JPH07124861A - フロートポリッシング装置 - Google Patents
フロートポリッシング装置Info
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- JPH07124861A JPH07124861A JP27185893A JP27185893A JPH07124861A JP H07124861 A JPH07124861 A JP H07124861A JP 27185893 A JP27185893 A JP 27185893A JP 27185893 A JP27185893 A JP 27185893A JP H07124861 A JPH07124861 A JP H07124861A
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- polishing
- polishing plate
- resin
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ポリッシングプレートの製作に要するコスト
と労力を小さく抑えた上で、該ポリッシングプレートの
腐食を防ぎ、アルカリ性研磨液の使用が不可欠なシリコ
ン単結晶の研磨に対してもフロートポリッシング法を適
用することができるフロートポリッシング装置を提供す
ること。 【構成】 上面に螺旋状の凹凸７，８を形成して成るポ
リッシングプレート３を回転させながら、これの上に研
磨液６を供給し、ワーク（半導体ウエーハ）Ｗを研磨液
６の流体圧によってフローティングさせてこれの表面を
非接触研磨するフロートポリッシング装置において、前
記ポリッシングプレート３を、熱変形温度が２００℃以
上で、且つ、吸水率が０．５％以上のポリエーテルエー
テルケトン（ＰＥＥＫ）又はポリエーテルサルホン、又
は熱変形温度が２００℃以上のポリフェニレンサルファ
イド（ＰＰＳ）に親水化処理を施したもので構成する。
本発明によれば、ポリッシングプレート３が耐食性及び
切削加工性の高い材質によって構成されるため、前記目
的が達成される。
と労力を小さく抑えた上で、該ポリッシングプレートの
腐食を防ぎ、アルカリ性研磨液の使用が不可欠なシリコ
ン単結晶の研磨に対してもフロートポリッシング法を適
用することができるフロートポリッシング装置を提供す
ること。 【構成】 上面に螺旋状の凹凸７，８を形成して成るポ
リッシングプレート３を回転させながら、これの上に研
磨液６を供給し、ワーク（半導体ウエーハ）Ｗを研磨液
６の流体圧によってフローティングさせてこれの表面を
非接触研磨するフロートポリッシング装置において、前
記ポリッシングプレート３を、熱変形温度が２００℃以
上で、且つ、吸水率が０．５％以上のポリエーテルエー
テルケトン（ＰＥＥＫ）又はポリエーテルサルホン、又
は熱変形温度が２００℃以上のポリフェニレンサルファ
イド（ＰＰＳ）に親水化処理を施したもので構成する。
本発明によれば、ポリッシングプレート３が耐食性及び
切削加工性の高い材質によって構成されるため、前記目
的が達成される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ワークの表面を無歪鏡
面に研磨するためのフロートポリッシング装置に関す
る。
面に研磨するためのフロートポリッシング装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】例えば、半導体ウエーハ表面の結晶欠陥
は素子の歩留りに大きな影響を及ぼすため、半導体ウエ
ーハ表面を無歪鏡面に研磨する要求が高まっている。
は素子の歩留りに大きな影響を及ぼすため、半導体ウエ
ーハ表面を無歪鏡面に研磨する要求が高まっている。
【０００３】上記要求を満足する研磨装置としては、フ
ロートポリッシング装置が知られている。このフロート
ポリッシング装置は、上面に螺旋状の凹凸を形成して成
るポリッシングプレートを回転させながら、これの上に
研磨液を供給し、ワークを研磨液の流体圧によってフロ
ーティングさせるとともに、回転又は回転とともに水平
方向に揺動させて該ワークの表面を非接触研磨する装置
である。
ロートポリッシング装置が知られている。このフロート
ポリッシング装置は、上面に螺旋状の凹凸を形成して成
るポリッシングプレートを回転させながら、これの上に
研磨液を供給し、ワークを研磨液の流体圧によってフロ
ーティングさせるとともに、回転又は回転とともに水平
方向に揺動させて該ワークの表面を非接触研磨する装置
である。
【０００４】ところで、従来のフロートポリッシング装
置においては、ポリッシングプレートの材質として錫、
アルミニウム等の金属が専ら用いられていた。
置においては、ポリッシングプレートの材質として錫、
アルミニウム等の金属が専ら用いられていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ようにポリッシングプレートの材質に金属を用いると、
該ポリッシングプレートが腐食し易く、特に酸性又はア
ルカリ性の研磨液によってポリッシングプレートは甚だ
しく腐食され、該ポリッシングプレートを長時間使用す
れば、その表面に形成された凹凸の形状に変化が生じ、
研磨面が悪影響を受けて所期のフロートポリッシングを
高精度に行なうことができないという問題がある。
ようにポリッシングプレートの材質に金属を用いると、
該ポリッシングプレートが腐食し易く、特に酸性又はア
ルカリ性の研磨液によってポリッシングプレートは甚だ
しく腐食され、該ポリッシングプレートを長時間使用す
れば、その表面に形成された凹凸の形状に変化が生じ、
研磨面が悪影響を受けて所期のフロートポリッシングを
高精度に行なうことができないという問題がある。
【０００６】例えば、ワークが単結晶シリコンウエーハ
である場合には、アルカリ性研磨液の使用が不可欠であ
るため、上記問題が発生する。
である場合には、アルカリ性研磨液の使用が不可欠であ
るため、上記問題が発生する。
【０００７】又、一般に金属は半導体ウエーハ等のワー
クに比して静止摩擦係数が大きく、且つ、硬いため、加
工開始時にノッキング現象が発生し易く、ワークが傷付
くという問題がある。
クに比して静止摩擦係数が大きく、且つ、硬いため、加
工開始時にノッキング現象が発生し易く、ワークが傷付
くという問題がある。
【０００８】従って、ポリッシングプレートの材質とし
て耐食性の高い樹脂を用いることが考えられるが、一般
に樹脂は切削加工性に乏しく、樹脂製のポリッシングプ
レートへの溝の切削加工が困難である上、研磨加工中に
ポリッシングプレートが変形したり、摩耗するという問
題が発生する。
て耐食性の高い樹脂を用いることが考えられるが、一般
に樹脂は切削加工性に乏しく、樹脂製のポリッシングプ
レートへの溝の切削加工が困難である上、研磨加工中に
ポリッシングプレートが変形したり、摩耗するという問
題が発生する。
【０００９】そこで、切削加工性の高い金属から成る円
盤状の本体の研磨作用面に、耐食性が高くて静止摩擦係
数の小さな弗素樹脂膜を被着して成るポリッシングプレ
ートが提案されている（特開平４−３１０３６５号公報
参照）。
盤状の本体の研磨作用面に、耐食性が高くて静止摩擦係
数の小さな弗素樹脂膜を被着して成るポリッシングプレ
ートが提案されている（特開平４−３１０３６５号公報
参照）。
【００１０】而して、上記ポリッシングプレートによれ
ば、錆の発生や加工開始時のノッキング現象の発生を防
いで高精度な研磨加工が可能となるが、ポリッシングプ
レート自体の製作に多大な労力とコストを要するという
問題がある。
ば、錆の発生や加工開始時のノッキング現象の発生を防
いで高精度な研磨加工が可能となるが、ポリッシングプ
レート自体の製作に多大な労力とコストを要するという
問題がある。
【００１１】本発明は上記問題に鑑みてなされたもの
で、その目的とする処は、ポリッシングプレートの製作
に要するコストと労力を小さく抑えた上で、ポリッシン
グプレートの腐食を防ぎ、アルカリ性研磨液の使用が不
可欠なシリコン単結晶の研磨に対してもフロートポリッ
シング法を適用することができるフロートポリッシング
装置を提供することにある。
で、その目的とする処は、ポリッシングプレートの製作
に要するコストと労力を小さく抑えた上で、ポリッシン
グプレートの腐食を防ぎ、アルカリ性研磨液の使用が不
可欠なシリコン単結晶の研磨に対してもフロートポリッ
シング法を適用することができるフロートポリッシング
装置を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成すべく本
発明は、上面に螺旋状の凹凸を形成して成るポリッシン
グプレートを回転させながら、これの上に研磨液を供給
し、ワークを研磨液の流体圧によってフローティングさ
せてこれの表面を非接触研磨するフロートポリッシング
装置において、前記ポリッシングプレートを、熱変形温
度が２００℃以上で、且つ、吸水率が０．５％以上の樹
脂、又は熱変形温度が２００℃以上の樹脂の表面に親水
化処理を施したもので構成したことを特徴とする。
発明は、上面に螺旋状の凹凸を形成して成るポリッシン
グプレートを回転させながら、これの上に研磨液を供給
し、ワークを研磨液の流体圧によってフローティングさ
せてこれの表面を非接触研磨するフロートポリッシング
装置において、前記ポリッシングプレートを、熱変形温
度が２００℃以上で、且つ、吸水率が０．５％以上の樹
脂、又は熱変形温度が２００℃以上の樹脂の表面に親水
化処理を施したもので構成したことを特徴とする。
【００１３】尚、上記樹脂としては、ポリフェニレンサ
ルファイド（ＰＰＳ）、ポリエーテルエーテルケトン
（ＰＥＥＫ）又はポリエーテルサルホン（ＰＥＳ）が選
定される。
ルファイド（ＰＰＳ）、ポリエーテルエーテルケトン
（ＰＥＥＫ）又はポリエーテルサルホン（ＰＥＳ）が選
定される。
【００１４】又、前記親水化処理としては、前記樹脂の
成型体をアルコール又はアルコールと水との混合液に浸
漬する方法が採られる。
成型体をアルコール又はアルコールと水との混合液に浸
漬する方法が採られる。
【００１５】
【作用】本発明者は、フロートポリッシング装置のポリ
ッシングプレートの材質として従来の金属及び樹脂に代
えて熱変形温度が２００℃以上の樹脂を用いれば、該ポ
リッシングプレートの切削加工性は良好に保たれ、これ
に溝を高精度に形成することができることを確認した。
ッシングプレートの材質として従来の金属及び樹脂に代
えて熱変形温度が２００℃以上の樹脂を用いれば、該ポ
リッシングプレートの切削加工性は良好に保たれ、これ
に溝を高精度に形成することができることを確認した。
【００１６】一方、ポリッシングプレートの材質として
表面が疎水性の樹脂を用いた場合には、該ポリッシング
プレートを用いてワークをポリッシュするときに、スラ
リーを弾くことによりワークの加工精度が悪化すること
が判明した。この問題は、本発明のようにポリッシング
プレートの材質として吸水率が０．５％以上の樹脂を用
いることで解消されることが確認された。そして、吸水
率が０．５％以下の樹脂であっても、成型後にその表面
をアルコール又はアルコールと水との混合液に浸漬する
等の親水化処理を施せば、同様に前記問題が解消するこ
とも確認された。尚、ここで使用されるアルコールは、
メタノール、エタノール等の低級アルコールで良い。
表面が疎水性の樹脂を用いた場合には、該ポリッシング
プレートを用いてワークをポリッシュするときに、スラ
リーを弾くことによりワークの加工精度が悪化すること
が判明した。この問題は、本発明のようにポリッシング
プレートの材質として吸水率が０．５％以上の樹脂を用
いることで解消されることが確認された。そして、吸水
率が０．５％以下の樹脂であっても、成型後にその表面
をアルコール又はアルコールと水との混合液に浸漬する
等の親水化処理を施せば、同様に前記問題が解消するこ
とも確認された。尚、ここで使用されるアルコールは、
メタノール、エタノール等の低級アルコールで良い。
【００１７】又、ポリッシングプレートの材質として用
いられる樹脂として、本発明のように耐食性及び耐摩耗
性の高いポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリ
エーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、又はポリエーテ
ルサルホン（ＰＥＳ）を用いれば、該ポリッシングプレ
ートは酸性又はアルカリ性研磨液によってもより腐食さ
れにくく、長時間の使用によっても、その表面に形成さ
れた凹凸の形状により変化が生じにくい。尚、ポリフェ
ニレンサルファイド（ＰＰＳ）については、その吸水率
が０．５％以下であるため、前記親水化処理が必要であ
る。
いられる樹脂として、本発明のように耐食性及び耐摩耗
性の高いポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリ
エーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、又はポリエーテ
ルサルホン（ＰＥＳ）を用いれば、該ポリッシングプレ
ートは酸性又はアルカリ性研磨液によってもより腐食さ
れにくく、長時間の使用によっても、その表面に形成さ
れた凹凸の形状により変化が生じにくい。尚、ポリフェ
ニレンサルファイド（ＰＰＳ）については、その吸水率
が０．５％以下であるため、前記親水化処理が必要であ
る。
【００１８】更に、本発明で採用する上記樹脂は金属と
同様に切削加工性に優れる他、金属に比して静止摩擦係
数が小さいため、ポリッシングプレートの製作に要する
コストと労力を小さく抑えることができるとともに、加
工開始時のノッキング現象の発生を防ぐことができる。
同様に切削加工性に優れる他、金属に比して静止摩擦係
数が小さいため、ポリッシングプレートの製作に要する
コストと労力を小さく抑えることができるとともに、加
工開始時のノッキング現象の発生を防ぐことができる。
【００１９】従って、本発明によれば、所期のフロート
ポリッシングを高精度に行なうことができ、アルカリ性
研磨液の使用が不可欠なシリコン単結晶の研磨に対して
もフロートポリッシング法を適用することができる。
ポリッシングを高精度に行なうことができ、アルカリ性
研磨液の使用が不可欠なシリコン単結晶の研磨に対して
もフロートポリッシング法を適用することができる。
【００２０】
【実施例】以下に本発明の一実施例を添付図面に基づい
て説明する。
て説明する。
【００２１】図１は本発明に係るフロートポリッシング
装置要部の断面図、図２はポリッシングプレート表面の
拡大断面図である。
装置要部の断面図、図２はポリッシングプレート表面の
拡大断面図である。
【００２２】図１に示すフロートポリッシング装置にお
いて、１は不図示の駆動手段によって図示矢印方向に所
定の速度で回転駆動される主軸であり、該主軸１の上面
には液槽２が固設されている。そして、主軸１の上面で
あって、且つ、前記液槽２の内部にはリング状のポリッ
シングプレート３が固設されている。
いて、１は不図示の駆動手段によって図示矢印方向に所
定の速度で回転駆動される主軸であり、該主軸１の上面
には液槽２が固設されている。そして、主軸１の上面で
あって、且つ、前記液槽２の内部にはリング状のポリッ
シングプレート３が固設されている。
【００２３】又、上記ポリッシングプレート３の上方に
は、不図示の駆動手段によって図示矢印方向に所定の速
度で回転駆動されるワーク軸４が垂設されており、該ワ
ーク軸４の前記液槽２内に臨む下端部には、円板状のワ
ークホルダー５が上下動及び回転可能に設けられてい
る。つまり、ワークホルダー５はワーク軸４と一体に回
転すると同時に、ワーク軸４に沿って上下動自在に構成
されている。
は、不図示の駆動手段によって図示矢印方向に所定の速
度で回転駆動されるワーク軸４が垂設されており、該ワ
ーク軸４の前記液槽２内に臨む下端部には、円板状のワ
ークホルダー５が上下動及び回転可能に設けられてい
る。つまり、ワークホルダー５はワーク軸４と一体に回
転すると同時に、ワーク軸４に沿って上下動自在に構成
されている。
【００２４】尚、上記ワーク軸４及びワークホルダー５
は、不図示の揺動機構によって、液槽２外に位置する不
図示の軸を中心として水平方向に所定の範囲を揺動せし
められる。
は、不図示の揺動機構によって、液槽２外に位置する不
図示の軸を中心として水平方向に所定の範囲を揺動せし
められる。
【００２５】更に、前記液槽２内には、微細な遊離砥粒
６ａを含んだ研磨液６が収容されており、前記ポリッシ
ングプレート３は図示のように研磨液６中に浸漬されて
いる。
６ａを含んだ研磨液６が収容されており、前記ポリッシ
ングプレート３は図示のように研磨液６中に浸漬されて
いる。
【００２６】ところで、前記ポリッシングプレート３の
上面には、螺旋状の凹凸７，８が形成されており、図２
に詳細に示すように、凸部８の上面には溝８ａがダイヤ
モンド切削によって螺旋状に形成されている。
上面には、螺旋状の凹凸７，８が形成されており、図２
に詳細に示すように、凸部８の上面には溝８ａがダイヤ
モンド切削によって螺旋状に形成されている。
【００２７】而して、本実施例では、ポリッシングプレ
ート３は、熱変形温度が２００℃以上で、且つ、吸水率
が０．５％以上のポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥ
Ｋ）又はポリエーテルサルホン（ＰＥＳ）、或いは熱変
形温度が２００℃以上のポリフェニレンサルファイド
（ＰＰＳ）の表面に親水化処理を施したもので構成され
ている。尚、上記親水化処理は、ポリフェニレンサルフ
ァイド（ＰＰＳ）の成型体をアルコール又はアルコール
と水との混合液に浸漬することによってなされる。本実
施例においては、エタノール５０％、水５０％の混合液
に室温において約３０分間ポリフェニレンサルファイド
（ＰＰＳ）の成型体を浸漬した後、該成型体の表面を払
拭して使用した。
ート３は、熱変形温度が２００℃以上で、且つ、吸水率
が０．５％以上のポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥ
Ｋ）又はポリエーテルサルホン（ＰＥＳ）、或いは熱変
形温度が２００℃以上のポリフェニレンサルファイド
（ＰＰＳ）の表面に親水化処理を施したもので構成され
ている。尚、上記親水化処理は、ポリフェニレンサルフ
ァイド（ＰＰＳ）の成型体をアルコール又はアルコール
と水との混合液に浸漬することによってなされる。本実
施例においては、エタノール５０％、水５０％の混合液
に室温において約３０分間ポリフェニレンサルファイド
（ＰＰＳ）の成型体を浸漬した後、該成型体の表面を払
拭して使用した。
【００２８】次に、本フロートポリッシング装置の作用
を説明する。
を説明する。
【００２９】ワークが例えば単結晶シリコンウエーハＷ
である場合、該ウエーハＷを図１に示すように前記ワー
クホルダー５の下面にワックス等を用いて接着した後、
ワーク軸４及びワークホルダー５を下げてウエーハＷを
図示のように研磨液６中に浸漬せしめる。尚、本実施例
のようにワークが単結晶シリコンウエーハＷである場合
には、前記研磨液６としてアルカリ性研磨液が不可欠で
ある。
である場合、該ウエーハＷを図１に示すように前記ワー
クホルダー５の下面にワックス等を用いて接着した後、
ワーク軸４及びワークホルダー５を下げてウエーハＷを
図示のように研磨液６中に浸漬せしめる。尚、本実施例
のようにワークが単結晶シリコンウエーハＷである場合
には、前記研磨液６としてアルカリ性研磨液が不可欠で
ある。
【００３０】次に、主軸１とワーク軸４をそれぞれ図示
矢印方向に回転駆動するとともに、ワーク軸４とワーク
ホルダー５を不図示の軸を中心として水平方向に所定の
範囲を揺動せしめる。
矢印方向に回転駆動するとともに、ワーク軸４とワーク
ホルダー５を不図示の軸を中心として水平方向に所定の
範囲を揺動せしめる。
【００３１】すると、主軸１に固設されたポリッシング
プレート３は研磨液６中を主軸１と共に一体に回転す
る。又、ワークホルダー５の下面に接着された半導体ウ
エーハＷも研磨液６中をワーク軸４及びワークホルダー
５と共に一体に回転するとともに、不図示の軸を中心と
して所定の範囲を水平に揺動する。
プレート３は研磨液６中を主軸１と共に一体に回転す
る。又、ワークホルダー５の下面に接着された半導体ウ
エーハＷも研磨液６中をワーク軸４及びワークホルダー
５と共に一体に回転するとともに、不図示の軸を中心と
して所定の範囲を水平に揺動する。
【００３２】このとき、ポリッシングプレート３の表面
に形成された凹部７と凸部８に形成された溝８ａに保持
される研磨液６が高速流を形成するため、該研磨液６の
流れによって流体圧（動圧）が発生し、この流体圧とワ
ークホルダー５及び半導体ウエーハＷの自重が釣り合う
ようにワークホルダー５と半導体ウエーハＷが浮き上が
り、単結晶シリコンウエーハＷは、フローティング状態
を保って回転及び揺動しながら、これとポリッシングプ
レート３の間を流れる研磨液６に含まれる遊離砥粒６ａ
によってその表面（非接着面）が無歪鏡面に研磨され
る。
に形成された凹部７と凸部８に形成された溝８ａに保持
される研磨液６が高速流を形成するため、該研磨液６の
流れによって流体圧（動圧）が発生し、この流体圧とワ
ークホルダー５及び半導体ウエーハＷの自重が釣り合う
ようにワークホルダー５と半導体ウエーハＷが浮き上が
り、単結晶シリコンウエーハＷは、フローティング状態
を保って回転及び揺動しながら、これとポリッシングプ
レート３の間を流れる研磨液６に含まれる遊離砥粒６ａ
によってその表面（非接着面）が無歪鏡面に研磨され
る。
【００３３】以上において、本実施例では、ポリッシン
グプレート３の材質として、従来の金属及び樹脂に代え
て耐食性及び耐摩耗性の高いポリフェニレンサルファイ
ド（ＰＰＳ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥ
Ｋ）又はポリエーテルサルホン（ＰＥＳ）を用いたた
め、該ポリッシングプレート３はアルカリ性研磨液６に
よっても腐食されず、長時間の使用によっても、その表
面に形成された凹凸７，８の形状に変化が生じない。
グプレート３の材質として、従来の金属及び樹脂に代え
て耐食性及び耐摩耗性の高いポリフェニレンサルファイ
ド（ＰＰＳ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥ
Ｋ）又はポリエーテルサルホン（ＰＥＳ）を用いたた
め、該ポリッシングプレート３はアルカリ性研磨液６に
よっても腐食されず、長時間の使用によっても、その表
面に形成された凹凸７，８の形状に変化が生じない。
【００３４】又、本実施例で採用する上記材質は金属と
同様に切削加工性に優れ、且つ、金属に比して静止摩擦
係数が小さいため、ポリッシングプレート３の製作に要
するコストと労力を小さく抑えることができるととも
に、加工開始時のノッキング現象の発生を防ぐことがで
きる。
同様に切削加工性に優れ、且つ、金属に比して静止摩擦
係数が小さいため、ポリッシングプレート３の製作に要
するコストと労力を小さく抑えることができるととも
に、加工開始時のノッキング現象の発生を防ぐことがで
きる。
【００３５】従って、本実施例によれば、所期のフロー
トポリッシングを高精度に行なうことができ、アルカリ
性研磨液６の使用が不可欠なシリコン単結晶ウエーハＷ
の研磨に対してもフロートポリッシング法を適用するこ
とができる。
トポリッシングを高精度に行なうことができ、アルカリ
性研磨液６の使用が不可欠なシリコン単結晶ウエーハＷ
の研磨に対してもフロートポリッシング法を適用するこ
とができる。
【００３６】尚、ポリッシングプレート３は酸性研磨液
に対しても高い耐食性を示すため、本発明に係るフロー
トポリッシング装置はワークの種類を問わず全てのワー
クに対して所期のフロートポリッシングを高精度に行な
うことができる。
に対しても高い耐食性を示すため、本発明に係るフロー
トポリッシング装置はワークの種類を問わず全てのワー
クに対して所期のフロートポリッシングを高精度に行な
うことができる。
【００３７】
【発明の効果】以上の説明で明らかな如く、本発明によ
れば、上面に螺旋状の凹凸を形成して成るポリッシング
プレートを回転させながら、これの上に研磨液を供給
し、ワークを研磨液の流体圧によってフローティングさ
せてこれの表面を非接触研磨するフロートポリッシング
装置において、前記ポリッシングプレートを、熱変形温
度が２００℃以上で、且つ、吸水率が０．５％以上の樹
脂、又は熱変形温度が２００℃以上の樹脂の表面に親水
化処理を施したもの、特にポリフェニレンサルファイド
（ＰＰＳ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）
又はポリエーテルサルホン（ＰＥＳ）としたため、ポリ
ッシングプレートの製作に要するコストと労力を小さく
抑えた上で、該ポリッシングプレートの腐食を防ぎ、ア
ルカリ性研磨液の使用が不可欠なシリコン単結晶の研磨
に対してもフロートポリッシング法を適用することがで
きる上、ワークの加工精度を悪化させないという効果が
得られる。
れば、上面に螺旋状の凹凸を形成して成るポリッシング
プレートを回転させながら、これの上に研磨液を供給
し、ワークを研磨液の流体圧によってフローティングさ
せてこれの表面を非接触研磨するフロートポリッシング
装置において、前記ポリッシングプレートを、熱変形温
度が２００℃以上で、且つ、吸水率が０．５％以上の樹
脂、又は熱変形温度が２００℃以上の樹脂の表面に親水
化処理を施したもの、特にポリフェニレンサルファイド
（ＰＰＳ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）
又はポリエーテルサルホン（ＰＥＳ）としたため、ポリ
ッシングプレートの製作に要するコストと労力を小さく
抑えた上で、該ポリッシングプレートの腐食を防ぎ、ア
ルカリ性研磨液の使用が不可欠なシリコン単結晶の研磨
に対してもフロートポリッシング法を適用することがで
きる上、ワークの加工精度を悪化させないという効果が
得られる。
【図１】本発明に係るフロートポリッシング装置要部の
断面図である。
断面図である。
【図２】本発明に係るフロートポリッシング装置のポリ
ッシングプレート表面の拡大断面図である。
ッシングプレート表面の拡大断面図である。
１ 主軸 ３ ポリッシングプレート ４ ワーク軸 ５ ワークホルダー ６ 研磨液 ７ 凹部 ８ 凸部 Ｗ 単結晶シリコンウエーハ（ワーク）
Claims (3)
- 【請求項１】 上面に螺旋状の凹凸を形成して成るポリ
ッシングプレートを回転させながら、これの上に研磨液
を供給し、ワークを研磨液の流体圧によってフローティ
ングさせてこれの表面を非接触研磨するフロートポリッ
シング装置において、前記ポリッシングプレートを、熱
変形温度が２００℃以上で、且つ、吸水率が０．５％以
上の樹脂、又は熱変形温度が２００℃以上の樹脂の表面
に親水化処理を施したもので構成したことを特徴とする
フロートポリッシング装置。 - 【請求項２】 前記樹脂は、ポリフェニレンサルファイ
ド（ＰＰＳ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥ
Ｋ）又はポリエーテルサルホン（ＰＥＳ）であることを
特徴とする請求項１記載のフロートポリッシング装置。 - 【請求項３】 前記親水化処理は、前記樹脂の成型体を
アルコール又はアルコールと水との混合液に浸漬する処
理であることを特徴とする請求項１記載のフロートポリ
ッシング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27185893A JP2770721B2 (ja) | 1993-10-29 | 1993-10-29 | フロートポリッシング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27185893A JP2770721B2 (ja) | 1993-10-29 | 1993-10-29 | フロートポリッシング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07124861A true JPH07124861A (ja) | 1995-05-16 |
| JP2770721B2 JP2770721B2 (ja) | 1998-07-02 |
Family
ID=17505873
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27185893A Expired - Lifetime JP2770721B2 (ja) | 1993-10-29 | 1993-10-29 | フロートポリッシング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2770721B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100471527B1 (ko) * | 1999-03-30 | 2005-03-09 | 가부시키가이샤 니콘 | 연마체, 연마장치, 연마방법 및 반도체 소자의 제조방법 |
| CN110405546A (zh) * | 2018-04-27 | 2019-11-05 | 半导体元件工业有限责任公司 | 晶圆减薄系统和相关方法 |
-
1993
- 1993-10-29 JP JP27185893A patent/JP2770721B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100471527B1 (ko) * | 1999-03-30 | 2005-03-09 | 가부시키가이샤 니콘 | 연마체, 연마장치, 연마방법 및 반도체 소자의 제조방법 |
| CN110405546A (zh) * | 2018-04-27 | 2019-11-05 | 半导体元件工业有限责任公司 | 晶圆减薄系统和相关方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2770721B2 (ja) | 1998-07-02 |
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