JPH07118565B2 - 半導体レーザー光源 - Google Patents
半導体レーザー光源Info
- Publication number
- JPH07118565B2 JPH07118565B2 JP4054820A JP5482092A JPH07118565B2 JP H07118565 B2 JPH07118565 B2 JP H07118565B2 JP 4054820 A JP4054820 A JP 4054820A JP 5482092 A JP5482092 A JP 5482092A JP H07118565 B2 JPH07118565 B2 JP H07118565B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser beam
- lens
- laser
- light source
- pinhole
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/005—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はレーザービームプリン
タ，レーザーファクシミリ，レーザー植字機，バーコー
ドリーダー，複写機，センサ等に用いられる半導体レー
ザー光源に関するものである。
タ，レーザーファクシミリ，レーザー植字機，バーコー
ドリーダー，複写機，センサ等に用いられる半導体レー
ザー光源に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザー光源は、レーザービーム
のコヒーレンスを利用した光学システム(微小スポット
に絞り込むことができる特性を応用した光ピックアップ
等)として、上記のような様々な装置に用いられてい
る。かかる光学システムにおいては、低消費電力化によ
り電源が小型化されてきている。また、光学系について
も小型化が進んでいる。例えば、レーザービームをカッ
プリングするレンズとして、直径が数ｍｍ程度の微小な
ものが知られている。
のコヒーレンスを利用した光学システム(微小スポット
に絞り込むことができる特性を応用した光ピックアップ
等)として、上記のような様々な装置に用いられてい
る。かかる光学システムにおいては、低消費電力化によ
り電源が小型化されてきている。また、光学系について
も小型化が進んでいる。例えば、レーザービームをカッ
プリングするレンズとして、直径が数ｍｍ程度の微小な
ものが知られている。
【０００３】ところで、上記光学システムにおいては、
図７に示すように半導体レーザー１から発せられたレー
ザービームＬＢが、主として、レンズ２の後方の面Ｓ1
及び前方の面Ｓ2を直接透過する成分Ａと、前方の面Ｓ2
及び後方の面Ｓ1で反射されたのち透過する成分Ｂとに
分かれる。従って、成分Ａと成分Ｂとの間に光路差が生
じてしまう。レーザービームはコヒーレンスが高いの
で、形成されるビームスポットには、成分Ａと成分Ｂと
の干渉に起因するビーム強度パターンの変形、つまりビ
ームの強度むら(干渉縞)が発生する。このビームの強度
むらは、様々な問題を引き起こす原因となる。例えば、
センサに適用した場合、レーザービームの一部分しか受
光されないときにはノイズが増え、誤動作の原因とな
る。
図７に示すように半導体レーザー１から発せられたレー
ザービームＬＢが、主として、レンズ２の後方の面Ｓ1
及び前方の面Ｓ2を直接透過する成分Ａと、前方の面Ｓ2
及び後方の面Ｓ1で反射されたのち透過する成分Ｂとに
分かれる。従って、成分Ａと成分Ｂとの間に光路差が生
じてしまう。レーザービームはコヒーレンスが高いの
で、形成されるビームスポットには、成分Ａと成分Ｂと
の干渉に起因するビーム強度パターンの変形、つまりビ
ームの強度むら(干渉縞)が発生する。このビームの強度
むらは、様々な問題を引き起こす原因となる。例えば、
センサに適用した場合、レーザービームの一部分しか受
光されないときにはノイズが増え、誤動作の原因とな
る。
【０００４】上記ビームの強度むらの発生を防ぐため、
一般にレンズには反射防止加工が施されている。この反
射防止加工は、真空槽内のプラネタリーに複数個のレン
ズを１個ずつセットし、フッ化マグネシウム，二酸化チ
タン等から成る多層コーティングを施すことにより行わ
れる。
一般にレンズには反射防止加工が施されている。この反
射防止加工は、真空槽内のプラネタリーに複数個のレン
ズを１個ずつセットし、フッ化マグネシウム，二酸化チ
タン等から成る多層コーティングを施すことにより行わ
れる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
たようにレンズの小型化によって、レンズの押さえしろ
が少なくなっているため、多層コーティングに際するレ
ンズのセッティングが難しく、作業が煩雑化するといっ
た問題がある。また、多層コーティングがコストアップ
の原因になっているといった問題もある。
たようにレンズの小型化によって、レンズの押さえしろ
が少なくなっているため、多層コーティングに際するレ
ンズのセッティングが難しく、作業が煩雑化するといっ
た問題がある。また、多層コーティングがコストアップ
の原因になっているといった問題もある。
【０００６】本発明はこのような点に鑑みなされたもの
であって、レンズに反射防止加工が施されていなくて
も、レーザービームの干渉に起因するビームの強度むら
の発生を防止しうる半導体レーザー光源を提供すること
を目的とする。
であって、レンズに反射防止加工が施されていなくて
も、レーザービームの干渉に起因するビームの強度むら
の発生を防止しうる半導体レーザー光源を提供すること
を目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明の半導体レーザー光源は、所定の照射面上にレー
ザービームを照射する半導体レーザー光源であって、レ
ーザービームを発する半導体レーザーから成る発光手段
と，該レーザービームを透過させるレンズと，該レンズ
によって生じた強度むらが前記照射面上において小さく
なるように、前記レンズを透過してきたレーザービーム
を回折させる開口が設けられた光束規制部材と，を備え
たことを特徴としている。
本発明の半導体レーザー光源は、所定の照射面上にレー
ザービームを照射する半導体レーザー光源であって、レ
ーザービームを発する半導体レーザーから成る発光手段
と，該レーザービームを透過させるレンズと，該レンズ
によって生じた強度むらが前記照射面上において小さく
なるように、前記レンズを透過してきたレーザービーム
を回折させる開口が設けられた光束規制部材と，を備え
たことを特徴としている。
【０００８】前記光束規制部材上でのレーザービーム径
よりも前記開口が小さい構成とするのが好ましい。
よりも前記開口が小さい構成とするのが好ましい。
【０００９】
【作用】このような構成によると、レンズを透過する際
の反射に起因するレーザービームの干渉効果が、光束規
制部材に設けられた開口をレーザービームが通過する際
の回折によって打ち消されるため、干渉によるビームの
強度むらが低減することになる。しかも、開口を通過し
たレーザービームは、光軸上で光の強度のピークを持つ
ようになる。
の反射に起因するレーザービームの干渉効果が、光束規
制部材に設けられた開口をレーザービームが通過する際
の回折によって打ち消されるため、干渉によるビームの
強度むらが低減することになる。しかも、開口を通過し
たレーザービームは、光軸上で光の強度のピークを持つ
ようになる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図１は本実施例の全体構成の外観を示す斜視図で
ある。
する。図１は本実施例の全体構成の外観を示す斜視図で
ある。
【００１１】本実施例の半導体レーザー光源１００は、
主として発光手段，光学系，固定部材及び光束規制部材
とから構成されている。
主として発光手段，光学系，固定部材及び光束規制部材
とから構成されている。
【００１２】発光手段は、１本のレーザービーム５を発
するレーザーチップ(図示せず)を備えたレーザーダイオ
ード３０から成っている。レーザーダイオード３０は、
モニタ用のフォトダイオードを備えたパッケージであ
り、フォトダイオードによってモニタすることにより、
レーザーダイオード３０のレーザー発光の強さが制御さ
れている。
するレーザーチップ(図示せず)を備えたレーザーダイオ
ード３０から成っている。レーザーダイオード３０は、
モニタ用のフォトダイオードを備えたパッケージであ
り、フォトダイオードによってモニタすることにより、
レーザーダイオード３０のレーザー発光の強さが制御さ
れている。
【００１３】光学系は、レーザーダイオード３０から発
せられたレーザービーム５を透過させるレンズ(直径３
ｍｍ，焦点距離５ｍｍ)３５から成っており、レンズ３
５は鏡枠３７内に固定されてコリメータを構成する。レ
ーザーダイオード３０からのレーザービームは、レンズ
３５を通過することによって、レンズ３５と同じ直径の
平行光束(レーザービーム５)になる。本実施例ではレン
ズ３５によって平行光束をつくる構成となっているが、
コリメートレンズに限らず、収束光又は発散光をつくる
種々のタイプのレンズをカップリングレンズとして用い
ることも可能である。
せられたレーザービーム５を透過させるレンズ(直径３
ｍｍ，焦点距離５ｍｍ)３５から成っており、レンズ３
５は鏡枠３７内に固定されてコリメータを構成する。レ
ーザーダイオード３０からのレーザービームは、レンズ
３５を通過することによって、レンズ３５と同じ直径の
平行光束(レーザービーム５)になる。本実施例ではレン
ズ３５によって平行光束をつくる構成となっているが、
コリメートレンズに限らず、収束光又は発散光をつくる
種々のタイプのレンズをカップリングレンズとして用い
ることも可能である。
【００１４】固定部材は、貫通する穴２１０が形成され
たレーザー固定部材２００から成っている。レーザーダ
イオード３０は、その頭部が穴２１０に挿入された状態
で固定され、レンズ３５は鏡枠３７内で固定された状態
で、穴２１０内で固定されている。尚、複数の穴がアレ
イ状に形成されたレーザー固定部材を用いて、それぞれ
の穴にレーザーダイオード，レンズ等を固定し、レーザ
ービームをアレイ状に発生させることができるようにし
てもよい。
たレーザー固定部材２００から成っている。レーザーダ
イオード３０は、その頭部が穴２１０に挿入された状態
で固定され、レンズ３５は鏡枠３７内で固定された状態
で、穴２１０内で固定されている。尚、複数の穴がアレ
イ状に形成されたレーザー固定部材を用いて、それぞれ
の穴にレーザーダイオード，レンズ等を固定し、レーザ
ービームをアレイ状に発生させることができるようにし
てもよい。
【００１５】光束規制部材は、レーザー固定部材２００
の底面に対して固定された薄板状の光束規制板２７から
成っている。この光束規制板２７には、レンズ３５を透
過してきたレーザービーム５に対し回折を伴って通過さ
せる開口として、円形のピンホール(直径１ｍｍ)２５が
設けられており、ピンホール２５を除いてレーザービー
ム５を遮光する。ピンホール２５は、光束規制板２７上
でのレーザービーム５の直径よりも小さく、その中心が
レーザービーム５の中心と一致するようになっている。
よって、ピンホール２５は、レーザービーム５の中心部
分のみを通過させることになる。尚、光束規制板２７
は、図１に示すように、レンズ３５との間隔が一定に保
たれた状態でレーザー固定部材２００に固定されている
が、この間隔を調整しうるようにレーザービーム５の進
行方向に沿って移動自在に取り付けてもよい。
の底面に対して固定された薄板状の光束規制板２７から
成っている。この光束規制板２７には、レンズ３５を透
過してきたレーザービーム５に対し回折を伴って通過さ
せる開口として、円形のピンホール(直径１ｍｍ)２５が
設けられており、ピンホール２５を除いてレーザービー
ム５を遮光する。ピンホール２５は、光束規制板２７上
でのレーザービーム５の直径よりも小さく、その中心が
レーザービーム５の中心と一致するようになっている。
よって、ピンホール２５は、レーザービーム５の中心部
分のみを通過させることになる。尚、光束規制板２７
は、図１に示すように、レンズ３５との間隔が一定に保
たれた状態でレーザー固定部材２００に固定されている
が、この間隔を調整しうるようにレーザービーム５の進
行方向に沿って移動自在に取り付けてもよい。
【００１６】次に、本実施例によって、実際にレーザー
ビームの強度むらの発生がどの程度抑制されるかを、図
２に示す測定系を用い、以下の方法により調べた。レー
ザーダイオード３０(発生するレーザービームの波長：7
85.0ｎｍ)とレンズ３５との間隔を５ｍｍ、レンズ３５
とピンホール２５との間隔を５０ｍｍとした。ピンホー
ル２５から前方１ｍの位置にピンホール(直径１００μ
ｍ)２０を有する板２２を、光軸ＡＸに対して垂直に配
置した。ピンホール２０の前方にはフォトダイオード４
０を配し、ピンホール２０を通過するレーザービームを
全て受光しうるようにした。そして、板２２及びフォト
ダイオード４０を一方向(Ｘ方向)に移動させうるよう
に、Ｘステージ上に固定した。
ビームの強度むらの発生がどの程度抑制されるかを、図
２に示す測定系を用い、以下の方法により調べた。レー
ザーダイオード３０(発生するレーザービームの波長：7
85.0ｎｍ)とレンズ３５との間隔を５ｍｍ、レンズ３５
とピンホール２５との間隔を５０ｍｍとした。ピンホー
ル２５から前方１ｍの位置にピンホール(直径１００μ
ｍ)２０を有する板２２を、光軸ＡＸに対して垂直に配
置した。ピンホール２０の前方にはフォトダイオード４
０を配し、ピンホール２０を通過するレーザービームを
全て受光しうるようにした。そして、板２２及びフォト
ダイオード４０を一方向(Ｘ方向)に移動させうるよう
に、Ｘステージ上に固定した。
【００１７】本実施例によって板２２上に形成されるレ
ーザービーム５のスポットを図５に示す。また、本実施
例から光束規制板２７を取り外したときに板２２上に形
成されるレーザービーム５のスポットを図６に示す。図
５及び図６中、最も外側の円はエアリリング、中心点は
光軸、他の円はレーザービーム強度のピーク位置(干渉
縞ＩＦ)を示している。
ーザービーム５のスポットを図５に示す。また、本実施
例から光束規制板２７を取り外したときに板２２上に形
成されるレーザービーム５のスポットを図６に示す。図
５及び図６中、最も外側の円はエアリリング、中心点は
光軸、他の円はレーザービーム強度のピーク位置(干渉
縞ＩＦ)を示している。
【００１８】板２２及びフォトダイオード４０の移動に
より、ピンホール２５通過後のレーザービーム５のスポ
ットを走査し、レーザービーム５のスポット各部の光量
から、図３に示すレーザービーム強度のプロファイルを
得た。また、本実施例から光束規制板２７を取り外すこ
とによって、図３の測定の場合と同様に、ピンホール２
５入射前のレーザービーム５のスポットを走査し、レー
ザービーム５のスポット各部の光量から、図４に示すレ
ーザービーム強度のプロファイルを得た。尚、図３及び
図４中、ｒLはレーザービーム５の直径を示し、ｒPはピ
ンホール２５の直径を示す。
より、ピンホール２５通過後のレーザービーム５のスポ
ットを走査し、レーザービーム５のスポット各部の光量
から、図３に示すレーザービーム強度のプロファイルを
得た。また、本実施例から光束規制板２７を取り外すこ
とによって、図３の測定の場合と同様に、ピンホール２
５入射前のレーザービーム５のスポットを走査し、レー
ザービーム５のスポット各部の光量から、図４に示すレ
ーザービーム強度のプロファイルを得た。尚、図３及び
図４中、ｒLはレーザービーム５の直径を示し、ｒPはピ
ンホール２５の直径を示す。
【００１９】図４及び図６に示すように、ピンホール２
５を通過させなかったレーザービーム５には、ビームの
むらが多数現れている。このビームのむらは、ビームス
ポットの干渉縞ＩＦとして観察されるが(図６)、先に説
明したように、これはレンズ３５の両面での反射に起因
する干渉によるものである。これに対し、図３及び図５
に示すように、ピンホール２５を通過させたレーザービ
ーム５には、ビームのむらが殆ど発生しておらず、光軸
上で光の強度の大きなピークを持つようになっている。
レンズ３５に反射防止加工を施さなくても、本実施例の
ようにレーザービームの干渉により発生したビームの強
度むらを、ピンホール２５による回折によって打ち消す
ことができるのである。
５を通過させなかったレーザービーム５には、ビームの
むらが多数現れている。このビームのむらは、ビームス
ポットの干渉縞ＩＦとして観察されるが(図６)、先に説
明したように、これはレンズ３５の両面での反射に起因
する干渉によるものである。これに対し、図３及び図５
に示すように、ピンホール２５を通過させたレーザービ
ーム５には、ビームのむらが殆ど発生しておらず、光軸
上で光の強度の大きなピークを持つようになっている。
レンズ３５に反射防止加工を施さなくても、本実施例の
ようにレーザービームの干渉により発生したビームの強
度むらを、ピンホール２５による回折によって打ち消す
ことができるのである。
【００２０】尚、本実施例においては、レーザーダイオ
ード３０とレンズ３５との間隔を３〜５ｍｍ，レンズ３
５とピンホール２５との間隔を２〜３ｍｍ程度とするの
が、実使用上適当である。
ード３０とレンズ３５との間隔を３〜５ｍｍ，レンズ３
５とピンホール２５との間隔を２〜３ｍｍ程度とするの
が、実使用上適当である。
【００２１】また、一般にレーザーダイオードの温度が
変化するとレーザーの波長が長くなるため、ピンホール
がなければ環境温度に応じて強度むらのパターンも変化
してしまう。しかし、本実施例によれば、ビームの強度
むら自体が小さく抑えられているため、温度変化による
影響を殆ど受けなくなる。その結果、半導体レーザー光
源を用いた計測等に際する調整が容易になるといった効
果がある。
変化するとレーザーの波長が長くなるため、ピンホール
がなければ環境温度に応じて強度むらのパターンも変化
してしまう。しかし、本実施例によれば、ビームの強度
むら自体が小さく抑えられているため、温度変化による
影響を殆ど受けなくなる。その結果、半導体レーザー光
源を用いた計測等に際する調整が容易になるといった効
果がある。
【００２２】
【発明の効果】以上説明した通り本発明によれば、光束
規制部材に設けられた開口が、発光手段から発せられレ
ンズを透過してきたレーザービームを回折させるため、
レンズに反射防止加工が施されていなくても、レーザー
ビームの干渉に起因するビームの強度むらの発生を防止
しうる半導体レーザー光源を実現することできる。
規制部材に設けられた開口が、発光手段から発せられレ
ンズを透過してきたレーザービームを回折させるため、
レンズに反射防止加工が施されていなくても、レーザー
ビームの干渉に起因するビームの強度むらの発生を防止
しうる半導体レーザー光源を実現することできる。
【００２３】そして、前記光束規制部材上でのレーザー
ビーム径よりも前記開口を小さくすることによって、回
折現象をより効果的に生じさせることが可能となるの
で、ビームの強度むらの発生をより効果的に防止するこ
とができる。
ビーム径よりも前記開口を小さくすることによって、回
折現象をより効果的に生じさせることが可能となるの
で、ビームの強度むらの発生をより効果的に防止するこ
とができる。
【００２４】尚、反射防止加工が施されていないレンズ
が用いられた半導体レーザー光源は今まで知られていな
いが、本発明によればレンズに反射防止加工を施す必要
がないので、作業工程の簡素化及びレンズの低コスト
化、ひいては半導体レーザー光源の低コスト化を図るこ
とができるという効果がある。
が用いられた半導体レーザー光源は今まで知られていな
いが、本発明によればレンズに反射防止加工を施す必要
がないので、作業工程の簡素化及びレンズの低コスト
化、ひいては半導体レーザー光源の低コスト化を図るこ
とができるという効果がある。
【００２５】また、本発明によるとビームの強度むらの
発生が極めて小さく抑えられるため、温度変化の影響を
殆ど受けることがない。その結果、半導体レーザー光源
を用いた計測等に際する調整が容易になるといった効果
がある。
発生が極めて小さく抑えられるため、温度変化の影響を
殆ど受けることがない。その結果、半導体レーザー光源
を用いた計測等に際する調整が容易になるといった効果
がある。
【図１】本発明の実施例の構成を示す外観斜視図。
【図２】本発明の実施例においてピンホール通過後のレ
ーザービーム及びピンホール入射前のレーザービームの
各々についてレーザービーム強度のプロファイルを測定
するための測定系の概略構成を示す図。
ーザービーム及びピンホール入射前のレーザービームの
各々についてレーザービーム強度のプロファイルを測定
するための測定系の概略構成を示す図。
【図３】本発明の実施例においてピンホール通過後のレ
ーザービーム強度のプロファイルを示すグラフ。
ーザービーム強度のプロファイルを示すグラフ。
【図４】本発明の実施例においてピンホール入射前のレ
ーザービーム強度のプロファイルを示すグラフ。
ーザービーム強度のプロファイルを示すグラフ。
【図５】本発明の実施例においてピンホール通過後のレ
ーザービームのスポットを模式的に示す図。
ーザービームのスポットを模式的に示す図。
【図６】本発明の実施例においてピンホール入射前のレ
ーザービームのスポットを模式的に示す図。
ーザービームのスポットを模式的に示す図。
【図７】レンズの反射に起因するレーザービームの干渉
を説明するための図。
を説明するための図。
５ …レーザービーム ２５ …ピンホール ２７ …光束規制板 ３０ …レーザーダイオード ３５ …レンズ ３７ …鏡枠 １００ …半導体レーザー光源 ２００ …レーザー固定部材 ２１０ …穴
Claims (2)
- 【請求項１】所定の照射面上にレーザービームを照射す
る半導体レーザー光源であって、 レーザービームを発する半導体レーザーから成る発光手
段と，該レーザービームを透過させるレンズ と，該レンズによって生じた強度むらが前記照射面上におい
て小さくなるように、前記レンズを透過してきたレーザ
ービームを回折させる 開口が設けられた光束規制部材
と， を備えたことを特徴とする半導体レーザー光源。 - 【請求項２】前記光束規制部材上でのレーザービーム径
よりも前記開口が小さいことを特徴とする請求項１に記
載の半導体レーザー光源。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4054820A JPH07118565B2 (ja) | 1992-03-13 | 1992-03-13 | 半導体レーザー光源 |
| DE4307941A DE4307941A1 (en) | 1992-03-13 | 1993-03-12 | Semiconductor laser source eg for laser printer - has beam limiting element with aperture which bends, a transmitted laser beam from beam-emitting arrangement |
| US08/030,863 US5349604A (en) | 1992-03-13 | 1993-03-12 | Semiconductor laser source |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4054820A JPH07118565B2 (ja) | 1992-03-13 | 1992-03-13 | 半導体レーザー光源 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05259578A JPH05259578A (ja) | 1993-10-08 |
| JPH07118565B2 true JPH07118565B2 (ja) | 1995-12-18 |
Family
ID=12981330
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4054820A Expired - Lifetime JPH07118565B2 (ja) | 1992-03-13 | 1992-03-13 | 半導体レーザー光源 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5349604A (ja) |
| JP (1) | JPH07118565B2 (ja) |
| DE (1) | DE4307941A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3445120B2 (ja) * | 1997-09-30 | 2003-09-08 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイスの製造方法 |
| DE19906421B4 (de) * | 1999-02-16 | 2004-10-14 | Heidelberger Druckmaschinen Ag | Verfahren zur Verminderung von Unschärfen und zur Einstellung der optischen Auflösung eines Belichtungsgerätes |
| EP1497445A2 (en) * | 2002-04-01 | 2005-01-19 | Human Genome Sciences, Inc. | Antibodies that specifically bind to gmad |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4808804A (en) * | 1987-01-28 | 1989-02-28 | Symbol Technologies, Inc. | Bar code symbol readers with variable spot size and/or working distance |
| US5231464A (en) * | 1990-03-26 | 1993-07-27 | Research Development Corporation Of Japan | Highly directional optical system and optical sectional image forming apparatus employing the same |
-
1992
- 1992-03-13 JP JP4054820A patent/JPH07118565B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-03-12 DE DE4307941A patent/DE4307941A1/de not_active Withdrawn
- 1993-03-12 US US08/030,863 patent/US5349604A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE4307941A1 (en) | 1993-09-16 |
| JPH05259578A (ja) | 1993-10-08 |
| US5349604A (en) | 1994-09-20 |
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