JPH07116407B2 - 半導体素子のパツシベ−シヨン方法 - Google Patents
半導体素子のパツシベ−シヨン方法Info
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- JPH07116407B2 JPH07116407B2 JP61160172A JP16017286A JPH07116407B2 JP H07116407 B2 JPH07116407 B2 JP H07116407B2 JP 61160172 A JP61160172 A JP 61160172A JP 16017286 A JP16017286 A JP 16017286A JP H07116407 B2 JPH07116407 B2 JP H07116407B2
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明はポリイミド系樹脂を用いた半導体素子のパッシ
ベーション方法に関するものである。
ベーション方法に関するものである。
［従来の技術］ 高耐圧大電流の半導体素子、たとえばパワーダイオー
ド、サイリスタのパッシベーション膜として、ガラス、
シリコーン樹脂、ポリイミド系樹脂などが知られてい
る。
ド、サイリスタのパッシベーション膜として、ガラス、
シリコーン樹脂、ポリイミド系樹脂などが知られてい
る。
ガラスは、ガスや水分を通さないので最も安定なパッシ
ベーション膜とされているが、50〜100μｍ以上厚くす
ると、半導体素子とガラスの膨張係数が異なるのでクラ
ックが発生しやすく、薄くすると素子のエッヂの部分で
放電が起りやすくなる。
ベーション膜とされているが、50〜100μｍ以上厚くす
ると、半導体素子とガラスの膨張係数が異なるのでクラ
ックが発生しやすく、薄くすると素子のエッヂの部分で
放電が起りやすくなる。
またシリコーン樹脂、例えば、シラノール基を有するポ
リシロキサンを加熱して得られるタイプのものも皮膜が
硬く、ガラスと同様の問題がある。一方、ポリイミド系
樹脂は、耐熱性、可撓性があり、パッシベーション膜と
して有望である。しかし、問題点もいくつかあり、例え
ば、湿熱の雰囲気に放置した場合、リーク電流が増加す
るなどの信頼性低下の問題がある。
リシロキサンを加熱して得られるタイプのものも皮膜が
硬く、ガラスと同様の問題がある。一方、ポリイミド系
樹脂は、耐熱性、可撓性があり、パッシベーション膜と
して有望である。しかし、問題点もいくつかあり、例え
ば、湿熱の雰囲気に放置した場合、リーク電流が増加す
るなどの信頼性低下の問題がある。
［発明が解決しようとする問題点］ 本発明は、上記問題点を解決せしめ、信頼性の高い半導
体素子のパッシベーション膜を得る方法を提供すること
を目的とする。
体素子のパッシベーション膜を得る方法を提供すること
を目的とする。
［問題点を解決するための手段］ 本発明は、 （１）半導体素子のＰ−Ｎ接合部の露出面にポリイミド
系ワニスを塗布し、かつ加熱処理するパッシベーション
方法において、前記ワニスとして A.一般式 （ただし、式中R1は３価又は４価の有機基、R2は２価の
有機基、ｍは１又は２である。）で表わされる構造単位
［Ｉ］を有するポリアミド酸と、 B.一般式 （ただし、R3,R4,R5は炭素数１〜30の炭化水素基で、R3
〜R5のいずれもその炭素に置換基、結合基を含むことが
できる。ｎは１〜３である。）で表される第３級アミン
化合物および C.一般式 （R3）nSi（OH）4-n ……［II］ （ただし、式中（R3）は１価の有機基で、ｎは1,2,3で
ある。） で表わされるシラノール化合物［II］および／またはそ
の部分縮合物、 の混合物を用いることを特徴とする半導体素子のパッシ
ベーション方法である。
系ワニスを塗布し、かつ加熱処理するパッシベーション
方法において、前記ワニスとして A.一般式 （ただし、式中R1は３価又は４価の有機基、R2は２価の
有機基、ｍは１又は２である。）で表わされる構造単位
［Ｉ］を有するポリアミド酸と、 B.一般式 （ただし、R3,R4,R5は炭素数１〜30の炭化水素基で、R3
〜R5のいずれもその炭素に置換基、結合基を含むことが
できる。ｎは１〜３である。）で表される第３級アミン
化合物および C.一般式 （R3）nSi（OH）4-n ……［II］ （ただし、式中（R3）は１価の有機基で、ｎは1,2,3で
ある。） で表わされるシラノール化合物［II］および／またはそ
の部分縮合物、 の混合物を用いることを特徴とする半導体素子のパッシ
ベーション方法である。
本発明でいう半導体素子とは、Ｐ−Ｎ接合を有し、かつ
Ｐ−Ｎ接合が露出した素子を言う。
Ｐ−Ｎ接合が露出した素子を言う。
実公昭52-5586、特公昭55-12737、特公昭57-16500に示
されたようなダイオード、特公昭60-58582に示されたよ
うなサイリスタ素子、トランジスタ素子などが例として
挙げられるが、これらに限定されない。
されたようなダイオード、特公昭60-58582に示されたよ
うなサイリスタ素子、トランジスタ素子などが例として
挙げられるが、これらに限定されない。
Ｐ−Ｎ接合の露出面は、例えばSiO2などの無機膜で覆わ
れていてもよいし、覆われていなくてもよい。通常、Si
O2で覆われているものが好ましく用いられる。
れていてもよいし、覆われていなくてもよい。通常、Si
O2で覆われているものが好ましく用いられる。
本発明における構造単位［Ｉ］を有するポリアミド酸と
は、前記一般式で示される構造を有し、加熱あるいは適
当な触媒によりイミド環や、その他の環状構造を有する
ポリマ（以後、ポリイミド系ポリマと呼ぶ）となり得る
ものである。
は、前記一般式で示される構造を有し、加熱あるいは適
当な触媒によりイミド環や、その他の環状構造を有する
ポリマ（以後、ポリイミド系ポリマと呼ぶ）となり得る
ものである。
上記構造単位［Ｉ］中、R1は少なくとも２個以上の炭素
原子を有する３価または４価の有機基である。ポリイミ
ド系ポリマの耐熱性の面から、R1はポリマ主鎖のカルボ
ニル基との結合が芳香族環あるいは芳香族複素環から直
接行なわれる構造を有するものが好ましい。従って、R1
としては、芳香環又は芳香族複素環を含有し、かつ炭素
数６〜30の３価または４価の基が好ましい。
原子を有する３価または４価の有機基である。ポリイミ
ド系ポリマの耐熱性の面から、R1はポリマ主鎖のカルボ
ニル基との結合が芳香族環あるいは芳香族複素環から直
接行なわれる構造を有するものが好ましい。従って、R1
としては、芳香環又は芳香族複素環を含有し、かつ炭素
数６〜30の３価または４価の基が好ましい。
R1のより好ましい具体的な例としては、 （式中、結合手はポリマ主鎖のカルボニル基との結合を
表わし、カルボキシル基は結合手に対してオルト位に位
置するが、この結合手は上記構造式には記載していな
い）。
表わし、カルボキシル基は結合手に対してオルト位に位
置するが、この結合手は上記構造式には記載していな
い）。
などが挙げられるが、これらに限定されない。
また構造単位［Ｉ］を有するポリマは、R1がこれらのう
ちただ１種から構成されていてもよいし、２種以上から
構成される共重合体であってもよい。
ちただ１種から構成されていてもよいし、２種以上から
構成される共重合体であってもよい。
R1として特に望ましいものは、 である（ただし式中、結合手の定義については前述と同
様である）。
様である）。
上記構造単位［Ｉ］中、R2は少なくとも２個以上の炭素
原子を有する２価の有機基であるが、ポリイミド系ポリ
マとした時の耐熱性の面から、ポリマ主鎖のアミド基と
の結合が芳香族環あるいは芳香族複素環から直接行なわ
れる構造を有するものが好ましい。従って、R2としては
芳香族環又は芳香族複素環を含有し、かつ炭素数６〜30
の２価の基が好ましい。
原子を有する２価の有機基であるが、ポリイミド系ポリ
マとした時の耐熱性の面から、ポリマ主鎖のアミド基と
の結合が芳香族環あるいは芳香族複素環から直接行なわ
れる構造を有するものが好ましい。従って、R2としては
芳香族環又は芳香族複素環を含有し、かつ炭素数６〜30
の２価の基が好ましい。
R2の好ましい具体的な例としては、 （式中、結合手は主鎖のアミド基との結合を表わす）な
どが挙げられる。また、これらがポリイミド系ポリマの
耐熱性に悪影響を与えない範囲内でアミノ基、アミド
基、カルボキシル基、スルホンアミド基などの各置換基
を有していても差し支えない。これらの各置換基を有す
るものの内で特に好ましい例として が挙げられる。
どが挙げられる。また、これらがポリイミド系ポリマの
耐熱性に悪影響を与えない範囲内でアミノ基、アミド
基、カルボキシル基、スルホンアミド基などの各置換基
を有していても差し支えない。これらの各置換基を有す
るものの内で特に好ましい例として が挙げられる。
構造単位［Ｉ］を有するポリマは、R2がこれらのうちた
だ１種から構成されていてもよいし、２種以上から構成
される共重合体であってもよい。
だ１種から構成されていてもよいし、２種以上から構成
される共重合体であってもよい。
さらに、ポリイミド系ポリマの接着性を向上させるため
に、耐熱性を低下させない範囲でR2として、シロキサン
構造を有する脂肪族性の基を共重合させることも可能で
ある。好ましい具体例として などが挙げられる。
に、耐熱性を低下させない範囲でR2として、シロキサン
構造を有する脂肪族性の基を共重合させることも可能で
ある。好ましい具体例として などが挙げられる。
構造単位［Ｉ］を主成分とするポリマの具体的な例とし
て、 ピロメリット酸二無水物と4,4′−ジアミノジフェニル
エーテル、 ピロメリット酸二無水物および3,3′,4,4′−ベンゾフ
ェノンテトラカルボン酸と4,4′−ジアミノジフェニル
エーテル、 3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水
物と4,4′−ジアミノジフェニルエーテル、 3,3′,4,4′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物と
4,4′−ジアミノジフェニルエーテル、 3,3′,4,4′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物お
よび3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二
無水物と4,4′−ジアミノジフェニルエーテル、 ピロメリット酸二無水物と3,3′−ジアミノジフェニル
スルホン、 ピロメリット酸二無水物および3,3′,4,4′−ベンゾフ
ェノンテトラカルボン酸二無水物と3,3′−（又は4,4′
−）ジアミノジフェニルスルホン、 3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水
物と3,3′−（又は4,4′−）ジアミノジフェニルスルホ
ン、 3,3′,4,4′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物と
3,3′−（又は4,4′−）ジアミノジフェニルスルホン、 3,3′,4,4′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物お
よび3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二
無水物と3,3′−（又は4,4′−）ジアミノジフェニルス
ルホン、 ピロメリット酸二無水物と4,4′−ジアミノジフェニル
エーテルおよびビス（３−アミノプロピル）テトラメチ
ルジシロキサン、 ピロメリット酸二無水物および3,3′,4,4′−ベンゾフ
ェノンテトラカルボン酸二無水物と4,4′−ジアミノジ
フェニルエーテルおよびビス（３−アミノプロピル）テ
トラメチルジシロキサン、 3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水
物と4,4′−ジアミノジフェニルエーテルおよびビス
（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン、 3,3′,4,4′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物と
4,4′−ジアミノジフェニルエーテルおよびビス（３−
アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン、 3,3′,4,4′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物お
よび3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二
無水物と4,4′−ジアミノジフェニルエーテルおよびビ
ス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン、 ピロメリット酸二無水物と3,3′−（又は4,4′−）ジア
ミノジフェニルスルホンおよびビス（３−アミノプロピ
ル）テトラメチルジシロキサン、 ピロメリット酸二無水物および3,3′,4,4′−ベンゾフ
ェノンテトラカルボン酸二無水物と3,3′−（又は4,4′
−）ジアミノジフェニルスルホンおよびビス（３−アミ
ノプロピル）テトラメチルジシロキサン、 3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水
物と3,3′−（又は4,4′−）ジアミノジフェニルスルホ
ンおよびビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシ
ロキサン、 3,3′,4,4′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物と
3,3′−（又は4,4′−）ジアミノジフェニルスルホンお
よびビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキ
サン、 3,3′,4,4′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物お
よび3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二
無水物と3,3′−（又は4,4′−）ジアミノジフェニルス
ルホンおよびビス（３−アミノプロピル）テトラメチル
ジシロキサン などから合成されたポリアミド酸が好ましく用いられ
る。
て、 ピロメリット酸二無水物と4,4′−ジアミノジフェニル
エーテル、 ピロメリット酸二無水物および3,3′,4,4′−ベンゾフ
ェノンテトラカルボン酸と4,4′−ジアミノジフェニル
エーテル、 3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水
物と4,4′−ジアミノジフェニルエーテル、 3,3′,4,4′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物と
4,4′−ジアミノジフェニルエーテル、 3,3′,4,4′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物お
よび3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二
無水物と4,4′−ジアミノジフェニルエーテル、 ピロメリット酸二無水物と3,3′−ジアミノジフェニル
スルホン、 ピロメリット酸二無水物および3,3′,4,4′−ベンゾフ
ェノンテトラカルボン酸二無水物と3,3′−（又は4,4′
−）ジアミノジフェニルスルホン、 3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水
物と3,3′−（又は4,4′−）ジアミノジフェニルスルホ
ン、 3,3′,4,4′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物と
3,3′−（又は4,4′−）ジアミノジフェニルスルホン、 3,3′,4,4′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物お
よび3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二
無水物と3,3′−（又は4,4′−）ジアミノジフェニルス
ルホン、 ピロメリット酸二無水物と4,4′−ジアミノジフェニル
エーテルおよびビス（３−アミノプロピル）テトラメチ
ルジシロキサン、 ピロメリット酸二無水物および3,3′,4,4′−ベンゾフ
ェノンテトラカルボン酸二無水物と4,4′−ジアミノジ
フェニルエーテルおよびビス（３−アミノプロピル）テ
トラメチルジシロキサン、 3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水
物と4,4′−ジアミノジフェニルエーテルおよびビス
（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン、 3,3′,4,4′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物と
4,4′−ジアミノジフェニルエーテルおよびビス（３−
アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン、 3,3′,4,4′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物お
よび3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二
無水物と4,4′−ジアミノジフェニルエーテルおよびビ
ス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン、 ピロメリット酸二無水物と3,3′−（又は4,4′−）ジア
ミノジフェニルスルホンおよびビス（３−アミノプロピ
ル）テトラメチルジシロキサン、 ピロメリット酸二無水物および3,3′,4,4′−ベンゾフ
ェノンテトラカルボン酸二無水物と3,3′−（又は4,4′
−）ジアミノジフェニルスルホンおよびビス（３−アミ
ノプロピル）テトラメチルジシロキサン、 3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水
物と3,3′−（又は4,4′−）ジアミノジフェニルスルホ
ンおよびビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシ
ロキサン、 3,3′,4,4′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物と
3,3′−（又は4,4′−）ジアミノジフェニルスルホンお
よびビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキ
サン、 3,3′,4,4′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物お
よび3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二
無水物と3,3′−（又は4,4′−）ジアミノジフェニルス
ルホンおよびビス（３−アミノプロピル）テトラメチル
ジシロキサン などから合成されたポリアミド酸が好ましく用いられ
る。
構造単位［Ｉ］を主成分するポリマとは、構造単位
［Ｉ］のみから成るものであってもよいし、他の構造単
位との共重合体であってもよい。共重合体に用いられる
構造単位の種類、量は最終加熱処理によって得られるポ
リイミド系ポリマの耐熱性を著しく損わない範囲で選択
するのが望ましい。ポリアミドアミド酸、ポリエステル
アミド酸の構造単位が典型的な例として挙げられるが、
これらには限定されない。
［Ｉ］のみから成るものであってもよいし、他の構造単
位との共重合体であってもよい。共重合体に用いられる
構造単位の種類、量は最終加熱処理によって得られるポ
リイミド系ポリマの耐熱性を著しく損わない範囲で選択
するのが望ましい。ポリアミドアミド酸、ポリエステル
アミド酸の構造単位が典型的な例として挙げられるが、
これらには限定されない。
本発明における第３級アミン化合物は、下記一般式 （ただし、R3,R4,R5は炭素数１〜30の炭化水素基で、R3
〜R5のいずれもその炭素に置換基、結合基を含むことが
できる。ｎは１〜３である。）で表されるものである。
置換基、結合基としては、−OCH3、−OH、−Ｏ−、 などが挙げられる。
〜R5のいずれもその炭素に置換基、結合基を含むことが
できる。ｎは１〜３である。）で表されるものである。
置換基、結合基としては、−OCH3、−OH、−Ｏ−、 などが挙げられる。
好ましい具体例としては、 トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリ−ｎ−プロ
ピルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、メチルジエチル
アミン、ジメチル−ｎ−プロピルアミン、N,N−ジブチ
ル−２−エチルヘキシルアミン、トリアリルアミン、N,
N−ジメチルアリルアミン、Ｎ−メチルジアリルアミ
ン、３−ジメチルアミノプロパノール、Ｎ−イソブチル
ジエタノールアミン、ジメチル−３−ジメトキシプロピ
ルアミン、N,N,N′,N′−テトラメチル−1,2−ジアミノ
エタン、N,N,N′,N′−テトラメチルジアミノプロパ
ン、N,N,N′,N′−テトラアリル−1,4−ジアミノブタ
ン、N,N,N′,N′−ペンタメチルジエチレントリアミ
ン、N,N−ジメチルベンジルアミン、ジメチルアミノア
セトアルデヒドジエチルアセタール、２−ジメチルアミ
ノエチルアセテート、ジメチルアミノエチルメタクリレ
ート、ジメチルアミノエチルアクリレート、ジエチルア
ミノエチルメタクリレート、ジエチルアミノエチルアク
リレートなどが挙げられるが、これらに限定されない。
ピルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、メチルジエチル
アミン、ジメチル−ｎ−プロピルアミン、N,N−ジブチ
ル−２−エチルヘキシルアミン、トリアリルアミン、N,
N−ジメチルアリルアミン、Ｎ−メチルジアリルアミ
ン、３−ジメチルアミノプロパノール、Ｎ−イソブチル
ジエタノールアミン、ジメチル−３−ジメトキシプロピ
ルアミン、N,N,N′,N′−テトラメチル−1,2−ジアミノ
エタン、N,N,N′,N′−テトラメチルジアミノプロパ
ン、N,N,N′,N′−テトラアリル−1,4−ジアミノブタ
ン、N,N,N′,N′−ペンタメチルジエチレントリアミ
ン、N,N−ジメチルベンジルアミン、ジメチルアミノア
セトアルデヒドジエチルアセタール、２−ジメチルアミ
ノエチルアセテート、ジメチルアミノエチルメタクリレ
ート、ジメチルアミノエチルアクリレート、ジエチルア
ミノエチルメタクリレート、ジエチルアミノエチルアク
リレートなどが挙げられるが、これらに限定されない。
特に、塩基性が強い脂肪族第３級アミンは、イミド閉環
を促進させる効果が大きく好ましい。特に好ましい具体
例として、例えば、トリエチルアミン、トリプロピルア
ミン、トリアリルアミン、２−ジメチルアミノエチルア
セテート、ジメチルアミノエチルメタクリレート、ジエ
チルアミノエチルメタクリレート、ジメチルアミノエチ
ルアクリレート、ジエチルアミノエチルアクリレートな
どが挙げられるがこれらに限定されない。
を促進させる効果が大きく好ましい。特に好ましい具体
例として、例えば、トリエチルアミン、トリプロピルア
ミン、トリアリルアミン、２−ジメチルアミノエチルア
セテート、ジメチルアミノエチルメタクリレート、ジエ
チルアミノエチルメタクリレート、ジメチルアミノエチ
ルアクリレート、ジエチルアミノエチルアクリレートな
どが挙げられるがこれらに限定されない。
これらの化合物は単独で使用してもよいし、あるいは２
種以上の混合物として使用してもよい。
種以上の混合物として使用してもよい。
また、塗布性、溶液の安定性および塗膜の透明性に悪影
響を与えない範囲内で第１級アミン、第２級アミン、第
４級アミンおよびピリジン誘導体、ピペリジン誘導体な
どの有機の塩基性化合物を添加してもよい。
響を与えない範囲内で第１級アミン、第２級アミン、第
４級アミンおよびピリジン誘導体、ピペリジン誘導体な
どの有機の塩基性化合物を添加してもよい。
第３級アミンの添加量はポリアミド酸のカルボキシル基
に対して0.05〜3.0当量添加するのが好ましく、より好
ましくは0.1〜2.0当量添加するのがよい。下限の量未満
を添加する場合には、イミド閉環を促進させる効果が充
分認められず、上限量を越えて添加する場合には、貯蔵
時の粘度安定性が悪くなる。
に対して0.05〜3.0当量添加するのが好ましく、より好
ましくは0.1〜2.0当量添加するのがよい。下限の量未満
を添加する場合には、イミド閉環を促進させる効果が充
分認められず、上限量を越えて添加する場合には、貯蔵
時の粘度安定性が悪くなる。
本発明におけるシラノール化合物［II］およびその部分
縮合物とは、前記一般式［II］で示される構造を有する
化合物およびその部分縮合物で、加熱により脱水集合
し、シロキサン構造となり得るものである。部分縮合物
とは、シラノール基の一部が脱水縮合したものをいう。
通常、ダイマー，トリマー，テトラマーあるいはそれ以
上の縮合物の混合物より成る。
縮合物とは、前記一般式［II］で示される構造を有する
化合物およびその部分縮合物で、加熱により脱水集合
し、シロキサン構造となり得るものである。部分縮合物
とは、シラノール基の一部が脱水縮合したものをいう。
通常、ダイマー，トリマー，テトラマーあるいはそれ以
上の縮合物の混合物より成る。
上記構造式［II］中、R6は１価の有機基で、炭素数１〜
20のアルキル基、アリル基、芳香族基、アルコキシ基、
ビニル基が好ましい。
20のアルキル基、アリル基、芳香族基、アルコキシ基、
ビニル基が好ましい。
R6のより好ましい具体的な例としては、 CH3−，C2H5−，（CH3）2CH−，（CH3）2CHCH2−，（CH
3）2CHCH2CH2−，（OCH3）−，（OC2H5）−，（OC3H7）
−，C6H5−，CH2＝CH− などが挙げられるが、これらに限定されない。
3）2CHCH2CH2−，（OCH3）−，（OC2H5）−，（OC3H7）
−，C6H5−，CH2＝CH− などが挙げられるが、これらに限定されない。
また構造式［II］の化合物はR6がこれらのうちただ１種
から構成されていてもよいし、２種以上から構成されて
もよい。
から構成されていてもよいし、２種以上から構成されて
もよい。
これらの化合物はアルコールを主成分とした有機溶媒に
溶解した形で供せられる。アルコールとしては、メタノ
ール、エタノール、ブタノール等の脂肪族アルコールが
好ましく用いられる。
溶解した形で供せられる。アルコールとしては、メタノ
ール、エタノール、ブタノール等の脂肪族アルコールが
好ましく用いられる。
使用可能なシラノール化合物［II］としては、例えばエ
チルシリケート40、東京応化工業（株）製“O.C.D."な
どが挙げられる。
チルシリケート40、東京応化工業（株）製“O.C.D."な
どが挙げられる。
シラノール化合物［II］またはその部分縮合物の添加量
Ｓ（wt％）は５〜60（wt％）が好ましく、さらに好まし
くは10〜40（wt％）がよい。なお、シラノール化合物の
添加量Ｓ（wt％）は次式で与えられる。
Ｓ（wt％）は５〜60（wt％）が好ましく、さらに好まし
くは10〜40（wt％）がよい。なお、シラノール化合物の
添加量Ｓ（wt％）は次式で与えられる。
下限の量未満を添加する場合には、特性向上の効果が顕
著でなく、上限量を越えて添加する場合には、塗膜形成
能が悪くなる。
著でなく、上限量を越えて添加する場合には、塗膜形成
能が悪くなる。
次に本発明に用いるワニスの製造方法の一例について説
明する。
明する。
本発明における構造単位［Ｉ］を有するポリアミド酸
は、ジアミンとテトラカルボン酸二無水物とを有機溶媒
中で15℃〜50℃程度の温度で数時間反応させることによ
り、好ましく行なわれる。生成した重合体の溶液に、第
３級アミン化合物、シラノール化合物を添加、混合し、
希釈剤で粘度、濃度を調製後、過を行ない、本発明の
ワニスを得る。
は、ジアミンとテトラカルボン酸二無水物とを有機溶媒
中で15℃〜50℃程度の温度で数時間反応させることによ
り、好ましく行なわれる。生成した重合体の溶液に、第
３級アミン化合物、シラノール化合物を添加、混合し、
希釈剤で粘度、濃度を調製後、過を行ない、本発明の
ワニスを得る。
この反応に用いられる有機溶剤、希釈剤の例としては、
Ｎ−メチル−２−ピロリドン、N,N−ジメチルアセトア
ミド等の非プロトン性極性溶媒が挙げられる。
Ｎ−メチル−２−ピロリドン、N,N−ジメチルアセトア
ミド等の非プロトン性極性溶媒が挙げられる。
次に本発明の半導体素子のパッシベーション方法につい
て説明する。
て説明する。
まず、半導体素子のＰ−Ｎ接合部の露出面に上記ワニス
を刷毛などで塗布する。
を刷毛などで塗布する。
塗布後、熱処理により塗膜はイミド環やその他の環状構
造を有する耐熱ポリマとなる。熱処理温度は200〜350℃
で行なわれる。熱処理時間は10分〜180分でよい。熱処
理は単一温度で行なってもよいし、段階的に、あるいは
連続的に昇温しながら行なってもよい。
造を有する耐熱ポリマとなる。熱処理温度は200〜350℃
で行なわれる。熱処理時間は10分〜180分でよい。熱処
理は単一温度で行なってもよいし、段階的に、あるいは
連続的に昇温しながら行なってもよい。
また、200℃以下の温度で前処理してもよい。このよう
にして、半導体素子のＰ−Ｎ接合の露出面は、上記の耐
熱ポリマでパッシベーションされる。
にして、半導体素子のＰ−Ｎ接合の露出面は、上記の耐
熱ポリマでパッシベーションされる。
次に実施例に基づいて本発明の実施態様を説明する。
［実施例］ 実施例１〜４ ジアミノジフェニルエーテル564.5g、ビス（３−アミノ
プロピル）テトラメチルジシロキサン44.7gをＮ−メチ
ル−２−ピロリドン5680gに溶解し、アミン溶液を調合
した。このアミン溶液にピロメリット酸二無水物327g、
ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物483gを加え
て、50℃で３時間反応させ、25℃で120ポアズのポリマ
溶液（Ａ）を得た。
プロピル）テトラメチルジシロキサン44.7gをＮ−メチ
ル−２−ピロリドン5680gに溶解し、アミン溶液を調合
した。このアミン溶液にピロメリット酸二無水物327g、
ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物483gを加え
て、50℃で３時間反応させ、25℃で120ポアズのポリマ
溶液（Ａ）を得た。
このポリマ溶液（Ａ）に表１に示したようなアミン化合
物をポリアミド酸のカルボキシル基に対して当量計算で
添加し、さらにシラノール化合物として東京応化工業
（株）“O.C.D."Type2又はエチルシリケート40を同量の
Ｎ−メチル−２−ピロリドンで希釈した溶液を添加し、
ワニスを調合した。
物をポリアミド酸のカルボキシル基に対して当量計算で
添加し、さらにシラノール化合物として東京応化工業
（株）“O.C.D."Type2又はエチルシリケート40を同量の
Ｎ−メチル−２−ピロリドンで希釈した溶液を添加し、
ワニスを調合した。
次に、このワニスをパワーダイオードのＰ−Ｎ接合部の
露出面に刷毛塗りで塗布した。塗布後、100℃で１時
間、次いで135℃で１時間前処理し、250℃で１時間窒素
中で熱処理した。この素子を室温に冷却後、菊水電子
（株）のカーブトレーサー、モデル5802で1.2KVにおけ
る逆方向のリーク電流を測定した。この値を初期値とす
る。次に、120℃、２気圧の飽和水蒸気に３時間この素
子を暴露した後、同様にリーク電流を測定した。この測
定値を信頼性テスト後の値とする。
露出面に刷毛塗りで塗布した。塗布後、100℃で１時
間、次いで135℃で１時間前処理し、250℃で１時間窒素
中で熱処理した。この素子を室温に冷却後、菊水電子
（株）のカーブトレーサー、モデル5802で1.2KVにおけ
る逆方向のリーク電流を測定した。この値を初期値とす
る。次に、120℃、２気圧の飽和水蒸気に３時間この素
子を暴露した後、同様にリーク電流を測定した。この測
定値を信頼性テスト後の値とする。
これらのデータを表１に示す。
比較例１（従来の方法） 実施例１において、アミン化合物、シラノール化合物を
無添加のワニス（ポリマ溶液（Ａ））を用いて同様に実
施した。データを表１に示す。
無添加のワニス（ポリマ溶液（Ａ））を用いて同様に実
施した。データを表１に示す。
表１から明らかなように、本発明の方法により得られた
素子は、従来のものに比べ、リーク電流が初期値、湿熱
処理後も小さく、信頼性の優れていることがわかる。
素子は、従来のものに比べ、リーク電流が初期値、湿熱
処理後も小さく、信頼性の優れていることがわかる。
［発明の効果］ 本発明は上述のごとく構成したので、信頼性の高いポリ
イミド系樹脂性のパッシベーション膜を得ることができ
る。
イミド系樹脂性のパッシベーション膜を得ることができ
る。
Claims (1)
- 【請求項１】半導体素子のＰ−Ｎ接合部の露出面にポリ
イミド系ワニスを塗布し、かつ加熱処理するパッシベー
ション方法において、前記ワニスとして A.一般式 （ただし、式中R1は３価又は４価の有機基、R2は２価の
有機基、ｍは１又は２である。） で表される構造単位［Ｉ］を有するポリアミド酸と、 B.一般式 （ただし、R3,R4,R5は炭素数１〜30の炭化水素基で、R3
〜R5のいずれもその炭素に置換基、結合基を含むことが
できる。ｎは１〜３である。）で表される第３級アミン
化合物、および C.一般式 （R6）nSi（OH）4-n ［II］ （ただし、式中R6は１価の有機基で、ｎは１、２、３で
ある。） で表されるシラノール化合物［II］および／またはその
部分縮合物の混合物を用いることを特徴とする半導体素
子のパッシベーション方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61160172A JPH07116407B2 (ja) | 1986-07-08 | 1986-07-08 | 半導体素子のパツシベ−シヨン方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61160172A JPH07116407B2 (ja) | 1986-07-08 | 1986-07-08 | 半導体素子のパツシベ−シヨン方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6315424A JPS6315424A (ja) | 1988-01-22 |
| JPH07116407B2 true JPH07116407B2 (ja) | 1995-12-13 |
Family
ID=15709406
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61160172A Expired - Fee Related JPH07116407B2 (ja) | 1986-07-08 | 1986-07-08 | 半導体素子のパツシベ−シヨン方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07116407B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001288362A (ja) * | 2000-04-05 | 2001-10-16 | Hitachi Ltd | 耐熱性樹脂組成物及びその製造方法 |
| US9333136B2 (en) | 2013-02-28 | 2016-05-10 | Hill-Rom Services, Inc. | Sensors in a mattress cover |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6066437A (ja) * | 1983-09-22 | 1985-04-16 | Oki Electric Ind Co Ltd | 耐熱樹脂膜の形成方法 |
-
1986
- 1986-07-08 JP JP61160172A patent/JPH07116407B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6315424A (ja) | 1988-01-22 |
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|---|---|---|---|
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