JPH07115252A - Circuit board - Google Patents

Circuit board

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JPH07115252A
JPH07115252A JP26109593A JP26109593A JPH07115252A JP H07115252 A JPH07115252 A JP H07115252A JP 26109593 A JP26109593 A JP 26109593A JP 26109593 A JP26109593 A JP 26109593A JP H07115252 A JPH07115252 A JP H07115252A
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circuit
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circuit board
copper
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好彦 辻村
Yoshiyuki Nakamura
美幸 中村
Akira Miyai
明 宮井
Katsunori Terano
克典 寺野
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  • Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)

Abstract

PURPOSE:To reduce the generation of void when soldering a copper plate base and to improve durability to thermal shock and heat history. CONSTITUTION:A circuit board comprises a metal circuit on one surface of a ceramic substrate and a metal heat sink on the other surface and meets the following requirements (1) to (3): (1) the thickness of the metal circuit is larger than 0.3mm; (2) the minimum of the total length of a part where the metal circuit is joined to the ceramic substrate is less than 20% of the ceramic substrate length; and (3) warp when cooled and heated at temperatures -40 deg.C to 300 deg.C is less than 100mum.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、金属回路と金属放熱板
を有するセラミックス基板からなる回路基板の改良に関
するものであって、電子部品のパワーモジュール等に使
用されるものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an improvement of a circuit board composed of a ceramics substrate having a metal circuit and a metal heat dissipation plate, and is used for a power module of electronic parts.

【0002】近年、ロボット・モーター等の産業機器の
高性能化に伴い、大電力・高能率インバーター等大電力
モジュールの変遷が進んでおり、半導体素子から発生す
る熱も増加の一途をたどっている。この熱を効率よく放
散させるため、大電力モジュール基板では従来より様々
な方法が取られてきた。特に最近、良好な熱伝導性を有
するセラミックス基板が利用できるようになったため、
基板上に銅板等の金属板を接合し、回路を形成後、その
ままあるいはメッキ等の処理を施してから半導体素子を
実装する構造も採用されつつある。
In recent years, along with the high performance of industrial equipment such as robots and motors, the transition of high power modules such as high power and high efficiency inverters is progressing, and the heat generated from semiconductor elements is also increasing. . In order to efficiently dissipate this heat, various methods have been conventionally used for high power module substrates. Especially recently, since ceramic substrates having good thermal conductivity have become available,
A structure is also being adopted in which a metal plate such as a copper plate is bonded onto a substrate, a circuit is formed, and then a semiconductor element is mounted as it is or after a treatment such as plating is performed.

【0003】金属とセラミックスを接合する方法には種
々あるが、回路基板の製造という点からは、Mo−Mn
法、活性金属ろう付け法、硫化銅法、DBC法、銅メタ
ライズ法等があげられる。
There are various methods for joining metal and ceramics, but from the viewpoint of manufacturing a circuit board, Mo-Mn is used.
Method, active metal brazing method, copper sulfide method, DBC method, copper metallizing method and the like.

【0004】特に大電力モジュール基板では、従来のア
ルミナに変わって高熱伝導性の窒化アルミニウム基板が
注目されており、銅板の接合方法としては、銅板と窒化
アルミニウム基板との間に活性金属を含むろう材(以
下、単に「ろう材」という)を介在させ、加熱処理して
接合体とする活性金属ろう付け法(例えば特開昭60-177
634 号公報)や、表面が酸化処理された窒化アルミニウ
ム基板と銅板とを銅の融点以下でCu−Oの共晶温度以
上で加熱接合するDBC法(例えば特開昭56-163093 号
公報)等がある。
Particularly in high-power module substrates, attention has been paid to aluminum nitride substrates having high thermal conductivity in place of conventional alumina, and as a method for joining copper plates, an active metal may be contained between the copper plates and the aluminum nitride substrate. An active metal brazing method in which a material (hereinafter simply referred to as "brazing material") is interposed and heat-treated to form a joined body (for example, JP-A-60-177).
No. 634), or a DBC method (for example, Japanese Patent Laid-Open No. 56-163093) in which an aluminum nitride substrate whose surface is oxidized and a copper plate are heat-bonded at a temperature below the melting point of copper and above the eutectic temperature of Cu—O There is.

【0005】活性金属ろう付け法は、DBC法に比べて
以下の利点がある。 (1)接合体を得るための処理温度が低いので、窒化ア
ルミニウム基板と銅板の熱膨張差によって生じる残留応
力が小さい。 (2)ろう材が延性金属であるので、ヒートショックや
ヒートサイクルに対する耐久性が大である。
The active metal brazing method has the following advantages over the DBC method. (1) Since the processing temperature for obtaining the bonded body is low, the residual stress caused by the difference in thermal expansion between the aluminum nitride substrate and the copper plate is small. (2) Since the brazing material is a ductile metal, it is highly durable against heat shock and heat cycles.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、活性金
属ろう付け法を用いても、ヒートショックやヒートサイ
クル等の熱衝撃、熱履歴によって生じる損傷に対して充
分な耐久性があるとはいえず新しい技術の提案が待たれ
ていた。そこで、金属放熱板(通常はセラミックス基板
の下面に設けられる)の体積を金属回路(通常はセラミ
ックス基板の上面に設けられる)の体積の50〜90%
となるように調整したり(特開昭63-24815号公報)、金
属放熱板の厚さを金属回路のそれの50%以下にする
(特開平5-170564号公報)ことによってある程度は改善
された。
However, even when the active metal brazing method is used, it cannot be said that it has sufficient durability against damage caused by heat shock such as heat shock or heat cycle, or heat history. A technology proposal was awaited. Therefore, the volume of the metal heat dissipation plate (usually provided on the lower surface of the ceramic substrate) is 50 to 90% of the volume of the metal circuit (usually provided on the upper surface of the ceramic substrate).
It is improved to some extent by adjusting the thickness of the metal heat sink to 50% or less of that of the metal circuit (Japanese Patent Laid-Open No. 5-170564). It was

【0007】しかし、これらの技術においては、金属回
路と金属放熱板の材質は共に銅であるので、両者の体積
を変えることは熱膨張による応力のバランスが異なった
ものとなる。その結果、接合体自体の耐熱衝撃性は良好
となり、金属回路又は金属放熱板が剥離することが少な
くなったが、金属放熱板にベース銅板、金属回路に半導
体素子をそれぞれ半田付けする際の急激な温度上昇によ
って接合体の反りの変位が著大となって金属放熱板とベ
ース銅板との間に隙間ができ、その部分が半田付け後に
ボイドとなる危険性があった。
However, in these techniques, since the metal circuit and the metal radiator plate are both made of copper, changing the volumes of both makes the balance of stress due to thermal expansion different. As a result, the thermal shock resistance of the joint itself became good, and the metal circuit or metal heat sink was less likely to peel off.However, when soldering the base copper plate to the metal heat sink and the semiconductor element to the metal circuit respectively, The warp displacement of the bonded body is remarkably increased due to such a temperature rise, and a gap is formed between the metal radiator plate and the base copper plate, and there is a risk that the portion becomes a void after soldering.

【0008】本発明者らは、以上のような問題点を解消
するために鋭意検討を重ねた結果、このような熱応力は
回路パターンの形状に大きく左右され、金属回路とセラ
ミックス基板とが接合している部分と接合していない部
分との割合と回路基板の温度変化に対する反り量の変化
とに相関があること見いだし、本発明を完成させたもの
である。
As a result of intensive studies to solve the above problems, the present inventors have found that such thermal stress is greatly influenced by the shape of the circuit pattern, and the metal circuit and the ceramic substrate are bonded together. The present invention has been completed by finding that there is a correlation between the ratio of the part that is joined to the part that is not joined and the change in the amount of warpage with respect to the temperature change of the circuit board.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、セ
ラミックス基板の一方の面に金属回路、他方の面には金
属放熱板が設けられてなるものであって、以下の(1)
〜(3)の条件を備えてなることを特徴とする回路基板
である。 (1)金属回路の厚みが0.3mmよりも大きいこと。 (2)金属回路とセラミックス基板とが接合している部
分の長さの合計の最小値がセラミックス基板の長さに対
して20%以下であること。 (3)温度−40℃〜300℃に冷却・加熱した場合に
おける反り量が100μm以下であること。
That is, according to the present invention, a metal circuit is provided on one surface of a ceramic substrate, and a metal heat dissipation plate is provided on the other surface.
It is a circuit board provided with the conditions (3) to (3). (1) The thickness of the metal circuit is larger than 0.3 mm. (2) The minimum total length of the portions where the metal circuit and the ceramics substrate are joined is 20% or less of the length of the ceramics substrate. (3) The amount of warpage when cooled / heated to a temperature of −40 ° C. to 300 ° C. is 100 μm or less.

【0010】以下、さらに詳しく本発明について説明す
ると、本発明で使用されるセラミックス基板としては、
窒化アルミニウム基板、ベリリア基板、アルミナ基板等
をあげることができるが、中でも窒化アルミニウム基板
が好ましく、その焼結密度は、機械的強度及び電気特性
の点から相対密度95%以上であることが望ましい。セ
ラミックス基板の厚みとしては、0.4〜0.7mm程
度が好ましい。
The present invention will be described in more detail below. As the ceramic substrate used in the present invention,
Examples thereof include an aluminum nitride substrate, a beryllia substrate, and an alumina substrate. Among them, an aluminum nitride substrate is preferable, and its sintered density is preferably 95% or more in terms of mechanical strength and electrical characteristics. The thickness of the ceramic substrate is preferably about 0.4 to 0.7 mm.

【0011】一方、金属回路及び/又は金属放熱板とし
ては、銅、アルミニウム、タングステン、モリブデン等
が使用されるが、銅が一般的である。金属回路の厚みと
しては、近年、電流密度が増大している傾向から0.3
mmよりも厚いことが必要であり、また金属放熱板の厚
みは、熱抵抗を下げるために0.2mm以下であること
が望ましい。
On the other hand, copper, aluminum, tungsten, molybdenum or the like is used as the metal circuit and / or the metal heat dissipation plate, but copper is generally used. The thickness of the metal circuit is 0.3 because the current density tends to increase in recent years.
The thickness of the metal radiator plate is preferably 0.2 mm or less in order to reduce the thermal resistance.

【0012】セラミックス基板の一方の面に金属回路、
他方の面に金属放熱板を設ける方法としては、セラミッ
クス基板と金属板との接合体をエッチングする方法、金
属板から打ち抜かれた金属回路及び/又は金属放熱板の
パターンをセラミックス基板に接合する方法等によって
行うことでき、これらの際における金属板又はパターン
とセラミックス基板との接合方法としては、活性金属ろ
う付け法やDBC法等を採用することができる。
A metal circuit is formed on one surface of the ceramic substrate,
As a method of providing a metal heat sink on the other surface, a method of etching a joined body of a ceramic substrate and a metal plate, a method of joining a metal circuit punched from the metal plate and / or a pattern of the metal heat sink to the ceramic substrate And the like. As a method for joining the metal plate or pattern to the ceramic substrate in these cases, an active metal brazing method, a DBC method, or the like can be adopted.

【0013】活性金属ろう付け法におけるろう材の金属
成分は、銀と銅を主成分とし、溶融時のセラミックス基
板との濡れ性を確保するために活性金属を副成分とす
る。この活性金属成分は、セラミックス基板と反応して
酸化物や窒化物を生成させ、それらの生成物がろう材と
セラミックス基板との結合を強固なものにする。活性金
属の具体例をあげれば、チタン、ジルコニウム、ハフニ
ウム、ニオブ、タンタル、バナジウム及びこれらの化合
物である。これらの比率としては、銀69〜75重量部
と銅25〜31重量部の合計量100重量部あたり活性
金属3〜35重量部である。
The metal component of the brazing filler metal in the active metal brazing method contains silver and copper as main components, and the active metal as a subcomponent for ensuring wettability with the ceramic substrate during melting. This active metal component reacts with the ceramic substrate to generate oxides and nitrides, and these products strengthen the bond between the brazing material and the ceramic substrate. Specific examples of the active metal include titanium, zirconium, hafnium, niobium, tantalum, vanadium and compounds thereof. The ratio of these is 3 to 35 parts by weight of the active metal per 100 parts by weight of the total amount of 69 to 75 parts by weight of silver and 25 to 31 parts by weight of copper.

【0014】活性金属ろう付け法で使用されるろう材ペ
ーストは、上記ろう材の金属成分に有機溶剤及び必要に
応じて有機結合剤を加え、ロール、ニーダ、バンバリミ
キサー、万能混合器、らいかい機等で混合することによ
って調整することができる。有機溶剤としては、メチル
セルソルブ、テルピネオール、イソホロン、トルエン
等、また有機結合剤としては、エチルセルロース、メチ
ルセルロース、ポリメチルメタクリレート等が使用され
る。なお、金属回路又は金属放熱板の材質がアルミニウ
ムである場合には、上記ろう材である必要はなく、例え
ばアルミニウムとシリコンを金属成分とするものでも充
分である。
The brazing material paste used in the active metal brazing method comprises a roll, a kneader, a Banbury mixer, a universal mixer, a raider, and the like, in which an organic solvent and, if necessary, an organic binder are added to the metal components of the brazing material. It can be adjusted by mixing with a machine or the like. Methylcellosolve, terpineol, isophorone, toluene and the like are used as the organic solvent, and ethylcellulose, methylcellulose, polymethylmethacrylate and the like are used as the organic binder. When the material of the metal circuit or the metal radiating plate is aluminum, it is not necessary to use the brazing material described above, and for example, a material containing aluminum and silicon as metal components is sufficient.

【0015】本発明は、このような回路基板において、
以下の(1)〜(3)の条件を満たすものである。 (1)金属回路の厚みが0.3mmよりも大きいこと。 (2)金属回路とセラミックス基板とが接合している部
分の長さの合計の最小値がセラミックス基板の長さに対
して20%以下であること。 (3)温度−40℃〜300℃に冷却・加熱した場合に
おける反り量が100μm以下であること。
According to the present invention, in such a circuit board,
It satisfies the following conditions (1) to (3). (1) The thickness of the metal circuit is larger than 0.3 mm. (2) The minimum total length of the portions where the metal circuit and the ceramics substrate are joined is 20% or less of the length of the ceramics substrate. (3) The amount of warpage when cooled / heated to a temperature of −40 ° C. to 300 ° C. is 100 μm or less.

【0016】まず、第1の条件は、金属回路の厚みであ
り、本発明において0.3mmよりも大きくしたのは、
近年の電流密度の増大に対応するためである。
First, the first condition is the thickness of the metal circuit. In the present invention, the thickness is larger than 0.3 mm.
This is to cope with the recent increase in current density.

【0017】第2の条件は、回路基板の断面において、
セラミックス基板の長さ対する金属回路とセラミックス
基板との接合部分の長さの合計の最小値の割合(以下、
この割合をパターン率という。)が20%以下にしたこ
とである。パターン率が20%をこえると、金属回路と
セラミックス基板の熱膨張係数の差による熱応力が大き
くなって回路基板の反りが大きくなる。その結果、第3
の条件を満たすためには裏面の金属放熱板の厚みを厚く
する必要があるので熱衝撃等によって生じる損傷に対す
る耐久性が著しく低下する。
The second condition is that in the cross section of the circuit board,
Proportion of the minimum value of the total length of the joined portion of the metal circuit and the ceramics substrate to the length of the ceramics substrate (hereinafter,
This ratio is called the pattern ratio. ) Is less than 20%. If the pattern rate exceeds 20%, the thermal stress due to the difference in the thermal expansion coefficient between the metal circuit and the ceramics substrate increases, and the warp of the circuit substrate increases. As a result, the third
In order to satisfy the condition (1), it is necessary to increase the thickness of the metal heat dissipation plate on the back surface, so that the durability against damage caused by thermal shock or the like is significantly reduced.

【0018】パターン率の算出にあたっては、通常、セ
ラミックス基板に金属回路を形成する場合、金属回路の
熱膨張から生じる熱応力を直接セラミックス基板に伝播
することがないように、セラミックス基板と金属回路と
の間に非接合部が設けられることがあるが、本発明にお
いては、そのような非接合部も接合部として見做され
る。
In the calculation of the pattern ratio, when forming a metal circuit on a ceramic substrate, usually, the ceramic substrate and the metal circuit are arranged so that thermal stress caused by thermal expansion of the metal circuit is not directly propagated to the ceramic substrate. Although a non-bonded portion may be provided between the two, such a non-bonded portion is also regarded as a bonded portion in the present invention.

【0019】また、パターン率を算出する回路基板の位
置は、図1のXで示されるように、回路基板の長手方向
の中央部付近であることが最適であるが、長手方向の中
央部から±20mmの範囲内であればよい。
Further, the position of the circuit board for calculating the pattern ratio is optimal near the central portion in the longitudinal direction of the circuit board as shown by X in FIG. 1, but from the central portion in the longitudinal direction. It may be within a range of ± 20 mm.

【0020】次に、第3の条件は、温度−40℃〜30
0℃に冷却・加熱した場合における反り量が100μm
以下であるということである。従来技術においては、電
気伝導性等の点から、金属回路又は金属放熱板の材質
は、無酸素銅又はそれに僅かな酸素を混入させたタフピ
ッチ銅が好ましく使用されているが、このような銅の熱
膨張係数は、文献値とほぼ等しく17×10-6/℃であ
り、セラミックス基板例えば窒化アルミニウム基板の
4.5×10-6/℃よりも大きいので回路基板に熱が加
えられたときに熱応力が発生していた。
Next, the third condition is a temperature of -40 ° C to 30 ° C.
The amount of warpage when cooled and heated to 0 ° C is 100 μm
It means that In the prior art, from the viewpoint of electrical conductivity, the material of the metal circuit or the metal heat dissipation plate is preferably oxygen-free copper or tough pitch copper mixed with a slight amount of oxygen, but such a copper The coefficient of thermal expansion is 17 × 10 −6 / ° C., which is almost equal to the literature value, and is larger than 4.5 × 10 −6 / ° C. of a ceramic substrate such as an aluminum nitride substrate. Thermal stress had occurred.

【0021】また、金属回路と金属放熱板の体積比を変
える方法においては、金属板とセラミックス基板との接
合体の製造時や、得られた回路基板をベース銅板に取り
つける等の際、さらにはその使用時に温度差からくる熱
衝撃等によって熱応力がかかる機会が多いものであっ
た。
In addition, in the method of changing the volume ratio of the metal circuit and the metal heat sink, when manufacturing the joined body of the metal plate and the ceramics board, when mounting the obtained circuit board on the base copper plate, At the time of its use, there were many occasions where thermal stress was applied by thermal shock or the like caused by a temperature difference.

【0022】しかしながら、金属回路の厚みは電流容量
を保つために今後はますます厚くなる方向にあり、また
金属放熱板は熱抵抗を下げる点からも薄い方が望まし
い。しかしながら、従来の技術では、このような構造の
回路基板では熱応力が大きくなり耐久性が低下していた
が、本発明では、熱応力がセラミックス基板に分散して
伝達されるようにするため、第3の条件が必要となるも
のである。
However, the thickness of the metal circuit tends to become thicker in the future in order to maintain the current capacity, and it is desirable that the metal radiator plate be thin from the viewpoint of reducing the thermal resistance. However, in the conventional technology, in the circuit board having such a structure, the thermal stress was large and the durability was lowered, but in the present invention, in order to disperse and transmit the thermal stress to the ceramic substrate, The third condition is necessary.

【0023】[0023]

【実施例】以下、本発明を実施例と比較例をあげて具体
的に説明する。 実施例1〜2 比較例1〜3 銀粉末75重量部、銅粉末25重量部、ジルコニウム粉
末5重量部、 テルピネオール15重量部及び有機結合剤
としてポリイソブチルメタアクリレートのトルエン溶液
を固形分で1.5重量部を加えてよく混練し、ろう材ペ
ーストを調整した。このろう材ペーストを51×36×
0.65mmの窒化アルミニウム基板の両面にスクリー
ン印刷によって全面に塗布した。その際の塗布量(乾燥
後)は6〜8mg/cm2 とした。
EXAMPLES The present invention will be specifically described below with reference to Examples and Comparative Examples. Examples 1-2 Comparative Examples 1-3 Silver powder 75 parts by weight, copper powder 25 parts by weight, zirconium powder 5 parts by weight, terpineol 15 parts by weight and a toluene solution of polyisobutyl methacrylate as an organic binder in a solid content of 1. 5 parts by weight were added and kneaded well to prepare a brazing material paste. 51 × 36 × this brazing paste
Both sides of a 0.65 mm aluminum nitride substrate were applied to the entire surface by screen printing. The coating amount (after drying) at that time was 6 to 8 mg / cm 2 .

【0024】次に、ろう材ペーストの塗布された窒化ア
ルミニウム基板の一方の面に51×36×0.5mmの
金属回路形成用銅板を、そして他方の面には51×36
×0.2mmの金属放熱板用銅板をそれぞれ接触配置し
てから、真空度1×10-5Torr以下の真空下、温度
900℃で30分加熱した後、2℃/ 分の速度で冷却し
て接合体を製造した。
Next, a 51 × 36 × 0.5 mm copper plate for forming a metal circuit is formed on one surface of the aluminum nitride substrate coated with the brazing material paste, and 51 × 36 is formed on the other surface.
X 0.2 mm copper plates for metal heat sinks are placed in contact with each other, then heated at 900 ° C for 30 minutes in a vacuum with a vacuum degree of 1 x 10 -5 Torr or less, and then cooled at a rate of 2 ° C / minute. To produce a joined body.

【0025】得られた接合体の銅板上にUV硬化タイプ
のエッチングレジストをスクリーン印刷で図1及び表1
に示す回路パターンに塗布した後、塩化第2銅溶液によ
りエッチング処理を行って銅板不要部分を溶解除去し、
さらにエッチングレジストを5%苛性ソーダ溶液で剥離
した。このエッチング処理後の回路基板には、銅回路間
等に残留不要ろう材や活性金属成分と窒化アルミニウム
基板との反応物があるので、それを除去するため、温度
60℃、10%フッ化アンモニウム溶液に10分間浸漬
した。
UV-curing type etching resist was screen-printed on the copper plate of the obtained bonded body by FIG. 1 and Table 1.
After applying to the circuit pattern shown in, the copper plate solution is etched to remove unnecessary portions of the copper plate,
Further, the etching resist was stripped with a 5% caustic soda solution. On the circuit board after this etching treatment, there is a residual unnecessary brazing material or a reaction product of the active metal component and the aluminum nitride substrate between the copper circuits. Immerse in the solution for 10 minutes.

【0026】以上のようにして製作された回路基板につ
いてヒートサイクル(熱衝撃)試験を行った。ヒートサ
イクル試験は、気中、−40℃×30分保持後、25℃
×10分間放置、さらに125℃×30分保持後、25
℃×10分間放置を1サイクルとして行い、銅が剥離開
始したヒートサイクル回数を測定した。また、温度30
0℃の空気中で10分間加熱したときの回路基板の反り
量を非接触式レーザー変位計で測定した。さらには、温
度250℃のリフロー炉中、回路基板を厚さ4mmのベ
ース銅板に無荷重で半田付けを行った後、ボイドを超音
波探査機で測定し、ボイド発生率(%)を(ボイド面積
/回路基板面積)×100として算出した。これらの結
果を表1に示す。
A heat cycle (thermal shock) test was conducted on the circuit board manufactured as described above. The heat cycle test is carried out in the air at −40 ° C. for 30 minutes, then at 25 ° C.
× 10 minutes, 125 ° C × 30 minutes, then 25
The cycle of 10 minutes at ℃ × 10 was performed as one cycle, and the number of heat cycles at which copper started to peel was measured. Also, the temperature is 30
The amount of warpage of the circuit board when heated in 0 ° C. air for 10 minutes was measured by a non-contact laser displacement meter. Furthermore, in a reflow oven at a temperature of 250 ° C., after soldering the circuit board to a base copper plate having a thickness of 4 mm with no load, the voids are measured with an ultrasonic probe, and the void occurrence rate (%) is The area was calculated as (area / circuit board area) × 100. The results are shown in Table 1.

【0027】[0027]

【表1】 (注)回路基板の反りの方向は回路面が凹となる方向を
+として表示してある。
[Table 1] (Note) The direction of warpage of the circuit board is indicated as + when the circuit surface is concave.

【0028】[0028]

【発明の効果】本発明の回路基板は、温度変化による反
りの変位が著しく小さいので、ベース銅板に半田付けす
る際のボイドの発生が減少し、しかも熱衝撃や熱履歴に
対する耐久性すなわち耐ヒートサイクル性が向上する。
Since the circuit board of the present invention has a significantly small warp displacement due to temperature change, the occurrence of voids during soldering to the base copper plate is reduced, and the circuit board has durability against heat shock and heat history, that is, heat resistance. Cycleability is improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の回路基板の一例を示す上面図である
(寸法の単位はmmである)。
FIG. 1 is a top view showing an example of a circuit board of the present invention (unit of dimension is mm).

【図2】図1の下面図である(寸法の単位はmmであ
る)。
FIG. 2 is a bottom view of FIG. 1 (unit of dimension is mm).

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 セラミックス基板 2 金属回路 3 金属放熱板 a パターン幅 b パターン幅 X 最小パターン率(a÷36)を算出した位置 1 ceramics substrate 2 metal circuit 3 metal heat sink a pattern width b pattern width X position where the minimum pattern ratio (a / 36) is calculated

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 寺野 克典 福岡県大牟田市新開町1 電気化学工業株 式会社大牟田工場内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Katsunori Terano 1 Shinkai-cho, Omuta-shi, Fukuoka Electric Chemical Industry Co., Ltd. Omuta Factory

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 セラミックス基板の一方の面に金属回
路、他方の面には金属放熱板が設けられてなるものであ
って、以下の(1)〜(3)の条件を備えてなることを
特徴とする回路基板。 (1)金属回路の厚みが0.3mmよりも大きいこと。 (2)金属回路とセラミックス基板とが接合している部
分の長さの合計の最小値がセラミックス基板の長さに対
して20%以下であること。 (3)温度−40℃〜300℃に冷却・加熱した場合に
おける反り量が100μm以下であること。
1. A ceramic substrate having a metal circuit on one surface thereof and a metal radiator plate on the other surface thereof, which is provided with the following conditions (1) to (3). Characteristic circuit board. (1) The thickness of the metal circuit is larger than 0.3 mm. (2) The minimum total length of the portions where the metal circuit and the ceramics substrate are joined is 20% or less of the length of the ceramics substrate. (3) The amount of warpage when cooled / heated to a temperature of −40 ° C. to 300 ° C. is 100 μm or less.
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