JPH07122915A - 誘電体共振器回路 - Google Patents
誘電体共振器回路Info
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- JPH07122915A JPH07122915A JP5263465A JP26346593A JPH07122915A JP H07122915 A JPH07122915 A JP H07122915A JP 5263465 A JP5263465 A JP 5263465A JP 26346593 A JP26346593 A JP 26346593A JP H07122915 A JPH07122915 A JP H07122915A
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- dielectric
- resonator
- microstrip line
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 マイクロ波、ミリ波の通信機器を小型、低背
化し、共振周波数を比較的広い範囲で微調整可能な誘電
体共振器回路を提供する。 【構成】 マイクロストリップ線路３と誘電体共振器４
とを備える誘電体共振器回路において、誘電体共振器４
の近傍で接地導体１と接触すると共に該共振器４との距
離を変えて共振周波数の調整を行う金属片５を備える。
又は共振器４の近傍の誘電体基板２上に複数のランドパ
ターン６を設け、接地導体１に接続する一端のランドパ
ターン６と、残りの各ランドパターン６とを金属箔７に
より順次接続することにより、又は共振器４の近傍の誘
電体基板２上に接地パターン８を設け、共振器４と対向
する辺から金属箔９を共振器４に近づけ又は遠ざけるこ
とにより、又は共振器４の近傍に誘電体基板片１０を設
け、その表面に接地パターン１１を有すると共に、この
基板片１０を共振器４に近づけ又は遠ざけることにより
共振周波数の調整を行う。
化し、共振周波数を比較的広い範囲で微調整可能な誘電
体共振器回路を提供する。 【構成】 マイクロストリップ線路３と誘電体共振器４
とを備える誘電体共振器回路において、誘電体共振器４
の近傍で接地導体１と接触すると共に該共振器４との距
離を変えて共振周波数の調整を行う金属片５を備える。
又は共振器４の近傍の誘電体基板２上に複数のランドパ
ターン６を設け、接地導体１に接続する一端のランドパ
ターン６と、残りの各ランドパターン６とを金属箔７に
より順次接続することにより、又は共振器４の近傍の誘
電体基板２上に接地パターン８を設け、共振器４と対向
する辺から金属箔９を共振器４に近づけ又は遠ざけるこ
とにより、又は共振器４の近傍に誘電体基板片１０を設
け、その表面に接地パターン１１を有すると共に、この
基板片１０を共振器４に近づけ又は遠ざけることにより
共振周波数の調整を行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は誘電体共振器回路に関
し、更に詳しくは背面に接地導体を有する誘電体基板上
に設けたマイクロストリップ線路と、該マイクロストリ
ップ線路を伝搬する高周波信号に磁界結合し、所定の周
波数で共振する誘電体共振器とを備える誘電体共振器回
路に関する。
し、更に詳しくは背面に接地導体を有する誘電体基板上
に設けたマイクロストリップ線路と、該マイクロストリ
ップ線路を伝搬する高周波信号に磁界結合し、所定の周
波数で共振する誘電体共振器とを備える誘電体共振器回
路に関する。
【０００２】近年、マイクロ波通信機器のスリム化、小
型化が進み、これに伴いマイクロ波通信機器内に実装す
る発振回路、フィルタ回路、分波器等に使用される誘電
体共振器回路についても小型化、低背化が求められてい
る。
型化が進み、これに伴いマイクロ波通信機器内に実装す
る発振回路、フィルタ回路、分波器等に使用される誘電
体共振器回路についても小型化、低背化が求められてい
る。
【０００３】
【従来の技術】図８は従来の誘電体共振器回路を説明す
る図で、図において１は背面の接地導体、２は誘電体基
板、３は表面のマイクロストリップ線路、４はＴＥ01δ
モードで共振する誘電体ディスク（誘電体共振器）、２
２は誘電率εr の小さい支持台、２３は同軸コネクタ、
３０1 はシールド用の金属ケース、３０2 は同じく金属
の蓋部材、３１は金属製のネジ部材である。なお、図８
は不図示のＧａＡｓＦＥＴ素子と共に構成されるマイク
ロ波発振器の実装側面図（一部透視図）を示している。
る図で、図において１は背面の接地導体、２は誘電体基
板、３は表面のマイクロストリップ線路、４はＴＥ01δ
モードで共振する誘電体ディスク（誘電体共振器）、２
２は誘電率εr の小さい支持台、２３は同軸コネクタ、
３０1 はシールド用の金属ケース、３０2 は同じく金属
の蓋部材、３１は金属製のネジ部材である。なお、図８
は不図示のＧａＡｓＦＥＴ素子と共に構成されるマイク
ロ波発振器の実装側面図（一部透視図）を示している。
【０００４】この種のマイクロ波発振器では発振の帰還
回路に高いＱの誘電体ディスク４を挿入することにより
純粋で安定な発振周波数を得ている。誘電体ディスク４
の帰還回路への挿入は、例えばＴＥ01δモードで共振す
る誘電体ディスク４のＺ方向の磁界と発振素子（ＦＥ
Ｔ）に接続するマイクロストリップ線路３の周囲の磁界
とを結合させることで行うが、結合の大きさ（誘電体デ
ィスク４とマイクロストリップ線路３との距離）により
出力電力や発振周波数が変化するため、これをマイクロ
波発振器の製造時に補正する必要がある。
回路に高いＱの誘電体ディスク４を挿入することにより
純粋で安定な発振周波数を得ている。誘電体ディスク４
の帰還回路への挿入は、例えばＴＥ01δモードで共振す
る誘電体ディスク４のＺ方向の磁界と発振素子（ＦＥ
Ｔ）に接続するマイクロストリップ線路３の周囲の磁界
とを結合させることで行うが、結合の大きさ（誘電体デ
ィスク４とマイクロストリップ線路３との距離）により
出力電力や発振周波数が変化するため、これをマイクロ
波発振器の製造時に補正する必要がある。
【０００５】従来は、上面の蓋部材３０2 よりＺ軸と逆
方向に延びるネジ部材３１（例えばネジ径６ｍｍ、ネジ
ピッチ０．５ｍｍ）を誘電体ディスク４に近づけ又は遠
ざけることにより誘電体ディスク４とマイクロストリッ
プ線路３との結合の大きさを変化せしめ、発振周波数を
調整していた。しかし、上記の様な構成であると、ネジ
部材３１を上下させるためのかなりの空間が蓋部材３０
2 の上側及び下側に必要となる。しかも、ネジ部材３１
を安定に保持するために蓋部材３０2 の厚さも大きくす
る必要があり、これらが発振器全体の小型化、低背化の
妨げとなっていた。
方向に延びるネジ部材３１（例えばネジ径６ｍｍ、ネジ
ピッチ０．５ｍｍ）を誘電体ディスク４に近づけ又は遠
ざけることにより誘電体ディスク４とマイクロストリッ
プ線路３との結合の大きさを変化せしめ、発振周波数を
調整していた。しかし、上記の様な構成であると、ネジ
部材３１を上下させるためのかなりの空間が蓋部材３０
2 の上側及び下側に必要となる。しかも、ネジ部材３１
を安定に保持するために蓋部材３０2 の厚さも大きくす
る必要があり、これらが発振器全体の小型化、低背化の
妨げとなっていた。
【０００６】また、発振周波数のみに着目すればこれを
比較的に大きな範囲で調整可能ではあるが、同時に共振
系の損失も大きく増大するため、信号純度が劣化し、実
質的に調整可能な周波数範囲は比較的狭いものであっ
た。更にまた、時には誘電体ディスク４の固定位置がネ
ジ部材３１の位置から左右にずれてしまうような場合が
あり、かかる場合にはネジ部材３１を回しても発振周波
数が殆ど変化しないと言う問題もあった。
比較的に大きな範囲で調整可能ではあるが、同時に共振
系の損失も大きく増大するため、信号純度が劣化し、実
質的に調整可能な周波数範囲は比較的狭いものであっ
た。更にまた、時には誘電体ディスク４の固定位置がネ
ジ部材３１の位置から左右にずれてしまうような場合が
あり、かかる場合にはネジ部材３１を回しても発振周波
数が殆ど変化しないと言う問題もあった。
【０００７】以上のことは、誘電体共振器回路を使用し
た発振器のみならず、他のフィルタ回路、分波器等につ
いても言える。
た発振器のみならず、他のフィルタ回路、分波器等につ
いても言える。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記のように従来の誘
電体共振器回路では、ネジ部材を使用して共振周波数の
調整を行っているため、共振周波数の実質的な調整範囲
が狭いばかりか、これらの構造がマイクロ波通信機器の
小型化、低背化の妨げとなっていた。本発明の目的は、
マイクロ波、ミリ波の通信機器の小型化、低背化を可能
とすると共に共振周波数を比較的広い範囲で微調整可能
な誘電体共振器回路を提供することにある。
電体共振器回路では、ネジ部材を使用して共振周波数の
調整を行っているため、共振周波数の実質的な調整範囲
が狭いばかりか、これらの構造がマイクロ波通信機器の
小型化、低背化の妨げとなっていた。本発明の目的は、
マイクロ波、ミリ波の通信機器の小型化、低背化を可能
とすると共に共振周波数を比較的広い範囲で微調整可能
な誘電体共振器回路を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の課題は図１の
（Ａ）の構成により解決される。即ち、本発明（１）の
誘電体共振器回路は、背面に接地導体１を有する誘電体
基板２上に設けたマイクロストリップ線路３と、該マイ
クロストリップ線路３を伝搬する高周波信号に磁界結合
し、所定の周波数で共振する誘電体共振器４とを備える
誘電体共振器回路において、前記誘電体共振器４の近傍
で前記接地導体１と接触する金属片５であって、前記誘
電体共振器４に近づけ又は遠ざけることにより共振周波
数の調整を行うもの、を備えるものである。
（Ａ）の構成により解決される。即ち、本発明（１）の
誘電体共振器回路は、背面に接地導体１を有する誘電体
基板２上に設けたマイクロストリップ線路３と、該マイ
クロストリップ線路３を伝搬する高周波信号に磁界結合
し、所定の周波数で共振する誘電体共振器４とを備える
誘電体共振器回路において、前記誘電体共振器４の近傍
で前記接地導体１と接触する金属片５であって、前記誘
電体共振器４に近づけ又は遠ざけることにより共振周波
数の調整を行うもの、を備えるものである。
【００１０】また上記の課題は図１の（Ｂ）の構成によ
り解決される。即ち、本発明（２）の誘電体共振器回路
は、背面に接地導体１を有する誘電体基板２上に設けた
マイクロストリップ線路３と、該マイクロストリップ線
路３を伝搬する高周波信号に磁界結合し、所定の周波数
で共振する誘電体共振器４とを備える誘電体共振器回路
において、前記誘電体共振器４の近傍の前記誘電体基板
２上に所定間隔を持って設けた複数のランドパターン６
であって、一端のランドパターン６を前記接地導体１に
接続すると共に、残りの各ランドパターン６を金属箔７
により順次接続することにより共振周波数の調整を行う
もの、を備えるものである。
り解決される。即ち、本発明（２）の誘電体共振器回路
は、背面に接地導体１を有する誘電体基板２上に設けた
マイクロストリップ線路３と、該マイクロストリップ線
路３を伝搬する高周波信号に磁界結合し、所定の周波数
で共振する誘電体共振器４とを備える誘電体共振器回路
において、前記誘電体共振器４の近傍の前記誘電体基板
２上に所定間隔を持って設けた複数のランドパターン６
であって、一端のランドパターン６を前記接地導体１に
接続すると共に、残りの各ランドパターン６を金属箔７
により順次接続することにより共振周波数の調整を行う
もの、を備えるものである。
【００１１】また上記の課題は図１の（Ｃ）の構成によ
り解決される。即ち、本発明（３）の誘電体共振器回路
は、背面に接地導体１を有する誘電体基板２上に設けた
マイクロストリップ線路３と、該マイクロストリップ線
路３を伝搬する高周波信号に磁界結合し、所定の周波数
で共振する誘電体共振器４とを備える誘電体共振器回路
において、前記誘電体共振器４の近傍の前記誘電体基板
２上に設けた接地パターン８であって、前記誘電体共振
器４と対向する辺の形状が該誘電体共振器４の外形端と
略相補形を成すと共に、該対向する辺から金属箔９を前
記誘電体共振器４に近づけ又は遠ざけて設けることによ
り共振周波数の調整を行うもの、を備えるものである。
り解決される。即ち、本発明（３）の誘電体共振器回路
は、背面に接地導体１を有する誘電体基板２上に設けた
マイクロストリップ線路３と、該マイクロストリップ線
路３を伝搬する高周波信号に磁界結合し、所定の周波数
で共振する誘電体共振器４とを備える誘電体共振器回路
において、前記誘電体共振器４の近傍の前記誘電体基板
２上に設けた接地パターン８であって、前記誘電体共振
器４と対向する辺の形状が該誘電体共振器４の外形端と
略相補形を成すと共に、該対向する辺から金属箔９を前
記誘電体共振器４に近づけ又は遠ざけて設けることによ
り共振周波数の調整を行うもの、を備えるものである。
【００１２】また上記の課題は図１の（Ｄ）の構成によ
り解決される。即ち、本発明（４）の誘電体共振器回路
は、背面に接地導体１を有する誘電体基板２上に設けた
マイクロストリップ線路３と、該マイクロストリップ線
路３を伝搬する高周波信号に磁界結合し、所定の周波数
で共振する誘電体共振器４とを備える誘電体共振器回路
において、前記誘電体共振器４の近傍に設けた誘電体基
板片１０であって、その表面に前記誘電体共振器４と対
向する辺の形状が該誘電体共振器４の外形端と略相補形
を成すような接地パターン１１を有すると共に、該誘電
体基板片１０を前記誘電体共振器４に近づけ又は遠ざけ
ることにより共振周波数の調整を行うもの、を備えるも
のである。
り解決される。即ち、本発明（４）の誘電体共振器回路
は、背面に接地導体１を有する誘電体基板２上に設けた
マイクロストリップ線路３と、該マイクロストリップ線
路３を伝搬する高周波信号に磁界結合し、所定の周波数
で共振する誘電体共振器４とを備える誘電体共振器回路
において、前記誘電体共振器４の近傍に設けた誘電体基
板片１０であって、その表面に前記誘電体共振器４と対
向する辺の形状が該誘電体共振器４の外形端と略相補形
を成すような接地パターン１１を有すると共に、該誘電
体基板片１０を前記誘電体共振器４に近づけ又は遠ざけ
ることにより共振周波数の調整を行うもの、を備えるも
のである。
【００１３】
【作用】図１の（Ａ）において、金属片５は誘電体共振
器４の下面の接地導体１との接触を保ちながら該誘電体
共振器４に近づけ又は遠ざけられる。これによりマイク
ロストリップ線路３と誘電体共振器４との結合の大きさ
が変化し、共振周波数の微調整が行える。調整が終わる
と半田、接着材、又は非金属製のビス等により金属片５
を接地導体１に固定する。
器４の下面の接地導体１との接触を保ちながら該誘電体
共振器４に近づけ又は遠ざけられる。これによりマイク
ロストリップ線路３と誘電体共振器４との結合の大きさ
が変化し、共振周波数の微調整が行える。調整が終わる
と半田、接着材、又は非金属製のビス等により金属片５
を接地導体１に固定する。
【００１４】好ましくは、このような金属片５の厚さを
薄くしたり、予め形状を何種類かに定型化する。このよ
うな金属片５は誘電体共振器４の周囲又は下面の空きエ
リアに任意かつ容易に配置可能であり、こうして誘電体
共振器４の周辺の空きエリアを有効に利用し、効果的な
調整が行える。また、かかる構成では、共振系に与える
損失も比較的小さいことが後述の実施例により確かめら
れた。従って、本発明によればマイクロ波、ミリ波の通
信機器の小型化、低背化を可能とすると共に、共振周波
数を比較的広い範囲で微調整可能となる。以下の発明に
ついても同様である。
薄くしたり、予め形状を何種類かに定型化する。このよ
うな金属片５は誘電体共振器４の周囲又は下面の空きエ
リアに任意かつ容易に配置可能であり、こうして誘電体
共振器４の周辺の空きエリアを有効に利用し、効果的な
調整が行える。また、かかる構成では、共振系に与える
損失も比較的小さいことが後述の実施例により確かめら
れた。従って、本発明によればマイクロ波、ミリ波の通
信機器の小型化、低背化を可能とすると共に、共振周波
数を比較的広い範囲で微調整可能となる。以下の発明に
ついても同様である。
【００１５】図１の（Ｂ）において、誘電体共振器４の
近傍の誘電体基板２上に所定間隔を持って複数のランド
パターン６を設け、そのうちの一端のランドパターン６
1 を接地導体１に例えばスルーホールにより接続すると
共に、残りの各ランドパターン６2 ，６3 を金属箔７に
より必要に応じて順次接続する。従って、共振周波数の
微調整に際しては、作業上の熟練や感を要せず、誰でも
容易かつ確実に微調整を行うことが可能になる。
近傍の誘電体基板２上に所定間隔を持って複数のランド
パターン６を設け、そのうちの一端のランドパターン６
1 を接地導体１に例えばスルーホールにより接続すると
共に、残りの各ランドパターン６2 ，６3 を金属箔７に
より必要に応じて順次接続する。従って、共振周波数の
微調整に際しては、作業上の熟練や感を要せず、誰でも
容易かつ確実に微調整を行うことが可能になる。
【００１６】図１の（Ｃ）において、誘電体共振器４の
近傍の誘電体基板２上に接地パターン８を設け、その誘
電体共振器４と対向する辺の形状を該共振器４の外形端
と略相補形を成すような形状とする。そして、該対向す
る辺から金属箔９を誘電体共振器４に近づけ又は遠ざけ
ることにより共振周波数の微調整を行う。接地パターン
８をかかる形状にすれば、誘電体共振器４との結合が大
きい状態で１又は２以上の金属箔９を設けることがで
き、もってマイクロストリップ線路３と誘電体共振器４
との結合に与える影響が大きい。
近傍の誘電体基板２上に接地パターン８を設け、その誘
電体共振器４と対向する辺の形状を該共振器４の外形端
と略相補形を成すような形状とする。そして、該対向す
る辺から金属箔９を誘電体共振器４に近づけ又は遠ざけ
ることにより共振周波数の微調整を行う。接地パターン
８をかかる形状にすれば、誘電体共振器４との結合が大
きい状態で１又は２以上の金属箔９を設けることがで
き、もってマイクロストリップ線路３と誘電体共振器４
との結合に与える影響が大きい。
【００１７】図１の（Ｄ）において、誘電体共振器４の
近傍に設けた誘電体基板片１０の表面に誘電体共振器４
と対向する辺の形状が該共振器４の外形端と略相補形を
成すような接地パターン１１を設ける。そして、誘電体
基板片１０を誘電体共振器４に近づけ又は遠ざけること
により共振周波数の微調整を行う。かかる構成によれ
ば、誘電体基板片１０を誘電体共振器４に向けて又は離
れる方向にスライドすることにより接地パターン１１と
誘電体共振器４との結合に比較的大きな変化が得られ
る。従って、比較的広い範囲に渡る微調整を容易に行え
る。
近傍に設けた誘電体基板片１０の表面に誘電体共振器４
と対向する辺の形状が該共振器４の外形端と略相補形を
成すような接地パターン１１を設ける。そして、誘電体
基板片１０を誘電体共振器４に近づけ又は遠ざけること
により共振周波数の微調整を行う。かかる構成によれ
ば、誘電体基板片１０を誘電体共振器４に向けて又は離
れる方向にスライドすることにより接地パターン１１と
誘電体共振器４との結合に比較的大きな変化が得られ
る。従って、比較的広い範囲に渡る微調整を容易に行え
る。
【００１８】また好ましくは、前記誘電体共振器回路を
実装するための金属ケース２０1 と、内側に突出する部
分の厚みを所定ピッチで数段階に変えた複数種の金属の
蓋部材２０2 とを備え、前記蓋部材２０2 を付け替える
ことで共振周波数の調整を可能に構成する。
実装するための金属ケース２０1 と、内側に突出する部
分の厚みを所定ピッチで数段階に変えた複数種の金属の
蓋部材２０2 とを備え、前記蓋部材２０2 を付け替える
ことで共振周波数の調整を可能に構成する。
【００１９】
【実施例】以下、添付図面に従って本発明による実施例
を詳細に説明する。なお、全図を通して同一符号は同一
又は相当部分を示すものとする。図２は実施例の発振回
路の回路図で、図において４は誘電体ディスク、２１は
ＧａＡｓのＦＥＴである。
を詳細に説明する。なお、全図を通して同一符号は同一
又は相当部分を示すものとする。図２は実施例の発振回
路の回路図で、図において４は誘電体ディスク、２１は
ＧａＡｓのＦＥＴである。
【００２０】ＦＥＴ２１のゲート側マイクロストリップ
線路の略λ／２長の位置に誘電体ディスク４を結合させ
ることで帯域反射型の発振回路を構成している。出力Ｒ
ＦOU T はドレイン側よりストリップ結合線路を介して外
部に取り出す。図３は実施例の発振回路の実装図（一部
透視図）であり、図２の発振回路を実装している。
線路の略λ／２長の位置に誘電体ディスク４を結合させ
ることで帯域反射型の発振回路を構成している。出力Ｒ
ＦOU T はドレイン側よりストリップ結合線路を介して外
部に取り出す。図３は実施例の発振回路の実装図（一部
透視図）であり、図２の発振回路を実装している。
【００２１】図において、１は背面の接地導体、２は誘
電体基板、３は表面のマイクロストリップ線路、４は比
誘電率εr ＝３４を有し、かつＴＥ01δモードで共振す
る誘電体ディスク（誘電体共振器）、２２は比誘電率ε
r ＝３．５の支持台、２１はＧａＡｓのＦＥＴ、２０1
はシールド用の金属ケース、２０2 は同じく金属の蓋部
材、２３は同軸コネクタである。なお、各部の一例の寸
法（単位ｍｍ）を図に付記しておく。
電体基板、３は表面のマイクロストリップ線路、４は比
誘電率εr ＝３４を有し、かつＴＥ01δモードで共振す
る誘電体ディスク（誘電体共振器）、２２は比誘電率ε
r ＝３．５の支持台、２１はＧａＡｓのＦＥＴ、２０1
はシールド用の金属ケース、２０2 は同じく金属の蓋部
材、２３は同軸コネクタである。なお、各部の一例の寸
法（単位ｍｍ）を図に付記しておく。
【００２２】誘電体ディスク４の周囲の誘電体基板２に
は６．０×２０．５ｍｍの切り欠き部があり、本実施例
の説明ではこの部分に現れている金属ケース２０1 の部
分を接地導体１としている。また、図３の（Ｂ）におい
て、このマイクロ波発振器は後述する各実施例の誘電体
共振器回路を使用した結果、従来よりも金属ケース２０
1 の高さが大幅に低くなっており、もってマイクロ波通
信機器の小型化、低背化を可能としている。しかも、以
下に述べる通り、その発振周波数は比較的広い範囲で微
調整可能である。
は６．０×２０．５ｍｍの切り欠き部があり、本実施例
の説明ではこの部分に現れている金属ケース２０1 の部
分を接地導体１としている。また、図３の（Ｂ）におい
て、このマイクロ波発振器は後述する各実施例の誘電体
共振器回路を使用した結果、従来よりも金属ケース２０
1 の高さが大幅に低くなっており、もってマイクロ波通
信機器の小型化、低背化を可能としている。しかも、以
下に述べる通り、その発振周波数は比較的広い範囲で微
調整可能である。
【００２３】図４は第１実施例の誘電体共振器回路（及
びその周波数調整方法）を説明する図で、該図は金属片
（又は金属ブロック）５を接地導体１上で誘電体ディス
ク４に近づけ又は遠ざける場合を示している。図４の
（Ａ）において、実施例の金属片５1 は外径４．８ｍ
ｍ、内径２．８ｍｍ、厚み０．５ｍｍを有するリング形
状の銅片から成っている。
びその周波数調整方法）を説明する図で、該図は金属片
（又は金属ブロック）５を接地導体１上で誘電体ディス
ク４に近づけ又は遠ざける場合を示している。図４の
（Ａ）において、実施例の金属片５1 は外径４．８ｍ
ｍ、内径２．８ｍｍ、厚み０．５ｍｍを有するリング形
状の銅片から成っている。
【００２４】本実施例では、かかるサイズの１つ又は２
つの金属片５1 ，５2 を図４の（Ｂ）〜（Ｇ）の如く配
置することにより図２の発振回路の発振周波数を高くす
る方向に調整することができた。即ち、図４の（Ｂ）は
誘電体ディスク４の円周端面から水平方向に測った距離
ｄ1 ＝５．４５ｍｍの位置に金属片５1 を置いた場合、
図４の（Ｃ）は距離ｄ1＝０ｍｍの場合、図４の（Ｄ）
は距離ｄ1 ＝−１．０ｍｍ（即ち、重なっている）の場
合、図４の（Ｅ）は２つの金属片５1 ，５2 を誘電体デ
ィスク４の両サイドの夫々距離ｄ1 ＝１．０ｍｍ及び距
離ｄ2 ＝１．０ｍｍの位置に置いた場合、図４の（Ｆ）
は距離ｄ1 ＝０ｍｍ及び距離ｄ2 ＝０ｍｍの場合、そし
て、図４の（Ｇ）は距離ｄ1 ＝−１．０ｍｍ及び距離ｄ
2 ＝−１．０ｍｍの場合を夫々示している。
つの金属片５1 ，５2 を図４の（Ｂ）〜（Ｇ）の如く配
置することにより図２の発振回路の発振周波数を高くす
る方向に調整することができた。即ち、図４の（Ｂ）は
誘電体ディスク４の円周端面から水平方向に測った距離
ｄ1 ＝５．４５ｍｍの位置に金属片５1 を置いた場合、
図４の（Ｃ）は距離ｄ1＝０ｍｍの場合、図４の（Ｄ）
は距離ｄ1 ＝−１．０ｍｍ（即ち、重なっている）の場
合、図４の（Ｅ）は２つの金属片５1 ，５2 を誘電体デ
ィスク４の両サイドの夫々距離ｄ1 ＝１．０ｍｍ及び距
離ｄ2 ＝１．０ｍｍの位置に置いた場合、図４の（Ｆ）
は距離ｄ1 ＝０ｍｍ及び距離ｄ2 ＝０ｍｍの場合、そし
て、図４の（Ｇ）は距離ｄ1 ＝−１．０ｍｍ及び距離ｄ
2 ＝−１．０ｍｍの場合を夫々示している。
【００２５】表１は上記の各場合における発振周波数、
周波数変化量、出力電力、消費電流を夫々示しており、
表１のＮｏ１は金属片５を置かないオリジナルの状態、
Ｎｏ２〜７は図４の（Ｂ）〜（Ｇ）に夫々対応してい
る。
周波数変化量、出力電力、消費電流を夫々示しており、
表１のＮｏ１は金属片５を置かないオリジナルの状態、
Ｎｏ２〜７は図４の（Ｂ）〜（Ｇ）に夫々対応してい
る。
【００２６】
【表１】
【００２７】表１より明らかな通り、この第１実施例に
よれば、出力電力、消費電流等の他の発振特性が許容さ
れ得る範囲内で最大略＋４６ＭＨZ の周波数変化量が得
られている。因みに図７の（Ａ）の従来のネジ部材３１
による方法では発振特性（即ち、共振系の損失増加によ
る信号純度の劣化等）との兼ね合いで周波数を高くする
方には＋３０ＭＨZ 程度の変化量が限界であった。
よれば、出力電力、消費電流等の他の発振特性が許容さ
れ得る範囲内で最大略＋４６ＭＨZ の周波数変化量が得
られている。因みに図７の（Ａ）の従来のネジ部材３１
による方法では発振特性（即ち、共振系の損失増加によ
る信号純度の劣化等）との兼ね合いで周波数を高くする
方には＋３０ＭＨZ 程度の変化量が限界であった。
【００２８】図５は第２実施例の誘電体共振器回路（及
びその周波数調整方法）を説明する図で、該図は誘電体
ディスク４の近傍に設けたランドパターン６を銅箔７に
より順次に接続して行く場合を示している。図５の
（Ａ）において、実施例のランドパターン６はスルーホ
ールを介して接地導体１に接続しているランドパターン
６1 と、その端部より１．０ｍｍ間隔をもって一方向に
展開している夫々が１．０×１．０ｍｍの大きさの各ラ
ンドパターン６2 〜６6 から成っている。
びその周波数調整方法）を説明する図で、該図は誘電体
ディスク４の近傍に設けたランドパターン６を銅箔７に
より順次に接続して行く場合を示している。図５の
（Ａ）において、実施例のランドパターン６はスルーホ
ールを介して接地導体１に接続しているランドパターン
６1 と、その端部より１．０ｍｍ間隔をもって一方向に
展開している夫々が１．０×１．０ｍｍの大きさの各ラ
ンドパターン６2 〜６6 から成っている。
【００２９】本実施例では、かかるランドパターン６を
図５の（Ｂ）〜（Ｅ）の如く順次に接続することにより
図２の発振回路の発振周波数を低くする方向に調整する
ことができた。即ち、図５の（Ｂ）はランドパターン６
1 ，６2 間を略同サイズの銅泊７1 により接続した場
合、図５の（Ｃ）は更にランドパターン６2 ，６3 間を
銅泊７2により接続した場合、図５の（Ｄ）は更にラン
ドパターン６3 ，６4 間を銅泊７ 3 により接続した場
合、そして、図５の（Ｅ）は更にランドパターン６4 ，
６5間を銅泊７4 により接続した場合を夫々示してい
る。
図５の（Ｂ）〜（Ｅ）の如く順次に接続することにより
図２の発振回路の発振周波数を低くする方向に調整する
ことができた。即ち、図５の（Ｂ）はランドパターン６
1 ，６2 間を略同サイズの銅泊７1 により接続した場
合、図５の（Ｃ）は更にランドパターン６2 ，６3 間を
銅泊７2により接続した場合、図５の（Ｄ）は更にラン
ドパターン６3 ，６4 間を銅泊７ 3 により接続した場
合、そして、図５の（Ｅ）は更にランドパターン６4 ，
６5間を銅泊７4 により接続した場合を夫々示してい
る。
【００３０】表２は上記の各場合における発振周波数、
周波数変化量、出力電力、消費電流を夫々示しており、
表２のＮｏ１はランドパターン間を接続しないオリジナ
ルの状態、Ｎｏ２〜５は図５の（Ｂ）〜（Ｅ）に夫々対
応している。
周波数変化量、出力電力、消費電流を夫々示しており、
表２のＮｏ１はランドパターン間を接続しないオリジナ
ルの状態、Ｎｏ２〜５は図５の（Ｂ）〜（Ｅ）に夫々対
応している。
【００３１】
【表２】
【００３２】表２より明らかな通り、この第２実施例に
よれば、出力電力、消費電流等の他の発振特性が許容さ
れ得る範囲内で最大略−１５ＭＨZ の周波数変化量が得
られている。因みに図７の（Ａ）の従来のネジ部材３１
による方法では発振特性との兼ね合いで周波数を低くす
る方には−５ＭＨZ 程度の変化量が限界であった。図６
は他の実施例の誘電体共振器回路（及びその周波数調整
方法）を説明する図である。
よれば、出力電力、消費電流等の他の発振特性が許容さ
れ得る範囲内で最大略−１５ＭＨZ の周波数変化量が得
られている。因みに図７の（Ａ）の従来のネジ部材３１
による方法では発振特性との兼ね合いで周波数を低くす
る方には−５ＭＨZ 程度の変化量が限界であった。図６
は他の実施例の誘電体共振器回路（及びその周波数調整
方法）を説明する図である。
【００３３】図６の（Ａ）は、誘電体ディスク４の近傍
の誘電体基板２上に接地パターン８（この例では背面の
接地導体１とスルーホールで接続してある）を設け、該
接地パターン８の誘電体ディスク４と対向する辺の形状
を該誘電体ディスク４の外形端と略相補形と成すと共
に、該接地パターン８を台座と成し、その前記対向する
辺から１又は２以上の金属箔９1 ，９2 を誘電体ディス
ク４に近づけ又は遠ざけて設けることにより共振周波数
の調整を行う場合を示している。
の誘電体基板２上に接地パターン８（この例では背面の
接地導体１とスルーホールで接続してある）を設け、該
接地パターン８の誘電体ディスク４と対向する辺の形状
を該誘電体ディスク４の外形端と略相補形と成すと共
に、該接地パターン８を台座と成し、その前記対向する
辺から１又は２以上の金属箔９1 ，９2 を誘電体ディス
ク４に近づけ又は遠ざけて設けることにより共振周波数
の調整を行う場合を示している。
【００３４】なお、この実施例では接地パターン８の対
向する辺を誘電体ディスク４の円周端面から水平に測っ
た距離で略５．０ｍｍ程度の位置に設け、かつここから
厚さ０．２ｍｍ、幅２．０ｍｍの銅箔９1 をステップ略
２ｍｍで誘電体ディスク４に近づけて行った場合に、１
ステップ当たりで略−３ＭＨZ 、最大周波数変化量では
略−１５ＭＨZ が得られた。
向する辺を誘電体ディスク４の円周端面から水平に測っ
た距離で略５．０ｍｍ程度の位置に設け、かつここから
厚さ０．２ｍｍ、幅２．０ｍｍの銅箔９1 をステップ略
２ｍｍで誘電体ディスク４に近づけて行った場合に、１
ステップ当たりで略−３ＭＨZ 、最大周波数変化量では
略−１５ＭＨZ が得られた。
【００３５】図６の（Ｂ）は誘電体ディスク４の近傍に
誘電体基板片１０を設け、その表面に誘電体ディスク４
と対向する辺の形状が該誘電体ディスク４の外形端と略
相補形を成すような接地パターン１１を設けると共に、
該誘電体基板片１０を誘電体ディスク４に近づけ又は遠
ざけることにより共振周波数の調整を行う場合を示して
いる。
誘電体基板片１０を設け、その表面に誘電体ディスク４
と対向する辺の形状が該誘電体ディスク４の外形端と略
相補形を成すような接地パターン１１を設けると共に、
該誘電体基板片１０を誘電体ディスク４に近づけ又は遠
ざけることにより共振周波数の調整を行う場合を示して
いる。
【００３６】こうすれば誘電体基板片１０のスライドに
より誘電体ディスク４と接地パターン１１との間の結合
は比較的に大きく変化する。また、図示の如く誘電体基
板片１０の両端を例えば金属製のビスでガイドし、かつ
固定できるようにすれば、調整作業が容易になる。図６
の（Ｃ）は図６の（Ｂ）の場合と類似であるが、誘電体
基板片１０が２重になっている。このように誘電体基板
片１０を重ねることで任意の高さにおいて誘電体ディス
ク４との結合を行うことができる。また、誘電体ディス
ク４の支持位置が高いような場合でも、結合の位置を容
易に調整可能である。
より誘電体ディスク４と接地パターン１１との間の結合
は比較的に大きく変化する。また、図示の如く誘電体基
板片１０の両端を例えば金属製のビスでガイドし、かつ
固定できるようにすれば、調整作業が容易になる。図６
の（Ｃ）は図６の（Ｂ）の場合と類似であるが、誘電体
基板片１０が２重になっている。このように誘電体基板
片１０を重ねることで任意の高さにおいて誘電体ディス
ク４との結合を行うことができる。また、誘電体ディス
ク４の支持位置が高いような場合でも、結合の位置を容
易に調整可能である。
【００３７】図７は他の実施例の発振回路の実装図で、
図において２０21，２０22は蓋部材である。内側に突出
する部分の厚みを例えば厚みピッチ＝０．５ｍｍで数段
階に変えた蓋部材２０21，２０22を予め用意し、これら
の蓋部材２０21，２０22を必要に応じて付け替えること
により更に周波数を微調整可能である。
図において２０21，２０22は蓋部材である。内側に突出
する部分の厚みを例えば厚みピッチ＝０．５ｍｍで数段
階に変えた蓋部材２０21，２０22を予め用意し、これら
の蓋部材２０21，２０22を必要に応じて付け替えること
により更に周波数を微調整可能である。
【００３８】なお、上記実施例では金属片５を使用する
場合と、銅箔９を使用する場合とを分けて説明したが、
これらの方法を組み合わせても周波数を調整可能であ
る。また、金属片５の形状、材質は上記実施例のものに
限らない。誘電体共振器４の形状及びその周囲の空きエ
リアの形状に応じて任意形状、材質の金属片５を使用で
きる。
場合と、銅箔９を使用する場合とを分けて説明したが、
これらの方法を組み合わせても周波数を調整可能であ
る。また、金属片５の形状、材質は上記実施例のものに
限らない。誘電体共振器４の形状及びその周囲の空きエ
リアの形状に応じて任意形状、材質の金属片５を使用で
きる。
【００３９】また、上記実施例では一例のランドパター
ン６を示したが、各ランドパターン６の大きさ、間隔ピ
ッチ、展開の仕方等は上記実施例のものに限らず、任意
のもので良い。また、上記実施例は発振器への適用例に
ついて述べたが、本発明の誘電体共振器回路は他のフィ
ルタ回路や分波器等にも適用できる。
ン６を示したが、各ランドパターン６の大きさ、間隔ピ
ッチ、展開の仕方等は上記実施例のものに限らず、任意
のもので良い。また、上記実施例は発振器への適用例に
ついて述べたが、本発明の誘電体共振器回路は他のフィ
ルタ回路や分波器等にも適用できる。
【００４０】
【発明の効果】以上述べた如く本発明の誘電体共振器回
路は、上記構成であるので、マイクロ波、ミリ波の通信
機器の小型化、低背化を可能とすると共に共振周波数を
比較的広い範囲で微調整可能である。
路は、上記構成であるので、マイクロ波、ミリ波の通信
機器の小型化、低背化を可能とすると共に共振周波数を
比較的広い範囲で微調整可能である。
【図１】図１は本発明の原理的構成図である。
【図２】図２は実施例の発振回路の回路図である。
【図３】図３は実施例の発振回路の実装図である。
【図４】図４は第１実施例の誘電体共振器回路を説明す
る図である。
る図である。
【図５】図５は第２実施例の誘電体共振器回路を説明す
る図である。
る図である。
【図６】図６は他の実施例の誘電体共振器回路を説明す
る図である。
る図である。
【図７】図７は他の実施例の発振回路の実装図である。
【図８】図８は従来の誘電体共振器回路を説明する図で
ある。
ある。
１ 接地導体 ２ 誘電体基板 ３ マイクロストリップ線路 ４ 誘電体共振器 ５ 金属片 ６1 〜６3 ランドパターン ７ 金属箔 ８ 接地パターン ９ 金属箔 １０ 誘電体基板片 １１ 接地パターン
Claims (5)
- 【請求項１】 背面に接地導体（１）を有する誘電体基
板（２）上に設けたマイクロストリップ線路（３）と、
該マイクロストリップ線路（３）を伝搬する高周波信号
に磁界結合し、所定の周波数で共振する誘電体共振器
（４）とを備える誘電体共振器回路において、 前記誘電体共振器（４）の近傍で前記接地導体（１）と
接触する金属片（５）であって、前記誘電体共振器
（４）に近づけ又は遠ざけることにより共振周波数の調
整を行うもの、を備えることを特徴とする誘電体共振器
回路。 - 【請求項２】 背面に接地導体（１）を有する誘電体基
板（２）上に設けたマイクロストリップ線路（３）と、
該マイクロストリップ線路（３）を伝搬する高周波信号
に磁界結合し、所定の周波数で共振する誘電体共振器
（４）とを備える誘電体共振器回路において、 前記誘電体共振器（４）の近傍の前記誘電体基板（２）
上に所定間隔を持って設けた複数のランドパターン
（６）であって、一端のランドパターン（６）を前記接
地導体（１）に接続すると共に、残りの各ランドパター
ン（６）を金属箔（７）により順次接続することにより
共振周波数の調整を行うもの、を備えることを特徴とす
る誘電体共振器回路。 - 【請求項３】 背面に接地導体（１）を有する誘電体基
板（２）上に設けたマイクロストリップ線路（３）と、
該マイクロストリップ線路（３）を伝搬する高周波信号
に磁界結合し、所定の周波数で共振する誘電体共振器
（４）とを備える誘電体共振器回路において、 前記誘電体共振器（４）の近傍の前記誘電体基板（２）
上に設けた接地パターン（８）であって、前記誘電体共
振器（４）と対向する辺の形状が該誘電体共振器（４）
の外形端と略相補形を成すと共に、該対向する辺から金
属箔（９）を前記誘電体共振器（４）に近づけ又は遠ざ
けて設けることにより共振周波数の調整を行うもの、を
備えることを特徴とする誘電体共振器回路。 - 【請求項４】 背面に接地導体（１）を有する誘電体基
板（２）上に設けたマイクロストリップ線路（３）と、
該マイクロストリップ線路（３）を伝搬する高周波信号
に磁界結合し、所定の周波数で共振する誘電体共振器
（４）とを備える誘電体共振器回路において、 前記誘電体共振器（４）の近傍に設けた誘電体基板片
（１０）であって、その表面に前記誘電体共振器（４）
と対向する辺の形状が該誘電体共振器（４）の外形端と
略相補形を成すような接地パターン（１１）を有すると
共に、該誘電体基板片（１０）を前記誘電体共振器
（４）に近づけ又は遠ざけることにより共振周波数の調
整を行うもの、を備えることを特徴とする誘電体共振器
回路。 - 【請求項５】 前記誘電体共振器回路を実装する金属ケ
ース（２０1 ）と、内側に突出する部分の厚みを所定ピ
ッチで数段階に変えた複数種の金属の蓋部材（２０2 ）
とを備え、前記蓋部材（２０2 ）を付け替えることで共
振周波数の調整を可能に構成したことを特徴とする請求
項１乃至５の誘電体共振器回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5263465A JPH07122915A (ja) | 1993-10-21 | 1993-10-21 | 誘電体共振器回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5263465A JPH07122915A (ja) | 1993-10-21 | 1993-10-21 | 誘電体共振器回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07122915A true JPH07122915A (ja) | 1995-05-12 |
Family
ID=17389891
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5263465A Withdrawn JPH07122915A (ja) | 1993-10-21 | 1993-10-21 | 誘電体共振器回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07122915A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0785591A2 (en) * | 1996-01-25 | 1997-07-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Variable-frequency resonator, variable-frequency oscillator, and variable-frequency filter |
| EP0961340A1 (de) * | 1998-05-27 | 1999-12-01 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zum Abstimmen der Resonanzfrequenz eines dielektrischen Resonators |
| JP2014003773A (ja) * | 2012-06-15 | 2014-01-09 | Ryukoku Univ | 無線電力伝送装置及び無線電力伝送方式 |
| WO2015120240A1 (en) * | 2014-02-06 | 2015-08-13 | Rogers Corporation | Tunable dielectric resonator antenna |
-
1993
- 1993-10-21 JP JP5263465A patent/JPH07122915A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0785591A2 (en) * | 1996-01-25 | 1997-07-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Variable-frequency resonator, variable-frequency oscillator, and variable-frequency filter |
| EP0785591A3 (en) * | 1996-01-25 | 1998-05-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Variable-frequency resonator, variable-frequency oscillator, and variable-frequency filter |
| EP1276167A1 (en) * | 1996-01-25 | 2003-01-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Variable-frequency resonator, variable-frequency oscillator, and variable-frequency filter |
| EP0961340A1 (de) * | 1998-05-27 | 1999-12-01 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zum Abstimmen der Resonanzfrequenz eines dielektrischen Resonators |
| JP2014003773A (ja) * | 2012-06-15 | 2014-01-09 | Ryukoku Univ | 無線電力伝送装置及び無線電力伝送方式 |
| WO2015120240A1 (en) * | 2014-02-06 | 2015-08-13 | Rogers Corporation | Tunable dielectric resonator antenna |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20001226 |