JPH07129279A - 半導体集積回路 - Google Patents

半導体集積回路

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JPH07129279A
JPH07129279A JP5275587A JP27558793A JPH07129279A JP H07129279 A JPH07129279 A JP H07129279A JP 5275587 A JP5275587 A JP 5275587A JP 27558793 A JP27558793 A JP 27558793A JP H07129279 A JPH07129279 A JP H07129279A
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JP
Japan
Prior art keywords
counter
output
reset signal
oscillator
semiconductor integrated
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP5275587A
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English (en)
Inventor
Hideyo Nakano
野 秀 世 中
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JFE Steel Corp
Original Assignee
Kawasaki Steel Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】電源電圧と基準電圧を比較し、期間の違う少な
くとも2種類の内部リセット信号から1つを選択するこ
とによって、最適な内部リセット信号を発生することが
できる半導体集積回路の提供。 【構成】一定周波数の出力パルスを発生する発振器と、
この発振器の出力パルスを計数して少なくとも2種のカ
ウント数の異なるカウンタ出力を発生するカウンタと、
このカウンタに対するカウンタリセット信号を発生する
カウンタリセット信号発生回路と、少なくとも1種の基
準電圧と電源電圧を比較するコンパレータと、前記少な
くとも2種のカウント数の異なるカウンタ出力を選択出
力するマルチプレクサを有し、このマルチプレクサは、
前記電源電圧が前記少なくとも1種の基準電圧より小さ
い場合ほど前記少なくとも2種のカウント数の異なるカ
ウンタ出力のうちより大きいカウント数のカウンタ出力
を選択出力するように前記コンパレータの比較結果によ
って制御されることにより上記目的を達成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路に関し、
特に、リセット回路の内部リセット信号を解除する時間
を可変とした半導体集積回路に関する。
【0002】
【従来の技術】従来より、半導体集積回路の内部回路を
リセットするために、リングオシレータ等の発振器の出
力パルスを予め、例えば半導体集積回路設計時に設定さ
れる設定値までカウントすることによって、この設定値
までカウントする期間、内部回路に対して内部リセット
信号を与えていた。ところが、発振器の出力パルスは電
源電圧の状態によって、安定するまでに必要とする時間
が変化するので、内部リセット信号の期間が適切になら
ない場合がある。
【0003】従来、発振器の電源投入直後の不安定な発
振出力による内部回路の誤動作を防ぐための従来の半導
体集積回路を図4に示す。同図に示す半導体集積回路
は、例えばリングオシレータ等の発振器1と、発振器1
の出力パルス(出力波形)CLKを計数し内部リセット
信号RSTを発生するカウンタ2と、カウンタ2をリセ
ットするためのカウンタリセット信号CLRを発生する
カウンタリセット信号発生回路3から構成されている。
【0004】同図に示す半導体集積回路において、電源
投入直後、カウンタリセット信号発生回路3はカウンタ
2に対するカウンタリセット信号CLRを発生する。こ
の時、カウンタ2の出力信号である内部リセット信号R
STは図示していない半導体集積回路の内部回路をリセ
ットするように設定される。次に、カウンタ2のカウン
タリセット信号CLRが解除された後、カウンタ2は発
振器1の出力パルスCLKを計数し始め、予め例えば半
導体集積回路設計時に設定された設定値になるまで発振
器1の出力パルスCLKを計数し続ける。その後、カウ
ンタ2はこの設定値になると、内部リセット信号RST
を発生し、図示していない半導体集積回路内部に対する
リセットが解除される。
【0005】さて、図2(a)に示すように、発振器1
の出力パルスCLKは電源投入直後は非常に不安定であ
る。また、電源電圧の大小によっても発振器1が安定す
るまでに必要な時間は変化するし、電源の電圧もいつも
同じであるとは限らない。しかし、カウンタ2は予め設
定された設定値までしかカウントしない。従って、内部
リセット信号RSTを発生させるために予め設定される
カウント数(設定値)を大きい値に設定すると、発振器
1は十分に安定させることができる。発振器1の立ち上
がりが早い時、この設定値があまり大きいと、内部回路
をリセットしている時間が必要以上に長くなり、電源投
入から内部回路を起動するまでの時間が必要以上に長く
なるという問題があった。逆に、内部リセット信号RS
Tを発生させるカウント数の設定値が小さいと、発振器
1の立ち上がりが遅い場合、発振器が十分に安定する前
に内部回路を起動することになってしまい、内部回路に
誤動作を生じさせたり、動作が保証されない等の問題が
あった。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、前記
従来技術に基づく問題点をかえりみて、電源電圧と基準
電圧を比較し、期間の違う少なくとも2種類の内部リセ
ット信号から1つを選択することによって、最適な内部
リセット信号を発生することができる半導体集積回路を
提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、一定周波数の出力パルスを発生する発振
器と、この発振器の出力パルスを計数して少なくとも2
種のカウント数の異なるカウンタ出力を発生するカウン
タと、このカウンタに対するカウンタリセット信号を発
生するカウンタリセット信号発生回路と、少なくとも1
種の基準電圧と電源電圧を比較するコンパレータと、前
記少なくとも2種のカウント数の異なるカウンタ出力を
選択出力するマルチプレクサを有し、このマルチプレク
サは、前記電源電圧が前記少なくとも1種の基準電圧よ
り小さい場合ほど前記少なくとも2種のカウント数の異
なるカウンタ出力のうちより大きいカウント数のカウン
タ出力を選択出力するように前記コンパレータの比較結
果によって制御されることを特徴とする半導体集積回路
を提供するものである。
【0008】
【発明の作用】本発明の半導体集積回路は、電源電圧と
少なくとも1種の基準電圧の電圧値を比較し、その比較
結果によって、カウンタに予め設定された期間の違う少
なくとも2種の内部リセット信号から1つを選択するこ
とによって、半導体集積回路内部に対する内部リセット
信号を解除するタイミングを発振器が十分に安定した後
の最適なタイミングとすることができる。
【0009】
【実施例】本発明に係わる半導体集積回路を、添付の図
面に示す好適実施例に基づいて詳細に説明する。
【0010】図1に本発明の半導体集積回路の一実施例
のブロック図を示す。同図に示す本発明の半導体集積回
路は、発振器1と、発振器1の出力パルス(出力波形)
CLKを計数しカウンタ出力Q1、Q2を発生するカウ
ンタ2と、カウンタ2をリセットするためのカウンタリ
セット信号CLRを発生するカウンタリセット信号発生
回路3と、電源電圧Vddと基準電圧Vrefとの電圧
値を比較して選択制御信号SELを発生するコンパレー
タ(電圧比較器)4と、選択制御信号SELによってカ
ウンタ出力Q1、Q2のいずれか一方を内部リセット信
号RSTとして選択出力するマルチプレクサ(選択出力
回路)5とから構成されている。
【0011】同図において、発振器1は、カウンタ2に
対して一定周波数の出力パルスCLKを発生する。発振
器1の回路例は、例えば奇数個のインバータをリング状
に直列接続して、接続した全てのインバータの出力伝搬
遅延時間を周波数とするパルスを発生するリングオシレ
ータ等であるが、本発明はこれに限定されず、一定周波
数の出力パルスCLKを発生できればどのような回路で
も良い。
【0012】次に、カウンタ2は、少なくとも2種の異
なるカウント数を予め、例えば半導体集積回路設計時に
設定されており、電源投入直後、カウンタリセット信号
発生回路3から出力されるカウンタリセット信号CLR
によって初期化され、カウンタリセット信号CLR解除
後、発振器1の出力パルスCLKを計数し始める。その
後、所定の設定値となった時点でマルチプレクサ5に対
してカウンタ出力Q1、Q2を出力する。本実施例で
は、カウンタ出力Q1、Q2にはそれぞれ小さい値、大
きい値が設定されているが、本発明はこれに限定され
ず、少なくとも2種の異なるカウント数を設定できれば
良く、例えばカウンタ出力は5種類でも10種類でも良
い。
【0013】次に、カウンタリセット信号発生回路3
は、電源投入直後にカウンタ2をリセットするためのカ
ウンタリセット信号CLRを発生する。カウンタリセッ
ト信号発生回路3の回路例は、例えば電源電圧Vddの
立ち上がりパルスを検出してカウンタリセット信号CL
Rを発生する微分回路や、発振器1の最初の出力を検出
してカウンタリセット信号CLRを発生するワンショッ
ト回路等であるが、本発明はこれに限定されず、電源投
入直後にカウンタ2をリセットするためのカウンタリセ
ット信号CLRを発生できれば良い。
【0014】次に、コンパレータ4は、電源電圧Vdd
と定電圧源である少なくとも1種の基準電圧Vrefと
の電圧値を比較し、マルチプレクサ5に対して選択制御
信号SELを発生する。例えば、基準電圧Vrefに5
Vが設定された場合、コンパレータ4は電源電圧Vdd
と基準電圧Vrefである5Vとを比較して、電源電圧
Vddが5Vよりも大きいか小さいかを判定する。ただ
し、本発明はこれに限定されず、電源電圧Vddと少な
くとも1種の基準電圧Vrefの電圧値とを比較して、
少なくとも1種の選択制御信号を発生できれば良く、例
えば5種類、例えば1V、2V、3V、4V、5Vの基
準電圧Vrefを用意し、5個のコンパレータを使用す
ることにより、5種類の選択制御信号を発生するように
すれば、電源電圧Vddの電圧値をより正確に検出する
ことができ、カウンタ2の設定値をより適切に選択制御
することができる。
【0015】最後に、マルチプレクサ5は、コンパレー
タ4から入力される少なくとも1種の選択制御信号SE
Lによって、カウンタ2から入力される少なくとも2種
のカウンタ出力Q1、Q2の中から1つを内部リセット
信号RSTとして選択出力する。なお、選択制御信号の
数およびカウンタ出力の数により、マルチプレクサ5の
回路構成が変化するが、本発明においては、少なくとも
1種の選択制御信号によって、少なくとも2種のカウン
タ出力の中から1つのカウンタ出力を内部リセット信号
RSTとして選択出力できればどのような回路でも良
い。
【0016】図1に示す半導体集積回路において、電源
投入直後、カウンタリセット信号発生回路3はカウンタ
2に対してカウンタリセット信号CLRを、例えばLO
Wレベルのワンショットパルスを発生する。この時、カ
ウンタ2の出力信号であるカウンタ出力Q1、Q2は共
にリセットされ、例えば共にLOWレベルとなるから、
選択制御信号SELの電圧レベルにかかわらずマルチプ
レクサ5の出力信号である内部リセット信号RSTは、
図示していない半導体集積回路の内部回路をリセットす
るように、例えばLOWレベルに設定される。
【0017】次に、カウンタリセット信号CLRが解除
された後、即ちカウンタリセット信号CLRがHIGH
レベルに戻った後、カウンタ2は発振器1の出力パルス
CLKを計数し始め、カウンタ2は予め設定された小さ
い方の値になると、カウンタ出力Q1に例えばHIGH
レベルを発生し、予め設定された大きい方の値になると
カウンタ出力Q2にHIGHレベルを発生する。
【0018】ここで、基準電圧Vrefが例えば5Vで
あり、電源電圧Vddが基準電圧Vrefの5Vよりも
大きな値、例えば5.2Vであった場合、コンパレータ
4の出力信号である選択制御信号SELの電圧レベル、
例えばHIGHレベルによって、マルチプレクサ5はカ
ウント数の設定が小さいカウンタ出力Q1を内部リセッ
ト信号RSTとして選択出力する。また、基準電圧Vr
efが例えば5Vであり、電源電圧Vddが基準電圧V
refの5Vよりも小さな値、例えば4.8Vであった
場合、コンパレータ4の出力信号である選択制御信号S
ELの電圧レベル、例えばLOWレベルによって、マル
チプレクサ5はカウント数の設定が大きいカウンタ出力
Q2を内部リセット信号RSTとして選択出力する。
【0019】従って、電源電圧Vddが基準電圧Vre
fよりも大きい時は、カウンタ出力Q1が内部リセット
信号RSTとして出力され、図示していない半導体集積
回路の内部回路に対するリセットが解除されるからリセ
ット期間が短くなり、電源電圧Vddが基準電圧Vre
fよりも小さい時は、カウンタ出力Q2が内部リセット
信号RSTとして出力され、図示していない半導体集積
回路の内部回路に対するリセットが解除されるからリセ
ット期間が長くなる。
【0020】次に、図2は、図1に示す半導体集積回路
において、電源電圧Vddが基準電圧Vrefよりも大
きい場合の動作を示すタイミングチャートである。ま
た、図3は、図1に示す半導体集積回路において、電源
電圧Vddが基準電圧Vrefよりも小さい場合の動作
を示すタイミングチャートである。
【0021】図2および図3の(a)に示すタイミング
チャートにおいて、発振器1の出力パルスCLKは、電
源投入直後から安定点6までの期間は不安定であり、安
定点6以降の期間は安定している。この安定点6の時間
的な位置、即ち、発振器1の出力パルスCLKが安定す
るまでに必要な時間は、電源電圧Vddの電圧によって
変化し、一般的に、図2の(b)に示すように基準電圧
Vrefよりも電源電圧Vddの方が大きい時は、発振
器1の出力パルスCLKが安定するまでに必要な時間は
短くなり、逆に図3の(b)に示すように基準電圧Vr
efよりも電源電圧Vddの方が小さい時は、発振器1
の出力パルスCLKが安定するまでに必要な時間は長く
なる。
【0022】従って、図1の半導体集積回路と、図2お
よび図3のタイミングチャートに示すように、本発明の
半導体集積回路は、基準電圧Vrefよりも電源電圧V
ddの方が大きい場合には、発振器1の出力パルスCL
Kが安定するまでに必要な時間は短くなるから、内部リ
セット信号RSTとしてカウンタ出力Q1が選択され
る。一方、基準電圧Vrefよりも電源電圧Vddの方
が小さい場合には、発振器1の出力パルスCLKが安定
するまでに必要な時間は長くなるから、内部リセット信
号RSTとしてカウンタ出力Q2が選択される。
【0023】このため、発振器1の出力パルスCLKが
安定してから、図1の半導体集積回路に示していない半
導体集積回路の内部回路に対してのリセットが解除され
るまでの期間を最適にすることができる。なお、本発明
においては、基準電圧Vrefを複数、例えば3V、4
V、5Vの3種類用意し、電源電圧Vddと基準電圧V
refの電圧値を比較することにより、より多くのカウ
ンタ2の設定値を設定することができ、より適切なタイ
ミングのカウンタ出力を内部リセット信号RSTとする
ことができる。
【0024】
【発明の効果】以上詳細に説明した様に、本発明の半導
体集積回路によれば、電源電圧と基準電圧を比較し、そ
の比較結果によって、カウンタに予め設定された期間の
違う少なくとも2種類のカウンタ出力から1つを選択
し、そのカウンタ出力を内部リセット信号とすることに
よって、半導体集積回路の内部回路に対する内部リセッ
ト信号を解除するタイミングを最適にすることに効果が
ある。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の半導体集積回路の一実施例のブロッ
ク図である。
【図2】 図1に示す本発明の半導体集積回路の動作を
示すタイムチャートである。
【図3】 図1に示す本発明の半導体集積回路の動作を
示すタイムチャートである。
【図4】 従来の半導体集積回路のブロック図である。
【符号の説明】
1 発振器 2 カウンタ 3 カウンタリセット信号発生回路 4 コンパレータ(電圧比較器) 5 マルチプレクサ(選択出力回路) 6 安定点 CLR カウンタリセット信号 CLK 出力パルス(出力波形) RST 内部リセット信号 Q1、Q2 カウンタ出力 Vdd 電源電圧 Vref 基準電圧 SEL 選択制御信号

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】一定周波数の出力パルスを発生する発振器
    と、この発振器の出力パルスを計数して少なくとも2種
    のカウント数の異なるカウンタ出力を発生するカウンタ
    と、このカウンタに対するカウンタリセット信号を発生
    するカウンタリセット信号発生回路と、少なくとも1種
    の基準電圧と電源電圧を比較するコンパレータと、前記
    少なくとも2種のカウント数の異なるカウンタ出力を選
    択出力するマルチプレクサを有し、このマルチプレクサ
    は、前記電源電圧が前記少なくとも1種の基準電圧より
    小さい場合ほど前記少なくとも2種のカウント数の異な
    るカウンタ出力のうちより大きいカウント数のカウンタ
    出力を選択出力するように前記コンパレータの比較結果
    によって制御されることを特徴とする半導体集積回路。
JP5275587A 1993-11-04 1993-11-04 半導体集積回路 Withdrawn JPH07129279A (ja)

Priority Applications (1)

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JP5275587A JPH07129279A (ja) 1993-11-04 1993-11-04 半導体集積回路

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JP5275587A JPH07129279A (ja) 1993-11-04 1993-11-04 半導体集積回路

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JP5275587A Withdrawn JPH07129279A (ja) 1993-11-04 1993-11-04 半導体集積回路

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JP (1) JPH07129279A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7965112B2 (en) 2006-09-29 2011-06-21 Mediatek Inc. Power-on reset circuits
US8816888B2 (en) 2012-10-04 2014-08-26 Fujitsu Semiconductor Limited Ad conversion circuit, semiconductor device, and ad conversion method

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7965112B2 (en) 2006-09-29 2011-06-21 Mediatek Inc. Power-on reset circuits
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Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20010130