JP3083014B2 - 固体撮像装置 - Google Patents

固体撮像装置

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JP3083014B2
JP3083014B2 JP05015082A JP1508293A JP3083014B2 JP 3083014 B2 JP3083014 B2 JP 3083014B2 JP 05015082 A JP05015082 A JP 05015082A JP 1508293 A JP1508293 A JP 1508293A JP 3083014 B2 JP3083014 B2 JP 3083014B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ファクシミリ、イメー
ジスキャナー、複写機等の画像情報処理装置に用いられ
る固体撮像装置に関し、特に、可視光だけではなく非可
視光領域の光信号を電気信号に変換する固体撮像装置に
関連する。
【0002】
【背景技術の説明】従来の固体撮像装置としては電荷結
合素子(CCD)型、MOS型或は発明者大見忠弘及び
田中信義に付与された米国特許第4,791,469号
の明細書に記載されている光トランジスタのエミッタに
容量負荷を接続した増幅型の装置が知られている。
【0003】最近ではその用途も多様化しており、新し
い機能をもつ固体撮像装置が要求されている。
【0004】例えば、複写機の高画質化、カラー化に加
えて、目に見えない画像を認識し、それを再生し記録す
ることが要求されてきている。
【0005】そのような画像即ち非可視光画像としては
例えば、赤外線を吸収する特性をもつインクで形成され
た画像等がある。
【0006】
【発明が解決しようとする技術課題】一般に、非可視光
を検出するセンサは個別デバイスであり画像等の検出を
可視光検出用のセンサと併せて用いるには何らかの新し
い設計思想が必要となる。
【0007】本発明者らは基本的な設計思想としてま
ず、可視光検出用のセンサと非可視光検出用のセンサと
をモノリシックに一つの半導体チップに収めるという技
術を見い出した。
【0008】しかしながら、上記技術には更なる改善の
余地が残されている。
【0009】
【発明の目的】本発明の目的は可視光領域から非可視光
領域に亘る広い波長領域での光信号検知が良好に行え、
両信号のクロストークが防止できる小型の固体撮像装置
を提供することにある。
【0010】上記目的は、光信号を電気信号に光電変換
する固体撮像装置において、可視光領域の光信号を複数
の色分解信号を含む第一の電気信号に変換する複数の第
1の光電変換要素と、非可視光領域の光信号を第二の電
気信号に変換する第2の光電変換要素と、が同一基板上
に設けられており、前記複数の第1の光電変換要素間の
第1の素子分離手段と、前記第1の光電変換要素と前記
第2の光電変換要素との間の第2の素子分離手段と、が
異なる構成であることを特徴とする固体撮像装置により
達成される。
【0011】
【作用】波長の違いによるキャリアの発生位置に応じた
素子分離を行うことが出来るので、解像度を殆ど低下さ
せることなく効果的な素子分離を行うことが出来る。
【0012】
【好適な実施態様の説明】本発明は可視光領域の光信号
を複数の色分解信号に変換する第1の光電変換要素間の
分離構造と、非可視光領域の光信号を電気信号に変換す
る第2の光電変換要素と前記第1の光電変換要素との間
の分離構造と、を異ならしめるものである。
【0013】こうすることにより可視光信号と非可視光
信号とが効率良く得られるとともに両信号間のクロスト
ークが低減され得る。こうして可視光領域から非可視光
領域に亘る広範囲な光信号を良好に検出することがで
き、高性能な固体撮像装置が得られる。
【0014】本発明に用いられる素子分離構造について
説明する前に、前提となる第1の光電変換要素と第2の
光電変換要素との配置について一例を挙げて説明する。
【0015】図1の固体撮像装置1の主面側には可視光
領域の光信号を電気信号に変換する第1の光電変換要素
(R、G、B)と非可視光領域の光信号を電気信号に変
換する第2の光電変換要素(IR)がほぼ一直線状に並
んでいる。
【0016】本発明においては、第1の光電変換要素間
の分離構造22、23と、第1及び第2の光電変換要素
間の分離構造21とを異ならしめるものであり、それら
要素の配置は図1に示すものに限定されるものではな
い。
【0017】本発明に用いられる分離手段の構造として
は、1)分離すべき半導体層と同一導電型で且つ不純物
濃度の高い半導体領域、2)分離すべき半導体層と反対
導電型の半導体領域、3)誘電体による分離、4)トレ
ンチ溝による分離等の構造が用いられる。
【0018】より好ましくは可視光用の要素間は上記1
を用いて、可視光と非可視光要素間は上記2又は3、或
は4を用いることが望ましい。
【0019】そして、本発明の光電変換要素としてはホ
トダイオードやホトトランジスタのような光起電力素子
又は光導電素子が好適に用いられる。
【0020】そして、可視光領域の光信号を電気信号に
変換する光電変換要素としては、可視光領域の光信号の
みを選択的に吸収することのできる材料からなる要素又
は、可視光領域を透過し非可視光領域のうち他の光電変
換要素での光電変換に用いられる波長領域の光を遮断す
るフィルタを具えた要素が用いられる。
【0021】具体的には白黒信号を得る為には、可視光
領域としての400nmから700nmに亘る波長領域
に選択的な感度をもつように、要素の構成材料を選択す
るか、上記波長領域の光を選択的に透過するフィルター
を要素に具備させる。又、可視光領域のなかでも特定の
領域の光信号を得る為にはその特定の領域に選択的に感
度をもつ材料で要素を構成するか、該特定の領域の光を
選択的に透過するフィルターを要素に具備させる。
【0022】そして、例えば赤色(R)、緑色(G)、
青色(B)のようなカラー信号を得る為には、R領域
(例えば580nmから700nmの波長領域)に選択
的な感度をもつ要素(R要素)、G領域(例えば480
nmから580nmの波長領域)に選択的な感度をもつ
要素(G要素)及びB領域(例えば400nmから48
0nmの波長領域)に選択的な感度をもつ要素(B要
素)の複数の種類の要素を用いる。
【0023】勿論この場合も、材料自体が上記R、G、
B各領域の光を選択的に吸収するもの、即ち選択感度を
もつもので各要素を構成してもよいし、R、G、Bの全
ての領域に感度をもつ要素に各R、G、B領域の光をそ
れぞれ選択的に透過するフィルターを具備させて各要素
を構成する。
【0024】図2はフィルターの代表的な透過光の分光
特性を示すグラフであり、縦軸の相対感度が可視光の透
過率に対応する。材料の選択により各要素に選択的な感
度をもたせる場合には例えば、図2に示すような相対感
度にあたる光吸収特性をもつ材料を用いて各要素を形成
する。
【0025】又、本発明における、可視光領域、非可視
光領域更にはR、G、Bの各波長領域は、波長の値によ
って明確に区別されるものではなく、本発明に用いられ
る光電変換要素は必要な各信号を得る為に紫外、青色、
緑色、赤色、赤外各光を必要な量だけ光電変換し、不要
な光を実質的に光電変換しないように構成されていれば
よい。
【0026】一方非可視光領域の光信号を電気信号に変
換する光電変換要素としては、例えば紫外線又は赤外線
に対して選択的な感度をもつ要素が用いられる。この場
合も、材料自体が非可視光領域の光に対して選択的な感
度をもつもので要素を構成するか、該非可視光領域を含
む広い波長領域に感度を有する材料に非可視光領域の光
に対して選択的な透過率をもつフィルターを組み合わせ
て構成することが望ましい。
【0027】例えば、図3は上記フィルターの代表的な
透過光の分光特性を示すグラフであり、縦軸の相対感度
が非可視光の透過率に対応している。ここでは、赤外領
域(例えば750nm以上の波長領域)に選択的な感度
を有するフィルターの例を挙げているがこれに限定され
ることはない。
【0028】本発明の固体撮像装置は、図1に示したよ
うにR、G、B、IRの各要素をライン状に周期的に配
列してカラーラインセンサを構成することができる。好
ましくは、カラー信号としての解像度における1画素が
それぞれR領域に選択的な感度を有する要素(R要
素)、G領域に選択的な感度を有する要素(G要素)、
B領域に選択的な感度を有する要素(B要素)、非可視
光領域に選択的な感度を有する要素(IR要素)を含む
ように構成する。検出すべき光信号を発生するものとし
ては、3次元映像又は2次元像があり、2次元像の代表
的な例は原稿などの平面画像である。従って原稿の画像
を読み取るようなシステムに用いる場合には原稿面を照
明する為の照明手段を設けることが望ましい。このよう
な照明手段としては、発光ダイオードやキセノンラン
プ、ハロゲンランプ等の光源がある。図4に光源の代表
的な発光分布特性を示す。光源としては検出すべき光信
号に応じて必要な波長領域の光を発生するものであれば
よく、図4の特性をもつものに限定されることはない。
少なくとも図4に示すような特性の光を発生する光源を
用いれば、R、G、B及び非可視光領域としての赤外光
を得ることができる。
【0029】図5は、図1とは異なる光電変換要素の配
置を示す模式的上面図であり、可視光領域の光信号を複
数の色分解信号を含む第一の電気信号に変換する光電変
換要素2と、非可視光領域の光信号を第二の電気信号に
変換する光電変換要素3と、はそれぞれAA′方向に複
数アレイ状に並列に配置されている。
【0030】つまり、第1のアレイは可視光領域の複数
の色分解信号を発生する為のものであり、第2のアレイ
は非可視光領域の信号を発生する為のものである。従っ
て、図5の例においては第2のアレイは非可視光領域の
信号を発生する光電変換要素のみで構成されているが、
第1のアレイを構成する1つの要素(R又はG又はB)
を第2のアレイとして配置してもよい。ここでも素子分
離構造21と素子分離構造22、23とは異なる。
【0031】
【実施例】(実施例1)図6は、本発明による実施例1
の固体撮像装置を示したものである。図6において、エ
ピタキシャル層103の厚みは可視から赤外領域にわた
って良好な感度が得られる様、例えば、10μm程度の
厚みとなっている。各可視用要素の構造は同じものであ
る。赤外用要素の構造は、表面から深い所で発生するキ
ャリアが全部基板側へ排出されず、フォトダイオードに
集められる様に、表面方向への電界を形成するための基
板の逆タイプの高濃度埋め込み層106が形成されてい
る。図6において、可視用要素と赤外用要素の間には、
基板と同一導電型の高濃度埋め込み層105が形成され
ている。表面から深い所で発生し、可視用要素へもれ込
もうとしたキャリアは、高濃度埋め込み層を通過する際
にそこに吸収され、基板側へ排出される。よって隣接要
素へのもれ込みを防止することができる。
【0032】(実施例2)図7は、本発明による実施例
2の固体撮像装置を示したものである。図7において、
エピタキシャル層103の厚みは可視から赤外領域にわ
たり良好な感度が得られる様、例えば10μm程度の厚
みとなっている。本実施例では基板の導電型とエピタキ
シャル層の導電型と同じになっている。可視用要素の構
造について説明する。エピタキシャル層と基板との導電
型が同じ場合には、エピタキシャル層側から基板方向へ
の電界が形成されないため、表面から深い所で発生した
キャリアの隣接要素へのもれ込みを防止するために、基
板と逆導電型の高濃度埋め込み層107及び前記埋め込
み層へ電位を与えるための表面からの拡散層108が形
成されている。この構造により、可視用要素の特性とし
ては、前記実施例1と同等のものが得られる。一方、赤
外用の要素の構造は、表面から深い所で発生したキャリ
アが基板側からエピタキシャル層方向への電界によって
表面方向へ集められる様になっているため良好な赤外感
度が実現される。
【0033】また、前記拡散層108は、可視用要素と
赤外用要素との間に形成されており、両者間のキャリア
のもれ込みを防止することができる。
【0034】(実施例3)図8は、本発明による実施例
3の固体撮像装置を示している。本実施例は、可視用要
素の構造が実施例2と異なっている。基板と逆導電型の
高濃度埋め込み層が形成されていない代わりに、基板と
同一導電型の高濃度層109が、表面からのインク注入
により形成されている。本構造では可視用要素の深い所
で発生したキャリアは高濃度層109の電位バリヤによ
り表面のフォトダイオード方向へ移動が阻止される。ま
た、可視用要素と赤外用要素との分離に関しては、基板
と逆導電型の高濃度埋め込み層105と拡散層108の
形成により実施例2と同等の効果が得られる。
【0035】(実施例4)図9は、本発明による実施例
4の固体撮像装置を示したものである。本実施例では表
面からの深い高濃度拡散層を形成するために、表面から
溝をほった後に拡散層を形成する構造が示されている。
本構造を用いれば可視用要素と赤外用要素との分離間隔
も著しく小さくすることが可能となる。この様な構造の
拡散層は、他の全ての実施例にも適用することができ
る。
【0036】(実施例5)図10は、本発明による実施
例5の固体撮像装置を示したものである。第1の実施例
に比べて、可視用要素と赤外用要素との間に分離のため
の拡散層108が形成されている。
【0037】(実施例6)図11は本発明の実施例6に
よる固体撮像装置を示す模式的上面図であり、図11に
おけるZZ′線による断面を図12に示す。
【0038】図11では各フィルタR、G、B、IRが
示されているが、図12ではそれらを省略して示してい
る。
【0039】本実施例では、可視用要素間の分離はn+
領域102で行い、可視用要素と赤外用要素との間はp
- 領域108とp+ 領域105とで行っている。
【0040】(実施例7)図13は本実施例による固体
撮像装置の模式的断面図であり、本実施例は前記実施例
6とその断面構造のみが異なっている。
【0041】ここでは素子分離領域にトレンチ溝を形成
した後に不純物拡散により分離領域を形成する為狭く且
つ深い分離領域が得られる。
【0042】(実施例8)図14は本実施例による固体
撮像装置の模式的上面図であり、実施例6におけるIR
要素の有効面積を大きくしたものである。
【0043】従って、非可視光に対する感度を向上させ
たい場合に有効である。又、可視光用要素と非可視光用
の副走査方向の長さを等しくすることにより、副走査方
向の信号処理が容易になる。
【0044】(実施例9)図15は、R、G、Bから成
る可視光用要素列とIRの赤外用要素列とを2ラインに
分けて配置し、R、G、B要素とIR要素との間隔を1
ライン分隔てた構成である。本実施例では、可視、赤外
ともに高感度にするとともに、可視と赤外との分離も十
分に行うことができる。
【0045】(実施例10)図16は本発明の実施例1
0による固体撮像装置を示す模式的上面図である。
【0046】本例では、可視光用の要素間は図12の符
号102で示したような分離領域としたのに対して、可
視光用の要素と非可視光用の要素との間は距離fを充分
大きくとることによって実質的な素子分離を行ってい
る。
【0047】(走査回路)以上説明した実施例1乃至9
の固体撮像装置は、光電変換要素を含む画素アレイと共
に読出し回路としての走査回路が同一基板上に一体的に
集積された集積回路として構成することが望ましい。こ
のような走査回路としては、CCD型のシフトレジス
タ、CCD型の転送ゲート、トランジスタを用いたシフ
トレジスタ、トランジスタを用いた転送ゲートが単独或
いは適宜組み合わされて用いられる。又、必要に応じて
光電変換された電気信号を蓄積する蓄積容量が設けられ
てもよい。
【0048】図17の構成では、図1で示した各フォト
ダイオードの信号をCCDレジスタへ転送した後、例え
ば、R、G、B、IRの順にシリアル形式で信号が順次
読み出される。
【0049】図13は、図5に示したものに好適に用い
られる構成であり、各フォトダイオードの信号のうち、
R、G、B信号は可視用CCDレジスタ、IR信号は反
対側の赤外用CCDレジスタへ各々転送した後、R、
G、Bのシリアル形式出力とIR出力が個別に並列読出
しされる。
【0050】図19は、更に別の構成であり、各フォト
ダイオードアレイの信号は、各フォトダイオードに対応
する各蓄積容量へ同時に転送され一旦蓄積された後、選
択走査回路により順次読出される。この際、蓄積容量か
らの出力は、各フォトダイオードごとに独立に行えるた
め、R、G、B、IRの各信号はパラレル形式で読み出
すことができる。
【0051】図20は、更に他の構成であり、可視用の
R、G、B信号と赤外用のIR信号が上下に分けられて
読み出される。
【0052】(画像情報処理装置)以下、本発明による
画像情報処理装置について説明する。
【0053】図21はそのブロック図を示しており、前
述してきた各実施例の固体撮像装置(センサ)1からの
信号は画像処理部1003及び判別手段としての識別部
1001に入力される。そして、その情報は記録制御部
1004によって駆動される記録部1005によって再
生記録される。
【0054】センサ1は原稿のほぼ同一点をそれぞれR
(レッド)、G(グリーン)、B(ブルー)、それに加
え約1000nm付近に感度を有する赤外成分に分解し
て400dpiの画素密度で読み取る。
【0055】該センサ出力は白色板及び赤外光基準板を
用いて、いわゆるシェーティング補正を施され、各8b
itの画像信号として識別部1001及び画像処理部1
003に入力される。画像処理部1003は一般のカラ
ー複写機で行われる変倍マスキング、OCR等の処理を
行い記録信号であるC、M、Y、Kの4色信号を生成す
る。
【0056】一方識別部1001では、本発明の特徴と
する原稿中の特定パターンの検出を行い、その結果を記
録制御部4に出力して必要に応じて、特定色によるぬり
つぶし等記録信号に加工を加えて記録部1005で記録
紙上に記録し、あるいは記録動作を中止するなどによ
り、忠実な画像再生を禁止する。
【0057】次に本発明で検出しようとする画像パター
ンについて図22、23を用いて概説する。
【0058】図22は、可視領域ではほぼ透過し、80
0nm付近の赤外光を吸収する透明色素の分光特性を示
しており、例えば三井東圧化学(株)のSIR−159
等が代表的である。
【0059】図23は上記透明赤外吸収色素で構成され
る透明インクを用いて作られたパターン例である。すな
わち、ある特定のすなわち赤外光を反射するインクaで
記録された三角形のパターンの上に1辺が約120μm
の正方形の微小パターンbを上記透明インクを用いて印
刷してある。同パターンは図で示す様に可視域ではほと
んど同色であるためbのパターンは人の目では識別不能
であるが、赤外域において検出が可能となる。尚、以後
の説明の為に1例として約120μm口のパターンを図
示したが400dpiでこのbの領域を読めば図示する
ごとく約4画素の大きさとなる。尚、該パターンの形成
法はこの例に限定されるものではない。
【0060】図24を用いてさらに図21の識別部10
01の詳細について説明する。図24の10−1〜10
−4はFiFoで構成される画像データ遅延部であり、
それぞれ32bit(8bit×4成分)の画像データ
を1ライン分づつ遅延する。
【0061】入力画像信号はまずフリップフロップ11
−1、11−2で2画素分遅延保持してAの画素データ
を、メモリ10−1、10−2で2ラインさらに遅延し
たC画素データを、さらにFF11−3、11−4で2
画素分遅延させた注目画素データXを、FF11−5、
11−6で2画素分遅延させたBの画素データを、同様
にしてDの画素データをそれぞれ同時に判定部12に入
力する。ここで注目画素位置Xに対するその近傍A、
B、C、D4画素の位置関係は図25のごとくなる。
【0062】すなわち今注目画素Xが、図23のbの部
分のインクを読んでいたとするならば、上記A、B、
C、Dはいずれもその周囲に位置するaパターンの画像
を読んでいる事になる。
【0063】(判定アルゴリズム)今Aの画素信号を構
成するR成分をAR 、G成分をAG 、B成分をAB 、赤
外成分をAIRとし、同様にB、C、Dの各画素信号を構
成するR、G、B、IRの各成分を定義する。そして、
同色成分の平均値YR 、YG 、YB 、YIRを次式で求め
る。
【0064】
【外1】
【0065】目的のパターンの判定は、それぞれ上式で
求めた平均値Yと注目画素Xの差に従う。すなわち、 ΔR=|YR −XR |、ΔG=|YG −XG |、ΔB=
|YB −XB |、ΔIR=YIR−XIR としたとき、 ΔR<K ΔG<K (K、Lは定数) ΔB<K ΔIR>L が成立すれば、パターン有りと判定する。
【0066】すなわち、注目画素がその周辺画素と比べ
て可視域では色味に差が小であり、赤外特性において定
数L以上の差を有すると判断出来る。
【0067】図26は上記判定アルゴリズムを実施した
ハードウェア例である。加算器121はそれぞれ4画素
分の各色成分を単純加算し、その上位8bit分を出力
し、それぞれYR 、YG 、YB 、YIRを得る。減算器1
22はそれぞれ注目画素信号の各成分との差を求め、
R、G、Bの3成分はその絶対値を基準信号としての定
数Kと比較器123、124、125で比較する。一方
赤外成分は基準信号としての定数Lと比較器126によ
って比較する。上記、各比較器出力がアンドゲート12
7に入力され、その出力端子におて“1”の場合、パタ
ーンを判定した事になる。
【0068】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば可
視光から非可視光に亘る広い波長範囲の光信号検出がで
きる小型の装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施態様による固体撮像装置の模式
的上面図。
【図2】本発明に用いられるカラーフィルターの分光特
性を示す線図。
【図3】本発明に用いられる可視光カットフィルターの
分光特性を示す線図。
【図4】本発明に用いられる光源の発光特性を示す線
図。
【図5】本発明の別の実施態様による固体撮像装置の模
式的上面図。
【図6】本発明の実施例1による固体撮像装置の模式的
断面図。
【図7】本発明の実施例2による固体撮像装置の模式的
断面図。
【図8】本発明の実施例3による固体撮像装置の模式的
断面図。
【図9】本発明の実施例4による固体撮像装置の模式的
断面図。
【図10】本発明の実施例5による固体撮像装置の模式
的断面図。
【図11】本発明の実施例6による固体撮像装置の模式
的上面図。
【図12】本発明の実施例6による固体撮像装置の模式
的断面図。
【図13】本発明の実施例7による固体撮像装置の模式
的断面図。
【図14】本発明の実施例8による固体撮像装置の模式
的上面図。
【図15】本発明の実施例9による固体撮像装置の模式
的上面図。
【図16】本発明の実施例10による固体撮像装置の模
式的上面図。
【図17】本発明に用いられる固体撮像装置の走査回路
を示すブロック図。
【図18】本発明に用いられる固体撮像装置の走査回路
の別の例を示すブロック図。
【図19】本発明に用いられる固体撮像装置の走査回路
のまた別の例を示すブロック図。
【図20】本発明に用いられる固体撮像装置の走査回路
の更に別の例を示すブロック図。
【図21】本発明の画像情報処理装置の制御系のブロッ
ク図。
【図22】本発明の画像情報処理装置により読み取るこ
とのできる原稿に用いられる赤外光吸収色素の分光特性
を示す線図。
【図23】本発明の画像情報処理装置により読み取るこ
とのできる原稿を示す模式図。
【図24】本発明の画像情報処理装置における判別手段
の構成を示すブロック図。
【図25】本発明の画像情報処理装置における判別動作
を説明するための模式図。
【図26】図24に示した判別手段の詳細な構成を示す
ブロック図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宮脇 守 東京都大田区下丸子3丁目30番2号キヤ ノン株式会社内 (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H04N 1/028

Claims (8)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 光信号を電気信号に光電変換する固体撮
    像装置において、 可視光領域の光信号を複数の色分解信号を含む第一の電
    気信号に変換する複数の第1の光電変換要素と、非可視
    光領域の光信号を第二の電気信号に変換する第2の光電
    変換要素と、が同一基板上に設けられており、 前記複数の第1の光電変換要素間の第1の素子分離手段
    と、前記第1の光電変換要素と前記第2の光電変換要素
    との間の第2の素子分離手段と、が異なる構成であるこ
    とを特徴とする固体撮像装置。
  2. 【請求項2】 前記複数の第1の光電変換要素は第1導
    電型の共通の半導体層と第2導電型の個別の半導体領域
    とを含み、前記第1の素子分離手段は前記個別の半導体
    領域の間にある第1導電型で前記半導体層よりも不純物
    濃度の高い半導体からなる素子分離領域であり、前記第
    2の素子分離手段は前記第1および第2の光電変換要素
    間にある第2導電型の半導体からなる素子分離領域であ
    ることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。
  3. 【請求項3】 前記可視光領域の光信号を第一の電気信
    号に変換する複数の光電変換要素は赤色、青色及び緑色
    の3つの色分解信号を発生することを特徴とする請求項
    1に記載の固体撮像装置。
  4. 【請求項4】 前記非可視光領域の光信号を第二の電気
    信号に変換する光電変換要素は赤外線を吸収し赤外信号
    を発生することを特徴とする請求項1に記載の固体撮像
    装置。
  5. 【請求項5】 前記可視光領域の光信号を第一の電気信
    号に変換する複数の光電変換要素は赤色、青色及び緑色
    の3つの色分解信号を発生するとともに、前記非可視光
    領域の光信号を第二の電気信号に変換する光電変換要素
    は赤外線を吸収し赤外信号を発生することを特徴とする
    請求項1に記載の固体撮像装置。
  6. 【請求項6】 前記光電変換要素は光ダイオードまたは
    光トランジスタを含むことを特徴とする請求項1に記載
    の固体撮像装置。
  7. 【請求項7】 光信号を得るために原稿を照明する照明
    手段と、 可視光領域の光信号を複数の色分解信号を含む第一の電
    気信号に変換する複数の第1の光電変換要素と、非可視
    光領域の光信号を第二の電気信号に変換する第2の光電
    変換要素と、が同一基板上に設けられており、前記複数
    の第1の光電変換要素間の第1の素子分離手段と、前記
    第1の光電変換要素と前記第2の光電変換要素との間の
    第2の素子分離手段と、が異なる構成である撮像手段
    と、 を具備することを特徴とする画像情報処理装置。
  8. 【請求項8】 光信号を得るために原稿を照明する照明
    手段と、 可視光領域の光信号を複数の色分解信号を含む第一の電
    気信号に変換する複数の第1の光電変換要素と、非可視
    光領域の光信号を第二の電気信号に変換する第2の光電
    変換要素と、が同一基板上に設けられており、前記複数
    の第1の光電変換要素間の第1の素子分離手段と、前記
    第1の光電変換要素と前記第2の光電変換要素との間の
    第2の素子分離手段と、が異なる構成である撮像手段
    と、 前記第一の電気信号に基づき画像を形成する画像形成手
    段と、 前記第二の電気信号から前記原稿が非可視の特定パター
    ンを有するか否かを判別する判別手段と、 前記判別手段の出力に基づいて前記画像形成手段の動作
    を制御する制御手段と、 を具備することを特徴とする画像情報処理装置。
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