JPH07122526A - 洗浄装置 - Google Patents
洗浄装置Info
- Publication number
- JPH07122526A JPH07122526A JP28573893A JP28573893A JPH07122526A JP H07122526 A JPH07122526 A JP H07122526A JP 28573893 A JP28573893 A JP 28573893A JP 28573893 A JP28573893 A JP 28573893A JP H07122526 A JPH07122526 A JP H07122526A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cleaning
- semiconductor wafer
- tank
- radicals
- cleaning tank
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体ウェハ５表面上の有機物を該半導体ウ
ェハ５表面に悪影響を及ぼすことなく除去する。 【構成】 洗浄槽３内の洗浄液２に対して紫外線を照射
する光源４を設ける。
ェハ５表面に悪影響を及ぼすことなく除去する。 【構成】 洗浄槽３内の洗浄液２に対して紫外線を照射
する光源４を設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、洗浄装置、特に有機系
の不純物を半導体ウェハ表面の侵蝕を伴うことなく除去
することのできる洗浄装置に関する。
の不純物を半導体ウェハ表面の侵蝕を伴うことなく除去
することのできる洗浄装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造のための一連のウェハ
工程において、半導体ウェハ表面に有機物が付着する工
程は少なくない。従って、各工程の終了後、特に半導体
ウェハ表面に有機物が付着してしまうような工程の終了
後にはその有機物を含め異物を除去するための水洗いが
行われる。
工程において、半導体ウェハ表面に有機物が付着する工
程は少なくない。従って、各工程の終了後、特に半導体
ウェハ表面に有機物が付着してしまうような工程の終了
後にはその有機物を含め異物を除去するための水洗いが
行われる。
【０００３】しかし、水洗いでは有機物を充分に除去す
ることが難しいので、アッシング等のドライクリーニン
グあるいは硫酸過水、アンモニア過水等によるウェット
クリーニングにより有機物の除去を行う場合もある。と
いうのは、図２（Ａ）乃至（Ｃ）に示すように、記憶容
量の異なる三種類のＤＲＡＭの不良原因の半分以上は異
物に起因しており、そして、その異物の多くを占めるの
が有機系の異物であるので、有機物のより完全な除去が
必要だからである。特に、記憶容量が大きくなる程異物
に起因する不良の割合が多くなり、そしてＤＲＡＭは大
記憶容量化の要請がきわめて強いので、異物の除去、特
に有機系の異物の除去の必要性がきわめて強い。
ることが難しいので、アッシング等のドライクリーニン
グあるいは硫酸過水、アンモニア過水等によるウェット
クリーニングにより有機物の除去を行う場合もある。と
いうのは、図２（Ａ）乃至（Ｃ）に示すように、記憶容
量の異なる三種類のＤＲＡＭの不良原因の半分以上は異
物に起因しており、そして、その異物の多くを占めるの
が有機系の異物であるので、有機物のより完全な除去が
必要だからである。特に、記憶容量が大きくなる程異物
に起因する不良の割合が多くなり、そしてＤＲＡＭは大
記憶容量化の要請がきわめて強いので、異物の除去、特
に有機系の異物の除去の必要性がきわめて強い。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、アッシング
等のドライクリーニングあるいは硫酸過水、アンモニア
過水等によるウェットクリーニングは、半導体ウェハ表
面にダメージを与えたり、酸化膜を生ぜしめたりすると
いう問題がある。即ち、ドライクリーニング法によれば
半導体ウェハ表面がダメージを受ける。
等のドライクリーニングあるいは硫酸過水、アンモニア
過水等によるウェットクリーニングは、半導体ウェハ表
面にダメージを与えたり、酸化膜を生ぜしめたりすると
いう問題がある。即ち、ドライクリーニング法によれば
半導体ウェハ表面がダメージを受ける。
【０００５】また、過酸化水素を含んだ薬液を用いての
ウェットクリーニング法によれば半導体ウェハ表面に薄
い酸化膜が形成され、コンタクト抵抗の増大の原因とな
る等の問題をもたらすし、また、アンモニア系の薬液を
用いたウェットクリーニングによれば半導体ウェハ表面
がエッチングされてしまうという問題が生じる。
ウェットクリーニング法によれば半導体ウェハ表面に薄
い酸化膜が形成され、コンタクト抵抗の増大の原因とな
る等の問題をもたらすし、また、アンモニア系の薬液を
用いたウェットクリーニングによれば半導体ウェハ表面
がエッチングされてしまうという問題が生じる。
【０００６】本発明はこのような問題点を解決すべく為
されたものであり、半導体ウェハ表面上の有機物を該半
導体ウェハ表面に悪影響を及ぼすことなく除去すること
のできる新規な洗浄装置を提供する。
されたものであり、半導体ウェハ表面上の有機物を該半
導体ウェハ表面に悪影響を及ぼすことなく除去すること
のできる新規な洗浄装置を提供する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明洗浄装置は、洗浄
槽内の洗浄液に対して紫外線を照射する光源を設けるこ
とを特徴とする。
槽内の洗浄液に対して紫外線を照射する光源を設けるこ
とを特徴とする。
【０００８】
【作用】本発明洗浄装置によれば、紫外線がそのエネル
ギーにより有機物の原子の結合を解離したり、有機物か
らＯ（酸素）ラジカルが発生し、このＯラジカルにより
有機物自身が酸化、分解されるので、半導体ウェハにダ
メージを与えたり半導体ウェハをエッチングしたりしな
い洗浄液を用いても有機物を有効に酸化、分解して除去
することができる。特に、洗浄液が水からなる場合、あ
るいは水分を含んでいる場合には、紫外線により水分子
からＯＨ（水酸基）ラジカル、Ｏ（酸素原子）ラジカル
が発生し、そのＯＨラジカル、Ｏラジカルの持つ強い酸
化力により有機物を酸化、分解して除去することができ
る。
ギーにより有機物の原子の結合を解離したり、有機物か
らＯ（酸素）ラジカルが発生し、このＯラジカルにより
有機物自身が酸化、分解されるので、半導体ウェハにダ
メージを与えたり半導体ウェハをエッチングしたりしな
い洗浄液を用いても有機物を有効に酸化、分解して除去
することができる。特に、洗浄液が水からなる場合、あ
るいは水分を含んでいる場合には、紫外線により水分子
からＯＨ（水酸基）ラジカル、Ｏ（酸素原子）ラジカル
が発生し、そのＯＨラジカル、Ｏラジカルの持つ強い酸
化力により有機物を酸化、分解して除去することができ
る。
【０００９】
【実施例】以下、本発明洗浄装置を図示実施例に従って
詳細に説明する。図１は本発明洗浄装置の一つの実施例
を示す構成図である。図面において、１は洗浄装置で、
洗浄液２を貯める、紫外線透過ガラスからなる洗浄槽３
と、該洗浄槽３内の洗浄液２に対して紫外線を照射する
紫外線光源４、４からなる。本実施例において洗浄液２
は純水であり、紫外線光源４、４は低圧水銀ランプであ
り、１８４．９ｎｍの波長の紫外線を発生する。一つの
紫外線光源４は洗浄槽３の直上にあり、そこから下向き
に洗浄液２へ紫外線を照射する。
詳細に説明する。図１は本発明洗浄装置の一つの実施例
を示す構成図である。図面において、１は洗浄装置で、
洗浄液２を貯める、紫外線透過ガラスからなる洗浄槽３
と、該洗浄槽３内の洗浄液２に対して紫外線を照射する
紫外線光源４、４からなる。本実施例において洗浄液２
は純水であり、紫外線光源４、４は低圧水銀ランプであ
り、１８４．９ｎｍの波長の紫外線を発生する。一つの
紫外線光源４は洗浄槽３の直上にあり、そこから下向き
に洗浄液２へ紫外線を照射する。
【００１０】他の紫外線光源４は洗浄槽３の下方にあ
り、そこから上向きに洗浄槽３の底面越しに洗浄液２へ
紫外線を照射する。尚、２点鎖線で示すように、洗浄槽
３の側方にも紫外線光源４、４を設けて側方から洗浄槽
３の側面越しに紫外線を照射するようにしても良い。
り、そこから上向きに洗浄槽３の底面越しに洗浄液２へ
紫外線を照射する。尚、２点鎖線で示すように、洗浄槽
３の側方にも紫外線光源４、４を設けて側方から洗浄槽
３の側面越しに紫外線を照射するようにしても良い。
【００１１】この洗浄装置１の洗浄槽３の洗浄液２内
に、半導体ウェハ５が浸漬されて例えば水洗いされる。
尚、６は水洗いの前の薬液処理を行う薬液槽であり、該
薬液層６での処理を終えた半導体ウェハ５が洗浄装置１
で水洗いされるのである。ところで、洗浄槽３での洗浄
を行っているとき同時に紫外線光源４、４（４、４）か
ら紫外線を洗浄槽３内の洗浄液２へ照射する。すると、
紫外線（波長１８４．９ｎｍ）の持つエネルギーの働き
により以下の各反応が起きる。
に、半導体ウェハ５が浸漬されて例えば水洗いされる。
尚、６は水洗いの前の薬液処理を行う薬液槽であり、該
薬液層６での処理を終えた半導体ウェハ５が洗浄装置１
で水洗いされるのである。ところで、洗浄槽３での洗浄
を行っているとき同時に紫外線光源４、４（４、４）か
ら紫外線を洗浄槽３内の洗浄液２へ照射する。すると、
紫外線（波長１８４．９ｎｍ）の持つエネルギーの働き
により以下の各反応が起きる。
【００１２】 Ｈ2 Ｏ→Ｈ・＋ＯＨ・ ＲＨ→Ｒ・＋Ｈ・ ＲＯ→Ｒ・＋Ｏ・ ＲＲ→Ｒ・＋Ｒ・ 尚、Ｒは有機物である。というのは、有機物の主要構成
原子Ｃと他の原子との結合エネルギーは、Ｃ−Ｈの場合
９８．８ｋｃａｌ／ｍｏｌ、Ｃ−Ｏの場合８４ｋｃａｌ
／ｍｏｌとなり、波長１８４．９ｎｍの紫外線のエネル
ギー１５５ｋｃａｌ／ｍｏｌよりも小さいから上述した
反応が可能となるためである。
原子Ｃと他の原子との結合エネルギーは、Ｃ−Ｈの場合
９８．８ｋｃａｌ／ｍｏｌ、Ｃ−Ｏの場合８４ｋｃａｌ
／ｍｏｌとなり、波長１８４．９ｎｍの紫外線のエネル
ギー１５５ｋｃａｌ／ｍｏｌよりも小さいから上述した
反応が可能となるためである。
【００１３】そして、上記反応は水分子の分解によるＯ
Ｈラジカルの発生、有機物の分解、Ｏラジカルの発生等
を生ぜしめる。そして、有機物の分解は当然に水による
除去を著しくやり易くする。また、ＯＨラジカル、Ｏラ
ジカルは有機物を酸化する力が強いので有機物を酸化し
て水による除去をやり易くする。従って、半導体ウェハ
５の表面から有機物を有効に除去することができる。そ
れでいて、純水は半導体ウェハに対してダメージを与え
ないので、半導体ウェハが水洗いによりダメージを受け
る虞れは全くない。尚、水洗い後半導体ウェハ５はドラ
イヤー７で乾燥される。
Ｈラジカルの発生、有機物の分解、Ｏラジカルの発生等
を生ぜしめる。そして、有機物の分解は当然に水による
除去を著しくやり易くする。また、ＯＨラジカル、Ｏラ
ジカルは有機物を酸化する力が強いので有機物を酸化し
て水による除去をやり易くする。従って、半導体ウェハ
５の表面から有機物を有効に除去することができる。そ
れでいて、純水は半導体ウェハに対してダメージを与え
ないので、半導体ウェハが水洗いによりダメージを受け
る虞れは全くない。尚、水洗い後半導体ウェハ５はドラ
イヤー７で乾燥される。
【００１４】
【発明の効果】本発明洗浄装置は、洗浄槽内の洗浄液に
対して紫外線を照射する光源を設けることを特徴とする
ものである。従って、本発明洗浄装置によれば、紫外線
が有機物の原子の結合を解離したり、紫外線からＯ（酸
素）ラジカルが発生し、このＯラジカルにより有機物が
酸化、分解されるので半導体ウェハにダメージを与えた
り半導体ウェハをエッチングしたりしない洗浄液を用い
ても有機物を有効に酸化、分解して除去することができ
る。特に、洗浄液が水からなる場合には、あるいは水分
を含んでいる場合には、紫外線により水分子からＯＨ
（水酸基）ラジカル、Ｏ（酸素原子）ラジカルが発生
し、そのＯＨラジカル、Ｏラジカルの持つ強い酸化力に
より有機物を酸化、分解して除去することができる。
対して紫外線を照射する光源を設けることを特徴とする
ものである。従って、本発明洗浄装置によれば、紫外線
が有機物の原子の結合を解離したり、紫外線からＯ（酸
素）ラジカルが発生し、このＯラジカルにより有機物が
酸化、分解されるので半導体ウェハにダメージを与えた
り半導体ウェハをエッチングしたりしない洗浄液を用い
ても有機物を有効に酸化、分解して除去することができ
る。特に、洗浄液が水からなる場合には、あるいは水分
を含んでいる場合には、紫外線により水分子からＯＨ
（水酸基）ラジカル、Ｏ（酸素原子）ラジカルが発生
し、そのＯＨラジカル、Ｏラジカルの持つ強い酸化力に
より有機物を酸化、分解して除去することができる。
【図１】本発明洗浄装置の一つの実施例を示す構成図で
ある。
ある。
【図２】（Ａ）乃至（Ｃ）は記憶容量の異なる三種類の
ＤＲＡＭの不良原因の分類図であり、（Ａ）は６４ＫＤ
ＲＡＭ、（Ｂ）は２５６ＫＤＲＡＭ、（Ｃ）は１ＭＤＲ
ＡＭの場合を示す。
ＤＲＡＭの不良原因の分類図であり、（Ａ）は６４ＫＤ
ＲＡＭ、（Ｂ）は２５６ＫＤＲＡＭ、（Ｃ）は１ＭＤＲ
ＡＭの場合を示す。
１ 洗浄装置 ２ 洗浄液 ３ 洗浄槽 ４ 紫外線光源
Claims (2)
- 【請求項１】 洗浄液を貯める洗浄槽と、 上記洗浄槽内の洗浄液に対して紫外線を照射する紫外線
光源と、 を有することを特徴とする洗浄装置 - 【請求項２】 洗浄槽の側面及び／又は底面が紫外線透
過ガラスからなり、 該紫外線透過ガラス越しに洗浄槽内の洗浄液に紫外線を
照射する紫外線光源を有することを特徴とする請求項１
記載の洗浄装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28573893A JPH07122526A (ja) | 1993-10-21 | 1993-10-21 | 洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28573893A JPH07122526A (ja) | 1993-10-21 | 1993-10-21 | 洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07122526A true JPH07122526A (ja) | 1995-05-12 |
Family
ID=17695410
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28573893A Pending JPH07122526A (ja) | 1993-10-21 | 1993-10-21 | 洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07122526A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010033702A (ko) * | 1997-12-31 | 2001-04-25 | 페터 옐리히 | 기판을 처리하기 위한 방법 및 장치 |
| KR100416590B1 (ko) * | 2001-01-13 | 2004-02-05 | 삼성전자주식회사 | 반도체 웨이퍼 세정장치 및 이를 이용한 웨이퍼 세정방법 |
-
1993
- 1993-10-21 JP JP28573893A patent/JPH07122526A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010033702A (ko) * | 1997-12-31 | 2001-04-25 | 페터 옐리히 | 기판을 처리하기 위한 방법 및 장치 |
| KR100416590B1 (ko) * | 2001-01-13 | 2004-02-05 | 삼성전자주식회사 | 반도체 웨이퍼 세정장치 및 이를 이용한 웨이퍼 세정방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2581268B2 (ja) | 半導体基板の処理方法 | |
| US6551409B1 (en) | Method for removing organic contaminants from a semiconductor surface | |
| US6743301B2 (en) | Substrate treatment process and apparatus | |
| Hattori et al. | Contamination Removal by Single‐Wafer Spin Cleaning with Repetitive Use of Ozonized Water and Dilute HF | |
| JP2001015472A (ja) | 紫外光照射方法及び装置 | |
| TWI271793B (en) | System and method of cleaning and etching a substrate | |
| JP2540583B2 (ja) | 基板の清浄化処理方法およびその装置 | |
| JP3535820B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| JPH07122526A (ja) | 洗浄装置 | |
| JPH03136329A (ja) | シリコン基板表面の清浄化方法 | |
| JP2948110B2 (ja) | 被処理物体表面または当該表面上の物質を減圧下で酸化する方法 | |
| JP3445765B2 (ja) | 半導体素子形成用基板表面処理方法 | |
| JP6441499B2 (ja) | 基板処理方法、基板処理装置、基板処理システム及び記憶媒体 | |
| JP2000216130A (ja) | 電子材料用洗浄水及び電子材料の洗浄方法 | |
| JPH0719764B2 (ja) | 表面洗浄方法 | |
| JPH05304089A (ja) | 基板表面からのレジストの除去方法並びに装置 | |
| JP2006073747A (ja) | 半導体ウェーハの処理方法およびその装置 | |
| JPH024269A (ja) | ホトレジストの除去方法 | |
| JP3196963B2 (ja) | 有機物の除去方法 | |
| JP3101307B2 (ja) | 有機物被膜の除去方法 | |
| JP4700224B2 (ja) | レジスト剥離装置 | |
| JP2002018379A (ja) | 薄膜剥離方法、薄膜剥離装置及び電子デバイスの製造方法 | |
| JP2001196348A (ja) | 有機物の分解方法、および半導体素子の製造方法 | |
| JPH05304126A (ja) | 基板表面からの有機物の気相除去方法並びに装置 | |
| JPH01146330A (ja) | シリコン固体の表面清浄化方法 |