JPH07161065A - Optical pickup device - Google Patents

Optical pickup device

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Publication number
JPH07161065A
JPH07161065A JP6171426A JP17142694A JPH07161065A JP H07161065 A JPH07161065 A JP H07161065A JP 6171426 A JP6171426 A JP 6171426A JP 17142694 A JP17142694 A JP 17142694A JP H07161065 A JPH07161065 A JP H07161065A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
diffraction grating
beams
substrate
hologram element
semiconductor laser
Prior art date
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Pending
Application number
JP6171426A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Atsushi Tajiri
敦志 田尻
Kazushi Mori
和思 森
Keiichi Yoshitoshi
慶一 吉年
Takao Yamaguchi
隆夫 山口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Electric Co Ltd filed Critical Sanyo Electric Co Ltd
Priority to JP6171426A priority Critical patent/JPH07161065A/en
Publication of JPH07161065A publication Critical patent/JPH07161065A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To obtain an optical pickup device capable of performing a tracking servo by a three beam method and in which wire-bondings to a semiconductor laser element and a photodetecting element are made easy. CONSTITUTION:This device is provided with a base body 1 having an upper flat plane part 1a, a semiconductor laser element 4 provided on the upper flat plane part 1a of the base body 1 and outputting a laser beam to a side direction and a signal detecting light detecting part 5 provided on the upper flat plane part 1a. Further, the device is provided with a reflection type diffraction grating 6 disposed to face oppositely to the semiconductor laser element 4 and dividing the laser beam into three lines of beams and reflecting them upward, a transmission type hologram element 7 irradiated with three lines of beams reflected at the reflection type diffraction grating 6 and an objective lens 8 converging three lines of beams transmitting through the hologram element 7 on an optical recording medium 9. Then, three lines of beams reflected at the optical recording medium 9 are diffracted to the one side direction of the diffraction grating 6 with the hologram element 7 to be made incident on the signal detecting light detecting part 5 from an upper side.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、ホログラム素子を用い
た光ピックアップ装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical pickup device using a hologram element.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、光ピックアップ装置の小型軽量化
及び低価格化の要求にともなって、ホログラム素子を用
いた光ピックアップ装置の研究・開発が行われている。
2. Description of the Related Art In recent years, research and development of an optical pickup device using a hologram element has been carried out in response to a demand for reduction in size, weight and cost of the optical pickup device.

【0003】図17は特開平3−76035号(G11
B 7/135)公報に記載された3ビーム法を用いて
トラッキング・サーボを行うホログラム素子を有する光
ピックアップ装置の構成図である。
FIG. 17 shows Japanese Patent Laid-Open No. 3-76035 (G11).
B 7/135) is a configuration diagram of an optical pickup device having a hologram element that performs tracking servo by using the three-beam method.

【0004】図中、101はディスク、102はレーザ
ビーム(レーザ光)を上方に出力する半導体レーザ素
子、103は前記レーザビームを3本のビームに分割す
る第1のホログラム素子(3分割用回折格子)、104
は前記3本のビームを透過し且つディスク101からの
帰還ビーム(反射光)を回折する第2のホログラム素
子、105は前記第2のホログラム素子104を透過し
た3本のビームをディスク101上に集光して3個のス
ポットを形成するための対物レンズ、106は第2のホ
ログラム素子104で回折されたディスク101からの
帰還ビームを検出するサーボ用光検出素子である。
In the figure, 101 is a disk, 102 is a semiconductor laser element for outputting a laser beam (laser light) upward, 103 is a first hologram element for dividing the laser beam into three beams (diffraction for three divisions). Lattice), 104
Is a second hologram element that transmits the three beams and diffracts the return beam (reflected light) from the disc 101, and 105 represents the three beams that have passed through the second hologram element 104 on the disc 101. An objective lens for condensing and forming three spots, and 106 is a servo photodetection element for detecting the return beam from the disk 101 diffracted by the second hologram element 104.

【0005】この光ピックアップ装置では、光検出素子
106で受光されるディスク101からの帰還ビームが
第1のホログラム素子103で回折を受けないので、光
のロスがなく、また前記光検出素子106への回折を第
2のホログラム素子104で行うので、プリズムなどを
使用する場合に比べて薄型化が図れる。
In this optical pickup device, since the return beam from the disk 101 received by the photodetector 106 is not diffracted by the first hologram element 103, there is no loss of light and the return to the photodetector 106. Since the second hologram element 104 diffracts No. 2, it can be made thinner than the case where a prism or the like is used.

【0006】しかしながら、この装置では半導体レーザ
素子102、第1のホログラム素子103、第2のホロ
グラム素子104及びレンズ105が一直線上に存在す
るので、装置の厚みがまだ大きいといった問題があっ
た。
However, in this device, since the semiconductor laser element 102, the first hologram element 103, the second hologram element 104 and the lens 105 are present on a straight line, there is a problem that the thickness of the apparatus is still large.

【0007】また、特開平4−238121号(G11
B 7/09)公報や特開平4−60931号(G11
B 7/135)公報には、半導体レーザ素子から出力
されるレーザビームの方向を直角に変換させて薄型化を
図った光ピックアップ装置が開示されている。
Further, Japanese Patent Laid-Open No. 4-238121 (G11
B 7/09) and JP-A-4-60931 (G11).
B 7/135) discloses an optical pickup device in which the direction of a laser beam output from a semiconductor laser device is converted into a right angle to achieve a thin structure.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、プッシ
ュプル法など他の方法に比べて精度よくトラッキング・
サーボが行える3ビーム法を用いた薄型の光ピックアッ
プ装置は知られておらず、また上述のような装置では、
半導体レーザ素子や光検出部へのワイヤボンディングが
困難である他、半導体レーザ素子、光検出部、3分割用
回折格子の取付けが容易でないため、高価格になるとい
った問題があった。
However, as compared with other methods such as the push-pull method, tracking / tracking can be performed with higher accuracy.
No thin optical pickup device using the three-beam method capable of servo is known, and in the above-mentioned device,
In addition to difficulty in wire bonding to the semiconductor laser element and the photodetection section, it is not easy to attach the semiconductor laser element, the photodetection section, and the three-division diffraction grating, which causes a problem of high cost.

【0009】本発明は上述の問題点を鑑み成されたもの
であり、3ビーム法によるトラッキング・サーボが可能
で、且つ半導体レーザ素子及び光検出部へのワイヤボン
ディグ、半導体レーザ素子、光検出部、3分割用回折格
子の取付けが容易な薄型の光ピックアップ装置を提供す
ることを課題とする。
The present invention has been made in view of the above problems, and enables tracking / servoing by the three-beam method, and wire bonding to a semiconductor laser device and a photodetector, a semiconductor laser device, and photodetection. An object of the present invention is to provide a thin optical pickup device in which a diffraction grating for three-part division can be easily attached.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明の光ピックアップ
装置は、基体と、該基体上に設けられ側方にレーザビー
ムを出力する半導体レーザ素子と、前記基板上に該半導
体レーザ素子と対向配置され前記レーザビームを少なく
とも3本のビームに分割すると共に前記基体の上方に反
射する反射型回折格子と、該反射型回折格子で反射され
た3本のビームを入射する透過型ホログラム素子と、該
ホログラム素子を透過した3本のビームを光記録媒体に
収束する収束光学系と、該光記録媒体で反射され前記ホ
ログラム素子で前記回折格子の側方に回折された前記3
本のビームを受光する前記基体上に設けられた信号検出
用光検出部と、を備えたことを特徴とする。
An optical pickup device of the present invention comprises a substrate, a semiconductor laser element which is provided on the substrate and outputs a laser beam to the side, and a semiconductor laser element arranged on the substrate so as to face the semiconductor laser element. A reflective diffraction grating that splits the laser beam into at least three beams and reflects the laser beam above the substrate; and a transmissive hologram element that receives the three beams reflected by the reflective diffraction grating. A converging optical system that converges the three beams that have passed through the hologram element onto an optical recording medium, and the converging optical system that is reflected by the optical recording medium and diffracted to the side of the diffraction grating by the hologram element.
And a signal-detecting photodetector provided on the base for receiving a main beam.

【0011】また、本発明の光ピックアップ装置は、少
なくとも一上平面部を有する基体と、該基体の一上平面
部上に設けられ側方にレーザビームを出力する半導体レ
ーザ素子と、前記基板上に該半導体レーザ素子と対向配
置され前記レーザビームを少なくとも3本のビームに分
割すると共に前記基体の上方に反射する反射型回折格子
と、該反射型回折格子で反射された3本のビームを入射
する透過型ホログラム素子と、該ホログラム素子を透過
した3本のビームを光記録媒体に収束する収束光学系
と、該光記録媒体で反射され前記ホログラム素子で前記
回折格子の側方に回折された前記3本のビームを受光す
る前記一上平面部上又はこの一上平面部に平行な前記基
体の他の上平面部上に設けられた信号検出用光検出部
と、を備えたことを特徴とする。
Further, the optical pickup device of the present invention includes a substrate having at least one upper plane portion, a semiconductor laser element provided on the one upper plane portion for outputting a laser beam to the side, and on the substrate. A reflection type diffraction grating which is arranged to face the semiconductor laser element and divides the laser beam into at least three beams and reflects above the substrate, and three beams reflected by the reflection type diffraction grating are incident. Transmission hologram element, a converging optical system that converges the three beams that have passed through the hologram element to an optical recording medium, and the hologram element is reflected by the optical recording medium and diffracted to the side of the diffraction grating by the hologram element. And a signal detecting photodetector provided on the upper flat surface portion for receiving the three beams or on another upper flat surface portion of the substrate parallel to the upper flat surface portion. To.

【0012】また、本発明の光ピックアップ装置は、基
体と、該基体上に設けられ側方にレーザビームを出力す
る半導体レーザ素子と、前記基板上に該半導体レーザ素
子と対向配置され前記レーザビームを少なくとも3本の
ビームに分割すると共に前記基体の上方に反射する反射
型回折格子と、該反射型回折格子で反射された3本のビ
ームを入射する透過型ホログラム素子と、該ホログラム
素子を透過した3本のビームを上記側方に出力されたレ
ーザビームの光軸方向及び前記反射方向と略平行になる
ように記録面が配置された光記録媒体に収束する収束光
学系と、該光記録媒体で反射され前記ホログラム素子で
前記回折格子の側方に回折された前記3本のビームを受
光する前記基体上に設けられた信号検出用光検出部と、
を備え、上記反射型回折格子と上記透過型ホログラム素
子との間又は上記透過型ホログラム素子と上記収束光学
系との間に反射手段を設けたことを特徴とする。
Further, the optical pickup device of the present invention comprises a base, a semiconductor laser element which is provided on the base and outputs a laser beam to the side, and the laser beam which is arranged on the substrate so as to face the semiconductor laser element. Is divided into at least three beams and is reflected above the substrate, a transmissive hologram element for injecting the three beams reflected by the reflective diffraction grating, and a transmissive hologram element A converging optical system for converging the three beams on an optical recording medium having a recording surface arranged so as to be substantially parallel to the optical axis direction and the reflection direction of the laser beam output to the side, and the optical recording. A signal detection photodetection unit provided on the base for receiving the three beams reflected by the medium and diffracted by the hologram element to the side of the diffraction grating;
And a reflecting means is provided between the reflective diffraction grating and the transmissive hologram element or between the transmissive hologram element and the converging optical system.

【0013】また、本発明の光ピックアップ装置は、少
なくとも一上平面部を有する基体と、該基体の一上平面
部上に設けられ側方にレーザビームを出力する半導体レ
ーザ素子と、前記基板上に該半導体レーザ素子と対向配
置され前記レーザビームを少なくとも3本のビームに分
割すると共に前記基体の上方に反射する反射型回折格子
と、該反射型回折格子で反射された3本のビームを入射
する透過型ホログラム素子と、該ホログラム素子を透過
した3本のビームを上記側方に出力されたレーザビーム
の光軸方向及び前記反射方向と略平行になるように記録
面が配置された光記録媒体に収束する収束光学系と、該
光記録媒体で反射され前記ホログラム素子で前記回折格
子の側方に回折された前記3本のビームを受光する前記
一上平面部上又はこの一上平面部に平行な前記基体の他
の上平面部上に設けられた信号検出用光検出部と、を備
え、上記反射型回折格子と上記透過型ホログラム素子と
の間又は上記透過型ホログラム素子と上記収束光学系と
の間に反射手段を設けたことを特徴とする。
In the optical pickup device of the present invention, a substrate having at least one upper flat surface portion, a semiconductor laser element provided on the upper flat surface portion of the base member for outputting a laser beam to the side, and the substrate A reflection type diffraction grating which is arranged to face the semiconductor laser element and divides the laser beam into at least three beams and reflects above the substrate, and three beams reflected by the reflection type diffraction grating are incident. Transmission type hologram element and optical recording having a recording surface arranged so that the three beams transmitted through the hologram element are substantially parallel to the optical axis direction and the reflection direction of the laser beam output to the side. A converging optical system that converges on a medium, and the upper flat surface portion that receives the three beams reflected by the optical recording medium and diffracted to the side of the diffraction grating by the hologram element, or A signal detecting photodetector provided on the other upper flat surface of the base body parallel to the upper flat surface of the base, between the reflection type diffraction grating and the transmission hologram element or the transmission type. A reflecting means is provided between the hologram element and the converging optical system.

【0014】特に、上記光検出部は、上記反射型回折格
子の後方に設けられたことを特徴とする。
In particular, the photodetector is provided behind the reflective diffraction grating.

【0015】特に、上記半導体レーザ素子、上記反射型
回折格子、及び上記光検出部は、この順序で略一直線上
に設けられたことを特徴とする。
In particular, the semiconductor laser device, the reflection type diffraction grating, and the photodetection section are arranged in this order on a substantially straight line.

【0016】特に、前記光記録媒体で反射され前記ホロ
グラム素子で前記回折格子の他の側方に回折された前記
3本のビームを受光する他の信号検出用光検出部を前記
基体上に設けたことを特徴とする。
In particular, another signal detecting photodetection section for receiving the three beams reflected by the optical recording medium and diffracted by the hologram element to the other side of the diffraction grating is provided on the substrate. It is characterized by that.

【0017】特に、前記光記録媒体で反射され前記ホロ
グラム素子で前記回折格子の他の側方に回折された前記
3本のビームを受光する前記一上平面部上又はこの一上
平面部に平行な前記基体の他の上平面部上に他の信号検
出用光検出部を設けたことを特徴とする。
In particular, on or above the one flat surface portion for receiving the three beams reflected by the optical recording medium and diffracted by the hologram element to the other side of the diffraction grating. Another signal detecting photodetector is provided on another upper flat surface of the base.

【0018】特に、前記反射型回折格子は、基体の一部
に設けた傾斜部にて支持されたことを特徴とする。
In particular, the reflection type diffraction grating is supported by an inclined portion provided on a part of the base.

【0019】更に、前記傾斜部は、前記基体に凹設して
形成されてなることを特徴とする。
Further, the inclined portion is formed by being recessed in the base body.

【0020】[0020]

【作用】本発明の構成によれば、反射型回折格子により
レーザビームを少なくとも3本のビームに分割すると共
に基体の上方に反射し、且つ光記録媒体で反射された前
記3本のビームが透過型ホログラム素子により反射型回
折格子の側方に回折され信号検出用光検出部へ入射され
るので、3ビーム法によるトラッキング・サーボが可能
で、且つ装置の薄型化できる。
According to the structure of the present invention, the laser beam is divided into at least three beams by the reflection type diffraction grating and is reflected above the substrate, and the three beams reflected by the optical recording medium are transmitted. Since it is diffracted to the side of the reflection type diffraction grating by the type hologram element and is incident on the photodetection section for signal detection, tracking / servo by the three-beam method is possible and the apparatus can be made thin.

【0021】また、半導体レーザ素子、信号検出用光検
出部、反射型回折格子は、基体上に設けられているの
で、これらの高精度な取り付けやこれらへのワイヤボン
ディングが容易であり、装置の低価格化が図れる。特
に、半導体レーザ素子及び信号検出用光検出部が同一の
上平面部上又は互いに平行な上平面部上に設けられてい
る場合に、高精度な取り付けやワイヤボンディングがよ
り簡単になる。
Further, since the semiconductor laser element, the signal detection photodetection section, and the reflection type diffraction grating are provided on the base body, they can be attached with high precision and wire bonding to them, and the device can be easily mounted. The price can be reduced. In particular, when the semiconductor laser device and the signal detection photodetector are provided on the same upper flat surface portion or on parallel upper flat surface portions, highly accurate mounting and wire bonding become easier.

【0022】更に、信号検出用光検出部ヘ入射される3
本のビームは、再度反射型回折格子に入射することなく
検出されるので、光のロスがない。
Further, the light is incident on the light detecting portion for signal detection 3
Since the beam of the book is detected without entering the reflection type diffraction grating again, there is no light loss.

【0023】また、側方に出力されたレーザビームの光
軸方向及び前記反射方向と、記録面とが略平行になるよ
うに光記録媒体を配置し、反射型回折格子と透過型ホロ
グラム素子との間又は透過型ホログラム素子と収束光学
系との間に反射手段を設けることにより、半導体レーザ
素子と光記録媒体の間の距離を短くでき、更に装置の薄
型化が可能となる。
Further, the optical recording medium is arranged so that the optical axis direction and the reflection direction of the laser beam output to the side are substantially parallel to the recording surface, and the reflection type diffraction grating and the transmission type hologram element are provided. The distance between the semiconductor laser element and the optical recording medium can be shortened by providing the reflection means between the two or between the transmission hologram element and the converging optical system, and the device can be made thinner.

【0024】特に、上記光検出部を上記反射型回折格子
の背後に設けた場合、この回折格子が光遮蔽部材の機能
を果たすので、光検出部の感度が上がる。
In particular, when the photodetector is provided behind the reflection type diffraction grating, the diffraction grating functions as a light shielding member, so that the sensitivity of the photodetector is increased.

【0025】特に、上記半導体レーザ素子、上記反射型
回折格子、及び上記光検出部がこの順序で略一直線上に
設けた場合、基体の幅を小さくできるので、側方に出力
されたレーザビームの光軸方向及び前記反射方向と、記
録面とがが略平行になるように光記録媒体を配置するこ
とにより、より薄型化が可能となる。
In particular, when the semiconductor laser device, the reflection type diffraction grating, and the photodetector are provided in this order on a substantially straight line, the width of the substrate can be reduced, so that the laser beam output to the side can be made smaller. By arranging the optical recording medium so that the optical axis direction and the reflection direction and the recording surface are substantially parallel to each other, it is possible to make the device thinner.

【0026】特に、前記光記録媒体で反射され前記ホロ
グラム素子で前記回折格子の他の側方に回折された前記
3本のビームを入射する他の信号検出用光検出部を前記
基体上に設けた場合、2つの信号検出用光検出部で信号
を検出することになるので、信頼性が高くなる。
In particular, another signal detecting photodetection section for injecting the three beams reflected by the optical recording medium and diffracted by the hologram element to the other side of the diffraction grating is provided on the substrate. In this case, since the signals are detected by the two signal detection photodetectors, the reliability is high.

【0027】特に、前記反射型回折格子が基体の一部に
設けた傾斜部にて支持される場合には、この傾斜部に精
度よく設けることができる。
Particularly, when the reflection type diffraction grating is supported by an inclined portion provided on a part of the base, it can be accurately provided on the inclined portion.

【0028】更に、前記傾斜部を基体に凹設して形成す
る場合には、回折格子の精度よい設置がより容易にな
る。
Further, in the case where the inclined portion is formed as a recess in the base body, it is easier to install the diffraction grating with high accuracy.

【0029】[0029]

【実施例】本発明の第1実施例に係る光ピックアップ装
置を図面を参照しつつ詳細に説明する。図1は本実施例
の3ビーム法を用いてトラッキング・サーボを行う光ピ
ックアップ装置の概略斜視図、図2はこの光ピックアッ
プ装置の概略構成図である。尚、電極やボンディング線
等は図示しない。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An optical pickup device according to a first embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic perspective view of an optical pickup device for performing tracking servo using the three-beam method of this embodiment, and FIG. 2 is a schematic configuration diagram of this optical pickup device. The electrodes and bonding wires are not shown.

【0030】図中、1はn+型Si(シリコン)等から
なる導電性半導体材料又は銅等の導電性金属からなる良
熱伝導性基体であって、この基体は一上平面部1aとこ
の一上平面部1aに対して45度の角度をなす傾斜部1
bを有する。
In the figure, reference numeral 1 designates a good thermal conductive substrate made of a conductive semiconductor material made of n + type Si (silicon) or the like or a conductive metal such as copper, which is a flat upper surface portion 1a and Inclined portion 1 forming an angle of 45 degrees with the upper flat portion 1a
b.

【0031】2は前記上平面部1a上にダイボンドされ
基体1と電気的に接続された半導体レーザ素子(レーザ
・ダイオード)載置用導電性ヒートシンクとしてのn+
型Si半導体基板である。2aはこの半導体基板2と、
その一端側表面部に選択的に形成されたn-型拡散層
と、該n-型拡散層の表面部に選択的に形成されたp+
拡散層とで構成されるレーザビームモニター用のPIN
型のフォトダイオード(光検出部)である。
Reference numeral 2 is an n + as a conductive heat sink for mounting a semiconductor laser element (laser diode) which is die-bonded on the upper plane portion 1a and electrically connected to the substrate 1.
Type Si semiconductor substrate. 2a is this semiconductor substrate 2,
A laser beam monitor for an n - type diffusion layer selectively formed on the surface of one end side thereof and ap + type diffusion layer selectively formed on the surface of the n - type diffusion layer. PIN
Type photodiode (light detection unit).

【0032】4は前記半導体基板2の他の一端側表面部
上に図示しない電極側とダイボンドされ該基板2と電気
的に接続された上面に他の電極4aを備えるレーザビー
ム(レーザ光)を出力する半導体レーザ素子であって、
その前端面が前記傾斜部1bに対向するように配置され
ている。この素子4は前記表面部と平行に延在する図示
しない活性領域でレーザビームが発生し、素子4の前端
面側から光記録媒体信号検出用の主レーザビームが、後
端面側からモニター用のレーザビーム(図示せず)が出
力する。
Reference numeral 4 denotes a laser beam (laser light) provided with another electrode 4a on the upper surface which is die-bonded to an electrode side (not shown) on the other end side surface portion of the semiconductor substrate 2 and electrically connected to the substrate 2. A semiconductor laser device for outputting,
The front end surface is arranged so as to face the inclined portion 1b. In this element 4, a laser beam is generated in an active region (not shown) extending in parallel with the surface portion, and a main laser beam for detecting an optical recording medium signal is emitted from the front end face side of the element 4 and a main laser beam is emitted from the rear end face side thereof for monitoring. A laser beam (not shown) is output.

【0033】5は光記録媒体から戻ってきた帰還ビーム
(反射光)を検出してトラッキング・サーボ、フォーカ
シング・サーボ及び再生を行うための信号検出用光検出
素子(信号検出用検出部)であって、前記帰還ビーム以
外のビームが検出素子5に実質的に入らない前記基体1
の一上平面部1a上に図示しない電極側とダイボンドさ
れ基板1と電気的に接続されている。
Reference numeral 5 denotes a signal detection photodetection element (signal detection detection section) for detecting the return beam (reflected light) returned from the optical recording medium to perform tracking servo, focusing servo and reproduction. And the beams other than the return beam do not substantially enter the detection element 5.
The upper flat surface portion 1a is die-bonded to the electrode side (not shown) and electrically connected to the substrate 1.

【0034】6は前記傾斜部1bに固定された等間隔の
グレーティングを有する3分割用反射型回折格子であっ
て、該回折格子は半導体レーザ素子4に対向配置され素
子4の前端面側から出力された主レーザビームを0次、
±1次回折のビーム(以下、この0次ビームを主ビー
ム、+1次ビームを副ビームX、−1次ビームを副ビー
ムYと呼ぶ)に分割すると共に上方に反射する。
Reference numeral 6 denotes a three-divided reflection type diffraction grating having gratings at equal intervals fixed to the inclined portion 1b. The diffraction grating is arranged so as to face the semiconductor laser element 4 and is output from the front end face side of the element 4. The main laser beam is
A ± 1st-order diffracted beam (hereinafter, the 0th-order beam is referred to as a main beam, the + 1st-order beam is referred to as a sub-beam X, and the -1st-order beam is referred to as a sub-beam Y) and is reflected upward.

【0035】7は前記3分割用反射型回折格子6の上方
に設けられた透過型(透光型)ホログラム素子であっ
て、本実施例ではグレーティングのピッチが漸次的に変
化してなる曲線群が上面に形成された透光性基板からな
る。この素子7は前記0次、±1次のビーム(主ビーム
及び副ビームX、Y)を透過(0次回折)し、また光記
録媒体から反射して戻ってきたこれら0次、±1次の帰
還ビーム(主ビーム及び副ビームX、Y)を1次で回折
して前記回折格子6の側方に位置する光検出素子5の光
検出部へ収束(集光)させる。尚、このホログラム素子
7は、入射ビームをこの光軸に対して斜めの光軸を有す
る±1次回折ビームを発生させると共に、この±1次回
折ビームがビーム進行方向と直交する一方向とこの一方
向と直交する方向で焦点距離が異なるように集光する
(非点収差)作用を及ぼす。即ち、このホログラム素子
7は、ビームスプリッタ、集光レンズ及びシリンドリカ
ルレンズの機能を合わせもつ。
Reference numeral 7 denotes a transmissive hologram element provided above the three-division reflective diffraction grating 6, and in this embodiment, a group of curves in which the pitch of the grating is gradually changed. Is composed of a transparent substrate formed on the upper surface. The element 7 transmits (0th-order diffraction) the 0th-order and ± 1st-order beams (main beam and sub-beams X and Y), and reflects these 0th-order and ± 1st-order beams returned from the optical recording medium. Of the return beam (main beam and sub-beams X and Y) is diffracted in the first order and converged (focused) on the photo-detecting portion of the photo-detecting element 5 located on the side of the diffraction grating 6. The hologram element 7 generates an ± 1st-order diffracted beam having an optical axis that is oblique to the optical axis, and the ± 1st-order diffracted beam in one direction orthogonal to the beam traveling direction. It exerts a condensing (astigmatism) effect such that the focal lengths are different in the direction orthogonal to the one direction. That is, this hologram element 7 also has the functions of a beam splitter, a condenser lens, and a cylindrical lens.

【0036】8は前記透過型ホログラム素子7の上方に
設けられ該ホログラム素子7を透過(0次回折)した前
記0次、±1次のビーム(主ビーム及び副ビームX、
Y)をコンパクト・ディスク等の光ディスクからなる光
記録媒体9の表面に収束して、それぞれ主ビームスポッ
トと該主ビームスポットの両側に副ビームスポットX、
副ビームスポットYを形成するための収束光学系として
の対物レンズである。
Reference numeral 8 is provided above the transmissive hologram element 7, and the 0th and ± 1st order beams (main beam and sub-beam X, which are transmitted (0th order diffraction) through the hologram element 7).
Y) is converged on the surface of an optical recording medium 9 composed of an optical disc such as a compact disc, and the main beam spot and the sub-beam spots X and X are provided on both sides of the main beam spot.
The objective lens is a converging optical system for forming the sub beam spot Y.

【0037】ここで、図3に示すように、主スポットは
再生しようとするトラックを走査し、副スポットX、Y
は主スポットの両側を前記トラックに僅かにかかって走
査するように光ピックアップ装置の光学系が調整配置さ
れている。 尚、この対物レンズ8は前記光検出素子5
の検出信号に基づいて図示しない駆動機構により駆動さ
れ、フォーカシングやトラッキング調整が行われる。
Here, as shown in FIG. 3, the main spot scans the track to be reproduced, and the sub-spots X and Y are scanned.
The optical system of the optical pickup device is adjusted and arranged so that both sides of the main spot slightly scan the track and scan. The objective lens 8 is the photodetector 5
Driven by a drive mechanism (not shown) on the basis of the detection signal of, the focusing and tracking adjustments are performed.

【0038】図4は、この光ピックアップ装置の基体1
の上面図であって、図1、図2で図示しなかった電極、
ワイヤーボンディング線、光検出素子5の詳細を示す。
FIG. 4 shows the base 1 of this optical pickup device.
3 is a top view of the electrode, which is not shown in FIGS. 1 and 2,
The details of the wire bonding wire and the photodetector 5 will be shown.

【0039】図示するように、本実施例の光検出素子5
は、非点収差法を用いたフォーカシングサーボを行うた
めの中心部に4分割された光検出部A、B、C、Dと、
これらの両側に設けられた3ビーム法を用いたトラッキ
ングサーボを行うための光検出部E、Fから構成され、
この4分割された光検出部A、B、C、Dの中心にはホ
ログラム素子7で1次回折された主ビームが入射し、光
検出部E、Fにはそれぞれ同様に1次回折された副ビー
ムX、Yが入射する。
As shown in the figure, the photo-detecting element 5 of this embodiment
Is a photodetection section A, B, C, D divided into four in the center for performing focusing servo using the astigmatism method,
It is composed of photodetectors E and F provided on both sides for performing tracking servo using the three-beam method,
The main beam, which is first-order diffracted by the hologram element 7, is incident on the center of each of the four photodetector sections A, B, C, and D, and the light-detecting sections E and F are similarly similarly first-order diffracted. The sub beams X and Y are incident.

【0040】前記1次回折された主ビームは、前記ホロ
グラム素子7により上述した非点収差を有しており、図
5に模式的に示されるように、レンズ8と光記録媒体9
とが近すぎる場合、光検出部Bと光検出部Cの中心を結
ぶ方向が長軸方向となる楕円スポット(図中、点線a)
となり、良好なフォーカシングとなるレンズ8と光記録
媒体9の位置関係の場合、光検出部A、B、C、Dの中
心で円形スポット(図中、実線b)となり、レンズ8と
光記録媒体9とが遠すぎる場合、光検出部Aと光検出部
Dの中心を結ぶ方向が長軸方向となる楕円スポット(図
中、点線c)となる。従って、フォーカスエラー(F
E)信号は、図示しない演算回路で求められた FE信号=(A1+D1)−(B1+C1) により、フォーカスのずれ量の他、前記近すぎる場合は
正の信号、良好なフォーカシングの場合は0、前記遠す
ぎる場合は負の信号として得られる。
The first-order diffracted main beam has the above-mentioned astigmatism due to the hologram element 7, and the lens 8 and the optical recording medium 9 are schematically shown in FIG.
When and are too close to each other, an elliptical spot in which the direction connecting the centers of the photodetector B and the photodetector C is the major axis direction (dotted line a in the figure)
In the case of the positional relationship between the lens 8 and the optical recording medium 9 that achieves good focusing, a circular spot (solid line b in the figure) is formed at the center of the photodetection portions A, B, C, and D, and the lens 8 and the optical recording medium are formed. When 9 is too far, the direction connecting the centers of the photodetector A and the photodetector D becomes an elliptical spot (dotted line c in the figure) whose major axis is the direction. Therefore, the focus error (F
The E) signal is a FE signal = (A1 + D1)-(B1 + C1) obtained by an arithmetic circuit (not shown). In addition to the focus shift amount, a positive signal when the distance is too close, a 0 when the focusing is good, If it is too far, it will be obtained as a negative signal.

【0041】また、主スポットが良好にトラッキングし
ている場合には、光検出部E、Fに入射された副ビーム
X、Yの強度は等しく、主スポットが再生しようとする
トラックのどちらか側にずれている場合には、副ビーム
X、Yの対応した一方の強度が大きくなる。従って、ト
ラッキングエラー(TE)信号は、図示しない演算回路
で求められた TE信号= E1−F1 により、ずれ量及びトラックのどちら側にずれているか
の情報が得られる。
When the main spot is tracking well, the intensities of the sub-beams X and Y incident on the photodetectors E and F are equal, and either side of the track to be reproduced by the main spot. In the case of the deviation, the intensity of one of the corresponding sub-beams X and Y increases. Therefore, with respect to the tracking error (TE) signal, it is possible to obtain information on the deviation amount and on which side of the track the deviation is due to the TE signal = E1-F1 obtained by an arithmetic circuit (not shown).

【0042】そして、再生信号は、図示しない演算回路
で求められた 再生信号= A1+B1+C1+D1 により得られる。尚、上式におけるA1〜F1は、光検
出部A〜Fでの検出信号強度を示す。
The reproduced signal is obtained by the reproduced signal = A1 + B1 + C1 + D1 obtained by an arithmetic circuit (not shown). In addition, A1 to F1 in the above equations indicate detection signal intensities in the photodetectors A to F.

【0043】前記図4において、10〜17は前記基体
1の上平面部1a上に図示しないSiO2等からなる絶
縁層を介して形成された金等からなる中継電極、18は
フォトダイオード2aの金等からなる電極、19〜24
は光検出素子5の各光検出部A〜Fの金等からなる他方
の電極である。半導体レーザ素子4の電極4a、フォト
ダイオード2aの電極18、各光検出部A〜Fの電極1
9〜24は、それぞれ対応した中継電極10〜17に金
等のワイヤーボンディング線(図中、太線)で電気的に
接続され、該中継電極10〜17は図示しない演算回路
等に金等のワイヤーボンディング線(図中、太線)で電
気的に接続されている。そして、半導体レーザ素子4、
光検出素子5の各光検出部A〜F及びフォトダイオード
2aは基体1の裏面に形成された共通の裏面電極(図示
せず)に電気的に接続されている。
In FIG. 4, 10 to 17 are relay electrodes made of gold or the like formed on the upper flat surface portion 1a of the substrate 1 via an insulating layer made of SiO 2 or the like (not shown), and 18 is a photodiode 2a. Electrodes made of gold, 19-24
Is the other electrode made of gold or the like for each of the photodetection sections A to F of the photodetection element 5. The electrode 4a of the semiconductor laser element 4, the electrode 18 of the photodiode 2a, and the electrode 1 of each of the photodetectors AF.
9 to 24 are electrically connected to the corresponding relay electrodes 10 to 17 by wire bonding wires (thick line in the figure) such as gold, and the relay electrodes 10 to 17 are connected to an arithmetic circuit (not shown) by wires such as gold. It is electrically connected by a bonding wire (thick line in the figure). Then, the semiconductor laser device 4,
The photodetectors A to F of the photodetector 5 and the photodiode 2a are electrically connected to a common backside electrode (not shown) formed on the backside of the base 1.

【0044】斯る光ピックアップ装置における再生、ト
ラッキング・サーボ及びフォーカシング・サーボ等は次
のように行われる。
The reproduction, tracking servo, focusing servo and the like in such an optical pickup device are performed as follows.

【0045】前記半導体レーザ素子4の後端面側から出
力されたレーザビームは、フォトダイード2aで受光さ
れ、この受光量に応じた信号に基づいて図示しないAP
C(自動出力制御)回路にてレーザビームが一定になる
ように制御される。
The laser beam output from the rear end face side of the semiconductor laser device 4 is received by the photodiode 2a, and an AP (not shown) is used based on a signal corresponding to the amount of received light.
The C (automatic output control) circuit controls so that the laser beam is constant.

【0046】他方、この半導体レーザ素子4の前端面側
から出力されたレーザビームは、反射型回折格子6で0
次、±1次の回折ビーム(主ビーム及び副ビームX、
Y)を含む複数のビームに分割されると共に、直角上方
に反射される。この上方に反射された0次、±1次の回
折ビーム(主ビーム及び副ビームX、Y)は前記透過型
ホログラム素子7の一方から入射する。その後、この素
子7で0次回折(透過)した前記0次、±1次の回折ビ
ーム(主ビーム及び副ビームX、Y)は対物レンズ8に
より光記録媒体9上に前述した主ビームスポット、副ビ
ームスポットX、Yとして収束(集光)される。これら
主スポット、副スポットX、Yからの情報信号を含んだ
帰還ビーム(主ビーム及び副ビームX、Y)は対物レン
ズ8を通った後、透過型ホログラム素子7で1次回折さ
れ、主ビームは光検出素子5の光検出部A〜Dに入射さ
れ、副ビームX、Yは光検出部E、Fに入射される。そ
して、光検出素子5で得られた信号を図示しない演算回
路で演算し、上述した再生信号、FE信号及びTE信号
を得る。このFE信号及びTE信号に基づいて対物レン
ズ8が図示しない駆動機構により駆動されてトラッキン
グ・サーボ、フォーカシング・サーボが行われる。
On the other hand, the laser beam output from the front end face side of the semiconductor laser device 4 is 0 by the reflection type diffraction grating 6.
Next, ± 1st order diffracted beams (main beam and sub-beam X,
It is divided into a plurality of beams including Y) and is reflected upward at a right angle. The 0th order and ± 1st order diffracted beams (main beam and sub beams X and Y) reflected upward enter from one of the transmission hologram elements 7. After that, the 0th order and ± 1st order diffracted beams (main beam and sub beams X and Y) diffracted (transmitted) by the element 7 are transmitted through the objective lens 8 onto the optical recording medium 9 as described above. The sub-beam spots X and Y are converged (focused). The return beams (main beam and sub beams X and Y) containing the information signals from these main spots and sub spots X and Y, after passing through the objective lens 8, are first-order diffracted by the transmissive hologram element 7 to obtain the main beam. Is incident on the photodetectors A to D of the photodetector 5, and the sub-beams X and Y are incident on the photodetectors E and F. Then, the signal obtained by the photodetection element 5 is calculated by an arithmetic circuit (not shown) to obtain the above-mentioned reproduction signal, FE signal and TE signal. Based on the FE signal and the TE signal, the objective lens 8 is driven by a driving mechanism (not shown) to perform tracking servo and focusing servo.

【0047】この光ピックアップ装置では、反射型回折
格子6によりレーザビームを0次、±1次(主ビーム、
副ビームX、Y)のビームに分割すると共に上方に反射
し、且つ光記録媒体9で反射された前記3本のビームは
ホログラム素子7で反射型回折格子6の側方に1次回折
され、主ビームは光検出部A〜Dに、副ビームX、Yは
それぞれ光検出部E、Fに上方側から入射されるので、
3ビーム法によるトラッキング・サーボが行え、且つ薄
型化できた。
In this optical pickup device, the reflection type diffraction grating 6 causes the laser beam to be 0th order, ± 1st order (main beam,
The three beams, which are split into sub-beams X and Y), reflected upward, and reflected by the optical recording medium 9, are first-order diffracted to the side of the reflection type diffraction grating 6 by the hologram element 7. Since the main beam is incident on the photodetectors A to D and the sub-beams X and Y are incident on the photodetectors E and F, respectively, from above,
Tracking / servo by the three-beam method can be performed, and the thickness can be reduced.

【0048】また、半導体レーザ素子4、信号検出用光
検出素子5、及び反射型回折格子6は同一基体1上に形
成されているので、これら素子の高精度な取り付けが容
易である。しかも、半導体レーザ素子4、信号検出用光
検出素子5は 上平面部1a上に設けられているので、
これら素子へのワイヤボンディングが容易である。
Further, since the semiconductor laser element 4, the signal detection photodetection element 5, and the reflection type diffraction grating 6 are formed on the same substrate 1, these elements can be easily mounted with high precision. Moreover, since the semiconductor laser element 4 and the signal detection light detection element 5 are provided on the upper plane portion 1a,
Wire bonding to these elements is easy.

【0049】尚、上述ではホログラム素子7で1次回折
した主ビーム、副ビームX、Yを光検出素子5に入射す
るようにしたが、−1次回折した主ビーム、副ビーム
X、Yを光検出素子5に入射する構成としても勿論よ
い。
In the above description, the main beam and sub-beams X and Y which are first-order diffracted by the hologram element 7 are made incident on the photodetector 5, but the main beam and sub-beams X and Y which are -1st-order diffracted. Needless to say, the light may be incident on the light detection element 5.

【0050】次に、本発明の第2実施例に係る光ピック
アップ装置を図面を参照しつつ説明する。図6は本実施
例の3ビーム法によるトラッキング・サーボ及び非点収
差法によるフォーカシング・サーボが行える光ピックア
ップ装置の概略構成図である。第1実施例と異なる点
は、基体の傾斜部の反対側にもう一つ上平面部を有し、
この上平面部にも光検出素子を設けた点であり、第1実
施例と同一部分又は対応する部分には同一符号を付して
その説明は割愛すると共に電極等は図示しない。
Next, an optical pickup device according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 6 is a schematic configuration diagram of an optical pickup device of the present embodiment, which can perform tracking servo by the three-beam method and focusing servo by the astigmatism method. The difference from the first embodiment is that another upper flat surface portion is provided on the opposite side of the inclined portion of the base body,
The photodetecting element is also provided on the upper plane portion, and the same portions as or corresponding portions to those in the first embodiment are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted and electrodes and the like will not be shown.

【0051】図6中、1はn+型Si等からなる導電性
半導体材料又は銅等の導電性金属からなる良熱伝導性基
体であって、この基体は一上平面部1aと他の一上平面
部1cの間にこの一上平面部1aに対して45度の角度
をなす傾斜部1bを有する。
In FIG. 6, reference numeral 1 denotes a good heat conductive base made of a conductive semiconductor material such as n + type Si or a conductive metal such as copper. Between the upper flat portions 1c, there is an inclined portion 1b forming an angle of 45 degrees with the upper flat portion 1a.

【0052】35は前記一上平面部1c上に図示しない
電極側とダイボンドされ基体1に電気的に接続された第
1実施例の光検出素子5と同じ構成の信号検出用光検出
素子であり、光記録媒体9から反射して戻ってきた前記
0次、±1次の帰還ビーム(主ビーム及び副ビームX、
Y)が、ホログラム素子7で−1次回折して前記回折格
子6の他の側方に位置するこの光検出素子35の光検出
部へ収束(集光)される。
Reference numeral 35 denotes a photodetector for signal detection having the same structure as the photodetector 5 of the first embodiment, which is die-bonded to the electrode side (not shown) on the upper flat surface 1c and electrically connected to the substrate 1. , The 0th and ± 1st order return beams (main beam and sub beam X, which are reflected and returned from the optical recording medium 9).
Y) is -1st-order diffracted by the hologram element 7 and is converged (focused) on the photodetection portion of the photodetection element 35 located on the other side of the diffraction grating 6.

【0053】斯る光ピックアップ装置では、第1実施例
と同じく3ビーム法によるトラッキング・サーボが行
え、且つ薄型化でき、また、半導体レーザ素子4と信号
検出用光検出素子5、35は、上平面部1a及びこれと
平行な上平面部1c上に設けられているので、これら素
子へのワイヤボンディングが容易であり、半導体レーザ
素子4、信号検出用光検出素子5、35、反射方回折格
子6が同一基体1上に設けられているので、これら素子
の取りつけが容易である。
In such an optical pickup device, tracking servo can be performed by the three-beam method and the device can be made thin as in the first embodiment, and the semiconductor laser device 4 and the signal detection photodetector devices 5 and 35 have Since it is provided on the flat surface portion 1a and the upper flat surface portion 1c parallel thereto, wire bonding to these elements is easy, and the semiconductor laser element 4, the signal detection photodetection elements 5 and 35, and the reflection diffraction grating. Since 6 is provided on the same substrate 1, these elements can be easily mounted.

【0054】この他、ホログラム素子7で+1次回折し
た帰還ビームを光検出素子5で検出した信号とホログラ
ム素子7で−1次回折した帰還ビームを光検出素子35
で検出した信号を図示しない加算演算回路にて加算し、
この加算信号に基づいて、再生、3ビーム法によるトラ
ッキング・サーボ及び非点収差法によるフォーカシング
サーボを行うので、第1実施例に比べ帰還ビームに基づ
く検出信号強度が大きくなり、信頼性が高くなる。
In addition, a signal detected by the photodetector 5 for the feedback beam diffracted by the + 1st order in the hologram element 7 and a photodetector element 35 for the feedback beam diffracted in the -1st order by the hologram element 7.
Add the signals detected by the addition calculation circuit (not shown),
On the basis of this added signal, the reproduction servo, the tracking servo by the three-beam method, and the focusing servo by the astigmatism method are performed, so that the detection signal strength based on the feedback beam becomes larger and the reliability becomes higher than in the first embodiment. .

【0055】この第2実施例のように2つの光検出素子
を用いる場合は、一方にホログラム素子で+1次回折さ
れた帰還ビーム、他方に−1次回折された帰還ビームが
集光され、且つこれら帰還ビーム以外が実質的に入らな
い基体1上に適宜配置される。
When two photodetecting elements are used as in the second embodiment, the feedback beam diffracted by the + 1st order by the hologram element and the feedback beam diffracted by the -1st order are collected on one side and collected on the other side. They are appropriately arranged on the substrate 1 which does not substantially enter other than these return beams.

【0056】更に、上記各実施例では、ホログラム素子
7は上面にホログラム面を有していたが、ホログラム面
が下面であっても勿論よい。
Further, in each of the above embodiments, the hologram element 7 has a hologram surface on the upper surface, but the hologram surface may of course be the lower surface.

【0057】次に、本発明の第3実施例に係る光ピック
アップ装置を図面を参照しつつ説明する。図7は本実施
例の3ビーム法によるトラッキング・サーボ及び非点収
差法にフォーカシング・サーボが行える光ピックアップ
装置の概略斜視図、図8はこの光ピックアップ装置の概
略構成図である。
Next, an optical pickup device according to the third embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 7 is a schematic perspective view of an optical pickup device capable of performing tracking servo and astigmatism method focusing servo by the three-beam method of the present embodiment, and FIG. 8 is a schematic configuration diagram of this optical pickup device.

【0058】この実施例が第1実施例と異なる点は、上
面全域が平坦な基体1のこの上面に傾斜部を有する凹部
を形成し、この傾斜面に回折格子6を設けた点であり、
第1実施例と同一部分または対応する部分には同一符号
を付してその説明を割愛する。また、これら図には、電
極等は図示していない。
The difference of this embodiment from the first embodiment is that a concave portion having an inclined portion is formed on the upper surface of the base body 1 whose entire upper surface is flat, and the diffraction grating 6 is provided on this inclined surface.
The same parts or corresponding parts as those in the first embodiment are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted. Moreover, electrodes and the like are not shown in these figures.

【0059】図7、図8中、1は第1実施例と同じくS
i等の半導体材料、銅等の導電性金属の材料等からなる
基体であって、その一上平面部1aにはこの平面部と4
5度をなす傾斜面(傾斜部)1dを有する凹部1eが形
成されている。この凹部1eの傾斜面1d上には、3分
割用反射型回折格子6が固定されている。
In FIGS. 7 and 8, 1 is S as in the first embodiment.
A base made of a semiconductor material such as i, a conductive metal material such as copper, and the like.
A concave portion 1e having an inclined surface (inclined portion) 1d forming 5 degrees is formed. The three-division reflective diffraction grating 6 is fixed on the inclined surface 1d of the recess 1e.

【0060】7は3分割用反射型回折格子6の上方に設
けられた透過型(透光型)ホログラム素子であって、本
実施例ではグレーティングのピッチが漸次的に変化して
なる曲線群が下面に形成された透光性基板からなる。こ
の素子7も上記第1実施例と同様の機能を有する。
Reference numeral 7 denotes a transmissive (transmissive) hologram element provided above the three-division reflective diffraction grating 6, and in the present embodiment, a group of curves formed by gradually changing the pitch of the grating. The transparent substrate is formed on the lower surface. This element 7 also has the same function as in the first embodiment.

【0061】斯る実施例は、第1実施例と3分割用反射
型回折格子6の設置方法が異なる他は、実質的に同じ構
成であるので、第1実施例と同じ効果を有する。
This embodiment has substantially the same configuration as that of the first embodiment except that the method of installing the reflection type diffraction grating 6 for division into three parts is different, and therefore has the same effect as the first embodiment.

【0062】即ち、この光ピックアップ装置は、反射型
回折格子6によりレーザビームを0次、±1次(主ビー
ム、副ビームX、Y)のビームに分割すると共に上方に
反射し、且つ光記録媒体9で反射された前記3本のビー
ムはホログラム素子7で反射型回折格子6の側方に1次
(又は−1次)で回折され主ビームは光検出部A〜D
に、副ビームX、Yはそれぞれ光検出部E、Fに上方側
から入射されるので、3ビーム法によるトラッキング・
サーボが行え、且つ薄型化できる。
That is, this optical pickup device splits the laser beam into 0th order and ± 1st order (main beam, sub-beams X, Y) beams by the reflection type diffraction grating 6 and reflects the beams upward, and also performs optical recording. The three beams reflected by the medium 9 are diffracted by the hologram element 7 to the side of the reflection type diffraction grating 6 in the first order (or −1st order) and the main beams are detected by the photodetectors A to D.
In addition, since the sub-beams X and Y are incident on the photodetectors E and F, respectively, from above, tracking by the three-beam method
Servo can be performed and the device can be made thinner.

【0063】また、半導体レーザ素子4、信号検出用光
検出素子5、及び反射型回折格子6は同一基体1上に設
けられているので、これら素子の高精度な取り付けが容
易である。しかも半導体レーザ素子4と信号検出用光検
出素子5は、同一の上平面部1a上に設けられているの
で、これら素子へのワイヤボンディングも容易である。
Further, since the semiconductor laser device 4, the signal detection photodetector 5, and the reflection type diffraction grating 6 are provided on the same substrate 1, it is easy to attach these devices with high precision. Moreover, since the semiconductor laser device 4 and the signal detection light detection device 5 are provided on the same upper flat surface portion 1a, wire bonding to these devices is also easy.

【0064】更に、斯る実施例では、3分割用反射型回
折格子6を固定するために基体1に凹部1eを使用する
ので、回折格子6の精度よい設置が容易になる。
Furthermore, in this embodiment, since the concave portion 1e is used in the base 1 to fix the three-division reflection type diffraction grating 6, the diffraction grating 6 can be easily installed with high precision.

【0065】上記各実施例では、基体1として、導電性
の良熱伝導性基体を用いたが、樹脂等の非導電性であっ
て熱伝導性のよくない基体であってもよい。この場合に
は、基体1上に形成する電極は絶縁層を介する必要がな
く、また基体1と半導体基板2とは電気的に接続され
ず、基体1の裏面に共通電極を設ける構成を取れないの
で、これに代わる半導体基板2用の電極を基体1上に設
ける等の設計変更が必要である。以下の実施例では、基
体1が非導電性材料からなる例を示す。
In each of the above embodiments, a conductive and highly heat-conductive substrate is used as the substrate 1, but a non-conductive substrate having poor thermal conductivity such as resin may be used. In this case, the electrodes formed on the base body 1 do not need to interpose an insulating layer, the base body 1 and the semiconductor substrate 2 are not electrically connected, and a common electrode cannot be provided on the back surface of the base body 1. Therefore, it is necessary to change the design such as providing an electrode for the semiconductor substrate 2 on the base body 1 instead of this. In the following examples, the base 1 is made of a non-conductive material.

【0066】次に、本発明の第4実施例に係る光ピック
アップ装置を図面を参照しつつ説明する。図9は本実施
例の3ビーム法によるトラッキング・サーボ及び非点収
差法にフォーカシング・サーボが行える光ピックアップ
装置の概略斜視図、図10はこの光ピックアップ装置の
概略構成図である。
Next, an optical pickup device according to the fourth embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 9 is a schematic perspective view of an optical pickup device capable of performing tracking servo and astigmatism focusing servo by the three-beam method of the present embodiment, and FIG. 10 is a schematic configuration diagram of this optical pickup device.

【0067】本実施例が第3実施例と異なる点は、半導
体レーザ素子、3分割用回折格子、光検出素子を一直線
上に配置した点であり、第3実施例と同一部分または対
応する部分には同一符号を付してその説明を割愛する。
また、これら図には、電極等は図示していない。
The present embodiment is different from the third embodiment in that the semiconductor laser device, the three-division diffraction grating, and the photodetector are arranged in a straight line, and the same portion as or a portion corresponding to the third embodiment. Are denoted by the same reference numerals and description thereof will be omitted.
Moreover, electrodes and the like are not shown in these figures.

【0068】図9、図10中、1は樹脂等の非導電性材
料等からなる基体であって、その一上平面部1aにはこ
の平面部と45度をなす傾斜面1dを有する凹部1eが
形成されている。この凹部1eの傾斜面1d上には、等
間隔のグレーティングを有する3分割用反射型回折格子
6が固定されている。この反射型回折格子6は、前述し
たように半導体レーザ素子4に対向配置され、素子4の
前端面から出力されるレーザビームを0次、±1次回折
ビームに分割すると共に上方に反射する。
In FIGS. 9 and 10, reference numeral 1 denotes a base made of a non-conductive material such as resin, and the upper flat surface portion 1a thereof has a concave portion 1e having an inclined surface 1d forming 45 degrees with the flat surface portion. Are formed. On the inclined surface 1d of the recess 1e, the three-division reflective diffraction grating 6 having gratings at equal intervals is fixed. As described above, the reflection type diffraction grating 6 is arranged so as to face the semiconductor laser element 4, divides the laser beam output from the front end face of the element 4 into 0th and ± 1st order diffracted beams and reflects them upward.

【0069】5は基体1の一上平面部1a上に設けられ
た光検出素子であって、この光検出素子5は回折格子6
を挟んで半導体レーザ素子4と反対側の一上平面部1a
上に位置する。即ち、半導体レーザ素子4、回折格子6
及び光検出素子5は、この順序で一直線上に一上平面部
1a上に配置されている。
Reference numeral 5 denotes a photodetecting element provided on the upper flat surface portion 1a of the base body 1. The photodetecting element 5 is a diffraction grating 6
The upper flat surface portion 1a opposite to the semiconductor laser element 4 with the sandwiched therebetween.
Located on top. That is, the semiconductor laser device 4 and the diffraction grating 6
The light detection elements 5 are arranged in this order on a straight line on the upper flat surface portion 1a.

【0070】従って、光検出素子5は回折格子6の裏面
側、即ち回折格子6の背後に位置し、回折格子6が光検
出素子5の光遮蔽部材として機能する。この結果、半導
体レーザ素子4の前端面から出力されるレーザビームが
回折格子6等によって反射されてなる迷光やこの前端面
から出力され拡がったレーザビームが光検出素子5に入
射するのを防止できる。
Therefore, the photodetection element 5 is located on the back surface side of the diffraction grating 6, that is, behind the diffraction grating 6, and the diffraction grating 6 functions as a light shielding member of the photodetection element 5. As a result, it is possible to prevent the stray light, which is the laser beam output from the front end face of the semiconductor laser element 4 from being reflected by the diffraction grating 6 and the like, and the laser beam output from the front end face and expanded, from entering the photodetector element 5. .

【0071】図11は、この光ピックアップ装置の基体
1の上面図であって、図9及び図10で図示しなかった
電極、ワイヤーボンディング線、光検出素子5の詳細を
示す。但し、この図においても、第1実施例又は第3実
施例と同一部分または対応する部分には同一符号を付し
てその説明を割愛するが、本実施例では基体1として非
導電性基体を用いたので、導電性半導体基板2用の引出
し電極25、光検出素子5用の引き出し電極26が設け
てある。
FIG. 11 is a top view of the substrate 1 of this optical pickup device, showing the details of the electrodes, wire bonding lines, and photodetector 5 which are not shown in FIGS. 9 and 10. However, also in this figure, the same parts or corresponding parts as those of the first or third embodiment are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted, but in this embodiment, a non-conductive base is used as the base 1. Since it is used, the extraction electrode 25 for the conductive semiconductor substrate 2 and the extraction electrode 26 for the photodetection element 5 are provided.

【0072】斯る実施例は、第3実施例とは光検出素子
5の設置位置が異なる他は、実質的に同じ構成であるの
で、第3実施例と同じ効果を有する他、上述した様に、
回折格子6が光検出素子5の光遮蔽部材として機能する
ので、光検出素子5の感度が上がる。
Since this embodiment has substantially the same configuration as that of the third embodiment except that the installation position of the photodetector 5 is different, it has the same effect as that of the third embodiment, and as described above. To
Since the diffraction grating 6 functions as a light shielding member of the photodetection element 5, the sensitivity of the photodetection element 5 is increased.

【0073】ところで、通常、光源(半導体レーザ素子
4)と対物レンズ8の間は一定の距離が必要である。例
えば、コンパクトディスク装置の場合には、上記距離は
約20mm必要となる。光ピックアップ装置をより薄型
化するためには、例えばホログラム素子7と対物レンズ
8を一直線上に配置する代わりに、ホログラム素子7の
ホログラム面と対物レンズ8とが直交するようにホログ
ラム素子7と対物レンズ8間に反射ミラー等の光反射手
段を設けた構成をとるのが好ましい。
By the way, normally, a constant distance is required between the light source (semiconductor laser element 4) and the objective lens 8. For example, in the case of a compact disc device, the distance needs to be about 20 mm. In order to make the optical pickup device thinner, for example, instead of arranging the hologram element 7 and the objective lens 8 in a straight line, the hologram element 7 and the objective lens 8 are arranged so that the hologram surface of the hologram element 7 and the objective lens 8 are orthogonal to each other. It is preferable to adopt a structure in which light reflecting means such as a reflecting mirror is provided between the lenses 8.

【0074】次に、本発明の第5実施例に係る光ピック
アップ装置を図面を参照しつつ説明する。図12は本実
施例の3ビーム法によるトラッキング・サーボ及び非点
収差法によるフォーカシング・サーボが行える光ピック
アップ装置の概略斜視図である。
Next, an optical pickup device according to the fifth embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 12 is a schematic perspective view of an optical pickup device of the present embodiment, which can perform tracking servo by the three-beam method and focusing servo by the astigmatism method.

【0075】この実施例が第4実施例と異なる点は、ホ
ログラム素子7と対物レンズ8間に反射ミラー等の光反
射手段を設けた点であり、第4実施例と同一部分又は対
応する部分には同一符号を付すと共に簡略化して説明す
る。
The difference between this embodiment and the fourth embodiment is that a light reflecting means such as a reflecting mirror is provided between the hologram element 7 and the objective lens 8, and the same portion as or a portion corresponding to the fourth embodiment. Will be denoted by the same reference numerals and will be briefly described.

【0076】本実施例では、半導体レーザ素子4、3分
割用回折格子6、光検出素子5を一直線上に配置すると
共に、ホログラム素子7と対物レンズ8間に反射ミラー
等からなる光反射手段27を設けて、ホログラム素子7
のホログラム面と対物レンズ8とが直交するようにした
ので、より装置の薄型化ができる。
In this embodiment, the semiconductor laser element 4, the three-division diffraction grating 6, and the photodetector element 5 are arranged in a straight line, and the light reflecting means 27 including a reflection mirror or the like is provided between the hologram element 7 and the objective lens 8. And the hologram element 7
Since the hologram surface and the objective lens 8 are orthogonal to each other, the device can be made thinner.

【0077】尚、第1〜第5実施例では、半導体レーザ
素子及び光検出素子を同一上平面上に設けたが、光検出
素子を一上平面部と平行に形成された上平面部上に設け
てもよい。上記第1〜第5実施例では上平面部上に素子
を設けるので、素子の設置が容易であるが、互いに平行
な上平面部が段差部をなす場合、これを素子設置用の基
準部とすることができ、素子の設置が更に容易になる。
In the first to fifth embodiments, the semiconductor laser element and the photo-detecting element are provided on the same upper flat surface, but the photo-detecting element is provided on the upper flat surface portion formed in parallel with the upper flat surface portion. It may be provided. In the first to fifth embodiments, since the element is provided on the upper flat surface portion, the element can be easily installed. However, when the upper flat surface portions parallel to each other form a step, this is used as a reference portion for installing the element. The device can be installed more easily.

【0078】上述ではフォーカシング・サーボを非点収
差法により行ったが、他の方法でもよく、例えばホログ
ラム素子7に代えて図13に示すグレーティング形状を
有する透過型ホログラム素子及び光検出素子5、35に
代えて図14に示す光検出素子を用いてフォーカシング
・サーボをスポットサイズ法によって行ってもよい。こ
の場合、主ビーム、副ビームX、Yはホログラム素子で
それぞれ2分割されると共に、±1次で回折されて2本
の主ビームはそれぞれ光検出部A及びC、光検出部B及
びDへ、2本の副ビームX、Yは光検出部E、Fに入射
されてスポットを形成する。従って、FE信号、TE信
号、再生信号は、 FE信号=(A1−C1)−(B1−D1) TE信号= E1−F1 再生信号= A1+B1+C1+D1 である。尚、この式中のA1〜 F1は図14に示す光
検出部A〜Fでの検出強度である。
Although the focusing servo is performed by the astigmatism method in the above description, another method may be used. For example, instead of the hologram element 7, the transmission hologram element and the photodetector elements 5 and 35 having the grating shape shown in FIG. Instead of this, focusing servo may be performed by the spot size method using the photodetector shown in FIG. In this case, the main beam and the sub-beams X and Y are each divided into two by the hologram element, and the two main beams are diffracted by the ± 1st orders and are respectively sent to the photodetection units A and C and the photodetection units B and D. The two sub beams X and Y are incident on the photodetectors E and F to form spots. Therefore, the FE signal, the TE signal, and the reproduction signal are: FE signal = (A1-C1)-(B1-D1) TE signal = E1-F1 reproduction signal = A1 + B1 + C1 + D1. It should be noted that A1 to F1 in this equation are detection intensities at the photodetectors A to F shown in FIG.

【0079】また、上述の他、前記ホログラム素子7に
代えて図15に示すグレーティング形状を有するホログ
ラム素子及び光検出素子5、35に代えて図16に示す
光検出素子を用いてフォーカシング・サーボをフーコー
法によって行ってもよい。この場合、主ビーム、副ビー
ムX、Yはそれぞれ2分割されて光検出部A〜Hに入射
されスポットを形成する。従って、FE信号、TE信
号、再生信号は、 FE信号=(A1+D1)−(B1+C1) TE信号=(E1+G1)−(F1+H1) 再生信号= A1+B1+C1+D1 である。尚、この式中のA1〜 H1は図16に示す光
検出部A〜Hでの検出強度である。
In addition to the above, instead of the hologram element 7, a hologram element having a grating shape shown in FIG. 15 and the photodetection elements 5 and 35 shown in FIG. You may perform by the Foucault method. In this case, the main beam and the sub beams X and Y are each divided into two and are incident on the photodetectors A to H to form spots. Therefore, the FE signal, the TE signal, and the reproduction signal are: FE signal = (A1 + D1)-(B1 + C1) TE signal = (E1 + G1)-(F1 + H1) reproduction signal = A1 + B1 + C1 + D1. It should be noted that A1 to H1 in this equation are detection intensities at the photodetectors A to H shown in FIG.

【0080】また、第1〜5実施例では、基体1に光検
出素子5、35、フォトダイオード2aを有する基板2
などを別体で設けたが、光検出素子やフォトダイオー
ド、又はこれらの少なくとも1つを基体1にフォトダイ
オード2aと同じく拡散法など半導体プロセスを用いて
光検出素子5、35の光検出部、フォトダイオード2a
を直接内設してもよく、斯る場合も本発明の基板上に設
けられると解される。この構成を第1、第2実施例に適
応する場合、板状の基体1に光検出部として半導体プロ
セスによって形成した後、別体の傾斜部1bを接着剤等
により取り付けられる。斯る場合、傾斜部に直接3分割
用回折格子が形成されたものを用いてもよいのは言うま
でもない。
Further, in the first to fifth embodiments, the substrate 2 having the base 1 on which the photodetector elements 5 and 35 and the photodiode 2a are provided.
Etc. are provided separately, but the photodetection elements and the photodiodes, or the photodetection portions of the photodetection elements 5 and 35 by using a semiconductor process such as a diffusion method on the substrate 1 with at least one of them, Photodiode 2a
May be directly installed, and in such a case, it is understood to be installed on the substrate of the present invention. When this configuration is applied to the first and second embodiments, the inclined portion 1b which is a separate body is attached to the plate-shaped substrate 1 by a semiconductor process as a photo-detecting portion, and then attached. In such a case, needless to say, the one in which the diffraction grating for three divisions is directly formed on the inclined portion may be used.

【0081】更に、前述の反射型回折格子や透過型ホロ
グラム素子では、2次以上の回折も行われるので、これ
ら2次以上の回折ビームが入らないように、光学系を設
定するのが望ましいが、これら2次以上の回折ビームは
強度が非常に小さいので、仮に光検出部に入っても重大
な問題とはならない。また、光検出部は上述したように
適宜配置位置を選択できるが、これら配置を代えた場合
には、透過型ホログラム素子のグレーティング形状等を
変える必要があるのは勿論である。
Furthermore, in the above-mentioned reflection type diffraction grating and transmission type hologram element, since the diffraction of the second or higher order is also performed, it is desirable to set the optical system so that the diffracted beams of the second or higher order do not enter. However, since the diffracted beams of the second and higher orders have extremely small intensities, even if they enter the photodetector, it does not pose a serious problem. Further, although the photodetector can appropriately select the arrangement position as described above, it is needless to say that the grating shape of the transmission hologram element or the like needs to be changed when the arrangement is changed.

【0082】加えて、このような光ピックアップ装置を
透明(透光性)樹脂モールドすることによって、結露の
防止や低コスト化が図れる。
In addition, by forming a transparent (translucent) resin mold on such an optical pickup device, it is possible to prevent dew condensation and reduce the cost.

【0083】[0083]

【発明の効果】本発明の構成によれば、反射型回折格子
によりレーザビームを少なくとも3本のビームに分割す
ると共に基体の上方に反射し、且つ光記録媒体で反射さ
れた前記3本のビームが透過型ホログラム素子により反
射型回折格子の側方に回折され信号検出用光検出部へ入
射されるので、3ビーム法によるトラッキング・サーボ
が可能で、且つ装置の薄型化できる。
According to the structure of the present invention, the laser beam is divided into at least three beams by the reflection type diffraction grating, and the three beams are reflected above the substrate and reflected by the optical recording medium. Is diffracted to the side of the reflection type diffraction grating by the transmission type hologram element and is incident on the signal detection photodetection section, so that tracking servo by the three-beam method is possible and the apparatus can be made thin.

【0084】また、半導体レーザ素子、信号検出用光検
出部、反射型回折格子は、基体上に設けられているの
で、これらの高精度な取り付けやこれらへのワイヤボン
ディングが容易であり、装置の低価格化が図れる。特
に、半導体レーザ素子及び信号検出用光検出部が同一の
上平面部上又は互いに平行な上平面部上に設けられてい
る場合に、高精度な取り付けやワイヤボンディングがよ
り簡単になる。更に、信号検出用光検出部ヘ入射される
3本のビームは、再度反射型回折格子に入射することな
く検出されるので、光のロスがない。
Further, since the semiconductor laser element, the signal detecting light detecting portion, and the reflection type diffraction grating are provided on the base body, it is easy to attach them with high precision and wire bonding to them, and the device The price can be reduced. In particular, when the semiconductor laser device and the signal detection photodetector are provided on the same upper flat surface portion or on parallel upper flat surface portions, highly accurate mounting and wire bonding become easier. Furthermore, since the three beams incident on the signal detection photodetection section are detected without entering the reflection type diffraction grating again, there is no light loss.

【0085】また、側方に出力されたレーザビームの光
軸方向及び前記反射方向と、記録面とが略平行になるよ
うに光記録媒体を配置し、反射型回折格子と透過型ホロ
グラム素子との間又は透過型ホログラム素子と収束光学
系との間に反射手段を設けることにより、半導体レーザ
素子と光記録媒体の間の距離を短くでき、更に装置の薄
型化が可能となる。
Further, the optical recording medium is arranged so that the optical axis direction of the laser beam outputted to the side and the reflection direction are substantially parallel to the recording surface, and the reflection type diffraction grating and the transmission type hologram element are provided. The distance between the semiconductor laser element and the optical recording medium can be shortened by providing the reflection means between the two or between the transmission hologram element and the converging optical system, and the device can be made thinner.

【0086】また、上記光検出部を上記反射型回折格子
の背後に設けた場合、この回折格子が光遮蔽部材の機能
を果たすので、光検出部の感度が上がる。
When the photodetection section is provided behind the reflection type diffraction grating, the diffraction grating functions as a light shielding member, so that the sensitivity of the photodetection section is increased.

【0087】とりわけ、上記半導体レーザ素子、上記反
射型回折格子、及び上記光検出部がこの順序で略一直線
上に設けた場合、基体の幅を小さくできるので、側方に
出力されたレーザビームの光軸及び前記反射方向と、記
録面とがが略直交するように光記録媒体を配置すること
により、より薄型化が可能となる。また、斯る場合、ホ
ログラム素子で回折され光検出部に入射する3本のビー
ムは、その中心ビームに対して略対称にできるので、光
記録媒体の記録面が傾斜する場合にも、信号にオフセッ
トが生じる恐れが少ない。
In particular, when the semiconductor laser device, the reflection type diffraction grating, and the photodetection section are provided in this order on a substantially straight line, the width of the substrate can be reduced, so that the laser beam output to the side can be made smaller. By arranging the optical recording medium so that the optical axis and the reflection direction and the recording surface are substantially orthogonal to each other, it is possible to make the device thinner. Further, in such a case, the three beams diffracted by the hologram element and incident on the photodetector can be made substantially symmetrical with respect to the center beam thereof, and therefore, even when the recording surface of the optical recording medium is inclined, the signal is not changed. Less likely to cause offset.

【0088】特に、前記光記録媒体で反射され前記ホロ
グラム素子で前記回折格子の他の側方に回折された前記
3本のビームを入射する他の信号検出用光検出部を前記
基体上に設けた場合、2つの信号検出用光検出部で信号
を検出することになるので、信頼性が高くなる。
In particular, another signal detection photodetection section for injecting the three beams reflected by the optical recording medium and diffracted by the hologram element to the other side of the diffraction grating is provided on the substrate. In this case, since the signals are detected by the two signal detection photodetectors, the reliability is high.

【0089】特に、前記反射型回折格子が基体の一部に
設けた傾斜部にて支持される場合には、この傾斜部に精
度よく設けることができる。
Particularly, when the reflection type diffraction grating is supported by an inclined portion provided on a part of the base, it can be accurately provided on the inclined portion.

【0090】更に、前記傾斜部を基体に凹設して形成す
る場合には、回折格子の精度よい設置がより容易にな
る。
Furthermore, in the case where the inclined portion is formed as a recess in the base body, it is easier to install the diffraction grating with high accuracy.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1実施例に係る光ピックアップ装置
の概略斜視図である。
FIG. 1 is a schematic perspective view of an optical pickup device according to a first embodiment of the invention.

【図2】前記実施例の光ピックアップ装置の概略構成図
である。
FIG. 2 is a schematic configuration diagram of the optical pickup device of the embodiment.

【図3】前記実施例における光記録媒体のトラックと、
主スポット、副スポットX、Yの関係を示す図である。
FIG. 3 shows a track of the optical recording medium in the above embodiment,
It is a figure which shows the relationship of the main spot and the sub-spots X and Y.

【図4】前記実施例の基体の上面図である。FIG. 4 is a top view of the base body of the embodiment.

【図5】前記実施例の光検出素子の上面図である。FIG. 5 is a top view of the photo-detecting element of the above embodiment.

【図6】本発明の第2実施例に係る光ピックアップ装置
の概略構成図である。
FIG. 6 is a schematic configuration diagram of an optical pickup device according to a second embodiment of the invention.

【図7】本発明の第3実施例に係る光ピックアップ装置
の概略斜視図である。
FIG. 7 is a schematic perspective view of an optical pickup device according to a third embodiment of the invention.

【図8】前記実施例の光ピックアップ装置の概略構成図
である。
FIG. 8 is a schematic configuration diagram of the optical pickup device of the embodiment.

【図9】本発明の第4実施例に係る光ピックアップ装置
の概略斜視図である。
FIG. 9 is a schematic perspective view of an optical pickup device according to a fourth embodiment of the present invention.

【図10】前記実施例の光ピックアップ装置の概略構成
図である。
FIG. 10 is a schematic configuration diagram of the optical pickup device of the embodiment.

【図11】前記実施例の基体の上面図である。FIG. 11 is a top view of the base body of the embodiment.

【図12】本発明の第5実施例に係る光ピックアップ装
置の概略斜視図である。
FIG. 12 is a schematic perspective view of an optical pickup device according to a fifth embodiment of the invention.

【図13】スポットサイズ法で用いる透過型ホログラム
素子の上面図である。
FIG. 13 is a top view of a transmission hologram element used in the spot size method.

【図14】上記スポットサイズ法で用いる光検出素子の
上面図である。
FIG. 14 is a top view of a photodetector used in the spot size method.

【図15】フーコー法で用いる透過型ホログラム素子の
上面図である。
FIG. 15 is a top view of a transmission hologram element used in the Foucault method.

【図16】上記フーコー法で用いる光検出素子の上面図
である。
FIG. 16 is a top view of a photodetector used in the Foucault method.

【図17】従来例の光ピックアップ装置の構成図であ
る。
FIG. 17 is a configuration diagram of a conventional optical pickup device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基体 1a 上平面部 1b 傾斜部 1c 上平面部 1d 傾斜部(傾斜面) 1e 凹部 4 半導体レーザ素子 5 信号検出用光検出素子(信号検出用光検出部) 6 反射型回折格子 7 透過型ホログラム素子 8 対物レンズ(収束光学系) 9 光記録媒体 35 信号検出用光検出素子(信号検出用光検出部) DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Base 1a Upper plane part 1b Inclined part 1c Upper plane part 1d Inclined part (inclined surface) 1e Recess 4 Semiconductor laser device 5 Photodetector for signal detection (photodetector for signal detection) 6 Reflective diffraction grating 7 Transmission hologram Element 8 Objective lens (converging optical system) 9 Optical recording medium 35 Photodetector for signal detection (photodetector for signal detection)

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山口 隆夫 大阪府守口市京阪本通2丁目5番5号 三 洋電機株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Takao Yamaguchi 2-5-5 Keihan Hondori, Moriguchi City, Osaka Sanyo Electric Co., Ltd.

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基体と、該基体上に設けられ側方にレー
ザビームを出力する半導体レーザ素子と、前記基板上に
該半導体レーザ素子と対向配置され前記レーザビームを
少なくとも3本のビームに分割すると共に前記基体の上
方に反射する反射型回折格子と、該反射型回折格子で反
射された3本のビームを入射する透過型ホログラム素子
と、該ホログラム素子を透過した3本のビームを光記録
媒体に収束する収束光学系と、該光記録媒体で反射され
前記ホログラム素子で前記回折格子の側方に回折された
前記3本のビームを受光する前記基体上に設けられた信
号検出用光検出部と、を備えたことを特徴とする光ピッ
クアップ装置。
1. A substrate, a semiconductor laser element that is provided on the substrate and outputs a laser beam to the side, and a semiconductor laser element that is disposed on the substrate so as to face the semiconductor laser element and divides the laser beam into at least three beams. In addition, a reflective diffraction grating that reflects above the substrate, a transmissive hologram element that enters the three beams reflected by the reflective diffraction grating, and three beams that have passed through the hologram element are optically recorded. Converging optical system for converging on a medium, and optical detection for signal detection provided on the substrate for receiving the three beams reflected by the optical recording medium and diffracted to the side of the diffraction grating by the hologram element. And an optical pickup device.
【請求項2】 少なくとも一上平面部を有する基体と、
該基体の一上平面部上に設けられ側方にレーザビームを
出力する半導体レーザ素子と、前記基板上に該半導体レ
ーザ素子と対向配置され前記レーザビームを少なくとも
3本のビームに分割すると共に前記基体の上方に反射す
る反射型回折格子と、該反射型回折格子で反射された3
本のビームを入射する透過型ホログラム素子と、該ホロ
グラム素子を透過した3本のビームを光記録媒体に収束
する収束光学系と、該光記録媒体で反射され前記ホログ
ラム素子で前記回折格子の側方に回折された前記3本の
ビームを受光する前記一上平面部上又はこの一上平面部
に平行な前記基体の他の上平面部上に設けられた信号検
出用光検出部と、を備えたことを特徴とする光ピックア
ップ装置。
2. A substrate having at least one upper plane portion,
A semiconductor laser element that is provided on one upper plane portion of the base body and outputs a laser beam laterally; and a semiconductor laser element that is arranged on the substrate so as to face the semiconductor laser element and divides the laser beam into at least three beams. A reflection type diffraction grating that reflects above the substrate, and 3 that is reflected by the reflection type diffraction grating
Transmission type hologram element for injecting three beams, a converging optical system for converging three beams transmitted through the hologram element to an optical recording medium, and a diffraction grating side of the hologram element reflected by the optical recording medium. A signal detection photodetector provided on the one upper flat surface portion for receiving the three beams diffracted toward one side or on another upper flat surface portion of the substrate parallel to the one upper flat surface portion. An optical pickup device characterized by being provided.
【請求項3】 基体と、該基体上に設けられ側方にレー
ザビームを出力する半導体レーザ素子と、前記基板上に
該半導体レーザ素子と対向配置され前記レーザビームを
少なくとも3本のビームに分割すると共に前記基体の上
方に反射する反射型回折格子と、該反射型回折格子で反
射された3本のビームを入射する透過型ホログラム素子
と、該ホログラム素子を透過した3本のビームを上記側
方に出力されたレーザビームの光軸方向及び前記反射方
向と略平行になるように記録面が配置された光記録媒体
に収束する収束光学系と、該光記録媒体で反射され前記
ホログラム素子で前記回折格子の側方に回折された前記
3本のビームを受光する前記基体上に設けられた信号検
出用光検出部と、を備え、 上記反射型回折格子と上記透過型ホログラム素子との間
又は上記透過型ホログラム素子と上記収束光学系との間
に反射手段を設けたことを特徴とする光ピックアップ装
置。
3. A substrate, a semiconductor laser element which is provided on the substrate and outputs a laser beam to the side, and a semiconductor laser element which is arranged on the substrate so as to face the semiconductor laser element and divides the laser beam into at least three beams. In addition, a reflective diffraction grating that reflects above the substrate, a transmissive hologram element that receives the three beams reflected by the reflective diffraction grating, and three beams that have passed through the hologram element A converging optical system that converges on an optical recording medium in which a recording surface is disposed so as to be substantially parallel to the optical axis direction of the laser beam output toward one side and the reflection direction, and the hologram element is reflected by the optical recording medium. A signal detecting photodetector provided on the base for receiving the three beams diffracted to the side of the diffraction grating, the reflection type diffraction grating and the transmission type hologram element. The optical pickup apparatus characterized in that a reflecting means or between the transmission type holographic optical element and the converging optical system and.
【請求項4】 少なくとも一上平面部を有する基体と、
該基体の一上平面部上に設けられ側方にレーザビームを
出力する半導体レーザ素子と、前記基板上に該半導体レ
ーザ素子と対向配置され前記レーザビームを少なくとも
3本のビームに分割すると共に前記基体の上方に反射す
る反射型回折格子と、該反射型回折格子で反射された3
本のビームを入射する透過型ホログラム素子と、該ホロ
グラム素子を透過した3本のビームを上記側方に出力さ
れたレーザビームの光軸方向及び前記反射方向と略平行
になるように記録面が配置された光記録媒体に収束する
収束光学系と、該光記録媒体で反射され前記ホログラム
素子で前記回折格子の側方に回折された前記3本のビー
ムを受光する前記一上平面部上又はこの一上平面部に平
行な前記基体の他の上平面部上に設けられた信号検出用
光検出部と、を備え、 上記反射型回折格子と上記透過型ホログラム素子との間
又は上記透過型ホログラム素子と上記収束光学系との間
に反射手段を設けたことを特徴とする光ピックアップ装
置。
4. A substrate having at least one upper flat surface portion,
A semiconductor laser element that is provided on one upper plane portion of the base body and outputs a laser beam laterally; and a semiconductor laser element that is arranged on the substrate so as to face the semiconductor laser element and divides the laser beam into at least three beams. A reflection type diffraction grating that reflects above the substrate, and 3 that is reflected by the reflection type diffraction grating
And a recording surface such that the three beams that have passed through the hologram element are approximately parallel to the optical axis direction and the reflection direction of the laser beam that is output to the side. A converging optical system that converges on the optical recording medium that is arranged, and on the upper flat surface portion that receives the three beams reflected by the optical recording medium and diffracted to the side of the diffraction grating by the hologram element, or A signal detection photodetector provided on the other upper flat surface of the substrate parallel to the upper flat surface, and between the reflection type diffraction grating and the transmission hologram element or the transmission type. An optical pickup device characterized in that a reflecting means is provided between the hologram element and the converging optical system.
【請求項5】 上記光検出部は、上記反射型回折格子の
後方に設けられたことを特徴とする請求項1、2、3又
は4記載の光ピックアップ装置。
5. The optical pickup device according to claim 1, wherein the photodetection section is provided behind the reflection type diffraction grating.
【請求項6】 上記半導体レーザ素子、上記反射型回折
格子、及び上記光検出部は、この順序で略一直線上に設
けられたことを特徴とする請求項1、2、3又は4記載
の光ピックアップ装置。
6. The light according to claim 1, 2, 3, or 4, wherein the semiconductor laser device, the reflection type diffraction grating, and the photodetector are provided in this order on a substantially straight line. Pickup device.
【請求項7】 前記光記録媒体で反射され前記ホログラ
ム素子で前記回折格子の他の側方に回折された前記3本
のビームを受光する他の信号検出用光検出部を前記基体
上に設けたことを特徴とする請求項1、2、3、4、5
又は6記載の光ピックアップ装置。
7. A signal detection photodetection unit for receiving the three beams reflected by the optical recording medium and diffracted by the hologram element to the other side of the diffraction grating is provided on the substrate. Claims 1, 2, 3, 4, 5 characterized in that
Alternatively, the optical pickup device according to item 6.
【請求項8】 前記光記録媒体で反射され前記ホログラ
ム素子で前記回折格子の他の側方に回折された前記3本
のビームを受光する前記一上平面部上又はこの一上平面
部に平行な前記基体の他の上平面部上に他の信号検出用
光検出部を設けたことを特徴とする請求項2又は4記載
の光ピックアップ装置。
8. The upper flat surface portion for receiving the three beams reflected by the optical recording medium and diffracted to the other side of the diffraction grating by the hologram element, or parallel to the upper flat surface portion. The optical pickup device according to claim 2 or 4, wherein another photodetector for signal detection is provided on another upper flat surface portion of the base.
【請求項9】 前記反射型回折格子は、基体の一部に設
けた傾斜部にて支持されたことを特徴とする請求項1、
2、3、4、5、6、7又は8記載の光ピックアップ装
置。
9. The reflection type diffraction grating is supported by an inclined portion provided in a part of a base body.
2. The optical pickup device described in 2, 3, 4, 5, 6, 7 or 8.
【請求項10】 前記傾斜部は、前記基体に凹設して形
成されてなることを特徴とする請求項9記載の光ピック
アップ装置。
10. The optical pickup device according to claim 9, wherein the inclined portion is formed by being recessed in the base body.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5717674A (en) * 1995-06-30 1998-02-10 Sanyo Electrics Co., Ltd. Three-beam generating diffraction grating, transmission type holographic optical element and optical pickup apparatus using the same
JP2008041158A (en) * 2006-08-04 2008-02-21 Victor Co Of Japan Ltd Optical device and manufacturing method of the optical device
JP2009163853A (en) * 2007-12-28 2009-07-23 Jiaotong Univ Micro-optical pickup
JP2010009633A (en) * 2008-06-24 2010-01-14 Sony Corp Optical module and optical pickup apparatus

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5717674A (en) * 1995-06-30 1998-02-10 Sanyo Electrics Co., Ltd. Three-beam generating diffraction grating, transmission type holographic optical element and optical pickup apparatus using the same
JP2008041158A (en) * 2006-08-04 2008-02-21 Victor Co Of Japan Ltd Optical device and manufacturing method of the optical device
JP2009163853A (en) * 2007-12-28 2009-07-23 Jiaotong Univ Micro-optical pickup
JP2010009633A (en) * 2008-06-24 2010-01-14 Sony Corp Optical module and optical pickup apparatus
JP4586896B2 (en) * 2008-06-24 2010-11-24 ソニー株式会社 Optical module and optical pickup device
US7929076B2 (en) 2008-06-24 2011-04-19 Sony Corporation Optical module and optical pickup apparatus

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