JPH0712779A - Ｓｑｕｉｄ応用検査装置 - Google Patents
Ｓｑｕｉｄ応用検査装置Info
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- JPH0712779A JPH0712779A JP5143294A JP14329493A JPH0712779A JP H0712779 A JPH0712779 A JP H0712779A JP 5143294 A JP5143294 A JP 5143294A JP 14329493 A JP14329493 A JP 14329493A JP H0712779 A JPH0712779 A JP H0712779A
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- sensor
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- cryostat
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E30/00—Energy generation of nuclear origin
- Y02E30/30—Nuclear fission reactors
Abstract
(57)【要約】
【構成】ＳＱＵＩＤセンサ及び検査材料の走査装置をホ
ットラボ内に、ＳＱＵＩＤセンサのコントローラ及びク
ライオスタットへの冷媒の供給装置をホットラボ外に設
置し、ＳＱＵＩＤセンサの検出部を延長し、ホットラボ
内に差し込み一体化する。ＳＱＵＩＤセンサの冷媒は、
カートリッジ方式で供給する。ＳＱＵＩＤセンサで、Ｓ
ＱＵＩＤ素子及びピックアップコイルをクライオスタッ
トの真空部に配置し、熱伝導度の高い材料で製作した内
部パイプにＳＱＵＩＤ素子及びピックアップコイルを連
結し、内部冷媒の蒸発をリークさせるための排気管をク
ライオスタット中央に配置する。 【効果】ホットラボ内での照射材の計測でき、また、機
器材料の損傷度を直接計測できる。
ットラボ内に、ＳＱＵＩＤセンサのコントローラ及びク
ライオスタットへの冷媒の供給装置をホットラボ外に設
置し、ＳＱＵＩＤセンサの検出部を延長し、ホットラボ
内に差し込み一体化する。ＳＱＵＩＤセンサの冷媒は、
カートリッジ方式で供給する。ＳＱＵＩＤセンサで、Ｓ
ＱＵＩＤ素子及びピックアップコイルをクライオスタッ
トの真空部に配置し、熱伝導度の高い材料で製作した内
部パイプにＳＱＵＩＤ素子及びピックアップコイルを連
結し、内部冷媒の蒸発をリークさせるための排気管をク
ライオスタット中央に配置する。 【効果】ホットラボ内での照射材の計測でき、また、機
器材料の損傷度を直接計測できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、管理区域（ホットラ
ボ）内で処理する必要がある中性子照射等を受けた機器
材料の損傷あるいは材質劣化の状態を検出する装置に係
り、特に、管理区域（ホットラボ）内で使用可能なＳＱ
ＵＩＤセンサの非破壊検査装置と、微小試料サンプリン
グの照射シールド容器及び測定方向が自在のＳＱＵＩＤ
センサ構造に関する。
ボ）内で処理する必要がある中性子照射等を受けた機器
材料の損傷あるいは材質劣化の状態を検出する装置に係
り、特に、管理区域（ホットラボ）内で使用可能なＳＱ
ＵＩＤセンサの非破壊検査装置と、微小試料サンプリン
グの照射シールド容器及び測定方向が自在のＳＱＵＩＤ
センサ構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来技術は、特開昭60−128385号公報に
記載のように、磁気シールド室内で生体の磁化状態をＳ
ＱＵＩＤセンサで検出し、患者の内臓の状態を検査する
ものである。
記載のように、磁気シールド室内で生体の磁化状態をＳ
ＱＵＩＤセンサで検出し、患者の内臓の状態を検査する
ものである。
【０００３】また、特開昭62−273447号公報に記載のよ
うに、常伝導コイルを用いた渦電流装置により、材料の
劣化状態を電気伝導度から検出する。
うに、常伝導コイルを用いた渦電流装置により、材料の
劣化状態を電気伝導度から検出する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、ＳＱＵＩＤセ
ンサを用いた従来技術は、検査対象が原子力プラントの
機器など材料を想定していない（請求項１）。また検査
材料が照射を受けている場合、検査材料が比較的小さい
サンプルである場合、あるいは、検査装置を管理区域
（ホットラボ）内で使用しなければならない場合を想定
していない（請求項１〜４）。さらに、ＳＱＵＩＤセン
サの実プラントでの走査性を考慮した構造に無い（請求
項５，６）。
ンサを用いた従来技術は、検査対象が原子力プラントの
機器など材料を想定していない（請求項１）。また検査
材料が照射を受けている場合、検査材料が比較的小さい
サンプルである場合、あるいは、検査装置を管理区域
（ホットラボ）内で使用しなければならない場合を想定
していない（請求項１〜４）。さらに、ＳＱＵＩＤセン
サの実プラントでの走査性を考慮した構造に無い（請求
項５，６）。
【０００５】また、常伝導コイルを用いた渦電流装置を
用いた従来技術は、検出感度が低く、非磁性材料や微小
サンプル試験片の検出は考慮していない。渦電流装置と
してリフトオフの影響が大きく、また磁気パラメータの
みの検出はできない。
用いた従来技術は、検出感度が低く、非磁性材料や微小
サンプル試験片の検出は考慮していない。渦電流装置と
してリフトオフの影響が大きく、また磁気パラメータの
みの検出はできない。
【０００６】本発明の目的は、機器材料の損傷度を評価
する検査装置において、ＳＱＵＩＤセンサを応用し、管
理区域（ホットラボ）内での計測が可能な装置、及び実
プラント機器の測定が可能な全方向アクションが可能な
装置を提供することにある。
する検査装置において、ＳＱＵＩＤセンサを応用し、管
理区域（ホットラボ）内での計測が可能な装置、及び実
プラント機器の測定が可能な全方向アクションが可能な
装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的は、まず、ＳＱ
ＵＩＤセンサ及び検査材料の走査装置をホットラボ内
に、ＳＱＵＩＤセンサのコントローラ及びクライオスタ
ットへの冷媒の供給装置をホットラボ外に設置する（請
求項１，２）。
ＵＩＤセンサ及び検査材料の走査装置をホットラボ内
に、ＳＱＵＩＤセンサのコントローラ及びクライオスタ
ットへの冷媒の供給装置をホットラボ外に設置する（請
求項１，２）。
【０００８】また、ＳＱＵＩＤセンサの検出部を延長
し、ホットラボ内に差し込み一体化した構造とする（請
求項３）。
し、ホットラボ内に差し込み一体化した構造とする（請
求項３）。
【０００９】検査対象の材料を小さく切断し、さらに非
磁性の照射シールド容器に入れ、ホットラボ（管理区
域）外でも扱い可能にする（請求項４）。
磁性の照射シールド容器に入れ、ホットラボ（管理区
域）外でも扱い可能にする（請求項４）。
【００１０】ＳＱＵＩＤセンサを冷却する冷媒をカート
リッジ方式で供給する（請求項５）。
リッジ方式で供給する（請求項５）。
【００１１】ＳＱＵＩＤセンサにおいて、ＳＱＵＩＤ素
子及びピックアップコイルをクライオスタットの真空部
に配置すると共に、熱伝導度の高い材料で製作した内部
パイプにＳＱＵＩＤ素子及びピックアップコイルを連結
し、内部冷媒の蒸発をリークさせるための排気管をクラ
イオスタット中央に配置する（請求項６）。
子及びピックアップコイルをクライオスタットの真空部
に配置すると共に、熱伝導度の高い材料で製作した内部
パイプにＳＱＵＩＤ素子及びピックアップコイルを連結
し、内部冷媒の蒸発をリークさせるための排気管をクラ
イオスタット中央に配置する（請求項６）。
【００１２】
【作用】ＳＱＵＩＤセンサを用いて管理区域（ホットラ
ボ）内での計測するために、まず、ＳＱＵＩＤセンサ及
び検査材料の走査装置をホットラボ内に配置し、検査材
料を走査装置で走査し、材料損傷による磁気変化をＳＱ
ＵＩＤセンサで検出する。照射によるコントロール部の
電子部品の劣化を防ぐためＳＱＵＩＤセンサのコントロ
ーラをホットラボ外に設置するとともに、クライオスタ
ットへの冷媒の供給装置をホットラボ外に設置し、ＳＱ
ＵＩＤセンサの連続運転時間を確保する（請求項１，
２）。
ボ）内での計測するために、まず、ＳＱＵＩＤセンサ及
び検査材料の走査装置をホットラボ内に配置し、検査材
料を走査装置で走査し、材料損傷による磁気変化をＳＱ
ＵＩＤセンサで検出する。照射によるコントロール部の
電子部品の劣化を防ぐためＳＱＵＩＤセンサのコントロ
ーラをホットラボ外に設置するとともに、クライオスタ
ットへの冷媒の供給装置をホットラボ外に設置し、ＳＱ
ＵＩＤセンサの連続運転時間を確保する（請求項１，
２）。
【００１３】また、ＳＱＵＩＤセンサの検出部を延長
し、ホットラボ内に差し込みSQUID センサとホットラボ
を一体化した構造で、ピックアップコイル部のみホット
ラボ（管理区域）内に位置するようにして、ＳＱＵＩＤ
素子及びプリアンプをホットラボ外に配置することでＳ
ＱＵＩＤセンサのメンテナンス及び耐照射性を持たせる
（請求項３）。
し、ホットラボ内に差し込みSQUID センサとホットラボ
を一体化した構造で、ピックアップコイル部のみホット
ラボ（管理区域）内に位置するようにして、ＳＱＵＩＤ
素子及びプリアンプをホットラボ外に配置することでＳ
ＱＵＩＤセンサのメンテナンス及び耐照射性を持たせる
（請求項３）。
【００１４】照射材を管理レベル以下にして、取扱いを
容易にするため、検査対象の材料を小さく切断し、さら
に非磁性の照射シールド容器に入れる。この状態でSQUI
D センサにより測定する（請求項４）。
容易にするため、検査対象の材料を小さく切断し、さら
に非磁性の照射シールド容器に入れる。この状態でSQUI
D センサにより測定する（請求項４）。
【００１５】ＳＱＵＩＤセンサの冷却を容易にするた
め、小型のカートリッジで冷媒を取替え可能にし、ＳＱ
ＵＩＤセンサを一定時間の冷却の確保及び取扱性を容易
にする（請求項５）。
め、小型のカートリッジで冷媒を取替え可能にし、ＳＱ
ＵＩＤセンサを一定時間の冷却の確保及び取扱性を容易
にする（請求項５）。
【００１６】実プラント機器の測定が可能な全方向アク
ションが可能な装置を提供するため、ＳＱＵＩＤセンサ
のＳＱＵＩＤ素子及びピックアップコイルをクライオス
タットの真空部に配置すると共に、熱伝導度の高い材料
で製作した内部パイプにＳＱＵＩＤ素子及びピックアッ
プコイルを連結し、冷媒で内部パイプを冷却することで
特に、クライオスタットがどんな方向の状態でも、この
熱伝導により安定的にＳＱＵＩＤ素子及びピックアップ
コイルを冷却できる。なお、内部冷媒の蒸発は、クライ
オスタット中央に配置した排気管でリークさせる（請求
項６）。
ションが可能な装置を提供するため、ＳＱＵＩＤセンサ
のＳＱＵＩＤ素子及びピックアップコイルをクライオス
タットの真空部に配置すると共に、熱伝導度の高い材料
で製作した内部パイプにＳＱＵＩＤ素子及びピックアッ
プコイルを連結し、冷媒で内部パイプを冷却することで
特に、クライオスタットがどんな方向の状態でも、この
熱伝導により安定的にＳＱＵＩＤ素子及びピックアップ
コイルを冷却できる。なお、内部冷媒の蒸発は、クライ
オスタット中央に配置した排気管でリークさせる（請求
項６）。
【００１７】
【実施例】次に、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。
する。
【００１８】図１は、本発明の検査システムの基本構成
の例を示したものである。
の例を示したものである。
【００１９】図１において、１は、原子力プラントやホ
ットラボにおける管理区域を示している。この１の管理
区域内には、照射を受けた機器材料のサンプル２０，サ
ンプル２０を走査する走査装置４０、及びサンプル２０
の材料劣化を検出するためのＳＱＵＩＤセンサ３０を配
置してある。電子部品を含むＳＱＵＩＤセンサ３０のコ
ントローラ３２、及び走査装置４０のコントローラ４２
は、管理区域１の外部に配置してある。それぞれＳＱＵ
ＩＤセンサ３０とＳＱＵＩＤコントローラ３２、並びに
走査装置４０と走査コントローラ４２の接続は、コネク
タ３１及び４１で行う。ＳＱＵＩＤコントローラ３２及
び走査コントローラ４２は、例えば、パーソナルコンピ
ュータ等の演算装置５に接続してあり、測定結果は、Ｃ
ＲＴやプリンタ等の表示装置６に出力される。
ットラボにおける管理区域を示している。この１の管理
区域内には、照射を受けた機器材料のサンプル２０，サ
ンプル２０を走査する走査装置４０、及びサンプル２０
の材料劣化を検出するためのＳＱＵＩＤセンサ３０を配
置してある。電子部品を含むＳＱＵＩＤセンサ３０のコ
ントローラ３２、及び走査装置４０のコントローラ４２
は、管理区域１の外部に配置してある。それぞれＳＱＵ
ＩＤセンサ３０とＳＱＵＩＤコントローラ３２、並びに
走査装置４０と走査コントローラ４２の接続は、コネク
タ３１及び４１で行う。ＳＱＵＩＤコントローラ３２及
び走査コントローラ４２は、例えば、パーソナルコンピ
ュータ等の演算装置５に接続してあり、測定結果は、Ｃ
ＲＴやプリンタ等の表示装置６に出力される。
【００２０】サンプル２０の取扱いは、管理区域１のホ
ットラボに備付けのマニプレータを用いるものとする。
ットラボに備付けのマニプレータを用いるものとする。
【００２１】本実施例では、照射材であるサンプル２０
からのγ線照射を考慮し、SQUID コントローラ３２及び
走査コントローラ４２を管理区域１の外部に位置してい
るため、ＳＱＵＩＤセンサ３０及び走査装置４０のγ線
照射による誤動作や機能劣化が起きにくく、測定の信頼
性が向上する。
からのγ線照射を考慮し、SQUID コントローラ３２及び
走査コントローラ４２を管理区域１の外部に位置してい
るため、ＳＱＵＩＤセンサ３０及び走査装置４０のγ線
照射による誤動作や機能劣化が起きにくく、測定の信頼
性が向上する。
【００２２】図２は、本発明の検査システムをホットラ
ボに適用した例である。
ボに適用した例である。
【００２３】図２において、７０は、液体ヘリウムや液
体窒素の冷媒タンク、あるいはクライオポンプからなる
冷媒供給装置であり、７１は、冷媒のトタンスファーチ
ューブである。トタンスファーチューブ７１は、ホット
ラボ１０の壁を通してSQUIDセンサ３０と冷媒供給装置
７０を接続するものである。これにより、ＳＱＵＩＤセ
ンサ３０を連続で冷却できるため、被爆無しに長時間の
測定が可能である。
体窒素の冷媒タンク、あるいはクライオポンプからなる
冷媒供給装置であり、７１は、冷媒のトタンスファーチ
ューブである。トタンスファーチューブ７１は、ホット
ラボ１０の壁を通してSQUIDセンサ３０と冷媒供給装置
７０を接続するものである。これにより、ＳＱＵＩＤセ
ンサ３０を連続で冷却できるため、被爆無しに長時間の
測定が可能である。
【００２４】図３は、本発明の検査システムをホットラ
ボに適用した他の実施例である。
ボに適用した他の実施例である。
【００２５】図３において、ＳＱＵＩＤセンサの検出部
３０１ａを延長し、ホットラボ１０内に差し込みＳＱＵ
ＩＤセンサ３０とホットラボ１０を一体化した。ピック
アップコイル部３０２のみホットラボ（管理区域）１０
内に位置するため、SQUID 素子３００及びプリアンプ３
２は、ホットラボ１０外に配置できることでSQUID セン
サ３０のメンテナンス及び耐照射性が向上するメリット
がある。サンプル２０及び走査装置４０は、管理区域１
のホットラボに備付けのマニプレータ等を用いて遠隔操
作が可能である。
３０１ａを延長し、ホットラボ１０内に差し込みＳＱＵ
ＩＤセンサ３０とホットラボ１０を一体化した。ピック
アップコイル部３０２のみホットラボ（管理区域）１０
内に位置するため、SQUID 素子３００及びプリアンプ３
２は、ホットラボ１０外に配置できることでSQUID セン
サ３０のメンテナンス及び耐照射性が向上するメリット
がある。サンプル２０及び走査装置４０は、管理区域１
のホットラボに備付けのマニプレータ等を用いて遠隔操
作が可能である。
【００２６】図４は、検査材料を照射シールド容器に入
れ、取扱いを容易にして本システムを適用した実施例で
ある。
れ、取扱いを容易にして本システムを適用した実施例で
ある。
【００２７】図４において、照射材を小さく切断した
後、さらに鉛等の非磁性の照射シールド容器９０に入
れ、サンプル２０の照射レベルを管理値以下にする。こ
れにより、サンプル２０の取扱いが容易になる。この状
態でＳＱＵＩＤセンサにより測定する。サンプル２０が
比較的小さくなるため、検出信号レベルも低下する。こ
のため、外部ノイズを遮断するための磁気シールド容器
９０１を用いる。磁気シールド容器９０１内にサンプル
２０を納めた照射シールド容器９０を入れ、SQUIDセン
サ３０で測定する。
後、さらに鉛等の非磁性の照射シールド容器９０に入
れ、サンプル２０の照射レベルを管理値以下にする。こ
れにより、サンプル２０の取扱いが容易になる。この状
態でＳＱＵＩＤセンサにより測定する。サンプル２０が
比較的小さくなるため、検出信号レベルも低下する。こ
のため、外部ノイズを遮断するための磁気シールド容器
９０１を用いる。磁気シールド容器９０１内にサンプル
２０を納めた照射シールド容器９０を入れ、SQUIDセン
サ３０で測定する。
【００２８】また、ＳＱＵＩＤセンサ３０のクライオス
タット３０１の中央に照射シールド容器９０を通過でき
る孔９００を設け、ＳＱＵＩＤセンサ３０内に設けた超
電導シールド筒９０２で電磁遮蔽し、照射材２０の高感
度の検出を行う。
タット３０１の中央に照射シールド容器９０を通過でき
る孔９００を設け、ＳＱＵＩＤセンサ３０内に設けた超
電導シールド筒９０２で電磁遮蔽し、照射材２０の高感
度の検出を行う。
【００２９】これらの実施例によれば、照射材を通常の
環境で安全に取扱えると共に、外部の影響を比較的受け
ずに、サンプルの照射損傷を検査できる。
環境で安全に取扱えると共に、外部の影響を比較的受け
ずに、サンプルの照射損傷を検査できる。
【００３０】次に、ＳＱＵＩＤセンサの走査性及び取扱
性を向上させた本発明の実施例を図面に基づいて説明す
る。
性を向上させた本発明の実施例を図面に基づいて説明す
る。
【００３１】図５は、ＳＱＵＩＤセンサを冷却するを容
易にするため、小型のカートリッジで冷媒を取替え可能
にし、ＳＱＵＩＤセンサを一定時間の冷却の確保及び取
扱性を容易にしたＳＱＵＩＤセンサの実施例である。
易にするため、小型のカートリッジで冷媒を取替え可能
にし、ＳＱＵＩＤセンサを一定時間の冷却の確保及び取
扱性を容易にしたＳＱＵＩＤセンサの実施例である。
【００３２】図５において、ＳＱＵＩＤセンサは、水平
及び下向き垂直の範囲を測定できるものである。クライ
オスタット３０１内にピックアップコイル３０２，SQUI
D 素子３００、及びケーブルシャフト３０３が支持板３
０４で固定してある。ケーブルシャフト３０３は、クラ
イオスタット３０１壁のコネクタ部３０５を介してＳＱ
ＵＩＤアンプ３２に接続してある。
及び下向き垂直の範囲を測定できるものである。クライ
オスタット３０１内にピックアップコイル３０２，SQUI
D 素子３００、及びケーブルシャフト３０３が支持板３
０４で固定してある。ケーブルシャフト３０３は、クラ
イオスタット３０１壁のコネクタ部３０５を介してＳＱ
ＵＩＤアンプ３２に接続してある。
【００３３】クライオスタット３０１に冷媒を供給する
カートリッジ８０は、真空断熱構造でできている。クラ
イオスタット３０１の受け口ジョイント８４にこのカー
トリッジ８０の差し込み口ジョイント８３を取付け、冷
媒８１を供給する。受け口ジョイント８４からＳＱＵＩ
Ｄ素子３００まで延長管８５設けてあり、冷媒８１の供
給で直接ピックアップコイル３０２及びＳＱＵＩＤ素子
３００を冷却できる。クライオスタット３０１には冷媒
のガス逃し弁３０６が設けてある。
カートリッジ８０は、真空断熱構造でできている。クラ
イオスタット３０１の受け口ジョイント８４にこのカー
トリッジ８０の差し込み口ジョイント８３を取付け、冷
媒８１を供給する。受け口ジョイント８４からＳＱＵＩ
Ｄ素子３００まで延長管８５設けてあり、冷媒８１の供
給で直接ピックアップコイル３０２及びＳＱＵＩＤ素子
３００を冷却できる。クライオスタット３０１には冷媒
のガス逃し弁３０６が設けてある。
【００３４】カートリッジ８０には、パイプ付き内圧逃
し弁８２があり、カートリッジ８０取付け時には、自加
圧で自動的にクライオスタット３０１内に冷媒が供給さ
れる。
し弁８２があり、カートリッジ８０取付け時には、自加
圧で自動的にクライオスタット３０１内に冷媒が供給さ
れる。
【００３５】この実施例によれば、冷媒のカートリッジ
補給方式により、冷媒の供給が容易になるとともに、冷
媒溜めが不要になるためＳＱＵＩＤセンサの小型化がで
きる。また走査性も向上する。
補給方式により、冷媒の供給が容易になるとともに、冷
媒溜めが不要になるためＳＱＵＩＤセンサの小型化がで
きる。また走査性も向上する。
【００３６】図６は、ＳＱＵＩＤセンサの走査性及び取
扱性を向上させた本発明の他の実施例である。
扱性を向上させた本発明の他の実施例である。
【００３７】実プラント機器の測定が可能な全方向アク
ションが可能な装置とするため、まず、ＳＱＵＩＤセン
サのＳＱＵＩＤ素子３００及びピックアップコイル３０
２をクライオスタット外容器３３０と内容器３３１との
間の真空部に配置する。クライオスタット外容器３３０
と内容器３３１とは、支持板３３２で固定されている。
ＳＱＵＩＤ素子３００及びピックアップコイル３０２に
は銅やアルミニウム等の熱伝導度の高い材料で製作した
内部パイプ３５０を連結し、冷媒で内部パイプ３５０を
冷却することでＳＱＵＩＤ素子３００及びピックアップ
コイル３０２を所定の動作温度に保持する。クライオス
タット内容器３３１は、ほぼ密閉状態になっており、冷
媒供給パイプ３３３と排気ダクトパイプ３０６のみが設
けてある。冷媒供給パイプ３３３は、ジョイント３３４
を介して、冷媒供給フレキシブルパイプ３３５が接続さ
れ、連続あるいはバッチ式供給が可能である。ここで、
冷媒の供給をカートリッジ方式でも代用できる。排気ダ
クトパイプ３０６には冷媒の逃し弁３０７があり、内圧
を一定に保持している。クライオスタット内容器３３１
内の冷媒のレベルは、レベル計３４１で計測し、内部パ
イプ３５０の温度は、温度計３４０で計測する。
ションが可能な装置とするため、まず、ＳＱＵＩＤセン
サのＳＱＵＩＤ素子３００及びピックアップコイル３０
２をクライオスタット外容器３３０と内容器３３１との
間の真空部に配置する。クライオスタット外容器３３０
と内容器３３１とは、支持板３３２で固定されている。
ＳＱＵＩＤ素子３００及びピックアップコイル３０２に
は銅やアルミニウム等の熱伝導度の高い材料で製作した
内部パイプ３５０を連結し、冷媒で内部パイプ３５０を
冷却することでＳＱＵＩＤ素子３００及びピックアップ
コイル３０２を所定の動作温度に保持する。クライオス
タット内容器３３１は、ほぼ密閉状態になっており、冷
媒供給パイプ３３３と排気ダクトパイプ３０６のみが設
けてある。冷媒供給パイプ３３３は、ジョイント３３４
を介して、冷媒供給フレキシブルパイプ３３５が接続さ
れ、連続あるいはバッチ式供給が可能である。ここで、
冷媒の供給をカートリッジ方式でも代用できる。排気ダ
クトパイプ３０６には冷媒の逃し弁３０７があり、内圧
を一定に保持している。クライオスタット内容器３３１
内の冷媒のレベルは、レベル計３４１で計測し、内部パ
イプ３５０の温度は、温度計３４０で計測する。
【００３８】クライオスタットがどんな方向の状態で
も、内部パイプ３５０の熱伝導により安定的にＳＱＵＩ
Ｄ素子及びピックアップコイルを冷却できるため、ＳＱ
ＵＩＤセンサの動作が確保できる。
も、内部パイプ３５０の熱伝導により安定的にＳＱＵＩ
Ｄ素子及びピックアップコイルを冷却できるため、ＳＱ
ＵＩＤセンサの動作が確保できる。
【００３９】この実施例を用いれば、例えば、配管の全
周検査や複雑形状の機器にも検査が可能になる。
周検査や複雑形状の機器にも検査が可能になる。
【００４０】以上、本発明の実施例について説明した
が、照射材サンプルを対象にホットラボ内でのＳＱＵＩ
Ｄセンサの計測及び原子炉構造物への適用を考慮したSQ
UID センサにより、原子力プラント機器の損傷度を定量
的に評価でき、プラント機器の信頼性，安全性の向上が
図れる。
が、照射材サンプルを対象にホットラボ内でのＳＱＵＩ
Ｄセンサの計測及び原子炉構造物への適用を考慮したSQ
UID センサにより、原子力プラント機器の損傷度を定量
的に評価でき、プラント機器の信頼性，安全性の向上が
図れる。
【００４１】
【発明の効果】本発明によれば、高感度のＳＱＵＩＤセ
ンサを用いて、ホットラボ内での照射材の計測でき、ま
た、実プラント検査に対応したＳＱＵＩＤセンサによ
り、機器材料の損傷度を直接計測できるため、プラント
機器の信頼性，安全性を向上させることができる。
ンサを用いて、ホットラボ内での照射材の計測でき、ま
た、実プラント検査に対応したＳＱＵＩＤセンサによ
り、機器材料の損傷度を直接計測できるため、プラント
機器の信頼性，安全性を向上させることができる。
【図１】本発明の全体システムの基本構成の一例を示し
たブロック図。
たブロック図。
【図２】ＳＱＵＩＤセンサをホットラボ内で使用した実
施例の説明図。
施例の説明図。
【図３】ＳＱＵＩＤセンサとホットラボを一体化した実
施例の説明図。
施例の説明図。
【図４】サンプル材を照射シールド容器内に納めて本発
明を適用した実施例の説明図。
明を適用した実施例の説明図。
【図５】カートリッジ方式による冷媒供給型ＳＱＵＩＤ
センサの実施例の説明図。
センサの実施例の説明図。
【図６】全方向検査型ＳＱＵＩＤセンサの実施例の説明
図。
図。
１０…ホットラボ、２０…サンプル、３２…ＳＱＵＩＤ
コントローラ、４０…走査装置、３００…ＳＱＵＩＤ素
子、３０１ａ…クライオスタット検出部、302…ピック
アップコイル。
コントローラ、４０…走査装置、３００…ＳＱＵＩＤ素
子、３０１ａ…クライオスタット検出部、302…ピック
アップコイル。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 坂田 信二 茨城県土浦市神立町502番地 株式会社日 立製作所機械研究所内
Claims (6)
- 【請求項１】原子力プラント等の機器を検査し、その損
傷度を評価する検査装置において、照射を受けた機器材
料を検査するセンサに放射線シールドを施し、微小な変
化も検出できるＳＱＵＩＤセンサを用い、前記、ＳＱＵ
ＩＤセンサを管理区域でも冷却できる機構を備えたこと
を特徴とするＳＱＵＩＤ応用検査装置。 - 【請求項２】請求項１の前記ＳＱＵＩＤセンサを検査用
ホットセル内で使用できるように、センサ部及び走査部
をホットセル内に配置し、コントロール部をホットセル
外に配置し、ホットセル外から連続的に前記ＳＱＵＩＤ
センサを冷却できる装置を備えたホットラボ用ＳＱＵＩ
Ｄ応用検査装置。 - 【請求項３】ＳＱＵＩＤセンサの検出部のみを照射材を
検査するホットセル内に配置し、ホットセルと前記ＳＱ
ＵＩＤセンサを一体化し、前記ＳＱＵＩＤセンサのメン
テナンスを容易にしたことを特徴とするホットラボ用Ｓ
ＱＵＩＤ応用検査装置。 - 【請求項４】原子力プラント等の機器を検査し、その損
傷度を評価する検査装置において、被曝を低減するため
の照射材を納める小型非磁性の放射線シールド容器と、
照射材の入った前記放射線シールド容器ごと検査できる
非接触高感度のＳＱＵＩＤセンサから構成されることを
特徴とするホットラボ用ＳＱＵＩＤ応用検査装置。 - 【請求項５】原子力プラント等の機器を検査し、その損
傷度を評価する検査装置において、照射を受けた機器材
料を検査するセンサにＳＱＵＩＤセンサを用いる場合、
冷却を容易にし、センサの走査性を持たせるため、ＳＱ
ＵＩＤセンサの冷却を冷媒のカートリッジ補充方式とし
て必要な量だけを冷媒のカートリッジの交換で補給する
システムを備えたことを特徴とするＳＱＵＩＤ応用検査
装置。 - 【請求項６】請求項５において、ＳＱＵＩＤ素子及びピ
ックアップコイルをクライオスタットの真空部に配置す
ると共に、熱伝導度の高い材料で製作した内部パイプに
前記ＳＱＵＩＤ素子及び前記ピックアップコイルを連結
し、内部冷媒の蒸発をリークさせるための排気管を前記
クライオスタットの中央に配置すること、前記クライオ
スタットの内部容器と外部容器を完全真空容器としたＳ
ＱＵＩＤ応用検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5143294A JPH0712779A (ja) | 1993-06-15 | 1993-06-15 | Ｓｑｕｉｄ応用検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5143294A JPH0712779A (ja) | 1993-06-15 | 1993-06-15 | Ｓｑｕｉｄ応用検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0712779A true JPH0712779A (ja) | 1995-01-17 |
Family
ID=15335394
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5143294A Pending JPH0712779A (ja) | 1993-06-15 | 1993-06-15 | Ｓｑｕｉｄ応用検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0712779A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007132923A (ja) * | 2005-10-11 | 2007-05-31 | Osaka Univ | 非破壊検査装置および非破壊検査装置のコイルの設計方法 |
| JP2008196941A (ja) * | 2007-02-13 | 2008-08-28 | Railway Technical Res Inst | 液体酸素検知システム |
-
1993
- 1993-06-15 JP JP5143294A patent/JPH0712779A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007132923A (ja) * | 2005-10-11 | 2007-05-31 | Osaka Univ | 非破壊検査装置および非破壊検査装置のコイルの設計方法 |
| JP2008196941A (ja) * | 2007-02-13 | 2008-08-28 | Railway Technical Res Inst | 液体酸素検知システム |
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