JPH07130954A

JPH07130954A - 半導体装置及びその製造方法と電子回路装置

Info

Publication number: JPH07130954A
Application number: JP27169693A
Authority: JP
Inventors: Katsuro Mizukoshi; 克郎水越; Mikio Hongo; 幹雄本郷; Hidezo Sano; 秀造佐野; Takeoki Miyauchi; 建興宮内; Haruhisa Sakamoto; 治久坂本; Shigenobu Maruyama; 重信丸山; Atsukimi Takada; 敦仁高田
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1993-10-29
Filing date: 1993-10-29
Publication date: 1995-05-19
Anticipated expiration: 2017-04-30
Also published as: JP3279771B2

Abstract

(57)【要約】【目的】半導体装置の上部に開発過程で生ずる発振、
ノイズ、タイミング、波形の歪、等の特性不良対策用の
抵抗、コンデンサ、コイル、トランス等を必要に応じて
生成して回路修正を行い開発期間を短縮する。さらに、
修正部上に保護膜を形成して製品レベルの信頼度を得
る。【構成】集束イオンビーム加工により半導体装置の内
部配線を露出後、集束イオンビーム加工、レーザＣＶ
Ｄ、液状材料の微量付着・固化等を用いて抵抗体、コン
デンサ、コイル、トランス等の素子を単体あるいは組み
合わせて付加形成し半導体装置の特性不良を修正する。
さらに、レーザＣＶＤあるいは液状材料の微量付着・固
化により少なくとも上記素子を含む領域に保護膜を形成
する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は半導体装置とその製造方
法に係り、とくに半導体装置の上にコンデンサ・コイル
・トランス・抵抗体等の各種素子を形成、付加したり、
配線変更を行うＩＣ／ＬＳＩ等の半導体装置とその製造
方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年の半導体装置においては、高性能化
に伴い配線パターンの微細化や多層化が進んだ結果、開
発の難易度が高くなり、基礎検討から実用化までの開発
期間が著しく長くなっている。とくに、開発後期の試作
素子の実装、動作確認においては、検査結果に応じて回
路変更を行い配線を修正して再び動作確認を行なうこと
とが何度か繰り返されていた。この回路変更において
は、露光用マスクを修正して半導体装置を新たに製造し
直していたので、開発期間が大きく長引くことが問題で
あった。

【０００３】特開昭63-164240号公報には、ＩＣ／ＬＳ
Ｉの配線層を露光用マスクを修正することなく、加工用
ビームを用いて変更することが開示されている。すなわ
ち、低ＮＡ（Numerical Aperture：開口数）の静電レン
ズにより得た１μm以下のスポット径の集束イオンビー
ムをＩＣ／ＬＳＩ表面に照射し、スパッタリング加工に
より配線接続穴を微細な多層配線層の周辺部に悪影響を
与えることなく高精度に形成したり、配線を切断するよ
うにしている。また上記公報には、材料ガス雰囲気中に
置かれた試料上にレーザ光を集光照射して局所加熱によ
り材料ガスを分解し、レーザＣＶＤにより選択的に膜を
形成することも開示されている。すなわち、微細スポッ
ト径のレーザ光の照射・走査部に配線等の膜を形成す
る。

【０００４】また、上記レーザＣＶＤにより上記接続穴
内に導電性物質を埋め込み、また、接続配線を形成して
いる。すなわち、上記接続穴形成前に半導体装置表面の
クリーニングを行ない、接続穴形成後は緩衝膜形成後に
接続穴埋めと配線形成を行なう。そして、上記クリーニ
ング工程からレーザＣＶＤによる配線形成工程までを高
真空雰囲気中で行なって、低抵抗接続とその修正を高信
頼度化している。

【０００５】また、特開平３-215941号公報には、上記
特開昭63-164240号公報に開示の集束イオンビーム加工
による配線切断やレーザＣＶＤによる配線接続等を行っ
た部分に、絶縁膜を形成して信頼性を高めることが開示
されている。すなわち、上記修正部分にインクジェット
法により液状の絶縁膜材料を付着させた後、有機溶媒を
加熱、除去して絶縁膜を形成している。

【０００６】上記従来技術では半導体装置を部分的にマ
スク変更なしに修正できるので、論理回路等の単純な誤
りに対して効率的に対応できるが、回路パターンや製造
プロセス条件等に起因する発振、ノイズ、タイミング不
良、波形歪に対しては、配線パターンの全面変更や、コ
ンデンサ、抵抗体、コイル、トランス等の素子を追加し
てＲＣ回路やＬＣ回路等を付加する必要が生じるので対
策困難であった。

【０００７】特開平２-42726号公報には、上記従来技術
を応用して半導体素子上にコンデンサを付加形成する技
術が開示されている。すなわち、レーザ加工や集束イオ
ンビーム加工を用いて配線上の保護膜に接続穴を形成
し、次いでＡrガスで希釈したＷ(ＣＯ)₆等の材料ガス雰
囲気中で接続穴内にパルス・レーザ光を照射して接続穴
の埋め込みを行い、パルス・レーザ光を走査してコンデ
ンサ電極を形成する。コンデンサの容量値はこの電極の
長さと間隔により決定され、例えば厚さ0.7μｍの保護
膜上に走査速度0.25μｍ/ｓ、間隔１μｍで幅２μｍ、
厚さ0.5μｍ、長さ100μｍの２本のコンデンサ電極を形
成して電源ノイズの混入を低減している。

【０００８】また、特開平５-55287号公報には、半導体
装置のリードフレームをフェライトを含有する樹脂で覆
ってそのインダクタンス値を増加し、リードフレームと
チップの出力パッド間をコイル状のボンディングワイヤ
で接続し、さらに上記リードフレームと接地電位間を半
導体チップ内のトランジスタ容量を接続してＴ型の定Ｋ
型ローパスフィルタを構成し、出力端子からの不要電磁
波輻射を減衰させることが開示されている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】上記特開平５-４２７
２６号公報に開示の技術では、電源ノイズ対策用コンデ
ンサ容量が１ｆＦ程度と小さく、さらに、コンデンサ形
成のためのレーザ照射時間が800ｓと長く、コンデンサ
の占有面積が500μｍ²と大きいことが問題であった。し
たがって、このコンデンサを大容量化するとさらに大面
積化し、製作には長時間要し、チップ上に形成可能なコ
ンデンサ数が限定される。

【００１０】また、上記レーザＣＶＤでは、パルス・レ
ーザの照射熱により半導体装置表面に吸着した材料ガス
を分解して電極を形成するので、レーザのパルス幅や照
射パワーのバラツキ、あるいは半導体装置の下地構造
(保護膜の厚さ、内部配線の幅及び厚さ)等により電極幅
が変動するという問題もあった。この電極幅変動によ
り、電極間隔が狭くなった部分に電荷が集中し放電が生
じ、コンデンサが短絡される場合が発生する。また、表
面電極上に保護膜を形成していないので、水分や埃など
の吸着により両電極間の絶縁耐圧が低下し、短絡や放電
を生ずる恐れもあった。

【００１１】さらに、上記特開並−５５２８７号公報に
開示の技術においては、コイルやトランジスタ容量等
は、予め定めた設計値により製作されるので開発過程で
生ずる様々な変更には対応できず、また、種々の特性値
のコイルやトランジスタ等を予め準備しておくことも寸
法的、構造的に不可能であった。

【００１２】本発明の目的は、上記コンデンサ、コイ
ル、抵抗体等の素子やトランス等を半導体装置上の任意
の位置に短時間で高精度に付加形成することのできる半
導体装置及びその製造方法を提供し、同時に、各種素子
の信頼度を高めてこれらの素子を付加形成した半導体装
置を短期間に出荷できるようにすることにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、半導体装置表面の絶縁層下の配線を露出して接続穴
を設け、上記絶縁層上に設けた抵抗体、コンデンサ、コ
イル、トランス、等の素子を上記接続穴を介して上記配
線に接続するようにする。さらに、少なくとも上記素子
を含む領域に絶縁性の保護膜を設けるようにする。さら
に、上記絶縁層の上部または下部に、上記素子の一部を
予備パターンとして形成しておくようにする。

【００１４】また、上記接続穴を集束イオンビーム加工
により半導体装置の内部配線上に形成する工程と、レー
ザＣＶＤ、集束イオンビーム加工、液状材料の微量塗布
・固化等の工程により抵抗体、コンデンサ、コイル、ト
ランス等の素子を形成する工程と、レーザＣＶＤにより
上記素子を当該接続穴に接続する工程等により半導体装
置上に上記素子を用いた回路を形成するようにする。

【００１５】また、上記絶縁層の上部あるいは下部に付
加形成する素子の一部である予備パターンと内部配線上
の接続穴を形成する集束イオンビーム加工工程と、上記
予備パターン上に抵抗体、コンデンサ、コイル、トラン
ス等の素子を形成するレーザＣＶＤ、液状材料の微量塗
布・固化等を組み合せた工程と、上記接続穴と該素子と
を接続するレーザＣＶＤ工程等により上記素子を用いた
回路を追加した半導体装置を製造するようにする。

【００１６】また、上記本発明の各半導体装置の製造方
法により抵抗体、コンデンサ、コイル、トランス等の素
子を付加形成後に、保護膜をレーザＣＶＤあるいは液状
材料の微量塗布・固化法により付加形成して被覆するよ
うにする。また、上記本発明の各半導体装置の製造方法
において、当該半導体装置の電気的特性評価や動作確認
しつつ上記抵抗体、コンデンサ、コイル等の素子を所要
値に設定するようにする。

【００１７】

【作用】本発明の抵抗体、コンデンサ、コイル、トラン
ス等の素子、あるいはこれらの素子の組み合わせ回路を
半導体装置上に付加形成することにより、開発過程で生
じた半導体装置の特性不良が確実に修正される。

【００１８】また、上記素子および回路上に被覆した絶
縁膜から成る保護膜は、組立て時の機械的な力、各種雰
囲気による腐食、等を防止し、修正部の信頼度を向上さ
せる。また、上記抵抗体やコンデンサ等をその特性を評
価しつつ付加形成するので、抵抗値やコンデンサ容量値
精度が高くなり、半導体装置特性の修正精度が向上す
る。

【００１９】また、半導体装置内に付加形成すべき上記
素子パターンの一部を予め設けることにより、上記素子
の形成時間が短縮される。

【００２０】

【実施例】図１は、本発明において素子形成を行った半
導体装置の模式図である。レーザＣＶＤあるいは液状材
料の付着・固化技術を用いて半導体装置１表面に、ノイ
ズ除去用のコンデンサＣ１、波形調整用の抵抗体Ｒ１と
コンデンサＣ２、周波数選択用のコイルＬ１、コンデン
サＣ３，Ｃ４、振幅(電圧)調整用のトランスＴ１等の各
素子を付加形成すると共に、導電性の接続配線22を形成
する。そして、集束イオンビーム加工により露出させ半
導体装置１の内部配線３と上記付加形成した各素子と適
宜接続する。上記各素子の構成は半導体装置１に生じた
発振、ノイズ、タイミング、波形の歪等の不良内容に応
じて決定され、必要な位置に設けられる。なお、単純な
結線ミスや論理ミス等は、前記従来例と同様な集束イオ
ンビーム加工とレーザＣＶＤにより修正することができ
る。

【００２１】次に上記各素子の形成方法について説明す
る。〔実施例１；コンデンサの形成〕本実施例では、前記
従来技術と同様にしてコンデンサ電極を平面的に隣接し
て形成するものであるが、同時に電極間隔のバラツキや
水分、汚れ等によるコンデンサの絶縁耐圧の低下等の前
記従来からの問題点を改善する。以下、本実施例による
コンデンサ形成における、接続穴形成、電極形成、
電極分離、誘電体・保護膜形成の４工程につき、図
２を用いて順次説明する。

【００２２】接続穴形成(図２(ａ))；まず、半導体装
置１の内部配線３ａ，３ｂ上の絶縁層４に集束イオンビ
ーム10を照射してコンデンサの接続穴11ａ，11ｂを形成
し、内部配線３ａ，３ｂを露出する。

【００２３】電極形成(図２(ｂ))；次いで、熱分解に
より導電性物質を析出する材料ガス雰囲気中に半導体装
置１を置いて接続穴11ａ，11ｂ内にレーザ光20を照射
し、この照射熱により上記材料ガスを分解して接続穴11
ａ，11ｂ内に導電性物質21を埋め込む。次いで、穴埋め
した両接続穴11ａ，11ｂ間にレーザ光20を走査してコン
デンサ電極と接続配線用の導電膜22を略膜厚均一に形成
する。なお、上記材料ガスには、例えばＭoやＷ，Ｎi，
Ｃr等のカルボニル化合物やハロゲン化合物、ＡｌやＣd
等のアルキル化合物、ＡuやＰt等のアセチルアセトネー
ト化合物その他のレーザ照射熱で分解して導電性物質を
析出するガスを用いる。

【００２４】また、レーザ光20には、例えばＡrレー
ザ、ＹＡＧレーザ、ＹＬＦレーザの基本波あるいは高調
波、各種レーザ励起による色素レーザ等を用いることが
でき、これらは連続光でもパルス光でも良い。パルス光
を用いる場合には、前記従来例のように短いパルス幅に
限定する必要は無く、また、連続光とパルス光とを重畳
して用いても良い。また、例えば連続発振のＹＡＧレー
ザ発振器中にＱスイッチ素子を設けてレーザ光をパルス
化したり、あるいはＡrレーザからの連続光を音響光学
素子でパルス化して用いる際に意図的に漏れ光量を高め
て連続光とパルス光とを重畳した形で用いても良い。

【００２５】電極分離(図３(ｃ)、(ｄ))；図３(ｃ)に
示すように、真空雰囲気中で集束イオンビーム10を導電
膜22上に照射、走査して導電膜22に溝12を形成して電気
的に分離し、図３（ｄ)のように隣接するコンデンサ電
極22ａ，22ｂを形成する。集束イオンビーム10では１μ
ｍ以下のスポット径が容易に得られ、また、溝12はスパ
ッタリング加工により形成されるから、溝12を下地構造
に関係無く幅１μｍ以下で均一に形成することができ
る。また、上記スポット径は集束イオンビーム光学系内
の静電レンズへの印加電圧の調整や開口の選択等により
任意に設定できるので、溝12の幅も任意に形成すること
ができる。

【００２６】分離した電極22ａ，22ｂ間の静電容量値Ｃ
は、電極膜厚ｔ，電極間隔(溝幅)ｗ，電極の対面距離ｌ
で定まる。電極膜厚ｔはレーザＣＶＤの成膜条件で定ま
り、溝12の幅ｗは集束イオンビーム10のスポット径で定
まり、対面距離ｌは集束イオンビーム10で分離した長さ
で定まり、これらはいずれも精度良く制御できるので、
所望の静電容量Ｃを容易に精度良く得ることができる。
例えば、10ｆＦの容量Ｃは、ｔ＝0.5μｍ，ｗ＝１μ
ｍ，ｌ＝2.3ｍｍとして得られ、容量Ｃを更に増やした
い場合には膜厚ｔと対面距離ｌを増やし、溝幅ｗを狭く
すれば良い。しかし、溝幅ｗを狭くすると絶縁耐圧が低
下し、僅かな水分吸着等により低電圧でも放電しやすく
なるので、次工程にて溝12内に誘電体を充填してこの問
題を改善する。

【００２７】誘電体保護膜の形成(図４(ｅ)、(ｆ))；
図４(ｅ)に示すごとく、熱分解により絶縁膜を析出する
材料ガス雰囲気中にてレーザ光20を少なくとも上記溝12
を覆う領域に照射、走査し、溝12内に絶縁膜（誘電体）
25を充填して水分などによる絶縁耐圧低下を防止する。
また、誘電体25により溝12内の比誘電率が増大するの
で、電極22ａ，22ｂの対面距離ｌや電極膜厚ｔを小さく
することができ、加工時間を短縮することができる。例
えば、誘電体25としてＳiＯ₂膜を形成すると、上記10ｆ
Ｆの容量Ｃ（ｔ＝0.5μｍ，ｗ＝１μｍ）の対面距離ｌ
を誘電体25が無い場合の2.3ｍｍから0.6ｍｍと略1/4程
度に低減することができる。

【００２８】また、レーザ光20の照射領域を接続穴11へ
の充填部を含む電極22ａ，22ｂ全体にまで拡げることに
より、コンデンサのための誘電体形成と該コンデンサの
保護膜形成とを一工程で形成することができ、これによ
り水分吸着等による絶縁耐圧低下を防止し、さらに、半
導体装置の組み立て時における機械的な力による断線や
雰囲気による腐食等を防止することができ、信頼度を製
品レベルにまで高めることができる。

【００２９】上記材料ガスには、例えばシラン系ガス(Ｓ
iＨ₄等)とＮ₂ＯあるいはＮＨ₃との混合ガス、Ｓi(ＯＣ₂
Ｈ₅)₄、その他のレーザ照射による熱分解によりＳiＯ₂
やＳi₃Ｎ₄等の絶縁膜25を析出するものを用いることが
できる。図４(ｆ)は溝12内に誘電体25を充填する他の方
法の説明図である。ノズル30より液状誘電体材料31を適
宜吐出させながら走査して半導体装置１に付着させ、次
いで紫外光照射、レーザ光照射、ベーク炉加熱等により
液状誘電体材料31を固化あるいは析出させて誘電体32を
形成する。

【００３０】この液状誘電体材料31には、ＳＯＧ(スピ
ン・オン・グラス)やポリイミド樹脂の他に、紫外光照射
あるいは加熱によって固化するエポキシ樹脂、紫外光照
射あるいは加熱によってＴiＯ₂あるいはＴa₂Ｏ₅等の酸
化膜を析出するＴiあるいはＴa等のアルコレートとメチ
ルセロソルブ等を各種有機溶媒と調合した錯体溶液を用
いることができる。また、液状誘電体材料31は、内部に
液状誘電体材料31を蓄えた管の柔軟部を圧電素子等によ
り押圧して液状材料31を微小径のノズル30から吐出させ
るインクジェット方式により塗布することができる。ま
た、Ｎ₂ガス等の各種気体あるいは圧電素子等により液
状誘電体材料31を上記管の後方より加圧してノズル30よ
り吐出するマイクロディスペンサ方式によっても塗布す
ることができる。

【００３１】表面に付着した液状誘電体材料31の寸法
は、ノズル30からの吐出量、粘度、コンデンサ電極22や
半導体装置１表面の絶縁層４との濡れ性等により異なる
が、直径10μｍ程度以上で付着させことができる。従っ
て、被覆すべき素子の寸法が液状誘電体材料31の付着寸
法よりも大きい場合には線状あるいは面状にノズル30を
走査する。

【００３２】なお、導電膜２２は図４（ｆ）のノズル30
を用いて半導体装置１上に導電膜材料を付着させ、これ
を加熱あるいは紫外光固化／析出させて形成することも
できる。このときの液状の導電膜材料には、例えばＡu
またはＰd，Ａg，Ｐt等の貴金属超微粒子を各種有機溶
媒に混合したペーストのものや、例えばヘキサメチルエ
チレンジアミンニ金、臭化ジメチル金、トリフルオロ酢
酸パラジウム、ペンタフルオロピオン酸パラジウム、硝
酸銀とシクロオクタエトラエン（１対１）、ヨードトリ
メチル白金等をアセトニトリル、トルエン、アルコール
等の溶媒に溶かしこんだ金属錯体溶液を用いることがで
きる。

【００３３】〔実施例２；コンデンサの形成〕次に、
電極と誘電体とを積層してコンデンサを大容量化する本
発明の実施例について説明する。このコンデンサは図５
に示すように、接続穴形成、下部電極形成、誘電
体形成、上部電極形成の４工程により形成される。

【００３４】接続穴形成(図５(ａ))；先ず、実施例１
と同様にして、半導体装置１の内部配線３ａ，３ｂ上の
絶縁層４に集束イオンビーム10を照射して接続穴11ａ，
11ｂを形成し、内部配線３ａ，３ｂを露出する。

【００３５】下部電極形成(図５(ａ))；実施例１と同
様の熱分解により導電性物質21を析出する材料ガス雰囲
気中に半導体装置１を置き、接続穴11ａ，11ｂ内にレー
ザ光20を照射して導電性物質21を埋め込む。次いで、穴
埋めした一方の例えば接続穴11ａからレーザ光20を面的
に走査してコンデンサの下部電極及び接続配線となる導
電膜22ａを形成する。この電極膜の敷設面積はレーザＣ
ＶＤによる導電膜22ａの形成条件とレーザ光20の走査距
離ｌで決定される。即ち、レーザ光20の照射パワーと走
査速度で決まる導電膜22ａの幅Ｗと走査距離ｌとにより
決定される。しかし、照射パワーの揺らぎや下地の熱的
構造等が影響するのでこれらの値を厳密に得ることは難
しく、このため、少し大きめに敷設するようにする。
尚、同図においては下部電極22ａをジグザグ状に形成し
ているが、隙間なく形成したり、また螺旋上に形成して
もよく、さらに、穴埋め部から電極部までを幾つかに分
けて形成してもよい。

【００３６】誘電体形成(図５(ｂ))；実施例１と同様
に、熱分解により絶縁膜を析出する材料ガスを用いたレ
ーザＣＶＤあるいは液状誘電体材料31を付着・固化する
方法により下部電極22ａ上に誘電体32を形成する。この
誘電体32の形成領域は下部電極22ａ領域に限る必要はな
く、穴埋め部まで覆っても良い。誘電体32の膜厚は、コ
ンデンサの絶縁耐圧値、静電容量値等に応じて適宜設定
する。レーザＣＶＤ方では膜厚を0.1から２μｍ程度に
容易に形成できるが、膜厚にほぼ比例してレーザ照射時
間が長くなる。一方、液状材料31の付着・固化技術で
は、液状材料31の固形分と有機溶媒との比率や濡れ性等
を制御することにより、0.1から５μｍ程度までの固化
後膜厚を一度の付着により容易に形成することができ
る。

【００３７】上記誘電体32の形成においては、下部電極
22ａ上の誘電体膜厚を極力均一に保つことが最も重要で
ある。膜厚が極端に薄い部分があるとそこで絶縁破壊を
生じ、コンデンサとしての働きを失うので、例えばレー
ザＣＶＤにおいては下部電極22ａ上にレーザ光20を複数
回走査、照射して誘電体32を徐々に形成するようにした
り、レーザ光20のスポット径を下部電極22ａの幅Ｗ程度
まで拡げて照射するようにする。また液状材料31の付着
・固化方においては、液体材料31を複数回に分けて付着
させ、ピンホール等の発生を防止するようにする。

【００３８】上部電極形成(図６(ｃ))；下部電極２２
ａと同様に、熱分解により導電性物質21を析出する材料
ガス雰囲気中に半導体装置１を置き、穴埋めしたもう一
方の接続穴11ｂからレーザ光20を面的に走査してコンデ
ンサの上部電極及び接続配線となる導電膜22ｂを形成す
る。このレーザ光20の走査経路を下部電極22ａ形成時と
同じにすると、上部電極が下部電極22ａと一定距離で対
向することとなり無駄が無い。

【００３９】ここで実施例１と実施例２のコンデンサ容
量値を比較してみよう。実施例１では10ｆＦの静電容量
Ｃを得るために電極の対面距離ｌ＝0.6ｍｍを必要とし
た。実施例２の上下両電極の対向長を同様に0.6ｍｍと
し、上下両電極の対向幅＝10μｍとするとコンデンサの
敷設面積は同程度となる。誘電体３２をＳiＯ₂、同膜厚
＝１μｍとすると、実施例２のコンデンサは200ｆＦと
なり、実施例１の20倍の容量値が得られることなる。さ
らに大容量化したい場合には上下両電極の対向面積を拡
げたり、誘電体の膜厚を小さくするようにする。また、
上部電極22ｂ上に他の誘電体と電極をさらに交互に積層
して各電極を互い違いに接続するようにする。

【００４０】また、半導体装置１のパッド２、リードフ
レーム等にプローブを立てて特性評価あるいは容量測定
等を行いながら上部電極22ｂを形成すると、コンデンサ
の容量値精度を高めることができる。なお、上記プロー
ブは半導体装置１の内部配線３に立てることもできる
が、その際には半導体装置１内にプローブ用のパッドを
予め形成しておく。このパッドは集束イオンビーム加工
で形成した接続穴上にレーザＣＶＤで形成する。

【００４１】保護膜形成(図６(ｄ))；高い信頼度が要
求される場合には上記コンデンサ上に保護膜を形成す
る。この保護膜は誘電体３２と同様に、ノズル３０から
液状の絶縁膜材料31を吐出してコンデンサ部、あるいは
穴埋め部までを被覆し、加熱あるいは紫外光照射して形
成する。

【００４２】〔実施例３；コンデンサの形成〕次に、下
部電極を液状材料の付着・固化技術を用いて形成する積
層構造のコンデンサの形成方法について説明する。

【００４３】下部電極形成(図７(ａ))半導体装置１上
に液状の導電膜材料35を実施例１で説明したインクジェ
ット方式あるいはマイクロディスペンサ方式により所定
の位置に付着させ、加熱あるいは紫外光照射により固化
／析出させて導電膜（下部電極）36を形成する。導電膜
材料35には実施例１で述べたＡuまたはＰd等の貴金属の
超微粒子と各種有機溶媒とをペースト状に混合したも
の、あるいはそれらの金属錯体溶液等を用いる。

【００４４】接続穴形成(図７(ｂ))；次いで集束イオ
ンビーム加工により半導体装置１の絶縁層４に接続穴11
ａ，11ｂを形成して内部配線３ａ，３ｂを露出する。

【００４５】下部電極接続(図８(ｃ))；次いで、熱分
解により導電性物質21を析出する材料ガス雰囲気中に半
導体装置１を置き、接続穴11ａ内にレーザ照射を行って
穴埋め後、下部電極36までレーザ光20を走査して内部配
線３ａと下部電極36とを接続するための配線22を形成す
る。尚、ここですべての接続穴11を埋め込んでしまって
も良い。

【００４６】誘電体形成(図８(ｄ))；次いで、インク
ジェットあるいはマイクロディスペンサ方式により下部
電極36を覆う領域に液状の絶縁膜材料31を付着させ、紫
外光照射／加熱により固化する。

【００４７】上部電極形成(図９(ｅ))；次いで、熱分
解により導電性物質を析出する材料ガス雰囲気中に半導
体装置１を置き、もう一方の接続穴11ｂ内にレーザ照射
を行って穴埋め後、レーザ光20を走査して上部電極22ｂ
を形成する。

【００４８】保護膜形成；上記コンデンサに高い信頼
度が要求される場合には実施例２と同様の保護膜を形成
する。尚、上記の工程では下部電極36形成後に接続穴11
を形成しているが、先に接続穴11を形成し、穴埋め及び
接続配線22ａを敷設してから下部電極36を形成しても良
い。また、接続穴11ａが広くて浅い低アスペクト比の穴
ならば、レーザＣＶＤで穴埋めせずに、液状の導電膜材
料35を接続穴11ａの直上に付着させても良く、レーザＣ
ＶＤによる穴埋め及び接続配線22ａ形成の時間が削減さ
れる。

【００４９】〔実施例４；コンデンサ形成〕次に、半導
体装置１上の最上層内部配線を下部電極として利用し、
その内部配線上の絶縁層を誘電体として利用するように
したコンデンサの形成方法について説明する。例えば、
図１のコンデンサＣ１の電極は一方が信号伝達のための
内部配線に接続され、他方はグランド配線に接続されて
いるので、最上層側の内部配線をコンデンサの下部電極
として用いることができ、その内部配線上の絶縁層をコ
ンデンサの誘電体として利用することができる。このよ
うにすると工程を簡略化することができる。

【００５０】接続穴形成(図１０(ａ))；集束イオンビ
ーム加工により上部電極側を接続する内部配線３ａ上の
絶縁層４を除去して接続穴１１ａを形成する。

【００５１】上部電極形成(図１０(ｂ))；ＣＶＤ材料
ガス雰囲気中に半導体装置１を置き、接続穴11ａ内にレ
ーザ照射して穴埋め後、レーザ光20を走査して下部電極
として利用する内部配線３ｂ上に上部電極22を形成す
る。内部配線３ｂは最上層に位置する部分が幅広く長い
ほどコンデンサ容量を大きくできるので、配線量の多い
グランド配線を最上層に予め幅広くに張り巡らしておい
て、これを一端を接地して用いるコンデンサの下部電極
として用いるようにする。このようにすると外部からの
ノイズの影響を低減できる効果も得られる。

【００５２】保護膜形成(図１１(ｃ))；上記コンデン
サに高い信頼度が要求される場合には前記実施例と同様
の保護膜２５を形成する。この保護膜25、32等を設ける
ことにより信頼度を製品レベルまで高めることができ
る。

【００５３】〔実施例５；コンデンサ形成〕本実施例で
は図１２に示すように、下部電極用としてスルーホール
等を介してグランド配線３ｂに接続される複数の予備パ
ターン７を半導体装置１の最上層に形成し、その上に絶
縁層を設けてコンデンサを形成する。

【００５４】接続穴形成；図１３は上記図１２におけ
るコンデンサ部の断面図である。同図(ａ)に示すよう
に、絶縁層４に集束イオンビーム１０を照射して内部配
線３ａを露出し、上部電極用の接続穴１１を形成する。

【００５５】上部電極形成(図１３(ｂ))次いで、ＣＶ
Ｄ材料ガス雰囲気中にて接続穴11内にレーザ光２０を照
射して穴埋めを行った後、レーザ光20を走査して予備パ
ターン７の上部に上部電極22を形成する。この結果、内
部配線３ａとグランド配線３ｂ間にコンデンサが接続さ
れたことになる。コンデンサをグランド配線３ｂとは異
なる内部配線に接続する場合には、予備パターン７と当
該内部配線間に接続穴11を形成し、接続穴11形成時に集
束イオンビーム加工により予備パターン７をグランド配
線３ｂより切り離し、本工程のレーザＣＶＤを用いて両
者間を接続するようにする。

【００５６】保護膜形成(図１３(ｃ))；保護膜は上記
各実施例と同様のレーザＣＶＤあるいは液状材料の付着
・固化技術を用いて行う。また、上部電極２２形成時に
おけるレーザ照射熱の損失を低減して導電膜22を析出す
る材料ガスを効率良く熱分解するためには予備パターン
７に吸収される熱分を少なくしたい。そこで、予備パタ
ーン７を図１４(ａ)に示すような膜厚ｔの薄いパター
ン、あるいは図１５(ａ)や図１６(ａ)に示すようなスリ
ット８を有するパターンとすることが望ましい。これら
の予備パターン７に対する上部電極22は図１４(ｂ)、図
１５(ｂ)、図１６(ｂ)等に示すようにレーザ光20を走査
して形成する。スリット８を有するパターン７に対して
は図１５(ｂ)や図１６(ｂ)に示すように、スリット８の
方向と平行にレーザ光20を走査すると上部電極22を無駄
の少なく均一に形成することができる。

【００５７】また、予備パターンの形態（接続先、パタ
ーン形状、設置位置等）を様々に設けておくとその適用
範囲が広がるので、半導体装置１を修正する時間を短縮
することができる。例えば、表面絶縁層４上に50μｍ角
程度の予備パターン７を設けておくと、コンデンサ電極
として利用できる他、内部配線３に接続して特性評価用
のパッドとして利用することも可能である。

【００５８】〔実施例６；抵抗体の形成〕ここでは前記
特開昭63−164240号公報にてレーザＣＶＤで形成した接
続配線を半導体装置の修正用抵抗体として用いる実施例
について説明する。通常、材料ガスをレーザ照射の熱で
分解して金属配線を形成した場合には純粋な金属の配線
が得られることは無く、金属とその酸化物、炭化物等が
混合した状態の配線が形成され、それらの混合比はレー
ザ照射条件で異なり、金属比率が小さいほど配線の比抵
抗は高くなる。従って、レーザ照射条件を適宜選択して
配線形成を行うことにより、半導体装置の任意箇所に抵
抗体配線を形成することができる。

【００５９】更に該抵抗体を高真空あるいは還元性ガ
ス、不活性ガス雰囲気等の中でレーザ照射（レーザアニ
ール）することにより、上記配線(抵抗体)中の酸化物、
炭化物、等を分解して金属成分の比率を高め、比抵抗を
下げたり、また、酸化性ガスあるいは窒素性のガス雰囲
気中でレーザ照射することにより、抵抗体中の金属を酸
化あるいは窒化させて比抵抗を高めることができる。す
なわち、抵抗体の比抵抗はある程度、調整可能なので、
本発明ではこのような技術を用いて抵抗体を形成する。
次に、この抵抗体の形成工程を説明する。

【００６０】接続穴形成(図１７(ａ))；まず、集束イ
オンビーム１０を絶縁層４に照射して接続穴11ａ，11ｂ
を形成し、抵抗体に接続する内部配線３ａ，３ｂを露出
させる。

【００６１】抵抗体形成(図１７(ｂ))；材料ガス雰囲
気中にて接続穴11ａ内にレーザ光２０を照射して穴埋め
後、対をなす穴埋め部11ｂまでレーザ光20を走査して抵
抗膜22を形成する。抵抗値はレーザ照射条件(照射パワ
ー、走査速度等)と抵抗膜22の長さにより定まるため、
レーザ照射条件と単位長さあたりの抵抗値（シ−ト抵抗
値）、あるいは比抵抗等との関系を予め求めておき、修
正要求に応じて抵抗膜形成条件を決定する。

【００６２】尚、抵抗膜22形成に用いる材料ガスとして
は、前記コンデンサの電極形成に用いたＭoやＷ，Ｎi，
Ｃr等のカルボニル化合物やハロゲン化合物、ＡｌやＣd
等のアルキル化合物、ＡuやＰt等のアセチルアセトネー
ト化合物等の他に、これらの混合ガス、あるいはシラン
系ガス(ＳiＨ₄等)とＰＨ₃またはＢ₂Ｈ₆等のドーピング
ガスとの混合ガス、等を用いる。

【００６３】抵抗値調整(図１８(ｃ)) 次いで抵抗膜22の抵抗値が高すぎる場合には、高真空あ
るいは還元性ガスあるいは不活性ガス雰囲気中のレーザ
アニールにより抵抗値を下げるようにする。図12(ａ)に
示すように、レーザ光20のスポット径に応じて抵抗体22
のアニール領域の幅が異なり、また、抵抗値がアニール
パワーによって異なるので、予め図１９(ｄ)に示すよう
な相関関係を求めておいて、抵抗値に応じてレーザ照射
条件とアニール長さ等を決定するようにする。

【００６４】この抵抗膜22のアニール時に、半導体装置
１のパッド２あるいはリードフレームにプローブを立て
て特性評価あるいは抵抗測定等を行いうと、抵抗値の精
度を高めることができる。抵抗値が低くすぎる場合も同
様である。

【００６５】保護膜形成コンデンサの場合と同様に、液状の絶縁膜材料31を付着
・固化させて穴埋め部を含む領域に保護膜32を形成す
る。尚、図１に示した抵抗体Ｒ１とコンデンサＣ２とが
隣接して形成されているような場合とか、あるいはチッ
プウエハ上に付加形成した全素子の上に保護膜32を一括
形成しても良い。

【００６６】〔実施例７；コイル形成〕次にコイルの形
成方法について説明する。接続穴の形成；前記コンデンサ、抵抗体等の場合と同
様に、集束イオンビーム加工を用いて半導体装置１の内
部配線３上にコイルの接続穴11を形成する。

【００６７】コイル配線の一部形成（図２９(ａ)）；
ＣＶＤ材料ガス雰囲気中にてレーザ光20を走査して半導
体装置１の表面にコイル配線の下側の導電膜22ａをコイ
ルの巻数分並列に形成する。ここでのレーザＣＶＤは前
記コンデンサの電極形成及び抵抗体形成の場合と同様で
ある。

【００６８】第一の絶縁膜形成（図２０(ｂ)）次いで導電膜22ａ上にインクジェット法あるいはマイク
ロディスペンサ法により液状の絶縁膜材料31を付着さ
せ、加熱あるいは紫外光照射を行って第一の絶縁膜32ａ
を形成する。その際、図２０(ｂ)に示すように導電膜22
ａの両端部２〜10μｍ程度の領域には液状材料31を付着
させないようにする。

【００６９】コイル芯の形成（図２１(ｃ)）；つい
で、熱分解により磁性体を析出するＣＶＤ材料ガス雰囲
気中にてレーザ光20を走査してコイル芯となる磁性体膜
23を形成する。この磁性体膜23を図示の様に幅広く形成
できない場合には複数本に分けて形成しても良いが、磁
性体膜23間の隙間がなるべく小さくなる様にする。な
お、上記磁性体膜23を析出する材料ガスにはＣo，Ｎi，
Ｆe，等のカルボニル化合物を単体あるいは混合して用
いる。

【００７０】第二の絶縁膜形成（図２１(ｄ)）次いで、インクジェット法あるいはマイクロディスペン
サ法により磁性体膜23上に液状の絶縁膜材料31を付着さ
せ、加熱あるいは紫外光照射を行って第二の絶縁膜32ｂ
を形成する。

【００７１】コイル配線の形成（図２２(ｅ)及び図２
２(ｆ)）次いで、ＣＶＤ材料ガス雰囲気中にて隣あう導電膜22ａ
の上下の露出部間にレ−ザ光２０を順次走査して図２２
(ｅ)に示した導電膜22ｂを形成する。この結果、磁性体
膜23を磁芯にしたコイルが形成される。また、両端の導
電膜22ａの露出部から内部配線３の露出部までを同様に
レーザ光20を走査して導電膜22ｃ，22ｄを形成する。図
２２(ｆ)は上記コイルの断面図である。

【００７２】保護膜形成次いで、インクジェット法あるいはマイクロディスペン
サ法により上記コイル上あるいは内部配線３との接続部
を含めた領域に液状の絶縁膜材料31を付着させ、加熱あ
るいは紫外光照射を行って保護膜を形成する。尚、導電
膜22ａを予備パターンとして半導体装置１の最表面に予
め設けておくと、上記の工程が不要となり修正時間を
短縮することができ、さらに、この予備パターンを絶縁
層４で覆っておけば導電膜22ａの両端部を露出させる工
程が必要であるものの、も省略することができる。

【００７３】〔実施例８；コイル形成〕次に、本発明に
よる螺旋状高周波用コイルの形成方法実施例について説
明する。第一の接続穴の形成；まず、集束イオンビーム加工を
用いてコイルを付加形成すべき半導体装置１の内部配線
３上に接続穴11ａを形成する。

【００７４】コイル形成（図２３(ａ)）ＣＶＤ材料ガス雰囲気中にて接続穴11ａ内にレーザ光20
を照射して穴埋めを行い、次いで該穴埋め部からレーザ
光20を走査して半導体装置１表面にコイル配線となる導
電膜22ａを螺旋状に形成する。

【００７５】絶縁膜形成（図２３(ｂ)）次いでインクジェット法あるいはマイクロディスペンサ
法を用いて上記螺旋状導電膜22ａの中央部から接続配線
を引き出す方向に液状の絶縁膜材料31を付着させ、加熱
あるいは紫外光照射により絶縁膜材料31を固化して絶縁
膜32を得る。

【００７６】第二の接続穴形成（図２４(ｃ)）次い
で、集束イオンビーム加工を用いて螺旋の中央部の導電
膜22ａを露出させ接続穴11ｂを形成する。接続配線形成（図２４(ｄ)）次いで、再びＣＶＤ材料ガス雰囲気中にて接続穴11ｂ内
にレーザ光20照射して穴埋め後、該穴埋め部からレーザ
光20を走査して接続配線となる導電膜22ｂを形成する。

【００７７】保護膜形成次いで、インクジェットあるいはマイクロディスペンサ
を用いて液状の絶縁膜材料31を上記コイル上あるいはそ
の周辺部を含む領域に付着させ、加熱あるいは紫外光照
射を行って固化させ保護膜を得る。尚、上記及びの
工程の後にとの接続穴形成をまとめて行っても良
く、また、螺旋状のコイルを例えばジグザグ状等の他の
形状にしても良い。また、実施例６あるいは実施例１の
コイルと前記コンデンサとを組み合わせて図１に示すよ
うなＬＣ回路でフィルタを構成する場合には、先ずコイ
ルを形成してからコンデンサを特性評価等を行いながら
形成するようにするとフィルタ特性の精度を比較的容易
に高めることができる。

【００７８】〔実施例９；トランス形成〕実施例１のコ
イルを組み合わせた本発明によるトランスの実施例につ
いて説明する。コイル下側配線の形成（図２５(ａ)）；まず、ＣＶＤ
材料ガス雰囲気中にてレーザ光20を走査し、半導体装置
１表面にトランスの一次及び二次コイル巻数に応じた複
数の下側導電膜22ａ，22ｂを形成する。

【００７９】第一の絶縁膜形成（図２５(ｂ)）；次い
で、インクジェット法あるいはマイクロディスペンサ法
により導電膜22ａ，22ｂ上にその両端部の２〜10μｍ程
度の領域を除いて液状の絶縁膜材料31を付着させ、加熱
あるいは紫外光照射により硬化させて第一の絶縁膜32
ａ，32ｂを形成する。

【００８０】磁芯の形成（図２６(ｃ)）次いで、熱分解により磁性体を析出するＣＶＤ材料ガス
雰囲気中にてレーザ光20を走査して磁性体膜23を環状に
形成する。第二の絶縁膜形成（図２６(ｄ)）；次いで、液状の絶
縁膜材料31を導電膜22ａ，22ｂ部の磁性体膜23部上に付
着させ、加熱あるいは紫外光照射により硬化させて第二
の絶縁膜32ｃ，32ｄを形成する。

【００８１】コイル上側配線の形成（図２７(ｅ)）；
次いで、ＣＶＤ材料ガス雰囲気中にて、レーザ光20を導
電膜22ａおよび同22ｂの隣合う上下の露出部間を順次走
査して一次および二次コイルの上側導電膜22ｃと22ｄを
形成する。また、下側導電膜22ａと22ｂから上記各コイ
ルの接続配線となる導電膜22ｅ，22ｆを形成する。

【００８２】保護膜形成；次いで、インクジェット法
あるいはマイクロディスペンサ法を用いて液状の絶縁膜
材料31を上記トランス上あるいはその周辺部を含めた領
域に付着させ、加熱あるいは紫外光照射により硬化させ
て保護膜を形成する。なお、上記工程で形成したコイ
ル下側配線22ａ，22ｂを予備パターンとして半導体装置
１の最表面部に予め形成しておくと、工程を省略する
ことができる。

【００８３】

【発明の効果】本発明により、ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体
装置の任意の場所にコンデンサ、抵抗体、コイル、トラ
ンスを容易に形成することができる。また、これらの素
子を形成することにより、従来は修正困難であった発
振、ノイズ、タイミング、波形の歪等の半導体装置の特
性不良を短時間で修正して開発期間を大幅に短縮するこ
とできる。

【００８４】また、半導体装置内に予め設けたコンデン
サ、抵抗体、コイル、トランス、トランジスタ、ダイオ
ード等と本発明による素子とを組み合わせることによ
り、修正範囲を拡大して修正時間を短縮することができ
る。これらの素子を多種多量に設けることは一般に困難
であるが、主要なものを設けるだけでも大きな効果が得
られる。また、予め設けた上記素子だけで修正可能な場
合もあるから、この場合には集束イオンビーム加工によ
る半導体装置の内部配線及び上記素子の接続端子を露出
させるための接続穴形成後、レーザＣＶＤで両接続穴を
接続することのみにより修正することができる。

【００８５】また、本発明による積層構造のコンデンサ
は従来例に比べて大容量であり、静電容量を測定しなが
ら形成できるので、容量値の精度を高めることができ
る。さらに、保護膜の被覆により信頼度を高めることが
できる。同様に、本発明による抵抗体も抵抗値を測定し
ながら形成できるので、精度を高めることができ、さら
に、保護膜の被覆により信頼度を高めることができる。

【００８６】また、ＬＣ回路やＲＣ回路等を上記コンデ
ンサや抵抗体と組み合わせて構成し、特性評価等を行い
ながら形成できるので、その精度を高めることができ
る。また、これらの素子を開発済みの半導体装置に付加
形成することにより、その機能や性能等を向上すること
ができるので、新たな改良試作を効率よく行うことがで
きる。また、上記各種素子の形成後に被覆する保護膜を
設けることにより、組立て時の機械的な力や各種雰囲気
による腐食等による断線を防止することができる。

【００８７】以上により、特性、回路等を修正した本発
明の半導体装置は高い信頼度が得られるので、これを製
品として出荷することもできる。さらに、本発明による
半導体装置を搭載した電子回路基板においては、電子回
路基板の特性調整方法を予め考慮して半導体装置に付加
する素子を形成しておくことにより、基板内の調整用コ
ンデンサ、抵抗体、コイル等の素子を削減でき、基板を
小型・低価格化することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による各種素子を付加形成した半導体
装置の模式図である。

【図２】本発明によるコンデンサの形成工程図であ
る。

【図３】図２に続いて行なわれるコンデンサの形成工
程図である。

【図４】図３に続いて行なわれるコンデンサの形成工
程図である。

【図５】本発明によるコンデンサの他の形成工程図で
ある。

【図６】図５に続いて行なわれるコンデンサの形成工
程図である。

【図７】本発明によるコンデンサの他の形成工程図で
ある。

【図８】図７に続いて行なわれるコンデンサの形成工
程図である。

【図９】図８に続いて行なわれるコンデンサの形成工
程図である。

【図１０】本発明によるコンデンサの他の形成工程図
である。

【図１１】図１０に続いて行なわれるコンデンサの形
成工程図である。

【図１２】本発明によるコンデンサ用予備パターンを
設けた半導体装置の模式図である。

【図１３】図１２におけるコンデンサ形成工程を説明
する断面図である。

【図１４】図１２における上部電極の形成工程を説明
する斜視図である。

【図１５】図１２における上部電極の形成工程を説明
する斜視図である。

【図１６】図１２における上部電極の形成工程を説明
する斜視図である。

【図１７】本発明における抵抗体の形成工程を説明す
る斜視図である。

【図１８】図１７に続いて行なわれる抵抗体の形成工
程図である。

【図１９】本発明による抵抗体の抵抗値調整法とその
データある。

【図２０】本発明よるコイルの形成工程を説明する平
面図である。

【図２１】図２０に続いて行なわれるコイルの形成工
程図である。

【図２２】図２１に続いて行なわれるコイルの形成工
程図である。

【図２３】本発明よるコイルの他の形成工程を説明す
る平面図である。

【図２４】図２３に続いて行なわれるコイルの形成工
程図である。

【図２５】本発明よるトランスの形成工程を説明する
平面図である。

【図２６】図２５に続いて行なわれるコイルの形成工
程図である。

【図２７】図２６に続いて行なわれるコイルの形成工
程図である。

【符号の説明】

１…半導体装置、２…パッド、３…内部配線、４…絶縁
層、７…予備パターン、８…スリット、10…集束イオン
ビーム、11…接続穴、12…溝、20…レーザ光、21…導電
性物質、22…導電膜、23…磁性膜、25…絶縁膜、30…ノ
ズル、31…液状絶縁膜材料、32…絶縁体、35…液状導電
性材料、36…導電膜。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者宮内建興神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者坂本治久神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者丸山重信神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者高田敦仁神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式会社日立製作所生産技術研究所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体装置において、半導体装置の表面
に、内部配線の露出部と、レーザＣＶＤ法により生成し
た導電性膜、絶縁性膜、および／または導電性液状材料
および／または絶縁性液状材料の付着・固化により生成
した導電性膜、絶縁性膜等を用いた抵抗体、コンデン
サ、コイル、トランス等の素子を設け、該素子および／
または該素子の組み合わせ回路を該内部配線の露出部に
接続したことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】請求項１において、該半導体装置の表面
に形成した抵抗体、コンデンサ、コイル、トランス等の
素子、該素子の組み合わせ回路等を絶縁膜で被覆したこ
とを特徴とする半導体装置。
【請求項３】請求項１または２において、該半導体装
置の表面部に該抵抗体、コンデンサ、コイル、トランス
等の素子形成に用いる予備パターンを設けたことを特徴
とする半導体装置。
【請求項４】請求項３において、該予備パターン内に
スリットを設け、これを該コンデンサの一方の電極とし
たことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】請求項１ないし４のいずれかにおいて、
該半導体装置内に抵抗体、コンデンサ、コイル、トラン
ス、トランジスタ、ダイオード等の素子を予め設けるよ
うにしたことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】半導体装置の製造方法において、半導体
装置内の配線を露出し、次いで該半導体装置の表面にレ
ーザＣＶＤ法、および／または導電性液状材料および／
または絶縁性液状材料の付着・固化法により生成した導
電性膜と絶縁性膜等を用いて抵抗、コンデンサ、コイ
ル、トランス等のを形成し、さらに、該素子あるいは該
素子の組み合わせ回路を上記配線露出部に接続するよう
にしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】請求項６において、該半導体装置表面の
抵抗、コンデンサ、コイル、トランス等の素子あるいは
該素子の組み合わ回路を被覆する絶縁膜をレーザＣＶＤ
法あるいは絶縁性液状材料の付着・固化法により形成し
たことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】請求項６または７において、抵抗体、コ
ンデンサ等の素子の電気的特性を評価しながら該抵抗、
コンデンサ等の素子を形成することを特徴とする半導体
装置の製造方法。
【請求項９】請求項６ないし８のいずれかにおいて、
該半導体装置の内部に抵抗体、コンデンサ、コイル、ト
ランス、トランジスタ、ダイオード等の素子を予め設
け、該半導体装置の表面に設けた抵抗、コンデンサ、コ
イル、トランス等の素子と該該半導体装置の内部に設け
た抵抗、コンデンサ、コイル、トランス、トランジス
タ、ダイオード等の素子間および該半導体装置の端子間
をレーザＣＶＤにより形成した導電膜により該半導体装
置の配線露出部を介して接続したことを特徴とする半導
体装置の製造方法。
【請求項１０】請求項６ないし９のいずれかにおい
て、該半導体装置の表面に設けた抵抗素子の抵抗値を、
真空雰囲気あるいは還元雰囲気あるいは酸化雰囲気中の
レーザ照射により調整するようにしたことを特徴とする
半導体装置の製造方法。
【請求項１１】請求項６ないし１０のいずれかにおい
て、半導体装置表面にレーザＣＶＤ法あるいは液状導電
膜材料の付着・固化法により形成した導電膜に集束イオ
ンビームを照射、走査して該導電膜を電気的に分離し、
この分離した導電膜を該コンデンサの電極としたことを
特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】請求項６ないし１０のいずれかにおい
て、半導体装置表面にレーザＣＶＤ法あるいは液状導電
膜材料の局所付着・固化法により下部電極を形成し、次
いで該下部電極上にレーザＣＶＤ法あるいは液状絶縁膜
材料の局所付着・固化法により誘電体膜を形成し、次い
で該誘電体膜上にレーザＣＶＤ法あるいは液状導電膜材
料の局所付着・固化法により上部電極を形成し、コンデ
ンサを形成したことを特徴とする半導体装置の製造方
法。
【請求項１３】請求項６ないし１２のいずれかにおい
て、絶縁膜を被覆した半導体装置内の配線の直上にレー
ザＣＶＤ法あるいは液状の導電膜材料の局所付着・固化
法により導電膜を形成し、該半導体装置内の配線と該導
電膜をコンデンサの電極としたことを特徴とする半導体
装置の製造方法。
【請求項１４】電子回路装置において、請求項１ない
し５に記載の抵抗体、コンデンサ、コイル、トランス等
の素子、あるいはこれらの素子の組み合わせ回路を付加
により電気的特性を調整した半導体装置を用いたことを
特徴とする電子回路装置。