JPH07117428B2 - 薄膜センサ - Google Patents
薄膜センサInfo
- Publication number
- JPH07117428B2 JPH07117428B2 JP3333506A JP33350691A JPH07117428B2 JP H07117428 B2 JPH07117428 B2 JP H07117428B2 JP 3333506 A JP3333506 A JP 3333506A JP 33350691 A JP33350691 A JP 33350691A JP H07117428 B2 JPH07117428 B2 JP H07117428B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sensor
- thin film
- temperature
- film sensor
- temperature correction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Indication And Recording Devices For Special Purposes And Tariff Metering Devices (AREA)
- Testing Or Calibration Of Command Recording Devices (AREA)
- Measuring Instrument Details And Bridges, And Automatic Balancing Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、空調システム等の制御
に適用される薄膜センサに関する。
に適用される薄膜センサに関する。
【０００２】
【従来の技術】この種の薄膜センサは、シリコン基板上
に絶縁膜が形成されたＳi ／絶縁膜構造を有し、例えば
温度センサ、気流センサ、流量センサ、ガスセンサ、輻
射センサなどに実用化されつつある。このうち、温度セ
ンサ以外は検出原理上、温度補正が不可欠となる。従来
の温度補正法を図３および図４に示す。
に絶縁膜が形成されたＳi ／絶縁膜構造を有し、例えば
温度センサ、気流センサ、流量センサ、ガスセンサ、輻
射センサなどに実用化されつつある。このうち、温度セ
ンサ以外は検出原理上、温度補正が不可欠となる。従来
の温度補正法を図３および図４に示す。
【０００３】図３において、１３は薄膜センサである。
感度アップおよび他のセンサとの熱的な絶縁をとるため
にセンサ下部はＳi 基板１１が異方性によって取り除か
れた構造になっている。すなわち、絶縁膜１２だけを残
し、その上に薄膜センサ１３が形成された構造となって
いる。このような薄膜センサ１３は、検出原理上、ヒー
ティングされ局所加熱されている。
感度アップおよび他のセンサとの熱的な絶縁をとるため
にセンサ下部はＳi 基板１１が異方性によって取り除か
れた構造になっている。すなわち、絶縁膜１２だけを残
し、その上に薄膜センサ１３が形成された構造となって
いる。このような薄膜センサ１３は、検出原理上、ヒー
ティングされ局所加熱されている。
【０００４】ここで、図４に示すように、信号処理回路
において、薄膜センサ１３と温度補正センサ１４により
ブリッジ回路１５を構成し、温度補正を行なう。しか
し、上述したように薄膜センサ１３は局所加熱されてい
るため、薄膜センサ１３の抵抗温度係数と温度補正セン
サ１４の抵抗温度係数が異なり、完全に温度補正をする
ことができない。そこで、温度補正しきれない分を温度
センサ１７の出力と微調回路１８で補正し、その補正後
の出力を増幅回路１６にて増幅している。微調回路１８
のゲインはブリッジ回路１５の温度特性を確認後、調整
している。
において、薄膜センサ１３と温度補正センサ１４により
ブリッジ回路１５を構成し、温度補正を行なう。しか
し、上述したように薄膜センサ１３は局所加熱されてい
るため、薄膜センサ１３の抵抗温度係数と温度補正セン
サ１４の抵抗温度係数が異なり、完全に温度補正をする
ことができない。そこで、温度補正しきれない分を温度
センサ１７の出力と微調回路１８で補正し、その補正後
の出力を増幅回路１６にて増幅している。微調回路１８
のゲインはブリッジ回路１５の温度特性を確認後、調整
している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記したよ
うな従来の温度補正法では、下記の問題点があった。
うな従来の温度補正法では、下記の問題点があった。
【０００６】（１）温度補正センサをブリッジ回路で構
成しているにも拘らず、薄膜センサが感度を上げるため
に加熱されているので、温度補正部との抵抗温度係数に
差が生じ、その差分を温度センサにより微調せざる得な
く、回路が複雑となる。 （２）ブリッジ回路の温度特性を個々に確認し、微調回
路のゲインを調整する必要があるため、センサ組立に時
間がかかる。本発明は上記のような点に鑑みなされたも
ので、温度補正用の微調回路を必要とせず、構成素子を
低減した小形の薄膜センサを提供することを目的とす
る。
成しているにも拘らず、薄膜センサが感度を上げるため
に加熱されているので、温度補正部との抵抗温度係数に
差が生じ、その差分を温度センサにより微調せざる得な
く、回路が複雑となる。 （２）ブリッジ回路の温度特性を個々に確認し、微調回
路のゲインを調整する必要があるため、センサ組立に時
間がかかる。本発明は上記のような点に鑑みなされたも
ので、温度補正用の微調回路を必要とせず、構成素子を
低減した小形の薄膜センサを提供することを目的とす
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、シリコン基板
上に絶縁膜が形成された構造を有する薄膜センサにおい
て、上記絶縁膜上に薄膜センサ部および温度補正センサ
部を設け、上記薄膜センサ部と上記温度補正センサ部と
の下部の上記シリコン基板を除去したことを特徴とす
る。
上に絶縁膜が形成された構造を有する薄膜センサにおい
て、上記絶縁膜上に薄膜センサ部および温度補正センサ
部を設け、上記薄膜センサ部と上記温度補正センサ部と
の下部の上記シリコン基板を除去したことを特徴とす
る。
【０００８】
【作用】上記のような構造によれば、薄膜センサ部と温
度補正センサ部とが共に同じ絶縁膜上に設けられること
になる。これにより、薄膜センサと温度補正センサとの
抵抗温度係数が等しくなり、ブリッジ回路のみで温度補
正が可能となり、シリコン／絶縁膜上の温度センサ、信
号処理回路の微調回路が不要となる。
度補正センサ部とが共に同じ絶縁膜上に設けられること
になる。これにより、薄膜センサと温度補正センサとの
抵抗温度係数が等しくなり、ブリッジ回路のみで温度補
正が可能となり、シリコン／絶縁膜上の温度センサ、信
号処理回路の微調回路が不要となる。
【０００９】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の一実施例に係
る薄膜センサを説明する。
る薄膜センサを説明する。
【００１０】図１に本発明の薄膜センサの構成を示す。
図１において、１１はＳi （シリコン）基板であり、こ
のＳi （シリコン）基板１１上に絶縁膜１２が形成され
ている。
図１において、１１はＳi （シリコン）基板であり、こ
のＳi （シリコン）基板１１上に絶縁膜１２が形成され
ている。
【００１１】ここで、同実施例では、絶縁膜１２上に薄
膜センサ１３および温度補正センサ１４が設けられてお
り、その下部のＳi 基板１１が異方性エッチングにより
くり抜れた構造になっている。すなわち、絶縁膜１２だ
けを残し、その上に薄膜センサ１３および温度補正セン
サ１４が形成された構造となっている。この場合、絶縁
膜１２は、薄膜センサ１３のヒータ特性の向上と温度補
正センサ１４との相互の熱のリークを防止している。
膜センサ１３および温度補正センサ１４が設けられてお
り、その下部のＳi 基板１１が異方性エッチングにより
くり抜れた構造になっている。すなわち、絶縁膜１２だ
けを残し、その上に薄膜センサ１３および温度補正セン
サ１４が形成された構造となっている。この場合、絶縁
膜１２は、薄膜センサ１３のヒータ特性の向上と温度補
正センサ１４との相互の熱のリークを防止している。
【００１２】図２はブリッジ回路１５および増幅回路１
６からなるセンサの信号処理回路である。ブリッジ回路
１５の中の薄膜センサ１３および温度補正センサ１４の
抵抗値は、発熱量により温度上昇した抵抗温度係数が等
しくなるように同じ値になっている。
６からなるセンサの信号処理回路である。ブリッジ回路
１５の中の薄膜センサ１３および温度補正センサ１４の
抵抗値は、発熱量により温度上昇した抵抗温度係数が等
しくなるように同じ値になっている。
【００１３】このように、本発明の構造によれば、薄膜
センサ１３と温度補正センサ１４とが共に同じ絶縁膜１
２上に設けられることになる。これにより、薄膜センサ
１３と温度補正センサ１４との抵抗温度係数が等しくな
り、ブリッジ回路１５のみで温度補正が可能となり、従
来のような温度センサおよび微調回路が不要となる。
センサ１３と温度補正センサ１４とが共に同じ絶縁膜１
２上に設けられることになる。これにより、薄膜センサ
１３と温度補正センサ１４との抵抗温度係数が等しくな
り、ブリッジ回路１５のみで温度補正が可能となり、従
来のような温度センサおよび微調回路が不要となる。
【００１４】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、薄膜セン
サと温度補正センサとの下部のＳi 基板を除去した構造
とすることにより、Ｓi ／絶縁膜上のセンサ数および信
号処理回路の構成素子が低減され、小形になる。また、
各部品の温度特性計測後のゲイン調整が不要となり、調
整コストを大幅に低減できる。
サと温度補正センサとの下部のＳi 基板を除去した構造
とすることにより、Ｓi ／絶縁膜上のセンサ数および信
号処理回路の構成素子が低減され、小形になる。また、
各部品の温度特性計測後のゲイン調整が不要となり、調
整コストを大幅に低減できる。
【図１】本発明の一実施例に係る薄膜センサの構成を示
す図。
す図。
【図２】同実施例の信号処理回路の構成を示す図。
【図３】従来の薄膜センサの構成を示す図。
【図４】従来の信号処理回路の構成を示す図。
１１…Ｓi 基板、１２…絶縁膜、１３…薄膜センサ、１
４…温度補正センサ、１５…ブリッジ回路、１６…増幅
回路。
４…温度補正センサ、１５…ブリッジ回路、１６…増幅
回路。
Claims (1)
- 【請求項１】 シリコン基板上に絶縁膜が形成された構
造を有する薄膜センサにおいて、 上記絶縁膜上に薄膜センサ部および温度補正センサ部を
設け、上記薄膜センサ部と上記温度補正センサ部との下
部の上記シリコン基板を除去したことを特徴とする薄膜
センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3333506A JPH07117428B2 (ja) | 1991-12-17 | 1991-12-17 | 薄膜センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3333506A JPH07117428B2 (ja) | 1991-12-17 | 1991-12-17 | 薄膜センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05164575A JPH05164575A (ja) | 1993-06-29 |
| JPH07117428B2 true JPH07117428B2 (ja) | 1995-12-18 |
Family
ID=18266812
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3333506A Expired - Lifetime JPH07117428B2 (ja) | 1991-12-17 | 1991-12-17 | 薄膜センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07117428B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5938300A (en) * | 1994-02-18 | 1999-08-17 | Tenox Corp. | Crawler-mounted slope traveling machine and shoe link for same |
| JP3655838B2 (ja) | 2001-04-27 | 2005-06-02 | 三菱電機株式会社 | 感熱式流量センサ |
| JP4205116B2 (ja) | 2006-05-15 | 2009-01-07 | 三菱電機株式会社 | 感熱式流量センサの流量検出素子 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06103287B2 (ja) * | 1987-10-07 | 1994-12-14 | シャープ株式会社 | センサ素子 |
-
1991
- 1991-12-17 JP JP3333506A patent/JPH07117428B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05164575A (ja) | 1993-06-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19970603 |