JPH07118085B2 - Semiconductor laser drive - Google Patents

Semiconductor laser drive

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JPH07118085B2
JPH07118085B2 JP63158070A JP15807088A JPH07118085B2 JP H07118085 B2 JPH07118085 B2 JP H07118085B2 JP 63158070 A JP63158070 A JP 63158070A JP 15807088 A JP15807088 A JP 15807088A JP H07118085 B2 JPH07118085 B2 JP H07118085B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体レーザ駆動装置に関し、もう少し詳
しくいうと、光学的に情報の記録・再生を行う情報記録
・再生装置等の光源として用いられる半導体レーザ、特
に、複数個の発光源を有する半導体レーザの駆動装置に
関するものである。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a semiconductor laser driving device, and more specifically, it is used as a light source for an information recording / reproducing device for optically recording / reproducing information. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor laser, and more particularly, to a driving device for a semiconductor laser having a plurality of light emission sources.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

第5図は、例えば特開昭60−263349号公報に記載された
従来の半導体レーザ駆動装置で、主として発光部
(1)、受光部(2)、プリンと配線基板(3)からな
つている。まず、発光部(1)は、金属基板(4)上に
ヒートシンクとしてヘツダ(5)が取付けられ、このヘ
ツダ(5)の平面状の上部端面に2つの半導体レーザ光
源からなる半導体レーザアレイ(6)が取付けられてい
る。金属基板(4)の中心孔(4a)にいは円柱状の集光
レンズ(7)がはめ合わせ装着されている。第1のステ
ム(8)は、3本あるが1本は図示を省略している。こ
の第1のステム(8)が半導体レーザアレイ(6)の各
半導体レーザ光源に接続線(図示省略)を介して接続さ
れている。また、この第1のステム(8)は、金属基板
(4)のガラス充填材(9)によつて充填された透孔
(9a)を通つて金属基板(4)の下方に延在し、プリン
ト配線基板(3)に固定されている。パツケージ(10)
はその中心孔(10a)にガラス板(11)を貼合わせて、
ヘツダ(5)を覆うように金属基板(4)に固定されて
いる。そして、半導体レーザアレイ(6)の2つの半導
体レーザ光源から、それぞれ前方光(12a)(12b)およ
び後方光(13a)(13b)が出射される。前方光(12a)
(12b)は情報記録媒体に照射され、これにより情報の
記録・再生が 行われる。また、後方光(13a)(13b)は後述するよう
に、前方光(12a)(12b)の光出力の制御に用いられ
る。
FIG. 5 shows a conventional semiconductor laser driving device disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 60-263349, which is mainly composed of a light emitting portion (1), a light receiving portion (2), a pudding and a wiring board (3). . First, in the light emitting part (1), a hedder (5) is mounted as a heat sink on a metal substrate (4), and a semiconductor laser array (6) composed of two semiconductor laser light sources is provided on a planar upper end surface of the hedder (5). ) Is installed. A cylindrical condenser lens (7) is fitted and mounted in the center hole (4a) of the metal substrate (4). There are three first stems (8), but one is not shown. The first stem (8) is connected to each semiconductor laser light source of the semiconductor laser array (6) via a connecting wire (not shown). In addition, the first stem (8) extends below the metal substrate (4) through the through hole (9a) filled with the glass filler (9) of the metal substrate (4), It is fixed to the printed wiring board (3). Package (10)
Attach a glass plate (11) to its center hole (10a),
It is fixed to the metal substrate (4) so as to cover the header (5). Then, front light (12a) (12b) and rear light (13a) (13b) are emitted from the two semiconductor laser light sources of the semiconductor laser array (6), respectively. Forward light (12a)
The information recording medium is irradiated with (12b), and information is recorded / reproduced thereby. The rear lights (13a) (13b) are used to control the light output of the front lights (12a) (12b) as described later.

次に、受光部(2)は、透明ブロツク(14)の内部に1
対の光検知器(15a)(15b)が埋込まれている。透明ブ
ロツク(14)の両端には3本の第2のステム(16)が突
出されている(1本図示省略)この第2のステム(16)
は、その内端部が透明ブロツク(14)の内部で光検知器
(15a)(15b)に接続されるとともに、その外端部がプ
リント配線基板(3)に取付けられている。
Next, the light receiving section (2) is placed inside the transparent block (14).
A pair of photodetectors (15a) (15b) are embedded. Three second stems (16) are projected from both ends of the transparent block (14) (one is not shown). This second stem (16)
Has its inner end connected to the photodetectors (15a) and (15b) inside the transparent block (14) and its outer end attached to the printed wiring board (3).

プリント配線基板(3)には、金属基板(4)の中心孔
(4a)に対応する透孔(3a)が設けられている。
The printed wiring board (3) is provided with a through hole (3a) corresponding to the center hole (4a) of the metal substrate (4).

以上の構成において、発光部(1)の金属基板(4)の
中心孔(4a)およびプリント配線基板(3)の透孔(3
a)に対応する位置に、受光部(2)の1対の光検知器
(15a)(15b)が位置決めされており、半導体レーザア
レイ(6)から出射された後方光(13a)(13b)は円柱
状の集光レンズ(7)によつて分離され、それぞれ別々
に光検知器(15a)(15b)に入射して焦点を結ぶ。従つ
て、半導体レーザアレイ(6)の各半導体レーザ光源か
ら出射される前方光(12a)(12bの光出力の制御を、後
方光(13a)(13b)を受光する1対の光検知器(15a)
(15b)の出力信号を用いて、各々の半導体レーザ光源
の駆動回路(図示せず)を動作させることにより達成す
る。
In the above structure, the central hole (4a) of the metal substrate (4) of the light emitting part (1) and the through hole (3) of the printed wiring board (3).
A pair of photodetectors (15a) (15b) of the light receiving part (2) are positioned at positions corresponding to (a), and backward light (13a) (13b) emitted from the semiconductor laser array (6) is positioned. Are separated by a cylindrical condensing lens (7), and are individually incident on the photodetectors (15a) and (15b) and focused. Therefore, the control of the light output of the front light (12a) (12b) emitted from each semiconductor laser light source of the semiconductor laser array (6) is controlled by the pair of photodetectors (reception light of the rear light (13a) (13b) ( 15a)
This is achieved by operating the drive circuit (not shown) of each semiconductor laser light source using the output signal of (15b).

〔発明が解決しようとする課題〕[Problems to be Solved by the Invention]

従来の半導体レーザ駆動装置は以上のように構成されて
いるので、光検知器(15a)(15b)に後方光(13a)(1
3b)を集光させるために、集光レンズ(7)をパツケー
ジ(10)の狭い内部に位置決めするのが大変困難であ
り、著しく量産性に欠けるという問題点があつた。
Since the conventional semiconductor laser drive device is configured as described above, the backward light (13a) (1a) (1a) (1a)
It is very difficult to position the condenser lens (7) within the narrow space of the package (10) for condensing 3b), and there is a problem that mass productivity is remarkably lacking.

この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、狭いパツケージ内部における集光レンズの位
置決め工程を回避し、量産性のある半導体レーザ駆動装
置を得ることを目的とする。
The present invention has been made to solve the above problems, and an object thereof is to avoid the step of positioning a condenser lens inside a narrow package and to obtain a semiconductor laser driving device with mass productivity.

〔課題を解決するための手段〕[Means for Solving the Problems]

この発明に係る半導体レーザ駆動装置は、複数個の半導
体レーザ光源からの複数の前方光を一括して受光する2
分割光検知器を設け、この2分割光検知器からの光出力
信号を演算することによつて、複数個の半導体レーザ光
源の光出力を各別に検出するようにしたものである。
A semiconductor laser driving device according to the present invention collectively receives a plurality of forward lights from a plurality of semiconductor laser light sources.
A divided photodetector is provided, and the optical output signals from the two-divided photodetector are calculated to detect the optical outputs of a plurality of semiconductor laser light sources separately.

〔作用〕[Action]

この発明においては、複数個の半導体レーザ光源の光出
力の検出が複数の前方光を一括して2分割光検知器で受
光することによつて行われるため、複数の光束を分離し
て検出する必要がない。
In the present invention, the light outputs of the plurality of semiconductor laser light sources are detected by collectively receiving a plurality of forward lights by the two-split photodetector, so that a plurality of light beams are separated and detected. No need.

〔実施例〕〔Example〕

第1図はこの発明の実施例を示し、図において、発光部
(17)を構成する符号(4A)(5)(6)(8a)(8b)
(9)(9a)(10)(10a)(11)および半導体レーザ
アレイ(6)の前方光(12a)(12b)は、第5図におけ
ると同様のものである。接続線(18a)(18b)は半導体
レーザアレイ(6)の複数個の光源を各別に動作させる
電流を供給するもので、一端が半導体レーザアレイ
(6)に、他端が第1のステム(8a)(8b)にそれぞれ
接続されている。コリメータレンズ(19)は前方光(12
a)(12b)を平行光束にする。ビームスプリツタ(20)
は、上記平行光束を2分する。ビームスプリツタ(20)
を透過した前方光(12a)(12b)は、例えば、光デイス
クのような情報記録媒体(図示省略)方向に導かれて情
報の記録再生に用いられる。一方、ビームスプリツタ
(20)で反射された前方光(12a)(12b)はレンズ(2
1)を介して2分割光検知供給(22)に入射する。電流
電圧変換器(23)(24)は2分割光検知供給(22)の出
力信号を電圧信号に変換する。差動増幅器(25)には電
流電圧変換器(23)(24)の出力が接続されている。ま
た、増幅器(26)には電流電圧変換器(24)の出力が接
続されている。さらに、増幅器(26)の出力端は差動増
幅器(27)の加算入力端子に接続されている。一方、差
動増幅器(25)の次段には増幅器(28)が接続されてお
り、増幅器(28)の出力端は増幅器(29)およびレーザ
駆動回路(33b)にそれぞれ接続されている。増幅器(2
9)の出力端は差動増幅器(27)の減算入力端子に接続
されている。差動増幅器(27)の出力端はレーザ駆動回
路(30a)に接続されている。レーザ駆動回路(30a)
(30b)の出力端はそれぞれステム(8a)(8b)に接続
されている。
FIG. 1 shows an embodiment of the present invention. In the drawing, reference numerals (4A), (5), (6), (8a), (8b) constituting the light emitting section (17)
The forward lights (12a) and (12b) of (9), (9a), (10), (10a) and (11) and the semiconductor laser array (6) are the same as those in FIG. The connection lines (18a) and (18b) supply currents for individually operating a plurality of light sources of the semiconductor laser array (6), one end of which is connected to the semiconductor laser array (6) and the other end of which is connected to the first stem (6). 8a) and (8b), respectively. Collimator lens (19)
a) Make (12b) a parallel light beam. Beam Splitter (20)
Divides the parallel light flux into two. Beam Splitter (20)
The forward light (12a) (12b) that has passed through is guided to the direction of an information recording medium (not shown) such as an optical disk and used for recording and reproducing information. On the other hand, the forward light (12a) (12b) reflected by the beam splitter (20) is reflected by the lens (2
It is incident on the two-division light detection supply (22) via 1). The current-voltage converters (23) (24) convert the output signals of the two-division photodetection supply (22) into voltage signals. The outputs of the current-voltage converters (23) (24) are connected to the differential amplifier (25). The output of the current-voltage converter (24) is connected to the amplifier (26). Further, the output terminal of the amplifier (26) is connected to the addition input terminal of the differential amplifier (27). On the other hand, an amplifier (28) is connected to the next stage of the differential amplifier (25), and the output end of the amplifier (28) is connected to the amplifier (29) and the laser drive circuit (33b), respectively. Amplifier (2
The output terminal of 9) is connected to the subtraction input terminal of the differential amplifier (27). The output end of the differential amplifier (27) is connected to the laser drive circuit (30a). Laser drive circuit (30a)
The output ends of (30b) are connected to the stems (8a) and (8b), respectively.

次に動作について説明する。半導体レーザアレイ(6)
の複数個の光源において、接続線(18a)側の光源をLD
a,接続線(18b)側の光源をLDbとし、それぞれの光出力
をPa,Pbとする。また、2分割光検知器(22)および2
分割光検知器(22)の出力信号演算回路部の動作を第2
図によつて説明する。第2図において、光スポツト(31
a)はLDaの前方光(12a)に対応し、光スポツト(31b)
はLDbの前方光(12b)に対応している。なお、破線(3
3)は光スポツト(31a)(31b)の中心を結ぶ直線であ
り、2分割光検知器(22)の受光面(22a)(22b)の分
割線(22c)に対してある角度をなしている。LDaからの
前方光(12a)の受光面(22a)および(22b)までのパ
ワー伝達率をそれぞれTa1,Ta2,またはLDbから前方光
(12b)の受光面(22a)および(22b)までのパワー伝
達率をそれぞれTb1,Tb2とする(O<Ta1,Ta2,Tb1,T
b2<1)。
Next, the operation will be described. Semiconductor laser array (6)
Of the multiple light sources, the light source on the connection line (18a) side is LD
Let a, the light source on the side of the connection line (18b) be LDb, and let the respective light outputs be Pa and Pb. In addition, a two-part photodetector (22) and two
The operation of the output signal arithmetic circuit of the split photodetector (22)
It will be described with reference to the drawings. In FIG. 2, an optical spot (31
a) corresponds to the front light (12a) of LDa, and the light spot (31b)
Corresponds to the front light (12b) of LDb. The broken line (3
3) is a straight line that connects the centers of the optical spots (31a) (31b), and forms an angle with the dividing line (22c) of the light receiving surfaces (22a) (22b) of the two-divided photodetector (22). There is. Forward light from LDa receiving surface of (12a) (22a) and to the light receiving surface of the power transfer rate of up to (22b), respectively Ta 1, Ta 2 forward light or from LDb, (12b) (22a) and (22b) Power transfer rates of Tb 1 and Tb 2 (O <Ta 1 , Ta 2 , Tb 1 , T
b 2 <1).

LDa,LDbが同時にそれぞれPa,Pbで発光している場合に、
電流電圧変換器(23)および(24)それぞれの出力電圧
信号P1,およびP2は、一般に、次のような関係式が成立
する。
When LDa and LDb are emitting light at Pa and Pb at the same time,
The output voltage signals P 1 and P 2 of the current-voltage converters (23) and (24), respectively, generally have the following relational expression.

P1=(Ta1・Pa+Tb1・Pb)・Kα・Kβa (1) P2=(Ta2・Pa+Tb2・Pb)・Kα・Kβb (2) (1)(2)式において、Kαは光検知器の光ー電流変
換効率、(1)式のKβaは電流電圧変換器(23)の電
流電圧変換効率、(2)式のKβbは電流電圧変換器
(24)の電流電圧変換効率である。ここで と置く。P1′,P2′は光検知器受光面(22a)(22b)へ
の入力光信号であり、これを(1)(2)式に代入する
と、 P1′=Ta1・Pa+Tb1・Pb (5) P2′=Ta2・Pa+Tb2・Pb (6) と表わすことができる。上式(3)(4)において、K
β=Kβa=Kβb、また、上式(5)(6)におい
て、Ta1=Ta2となるように調整されているとする。この
条件はすなわち、電流電圧変換器(23)と(24)のそれ
ぞれの出力電圧信号P1とP2において検出されるLDaの光
出力成分が一致していることを表している。そこで
(5)−(6)の演算を行うことにより、 ただし、 となり、LDbの光出力Pbは比例定数K2および電流電圧変
換器(23)の出力信号P1と電流電圧変換器(24)の出力
信号P2の差の積として検出される。従ってLDaの光出力P
aにかかわらず、LDbの光出力Pbが検出でき、この光出力
信号が一定となるようにレーザ駆動回路(30b)を動作
させることによってLDbの光出力を一定値に制御するこ
とができる。
P 1 = (Ta 1 · Pa + Tb 1 · Pb) · Kα · Kβa (1) P 2 = (Ta 2 · Pa + Tb 2 · Pb) · Kα · Kβb (2) (1) In the formula (2), Kα is the light Photo-current conversion efficiency of the detector, Kβa in the equation (1) is the current-voltage conversion efficiency of the current-voltage converter (23), and Kβb in the equation (2) is the current-voltage conversion efficiency of the current-voltage converter (24). . here And put. P 1 ′ and P 2 ′ are the input optical signals to the photodetector light receiving surfaces (22a) and (22b). Substituting these into Eqs. (1) and (2), P 1 ′ = Ta 1 · Pa + Tb 1 · Pb (5) P 2 ′ = Ta 2 · Pa + Tb 2 · Pb (6) In the above equations (3) and (4), K
It is assumed that β = Kβa = Kβb, and that in the above equations (5) and (6), it is adjusted so that Ta 1 = Ta 2 . This condition means that the optical output components of LDa detected in the output voltage signals P 1 and P 2 of the current-voltage converters (23) and (24) match each other. Therefore, by performing the operations of (5)-(6), However, Next, the light output Pb of LDb is detected as the product of the difference between the output signal P 2 of the output signal P 1 and the current-voltage converter of the proportional constant K 2 and the current-voltage converter (23) (24). Therefore LDa's optical output P
The optical output Pb of the LDb can be detected regardless of a, and the optical output of the LDb can be controlled to a constant value by operating the laser drive circuit (30b) so that the optical output signal becomes constant.

次に、(7)式と(2)式により ただし、 となり、LDaの光出力Paは比例定数K1,K12および増幅器
(28)の出力信号Pbと電流電圧変換器(24)の出力信号
P2の演算で検出される。従って増幅器(26)および(2
9)の増幅度K1,K2をそれぞれ(10)(11)式の値とな
るように調整し、差動増幅器(27)で演算を行うことに
よってLDaの光出力Paが検出でき、この光出力信号が一
定となるようにレーザ駆動回路(30a)を動作させるこ
とによってLDaの光出力を一定値に制御することができ
る。
Next, using equations (7) and (2) However, Therefore, the optical output Pa of LDa is proportional to the constants K 1 and K 12 , the output signal Pb of the amplifier (28) and the output signal of the current-voltage converter (24).
Detected by calculation of P 2 . Therefore amplifiers (26) and (2
The optical output Pa of LDa can be detected by adjusting the amplification factors K 1 and K 2 in 9) to the values of equations (10) and (11), respectively, and performing the calculation with the differential amplifier (27). By operating the laser drive circuit (30a) so that the optical output signal becomes constant, the optical output of LDa can be controlled to a constant value.

以上の演算によって、半導体レーザアレイ(6)の光源
LDa、LDbの光出力を各別に検出でき、これらの検出信号
に基づいて光源を個別に駆動することができる。
By the above calculation, the light source of the semiconductor laser array (6)
The light outputs of LDa and LDb can be detected separately, and the light sources can be individually driven based on these detection signals.

なお、上記実施例では、条件として であるとしたが、 であつても が成り立てばよく、(12)式、(13)式の条件下では、
電流電圧変換器(23)および(24)の電流電圧変換効率
KβaおよびKβbが、 Ta1・Kβa=Ta2・Kβb …(15) なる関係式を満足するように設定するか、若しくは、K
βa=Kβbとし、電流電圧変換器(23)と増幅器(2
5)の間に増幅度K0の増幅器を挿入し、 Ta1・K0=Ta2 …(16) が成り立つようにK0を調整すれば、実質的に電流電圧変
換器(23)と(24)のそれぞれの出力電圧信号P1とP2
おいて検出されるLDaの光出力成分が一致していること
を表しているので、上記実施例と同様の効果を奏する。
In addition, in the above embodiment, as a condition However, Even Is satisfied, and under the conditions of formulas (12) and (13),
The current-voltage conversion efficiencies Kβa and Kβb of the current-voltage converters (23) and (24) are set so as to satisfy the relational expression Ta 1 · Kβa = Ta 2 · Kβb (15), or K
With βa = Kβb, the current-voltage converter (23) and the amplifier (2
Inserting an amplifier with amplification factor K 0 between 5) and adjusting K 0 so that Ta 1 · K 0 = Ta 2 (16) holds, the current-voltage converter (23) and ( Since the optical output components of LDa detected in the output voltage signals P 1 and P 2 in 24) are the same, the same effect as that of the above-described embodiment is obtained.

また、上記実施例では複数個の半導体レーザ光源として
アレイ構造のものを示したが、単一の発光源を同一の発
光部(17)内に近接させて配置したハイブリツド型のも
のであつてもよい。
Further, in the above embodiment, the plurality of semiconductor laser light sources have an array structure, but a hybrid type light source in which a single light emitting source is closely arranged in the same light emitting portion (17) may be used. Good.

また、上記実施例では2分割光検知器(22)で前方光
(12a)(12b)を受光するためにビームスプリツタ(2
0)を用いたが、他の実施例として示した第3図の構成
であつてもよい。第3図において、発光部(17)、コリ
メータレンズ(19)、前方光(12a)(12b)、レンズ
(21)、第2の光検知器(22)は第1図のものと同じも
のである。コリメターレンズ(19)の出射側に配設され
たビーム整形プリズム(34)は、その斜面(34a)で前
方光(12a)(12b)を屈折透過させることによつて、本
来楕円状の断面強度分布を示す半導体レーザの光束を等
方的な断面強度分布に変換するように作用する。ビーム
整形プリズム(34)の斜面(34a)においては、前述し
た屈折して透過する成分以外に、斜面(34a)で反射す
る成分であるため、斜面(34a)の反射方向にレンズ(2
1)、第2の光検知器(22)を順次配設し、斜面(34a)
で反射した前方光(12a)(12b)を受光し検出すること
によつて、第1図に示す実施例と同様の効果を奏する。
In the above embodiment, the beam splitter (2) is used to receive the front light (12a) (12b) by the two-division photodetector (22).
Although 0) is used, the configuration of FIG. 3 shown as another embodiment may be used. In FIG. 3, the light emitting part (17), collimator lens (19), forward light (12a) (12b), lens (21), and second photodetector (22) are the same as those in FIG. is there. The beam shaping prism (34) arranged on the exit side of the collimator lens (19) has an originally elliptical cross section by refracting and transmitting the forward light (12a) (12b) at its slope (34a). It acts so as to convert the luminous flux of the semiconductor laser exhibiting the intensity distribution into an isotropic cross-sectional intensity distribution. In the slope (34a) of the beam shaping prism (34), in addition to the above-mentioned component that is refracted and transmitted, there is a component that is reflected by the slope (34a), so the lens (2
1), the second photodetector (22) is sequentially arranged, and the slope (34a)
By receiving and detecting the forward lights (12a) and (12b) reflected by (1), the same effect as that of the embodiment shown in FIG. 1 can be obtained.

また、上記各実施例においては、前方光(12a)(12b)
を収束させて2分割光検知器(22)で受光する構成をと
つたが、別の実施例として第4図に示すように、レンズ
(21)は省略し、平行光束のまま2分割検知器(22)で
受光してもよい。
Further, in each of the above embodiments, the forward light (12a) (12b)
The light is converged and received by the two-division photodetector (22). However, as another embodiment, as shown in FIG. The light may be received at (22).

〔発明の効果〕 以上のように、この発明は、複数個の半導体レーザ光源
からなる半導体レーザと、この複数個の半導体レーザ光
源から出射される複数の前方光を任意の割合で2分する
光学的手段と、前記2分された前記複数の出射光のうち
の一方側の光を一括して受光する2分割光検知器であっ
てその分割線が前記2分割光検知器上に受光される複数
のスポットを各々異なる割合で受光するように配置され
てなる2分割光検知器と、前記2分割光検知器で検出さ
れた光出力信号に基づいて前記複数の半導体レーザ光源
の各別の光出力を検出する演算回路手段とを備え、前記
演算回路手段により検出される前記各別の光出力に基づ
いて、前記複数個の半導体レーザ光源を個別に駆動する
ようにしたので、複数の光ビームを分離する光学系が不
要となり、新しい位置精度が不要となる。これにより安
価で量産性に富んだ装置が得られる効果がある。
[Advantages of the Invention] As described above, the present invention is an optical device that divides a semiconductor laser including a plurality of semiconductor laser light sources and a plurality of forward lights emitted from the plurality of semiconductor laser light sources into two at an arbitrary ratio. And a two-division photodetector for collectively receiving light on one side of the plurality of halved emission lights, the division line of which is received on the two-division photodetector. Two-divided photodetectors arranged so as to receive a plurality of spots at different ratios, respectively, and different lights of the plurality of semiconductor laser light sources based on the light output signals detected by the two-divided photodetectors. And a plurality of semiconductor laser light sources are individually driven based on the respective optical outputs detected by the arithmetic circuit means. No optical system to separate Therefore, new position accuracy becomes unnecessary. As a result, there is an effect that an inexpensive and highly productive device can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図はこの発明の一実施例の光路図、第2図は第1図
のものの作用を説明するための結線図、第3図、第4図
はそれぞれ他の実施例の一部光路図、第5図は従来の半
導体レーザ駆動装置の側断面図である。 (6)……半導体レーザアレイ、(12a)(12b)……前
方光、(20)……ビームスプリツタ(光学的手段)、
(22)……2分割光検知器、〔(23)(24)……電流電
圧変換器、(25)(27)……差動増幅器、(26)(28)
(29)……増幅器、〕……演算回路手段。 なお、各図中、同一符号は同一又は相当部分を示す。
FIG. 1 is an optical path diagram of an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a connection diagram for explaining the operation of FIG. 1, and FIGS. 3 and 4 are partial optical path diagrams of other embodiments. 5 is a side sectional view of a conventional semiconductor laser driving device. (6) …… Semiconductor laser array, (12a) (12b) …… Front light, (20) …… Beam splitter (optical means),
(22) …… 2-split photodetector, [(23) (24) …… current-voltage converter, (25) (27) …… differential amplifier, (26) (28)
(29) …… Amplifier,] ………… Computing circuit means. In each figure, the same reference numerals indicate the same or corresponding parts.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】複数個の半導体レーザ光源からなる半導体
レーザと、 この複数個の半導体レーザ光源から出射される複数の前
方光を任意の割合で2分する光学的手段と、 前記2分された前記複数の出射光のうちの一方側の光を
一括して受光する2分割光検知器であって、その分割線
が、前記2分割光検知器上に受光される複数のスポット
を各々異なる割合で受光するように配置されてなる2分
割光検知器と、 前記2分割光検知器で検出された光出力信号に基づいて
前記複数の半導体レーザ光源の各別の光出力を検出する
演算回路手段とを備え、 前記演算回路手段により検出される前記各別の光出力に
基づいて、前記複数個の半導体レーザ光源を個別に駆動
することを特徴とする半導体レーザ駆動装置。
1. A semiconductor laser comprising a plurality of semiconductor laser light sources, an optical means for dividing a plurality of forward light beams emitted from the plurality of semiconductor laser light sources into two at an arbitrary ratio, and the two. A two-division photodetector that collectively receives light on one side of the plurality of emitted light, and the division lines have different proportions of the plurality of spots received on the two-division photodetector. A two-divided photodetector arranged so as to receive light, and arithmetic circuit means for detecting the respective optical outputs of the plurality of semiconductor laser light sources based on the optical output signals detected by the two-divided photodetector. And a plurality of semiconductor laser light sources are individually driven based on the respective optical outputs detected by the arithmetic circuit means.
【請求項2】前記光学的手段がビームスプリッタである
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の半導体レ
ーザ駆動装置。
2. The semiconductor laser driving device according to claim 1, wherein the optical means is a beam splitter.
【請求項3】前記光学的手段が前記複数個の半導体レー
ザの複数の出射光の光束断面形状を変換するごとく、前
記半導体レーザの複数の出射光の光路中に配置された三
角プリズムであることを特徴とする特許請求の範囲第1
項記載の半導体レーザ駆動装置。
3. The triangular prism arranged in the optical path of the plurality of emitted lights of the semiconductor laser so that the optical means converts the cross-sectional shape of the light flux of the plurality of emitted lights of the plurality of semiconductor lasers. Claim 1 characterized by
A semiconductor laser drive device as described in the paragraph.
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