JP3172355B2 - Optical pickup device - Google Patents

Optical pickup device

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JP3172355B2
JP3172355B2 JP03229094A JP3229094A JP3172355B2 JP 3172355 B2 JP3172355 B2 JP 3172355B2 JP 03229094 A JP03229094 A JP 03229094A JP 3229094 A JP3229094 A JP 3229094A JP 3172355 B2 JP3172355 B2 JP 3172355B2
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敦志 田尻
和思 森
慶一 吉年
隆夫 山口
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、反射型ホログラム素子
を用いた光ピックアップ装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical pickup device using a reflection type hologram element.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、光ピックアップ装置の小型軽量化
及び低価格化の要求にともなって、ホログラム素子を用
いた光ピックアップ装置の研究・開発が行われている。
2. Description of the Related Art In recent years, research and development of an optical pickup device using a hologram element have been conducted in accordance with a demand for a small, lightweight and low-cost optical pickup device.

【0003】図7は特開平3−76035号(G11B
7/135)公報に記載された3ビーム法を用いてト
ラッキング・サーボを行うホログラム素子を有する光ピ
ックアップ装置の概略構成図である。
FIG . 7 is a Japanese Patent Application Laid-Open No. 3-76035 (G11B) .
FIG. 7/135) is a schematic configuration diagram of an optical pickup device having a hologram element that performs tracking servo using a three-beam method described in Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 7-135).

【0004】図中、101は光記録媒体としてのディス
ク、102はレーザビーム(レーザ光)を上方に出力す
る半導体レーザ素子、103は前記レーザビームを3本
のビームに分割する第1のホログラム素子(透過型3分
割用回折格子)、104は前記3本のビームを透過し且
つディスク101からの帰還ビーム(反射光)を回折す
る第2のホログラム素子、105は前記第2のホログラ
ム素子104を透過した3本のビームをディスク101
上に集光して3個のスポットを形成するための対物レン
ズ、106は第2のホログラム素子104で回折された
ディスク101からの帰還ビームを検出するサーボ検出
用光検出素子である。
In the figure, 101 is a disk as an optical recording medium, 102 is a semiconductor laser element for outputting a laser beam (laser light) upward, and 103 is a first hologram element for dividing the laser beam into three beams. (Transmission type three-division diffraction grating), 104 is a second hologram element that transmits the three beams and diffracts the return beam (reflected light) from the disk 101, and 105 is the second hologram element 104. The three transmitted beams are used for disc 101
An objective lens for forming three spots by condensing the light beam thereon is a servo detecting light detecting element 106 for detecting a return beam from the disk 101 diffracted by the second hologram element 104.

【0005】しかし、この装置では薄型化を図ることは
困難であった。何故なら、光記録媒体にレーザビームを
収束するためには、半導体レーザ素子から光記録媒体ま
での距離はある程度以上必要であるためである。
However, it has been difficult to reduce the thickness of this device. This is because the distance from the semiconductor laser element to the optical recording medium needs to be at least a certain amount in order to converge the laser beam on the optical recording medium.

【0006】この問題を解決するものとして、特開平4
−60931号(G11B 7/135)公報には、半
導体レーザ素子から出力されるレーザビームの方向を直
角に変換させて薄型化を図った光ピックアップ装置が開
示されている。
To solve this problem, Japanese Patent Laid-Open No.
Japanese Patent Application Laid-Open No. 60931 (G11B 7/135) discloses an optical pickup device in which the direction of a laser beam output from a semiconductor laser element is changed to a right angle to reduce the thickness.

【0007】上記例を含め、光ピックアップ装置では半
導体レーザ素子からの光出力が一定に制御される必要が
あるが、従来の装置では一般に半導体レーザ素子の後端
面から出力されたレーザビームをモニター用フォトダイ
オードにより検出し、このフォトダイオードの出力に基
づいて自動出力制御回路(以下、APC回路という)を
動作させてレーザビームの出力を一定に制御していた。
In the optical pickup device including the above example, the light output from the semiconductor laser device needs to be controlled to be constant. In the conventional device, the laser beam output from the rear end face of the semiconductor laser device is generally used for monitoring. The output is detected by a photodiode, and the output of the laser beam is controlled to be constant by operating an automatic output control circuit (hereinafter, referred to as an APC circuit) based on the output of the photodiode.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た半導体レーザ素子の後端面からのレーザビームを検出
する方法では、後端面から一定強度以上のレーザビーム
を取り出す必要があり、この後端面の反射率を上げるこ
とが出来ない。このため、半導体レーザ素子の高出力
化、高効率化が困難であるといった問題があった。
However, in the above-described method for detecting a laser beam from the rear end face of the semiconductor laser device, it is necessary to extract a laser beam having a certain intensity or more from the rear end face, and the reflectivity of this rear end face is required. Can not be raised. Therefore, there is a problem that it is difficult to increase the output and the efficiency of the semiconductor laser device.

【0009】また、斯る方法では、長時間の使用で素子
が劣化した場合や光記録媒体からの帰還ビームがレーザ
素子内に入射する場合、光記録媒体に収束照射するため
の前端面からのレーザビームの出力変化と後端面からの
レーザビームの出力変化とが対応しなくなるので、後端
面からのレーザビーム出力の検出では、前端面からのレ
ーザビーム出力を正確に一定制御することができず、光
記録媒体の再生等においてS/Nが低下するといった問
題もあった。
Further, according to this method, when the element is deteriorated due to long-time use or when the return beam from the optical recording medium is incident on the laser element, the light from the front end face for converging and irradiating the optical recording medium is emitted. Since the output change of the laser beam and the output change of the laser beam from the rear end face do not correspond to each other, the laser beam output from the front end face cannot be accurately and constantly controlled by detecting the laser beam output from the rear end face. In addition, there is also a problem that the S / N is reduced in the reproduction of the optical recording medium and the like.

【0010】この後端面からのレーザビーム出力をモニ
ターする方法に対して、前端面からのレーザビーム出力
をモニターする方法も知られている。例えば、ビームス
プリッタ等を用いてレーザビームの一部を分割して、そ
の分割ビームをモニターする方法が知られているが、斯
る方法ではビームスプリッタを用いるため、装置の小型
化が図れないといった問題があった。
In contrast to the method of monitoring the laser beam output from the rear end face, a method of monitoring the laser beam output from the front end face is also known. For example, a method is known in which a part of a laser beam is split using a beam splitter or the like, and the split beam is monitored. However, since such a method uses a beam splitter, the size of the apparatus cannot be reduced. There was a problem.

【0011】本発明は上述の問題点を鑑み成されたもの
であり、光記録媒体に照射するレーザビームの出力を精
度よく一定に制御するために光記録媒体側へ照射するレ
ーザビームを直接検出し、且つ小型化が可能な反射型ホ
ログラム素子を用いた光ピックアップ装置を提供するこ
とを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and directly detects a laser beam to be applied to an optical recording medium in order to control the output of the laser beam to be applied to the optical recording medium accurately and to a constant level. It is another object of the present invention to provide an optical pickup device using a reflective hologram element which can be reduced in size.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】本発明の光ピックアップ
装置は、レーザビームを出力する半導体レーザ素子と、
該半導体レーザ素子に対向配置され、前記レーザビーム
を反射し該反射したレーザビームを光記録媒体に導くた
めのホログラム面を有する反射型ホログラム素子と、を
備えた光ピックアップ装置であって、前記反射型ホログ
ラム素子は、前記半導体レーザ素子からのレーザビーム
の出力を一定に制御するために該レーザビームをモニタ
ーするモニター用フォトダイオードを有し、前記ホログ
ラム面は、前記フォトダイオード上にあり、且つ該ホロ
グラム面に入射したレーザビームの一部を透過すると共
に該レーザビームの他の一部を反射し、前記ホログラム
面の表面は、導電性材料からなり、前記フォトダイオー
ドの電極を兼ねることを特徴とする。
An optical pickup device according to the present invention comprises: a semiconductor laser element for outputting a laser beam;
The face is disposed on the semiconductor laser element, an optical pickup device and a reflection type hologram element having a hologram surface for guiding the laser beam the reflected reflecting the laser beam to the optical recording medium, the reflection Type holog
The ram element is a laser beam from the semiconductor laser element.
Monitor the laser beam to keep the output of the laser constant
Having a monitor photodiode for monitoring
The ram surface is on the photodiode and the hollow
When part of the laser beam incident on the gram plane is
Reflects another part of the laser beam to the hologram
The surface of the surface is made of a conductive material,
It is also characterized by serving as an electrode for the gate .

【0013】[0013]

【作用】本発明の構成によれば、反射型ホログラム素子
はモニター用フォトダイオード及びホログラム面を有す
るので、光記録媒体に照射する側のレーザビームの強度
をビームスプリッタ等の光学素子を用いることもなく直
接検出することができると共に、ホログラム面によって
半導体レーザ素子から光記録媒体までの光路が屈折され
る。従って、レーザビームの出力を精度よく一定に制御
できると共に、小型化及び薄型化が図れる。
According to the structure of the present invention, since the reflection type hologram element has the monitor photodiode and the hologram surface, it is possible to use an optical element such as a beam splitter or the like to adjust the intensity of the laser beam irradiated on the optical recording medium. And the optical path from the semiconductor laser device to the optical recording medium is refracted by the hologram surface. Therefore, the output of the laser beam can be accurately and constantly controlled, and the size and thickness can be reduced.

【0014】また、前記ホログラム面が、フォトダイオ
ード上にあり、且つ該ホログラム面に入射したレーザビ
ームの一部を透過すると共に該レーザビームの他の一部
を反射する場合、光強度の強いレーザビームの径中心部
における光強度を検出できるので、各半導体レーザ素子
の個体差に基づくビーム強度分布の違いがあってもフォ
トダイオードの検出出力にバラツキが生じない。更に、
このホログラム面の表面が導電性材料からなり、フォト
ダイオードの電極を兼ねる場合、このフォトダイオード
にフォトンが入射して該フォトダイオード内部で電子正
孔対が発生してなる場所から電極までの距離が短いの
で、この電子及び正孔は散乱を受けることが少なくなる
(インピーダンスが小さくなる)。従って、斯るフォト
ダイオードは受光面の端に電極が設けられたフォトダイ
オードに比べて高速応答となる。加えて、フォトダイオ
ードと電極のオーミック接触の面積が大きくなるので、
低抵抗となって低消費電力化が図れる。
In the case where the hologram surface is on a photodiode and transmits part of a laser beam incident on the hologram surface and reflects another part of the laser beam, a laser having a high light intensity is used. Since the light intensity at the center of the beam diameter can be detected, the detection output of the photodiode does not vary even if there is a difference in the beam intensity distribution based on the individual difference of each semiconductor laser element. Furthermore,
When the surface of the hologram surface is made of a conductive material and also serves as an electrode of a photodiode, the distance from the position where a photon is incident on the photodiode and electron-hole pairs are generated inside the photodiode to the electrode is reduced. Because they are short, the electrons and holes are less scattered (impedance is lower). Therefore, such a photodiode has a faster response than a photodiode in which an electrode is provided at the end of the light receiving surface. In addition, the area of ohmic contact between the photodiode and the electrode increases,
Low resistance reduces power consumption.

【0015】[0015]

【実施例】本発明の基本となる参考例に係る光ピックア
ップ装置を図面を参照しつつ詳細に説明する。図1は本
参考例の3ビーム法を用いてトラッキング・サーボを行
う光ピックアップ装置の概略構成図、図2は本参考例
置の要部概略斜視図、図3(a)は本参考例装置の反射
型ホログラム素子(反射型3分割用回折格子)の概略上
面図、図3(b)は図3(a)の破線A−Aに沿った概
略断面図である。尚、図1及び図2おいて電極やボンデ
ィング線等は図示しない。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An optical pickup device according to a reference example serving as a basis of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Figure 1 is a book
Schematic diagram of an optical pickup device which performs tracking servo by using the three-beam method of Reference Example, 2 is a fragmentary schematic perspective view of the present reference example instrumentation <br/> location, FIG. 3 (a) present reference example FIG. 3B is a schematic cross-sectional view taken along a broken line AA in FIG. 3A, showing a reflection type hologram element (reflection type three-division diffraction grating) of the apparatus. Note that electrodes and bonding wires are not shown in FIGS.

【0016】図1及び図2中、1はコンパクト・ディス
ク等の光ディスクからなる光記録媒体である。2はn+
型Si(シリコン)等からなる導電性半導体材料又は銅
等の導電性金属からなる良熱伝導性基体であって、この
基体は上平面部2aとこの上平面部2aに対して45度
の角度をなす傾斜部2bを有する。
1 and 2, reference numeral 1 denotes an optical recording medium composed of an optical disk such as a compact disk. 2 is n +
A conductive semiconductor material such as silicon (Si) or a conductive metal such as copper, which is a good heat conductive base, which is formed by an upper plane 2a and an angle of 45 degrees with respect to the upper plane 2a. And an inclined portion 2b.

【0017】3は前記上平面部2a上にダイボンドされ
基体2と電気的に接続された半導体レーザ素子(レーザ
・ダイオード)載置用導電性ヒートシンクとしてのn+
型Si半導体基板である。
Reference numeral 3 denotes an n + as a conductive heat sink for mounting a semiconductor laser device (laser diode) die-bonded on the upper plane portion 2a and electrically connected to the substrate 2.
Type Si semiconductor substrate.

【0018】4は前記半導体基板3の一端側表面部上に
図示しない電極側とダイボンドされ該基板3と電気的に
接続された上面に図示しない他の電極を備えた半導体レ
ーザ素子であって、その前端面が前記傾斜部2bに対向
するように配置されている。この素子4は前記表面部と
平行に延在する図示しない活性領域でレーザビームが発
生し、素子4の前端面側から光記録媒体信号検出用のレ
ーザビーム(レーザ光)を出力する。
Reference numeral 4 denotes a semiconductor laser device having another electrode (not shown) on the upper surface which is die-bonded to an electrode (not shown) on one end surface of the semiconductor substrate 3 and is electrically connected to the substrate 3; The front end face is arranged so as to face the inclined portion 2b. The element 4 generates a laser beam in an active area (not shown) extending in parallel with the surface portion, and outputs a laser beam (laser light) for detecting an optical recording medium signal from the front end face side of the element 4.

【0019】5は光記録媒体1から戻ってきた帰還ビー
ム(反射光)を検出してトラッキング・サーボ、フォー
カシング・サーボ及び再生を行うためのPIN型フォト
ダイオード等からなる信号検出用光検出素子(信号検出
用光検出部)であって、前記帰還ビーム以外のビームが
検出素子5に入らない前記基体2の上平面部2a上に図
示しない電極側とダイボンドされ基板2と電気的に接続
されている。
Reference numeral 5 denotes a signal detecting light detecting element (such as a PIN type photodiode) for detecting a return beam (reflected light) returned from the optical recording medium 1 and performing tracking servo, focusing servo and reproduction. A signal detecting light detecting unit), which is die-bonded to an electrode side (not shown) on the upper flat surface 2a of the base 2 where a beam other than the return beam does not enter the detecting element 5 and is electrically connected to the substrate 2. I have.

【0020】図3にも示すように、6は前記傾斜部2b
に固定された反射型ホログラム素子(反射型3分割用回
折格子)である。この素子6は、n+型Siからなる半
導体基板7aと、該基板7a上に形成されたn-型Si
からなる半導体層7bと、から構成された半導体基体7
からなる。この半導体層7bの中央表面部には、該表面
部に設けられた等間隔のグレティング(凹凸)と、該グ
レーティング上に設けられた金又はアルミニウム等の図
示しない反射膜、望ましくは全反射膜で構成されるホロ
グラム面(反射型3分割用回折格子面)8が設けられて
いる。このホログラム面8の周囲の半導体層7bの表面
部にはp型Siからなる半導体層9が拡散により選択的
に形成されて、n+型半導体基板7a、n-型半導体層7
b及びp型半導体層9によりモニター用のPIN型フォ
トダイオード10が構成されている。11aは前記フォ
トダイオード10用の0.3〜2μm厚の金等からなる
表側電極であって、該フォトダイオード10の周囲の半
導体層7b上に形成された0.2μm厚のSiO2から
なる絶縁膜12上に亘って形成されている。11bは基
板7aの裏面に形成された前記フォトダイオード10用
の0.3〜2μm厚の金等からなる裏側電極であって、
前記傾斜部2bに銀ペースト等の導電性接着材を介して
固着されている。
As shown in FIG. 3, reference numeral 6 denotes the inclined portion 2b.
Is a reflection type hologram element (reflection type diffraction grating for three divisions). The element 6 includes a semiconductor substrate 7a made of n + -type Si and an n -- type Si formed on the substrate 7a.
Semiconductor layer 7b composed of:
Consists of On the central surface of the semiconductor layer 7b, equally spaced gratings (irregularities) provided on the surface, and a reflection film (not shown) made of gold or aluminum provided on the grating, preferably a total reflection film (Hologram surface for reflection-type three-division grating) 8 is provided. A semiconductor layer 9 made of p-type Si is selectively formed on the surface of the semiconductor layer 7b around the hologram surface 8 by diffusion, and the n + -type semiconductor substrate 7a and the n -type semiconductor layer 7 are formed.
The PIN photodiode 10 for monitoring is constituted by the b and p-type semiconductor layers 9. 11a is a front electrode made of gold or the like of 0.3~2μm thick for the photodiode 10, the insulating made of 0.2 [mu] m SiO 2 having a thickness formed on the periphery of the semiconductor layer 7b of the photodiode 10 It is formed over the film 12. Reference numeral 11b denotes a back-side electrode made of gold or the like having a thickness of 0.3 to 2 μm for the photodiode 10 formed on the back surface of the substrate 7a,
It is fixed to the inclined portion 2b via a conductive adhesive such as silver paste.

【0021】前記半導体レーザ素子4の前端面から出力
されたレーザビームは、該半導体レーザ素子4に対向配
置された上記反射型ホログラム素子6に入射される。半
導体レーザ素子から出力されるレーザビームは広がり角
及び径中心の強度が強く周辺部に行くほど強度が弱い分
布(一般にはガウス分布強度)を持って進行するので、
レーザビームのうちその強度が強い径中心部を少なくと
も上記反射型ホログラム素子6のホログラム面8に入射
し、該レーザビームのうち強度の弱い径周辺部を前記フ
ォトダイオード10に入射する。
The laser beam output from the front end face of the semiconductor laser element 4 is incident on the reflection type hologram element 6 arranged opposite to the semiconductor laser element 4. Since the laser beam output from the semiconductor laser element has a distribution (in general, a Gaussian distribution intensity) in which the intensity of the divergence angle and the center of the diameter is high and the intensity is weaker toward the periphery,
A central portion of the laser beam having a large intensity is incident on at least the hologram surface 8 of the reflection hologram element 6, and a peripheral portion of the laser beam having a small intensity is incident on the photodiode 10.

【0022】前記ホログラム面8は、入射した径中心部
のレーザビームを0次、±1次回折のビーム(以下、こ
の0次ビームを主ビーム、+1次ビームを副ビームX、
−1次ビームを副ビームYと呼ぶ)に分割すると共に上
方に反射する。
The hologram surface 8 converts the incident laser beam at the center of the diameter into a 0th-order, ± 1st-order diffraction beam (hereinafter, the 0th-order beam is a main beam, the + 1st-order beam is a sub-beam X,
(A primary beam is referred to as a sub-beam Y) and is reflected upward.

【0023】一方、前記フォトダイオード10は、入射
した径周辺部のレーザビームを光電変換し、該光電変換
された信号は図示しないAPC駆動回路に送られて、該
回路により前記半導体レーザ4の前端面から出力される
レーザビームが一定に制御される。
On the other hand, the photodiode 10 photoelectrically converts the incident laser beam at the peripheral portion thereof, and the photoelectrically converted signal is sent to an APC driving circuit (not shown). The laser beam output from the surface is controlled to be constant.

【0024】13は前記反射型ホログラム素子6の上方
に設けられた透過型(透光型)ホログラム素子であっ
て、本参考例ではガラス等からなる透光性基板と、該基
板上面に形成されたグレーティングのピッチが漸次的に
変化してなる曲線群からなる。この素子13は前記0
次、±1次のビーム(主ビーム及び副ビームX、Y)を
透過(0次回折)し、また光記録媒体1から反射して戻
ってきたこれら0次、±1次の帰還ビーム(主ビーム及
び副ビームX、Y)を1次(又は−1次)で回折して前
記反射型ホログラム素子6の側方に位置する光検出素子
5の光検出部へ収束(集光)させる。
Reference numeral 13 denotes a transmission type (light transmission type) hologram element provided above the reflection type hologram element 6. In this embodiment, a light transmission substrate made of glass or the like and a top surface formed on the substrate are formed. And a curve group in which the pitch of the grating is gradually changed. This element 13 is
Next, ± 1 order beams (main beam and sub beams X and Y) are transmitted (zero order diffraction), and these 0 order and ± 1 order return beams (primary and primary beams) reflected and returned from the optical recording medium 1 are returned. The beam and the sub-beams X and Y) are diffracted in the first order (or −1 order) and converged (condensed) on the light detecting portion of the light detecting element 5 located on the side of the reflective hologram element 6.

【0025】尚、この透過型ホログラム素子13は、こ
の素子13で+1次(又は−1次)で回折された帰還ビ
ームがその光軸を入射ビームの光軸に対して斜めに変換
すると共に、ビーム進行方向と直交する一方向とこの一
方向と直交する方向で焦点距離が異なるように集光する
(非点収差)作用を及ぼす。即ち、この透過型ホログラ
ム素子13は、ビームスプリッタ、集光レンス及びシリ
ンドリカルレンズの機能を合わせもつ。
In the transmission type hologram element 13, the feedback beam diffracted by +1 order (or -1 order) by the element 13 converts its optical axis obliquely with respect to the optical axis of the incident beam. Light is condensed (astigmatism) so that the focal length is different between one direction orthogonal to the beam traveling direction and a direction orthogonal to the one direction. That is, the transmission hologram element 13 has the functions of a beam splitter, a converging lens, and a cylindrical lens.

【0026】14は前記透過型ホログラム素子13の上
方に設けられ該ホログラム素子13を透過(0次回折)
した前記0次、±1次のビーム(主ビーム及び副ビーム
X、Y)を光記録媒体1の表面に収束して、それぞれ主
ビームスポットと該主ビームスポットの両側に副ビーム
スポットX、副ビームスポットYを形成するための収束
光学系としての対物レンズである。ここで、光ピックア
ップ装置の光学系は、主スポットが再生しようとするト
ラックを走査し、副スポットX、Yが主スポットの両側
を前記トラックに僅かにかかって走査するように調整配
置されている。
A numeral 14 is provided above the transmission type hologram element 13 and transmits through the hologram element 13 (zero-order diffraction).
The 0-order and ± 1st-order beams (main beam and sub-beams X and Y) converge on the surface of the optical recording medium 1, and the main beam spot and the sub-beam spots X and Y on both sides of the main beam spot, respectively. This is an objective lens as a converging optical system for forming a beam spot Y. Here, the optical system of the optical pickup device is arranged so that the main spot scans the track to be reproduced, and the sub-spots X and Y scan both sides of the main spot slightly over the track. .

【0027】前記図2に示すように、本実施例の光検出
素子5は、非点収差法を用いたフォーカシングサーボを
行うための中心部に4分割された光検出部5aと、これ
らの両側に設けられた3ビーム法を用いたトラッキング
サーボを行うための光検出部5b、5bからなり、この
4分割された光検出部5aの中心にはホログラム素子1
3で1次(又は−1次)回折された主ビームが入射し、
光検出部5b、5bにはそれぞれ同様に1次(又は−1
次)回折された副ビームX、Yが入射する従来周知の構
成である。これら検出部の検出信号は図示しない演算回
路に送られ、フォーカスエラー(FE)信号、トラッキ
ングエラー(TE)信号、及び再生信号が算出される。
As shown in FIG. 2, the light detecting element 5 of the present embodiment has a light detecting section 5a divided into four parts at the center for performing a focusing servo using the astigmatism method, and both sides thereof. And a photodetector 5b for performing tracking servo using the three-beam method provided at the center of the hologram element 1 at the center of the four divided photodetectors 5a.
The primary beam diffracted by the first (or −1) order at 3 enters,
Similarly, the primary (or -1) light detectors 5b and 5b are respectively provided.
Next, a conventionally well-known configuration in which diffracted sub beams X and Y are incident. The detection signals of these detection units are sent to an arithmetic circuit (not shown), and a focus error (FE) signal, a tracking error (TE) signal, and a reproduction signal are calculated.

【0028】斯る光ピックアップ装置における再生、ト
ラッキング・サーボ及びフォーカシング・サーボ等は次
のように行われる。
The reproduction, tracking servo, focusing servo, and the like in such an optical pickup device are performed as follows.

【0029】前記半導体レーザ素子4の前端面側から出
力されたレーザビームは、そのビームの強度の弱い径周
辺部がフォトダイオード10で受光され、この受光量に
応じた信号に基づいて図示しないAPC回路にてレーザ
ビームが一定に制御される。一方、光強度の強い中心部
が反射型ホログラム面8で0次、±1次の回折ビーム
(主ビーム及び副ビームX、Y)に分割されると共に、
直角上方に反射される。この上方に反射された主ビーム
及び副ビームX、Yは前記透過型ホログラム素子13の
一方から入射する。その後、この素子13で0次回折
(透過)した前記主ビーム及び副ビームX、Yは対物レ
ンズ14により光記録媒体1上に前述した主ビームスポ
ット、副ビームスポットX、Yとして収束(集光)され
る。これら主スポット、副スポットX、Yからの情報信
号を含んだ帰還ビーム(主ビーム及び副ビームX、Y)
は対物レンズ14を通った後、透過型フォログラム素子
13で1次(又は−1次)で回折され、主ビームは光検
出素子5の光検出部5aに入射され、副ビームX、Yは
それぞれ光検出部5b、5bに入射される。そして、光
検出素子5で得られた信号が図示しない上記演算回路で
演算処理され、再生信号、FE信号及びTE信号を得ら
れる。このFE信号及びTE信号に基づいて対物レンズ
14が図示しない駆動機構により駆動されてトラッキン
グ・サーボ、フォーカシング・サーボが行われる。
The laser beam output from the front end face side of the semiconductor laser element 4 is received by the photodiode 10 at the peripheral portion where the beam intensity is weak, and an APC (not shown) is performed based on a signal corresponding to the amount of received light. The laser beam is controlled to be constant by the circuit. On the other hand, a central portion having a high light intensity is divided into 0th-order and ± 1st-order diffracted beams (main beam and sub-beams X and Y) on the reflection hologram surface 8.
Reflected upward at right angles. The main beam and the sub beams X and Y reflected upward are incident from one of the transmission hologram elements 13. After that, the main beam and the sub-beams X and Y diffracted (transmitted) by the 0th order by the element 13 are converged (condensed) on the optical recording medium 1 by the objective lens 14 as the main beam spot and the sub-beam spots X and Y described above. ) Is done. Return beams (main beam and sub-beams X and Y) containing information signals from these main spots and sub-spots X and Y
After passing through the objective lens 14, is diffracted in the first order (or -1st order) by the transmission hologram element 13, the main beam is incident on the light detecting portion 5a of the light detecting element 5, and the sub beams X and Y are respectively The light is incident on the light detectors 5b and 5b. Then, the signal obtained by the photodetector 5 is subjected to arithmetic processing by the above-mentioned arithmetic circuit (not shown) to obtain a reproduced signal, an FE signal, and a TE signal. Based on the FE signal and the TE signal, the objective lens 14 is driven by a driving mechanism (not shown) to perform tracking servo and focusing servo.

【0030】斯る光ピックアップ装置では、反射型ホロ
グラム素子6がその半導体基体7の表面部に半導体レー
ザ素子4からのレーザビームの出力を一定に制御するた
めに該レーザビームをモニターするモニター用フォトダ
イオード10及びホログラム面8が形成されているの
で、光記録媒体1に収束照射する側のレーザビームをビ
ームスプリッタ等の光学素子を用いることもなく直接検
出することができると共に、反射型ホログラム素子6に
よって半導体レーザ素子4から光記録媒体1までの光路
が屈折される。従って、レーザビームの出力を精度よく
一定に制御できると共に、小型化及び薄型化が図れる。
In such an optical pickup device, the reflection type hologram element 6 is provided on the surface of the semiconductor substrate 7 for monitoring the laser beam in order to control the output of the laser beam from the semiconductor laser element 4 at a constant level. Since the diode 10 and the hologram surface 8 are formed, the laser beam on the side converging and irradiating the optical recording medium 1 can be directly detected without using an optical element such as a beam splitter. Thereby, the optical path from the semiconductor laser element 4 to the optical recording medium 1 is refracted. Therefore, the output of the laser beam can be accurately and constantly controlled, and the size and thickness can be reduced.

【0031】特に、前記フォトダイオード10は、ホロ
グラム面8の周囲に形成されているので、レーザビーム
の強度が弱い径周辺部がフォトダイオード10で検出で
きると共に、光強度の強いレーザビームの径中心部はホ
ログラム面8で反射され、この強度の強い反射光を光記
録媒体1に収束できる。従って、光記録媒体1へのレー
ザビーム強度の低減を抑制した状態(S/Nが良好な状
態)で光記録媒体1に収束照射する側のレーザビームの
強度を直接検出することができる。
In particular, since the photodiode 10 is formed around the hologram surface 8, the peripheral portion where the laser beam intensity is weak can be detected by the photodiode 10, and the radial center of the laser beam having high light intensity can be detected. The portion is reflected by the hologram surface 8, and this strong reflected light can be converged on the optical recording medium 1. Therefore, the intensity of the laser beam on the side that converges and irradiates the optical recording medium 1 can be directly detected in a state where the reduction of the intensity of the laser beam to the optical recording medium 1 is suppressed (in a state where the S / N is good).

【0032】更に、光記録媒体1から反射型ホログラム
素子6への戻り光は、ホログラム面8に入射してもフォ
トダイオード10に入射しないので、戻り光によるフォ
トダイオード10の感度低下が起こらない。
Further, since the return light from the optical recording medium 1 to the reflection type hologram element 6 does not enter the photodiode 10 even if it enters the hologram surface 8, the sensitivity of the photodiode 10 does not decrease due to the return light.

【0033】また、半導体レーザ素子4と信号検出用光
検出素子5は、同一の上平面部2a上に設けられている
ので、これら素子へのワイヤボンディングが容易であ
る。
Further, since the semiconductor laser element 4 and the signal detecting light detecting element 5 are provided on the same upper plane portion 2a, wire bonding to these elements is easy.

【0034】次に、本発明の第1実施例に係る光ピック
アップ装置を図面を参照しつつ説明する。図4は本実施
例の3ビーム法によるトラッキング・サーボが行える光
ピックアップ装置の概略構成図、図5は本実施例装置の
反射型ホログラム素子(反射型3分割用回折格子)の概
略断面図である。なお、参考例と異なる点は、反射型ホ
ログラム素子がフォトダイオード上にホログラム面を有
し、このホログラム面はその表面に半反射膜(半透過
膜:所謂ハーフミラー膜で、入射光の一部を透過し、一
部を反射する膜)を備えた点であり、参考例と同一部分
又は対応する部分には同一符号を付してその説明は割愛
する。
Next, an optical pickup device according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 4 is a schematic configuration diagram of an optical pickup device capable of performing tracking servo by the three-beam method of the present embodiment, and FIG. 5 is a schematic cross-sectional view of a reflection type hologram element (reflection type three-division diffraction grating) of the device of the present embodiment. is there. The difference from the reference example is that the reflection hologram element has a hologram surface on the photodiode, and this hologram surface is a semi-reflective film (semi-transmissive film: a so-called half mirror film), and a part of the incident light. (A film that transmits light and partially reflects light), the same reference numerals are given to the same or corresponding parts as in the reference example, and description thereof will be omitted.

【0035】図4中、26は傾斜部2bに固定された反
射型ホログラム素子(反射型3分割用回折格子)であ
る。図5に示すように、この素子26は、n+型Siか
らなる半導体基板27aと該基板27a上に形成された
-型Siからなる半導体層27bからなる半導体基体
27からなり、半導体層27bの中央表面部にはp型S
iからなる半導体層29が選択的に拡散により形成され
て、n+型半導体基板27a、n-型半導体層27b及び
p型半導体層29によりモニター用のPIN型フォトダ
イオード30が構成されている。28は前記フォトダイ
オード30を構成するp型半導体層29の表面部に形成
された等間隔のグレティング(凹凸)28aと該グレー
ティング28a上に形成されてなる300Å厚以下の金
等からなる導電性半反射膜(導電性ハーフミラー膜)2
8bとで構成されるホログラム面(反射型3分割用回折
格子面)である。前記導電性半反射膜28bは前記フォ
トダイオード30の表側電極を兼ねる。また、31は前
記基板27aの裏面に形成された金等からなる前記フォ
トダイオード30の裏側電極である。
In FIG. 4, reference numeral 26 denotes a reflection type hologram element (reflection type diffraction grating for three divisions) fixed to the inclined portion 2b. As shown in FIG. 5, the element 26 includes a semiconductor substrate 27a made of n + -type Si and a semiconductor substrate 27 made of a semiconductor layer 27b made of n -- type Si formed on the substrate 27a. P-type S on the central surface
A semiconductor layer 29 made of i is selectively formed by diffusion, and a PIN photodiode 30 for monitoring is constituted by the n + type semiconductor substrate 27a, the n type semiconductor layer 27b and the p type semiconductor layer 29. Numeral 28 denotes equally spaced gratings (apertures) 28a formed on the surface of the p-type semiconductor layer 29 constituting the photodiode 30 and a conductive material made of gold or the like having a thickness of 300 mm or less formed on the grating 28a. Semi-reflective film (conductive half mirror film) 2
8b (reflection type diffraction grating surface for three-division). The conductive semi-reflective film 28b also functions as a front electrode of the photodiode 30. Reference numeral 31 denotes a back electrode of the photodiode 30 made of gold or the like formed on the back surface of the substrate 27a.

【0036】斯る光ピックアップ装置では、前記半導体
レーザ素子4の前端面側から出力されたレーザビームの
うち少なくとも光強度の強い径中心部が、反射型ホログ
ラム面28を一部透過してフォトダイード30で受光さ
れ、この受光量応じた信号に基づいて図示しないAPC
回路にてレーザビームが一定に制御されると共に、他の
一部が反射型ホログラム面28で0次、±1次の回折ビ
ーム(主ビーム及び副ビームX、Y)を含む複数のビー
ムに分割されると共に、直角上方に反射される。この上
方に反射された0次、±1次の回折ビーム(主ビーム及
び副ビームX、Y)は参考例の装置と同様に機能するの
で、参考例と同様のトラッキングサーボ、フォーカシン
グサーボ、及び再生が行われる。
In such an optical pickup device, at least the central portion of the laser beam output from the front end face side of the semiconductor laser element 4 where the light intensity is strong is partially transmitted through the reflection type hologram surface 28 and the photodiode 30 is transmitted. APC (not shown) based on a signal corresponding to the amount of received light.
The laser beam is controlled to be constant by the circuit, and another part is divided into a plurality of beams including the 0th-order and ± 1st-order diffracted beams (main beam and sub-beams X and Y) on the reflection type hologram surface 28. And is reflected upward at right angles. 0-order reflected in the upward, ± 1-order diffracted beam (main beam and sub-beams X, Y) so that functions similarly to the device of the reference example, the same tracking servo and reference examples, the focusing servo, and playback Is performed.

【0037】この装置では、ホログラム面28はフォト
ダイオード30上にあり、且つホログラム面28に入射
したレーザビームの一部を透過するので、光強度の強い
レーザビームの径中心部を検出できる。従って、半導体
レーザ素子には個体差に基づくビーム強度分布の違いが
あり、強度の弱い径周辺部を用いる参考例では、半導体
レーザ素子によってはフォトダイオードの検出信号強度
にバラッキが生じる虞れがあるが、本実施例ではそのよ
うな問題は起こらない。
In this apparatus, since the hologram surface 28 is on the photodiode 30 and transmits a part of the laser beam incident on the hologram surface 28, the center of the diameter of the laser beam having high light intensity can be detected. Therefore, the semiconductor laser element has a difference in beam intensity distribution based on individual differences, and in the reference example using a weak peripheral portion, the detection signal intensity of the photodiode may vary depending on the semiconductor laser element. However, such a problem does not occur in the present embodiment.

【0038】また、上記ホログラム面28の表面は導電
性材料からなり、フォトダイオード30の電極を兼ね
る。従って、このフォトダイオード30にフォトンが入
射して該フォトダイオード30内部で電子正孔対が発生
した場所から表側電極としての半反射膜28bまでの距
離が短いので、この電子及び正孔は散乱を受けることが
少なくなる(インピーダンスが小さくなる)。従って、
斯るフォトダイオード30は受光面の端に電極が設けら
れたフォトダイオードに比べて高速応答となる。加え
て、フォトダイオード30と電極としての半反射膜28
bとのオーミック接触の面積が大きいので、低抵抗とな
る。
The surface of the hologram surface 28 is made of a conductive material and also serves as an electrode of the photodiode 30. Accordingly, since the distance from the position where electron-hole pairs are generated inside the photodiode 30 by the incidence of photons to the photodiode 30 to the semi-reflective film 28b as the front electrode is short, the electrons and holes scatter. (Less impedance). Therefore,
Such a photodiode 30 has a faster response than a photodiode in which an electrode is provided at the end of the light receiving surface. In addition, the photodiode 30 and the semi-reflective film 28 as an electrode
Since the area of the ohmic contact with b is large, the resistance is low.

【0039】しかしながら、本実施例の場合、光記録媒
体1から反射型ホログラム素子26への戻り光がフォト
ダイオード30に入射されるので、参考例の場合に比べ
てフォトダイオードの感度が低下する。
However, in the case of the present embodiment, since the return light from the optical recording medium 1 to the reflection type hologram element 26 is incident on the photodiode 30, the sensitivity of the photodiode is lower than in the case of the reference example .

【0040】従って、本実施例の場合には、APC駆動
回路の応答速度(周波数特性)は、光記録媒体の情報検
出回路の応答速度よりも1桁程度遅くする必要がある。
このように、APC回路の応答速度を上述程度遅くして
もそれほどS/N等が低下することはない。
Therefore, in the case of this embodiment, the response speed (frequency characteristic) of the APC drive circuit needs to be lower by about one digit than the response speed of the information detection circuit of the optical recording medium.
As described above, even if the response speed of the APC circuit is reduced as described above, the S / N and the like do not decrease so much.

【0041】または、前記フォトダイオード30には斜
めに戻り光が入射するので、前記凹凸の凹部の底面を除
いた該凹凸上の半反射膜28b上にAu等を更に被着し
この部分を全反射とすることにより、即ち、前記凹凸の
うち凹部の底面上には半反射膜を、その他の凹凸上は全
反射膜とすることにより、フォトダイオード30に戻り
光が入らないようにする必要がある。
Alternatively, since the returning light is obliquely incident on the photodiode 30, Au or the like is further applied on the semi-reflective film 28b on the unevenness except for the bottom surface of the unevenness, and this portion is entirely covered. It is necessary to prevent light from returning to the photodiode 30 by reflecting the light, that is, by forming a semi-reflective film on the bottom surface of the concave portion of the concave and convex portions and a total reflective film on the other concave and convex portions. is there.

【0042】次に、本発明の第2実施例に係る光ピック
アップ装置を図面を参照しつつ説明する。図6は本実施
例の3ビーム法によるトラッキング・サーボが行える光
ピックアップ装置の概略構成図である。参考例及び第1
実施例と同一部分又は対応する部分には同一符号を付し
てその説明は割愛する。
Next, an optical pickup device according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 6 is a schematic configuration diagram of an optical pickup device capable of performing tracking servo by the three-beam method according to the present embodiment. Reference example and first
The same reference numerals are given to the same portions as those of the embodiment or corresponding portions, and the description is omitted.

【0043】図6中、33は半導体レーザ素子4の前端
面に対向して設置された透過型ホログラム素子(透過型
3分割用回折格子)で、レーザ素子4から出力されたレ
ーザビームを0次、±1次の回折ビーム(主ビーム及び
副ビームX、Y)に分割する。
In FIG. 6, reference numeral 33 denotes a transmission type hologram element (transmission type three-division diffraction grating) provided opposite to the front end face of the semiconductor laser element 4, and converts the laser beam output from the laser element 4 into a zero-order laser beam. , ± 1st-order diffracted beams (main beam and sub-beams X and Y).

【0044】36は前記分割した0次、±1次の回折ビ
ームを略直角に0次で反射し、この反射した0次、±1
次の回折ビームを参考例、第1実施例と同様に対物レン
ズ14を介して光記録媒体1に主ビームスポット、副ビ
ームスポットX、Yとして集光し、この光記録媒体1か
らの帰還する前記0次、±1次の回折ビームを1次(又
は−1次)で回折して検出素子5に入射するための反射
型ホログラム素子である。
Numeral 36 reflects the 0th-order and ± 1st-order diffracted beams, which are substantially perpendicular to the 0th-order, and the reflected 0th-order and ± 1st-order diffraction beams.
The next diffracted beam is condensed on the optical recording medium 1 via the objective lens 14 as a main beam spot and sub beam spots X and Y through the objective lens 14 as in the reference example and the first embodiment, and is returned from the optical recording medium 1. This is a reflection hologram element for diffracting the 0-order and ± 1st-order diffracted beams in the first order (or the -1st order) to enter the detection element 5.

【0045】前記反射型ホログラム素子36は、前述し
参考例又は第1実施例で示した反射型ホログラム素子
6又は26と同じ構成であって、参考例又は第1実施例
と同じ効果を有する。このように、フォトダイオードを
内蔵する反射型フォログラム素子は、3分割用回折格子
に限るものではない。
[0045] The reflection hologram element 36 has the same configuration as the reflection type holographic optical element 6 or 26 shown in Reference Example or the first embodiment described above has the same effect as in Reference Example or the first embodiment. As described above, the reflection hologram element including the photodiode is not limited to the three-division diffraction grating.

【0046】上述の参考例及び各実施例では、レーザビ
ームを出力する半導体レーザ素子と、この半導体レーザ
素子に対向配置されレーザビームを反射するホログラム
面を備えた半導体基体からなる反射型ホログラム素子
と、このホログラム面からのレーザビームを光記録媒体
に収束する収束光学系と、を備え、半導体基体の表面部
には、半導体レーザ素子からのレーザビームの出力を一
定に制御するためにレーザビームをモニターするモニタ
ー用フォトダイオード及びホログラム面が形成されてい
るので、この反射型ホログラム素子を有する光ピックア
ップ装置の構成部品が少なく、またフォトダイオードと
ホログラム面は従来周知の半導体技術等により高精度に
配置できる。
In the above-mentioned reference examples and the respective embodiments, the reflection type hologram element comprising a semiconductor laser element for outputting a laser beam and a semiconductor substrate provided opposite to the semiconductor laser element and having a hologram surface for reflecting the laser beam is provided. A converging optical system that converges the laser beam from the hologram surface onto the optical recording medium, and a laser beam is applied to the surface of the semiconductor substrate in order to control the output of the laser beam from the semiconductor laser element to be constant. Since the monitoring photodiode and the hologram surface to be monitored are formed, the number of components of the optical pickup device having the reflection type hologram element is small, and the photodiode and the hologram surface are arranged with high precision by a conventionally known semiconductor technology or the like. it can.

【0047】[0047]

【発明の効果】本発明によれば、反射型ホログラム素子
はモニター用フォトダイオード及びホログラム面を有す
るので、光記録媒体に照射する側のレーザビームをビー
ムスプリッタ等の光学素子を用いることもなく直接検出
することができると共に、ホログラム面によって半導体
レーザ素子から光記録媒体までの光路が屈折される。従
って、光記録媒体に照射する側のレーザビームの出力を
精度よく一定に制御できると共に、小型化及び薄型化が
図れる。
According to the present invention, since the reflection type hologram element has the monitoring photodiode and the hologram surface, the laser beam on the side of irradiating the optical recording medium is directly used without using an optical element such as a beam splitter. The optical path from the semiconductor laser element to the optical recording medium is refracted by the hologram surface while being detected. Therefore, the output of the laser beam that irradiates the optical recording medium can be accurately and constantly controlled, and the size and thickness can be reduced.

【0048】また、前記ホログラム面が、フォトダイオ
ード上にあり、且つ該ホログラム面に入射したレーザビ
ームの一部を透過すると共に該レーザビームの他の一部
を反射する場合、光強度の強いレーザビームの径中心部
における光強度を検出できるので、各半導体レーザ素子
の個体差に基づくビーム強度分布の違いがあってもフォ
トダイオードの検出出力にバラツキが生じない。更に、
このホログラム面の表面が導電性材料からなり、フォト
ダイオードの電極を兼ねる場合、このフォトダイオード
にフォトンが入射して該フォトダイオード内部で電子正
孔対が発生してなる場所から電極までの距離が短いの
で、この電子及び正孔は散乱を受けることが少なくなる
(インピーダンスが小さくなる)。従って、斯るフォト
ダイオードは受光面の端に電極が設けられたフォトダイ
オードに比べて高速応答となる。加えて、フォトダイオ
ードと電極のオーミック接触の面積が大きくなるので、
低抵抗となって低消費電力化が図れる。
In the case where the hologram surface is on a photodiode and transmits a part of the laser beam incident on the hologram surface and reflects another part of the laser beam, a laser having a high light intensity is used. Since the light intensity at the center of the beam diameter can be detected, the detection output of the photodiode does not vary even if there is a difference in the beam intensity distribution based on the individual difference of each semiconductor laser element. Furthermore,
When the surface of the hologram surface is made of a conductive material and also serves as an electrode of a photodiode, the distance from the position where a photon is incident on the photodiode and electron-hole pairs are generated inside the photodiode to the electrode is reduced. Because they are short, the electrons and holes are less scattered (impedance is lower). Therefore, such a photodiode has a faster response than a photodiode in which an electrode is provided at the end of the light receiving surface. In addition, the area of ohmic contact between the photodiode and the electrode increases,
Low resistance reduces power consumption.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の参考例に係る光ピックアップ装置の概
略構成図である。
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of an optical pickup device according to a reference example of the present invention.

【図2】前記参考例装置の概略要部斜視図である。FIG. 2 is a schematic perspective view of a principal part of the reference example device.

【図3】前記参考例装置の反射型ホログラム素子を示す
図である。
FIG. 3 is a view showing a reflection type hologram element of the reference example device.

【図4】本発明の第1実施例に係る光ピックアップ装置
の概略構成図である。
FIG. 4 is a schematic configuration diagram of an optical pickup device according to a first embodiment of the present invention.

【図5】前記実施例装置の反射型ホログラム素子を示す
概略断面図である。
FIG. 5 is a schematic sectional view showing a reflection type hologram element of the apparatus of the embodiment.

【図6】本発明の第2実施例に係る光ピックアップ装置
の概略構成図である。
FIG. 6 is a schematic configuration diagram of an optical pickup device according to a second embodiment of the present invention.

【図7】従来の光ピックアップ装置の概略構成図であ
る。
FIG. 7 is a schematic configuration diagram of a conventional optical pickup device.
You.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 光記録媒体 4 半導体レーザ素子 6 反射型ホログラム素子 8 反射型ホログラム面 10 モニター用フォトダイオード 26 反射型ホログラム素子 28 反射型ホログラム面 36 反射型ホログラム素子 REFERENCE SIGNS LIST 1 optical recording medium 4 semiconductor laser element 6 reflection hologram element 8 reflection hologram surface 10 monitoring photodiode 26 reflection hologram element 28 reflection hologram surface 36 reflection hologram element

フロントページの続き (72)発明者 山口 隆夫 大阪府守口市京阪本通2丁目5番5号 三洋電機株式会社内 (56)参考文献 特開 平5−304313(JP,A) 特開 平1−253983(JP,A) 特開 平4−89638(JP,A) 特開 平5−342617(JP,A) 特開 平5−243682(JP,A) 特開 平1−175280(JP,A) 特開 平1−270382(JP,A) 特開 平5−327131(JP,A) 実開 平3−124674(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G11B 7/12 - 7/22 H01L 31/00 - 31/02 H01L 31/08,31/10 G02B 5/18,5/30,5/32 Continuation of front page (72) Inventor Takao Yamaguchi 2-5-5 Keihanhondori, Moriguchi-shi, Osaka Sanyo Electric Co., Ltd. (56) References JP-A-5-304313 (JP, A) JP-A-1- 253983 (JP, A) JP-A-4-89638 (JP, A) JP-A-5-342617 (JP, A) JP-A-5-243682 (JP, A) JP-A-1-175280 (JP, A) JP-A-1-270382 (JP, A) JP-A-5-327131 (JP, A) JP-A-3-124674 (JP, U) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) G11B 7/12-7/22 H01L 31/00-31/02 H01L 31 / 08,31 / 10 G02B 5 / 18,5 / 30,5 / 32

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 レーザビームを出力する半導体レーザ素
子と、該半導体レーザ素子に対向配置され、前記レーザ
ビームを反射し該反射したレーザビームを光記録媒体に
導くためのホログラム面を有する反射型ホログラム素子
と、を備えた光ピックアップ装置であって、前記反射型
ホログラム素子は、前記半導体レーザ素子からのレーザ
ビームの出力を一定に制御するために該レーザビームを
モニターするモニター用フォトダイオードを有し、前記
ホログラム面は、前記フォトダイオード上にあり、且つ
該ホログラム面に入射したレーザビームの一部を透過す
ると共に該レーザビームの他の一部を反射し、前記ホロ
グラム面の表面は、導電性材料からなり、前記フォトダ
イオードの電極を兼ねることを特徴とする光ピックアッ
プ装置。
1. A reflection type hologram, comprising: a semiconductor laser device for outputting a laser beam; and a hologram surface arranged opposite to the semiconductor laser device, for reflecting the laser beam and guiding the reflected laser beam to an optical recording medium. An optical pickup device comprising:
The hologram element is a laser from the semiconductor laser element.
The laser beam is controlled to keep the beam output constant.
Having a monitoring photodiode for monitoring,
A hologram surface is on the photodiode, and
Part of the laser beam incident on the hologram surface is transmitted.
And reflects another part of the laser beam,
The surface of the gram surface is made of a conductive material,
An optical pickup device characterized by also serving as an electrode for an electrode .
JP03229094A 1994-03-02 1994-03-02 Optical pickup device Expired - Fee Related JP3172355B2 (en)

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