JP3083014B2 - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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Description
ジスキャナー、複写機等の画像情報処理装置に用いられ
る固体撮像装置に関し、特に、可視光だけではなく非可
視光領域の光信号を電気信号に変換する固体撮像装置に
関連する。
合素子(CCD)型、MOS型或は発明者大見忠弘及び
田中信義に付与された米国特許第4,791,469号
の明細書に記載されている光トランジスタのエミッタに
容量負荷を接続した増幅型の装置が知られている。
い機能をもつ固体撮像装置が要求されている。
えて、目に見えない画像を認識し、それを再生し記録す
ることが要求されてきている。
例えば、赤外線を吸収する特性をもつインクで形成され
た画像等がある。
を検出するセンサは個別デバイスであり画像等の検出を
可視光検出用のセンサと併せて用いるには何らかの新し
い設計思想が必要となる。
ず、可視光検出用のセンサと非可視光検出用のセンサと
をモノリシックに一つの半導体チップに収めるという技
術を見い出した。
余地が残されている。
領域に亘る広い波長領域での光信号検知が良好に行え、
両信号のクロストークが防止できる小型の固体撮像装置
を提供することにある。
する固体撮像装置において、可視光領域の光信号を複数
の色分解信号を含む第一の電気信号に変換する複数の第
1の光電変換要素と、非可視光領域の光信号を第二の電
気信号に変換する第2の光電変換要素と、が同一基板上
に設けられており、前記複数の第1の光電変換要素間の
第1の素子分離手段と、前記第1の光電変換要素と前記
第2の光電変換要素との間の第2の素子分離手段と、が
異なる構成であることを特徴とする固体撮像装置により
達成される。
素子分離を行うことが出来るので、解像度を殆ど低下さ
せることなく効果的な素子分離を行うことが出来る。
を複数の色分解信号に変換する第1の光電変換要素間の
分離構造と、非可視光領域の光信号を電気信号に変換す
る第2の光電変換要素と前記第1の光電変換要素との間
の分離構造と、を異ならしめるものである。
信号とが効率良く得られるとともに両信号間のクロスト
ークが低減され得る。こうして可視光領域から非可視光
領域に亘る広範囲な光信号を良好に検出することがで
き、高性能な固体撮像装置が得られる。
説明する前に、前提となる第1の光電変換要素と第2の
光電変換要素との配置について一例を挙げて説明する。
領域の光信号を電気信号に変換する第1の光電変換要素
(R、G、B)と非可視光領域の光信号を電気信号に変
換する第2の光電変換要素(IR)がほぼ一直線状に並
んでいる。
の分離構造22、23と、第1及び第2の光電変換要素
間の分離構造21とを異ならしめるものであり、それら
要素の配置は図1に示すものに限定されるものではな
い。
は、1)分離すべき半導体層と同一導電型で且つ不純物
濃度の高い半導体領域、2)分離すべき半導体層と反対
導電型の半導体領域、3)誘電体による分離、4)トレ
ンチ溝による分離等の構造が用いられる。
を用いて、可視光と非可視光要素間は上記2又は3、或
は4を用いることが望ましい。
トダイオードやホトトランジスタのような光起電力素子
又は光導電素子が好適に用いられる。
変換する光電変換要素としては、可視光領域の光信号の
みを選択的に吸収することのできる材料からなる要素又
は、可視光領域を透過し非可視光領域のうち他の光電変
換要素での光電変換に用いられる波長領域の光を遮断す
るフィルタを具えた要素が用いられる。
領域としての400nmから700nmに亘る波長領域
に選択的な感度をもつように、要素の構成材料を選択す
るか、上記波長領域の光を選択的に透過するフィルター
を要素に具備させる。又、可視光領域のなかでも特定の
領域の光信号を得る為にはその特定の領域に選択的に感
度をもつ材料で要素を構成するか、該特定の領域の光を
選択的に透過するフィルターを要素に具備させる。
青色(B)のようなカラー信号を得る為には、R領域
(例えば580nmから700nmの波長領域)に選択
的な感度をもつ要素(R要素)、G領域(例えば480
nmから580nmの波長領域)に選択的な感度をもつ
要素(G要素)及びB領域(例えば400nmから48
0nmの波長領域)に選択的な感度をもつ要素(B要
素)の複数の種類の要素を用いる。
B各領域の光を選択的に吸収するもの、即ち選択感度を
もつもので各要素を構成してもよいし、R、G、Bの全
ての領域に感度をもつ要素に各R、G、B領域の光をそ
れぞれ選択的に透過するフィルターを具備させて各要素
を構成する。
特性を示すグラフであり、縦軸の相対感度が可視光の透
過率に対応する。材料の選択により各要素に選択的な感
度をもたせる場合には例えば、図2に示すような相対感
度にあたる光吸収特性をもつ材料を用いて各要素を形成
する。
光領域更にはR、G、Bの各波長領域は、波長の値によ
って明確に区別されるものではなく、本発明に用いられ
る光電変換要素は必要な各信号を得る為に紫外、青色、
緑色、赤色、赤外各光を必要な量だけ光電変換し、不要
な光を実質的に光電変換しないように構成されていれば
よい。
換する光電変換要素としては、例えば紫外線又は赤外線
に対して選択的な感度をもつ要素が用いられる。この場
合も、材料自体が非可視光領域の光に対して選択的な感
度をもつもので要素を構成するか、該非可視光領域を含
む広い波長領域に感度を有する材料に非可視光領域の光
に対して選択的な透過率をもつフィルターを組み合わせ
て構成することが望ましい。
透過光の分光特性を示すグラフであり、縦軸の相対感度
が非可視光の透過率に対応している。ここでは、赤外領
域(例えば750nm以上の波長領域)に選択的な感度
を有するフィルターの例を挙げているがこれに限定され
ることはない。
うにR、G、B、IRの各要素をライン状に周期的に配
列してカラーラインセンサを構成することができる。好
ましくは、カラー信号としての解像度における1画素が
それぞれR領域に選択的な感度を有する要素(R要
素)、G領域に選択的な感度を有する要素(G要素)、
B領域に選択的な感度を有する要素(B要素)、非可視
光領域に選択的な感度を有する要素(IR要素)を含む
ように構成する。検出すべき光信号を発生するものとし
ては、3次元映像又は2次元像があり、2次元像の代表
的な例は原稿などの平面画像である。従って原稿の画像
を読み取るようなシステムに用いる場合には原稿面を照
明する為の照明手段を設けることが望ましい。このよう
な照明手段としては、発光ダイオードやキセノンラン
プ、ハロゲンランプ等の光源がある。図4に光源の代表
的な発光分布特性を示す。光源としては検出すべき光信
号に応じて必要な波長領域の光を発生するものであれば
よく、図4の特性をもつものに限定されることはない。
少なくとも図4に示すような特性の光を発生する光源を
用いれば、R、G、B及び非可視光領域としての赤外光
を得ることができる。
置を示す模式的上面図であり、可視光領域の光信号を複
数の色分解信号を含む第一の電気信号に変換する光電変
換要素2と、非可視光領域の光信号を第二の電気信号に
変換する光電変換要素3と、はそれぞれAA′方向に複
数アレイ状に並列に配置されている。
の色分解信号を発生する為のものであり、第2のアレイ
は非可視光領域の信号を発生する為のものである。従っ
て、図5の例においては第2のアレイは非可視光領域の
信号を発生する光電変換要素のみで構成されているが、
第1のアレイを構成する1つの要素(R又はG又はB)
を第2のアレイとして配置してもよい。ここでも素子分
離構造21と素子分離構造22、23とは異なる。
の固体撮像装置を示したものである。図6において、エ
ピタキシャル層103の厚みは可視から赤外領域にわた
って良好な感度が得られる様、例えば、10μm程度の
厚みとなっている。各可視用要素の構造は同じものであ
る。赤外用要素の構造は、表面から深い所で発生するキ
ャリアが全部基板側へ排出されず、フォトダイオードに
集められる様に、表面方向への電界を形成するための基
板の逆タイプの高濃度埋め込み層106が形成されてい
る。図6において、可視用要素と赤外用要素の間には、
基板と同一導電型の高濃度埋め込み層105が形成され
ている。表面から深い所で発生し、可視用要素へもれ込
もうとしたキャリアは、高濃度埋め込み層を通過する際
にそこに吸収され、基板側へ排出される。よって隣接要
素へのもれ込みを防止することができる。
2の固体撮像装置を示したものである。図7において、
エピタキシャル層103の厚みは可視から赤外領域にわ
たり良好な感度が得られる様、例えば10μm程度の厚
みとなっている。本実施例では基板の導電型とエピタキ
シャル層の導電型と同じになっている。可視用要素の構
造について説明する。エピタキシャル層と基板との導電
型が同じ場合には、エピタキシャル層側から基板方向へ
の電界が形成されないため、表面から深い所で発生した
キャリアの隣接要素へのもれ込みを防止するために、基
板と逆導電型の高濃度埋め込み層107及び前記埋め込
み層へ電位を与えるための表面からの拡散層108が形
成されている。この構造により、可視用要素の特性とし
ては、前記実施例1と同等のものが得られる。一方、赤
外用の要素の構造は、表面から深い所で発生したキャリ
アが基板側からエピタキシャル層方向への電界によって
表面方向へ集められる様になっているため良好な赤外感
度が実現される。
赤外用要素との間に形成されており、両者間のキャリア
のもれ込みを防止することができる。
3の固体撮像装置を示している。本実施例は、可視用要
素の構造が実施例2と異なっている。基板と逆導電型の
高濃度埋め込み層が形成されていない代わりに、基板と
同一導電型の高濃度層109が、表面からのインク注入
により形成されている。本構造では可視用要素の深い所
で発生したキャリアは高濃度層109の電位バリヤによ
り表面のフォトダイオード方向へ移動が阻止される。ま
た、可視用要素と赤外用要素との分離に関しては、基板
と逆導電型の高濃度埋め込み層105と拡散層108の
形成により実施例2と同等の効果が得られる。
4の固体撮像装置を示したものである。本実施例では表
面からの深い高濃度拡散層を形成するために、表面から
溝をほった後に拡散層を形成する構造が示されている。
本構造を用いれば可視用要素と赤外用要素との分離間隔
も著しく小さくすることが可能となる。この様な構造の
拡散層は、他の全ての実施例にも適用することができ
る。
例5の固体撮像装置を示したものである。第1の実施例
に比べて、可視用要素と赤外用要素との間に分離のため
の拡散層108が形成されている。
よる固体撮像装置を示す模式的上面図であり、図11に
おけるZZ′線による断面を図12に示す。
示されているが、図12ではそれらを省略して示してい
る。
領域102で行い、可視用要素と赤外用要素との間はp
- 領域108とp+ 領域105とで行っている。
撮像装置の模式的断面図であり、本実施例は前記実施例
6とその断面構造のみが異なっている。
した後に不純物拡散により分離領域を形成する為狭く且
つ深い分離領域が得られる。
撮像装置の模式的上面図であり、実施例6におけるIR
要素の有効面積を大きくしたものである。
たい場合に有効である。又、可視光用要素と非可視光用
の副走査方向の長さを等しくすることにより、副走査方
向の信号処理が容易になる。
る可視光用要素列とIRの赤外用要素列とを2ラインに
分けて配置し、R、G、B要素とIR要素との間隔を1
ライン分隔てた構成である。本実施例では、可視、赤外
ともに高感度にするとともに、可視と赤外との分離も十
分に行うことができる。
0による固体撮像装置を示す模式的上面図である。
号102で示したような分離領域としたのに対して、可
視光用の要素と非可視光用の要素との間は距離fを充分
大きくとることによって実質的な素子分離を行ってい
る。
の固体撮像装置は、光電変換要素を含む画素アレイと共
に読出し回路としての走査回路が同一基板上に一体的に
集積された集積回路として構成することが望ましい。こ
のような走査回路としては、CCD型のシフトレジス
タ、CCD型の転送ゲート、トランジスタを用いたシフ
トレジスタ、トランジスタを用いた転送ゲートが単独或
いは適宜組み合わされて用いられる。又、必要に応じて
光電変換された電気信号を蓄積する蓄積容量が設けられ
てもよい。
ダイオードの信号をCCDレジスタへ転送した後、例え
ば、R、G、B、IRの順にシリアル形式で信号が順次
読み出される。
られる構成であり、各フォトダイオードの信号のうち、
R、G、B信号は可視用CCDレジスタ、IR信号は反
対側の赤外用CCDレジスタへ各々転送した後、R、
G、Bのシリアル形式出力とIR出力が個別に並列読出
しされる。
ダイオードアレイの信号は、各フォトダイオードに対応
する各蓄積容量へ同時に転送され一旦蓄積された後、選
択走査回路により順次読出される。この際、蓄積容量か
らの出力は、各フォトダイオードごとに独立に行えるた
め、R、G、B、IRの各信号はパラレル形式で読み出
すことができる。
R、G、B信号と赤外用のIR信号が上下に分けられて
読み出される。
画像情報処理装置について説明する。
述してきた各実施例の固体撮像装置(センサ)1からの
信号は画像処理部1003及び判別手段としての識別部
1001に入力される。そして、その情報は記録制御部
1004によって駆動される記録部1005によって再
生記録される。
(レッド)、G(グリーン)、B(ブルー)、それに加
え約1000nm付近に感度を有する赤外成分に分解し
て400dpiの画素密度で読み取る。
用いて、いわゆるシェーティング補正を施され、各8b
itの画像信号として識別部1001及び画像処理部1
003に入力される。画像処理部1003は一般のカラ
ー複写機で行われる変倍マスキング、OCR等の処理を
行い記録信号であるC、M、Y、Kの4色信号を生成す
る。
する原稿中の特定パターンの検出を行い、その結果を記
録制御部4に出力して必要に応じて、特定色によるぬり
つぶし等記録信号に加工を加えて記録部1005で記録
紙上に記録し、あるいは記録動作を中止するなどによ
り、忠実な画像再生を禁止する。
ンについて図22、23を用いて概説する。
0nm付近の赤外光を吸収する透明色素の分光特性を示
しており、例えば三井東圧化学(株)のSIR−159
等が代表的である。
る透明インクを用いて作られたパターン例である。すな
わち、ある特定のすなわち赤外光を反射するインクaで
記録された三角形のパターンの上に1辺が約120μm
の正方形の微小パターンbを上記透明インクを用いて印
刷してある。同パターンは図で示す様に可視域ではほと
んど同色であるためbのパターンは人の目では識別不能
であるが、赤外域において検出が可能となる。尚、以後
の説明の為に1例として約120μm口のパターンを図
示したが400dpiでこのbの領域を読めば図示する
ごとく約4画素の大きさとなる。尚、該パターンの形成
法はこの例に限定されるものではない。
01の詳細について説明する。図24の10−1〜10
−4はFiFoで構成される画像データ遅延部であり、
それぞれ32bit(8bit×4成分)の画像データ
を1ライン分づつ遅延する。
−1、11−2で2画素分遅延保持してAの画素データ
を、メモリ10−1、10−2で2ラインさらに遅延し
たC画素データを、さらにFF11−3、11−4で2
画素分遅延させた注目画素データXを、FF11−5、
11−6で2画素分遅延させたBの画素データを、同様
にしてDの画素データをそれぞれ同時に判定部12に入
力する。ここで注目画素位置Xに対するその近傍A、
B、C、D4画素の位置関係は図25のごとくなる。
分のインクを読んでいたとするならば、上記A、B、
C、Dはいずれもその周囲に位置するaパターンの画像
を読んでいる事になる。
成するR成分をAR 、G成分をAG 、B成分をAB 、赤
外成分をAIRとし、同様にB、C、Dの各画素信号を構
成するR、G、B、IRの各成分を定義する。そして、
同色成分の平均値YR 、YG 、YB 、YIRを次式で求め
る。
求めた平均値Yと注目画素Xの差に従う。すなわち、 ΔR=|YR −XR |、ΔG=|YG −XG |、ΔB=
|YB −XB |、ΔIR=YIR−XIR としたとき、 ΔR<K ΔG<K (K、Lは定数) ΔB<K ΔIR>L が成立すれば、パターン有りと判定する。
て可視域では色味に差が小であり、赤外特性において定
数L以上の差を有すると判断出来る。
ハードウェア例である。加算器121はそれぞれ4画素
分の各色成分を単純加算し、その上位8bit分を出力
し、それぞれYR 、YG 、YB 、YIRを得る。減算器1
22はそれぞれ注目画素信号の各成分との差を求め、
R、G、Bの3成分はその絶対値を基準信号としての定
数Kと比較器123、124、125で比較する。一方
赤外成分は基準信号としての定数Lと比較器126によ
って比較する。上記、各比較器出力がアンドゲート12
7に入力され、その出力端子におて“1”の場合、パタ
ーンを判定した事になる。
視光から非可視光に亘る広い波長範囲の光信号検出がで
きる小型の装置を提供することができる。
的上面図。
性を示す線図。
分光特性を示す線図。
図。
式的上面図。
断面図。
断面図。
断面図。
断面図。
的断面図。
的上面図。
的断面図。
的断面図。
的上面図。
的上面図。
式的上面図。
を示すブロック図。
の別の例を示すブロック図。
のまた別の例を示すブロック図。
の更に別の例を示すブロック図。
ク図。
とのできる原稿に用いられる赤外光吸収色素の分光特性
を示す線図。
とのできる原稿を示す模式図。
の構成を示すブロック図。
を説明するための模式図。
ブロック図。
Claims (8)
- 【請求項1】 光信号を電気信号に光電変換する固体撮
像装置において、 可視光領域の光信号を複数の色分解信号を含む第一の電
気信号に変換する複数の第1の光電変換要素と、非可視
光領域の光信号を第二の電気信号に変換する第2の光電
変換要素と、が同一基板上に設けられており、 前記複数の第1の光電変換要素間の第1の素子分離手段
と、前記第1の光電変換要素と前記第2の光電変換要素
との間の第2の素子分離手段と、が異なる構成であるこ
とを特徴とする固体撮像装置。 - 【請求項2】 前記複数の第1の光電変換要素は第1導
電型の共通の半導体層と第2導電型の個別の半導体領域
とを含み、前記第1の素子分離手段は前記個別の半導体
領域の間にある第1導電型で前記半導体層よりも不純物
濃度の高い半導体からなる素子分離領域であり、前記第
2の素子分離手段は前記第1および第2の光電変換要素
間にある第2導電型の半導体からなる素子分離領域であ
ることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。 - 【請求項3】 前記可視光領域の光信号を第一の電気信
号に変換する複数の光電変換要素は赤色、青色及び緑色
の3つの色分解信号を発生することを特徴とする請求項
1に記載の固体撮像装置。 - 【請求項4】 前記非可視光領域の光信号を第二の電気
信号に変換する光電変換要素は赤外線を吸収し赤外信号
を発生することを特徴とする請求項1に記載の固体撮像
装置。 - 【請求項5】 前記可視光領域の光信号を第一の電気信
号に変換する複数の光電変換要素は赤色、青色及び緑色
の3つの色分解信号を発生するとともに、前記非可視光
領域の光信号を第二の電気信号に変換する光電変換要素
は赤外線を吸収し赤外信号を発生することを特徴とする
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 【請求項6】 前記光電変換要素は光ダイオードまたは
光トランジスタを含むことを特徴とする請求項1に記載
の固体撮像装置。 - 【請求項7】 光信号を得るために原稿を照明する照明
手段と、 可視光領域の光信号を複数の色分解信号を含む第一の電
気信号に変換する複数の第1の光電変換要素と、非可視
光領域の光信号を第二の電気信号に変換する第2の光電
変換要素と、が同一基板上に設けられており、前記複数
の第1の光電変換要素間の第1の素子分離手段と、前記
第1の光電変換要素と前記第2の光電変換要素との間の
第2の素子分離手段と、が異なる構成である撮像手段
と、 を具備することを特徴とする画像情報処理装置。 - 【請求項8】 光信号を得るために原稿を照明する照明
手段と、 可視光領域の光信号を複数の色分解信号を含む第一の電
気信号に変換する複数の第1の光電変換要素と、非可視
光領域の光信号を第二の電気信号に変換する第2の光電
変換要素と、が同一基板上に設けられており、前記複数
の第1の光電変換要素間の第1の素子分離手段と、前記
第1の光電変換要素と前記第2の光電変換要素との間の
第2の素子分離手段と、が異なる構成である撮像手段
と、 前記第一の電気信号に基づき画像を形成する画像形成手
段と、 前記第二の電気信号から前記原稿が非可視の特定パター
ンを有するか否かを判別する判別手段と、 前記判別手段の出力に基づいて前記画像形成手段の動作
を制御する制御手段と、 を具備することを特徴とする画像情報処理装置。
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