と
同様に発光部９と発光出力検出部１０の分離溝１８の側
端面でのフレネル反射損失を低減することができる。
【００２１】この第３実施例の応用例としては、光ファ
イバコア１９の代わりに、分離溝１８に光ファイバクラ
ッド部と光ファイバコア部とを分離溝１８に沿って埋め
込んでもよい。
イバコア１９の代わりに、分離溝１８に光ファイバクラ
ッド部と光ファイバコア部とを分離溝１８に沿って埋め
込んでもよい。
【００２２】尚、この発明は上記各実施例に限定される
ものではなく、例えば、上記各実施例では発光部及び発
光出力検出部はｐｎ接合構造であったが、ｐｉｎ接合構
造としてもよい。
ものではなく、例えば、上記各実施例では発光部及び発
光出力検出部はｐｎ接合構造であったが、ｐｉｎ接合構
造としてもよい。
【００２３】
【発明の効果】以上詳述したようにこの発明によれば、
発光部と発光出力検出部との対向面の露出による不具合
を解消することができる優れた効果を発揮する。
発光部と発光出力検出部との対向面の露出による不具合
を解消することができる優れた効果を発揮する。
【図１】第１実施例の受発光素子の斜視図である。
【図２】第１実施例の受発光素子の結晶方位を説明する
ための斜視図である。
ための斜視図である。
【図３】第２実施例の受発光素子の斜視図である。
【図４】第３実施例の受発光素子の斜視図である。
【図５】従来の受発光素子の斜視図である。
１ 半導体基板としてのＧａＡｓ基板 ９ 発光部 １０ 発光出力検出部 １１ 反射防止膜 １２ 保護膜 １５ 光伝搬材料としての光学接着剤 １９ 光伝搬材料としての光ファイバコア
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 竹内 聡 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 日本電 装 株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板上に形成され、ｐｎ接合構造
またはｐｉｎ接合構造よりなる発光部と、 前記半導体基板上にて前記発光部とは離間して形成さ
れ、該発光部からの光強度を検出するためのｐｎ接合構
造またはｐｉｎ接合構造よりなる発光出力検出部とから
なる受発光素子において、 前記発光部と前記発光出力検出部との対向する面をメサ
形状にし、この面に膜を形成したことを特徴とする受発
光素子。 - 【請求項２】 半導体基板上に形成され、ｐｎ接合構造
またはｐｉｎ接合構造よりなる発光部と、 前記半導体基板上にて前記発光部とは離間して形成さ
れ、該発光部からの光強度を検出するためのｐｎ接合構
造またはｐｉｎ接合構造よりなる発光出力検出部とから
なる受発光素子において、 前記発光部と前記発光出力検出部との間に、光伝搬材料
を配置したことを特徴とする受発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27240793A JPH07131062A (ja) | 1993-10-29 | 1993-10-29 | 受発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27240793A JPH07131062A (ja) | 1993-10-29 | 1993-10-29 | 受発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07131062A true JPH07131062A (ja) | 1995-05-19 |
Family
ID=17513476
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27240793A Pending JPH07131062A (ja) | 1993-10-29 | 1993-10-29 | 受発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07131062A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011016908A1 (en) * | 2009-08-03 | 2011-02-10 | Illinois Tool Works Inc. | Optical interruption sensor with opposed light emitting diodes |
-
1993
- 1993-10-29 JP JP27240793A patent/JPH07131062A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011016908A1 (en) * | 2009-08-03 | 2011-02-10 | Illinois Tool Works Inc. | Optical interruption sensor with opposed light emitting diodes |
| US8981280B2 (en) | 2009-08-03 | 2015-03-17 | Illinois Tool Works Inc. | Optical interruption sensor with opposed light emitting diodes |
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