JPH07128647A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPH07128647A JPH07128647A JP5276539A JP27653993A JPH07128647A JP H07128647 A JPH07128647 A JP H07128647A JP 5276539 A JP5276539 A JP 5276539A JP 27653993 A JP27653993 A JP 27653993A JP H07128647 A JPH07128647 A JP H07128647A
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- electric field
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 光透過率を低下させる透明導電膜が不要とな
り、明るい表示特性実現できる液晶表示装置を提供す
る。 【構成】 対向する一対の基板１，２に対して略平行な
電界が一対の駆動電極３，３間に発生するように、一対
の駆動電極３，３を一対の基板１，２の少なくとも一方
の内面に配置し、一対の基板１，２間に負の誘導率異方
性を示す高分子分散液晶５を封入し、一対の駆動電極間
に電圧を印加して電界を発生させ、液晶を駆動可能とし
たことを特徴とする。誘電率異方性が負（Δε＜０）の
液晶を用いているので、電界有では液晶分子は基板に垂
直に配向し、透明状態となり、電界無では液晶分子はラ
ンダムに配向し、散乱状態となる。
り、明るい表示特性実現できる液晶表示装置を提供す
る。 【構成】 対向する一対の基板１，２に対して略平行な
電界が一対の駆動電極３，３間に発生するように、一対
の駆動電極３，３を一対の基板１，２の少なくとも一方
の内面に配置し、一対の基板１，２間に負の誘導率異方
性を示す高分子分散液晶５を封入し、一対の駆動電極間
に電圧を印加して電界を発生させ、液晶を駆動可能とし
たことを特徴とする。誘電率異方性が負（Δε＜０）の
液晶を用いているので、電界有では液晶分子は基板に垂
直に配向し、透明状態となり、電界無では液晶分子はラ
ンダムに配向し、散乱状態となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ＴＶやコンピュータ
の画像表示端末として用いられる液晶表示装置に関する
ものである。
の画像表示端末として用いられる液晶表示装置に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】以下図面を参照しながら、従来の高分子
分散液晶を用いた液晶表示装置（以下ＰＤＬＣＤと通称
する，Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｄｉｓｐｅｒｓｅｄ Ｌｉｑｕ
ｉｄＣｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙの略称）、の一例
について説明する。図６は一般的な反射型ＰＤＬＣＤの
模式図であり、同図の左半分は電界無印加状態での模式
図であり、同図右半分は電界印加状態での模式図であ
る。上部基板１、下部基板２、カラー反射板４、ポリマ
ー分散液晶５、透明導電膜６、下部電極７が主要構成要
素である。電界無印加状態では、ポリマードロップレッ
ト中の液晶分子の方向はランダムであり、入射光は散乱
する。透明電極６と下部電極７の間に電圧を印加する
と、誘電率異方性が正（Δε＞０）の液晶を用いている
ので、液晶分子は基板に垂直に配向し、その結果光は透
過し、下部基板２上のカラー反射板４で反射され、その
画素は着色して見える。Ｒ，Ｇ，Ｂの３原色のカラー反
射板を設けておくとフルカラー表示が可能となる。ま
た、カラー反射板の替わりに黒色膜を配置すると、白黒
表示型のＬＣＤとなる。例えば、「特開平０３−２５６
０２４」では、非線形素子により駆動する反射型ＰＤＬ
ＣＤが示され、「特開平０３−１８６８１６」では、透
光性カラーフィルターを使用するカラーＰＤＬＣＤの概
念が示されている。
分散液晶を用いた液晶表示装置（以下ＰＤＬＣＤと通称
する，Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｄｉｓｐｅｒｓｅｄ Ｌｉｑｕ
ｉｄＣｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙの略称）、の一例
について説明する。図６は一般的な反射型ＰＤＬＣＤの
模式図であり、同図の左半分は電界無印加状態での模式
図であり、同図右半分は電界印加状態での模式図であ
る。上部基板１、下部基板２、カラー反射板４、ポリマ
ー分散液晶５、透明導電膜６、下部電極７が主要構成要
素である。電界無印加状態では、ポリマードロップレッ
ト中の液晶分子の方向はランダムであり、入射光は散乱
する。透明電極６と下部電極７の間に電圧を印加する
と、誘電率異方性が正（Δε＞０）の液晶を用いている
ので、液晶分子は基板に垂直に配向し、その結果光は透
過し、下部基板２上のカラー反射板４で反射され、その
画素は着色して見える。Ｒ，Ｇ，Ｂの３原色のカラー反
射板を設けておくとフルカラー表示が可能となる。ま
た、カラー反射板の替わりに黒色膜を配置すると、白黒
表示型のＬＣＤとなる。例えば、「特開平０３−２５６
０２４」では、非線形素子により駆動する反射型ＰＤＬ
ＣＤが示され、「特開平０３−１８６８１６」では、透
光性カラーフィルターを使用するカラーＰＤＬＣＤの概
念が示されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記の例で示すような
従来のＰＤＬＣＤでは、いずれも、基板１，２に平行に
配した透明導電膜６や金属膜でＰＤＬＣを挟み込む構成
になっており、透過型、反射型を問わず透明導電膜６を
透過した光を見るため、これによる光量損失が不可避で
あった。例えば、透明導電膜６として一般的なＩＴＯ膜
を使用すると、波長５５０ｎｍで光透過率は約９０％で
あり、２回透過すると１９％の光量損失が発生する。ま
た、前記「特開平０３−１８６８１６」では、ＰＤＬＣ
Ｄの散乱状態を白表示に用いているが、この方式では、
ＰＤＬＣＤの散乱効率が低いため、明るく、コントラス
トの高い表示が望めない欠点があった。
従来のＰＤＬＣＤでは、いずれも、基板１，２に平行に
配した透明導電膜６や金属膜でＰＤＬＣを挟み込む構成
になっており、透過型、反射型を問わず透明導電膜６を
透過した光を見るため、これによる光量損失が不可避で
あった。例えば、透明導電膜６として一般的なＩＴＯ膜
を使用すると、波長５５０ｎｍで光透過率は約９０％で
あり、２回透過すると１９％の光量損失が発生する。ま
た、前記「特開平０３−１８６８１６」では、ＰＤＬＣ
Ｄの散乱状態を白表示に用いているが、この方式では、
ＰＤＬＣＤの散乱効率が低いため、明るく、コントラス
トの高い表示が望めない欠点があった。
【０００４】また、透明導電膜６として一般的なＩＴＯ
膜はＩｎという希少金属を含むため、スパッタ用ターゲ
ットが高価格であり、さらに、エッチングに一般的に使
用するＨＩなどのエッチング液も高価なため、ＬＣＤの
製造コストを押し上げる要因の一つとなっている。ま
た、ＩＴＯ膜と他の金属の接触によるガルバニック腐食
がＬＣＤの製造歩留まりの低下の原因になるという課題
も広く指摘されている。
膜はＩｎという希少金属を含むため、スパッタ用ターゲ
ットが高価格であり、さらに、エッチングに一般的に使
用するＨＩなどのエッチング液も高価なため、ＬＣＤの
製造コストを押し上げる要因の一つとなっている。ま
た、ＩＴＯ膜と他の金属の接触によるガルバニック腐食
がＬＣＤの製造歩留まりの低下の原因になるという課題
も広く指摘されている。
【０００５】したがって、この発明の目的は、上記課題
に鑑み、光透過率を低下させる透明導電膜が不要とな
り、明るい表示特性が実現できる液晶表示装置を提供す
ることである。
に鑑み、光透過率を低下させる透明導電膜が不要とな
り、明るい表示特性が実現できる液晶表示装置を提供す
ることである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１の液晶表示装置
は、対向する一対の基板に対して略平行な電界が一対の
駆動電極間に発生するように、一対の駆動電極を一対の
基板の少なくとも一方の内面に配置し、一対の基板間に
負の誘導率異方性を示す高分子分散液晶を封入し、一対
の駆動電極間に電圧を印加して電界を発生させ、液晶を
駆動可能としたことを特徴とするものである。
は、対向する一対の基板に対して略平行な電界が一対の
駆動電極間に発生するように、一対の駆動電極を一対の
基板の少なくとも一方の内面に配置し、一対の基板間に
負の誘導率異方性を示す高分子分散液晶を封入し、一対
の駆動電極間に電圧を印加して電界を発生させ、液晶を
駆動可能としたことを特徴とするものである。
【０００７】請求項２の液晶表示装置は、請求項１の液
晶表示装置において、一対の駆動電極の間の一方の基板
の内面にカラー反射板を配置し、液晶中に黒色染料を分
散させ、電界無印加状態では入射光を染料により吸収さ
せ黒表示となり、電界印加状態では液晶を透明状態に
し、カラー反射板により、入射光を反射させ、カラー表
示とするものである。
晶表示装置において、一対の駆動電極の間の一方の基板
の内面にカラー反射板を配置し、液晶中に黒色染料を分
散させ、電界無印加状態では入射光を染料により吸収さ
せ黒表示となり、電界印加状態では液晶を透明状態に
し、カラー反射板により、入射光を反射させ、カラー表
示とするものである。
【０００８】請求項３の液晶表示装置は、請求項１の液
晶表示装置において、一対の駆動電極の間の一方の基板
の内面に黒色膜を配置し、電界無印加状態では、入射光
を散乱させ白表示となり、電界印加状態では液晶を透明
状態にし、黒色膜により、入射光を吸収して黒表示とす
るものである。
晶表示装置において、一対の駆動電極の間の一方の基板
の内面に黒色膜を配置し、電界無印加状態では、入射光
を散乱させ白表示となり、電界印加状態では液晶を透明
状態にし、黒色膜により、入射光を吸収して黒表示とす
るものである。
【０００９】
【作用】この発明の構成によれば、誘電率異方性が負
（Δε＜０）の液晶を用いているので、電界有では液晶
分子は基板に垂直に配向し、透明状態となり、電界無で
は液晶分子はランダムに配向し、散乱状態となる。ただ
し、液晶中に黒色染料を添加してゲスト・ホストモード
（ＧＨ−ｍｏｄｅ）とすると、染料は液晶分子と同方向
に配列するので、電界有では入射光は透過し、基板上の
カラー反射板で反射され、その画素は着色して見える。
電界無では黒色染料により入射光を吸収し、黒表示とな
る。また、基板上に黒色膜を配置すると、電界無状態で
は入射光を散乱させ白表示となり、電界有で液晶を透明
にし黒色膜で光を吸収させ黒表示となり、白黒画像表示
が可能である。
（Δε＜０）の液晶を用いているので、電界有では液晶
分子は基板に垂直に配向し、透明状態となり、電界無で
は液晶分子はランダムに配向し、散乱状態となる。ただ
し、液晶中に黒色染料を添加してゲスト・ホストモード
（ＧＨ−ｍｏｄｅ）とすると、染料は液晶分子と同方向
に配列するので、電界有では入射光は透過し、基板上の
カラー反射板で反射され、その画素は着色して見える。
電界無では黒色染料により入射光を吸収し、黒表示とな
る。また、基板上に黒色膜を配置すると、電界無状態で
は入射光を散乱させ白表示となり、電界有で液晶を透明
にし黒色膜で光を吸収させ黒表示となり、白黒画像表示
が可能である。
【００１０】これにより、光透過率または光反射率を低
下させる透明導電膜を省略することが可能になり、より
明るい表示特性を有するＰＤＬＣＤが実現する。また、
透明導電膜が不要となるため、製膜、パターニングなど
の製造工程が簡素化し、コストダウンが可能となる。
下させる透明導電膜を省略することが可能になり、より
明るい表示特性を有するＰＤＬＣＤが実現する。また、
透明導電膜が不要となるため、製膜、パターニングなど
の製造工程が簡素化し、コストダウンが可能となる。
【００１１】
【実施例】この発明の一実施例の液晶表示装置を図１に
基づいて説明する。図１はこの発明の一実施例の液晶表
示装置のＰＤＬＣＤの模式図であり、同図の左半分は電
界無印加状態での模式図であり、同図右半分は電界印加
状態での模式図である。この液晶表示装置は、対向する
上部基板１および下部基板２、下部基板２の内面に所定
間隔をおいて配置した一対の駆動電極３，３、これらの
駆動電極３，３間の下部基板２の内面に配置したカラー
反射板４、上部基板１と下部基板２の間に封入したポリ
マー分散液晶５を備えている。
基づいて説明する。図１はこの発明の一実施例の液晶表
示装置のＰＤＬＣＤの模式図であり、同図の左半分は電
界無印加状態での模式図であり、同図右半分は電界印加
状態での模式図である。この液晶表示装置は、対向する
上部基板１および下部基板２、下部基板２の内面に所定
間隔をおいて配置した一対の駆動電極３，３、これらの
駆動電極３，３間の下部基板２の内面に配置したカラー
反射板４、上部基板１と下部基板２の間に封入したポリ
マー分散液晶５を備えている。
【００１２】液晶５中に黒色染料を添加してゲスト・ホ
ストモードとし、電界無印加状態では、ポリマードロッ
プレット中の液晶分子の方向はランダムであり、黒色染
料もランダム配置のため入射光は吸収され黒表示とな
る。駆動電極３は、Ｔｉ（0.1μm ）／Ａｌ（２μm ）
２層膜とし、電極幅は３μm 、電極間隔は12.5μm とし
た。カラー反射板４はＡｌ反射膜の上にカラーフィルタ
ーを塗布した構成となっている。駆動電極３に電圧を印
加すると、基板１，２と平行方向に電界が発生し、誘電
率異方性が負（Δε＜０）の液晶を用いているので、液
晶分子は基板１，２に垂直に配向し、その結果光は透過
し、下部基板２上のカラー反射板４で反射され、その画
素は着色して見える。Ｒ，Ｇ，Ｂの３原色のカラー反射
板を設けておくとフルカラー表示が可能となる。以上の
実施例では黒色染料を添加したが、黒表示が不要であれ
ば、黒色染料を添加する必要はない。
ストモードとし、電界無印加状態では、ポリマードロッ
プレット中の液晶分子の方向はランダムであり、黒色染
料もランダム配置のため入射光は吸収され黒表示とな
る。駆動電極３は、Ｔｉ（0.1μm ）／Ａｌ（２μm ）
２層膜とし、電極幅は３μm 、電極間隔は12.5μm とし
た。カラー反射板４はＡｌ反射膜の上にカラーフィルタ
ーを塗布した構成となっている。駆動電極３に電圧を印
加すると、基板１，２と平行方向に電界が発生し、誘電
率異方性が負（Δε＜０）の液晶を用いているので、液
晶分子は基板１，２に垂直に配向し、その結果光は透過
し、下部基板２上のカラー反射板４で反射され、その画
素は着色して見える。Ｒ，Ｇ，Ｂの３原色のカラー反射
板を設けておくとフルカラー表示が可能となる。以上の
実施例では黒色染料を添加したが、黒表示が不要であれ
ば、黒色染料を添加する必要はない。
【００１３】また、カラー反射板４の替わりに黒色膜を
配置すると、白黒表示型のＬＣＤとなる。ただし、この
場合黒色染料は不要であり、電界無状態では、液晶分子
の方向はランダムとなるため入射光を散乱させ白表示と
なり、電界有で液晶分子は基板１，２に垂直に配向する
ため液晶５を透明にし黒色膜で光を吸収させ黒表示とな
る。これによって、現在の印刷物に近い明るく、鮮明な
白黒画像表示が可能である。
配置すると、白黒表示型のＬＣＤとなる。ただし、この
場合黒色染料は不要であり、電界無状態では、液晶分子
の方向はランダムとなるため入射光を散乱させ白表示と
なり、電界有で液晶分子は基板１，２に垂直に配向する
ため液晶５を透明にし黒色膜で光を吸収させ黒表示とな
る。これによって、現在の印刷物に近い明るく、鮮明な
白黒画像表示が可能である。
【００１４】上記の実施例では、駆動電極３に薄膜トラ
ンジスタやＭＩＭなどの非線形素子を使用していない構
成であるが、各画素に薄膜トランジスタやＭＩＭなどの
非線形素子を配置したアクティブマトリクスＬＣＤとし
てもよい。図２はこの発明の液晶表示装置に適応可能な
薄膜トランジスタ集積装置の１画素部の構造を示す平面
模式図、図３は図２のＡ−Ｂで示す線での断面模式図で
ある。基板１７、ゲートライン（ゲート電極）１０、信
号ライン１２、ドレインライン１３、対向電極ライン１
４、蓄積容量部１５、ゲート絶縁膜１６、コンタクトホ
ール１１が主要構成要素である。対向電極ライン１４に
ついては、ソース・ドレインレベルの対向電極ラインと
ゲートレベルの対向電極ラインを、ゲートレベルの対向
電極ラインの上のゲート絶縁膜１６に開口したコンタク
トホール１１を介して電気的に直接接続した構成をとっ
ている。すなわち、基板１７上にＡｌ膜を３５００Å成
膜し、ゲートライン１０とゲートレベルの対向電極ライ
ン１４をパターン化する。次に、陽極酸化により、Ａｌ
膜表面にＡｌ酸化膜を形成する。ただし、コンタクトホ
ール１１の近傍は陽極酸化してない。次に、ＰＣＶＤ法
等により、ＳｉＮx ／ａ−Ｓｉ：Ｈ／ＳｉＮx などの多
層膜を形成後パターン化してＴＦＴ部を作製する。イオ
ン注入法や成膜により高濃度ドープ層（ｎ+ 層）形成
後、ゲートレベルの対向電極ライン１４上の絶縁膜１６
にコンタクトホール１１を開口する。次に、Ｔｉ，Ｚ
ｒ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ａｌなどから構成する導電性単層
膜または多層膜を成膜後、ドレインライン１３、信号ラ
イン１２および対向電極ライン１４をパターン化する。
ゲートライン１０、信号ライン１２、対向電極ライン１
４は各々基板内の画素の端から端までラインとして連続
してつながっており、画素外で取り出し電極端子をパタ
ーン化している。この実施例では、Ｔｉ（膜厚１０００
Å）／Ａｌ（膜厚２μm ）の２層膜を使用した。図２に
示すように櫛形電極の電極間距離のａ1 ，ａ2 ，ａ3 ，
ａ4 は全て１２．５μm とし、ドレインライン１３と対
向電極の幅は３μm とした。蓄積容量部１５は対向電極
ライン１４とドレインライン１３との交差部に設けた。
保護膜としてＳｉＮ x 膜を２０００Å被覆し、その保護
膜上にポリイミド配向膜を塗布する。この場合、高分子
分散液晶のドロップレットは電界無の状態ではランダム
に配列しており、電界有では、ドレインライン１３と対
向電極ライン１４の間の電界の向きとは直角の方向に液
晶分子の長軸方向が揃うよう配列する。
ンジスタやＭＩＭなどの非線形素子を使用していない構
成であるが、各画素に薄膜トランジスタやＭＩＭなどの
非線形素子を配置したアクティブマトリクスＬＣＤとし
てもよい。図２はこの発明の液晶表示装置に適応可能な
薄膜トランジスタ集積装置の１画素部の構造を示す平面
模式図、図３は図２のＡ−Ｂで示す線での断面模式図で
ある。基板１７、ゲートライン（ゲート電極）１０、信
号ライン１２、ドレインライン１３、対向電極ライン１
４、蓄積容量部１５、ゲート絶縁膜１６、コンタクトホ
ール１１が主要構成要素である。対向電極ライン１４に
ついては、ソース・ドレインレベルの対向電極ラインと
ゲートレベルの対向電極ラインを、ゲートレベルの対向
電極ラインの上のゲート絶縁膜１６に開口したコンタク
トホール１１を介して電気的に直接接続した構成をとっ
ている。すなわち、基板１７上にＡｌ膜を３５００Å成
膜し、ゲートライン１０とゲートレベルの対向電極ライ
ン１４をパターン化する。次に、陽極酸化により、Ａｌ
膜表面にＡｌ酸化膜を形成する。ただし、コンタクトホ
ール１１の近傍は陽極酸化してない。次に、ＰＣＶＤ法
等により、ＳｉＮx ／ａ−Ｓｉ：Ｈ／ＳｉＮx などの多
層膜を形成後パターン化してＴＦＴ部を作製する。イオ
ン注入法や成膜により高濃度ドープ層（ｎ+ 層）形成
後、ゲートレベルの対向電極ライン１４上の絶縁膜１６
にコンタクトホール１１を開口する。次に、Ｔｉ，Ｚ
ｒ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ａｌなどから構成する導電性単層
膜または多層膜を成膜後、ドレインライン１３、信号ラ
イン１２および対向電極ライン１４をパターン化する。
ゲートライン１０、信号ライン１２、対向電極ライン１
４は各々基板内の画素の端から端までラインとして連続
してつながっており、画素外で取り出し電極端子をパタ
ーン化している。この実施例では、Ｔｉ（膜厚１０００
Å）／Ａｌ（膜厚２μm ）の２層膜を使用した。図２に
示すように櫛形電極の電極間距離のａ1 ，ａ2 ，ａ3 ，
ａ4 は全て１２．５μm とし、ドレインライン１３と対
向電極の幅は３μm とした。蓄積容量部１５は対向電極
ライン１４とドレインライン１３との交差部に設けた。
保護膜としてＳｉＮ x 膜を２０００Å被覆し、その保護
膜上にポリイミド配向膜を塗布する。この場合、高分子
分散液晶のドロップレットは電界無の状態ではランダム
に配列しており、電界有では、ドレインライン１３と対
向電極ライン１４の間の電界の向きとは直角の方向に液
晶分子の長軸方向が揃うよう配列する。
【００１５】なお、前記図２は薄膜トランジスタ集積装
置の完成平面図であるが、製造工程順の解説図を図４お
よび図５に示す。ゲート電極１０および対向電極ライン
１４のパターンを形成した状態を図４に、次に、コンタ
クトホール１１およびＴＦＴ部１７のパターン形成した
状態を図５に示す。この後、信号ライン１２、ドレイン
ライン１３および対向電極ライン１４を形成して図２の
完成図に至る。なお、対向電極ライン１４はゲートレベ
ルのバスライン部と画素内で櫛形電極の片側を形成する
ソース・ドレインレベルの部分がコンタクトホール１１
を介して電気的に接続された構成を取っており、各部を
総称して対向電極ライン１４としている。
置の完成平面図であるが、製造工程順の解説図を図４お
よび図５に示す。ゲート電極１０および対向電極ライン
１４のパターンを形成した状態を図４に、次に、コンタ
クトホール１１およびＴＦＴ部１７のパターン形成した
状態を図５に示す。この後、信号ライン１２、ドレイン
ライン１３および対向電極ライン１４を形成して図２の
完成図に至る。なお、対向電極ライン１４はゲートレベ
ルのバスライン部と画素内で櫛形電極の片側を形成する
ソース・ドレインレベルの部分がコンタクトホール１１
を介して電気的に接続された構成を取っており、各部を
総称して対向電極ライン１４としている。
【００１６】以上の実施例に述べたように、この発明の
液晶表示装置では、基板上に配置した電極間に電圧を印
加し、基板面にほぼ水平方向に電界を発生させ、負の誘
電率異方性を示す高分子分散液晶を駆動する構成をとる
ことを特徴とし、この方法により、光透過率を低下させ
る透明導電膜が不要となり、明るいＬＣＤが実現する。
液晶表示装置では、基板上に配置した電極間に電圧を印
加し、基板面にほぼ水平方向に電界を発生させ、負の誘
電率異方性を示す高分子分散液晶を駆動する構成をとる
ことを特徴とし、この方法により、光透過率を低下させ
る透明導電膜が不要となり、明るいＬＣＤが実現する。
【００１７】なお、上記実施例では、基板に水平な方向
に電界を発生させる電極は片側の基板上に全て存在し、
もう一方の基板には電極は無いという構成を取ったが、
実際には電極の片側を対面基板側に移動させた構成を取
っても、同様の効果が期待できることは明かである。
に電界を発生させる電極は片側の基板上に全て存在し、
もう一方の基板には電極は無いという構成を取ったが、
実際には電極の片側を対面基板側に移動させた構成を取
っても、同様の効果が期待できることは明かである。
【００１８】
【発明の効果】この発明の液晶表示装置によれば、誘電
率異方性が負（Δε＜０）の液晶を用いているので、電
界有では液晶分子は基板に垂直に配向し、透明状態とな
り、電界無では液晶分子はランダムに配向し、散乱状態
となる。ただし、液晶中に黒色染料を添加してゲスト・
ホストモード（ＧＨ−ｍｏｄｅ）とすると、染料は液晶
分子と同方向に配列するので、電界有では入射光は透過
し、基板上のカラー反射板で反射され、その画素は着色
して見える。電界無では黒色染料により入射光を吸収
し、黒表示となる。また、基板上に黒色膜を配置する
と、電界無状態では入射光を散乱させ白表示となり、電
界有で液晶を透明にし黒色膜で光を吸収させ黒表示とな
り、白黒画像表示が可能である。
率異方性が負（Δε＜０）の液晶を用いているので、電
界有では液晶分子は基板に垂直に配向し、透明状態とな
り、電界無では液晶分子はランダムに配向し、散乱状態
となる。ただし、液晶中に黒色染料を添加してゲスト・
ホストモード（ＧＨ−ｍｏｄｅ）とすると、染料は液晶
分子と同方向に配列するので、電界有では入射光は透過
し、基板上のカラー反射板で反射され、その画素は着色
して見える。電界無では黒色染料により入射光を吸収
し、黒表示となる。また、基板上に黒色膜を配置する
と、電界無状態では入射光を散乱させ白表示となり、電
界有で液晶を透明にし黒色膜で光を吸収させ黒表示とな
り、白黒画像表示が可能である。
【００１９】この方法により、光透過率または光反射率
を低下させる透明導電膜を省略するこれにより、より明
るい表示特性を有するＰＤＬＣＤが実現する。また、透
明導電膜が不要となるため、製膜、パターニングなどの
製造工程が簡素化し、製造原価の低減と高い製造歩留ま
りが得られる。
を低下させる透明導電膜を省略するこれにより、より明
るい表示特性を有するＰＤＬＣＤが実現する。また、透
明導電膜が不要となるため、製膜、パターニングなどの
製造工程が簡素化し、製造原価の低減と高い製造歩留ま
りが得られる。
【図１】この発明の一実施例の液晶表示装置で電源ｏｆ
ｆ（左半分）と電源ｏｎ（右半分）の場合に分けて示し
た模式図である。
ｆ（左半分）と電源ｏｎ（右半分）の場合に分けて示し
た模式図である。
【図２】この発明の一実施例の液晶表示装置に用いる薄
膜トランジスター集積装置の１画素部の構造を示す平面
模式図である。
膜トランジスター集積装置の１画素部の構造を示す平面
模式図である。
【図３】図２のＡ−Ｂで示す線での断面模式図である。
【図４】薄膜トランジスタ集積装置の製造工程の説明図
である。
である。
【図５】図４の次の製造工程の説明図である。
【図６】従来例の液晶表示装置で電源ｏｆｆ（左半分）
と電源ｏｎ（右半分）の場合に分けて示した模式図であ
る。
と電源ｏｎ（右半分）の場合に分けて示した模式図であ
る。
１ 上部基板 ２ 下部基板 ３ 駆動電極 ４ カラー反射板 ５ ポリマー分散液晶
Claims (3)
- 【請求項１】 対向する一対の基板に対して略平行な電
界が一対の駆動電極間に発生するように、一対の前記駆
動電極を一対の前記基板の少なくとも一方の内面に配置
し、一対の前記基板間に負の誘導率異方性を示す高分子
分散液晶を封入し、一対の前記駆動電極間に電圧を印加
して前記電界を発生させ、前記液晶を駆動可能としたこ
とを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 一対の駆動電極の間の一方の基板の内面
にカラー反射板を配置し、液晶中に黒色染料を分散さ
せ、電界無印加状態では入射光を染料により吸収させ黒
表示となり、電界印加状態では液晶を透明状態にし、前
記カラー反射板により、入射光を反射させ、カラー表示
とする請求項１記載の液晶表示装置。 - 【請求項３】 一対の駆動電極の間の一方の基板の内面
に黒色膜を配置し、電界無印加状態では、入射光を散乱
させ白表示となり、電界印加状態では液晶を透明状態に
し、前記黒色膜により、入射光を吸収して黒表示とする
請求項１記載の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05276539A JP3074101B2 (ja) | 1993-11-05 | 1993-11-05 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05276539A JP3074101B2 (ja) | 1993-11-05 | 1993-11-05 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07128647A true JPH07128647A (ja) | 1995-05-19 |
| JP3074101B2 JP3074101B2 (ja) | 2000-08-07 |
Family
ID=17570890
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05276539A Expired - Lifetime JP3074101B2 (ja) | 1993-11-05 | 1993-11-05 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3074101B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0964048A1 (en) | 1998-06-10 | 1999-12-15 | Chisso Corporation | Liquid crystalline compound having negative dielectric anisotropy value, liquid crystal composition containing the liquid crystal compound, and liquid crystal display element produced utilizing the liquid crystal composition |
| EP0967261A1 (en) | 1998-06-25 | 1999-12-29 | Chisso Corporation | Liquid crystal compound having negative dielectric anisotropy, liquid crystal composition containing said liquid crystal compound and liquid crystal display device using said composition |
| US6337726B1 (en) | 1998-02-24 | 2002-01-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Array substrate for liquid crystal display element |
| US6429914B1 (en) | 1997-12-17 | 2002-08-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Polymer dispersion type liquid crystal display panel and its manufacturing method |
| US6697129B1 (en) | 1996-02-14 | 2004-02-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Guest-host mode liquid crystal display device of lateral electric field driving type |
| US7038754B2 (en) | 1996-01-26 | 2006-05-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal electro-optical device |
| KR100805792B1 (ko) * | 2005-12-21 | 2008-02-21 | (재)대구경북과학기술연구원 | 고분자 분산형 액정 표시 장치 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105204241B (zh) | 2014-06-20 | 2021-05-07 | 三星显示有限公司 | 液晶显示器 |
-
1993
- 1993-11-05 JP JP05276539A patent/JP3074101B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (13)
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| US7728942B2 (en) | 1996-01-26 | 2010-06-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal electro-optical device |
| US7136128B2 (en) | 1996-01-26 | 2006-11-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal electro-optical device |
| US7511776B2 (en) | 1996-02-14 | 2009-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal electro-optical device and method of driving the same |
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| US6337726B1 (en) | 1998-02-24 | 2002-01-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Array substrate for liquid crystal display element |
| EP0964048A1 (en) | 1998-06-10 | 1999-12-15 | Chisso Corporation | Liquid crystalline compound having negative dielectric anisotropy value, liquid crystal composition containing the liquid crystal compound, and liquid crystal display element produced utilizing the liquid crystal composition |
| EP0967261A1 (en) | 1998-06-25 | 1999-12-29 | Chisso Corporation | Liquid crystal compound having negative dielectric anisotropy, liquid crystal composition containing said liquid crystal compound and liquid crystal display device using said composition |
| KR100805792B1 (ko) * | 2005-12-21 | 2008-02-21 | (재)대구경북과학기술연구원 | 고분자 분산형 액정 표시 장치 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3074101B2 (ja) | 2000-08-07 |
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