JPH07130919A - Semiconductor device - Google Patents
Semiconductor deviceInfo
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- JPH07130919A JPH07130919A JP27552493A JP27552493A JPH07130919A JP H07130919 A JPH07130919 A JP H07130919A JP 27552493 A JP27552493 A JP 27552493A JP 27552493 A JP27552493 A JP 27552493A JP H07130919 A JPH07130919 A JP H07130919A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、成形作業性，高温高
湿度雰囲気下での保存信頼性および半田実装時の耐クラ
ック性等に優れた半導体装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device which is excellent in molding workability, storage reliability under a high temperature and high humidity atmosphere, and crack resistance during solder mounting.
【０００２】[0002]
【従来の技術】トランジスタ，ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体
素子は、通常、セラミックパッケージもしくはプラスチ
ックパッケージ等により封止され、半導体装置化されて
いる。上記セラミックパッケージは、構成材料そのもの
が耐熱性を有し、耐透湿性にも優れているため、湿度，
温度に対して強く、信頼性の高い封止が可能である。し
かしながら、構成材料が比較的高価なものであること
と、量産性に劣る欠点があるため、最近では上記プラス
チックパッケージを用いた樹脂封止が主流になってい
る。この種のプラスチックパッケージ材料には、従来か
らエポキシ樹脂組成物が用いられている。上記エポキシ
樹脂組成物は、電気的特性，機械特性，耐薬品性等に優
れているため信頼性が高く、半導体装置の樹脂封止に広
く用いられている。このようなエポキシ樹脂組成物とし
ては、特に、ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
と、硬化剤であるフェノールノボラック樹脂、その他、
添加剤である三級アミン等の硬化促進剤、充填剤である
シリカ粉末等で構成されるものが封止作業性（特にトラ
ンスファー成形時の作業性）に優れているとして賞用さ
れている。2. Description of the Related Art Semiconductor elements such as transistors, ICs, and LSIs are usually encapsulated in ceramic packages or plastic packages to form semiconductor devices. In the above ceramic package, the constituent materials themselves have heat resistance and excellent moisture permeation resistance.
It is resistant to temperature and enables highly reliable sealing. However, since the constituent materials are relatively expensive and the mass productivity is inferior, the resin sealing using the plastic package has recently become the mainstream. An epoxy resin composition has been conventionally used for this type of plastic package material. The epoxy resin composition is highly reliable because it has excellent electrical characteristics, mechanical characteristics, chemical resistance, etc., and is widely used for resin encapsulation of semiconductor devices. As such an epoxy resin composition, particularly, an o-cresol novolac type epoxy resin, a phenol novolac resin which is a curing agent, and the like,
Those composed of a curing accelerator such as a tertiary amine which is an additive and a silica powder which is a filler are praised for their excellent sealing workability (especially workability during transfer molding).
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、半導体
分野の技術革新はめざましく、最近では素子の集積度の
向上とともに、素子サイズの大形化，配線の微細化が進
む反面、パッケージ形状の小形化、薄形化が進むように
なっており、封止材料に対してより以上の特性の向上が
望まれている。すなわち、従来からのエポキシ樹脂組成
物を用いて樹脂封止された半導体装置は、パッケージが
吸湿し易く、半田実装時に水分の蒸気圧により、膨れや
パッケージクラックを生じるという問題があった。However, technological innovation in the semiconductor field has been remarkable, and recently, with the increase in the degree of integration of devices, the size of the device has been increased and the wiring has become finer, while the package has been made smaller. As the device is becoming thinner, it is desired to further improve the characteristics of the sealing material. That is, a conventional semiconductor device resin-sealed with an epoxy resin composition has a problem that the package easily absorbs moisture and causes swelling and package cracking due to vapor pressure of water during solder mounting.
【０００４】このパッケージクラックの防止には、エポ
キシ樹脂組成物の低吸湿化を図ることが最も有効な対策
であり、上記低吸湿化を図る方法として、低吸湿性の骨
格構造を有する樹脂の適用とともに、エポキシ樹脂組成
物中の無機質充填剤含有量を増加させるという方法が試
みられている。しかし、無機質充填剤の含有量を増加さ
せることは、溶融粘度の著しい増加を引き起こし、その
結果、成形性が劣ることになる。このため、用いる樹脂
自身の溶融粘度を低減させる必要が生じる。こうした低
粘度の樹脂を用いると、低粘度の樹脂は、モノマー含有
量が多く、その結果、エポキシ樹脂組成物の硬化体から
検出される不純物イオン量が増加し、樹脂封止された半
導体装置の高温高湿度雰囲気下での保存信頼性を低下さ
せるという問題が生じる。In order to prevent the package cracks, it is most effective to reduce the moisture absorption of the epoxy resin composition. As a method for reducing the moisture absorption, a resin having a low moisture absorption skeleton structure is applied. At the same time, a method of increasing the content of the inorganic filler in the epoxy resin composition has been attempted. However, increasing the content of the inorganic filler causes a significant increase in melt viscosity, resulting in poor moldability. Therefore, it is necessary to reduce the melt viscosity of the resin used. When such a low-viscosity resin is used, the low-viscosity resin has a large monomer content, and as a result, the amount of impurity ions detected from the cured product of the epoxy resin composition increases, and the resin-sealed semiconductor device is There arises a problem that storage reliability is deteriorated in a high temperature and high humidity atmosphere.
【０００５】この発明は、このような事情に鑑みなされ
たもので、成形作業性，半田実装時の耐クラック性とと
もに、高温高湿度雰囲気下での保存信頼性に優れた半導
体装置の提供をその目的とする。The present invention has been made in view of the above circumstances, and provides a semiconductor device having excellent moldability, crack resistance during solder mounting, and excellent storage reliability in a high temperature and high humidity atmosphere. To aim.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、この発明の半導体装置は、下記の（Ａ）〜（Ｃ）成
分を含有するエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を
封止してなる半導体装置であって、上記エポキシ樹脂組
成物の溶融粘度（高化式フローテスターを用い１７５℃
で測定した最低溶融粘度）が１０〜１５０ポイズであ
り、かつプレッシャークッカー状態（１６０℃×２０時
間×１００％ＲＨ）下で抽出される上記エポキシ樹脂組
成物硬化物のアルカリ金属イオン含量が５ｐｐｍ以下、
ハロゲンイオン含量が５０ｐｐｍ以下、抽出水（１００
メッシュパス硬化粉に対して１０重量倍の水を使用）の
電気伝導度が７０μＶ／ｃｍ以下となるよう設定されて
いるという構成をとる。 （Ａ）ビフェニル型エポキシ樹脂。 （Ｂ）硬化剤。 （Ｃ）無機質充填剤。In order to achieve the above object, the semiconductor device of the present invention seals a semiconductor element with an epoxy resin composition containing the following components (A) to (C). The melt viscosity of the above epoxy resin composition (using a Koka type flow tester at 175 ° C.
And the alkali metal ion content of the cured epoxy resin composition is 5 ppm or less, which is extracted under a pressure cooker condition (160 ° C. × 20 hours × 100% RH). ,
Halogen ion content is 50ppm or less, extracted water (100
The electric conductivity of 10 times by weight of water used for the mesh pass cured powder is set to 70 μV / cm or less. (A) Biphenyl type epoxy resin. (B) Hardener. (C) Inorganic filler.
【０００７】[0007]
【作用】すなわち、本発明者らは、成形作業性に優れ、
しかも半田実装時の耐クラック性と実装後の耐湿信頼性
に優れた封止樹脂を得るために一連の研究を重ねた。そ
の結果、上記特定のエポキシ樹脂〔（Ａ）成分〕，硬化
剤〔（Ｂ）成分〕および無機質充填剤〔（Ｃ）成分〕を
組み合わせ、これら各成分を含有するエポキシ樹脂組成
物の溶融粘度を特定範囲に設定するとともに、その純度
を特定条件に設定すると、上記成形作業性および半田実
装時の耐クラック性に優れるようになることを突き止め
た。そして、そのエポキシ樹脂組成物硬化体中のアルカ
リ金属含量，ハロゲンイオン含量ならびに抽出水の電気
伝導度が低減されそれぞれ一定値以下に設定されること
により、実装後の耐湿信頼性を大きく向上できることを
見出しこの発明に到達した。In other words, the present inventors have excellent workability in molding,
Moreover, a series of studies were conducted to obtain a sealing resin having excellent crack resistance during solder mounting and moisture resistance reliability after mounting. As a result, the specific epoxy resin [component (A)], the curing agent [component (B)] and the inorganic filler [component (C)] are combined to obtain the melt viscosity of the epoxy resin composition containing these components. It was found that if the purity is set to a specific condition while being set to a specific range, the molding workability and the crack resistance during solder mounting will be excellent. Then, the alkali metal content, the halogen ion content, and the electric conductivity of the extracted water in the cured epoxy resin composition are reduced and set to a certain value or less, respectively, so that the moisture resistance reliability after mounting can be greatly improved. Heading This invention was reached.
【０００８】つぎに、この発明について詳しく説明す
る。Next, the present invention will be described in detail.
【０００９】この発明に用いられるエポキシ樹脂組成物
は、特定のエポキシ樹脂（Ａ成分）と、硬化剤（Ｂ成
分）と、無機質充填剤（Ｃ成分）とを用いて得られるも
のであって、通常、粉末状もしくはそれを打錠したタブ
レット状になっている。The epoxy resin composition used in the present invention is obtained by using a specific epoxy resin (component A), a curing agent (component B), and an inorganic filler (component C), Usually, it is in the form of powder or a tablet obtained by compressing it.
【００１０】上記特定のエポキシ樹脂（Ａ成分）は、ビ
フェニル型エポキシ樹脂であって、例えば、下記の一般
式（１）で表される。The specific epoxy resin (component A) is a biphenyl type epoxy resin and is represented by the following general formula (1).
【００１１】[0011]
【化１】 [Chemical 1]
【００１２】上記ビフェニル型エポキシ樹脂（Ａ成分）
は、グリシジル基を有するフェニル環に低級アルキル基
（好ましくはメチル基）が付加されたものであり、この
ような骨格構造から撥水性を有するようになる。そし
て、上記特定のエポキシ樹脂（ビフェニル型エポキシ樹
脂）のみでエポキシ樹脂成分を構成してもよいし、それ
以外の通常用いられるエポキシ樹脂と併用するようにし
てもよい。前者の場合には、Ａ成分の全部が上記ビフェ
ニル型エポキシ樹脂のみで構成され、後者の場合にはＡ
成分の一部がビフェニル型エポキシ樹脂で構成されるこ
ととなる。上記通常用いられるエポキシ樹脂としては、
クレゾールノボラック型，フェノールノボラック型，ノ
ボラックビスＡ型やビスフェノールＡ型等の各種エポキ
シ樹脂があげられる。上記ノボラック型エポキシ樹脂と
しては、通常、エポキシ当量１５０〜２５０、軟化点５
０〜１３０℃のものが用いられ、クレゾールノボラック
型エポキシ樹脂としては、エポキシ当量１８０〜２１
０、軟化点６０〜１１０℃のものが一般に用いられる。
このように、特定のエポキシ樹脂と通常用いられるエポ
キシ樹脂の両者を併用する場合には、上記特定のエポキ
シ樹脂をエポキシ樹脂成分全体の２０重量％（以下
「％」と略す）以上に設定することが好ましく、特に好
ましくは５０％以上である。The above biphenyl type epoxy resin (component A)
Is a phenyl ring having a glycidyl group to which a lower alkyl group (preferably a methyl group) is added, and such a skeleton structure provides water repellency. The epoxy resin component may be composed of only the specific epoxy resin (biphenyl type epoxy resin), or may be used in combination with other commonly used epoxy resins. In the former case, all of the component A is composed only of the above biphenyl type epoxy resin, and in the latter case, it is A
A part of the components will be composed of a biphenyl type epoxy resin. As the above-mentioned usually used epoxy resin,
Examples include various epoxy resins such as cresol novolac type, phenol novolac type, novolac bis A type and bisphenol A type. The novolac type epoxy resin usually has an epoxy equivalent of 150 to 250 and a softening point of 5.
A cresol novolac type epoxy resin having an epoxy equivalent of 180 to 21 is used.
Those having a softening point of 0 to 60 to 110 ° C. are generally used.
As described above, when both the specific epoxy resin and the commonly used epoxy resin are used in combination, the specific epoxy resin should be set to 20% by weight (hereinafter abbreviated as "%") of the entire epoxy resin component. Is preferable, and particularly preferably 50% or more.
【００１３】上記Ａ成分とともに用いられる硬化剤（Ｂ
成分）は、上記エポキシ樹脂成分の硬化剤として作用す
るものであり、上記硬化剤としては、特に限定するもの
ではなく従来公知のものがあげられる。なかでも、下記
の一般式（２）で表されるフェノールアラルキル樹脂を
用いることが好ましい。A curing agent (B
The component) acts as a curing agent for the epoxy resin component, and the curing agent is not particularly limited and may be a conventionally known one. Among them, it is preferable to use the phenol aralkyl resin represented by the following general formula (2).
【００１４】[0014]
【化２】 [Chemical 2]
【００１５】上記フェノールアラルキル樹脂は、例えば
アラルキルフェノールとフェノールとをフリーデルクラ
フツ触媒で反応させることにより得られる。一般に、
α，α′−ジメトキシ−ｐ−キシレンとフェノールモノ
マーの縮合重化合物が知られている。そして、上記フェ
ノールアラルキル樹脂としては、軟化点５０〜１１０
℃、水酸基当量１５０〜２２０を有するものを用いるの
が好ましい。また、フェノールアラルキル樹脂は、それ
自体で硬化剤成分を構成することがより好ましいが、そ
れ以外の通常用いられるフェノール樹脂と併用してもよ
い。前者の場合には、硬化剤成分の全部が上記フェノー
ルアラルキル樹脂で構成され、後者の場合は硬化剤成分
の一部が上記フェノールアラルキル樹脂で構成されるこ
ととなる。上記通常用いられるフェノール樹脂として
は、フェノールノボラック，クレゾールノボラック等が
あげられる。これらノボラック樹脂としては、軟化点５
０〜１１０℃、水酸基当量７０〜１５０のものを用いる
ことが望ましい。上記フェノールアラルキル樹脂と、通
常用いられるフェノール樹脂とを併用する場合には、上
記フェノールアラルキル樹脂を硬化剤成分全体の５０％
以上の割合に設定することが好ましく、特に好ましくは
７０％以上である。そして、上記硬化剤（Ｂ成分）の配
合割合は、上記特定のエポキシ樹脂（Ａ成分）中のエポ
キシ基１当量当たり、硬化剤（Ｂ成分）中の水酸基が
０．７〜１．３当量となるように配合することが好適で
ある。より好適なのは０．９〜１．１当量である。The above-mentioned phenol aralkyl resin can be obtained, for example, by reacting aralkyl phenol and phenol with a Friedel-Crafts catalyst. In general,
A condensed heavy compound of α, α'-dimethoxy-p-xylene and a phenol monomer is known. The phenol aralkyl resin has a softening point of 50 to 110.
It is preferable to use one having a hydroxyl group equivalent of 150 to 220 ° C. Further, it is more preferable that the phenol aralkyl resin constitutes the curing agent component by itself, but it may be used in combination with other commonly used phenol resins. In the former case, the curing agent component is entirely composed of the phenol aralkyl resin, and in the latter case, a part of the curing agent component is composed of the phenol aralkyl resin. Examples of the above-mentioned usually used phenol resin include phenol novolac and cresol novolac. These novolac resins have a softening point of 5
It is desirable to use one having a hydroxyl group equivalent of 70 to 150 at 0 to 110 ° C. When the above phenol aralkyl resin and a commonly used phenol resin are used in combination, the above phenol aralkyl resin is used in an amount of 50% of the total amount of the curing agent component.
It is preferable to set the above ratio, and particularly preferably 70% or more. The mixing ratio of the curing agent (component B) is 0.7 to 1.3 equivalents of hydroxyl group in the curing agent (component B) per equivalent of epoxy group in the specific epoxy resin (component A). It is preferable to mix them as follows. More preferred is 0.9 to 1.1 equivalents.
【００１６】そして、上記特定のエポキシ樹脂（通常用
いるエポキシ樹脂を含む）および硬化剤に関して、でき
るだけ溶融粘度の低いものを用いることが望ましい。一
方、低溶融粘度のものは、モノマー成分含量が多く、不
純物となるイオン量も多いため、樹脂合成時の反応度や
その後の洗浄工程において、イオン量を一定量以下に制
御する必要がある。上記それぞれの樹脂の溶融粘度，イ
オン含量等は、目的とするエポキシ樹脂組成物の性状に
より適宜決定することができる。It is desirable that the specific epoxy resin (including normally used epoxy resin) and the curing agent have a melt viscosity as low as possible. On the other hand, those having a low melt viscosity have a large amount of monomer components and a large amount of ions as impurities. Therefore, it is necessary to control the amount of ions below a certain amount in the reactivity during resin synthesis and in the subsequent washing step. The melt viscosity, ion content, etc. of each of the above resins can be appropriately determined depending on the properties of the desired epoxy resin composition.
【００１７】上記Ａ成分およびＢ成分とともに用いられ
る無機質充填剤（Ｃ成分）としては、結晶性および溶融
性フィラーはもちろん、酸化アルミニウム，酸化ベリリ
ウム，炭化珪素，窒化珪素等があげられる。これら無機
質充填剤（Ｃ成分）の含有量は、エポキシ樹脂組成物全
体の８０〜９５％の範囲に設定することが好ましい。す
なわち、無機質充填剤の含有量が８０％未満では半田実
装時の耐クラック性が損なわれ、逆に９５％を超えると
流動性の低下が生じ、成形作業性が低下する傾向がみら
れるからである。Examples of the inorganic filler (component C) used together with the above-mentioned component A and component B include not only crystalline and fusible fillers but also aluminum oxide, beryllium oxide, silicon carbide, silicon nitride and the like. The content of these inorganic fillers (component C) is preferably set in the range of 80 to 95% of the total epoxy resin composition. That is, if the content of the inorganic filler is less than 80%, the crack resistance during solder mounting is impaired, and conversely if it exceeds 95%, fluidity tends to decrease, and molding workability tends to decrease. is there.
【００１８】なお、この発明に用いられるエポキシ樹脂
組成物には、上記Ａ〜Ｃ成分以外に必要に応じて硬化促
進剤，難燃剤，カップリング剤，ワックス等の添加剤が
あげられる。The epoxy resin composition used in the present invention may include additives such as a curing accelerator, a flame retardant, a coupling agent, and a wax, if necessary, in addition to the components A to C.
【００１９】上記硬化促進剤としては、アミン系，リン
系，ホウ素系，リン−ホウ素系等の硬化促進剤があげら
れ、これらは単独でもしくは併せて用いられる。Examples of the curing accelerator include amine-based, phosphorus-based, boron-based and phosphorus-boron-based curing accelerators, which may be used alone or in combination.
【００２０】上記難燃剤としては、例えばノボラック型
ブロム化エポキシ樹脂もしくはビスＡ型エポキシ樹脂，
五酸化アンチモン等の化合物があげられ、これを適宜単
独でもしくは併せて使用することが行われる。Examples of the flame retardant include novolac type brominated epoxy resin or bis A type epoxy resin,
Examples thereof include compounds such as antimony pentoxide, which may be used alone or in combination as appropriate.
【００２１】上記カップリング剤としては、グリシジル
エーテルタイプ，アミンタイプ，チオシアンタイプ，ウ
レアタイプ等のメトキシないしはエトキシシランがあげ
られ、適宜に単独でもしくは併せて用いられる。そし
て、その使用方法としては、前記無機質充填剤に対して
ドライブレンドする方法もしくは予備加熱反応させる方
法、さらに有機成分原料に対して予備混合する方法等が
あげられ、適宜に選択することができる。Examples of the coupling agent include methoxy or ethoxysilane such as glycidyl ether type, amine type, thiocyan type and urea type, which may be used alone or in combination. As a method of using the inorganic filler, a method of dry blending with the inorganic filler, a method of preheating reaction, a method of premixing with the organic component raw material, and the like can be mentioned, and they can be appropriately selected.
【００２２】上記ワックスとしては、高級脂肪酸，高級
脂肪酸エステル，高級脂肪酸カルシウム等の化合物があ
げられ、これらは単独でもしくは併せて用いられる。Examples of the above wax include compounds such as higher fatty acids, higher fatty acid esters, and higher fatty acid calcium, which may be used alone or in combination.
【００２３】さらに、この発明に用いられるエポキシ樹
脂組成物には、上記添加剤以外に、低応力化を図るため
にシリコーンオイルおよびシリコーンゴム，合成ゴム等
のゴム成分を配合したり、耐湿信頼性テストにおける信
頼性向上を目的としてハイドロタルサイト等のイオント
ラップ剤を配合してもよい。Further, in addition to the above-mentioned additives, the epoxy resin composition used in the present invention may be blended with a silicone oil and a rubber component such as a silicone rubber or a synthetic rubber in order to reduce the stress, and the moisture resistance reliability. An ion trap agent such as hydrotalcite may be added for the purpose of improving reliability in the test.
【００２４】この発明に用いられるエポキシ樹脂組成物
は、上記Ａ〜Ｃ成分および他の添加剤を用いて例えばつ
ぎのようにして製造することができる。すなわち、各成
分および添加剤を適宜に配合し予備混合した後、ミキシ
ングロール機等の混練機にかけて加熱状態で溶融混合す
る。そして、この混合物を室温に冷却した後、公知の手
段により粉砕し、必要に応じて打錠するという一連の工
程により製造することができる。The epoxy resin composition used in the present invention can be produced, for example, as follows using the above-mentioned components A to C and other additives. That is, after the respective components and additives are appropriately blended and premixed, they are melt-mixed in a heated state by using a kneading machine such as a mixing roll machine. Then, the mixture can be manufactured by a series of steps in which the mixture is cooled to room temperature, pulverized by a known means, and tableted if necessary.
【００２５】このようにして得られるエポキシ樹脂組成
物としては、１７５℃での溶融粘度を１０〜１５０ポイ
ズの範囲に設定する必要がある。すなわち、エポキシ樹
脂組成物の溶融粘度を上記範囲に設定すると、金型内に
溶融圧入させる際の流動抵抗が低く、封止される半導体
素子の移動（変位）量が小さくなり、封止後パッケージ
表面に半導体素子が露出するという成形不良の発生が生
じない。そして、溶融粘度（１７５℃）が１０ポイズ未
満では、金型内への溶融圧入時に空気の巻き込みが多く
なり、封止後のエポキシ樹脂組成物硬化体の内部や表面
にボイドが多く発生するようになる。また、１５０ポイ
ズを超えると、粘度が高過ぎて成形作業性に劣るからで
ある。なお、この発明において、エポキシ樹脂組成物の
１７５℃での溶融粘度とは、高化式フローテスター（ノ
ズル直径１ｍｍ，ノズル長さ１０ｍｍ、荷重１０ｋｇ／
ｃｍ2 ）を用いて１７５℃で測定した最低溶融粘度を意
味する。The epoxy resin composition thus obtained must have a melt viscosity at 175 ° C. in the range of 10 to 150 poises. That is, when the melt viscosity of the epoxy resin composition is set within the above range, the flow resistance when melt-pressing into the mold is low, the movement (displacement) amount of the semiconductor element to be sealed becomes small, and the package after sealing is packaged. There is no occurrence of molding failure such that the semiconductor element is exposed on the surface. When the melt viscosity (175 ° C.) is less than 10 poise, air is often entrained during melt press-fitting into the mold, and many voids are generated inside or on the surface of the cured epoxy resin composition after sealing. become. On the other hand, if it exceeds 150 poise, the viscosity is too high and the molding workability is deteriorated. In the present invention, the melt viscosity of the epoxy resin composition at 175 ° C. refers to a Koka type flow tester (nozzle diameter 1 mm, nozzle length 10 mm, load 10 kg /
cm 2 ) means the lowest melt viscosity measured at 175 ° C.
【００２６】そして、上記エポキシ樹脂組成物の１７５
℃におけるスパイラルフロー（ＳＦ）値は、１００〜２
００ｍｍに設定されることが好ましい。すなわち、ＳＦ
値を上記範囲に設定することにより、ボイド，未充填，
ばり等において実用上問題のない良好なトランスファー
成形が可能となるからである。なお、上記スパイラルフ
ロー値は、図１に示すような、中心部に樹脂充填部５を
有し、これを起点とした渦巻き曲線状の溝１が設けられ
た下型４と、樹脂注入口２を有する上型３からなるスパ
イラルフロー試験金型（図２参照）を用いる。そして、
上記金型の樹脂注入口２にエポキシ樹脂組成物を注入し
て金型内の溝１を流れたエポキシ樹脂組成物の距離を測
定しスパイラルフロー値とした。また、上記エポキシ樹
脂組成物の１７５℃におけるゲルタイム（ＧＴ）は、１
０〜４０秒に設定されることが好ましい。このような値
に設定することにより、成形性において問題がなく、ま
た成形サイクル時間も短縮可能となり、封止作業効率を
極めて高くすることができる。175 of the above epoxy resin composition
Spiral flow (SF) value at 100 ° C is 100 to 2
It is preferably set to 00 mm. That is, SF
By setting the value in the above range, voids, unfilled,
This is because it is possible to perform good transfer molding without any practical problems in burrs and the like. The spiral flow value has a lower mold 4 having a resin-filled portion 5 at the center and a spiral curved groove 1 having the resin-filled portion 5 at the center as shown in FIG. A spiral flow test mold (see FIG. 2) including the upper mold 3 having the above is used. And
The epoxy resin composition was injected into the resin injection port 2 of the mold, and the distance of the epoxy resin composition flowing through the groove 1 in the mold was measured to obtain a spiral flow value. The gel time (GT) of the above epoxy resin composition at 175 ° C. is 1
It is preferably set to 0 to 40 seconds. By setting such a value, there is no problem in moldability, the molding cycle time can be shortened, and the sealing work efficiency can be made extremely high.
【００２７】さらに、上記エポキシ樹脂組成物は、これ
を完全に硬化させた後プレッシャークッカー状態（１６
０℃×２０時間×１００％ＲＨ）下に放置したときに抽
出されるアルカリ金属イオン含量が５ｐｐｍ以下で、か
つハロゲンイオン含量が５０ｐｐｍ以下であることが必
要である。すなわち、上記条件下で抽出されるアルカリ
金属イオン含量およびハロゲンイオン含量が上記範囲を
逸脱すると、高度の耐湿信頼性を得ることができないか
らである。Furthermore, the above-mentioned epoxy resin composition is cured in a pressure cooker state (16
It is necessary that the content of alkali metal ions extracted when left at 0 ° C. × 20 hours × 100% RH) is 5 ppm or less and the content of halogen ion is 50 ppm or less. That is, when the alkali metal ion content and the halogen ion content extracted under the above conditions deviate from the above ranges, a high degree of moisture resistance reliability cannot be obtained.
【００２８】なお、ここで検出されるアルカリ金属イオ
ンは、前記Ａ〜Ｃ成分から検出，内在されるアルカリ金
属イオンはもちろん、他の添加剤からもたらされるアル
カリ金属イオンをも含む。また、上記検出されるハロゲ
ンイオンも、前記Ａ〜Ｃ成分から検出，内在されるハロ
ゲンイオンはもちろん、他の添加剤からもたらされるハ
ロゲンイオンをも含む。The alkali metal ions detected here include not only the alkali metal ions detected and contained in the components A to C but also the alkali metal ions derived from other additives. In addition, the above-mentioned halogen ions detected include not only the halogen ions detected and contained in the components A to C but also the halogen ions brought from other additives.
【００２９】つぎに、上記硬化物のアルカリ金属イオン
およびハロゲンイオンの検出について説明する。まず、
エポキシ樹脂組成物を完全に硬化（例えば１７５℃で５
時間加熱）したのち、ミルで１００メッシュパスに粉砕
し、その硬化粉に対して１０重量倍の精製水を加え、所
定のプレッシャークッカー状態（１６０℃×２０時間×
１００％ＲＨ）に放置したのち、アルカリ金属イオンは
原子吸光法で、ハロゲンイオンは硝酸銀水溶液を用いた
電位差滴定で定量することによりそれぞれ検出する。Next, detection of alkali metal ions and halogen ions of the cured product will be described. First,
Completely cure the epoxy resin composition (eg 5 at 175 ° C
After heating for 10 hours, crush it to a 100 mesh pass with a mill, add 10 times by weight of purified water to the hardened powder, and put it in a predetermined pressure cooker state (160 ° C × 20 hours ×
After being left at 100% RH), alkali metal ions are detected by atomic absorption spectrometry, and halogen ions are detected by potentiometric titration using an aqueous solution of silver nitrate.
【００３０】このように、この発明に用いられるエポキ
シ樹脂組成物は、その溶融粘度およひ硬化物のアルカリ
金属イオン含量およびハロゲンイオン含量が上記に示す
値に設定されることが必要であるが、さらに、所定のプ
レッシャークッカー状態（１６０℃×２０時間×１００
％ＲＨ）に放置したとき、すなわち上記１００メッシュ
パス硬化粉に対して１０重量倍の精製水を用いてプレッ
シャークッカー状態に放置したときの抽出水の電気伝導
度が７０μＶ／ｃｍ以下となるよう設定されていなけれ
ばならない。すなわち、電気伝導度が７０μＶ／ｃｍを
超えるような樹脂組成物では、遊離されるアルカリ金属
イオン，ハロゲンイオンが多くなり、それにより封止さ
れた半導体素子の耐湿信頼性が著しく低下するからであ
る。上記電気伝導度は、プレッシャークッカー状態で放
出されるアルカリ金属イオン，ハロゲンイオンの他、上
記Ａ〜Ｃ成分および他の添加剤中に含まれる微量成分に
よって影響される。このことから、この発明では、上記
硬化物の各イオン含量および電気伝導度の設定値を満足
させるように各種成分の種類，純度，組み合わせを考慮
しなければならない。As described above, the epoxy resin composition used in the present invention needs to have the melt viscosity and the alkali metal ion content and halogen ion content of the cured product set to the values shown above. In addition, a predetermined pressure cooker condition (160 ° C × 20 hours × 100
% RH), that is, the electric conductivity of the extracted water is 70 μV / cm or less when left in a pressure cooker state using purified water in an amount of 10 times the weight of the 100 mesh pass hardened powder. Must have been done. That is, in a resin composition having an electric conductivity of more than 70 μV / cm, the amount of alkali metal ions and halogen ions liberated increases, and the moisture resistance reliability of the sealed semiconductor element is significantly reduced. . The electrical conductivity is influenced by alkali metal ions and halogen ions released in the pressure cooker state, as well as trace components contained in the components A to C and other additives. From this, in the present invention, it is necessary to consider the kinds, purities, and combinations of various components so as to satisfy the respective ion contents and electric conductivity set values of the cured product.
【００３１】このような特殊なエポキシ樹脂組成物を用
いての半導体素子の封止は、特に限定するものではな
く、通常のトランスファー成形等の公知のモールド方法
により行うことができる。The encapsulation of the semiconductor element using such a special epoxy resin composition is not particularly limited and can be carried out by a known molding method such as ordinary transfer molding.
【００３２】[0032]
【発明の効果】以上のように、この発明の半導体装置
は、前記Ａ〜Ｃ成分を含有し、しかも上記各成分の組み
合わせを必須成分とするエポキシ樹脂組成物の硬化物か
ら抽出されるアルカリ金属イオン含量ならびにハロゲン
イオン含量、抽出水の電気伝導度をそれぞれ特定の値以
下に設定した特殊なエポキシ樹脂組成物を用いて半導体
素子を樹脂封止して構成されている。このため、低吸湿
化が図られ、優れた耐熱性ならびに耐湿性を有してい
る。したがって、半田実装時にパッケージクラックを生
ずることがなく、高温高湿度雰囲気下での優れた保存性
を備えている。しかも、上記エポキシ樹脂組成物の溶融
粘度が特定範囲に設定されているため、優れた成形性を
備えており、パッケージにボイドが生じる等の成形不良
の発生を防止することができる。このように、上記エポ
キシ樹脂組成物を用いて得られる半導体装置は、半導体
素子の大形化とともに、パッケージの小形化および薄形
化の進む現状において有効である。As described above, the semiconductor device of the present invention contains an alkali metal extracted from a cured product of an epoxy resin composition containing the above-mentioned components A to C and having the combination of the above components as essential components. The semiconductor element is resin-sealed by using a special epoxy resin composition in which the ion content, the halogen ion content, and the electric conductivity of the extracted water are set to specific values or less. Therefore, low moisture absorption is achieved, and excellent heat resistance and moisture resistance are provided. Therefore, package cracking does not occur at the time of solder mounting, and excellent storability is provided in a high temperature and high humidity atmosphere. Moreover, since the melt viscosity of the epoxy resin composition is set in a specific range, it has excellent moldability and can prevent the occurrence of molding defects such as voids in the package. As described above, the semiconductor device obtained by using the epoxy resin composition is effective under the current circumstances where the size of the semiconductor element is increased and the size and thickness of the package are reduced.
【００３３】つぎに、実施例について比較例と併せて説
明する。Next, examples will be described together with comparative examples.
【００３４】まず、下記に示す各種エポキシ樹脂および
フェノール樹脂を準備した。First, various epoxy resins and phenol resins shown below were prepared.
【００３５】〔ビフェニル型エポキシ樹脂〕下記に示す
式（３）で表されるビフェニル型エポキシ樹脂であっ
て、エポキシ当量１９５、融点１０５℃である。[Biphenyl Epoxy Resin] A biphenyl epoxy resin represented by the following formula (3) having an epoxy equivalent of 195 and a melting point of 105 ° C.
【化３】 [Chemical 3]
【００３６】〔クレゾールノボラック型エポキシ樹脂〕
エポキシ当量１９５、軟化点７５℃[Cresol novolac type epoxy resin]
Epoxy equivalent 195, softening point 75 ° C
【００３７】〔フェノールアラルキル樹脂Ａ〕前記一般
式（２）において、繰り返し数ｎは０〜２、水酸基当量
１７５、軟化点７０℃である。[Phenol aralkyl resin A] In the general formula (2), the repeating number n is 0 to 2, the hydroxyl group equivalent is 175, and the softening point is 70 ° C.
【００３８】〔フェノールアラルキル樹脂Ｂ〕前記一般
式（２）において、繰り返し数ｎは０〜１、水酸基当量
１７０、軟化点５２℃である。[Phenol Aralkyl Resin B] In the general formula (2), the number of repetitions n is 0 to 1, the hydroxyl group equivalent is 170, and the softening point is 52 ° C.
【００３９】[0039]
【実施例１〜７、比較例１〜６】下記の表１および表２
に示す各原料を同表に示す割合で配合し、この配合物を
９０〜１１０℃に加熱したロール混練機にかけて３分間
溶融混合した。ついで、この溶融混合物を冷却したのち
粉砕し、さらに打錠することによりタブレット状のエポ
キシ樹脂組成物を得た。Examples 1 to 7 and Comparative Examples 1 to 6 Tables 1 and 2 below.
The raw materials shown in Table 1 were blended in the proportions shown in the same table, and the blended product was melt-mixed for 3 minutes in a roll kneader heated to 90 to 110 ° C. Then, the melted mixture was cooled, pulverized, and then tableted to obtain a tablet-shaped epoxy resin composition.
【００４０】[0040]
【表１】 [Table 1]
【００４１】[0041]
【表２】 [Table 2]
【００４２】このようにして得られた実施例および比較
例のエポキシ樹脂組成物を用い、高化式フローテスター
（ノズル直径１ｍｍ，ノズル長さ１０ｍｍ、荷重１０ｋ
ｇ／ｃｍ2 ）を用いて１７５℃における最低溶融粘度を
測定しこれを各エポキシ樹脂組成物の溶融粘度とした。
この結果を上記表１および表２に示した。また、上記エ
ポキシ樹脂組成物の１７５℃におけるスパイラルフロー
値（ＳＦ値）をつぎのようにして測定した。すなわち、
図１に示すような、中心部に樹脂充填部５を有し、これ
を起点とした渦巻き曲線状の溝１が設けられた下型４
と、樹脂注入口２を有する上型３からなるスパイラルフ
ロー試験金型（図２参照）を準備した。そして、上記金
型の樹脂注入口２にエポキシ樹脂組成物を注入して金型
内の溝１を流れたエポキシ樹脂組成物の距離を測定し
た。また、エポキシ樹脂組成物の１７５℃におけるゲル
タイムを測定した。これらＳＦ値およびゲルタイムを上
記表１および表２に併せて示した。Using the epoxy resin compositions of the examples and comparative examples thus obtained, a Koka type flow tester (nozzle diameter 1 mm, nozzle length 10 mm, load 10 k)
The minimum melt viscosity at 175 ° C. was measured using g / cm 2 ) and this was used as the melt viscosity of each epoxy resin composition.
The results are shown in Tables 1 and 2 above. The spiral flow value (SF value) at 175 ° C of the epoxy resin composition was measured as follows. That is,
As shown in FIG. 1, a lower mold 4 having a resin-filled portion 5 in the center and provided with a spiral curved groove 1 starting from the resin-filled portion 5.
Then, a spiral flow test mold (see FIG. 2) including the upper mold 3 having the resin injection port 2 was prepared. Then, the epoxy resin composition was injected into the resin injection port 2 of the mold, and the distance of the epoxy resin composition flowing through the groove 1 in the mold was measured. Further, the gel time of the epoxy resin composition at 175 ° C. was measured. These SF values and gel times are also shown in Tables 1 and 2 above.
【００４３】さらに、上記各エポキシ樹脂組成物の硬化
物（硬化条件：１７５℃×５時間）を作製し、その硬化
物についてのアルカリ金属イオン含量，ハロゲンイオン
含量およびその抽出水の電気伝導度を測定した。これら
の測定は、まず、上記硬化物を粉砕した後、１００メッ
シュの篩を通過した粉末を、その１０重量倍のイオン交
換水中に入れた。そして、プレッシャークッカー状態
（１６０℃×２０時間×１００％ＲＨ）下で放置した
後、イオン交換水中に抽出されたアルカリ金属イオン含
量は原子吸光法により、ハロゲンイオンは硝酸銀水溶液
を用いた電位差滴定により定量してそれぞれの含量を検
出した。さらに、上記抽出水の電気伝導度を併せて測定
した。これらの結果を上記表１および表２に示した。Further, a cured product of each of the above epoxy resin compositions (curing condition: 175 ° C. × 5 hours) was prepared, and the alkali metal ion content, halogen ion content and electric conductivity of the extracted water of the cured product were measured. It was measured. In these measurements, first, the cured product was pulverized, and the powder that passed through a 100-mesh sieve was put in 10 times the weight of ion-exchanged water. Then, after leaving it under a pressure cooker condition (160 ° C. × 20 hours × 100% RH), the content of alkali metal ions extracted in ion-exchanged water was measured by an atomic absorption method, and halogen ions were measured by potentiometric titration using an aqueous silver nitrate solution. It quantified and detected each content. Furthermore, the electric conductivity of the extracted water was also measured. The results are shown in Tables 1 and 2 above.
【００４４】また、上記実施例および比較例のタブレッ
ト状のエポキシ樹脂組成物を用い、金線をワイヤーボン
ドした半導体素子を、トランスファー成形（成形条件：
設定温度１７５℃，注入圧力８０ｋｇ／ｃｍ2 ，硬化時
間１２０秒）し半導体装置を作製した。この半導体装置
は、８０ピンクワッドフラットパッケージ（８０ｐｉｎ
−ＱＦＰ）（２０ｍｍ×１４ｍｍ×厚み１．５ｍｍ）で
６×６ｍｍのチップを有するものである。このトランス
ファー成形によりパッケージを各２０個製造し、得られ
たパッケージに不良部分の生じた個数をカウントした。
そして、この半導体装置を用いて、８５℃／８５％ＲＨ
雰囲気下、４８時間放置したものと、７２時間放置した
ものについて、２６０℃×１０秒間の条件で半田浸漬を
それぞれ行った。そして、半田浸漬後のパッケージクラ
ックの発生数を測定した。これら成形時の不良パッケー
ジ数，半田浸漬後のパッケージクラック発生数を後記の
表３〜表６に併せて示した。Using the tablet-shaped epoxy resin compositions of the above-mentioned Examples and Comparative Examples, semiconductor elements to which gold wires were wire-bonded were transfer molded (molding conditions:
A semiconductor device was manufactured at a set temperature of 175 ° C., an injection pressure of 80 kg / cm 2 , and a curing time of 120 seconds). This semiconductor device is an 80 pink quad flat package (80 pin
-QFP) (20 mm x 14 mm x thickness 1.5 mm) and has a 6 x 6 mm chip. 20 packages each were manufactured by this transfer molding, and the number of defective parts in the obtained packages was counted.
Then, using this semiconductor device, 85 ° C./85% RH
Soldering was performed under conditions of 260 ° C. × 10 seconds for the ones left for 48 hours and the ones left for 72 hours in the atmosphere. Then, the number of package cracks generated after solder immersion was measured. The number of defective packages during molding and the number of package cracks after solder immersion are also shown in Tables 3 to 6 below.
【００４５】さらに、上記半導体装置について、各１０
個を３０Ｖのバイアス電圧をかけた状態でプレッシャー
クッカー槽（１２１℃×２気圧）内で２００時間放置し
た。その結果、半導体素子上のアルミニウム配線の腐食
による導通不良が発生した半導体装置数を測定した（Ｐ
ＣＢＴ試験）。これらの結果を下記の表３〜表６に併せ
て示した。Further, each of the above semiconductor devices has 10
The pieces were left for 200 hours in a pressure cooker tank (121 ° C. × 2 atm) with a bias voltage of 30 V applied. As a result, the number of semiconductor devices in which conduction failure occurred due to corrosion of aluminum wiring on the semiconductor element was measured (P
CBT test). The results are also shown in Tables 3 to 6 below.
【００４６】[0046]
【表３】 [Table 3]
【００４７】[0047]
【表４】 [Table 4]
【００４８】[0048]
【表５】 [Table 5]
【００４９】[0049]
【表６】 [Table 6]
【００５０】上記表３〜表６の結果から、比較例１およ
び２品は、成形性面では問題がなく、半田浸漬時の耐ク
ラック性も優れていたが、ＰＣＢＴ試験では全てにおい
て不良が発生した。また、比較例３および４品は、溶融
粘度が高く成形時に不良が発生した。このように、比較
例品は、半田時の耐クラック性，耐湿信頼性，成形性の
いずれかに劣っている。これに対して、実施例品は、全
ての評価結果において高い評価が得られた。このことか
ら、実施例品は、半田実装時の耐クラック性，高温高湿
度雰囲気下での保存信頼性および成形性の全てに優れて
いることがわかる。From the results of Tables 3 to 6 above, the products of Comparative Examples 1 and 2 had no problem in terms of moldability and were excellent in crack resistance at the time of solder dipping, but defects occurred in all in the PCBT test. did. Further, in Comparative Examples 3 and 4, the melt viscosity was high and defects occurred during molding. As described above, the comparative example product is inferior in any of crack resistance during soldering, moisture resistance reliability, and moldability. On the other hand, the example products were highly evaluated in all the evaluation results. From this, it is understood that the example product is excellent in crack resistance during solder mounting, storage reliability in a high temperature and high humidity atmosphere, and moldability.
【図１】スパイラルフロー試験金型の下型を示す平面図
である。FIG. 1 is a plan view showing a lower mold of a spiral flow test mold.
【図２】スパイラルフロー試験金型を示す断面図であ
る。FIG. 2 is a cross-sectional view showing a spiral flow test mold.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０８Ｇ 59/62 ＮＪＲ (72)発明者 坂本 正幸 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東 電工株式会社内─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Internal reference number FI Technical indication location C08G 59/62 NJR (72) Inventor Masayuki Sakamoto 1-2 Homzumi Shimohozumi, Ibaraki-shi, Osaka Nitto Electric Works Co., Ltd.
Claims (4)
ポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半
導体装置であって、上記エポキシ樹脂組成物の溶融粘度
（高化式フローテスターを用い１７５℃で測定した最低
溶融粘度）が１０〜１５０ポイズであり、かつプレッシ
ャークッカー状態（１６０℃×２０時間×１００％Ｒ
Ｈ）下で抽出される上記エポキシ樹脂組成物硬化物のア
ルカリ金属イオン含量が５ｐｐｍ以下、ハロゲンイオン
含量が５０ｐｐｍ以下、抽出水（１００メッシュパス硬
化粉に対して１０重量倍の水を使用）の電気伝導度が７
０μＶ／ｃｍ以下となるよう設定されていることを特徴
とする半導体装置。 （Ａ）ビフェニル型エポキシ樹脂。 （Ｂ）硬化剤。 （Ｃ）無機質充填剤。1. A semiconductor device obtained by encapsulating a semiconductor element with an epoxy resin composition containing the following components (A) to (C), wherein the epoxy resin composition has a higher melt viscosity (higher viscosity). The minimum melt viscosity measured at 175 ° C. using a flow tester is 10 to 150 poise and the pressure cooker state (160 ° C. × 20 hours × 100% R)
H) of the above-mentioned cured epoxy resin composition, the alkali metal ion content of which is 5 ppm or less, the halogen ion content of which is 50 ppm or less, and the extracted water (10 weight times of water is used for 100 mesh pass cured powder). Electric conductivity is 7
A semiconductor device, which is set to be 0 μV / cm or less. (A) Biphenyl type epoxy resin. (B) Hardener. (C) Inorganic filler.
アラルキル樹脂である請求項１記載の半導体装置。2. The semiconductor device according to claim 1, wherein the curing agent which is the component (B) is a phenol aralkyl resin.
ポキシ樹脂組成物であって、上記エポキシ樹脂組成物の
溶融粘度（高化式フローテスターを用い１７５℃で測定
した最低溶融粘度）が１０〜１５０ポイズであり、かつ
プレッシャークッカー状態（１６０℃×２０時間×１０
０％ＲＨ）下で抽出される上記エポキシ樹脂組成物硬化
物のアルカリ金属イオン含量が５ｐｐｍ以下、ハロゲン
イオン含量が５０ｐｐｍ以下、抽出水（１００メッシュ
パス硬化粉に対して１０重量倍の水を使用）の電気伝導
度が７０μＶ／ｃｍ以下となるような配合組成とされた
半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 （Ａ）ビフェニル型エポキシ樹脂。 （Ｂ）硬化剤。 （Ｃ）無機質充填剤。3. An epoxy resin composition containing the following components (A) to (C), wherein the epoxy resin composition has a melt viscosity (minimum melt viscosity measured at 175 ° C. using a Koka type flow tester). ) Is 10 to 150 poise and is in a pressure cooker state (160 ° C. × 20 hours × 10
The epoxy resin composition cured product extracted under 0% RH has an alkali metal ion content of 5 ppm or less, a halogen ion content of 50 ppm or less, and water is used in an amount of 10 times by weight relative to 100 mesh pass cured powder. The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation, which has a blending composition such that the electric conductivity of 1) is 70 μV / cm or less. (A) Biphenyl type epoxy resin. (B) Hardener. (C) Inorganic filler.
アラルキル樹脂である請求項３記載の半導体封止用エポ
キシ樹脂組成物。4. The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation according to claim 3, wherein the curing agent which is the component (B) is a phenol aralkyl resin.
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|---|---|---|---|
| JP5275524A JP3010110B2 (en) | 1993-11-04 | 1993-11-04 | Semiconductor device |
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|---|---|
| JP (1) | JP3010110B2 (en) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08243920A (en) * | 1994-11-21 | 1996-09-24 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Slurry viscosity adjusting device |
| EP0829501A2 (en) * | 1996-09-13 | 1998-03-18 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Epoxy resin composition and process for producing the same |
| KR100479853B1 (en) * | 2001-12-28 | 2005-03-30 | 제일모직주식회사 | Method for preparing epoxy resin composition for semiconductor encapsulant and the composition |
| US7098276B1 (en) | 1998-10-21 | 2006-08-29 | Nec Corporation | Flame-retardant epoxy resin composition and semiconductor device made using the same |
| KR100697937B1 (en) * | 2003-03-11 | 2007-03-20 | 스미토모 베이클라이트 가부시키가이샤 | Resin composition for encapsulating semiconductor chip and semiconductor device therewith |
| KR100697938B1 (en) * | 2003-03-25 | 2007-03-20 | 스미토모 베이클라이트 가부시키가이샤 | Resin composition for sealing semiconductor and semiconductor device using the same |
| US7291684B2 (en) | 2003-03-11 | 2007-11-06 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | Resin composition for encapsulating semiconductor chip and semiconductor device therewith |
| US7431990B2 (en) | 2004-05-27 | 2008-10-07 | Sumitomo Bakelite Co | Resin composition for encapsulating semiconductor chip and semiconductor device therewith |
| JP2009091424A (en) * | 2007-10-05 | 2009-04-30 | Namics Corp | Sealing agent for protective film layer |
| US7956136B2 (en) | 2004-07-22 | 2011-06-07 | Sumitomo Bakelite Company, Ltd. | Resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device |
| KR20120026573A (en) | 2009-06-03 | 2012-03-19 | 스미또모 베이크라이트 가부시키가이샤 | Resin composition for semiconductor encapsulation, and semiconductor device |
| US8138266B2 (en) | 2007-03-23 | 2012-03-20 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | Semiconductor-encapsulating resin composition and semiconductor device |
-
1993
- 1993-11-04 JP JP5275524A patent/JP3010110B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08243920A (en) * | 1994-11-21 | 1996-09-24 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Slurry viscosity adjusting device |
| EP0829501A2 (en) * | 1996-09-13 | 1998-03-18 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Epoxy resin composition and process for producing the same |
| EP0829501B1 (en) * | 1996-09-13 | 2005-05-11 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Epoxy resin composition and process for producing the same |
| US7799852B2 (en) | 1998-10-21 | 2010-09-21 | Nec Corporation | Composition of biphenyl epoxy resin, phenolbiphenylaralkyl resin and filler |
| US7098276B1 (en) | 1998-10-21 | 2006-08-29 | Nec Corporation | Flame-retardant epoxy resin composition and semiconductor device made using the same |
| KR100479853B1 (en) * | 2001-12-28 | 2005-03-30 | 제일모직주식회사 | Method for preparing epoxy resin composition for semiconductor encapsulant and the composition |
| KR100697937B1 (en) * | 2003-03-11 | 2007-03-20 | 스미토모 베이클라이트 가부시키가이샤 | Resin composition for encapsulating semiconductor chip and semiconductor device therewith |
| US7291684B2 (en) | 2003-03-11 | 2007-11-06 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | Resin composition for encapsulating semiconductor chip and semiconductor device therewith |
| KR100697938B1 (en) * | 2003-03-25 | 2007-03-20 | 스미토모 베이클라이트 가부시키가이샤 | Resin composition for sealing semiconductor and semiconductor device using the same |
| US7431990B2 (en) | 2004-05-27 | 2008-10-07 | Sumitomo Bakelite Co | Resin composition for encapsulating semiconductor chip and semiconductor device therewith |
| US7956136B2 (en) | 2004-07-22 | 2011-06-07 | Sumitomo Bakelite Company, Ltd. | Resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device |
| US8124695B2 (en) | 2004-07-22 | 2012-02-28 | Sumitomo Bakelite Company, Ltd. | Resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device |
| US8138266B2 (en) | 2007-03-23 | 2012-03-20 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | Semiconductor-encapsulating resin composition and semiconductor device |
| JP2009091424A (en) * | 2007-10-05 | 2009-04-30 | Namics Corp | Sealing agent for protective film layer |
| KR20120026573A (en) | 2009-06-03 | 2012-03-19 | 스미또모 베이크라이트 가부시키가이샤 | Resin composition for semiconductor encapsulation, and semiconductor device |
| US8883883B2 (en) | 2009-06-03 | 2014-11-11 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | Resin composition for encapsulating semiconductor and semiconductor device |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3010110B2 (en) | 2000-02-14 |
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