JPH07128630A - 3次元画像撮像装置 - Google Patents
3次元画像撮像装置Info
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- JPH07128630A JPH07128630A JP5271899A JP27189993A JPH07128630A JP H07128630 A JPH07128630 A JP H07128630A JP 5271899 A JP5271899 A JP 5271899A JP 27189993 A JP27189993 A JP 27189993A JP H07128630 A JPH07128630 A JP H07128630A
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- Japan
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- pinhole
- dimensional image
- pin hole
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- light
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- Liquid Crystal (AREA)
- Processing Or Creating Images (AREA)
- Testing, Inspecting, Measuring Of Stereoscopic Televisions And Televisions (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 任意の視点から自由に見られる3次元画像を
電気的に撮像できる3次元画像撮像装置装置を提供す
る。 【構成】 ピンホールアレーとして、画素をピンホール
と見なせる液晶ライトバルブ10を使用し、各ピンホー
ルPHの光の透過と遮断を水平方向に順次走査する。一
つのピンホールPHによる光学像の範囲Aをラインセン
サ20で上下に副走査し、その光学像を電気信号に変換
する。このように、液晶のシャッタ機能を用いたピンホ
ール走査により各ピンホールPHの通過光同志が混じり
あわないようにし、ピンホールの高密度化によって高精
細な画像を撮像可能にする。同時に、視野角拡大を可能
にし、ラインセンサ20を用いてピンホールPHの光学
像を電気信号に変換する場合でも、角度に対する分解能
を高くし、ピンホールアレーを用いた3次元画像の電気
的な撮像を可能とする。
電気的に撮像できる3次元画像撮像装置装置を提供す
る。 【構成】 ピンホールアレーとして、画素をピンホール
と見なせる液晶ライトバルブ10を使用し、各ピンホー
ルPHの光の透過と遮断を水平方向に順次走査する。一
つのピンホールPHによる光学像の範囲Aをラインセン
サ20で上下に副走査し、その光学像を電気信号に変換
する。このように、液晶のシャッタ機能を用いたピンホ
ール走査により各ピンホールPHの通過光同志が混じり
あわないようにし、ピンホールの高密度化によって高精
細な画像を撮像可能にする。同時に、視野角拡大を可能
にし、ラインセンサ20を用いてピンホールPHの光学
像を電気信号に変換する場合でも、角度に対する分解能
を高くし、ピンホールアレーを用いた3次元画像の電気
的な撮像を可能とする。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、多数のピンホールを用
い、任意の視点から自由に見られる3次元画像を撮像す
る装置に関するものである。
い、任意の視点から自由に見られる3次元画像を撮像す
る装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】まず、任意の視点から自由にみられる3
次元画像について図8により説明する。図8において、
SCはスクリーンであり、このスクリーンSC上に上記
の3次元画像として物体fとgがあたかも図示の位置に
あるかの如く表示されることとする。いま、スクリーン
SCを2つの視点P1およびP2から見るとして、例え
ばスクリーンSC上のS4で示す位置の輝度を考える。
視点P1から見た場合、S4には物体gとg1の位置が
見えるはずであり、したがってS4はg1の明るさとな
る。一方、視点P2から見た場合はS4には物体fのf
2の位置が見えるはずであり、したがってS4はf2の
明るさとしなければならない。すなわち、任意の視点か
ら自由に見られる3次元画像とは表示面上の各点から発
する光の強度や色が方向により異なる画像であり、この
ような画像は表示面上の各点において方向ごとに輝度や
色を制御できる表示デバイスによって提供される。
次元画像について図8により説明する。図8において、
SCはスクリーンであり、このスクリーンSC上に上記
の3次元画像として物体fとgがあたかも図示の位置に
あるかの如く表示されることとする。いま、スクリーン
SCを2つの視点P1およびP2から見るとして、例え
ばスクリーンSC上のS4で示す位置の輝度を考える。
視点P1から見た場合、S4には物体gとg1の位置が
見えるはずであり、したがってS4はg1の明るさとな
る。一方、視点P2から見た場合はS4には物体fのf
2の位置が見えるはずであり、したがってS4はf2の
明るさとしなければならない。すなわち、任意の視点か
ら自由に見られる3次元画像とは表示面上の各点から発
する光の強度や色が方向により異なる画像であり、この
ような画像は表示面上の各点において方向ごとに輝度や
色を制御できる表示デバイスによって提供される。
【0003】以上から、任意の視点から自由にみられる
3次元画像を撮影するということは、表示面上の各点に
対応する撮像面上の各点においてその点に達する光の強
度を方向別にセンシングするということである。このよ
うな技術として多数のピンホールを用いる方法が知られ
ている。図9に従来のピンホールを用いた3次元画像の
撮像技術を示す。
3次元画像を撮影するということは、表示面上の各点に
対応する撮像面上の各点においてその点に達する光の強
度を方向別にセンシングするということである。このよ
うな技術として多数のピンホールを用いる方法が知られ
ている。図9に従来のピンホールを用いた3次元画像の
撮像技術を示す。
【0004】図9において、5は写真乾板、6は光遮断
物、PHは光遮断物6に開けられたピンホールである。
図9に示すように従来の方法では、撮像面上に多数のピ
ンホールPHを配列し、ピンホールPHを通過した光を
写真乾板を用いて記録する。すなわち、各々のピンホー
ルPHによる光学像を撮影する。図9に示す従来の方法
では、隣接するピンホールPHからの光が同一写真乾板
5上に達しないように光遮断物6によってピンホールP
Hと写真乾板5間の空間が遮断されている。図9に示す
構成で光の強度を方向別にセンシングできるのは、例え
ばq1で示す方向からピンホールPHに達した光はその
延長線上のR2の位置で写真乾板5に記録され、またq
2で示す方向からの光は同様にR2の位置で写真乾板5
に記録されるといったように、写真乾板5の位置に対応
して方向別の光強度がセンシングされて記録されるため
である。
物、PHは光遮断物6に開けられたピンホールである。
図9に示すように従来の方法では、撮像面上に多数のピ
ンホールPHを配列し、ピンホールPHを通過した光を
写真乾板を用いて記録する。すなわち、各々のピンホー
ルPHによる光学像を撮影する。図9に示す従来の方法
では、隣接するピンホールPHからの光が同一写真乾板
5上に達しないように光遮断物6によってピンホールP
Hと写真乾板5間の空間が遮断されている。図9に示す
構成で光の強度を方向別にセンシングできるのは、例え
ばq1で示す方向からピンホールPHに達した光はその
延長線上のR2の位置で写真乾板5に記録され、またq
2で示す方向からの光は同様にR2の位置で写真乾板5
に記録されるといったように、写真乾板5の位置に対応
して方向別の光強度がセンシングされて記録されるため
である。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】以上に述べたピンホー
ルを用いる3次元画像の撮像において、撮像の精細度を
高めるにはピンホールの密度を高くする必要がある。し
かし、上記従来の技術にはピンホールを高密度に配列で
きないという欠点があった。すなわち、図9から明らか
なように各ピンホールPHに対応する写真乾板5の領域
は隣接するピンホールPHからの光が混じらないように
光遮断物6で隔離されているため、そのサイズWはピン
ホールPHの間隔に等しくなり、ピンホールPHを高密
度に配列するとWは小さくなる。Wが小さくなると撮像
の視野角が狭くなる。ピンホールPHと写真乾板5の距
離を小さくすれば視野を大きくすることは可能である
が、この場合は角度に対する分解能が小さくなる。
ルを用いる3次元画像の撮像において、撮像の精細度を
高めるにはピンホールの密度を高くする必要がある。し
かし、上記従来の技術にはピンホールを高密度に配列で
きないという欠点があった。すなわち、図9から明らか
なように各ピンホールPHに対応する写真乾板5の領域
は隣接するピンホールPHからの光が混じらないように
光遮断物6で隔離されているため、そのサイズWはピン
ホールPHの間隔に等しくなり、ピンホールPHを高密
度に配列するとWは小さくなる。Wが小さくなると撮像
の視野角が狭くなる。ピンホールPHと写真乾板5の距
離を小さくすれば視野を大きくすることは可能である
が、この場合は角度に対する分解能が小さくなる。
【0006】上記従来のピンホールを用いる3次元画像
の撮像技術は、3次元画像情報を写真乾板に光学的に記
録する方法であるが、写真乾板の位置に受光素子アレー
を配置すれば画像情報を電気信号としてとらえることが
原理的には可能である。しかし、受光素子アレーの解像
度は写真乾板の解像度に比べ約1桁小さいため、前述の
角度に対する分解能が著しく小さくなり、このため従来
の方法による3次元画像の電気的撮像の実現性は極めて
乏しいのが現状である。
の撮像技術は、3次元画像情報を写真乾板に光学的に記
録する方法であるが、写真乾板の位置に受光素子アレー
を配置すれば画像情報を電気信号としてとらえることが
原理的には可能である。しかし、受光素子アレーの解像
度は写真乾板の解像度に比べ約1桁小さいため、前述の
角度に対する分解能が著しく小さくなり、このため従来
の方法による3次元画像の電気的撮像の実現性は極めて
乏しいのが現状である。
【0007】本発明は、このような課題を解決するため
になされたものであり、その目的は、任意の視点から自
由に見られる3次元画像を電気的に撮像できる3次元画
像撮像装置装置を提供する。
になされたものであり、その目的は、任意の視点から自
由に見られる3次元画像を電気的に撮像できる3次元画
像撮像装置装置を提供する。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明の3次元画像撮像装置は、ピンホールアレー
を備え、各々のピンホールアレーがつくる光学像を撮像
することにより3次元画像を撮像する装置において、ピ
ンホールアレーにおける各々のピンホールが独立に光の
透過と遮断を制御する手段を備え、かつピンホールを通
過した光の1次元的または2次元的強度分布を電気信号
に変換する手段を備える。
め、本発明の3次元画像撮像装置は、ピンホールアレー
を備え、各々のピンホールアレーがつくる光学像を撮像
することにより3次元画像を撮像する装置において、ピ
ンホールアレーにおける各々のピンホールが独立に光の
透過と遮断を制御する手段を備え、かつピンホールを通
過した光の1次元的または2次元的強度分布を電気信号
に変換する手段を備える。
【0009】
【作用】本発明の3次元画像撮像装置では、ピンホール
アレーの各ピンホールに備えた光の透過と遮断を独立に
制御する手段を用い、各ピンホールの通過光同志が混じ
りあわないように走査可能とすることにより、ピンホー
ルの高密度化と視野角拡大を可能とする。これにより、
高精細な画像の撮像を可能にするとともに、ピンホール
の通過光の強度分布を電気信号に変換する手段を用いた
場合でも角度に対する分解能を高めて、ピンホールアレ
ーを用いた3次元画像の電気的な撮像を可能とする。
アレーの各ピンホールに備えた光の透過と遮断を独立に
制御する手段を用い、各ピンホールの通過光同志が混じ
りあわないように走査可能とすることにより、ピンホー
ルの高密度化と視野角拡大を可能とする。これにより、
高精細な画像の撮像を可能にするとともに、ピンホール
の通過光の強度分布を電気信号に変換する手段を用いた
場合でも角度に対する分解能を高めて、ピンホールアレ
ーを用いた3次元画像の電気的な撮像を可能とする。
【0010】
【実施例】以下、本発明の実施例を図を用いて詳しく説
明する。
明する。
【0011】まず、本発明により高精細な3次元画像が
撮像できる原理を、図1に示す1次元的に表した原理図
により説明する。図1において、1はピンホールアレ
ー、2は受光素子アレー、PH1〜PH8はピンホール
である。本発明の3次元画像撮像装置では、各々のピン
ホールPH1〜PH8が独立に光の透過と遮断を制御す
るシャッタ機能を有し、これらピンホールPH1〜PH
8のシャッタを1つづつ開け、ピンホール通過光の強度
分布を受光素子アレー2で電気信号に順次変換する。例
えばいま図1において、ピンホールPH1のシャッタを
開とすると、他のピンホールのシャッタは閉にする。し
たがって、受光素子アレー2上にはピンホールPH1か
らの光だけが達し、他のピンホールからの光は達しな
い。このときの受光素子アレー2上の光強度分布情報を
光電変換して転送した後、ピンホールPH1のシャッタ
を閉じ、次にピンホールPH2のシャッタを開け、同様
に受光素子アレー2上の光強度分布情報を光電変換して
転送する。以下、同様にしてPH3、PH4、…と順次
ピンホールのシャッタを開け(以下、この動作のことを
ピンホール走査とよぶ)、上記動作を繰り返す。
撮像できる原理を、図1に示す1次元的に表した原理図
により説明する。図1において、1はピンホールアレ
ー、2は受光素子アレー、PH1〜PH8はピンホール
である。本発明の3次元画像撮像装置では、各々のピン
ホールPH1〜PH8が独立に光の透過と遮断を制御す
るシャッタ機能を有し、これらピンホールPH1〜PH
8のシャッタを1つづつ開け、ピンホール通過光の強度
分布を受光素子アレー2で電気信号に順次変換する。例
えばいま図1において、ピンホールPH1のシャッタを
開とすると、他のピンホールのシャッタは閉にする。し
たがって、受光素子アレー2上にはピンホールPH1か
らの光だけが達し、他のピンホールからの光は達しな
い。このときの受光素子アレー2上の光強度分布情報を
光電変換して転送した後、ピンホールPH1のシャッタ
を閉じ、次にピンホールPH2のシャッタを開け、同様
に受光素子アレー2上の光強度分布情報を光電変換して
転送する。以下、同様にしてPH3、PH4、…と順次
ピンホールのシャッタを開け(以下、この動作のことを
ピンホール走査とよぶ)、上記動作を繰り返す。
【0012】以上の方法においては、受光素子アレー2
上には常に1つのピンホールからの光だけが達するた
め、光電変換時に隣接するピンホールからの光が混じり
あうことはない。したがって、例えば受光素子アレー2
上でピンホールPH1及びPH2から光が達する範囲を
それぞれAREA1、AREA2とすると、図1のよう
にAREA1とAREA2が重なりあってもよく、した
がってピンホールの間隔を加工限界まで小さくすること
が可能となる。また、このように受光素子アレー2上で
隣接するピンホールからの光の達する範囲が重なりあっ
てもよいことから、ピンホールアレー1と受光素子アレ
ー2の距離を大きくして1つのピンホールから受光素子
アレー2上に達する光の範囲を広くすることが可能にな
り、この結果、受光素子アレー2を用いても前述の角度
に対する分解能を十分高くすることができる。
上には常に1つのピンホールからの光だけが達するた
め、光電変換時に隣接するピンホールからの光が混じり
あうことはない。したがって、例えば受光素子アレー2
上でピンホールPH1及びPH2から光が達する範囲を
それぞれAREA1、AREA2とすると、図1のよう
にAREA1とAREA2が重なりあってもよく、した
がってピンホールの間隔を加工限界まで小さくすること
が可能となる。また、このように受光素子アレー2上で
隣接するピンホールからの光の達する範囲が重なりあっ
てもよいことから、ピンホールアレー1と受光素子アレ
ー2の距離を大きくして1つのピンホールから受光素子
アレー2上に達する光の範囲を広くすることが可能にな
り、この結果、受光素子アレー2を用いても前述の角度
に対する分解能を十分高くすることができる。
【0013】以上説明したように、本発明では、ピンホ
ール密度を高めることが可能であり、高精細な3次元画
像が撮像でき、また受光素子アレーを用いても角度に対
する分解能を高くすることができ、ピンホールによる3
次元画像の電気的な撮影が可能となる。
ール密度を高めることが可能であり、高精細な3次元画
像が撮像でき、また受光素子アレーを用いても角度に対
する分解能を高くすることができ、ピンホールによる3
次元画像の電気的な撮影が可能となる。
【0014】[実施例1]本発明の第1の実施例の概略
構成を図2に示す。図2において、10はアクティブマ
トリクス方式の液晶ライトバブル、20はラインセンサ
である。
構成を図2に示す。図2において、10はアクティブマ
トリクス方式の液晶ライトバブル、20はラインセンサ
である。
【0015】本実施例では表示素子として使用されるア
クティブマトリクス方式の液晶ライトバブル10を用い
てピンホール走査を行う。周知のように表示素子として
使用される液晶ライトバブルは2次元状に配列された多
数の画素から構成され、各画素が独立に光の透過率を制
御することができる。したがって、個々の画素をピンホ
ールと見なせば上記ピンホール走査が可能である。本実
施例では図2に示すように液晶ライトバブル10の最上
ラインから1ラインずつ水平方向の左端の画素から右方
向に向かって順次透過状態とするピンホール走査を行
う。
クティブマトリクス方式の液晶ライトバブル10を用い
てピンホール走査を行う。周知のように表示素子として
使用される液晶ライトバブルは2次元状に配列された多
数の画素から構成され、各画素が独立に光の透過率を制
御することができる。したがって、個々の画素をピンホ
ールと見なせば上記ピンホール走査が可能である。本実
施例では図2に示すように液晶ライトバブル10の最上
ラインから1ラインずつ水平方向の左端の画素から右方
向に向かって順次透過状態とするピンホール走査を行
う。
【0016】本実施例では、上記ピンホール走査を用
い、各ピンホールによる光学像をラインセンサ20によ
り1次元的な強度分布として読み取る。いま、開状態の
ピンホールが図2に示す位置にあり、このピンホールが
つくる光学像の範囲を図2にAで示す円形の領域とす
る。この光学像をラインセンサ20で読み取るため、ラ
インセンサ20を読み取り開始時に領域Aの上縁の接線
Y0の位置に置き、適当なライン間隔をおいて1ライン
ずつ主走査を繰り返しながら領域Aの下縁の接線Y1の
位置まで副走査を行う。
い、各ピンホールによる光学像をラインセンサ20によ
り1次元的な強度分布として読み取る。いま、開状態の
ピンホールが図2に示す位置にあり、このピンホールが
つくる光学像の範囲を図2にAで示す円形の領域とす
る。この光学像をラインセンサ20で読み取るため、ラ
インセンサ20を読み取り開始時に領域Aの上縁の接線
Y0の位置に置き、適当なライン間隔をおいて1ライン
ずつ主走査を繰り返しながら領域Aの下縁の接線Y1の
位置まで副走査を行う。
【0017】図3に本実施例で使用するラインセンサ2
0の平面図を示す。図3において、202はラインセン
サの画素、201R,201G,201Bはそれぞれ
赤,緑,青のカラーフィルタである。本実施例では、カ
ラーの3次元画像を撮像するため、図3に示すように、
それぞれの画素のラインにカラーフィルタ201R,2
01G,201Bをかけた3ラインのカラーセンサ20
を使用する。以上のラインセンサ20による読み取り
を、上記したピンホール走査により、1つずつのピンホ
ールPHについて繰り返し行う。
0の平面図を示す。図3において、202はラインセン
サの画素、201R,201G,201Bはそれぞれ
赤,緑,青のカラーフィルタである。本実施例では、カ
ラーの3次元画像を撮像するため、図3に示すように、
それぞれの画素のラインにカラーフィルタ201R,2
01G,201Bをかけた3ラインのカラーセンサ20
を使用する。以上のラインセンサ20による読み取り
を、上記したピンホール走査により、1つずつのピンホ
ールPHについて繰り返し行う。
【0018】[実施例2]本発明の第2の実施例の概略
構成を図4に示す。図4において、10は液晶ライトバ
ルブ、21および22はラインセンサである。
構成を図4に示す。図4において、10は液晶ライトバ
ルブ、21および22はラインセンサである。
【0019】本実施例でも実施例1で示した液晶ライト
バブルとラインセンサを用いて本発明を実施する。ただ
し、本実施例では、液晶ライトバブル10のピンホール
走査において、垂直および水平方向に適当な間隔をおい
た複数(図例では4つ)の画素を同時に開状態とする。
すなわち、4つのピンホールPH1〜PH4を並列に走
査し、4つのピンホールPH1〜PH4による光学像を
1以上(図例では2本)のラインセンサ21,22の垂
直方向の副走査により並列に読み取る。ここで、開状態
とする4つの画素(ピンホールPH1〜PH4)の間隔
は、これらによりつくられる光学像の範囲A1〜A4が
互いに重なり合わないように選ぶ。
バブルとラインセンサを用いて本発明を実施する。ただ
し、本実施例では、液晶ライトバブル10のピンホール
走査において、垂直および水平方向に適当な間隔をおい
た複数(図例では4つ)の画素を同時に開状態とする。
すなわち、4つのピンホールPH1〜PH4を並列に走
査し、4つのピンホールPH1〜PH4による光学像を
1以上(図例では2本)のラインセンサ21,22の垂
直方向の副走査により並列に読み取る。ここで、開状態
とする4つの画素(ピンホールPH1〜PH4)の間隔
は、これらによりつくられる光学像の範囲A1〜A4が
互いに重なり合わないように選ぶ。
【0020】本実施例では、特に、上述のように4つの
ピンホールを同時に走査するため、実施例1に比べ画面
全体を1/4の時間で走査することができる。
ピンホールを同時に走査するため、実施例1に比べ画面
全体を1/4の時間で走査することができる。
【0021】[実施例3]本発明の第3の実施例に用い
る液晶ライトバブルの被写体側からみた平面図を図5に
示す。図5において、12は液晶ライトバブル、121
は液晶ライトバブル12の各画素の開口部、122はマ
イクロレンズである。本実施例では、特に、図5に示す
ように液晶ライトバブル12の各画素の開口部121、
すなわちピンホール上にマイクロレンズ122を形成す
ることにより、ピンホールによる光学像を明るくする。
る液晶ライトバブルの被写体側からみた平面図を図5に
示す。図5において、12は液晶ライトバブル、121
は液晶ライトバブル12の各画素の開口部、122はマ
イクロレンズである。本実施例では、特に、図5に示す
ように液晶ライトバブル12の各画素の開口部121、
すなわちピンホール上にマイクロレンズ122を形成す
ることにより、ピンホールによる光学像を明るくする。
【0022】本実施例における他の構成および動作法
は、上記液晶ライトバブル12の構成を除き、すべて実
施例2と同じである。
は、上記液晶ライトバブル12の構成を除き、すべて実
施例2と同じである。
【0023】[実施例4]本発明の第4の実施例の概略
構成を図6に示す。図6において、12は液晶ライトバ
ルブ、23はエリアセンサである。本実施例でも、上記
実施例3と同じマイクロレンズ付きの液晶ライトバブル
12を使用し、かつ実施例2と同様に4つのピンホール
PH1〜PH4を並列に走査する。本実施例では、これ
らピンホールPH1〜PH4による光学像A1〜A4の
読み取りを、薄膜受光素子を2次元状に配列した受光素
子アレーであるエリアセンサ23を用いて行う。したが
って、本実施例では、特に、受光素子アレーを機械的に
移動する必要がない。
構成を図6に示す。図6において、12は液晶ライトバ
ルブ、23はエリアセンサである。本実施例でも、上記
実施例3と同じマイクロレンズ付きの液晶ライトバブル
12を使用し、かつ実施例2と同様に4つのピンホール
PH1〜PH4を並列に走査する。本実施例では、これ
らピンホールPH1〜PH4による光学像A1〜A4の
読み取りを、薄膜受光素子を2次元状に配列した受光素
子アレーであるエリアセンサ23を用いて行う。したが
って、本実施例では、特に、受光素子アレーを機械的に
移動する必要がない。
【0024】[実施例5]図7に本発明の第5の実施例
の概略構成を示す。図7において、3は透過性スクリー
ン、4はCCDカメラ、12は液晶ライトバルブであ
る。本実施例では液晶ライトバルブ12のピンホールP
H1〜PH4による光学像A1〜A4を透過性スクリー
ン3面上に結像させ、この光学像をCCDカメラ4で読
み取る。したがって、本実施例においても、特に、ピン
ホールアレーの光学像を電気信号に変換する手段を機械
的に移動する必要がない。
の概略構成を示す。図7において、3は透過性スクリー
ン、4はCCDカメラ、12は液晶ライトバルブであ
る。本実施例では液晶ライトバルブ12のピンホールP
H1〜PH4による光学像A1〜A4を透過性スクリー
ン3面上に結像させ、この光学像をCCDカメラ4で読
み取る。したがって、本実施例においても、特に、ピン
ホールアレーの光学像を電気信号に変換する手段を機械
的に移動する必要がない。
【0025】なお、本実施例で使用する液晶ライトバブ
ル12および液晶ライトバブル12の走査法は、実施例
4と同じとする。
ル12および液晶ライトバブル12の走査法は、実施例
4と同じとする。
【0026】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ピ
ンホール密度を高めることが可能となり、高精細な3次
元画像が撮像できる。また、受光素子アレーを用いても
角度に対する分解能を高くすることができ、ピンホール
による高精細な3次元画像の電気的な撮像が可能とな
る。
ンホール密度を高めることが可能となり、高精細な3次
元画像が撮像できる。また、受光素子アレーを用いても
角度に対する分解能を高くすることができ、ピンホール
による高精細な3次元画像の電気的な撮像が可能とな
る。
【図1】本発明の原理の説明図
【図2】本発明の第1の実施例の概略構成図
【図3】本発明の第1の実施例で使用するラインセンサ
の平面図
の平面図
【図4】本発明の第2の実施例の概略構成図
【図5】本発明の第3の実施例で使用する液晶ライトバ
ブルの平面図
ブルの平面図
【図6】本発明の第4の実施例の概略構成図
【図7】本発明の第5の実施例の概略構成図
【図8】自由な視点から見ることができる3次元画像の
説明図
説明図
【図9】従来の技術の説明図
1…ピンホールアレー 10,12…液晶ライトバブル 121…液晶ライトバブルの各画素の開口部 122…マイクロレンズ 2…受光素子アレー 20,21,22…ラインセンサ 23…エリアセンサ 201R,201G,201B…カラーフィルタ 202…ラインセンサの画素 3…透過性スクリーン 4…CCDカメラ PH1〜PH8…ピンホール
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 村木 隆浩 東京都千代田区内幸町1丁目1番6号 日 本電信電話株式会社内
Claims (1)
- 【請求項1】 ピンホールアレーを備え、各々のピンホ
ールアレーがつくる光学像を撮像することにより3次元
画像を撮像する装置において、 ピンホールアレーにおける各々のピンホールが独立に光
の透過と遮断を制御する手段を備え、かつピンホールを
通過した光の1次元的または2次元的強度分布を電気信
号に変換する手段を備えたことを特徴とする3次元画像
撮像装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5271899A JPH07128630A (ja) | 1993-10-29 | 1993-10-29 | 3次元画像撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5271899A JPH07128630A (ja) | 1993-10-29 | 1993-10-29 | 3次元画像撮像装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07128630A true JPH07128630A (ja) | 1995-05-19 |
Family
ID=17506451
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5271899A Pending JPH07128630A (ja) | 1993-10-29 | 1993-10-29 | 3次元画像撮像装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07128630A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100477684B1 (ko) * | 2002-12-05 | 2005-03-21 | 삼성전자주식회사 | 머리장착형 표시장치 |
KR100609379B1 (ko) * | 2005-05-02 | 2006-08-08 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 점광원 어레이를 이용한 입체 영상 표시 장치 |
JP2006317830A (ja) * | 2005-05-16 | 2006-11-24 | Noriji Ooishi | 立体像撮影装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5932287A (ja) * | 1982-08-16 | 1984-02-21 | Sony Corp | 立体画像表示装置 |
JPS6238695A (ja) * | 1985-08-13 | 1987-02-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 立体表示システム |
JPH05273675A (ja) * | 1992-03-26 | 1993-10-22 | Fujitsu Ltd | 立体像の記録および再生方式 |
-
1993
- 1993-10-29 JP JP5271899A patent/JPH07128630A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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