JP2009302196A - Insulated metal base circuit board and hybrid integrated circuit module using the same - Google Patents

Insulated metal base circuit board and hybrid integrated circuit module using the same Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an insulated metal base circuit board for reducing a warpage behavior generated by a thermal load in the packaging process of a substrate, and to provide a hybrid integrated circuit module using the circuit board. <P>SOLUTION: The insulated metal base circuit board is provided with a conductor metal on metal foil via an insulating layer wherein the area of the conductor metal is not smaller than 50% of the entire area of the circuit surface of the insulated metal base circuit board, and the ratio of the circuit portion in the conductor metal is not smaller than 5% and not larger than 50% at least in one section passing through the center of gravity at the side of the circuit surface of the insulated metal base circuit board. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、絶縁金属ベース回路基板及びそれを用いた混成集積回路モジュールに関する。   The present invention relates to an insulating metal base circuit board and a hybrid integrated circuit module using the same.

従来、小型化や実装時の省力化等を可能にする表面実装を実現するために、各種の回路基板が用いられており、これらの回路基板に半導体素子や発光ダイオード(LED:Light Emitting Diode)素子、チップ抵抗やチップコンデンサ等の各種の表面実装電子部品を搭載した混成集積回路モジュールが用いられている。特に、高発熱性電子部品を実装する回路基板として、金属板上に無機充填材を充填したエポキシ樹脂等からなる絶縁層を設け、該絶縁層上に回路を設けた絶縁金属ベース回路基板が用いられている。   2. Description of the Related Art Conventionally, various circuit boards have been used in order to realize surface mounting that enables miniaturization and labor saving at the time of mounting, and semiconductor elements and light emitting diodes (LEDs: Light Emitting Diodes) are used on these circuit boards. Hybrid integrated circuit modules on which various surface mount electronic components such as elements, chip resistors and chip capacitors are mounted are used. In particular, an insulating metal base circuit board in which an insulating layer made of an epoxy resin or the like filled with an inorganic filler is provided on a metal plate and a circuit is provided on the insulating layer is used as a circuit board for mounting a highly exothermic electronic component. It has been.

また、各種の電子装置は、軽量化、薄型化が求められており、例えば、液晶表示装置は、画面の大型化とともに、薄型化を実現する努力が為されている。そこで、大面積に効率よくLED素子を配することができる絶縁金属ベース回路基板を用いることが考えられる。絶縁金属ベース回路基板上の回路には、各種の電子部品が半田や導電樹脂などを介して接合されるが、実装工程時の熱負荷により絶縁金属ベース回路基板が反り挙動を示す場合がある。   In addition, various electronic devices are required to be lighter and thinner. For example, liquid crystal display devices have been made to make the screen thinner and thinner. Therefore, it is conceivable to use an insulating metal base circuit board that can efficiently arrange LED elements over a large area. Various electronic components are joined to the circuit on the insulating metal base circuit board through solder, conductive resin, or the like. However, the insulating metal base circuit board may exhibit a warping behavior due to a thermal load during the mounting process.

例えば、特許文献1に示されるような液晶表示装置用途のように、画面の大型化と共に、薄型化を実現する努力が為されている場合、絶縁金属ベース回路基板も、大型化と共に薄型化が要求される。   For example, when an effort is made to reduce the thickness as the screen is enlarged as in a liquid crystal display device as shown in Patent Document 1, the insulating metal base circuit board is also reduced in thickness as the size is increased. Required.

また、非特許文献1には、プラスチック基板について、反りが発生することが記載されており、基板の線膨張率とヤング率を改善することにより反りが抑制できることが記載されている。   Non-Patent Document 1 describes that a plastic substrate warps, and describes that the warpage can be suppressed by improving the linear expansion coefficient and Young's modulus of the substrate.

一般的に、基板上に導体回路を形成する場合、通常は駆動電流や信号電流を流す回路や電位を与える回路等、電気的に活用する部位に導体回路を形成する。よって、基板を大型化する場合などは、図1に示すように、導体回路の面積は、基板全体の面積に対して20%以下になる場合もある。
特開2006−310014号公報 シャープ技報 第85号 2003年4月
In general, when a conductor circuit is formed on a substrate, the conductor circuit is usually formed in a portion to be used electrically, such as a circuit for supplying a driving current or a signal current or a circuit for applying a potential. Therefore, when the substrate is enlarged, as shown in FIG. 1, the area of the conductor circuit may be 20% or less with respect to the area of the entire substrate.
JP 2006-310014 A Sharp Technical Report No. 85 April 2003

しかしながら、上述のような公知の基板の場合、実装工程時の熱負荷により絶縁金属ベース回路基板が反り挙動を示し、半田や導電性樹脂の接合が不充分になるなどの不都合が起きることが懸念される。   However, in the case of the known substrates as described above, there is a concern that the insulating metal base circuit substrate exhibits a warping behavior due to the thermal load during the mounting process, and that inconveniences such as insufficient bonding of solder and conductive resin may occur. Is done.

即ち、本発明の目的は、基板の実装工程時の熱負荷により発生する反り挙動を減少させ、電子部品の接合材を確実に接合させることができ、信頼性の高い絶縁金属ベース回路基板及びそれを用いた混成集積回路モジュールを提供することである。   That is, the object of the present invention is to reduce the warping behavior caused by the thermal load during the substrate mounting process, and to reliably bond the bonding material of the electronic component, and to provide a highly reliable insulated metal base circuit board. It is to provide a hybrid integrated circuit module using the above.

本発明によれば、金属箔上に絶縁層を介して導体金属が設けられた絶縁金属ベース回路基板であって、上記導体金属の面積が上記絶縁金属ベース回路基板全体の面積の50%以上であり、上記絶縁金属ベース回路基板の回路面側の重心を通る少なくとも一つの断面において、上記導体金属の内、回路部分の割合が5%以上50%以下であることを特徴とする絶縁金属ベース回路基板が提供される。   According to the present invention, there is provided an insulated metal base circuit board in which a conductive metal is provided on a metal foil via an insulating layer, and the area of the conductive metal is 50% or more of the total area of the insulated metal base circuit board. And an insulating metal base circuit characterized in that, in at least one cross section passing through the center of gravity on the circuit surface side of the insulating metal base circuit board, the proportion of the circuit portion of the conductive metal is 5% or more and 50% or less. A substrate is provided.

上記構成からなる絶縁金属ベース回路基板は、基板の実装工程時の熱負荷により発生する反り挙動を減少させることができ、半田や導電性樹脂等の電子部品の接合材を強固に接合させることができる。   The insulated metal base circuit board having the above configuration can reduce the warping behavior caused by the thermal load during the mounting process of the board, and can firmly bond the bonding material of electronic components such as solder and conductive resin. it can.

また、上記構成からなる絶縁金属ベース回路基板上に表面実装電子部品を搭載した混成集積回路モジュールは、実使用条件下で受ける厳しい温度変化によっても半田や導電樹脂などの接合材及びその周辺部にクラックを生じることが少ない。   In addition, a hybrid integrated circuit module in which surface-mounted electronic components are mounted on an insulating metal base circuit board having the above-described structure can be applied to bonding materials such as solder and conductive resin and its peripheral parts even under severe temperature changes under actual use conditions. Less likely to crack.

本発明によれば、基板の実装工程時の熱負荷により発生する反り挙動を減少させ、電子部品の接合材を確実に接合させることができ、さらには、実使用条件下で受ける厳しい温度変化によっても半田や導電樹脂などの接合材及びその周辺部にクラックを生じることがない絶縁金属ベース回路基板及びそれを用いた混成集積回路モジュールが提供される。   According to the present invention, it is possible to reduce the warping behavior caused by the thermal load during the mounting process of the substrate, to reliably bond the bonding material of the electronic component, and further, due to severe temperature changes that are received under actual use conditions. In addition, there are provided a bonding material such as solder or conductive resin, an insulating metal base circuit board that does not cause cracks in the periphery thereof, and a hybrid integrated circuit module using the insulating metal base circuit board.

<用語の説明>
本発明において、「混成集積回路モジュール」とは、金属ベース回路基板等の回路基板上に、半導体素子や発光ダイオード素子、チップ抵抗やチップコンデンサ等の各種等の表面実装電子部品を搭載したものである。
<Explanation of terms>
In the present invention, the term “hybrid integrated circuit module” refers to a circuit board such as a metal base circuit board on which surface mount electronic components such as semiconductor elements, light emitting diode elements, chip resistors, chip capacitors, and the like are mounted. is there.

[回路部分]
本発明において、「回路部分」とは、駆動電流や信号電流を流す回路や電位を与える回路等、電気的に活用する部分を意味する。
[Circuit part]
In the present invention, the “circuit portion” means a portion that is used electrically, such as a circuit for supplying a driving current or a signal current or a circuit for applying a potential.

[回路面]
本発明において、「回路面」とは、絶縁金属ベース回路基板上で上記回路部分が形成される面のことを意味する。また、「回路面側の重心」とは、面の厚さや重さを一様とみなし、基板回路面の各部にはたらく重力を1つにまとめたとき、その力がはたらく点と定義される。例えば、円板状の基板の重心は中心と同じになり、三角形状の基板の重心は、三角形の頂点とその対辺の中点を結んだ線が交わる点になる。多角形の基板の重心は、まず対角線で複数の三角形に分割して、三角形の重心点を割り出す。次に、各々の三角形の重心点の重心を求めると、それが多角形の基板の重心となる。
[Circuit surface]
In the present invention, the “circuit surface” means a surface on which the circuit portion is formed on an insulating metal base circuit board. Further, the “center of gravity on the circuit surface side” is defined as a point where the force works when the thickness and weight of the surface are considered to be uniform and the gravity acting on each part of the substrate circuit surface is combined into one. For example, the center of gravity of the disk-shaped substrate is the same as the center, and the center of gravity of the triangular substrate is the point where the line connecting the vertex of the triangle and the midpoint of the opposite side intersects. The center of gravity of the polygonal substrate is first divided into a plurality of triangles by diagonal lines, and the center of gravity of the triangle is determined. Next, when the center of gravity of each triangle is obtained, it becomes the center of gravity of the polygonal substrate.

また、「断面」とは、絶縁金属ベース回路基板の平面に対して略垂直の断面のことを意味する。即ち、「重心を通る少なくとも一つの断面」とは、上記重心を通る任意の断面を意味する。   The “cross section” means a cross section substantially perpendicular to the plane of the insulating metal base circuit board. That is, “at least one section passing through the center of gravity” means an arbitrary section passing through the center of gravity.

<発明の経緯>
本発明者は、有限要素法を用いた熱弾塑性解析において、いろいろな絶縁金属ベース回路基板の回路パターンを種々変えて、電子部品を半田により接合する混成集積回路について、実装工程に対応する室温から250℃の範囲の熱を負荷する計算を種々行った。その結果、絶縁金属ベース回路基板の金属ベース箔厚みが薄い場合や基板の大きさが大きい場合には、構造上熱負荷により反りが発生すること、ただし、回路設計方法を工夫し、導体金属を回路としてだけではなく構造材として使用することで、その反りを低減させることができることを見いだした。
<Background of the invention>
The present inventor has disclosed a room temperature corresponding to a mounting process for a hybrid integrated circuit in which electronic components are joined by soldering in various thermal metal-plastic analysis using a finite element method by changing various circuit patterns of various insulating metal base circuit boards. Various calculations were performed to load heat in the range of to 250 ° C. As a result, when the metal base foil thickness of the insulating metal base circuit board is thin or the board size is large, the structure may warp due to the thermal load. It was found that the warpage can be reduced by using it not only as a circuit but also as a structural material.

即ち、本発明は、導体回路金属の配置構成を制御することにより、導体金属を回路としてだけではなく構造材として使用することで、実装工程時の熱負荷による反り挙動を少なくできる絶縁金属ベース回路基板及びその回路基板を用いた混成集積回路モジュールが得られるという知見に基づいたものである。   That is, the present invention is an insulating metal base circuit that can reduce the warping behavior due to the thermal load during the mounting process by controlling the arrangement configuration of the conductor circuit metal and using the conductor metal not only as a circuit but also as a structural material. This is based on the knowledge that a substrate and a hybrid integrated circuit module using the circuit substrate can be obtained.

以下、図を用いて、本発明に係る絶縁金属ベース回路基板及び混成集積回路モジュールの実施形態を説明する。   Hereinafter, embodiments of an insulating metal base circuit board and a hybrid integrated circuit module according to the present invention will be described with reference to the drawings.

<実施形態1>
図2は、本発明の実施形態1に係る混成集積回路モジュールの一例を示す平面図である。また、図3は図2中のA−A’部分での断面図である。本実施形態に係る混成集積回路モジュールを構成する絶縁金属ベース回路基板は、金属箔4の一主面上に絶縁層(A)3が設けられており、絶縁層(A)3上に導体金属(回路部2及び非回路部7)が形成されている。本実施形態に係る混成集積回路モジュールは、上記絶縁金属ベース回路基板の所望部分に接合材5を介して表面実装型電子部品1を配置搭載した構造を有している。
<Embodiment 1>
FIG. 2 is a plan view showing an example of a hybrid integrated circuit module according to Embodiment 1 of the present invention. FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line AA ′ in FIG. The insulating metal base circuit board constituting the hybrid integrated circuit module according to the present embodiment is provided with the insulating layer (A) 3 on one main surface of the metal foil 4, and the conductor metal on the insulating layer (A) 3. (Circuit part 2 and non-circuit part 7) are formed. The hybrid integrated circuit module according to the present embodiment has a structure in which the surface mount electronic component 1 is arranged and mounted on a desired portion of the insulating metal base circuit board via a bonding material 5.

本実施形態に係る回路部2及び非回路部7の面積は、図2に示すように、絶縁金属ベース回路基板の回路面の全体の面積の50%以上、好ましくは60%以上、さらに好ましくは70%以上である。   As shown in FIG. 2, the area of the circuit unit 2 and the non-circuit unit 7 according to this embodiment is 50% or more, preferably 60% or more, more preferably, the entire area of the circuit surface of the insulating metal base circuit board. 70% or more.

図2のa部のように構造材として非回路部7を形成し、回路部2及び非回路部7の面積が絶縁金属ベース回路基板の回路面の全体の面積の50%以上、好ましくは60%以上、さらに好ましくは70%以上とすることにより、実装工程時の熱負荷による絶縁金属ベース回路基板の反り挙動を低減させ、接合材である半田や導電性樹脂の接合信頼性を向上させることが出来る。   The non-circuit portion 7 is formed as a structural material as shown in FIG. 2A, and the area of the circuit portion 2 and the non-circuit portion 7 is 50% or more of the entire area of the circuit surface of the insulating metal base circuit board, preferably 60. % Or more, more preferably 70% or more, to reduce the warping behavior of the insulating metal base circuit board due to the thermal load during the mounting process, and to improve the bonding reliability of solder or conductive resin as a bonding material I can do it.

本実施形態においては、基板が大型化するほど、その有効性が顕著であり、図2のa部のように構造材として非回路部7を形成し、回路部2及び非回路部7の面積が絶縁金属ベース回路基板の回路面の全体の面積の50%以上とした場合、絶縁金属ベース回路基板の回路面側の重心を通る少なくとも一つの任意の断面において、回路部2及び非回路部7の内、回路部分(回路部2)の割合が5%以上50%以下であり、好ましくは5%以上35%以下、さらに好ましくは5%以上25%以下である。これにより、実装工程時の熱負荷による絶縁金属ベース回路基板の反り挙動を低減させ、接合材である半田や導電性樹脂の接合信頼性を向上させることが出来る。   In the present embodiment, the larger the substrate is, the more effective the substrate is. The non-circuit portion 7 is formed as a structural material as shown in FIG. 2A, and the areas of the circuit portion 2 and the non-circuit portion 7 are formed. Is 50% or more of the total area of the circuit surface of the insulating metal base circuit board, the circuit portion 2 and the non-circuit portion 7 are in at least one arbitrary cross section passing through the center of gravity on the circuit surface side of the insulating metal base circuit board. Among these, the ratio of the circuit part (circuit part 2) is 5% or more and 50% or less, preferably 5% or more and 35% or less, and more preferably 5% or more and 25% or less. As a result, it is possible to reduce the warping behavior of the insulating metal base circuit board due to the thermal load during the mounting process, and to improve the bonding reliability of solder or conductive resin as a bonding material.

本実施形態においては、回路部分(回路部2)とは、絶縁金属ベース回路基板上に形成される導体金属の内で、実際に駆動電流や信号電流が流れる部分のことであり、非回路部7以外の部分をいう。   In the present embodiment, the circuit portion (circuit portion 2) is a portion of the conductor metal formed on the insulating metal base circuit board through which a drive current and a signal current actually flow. The part other than 7.

次に、本実施形態に係る混成集積回路モジュールの各構成を説明する。   Next, each configuration of the hybrid integrated circuit module according to the present embodiment will be described.

[回路部]
本実施形態において、回路部2を構成する金属としては、特に限定されないが、銅、アルミニウム、ニッケル、鉄、錫、金、銀、モリブデン、チタニウムのいずれか、又はこれらの金属を2種類以上含む合金、或いは上記金属又は合金を使用したクラッド箔等を用いることができる。尚、上記回路部2の製造方法は電解法でも圧延法で作製したものでもよい。
[Circuit part]
In the present embodiment, the metal constituting the circuit unit 2 is not particularly limited, but includes any one of copper, aluminum, nickel, iron, tin, gold, silver, molybdenum, titanium, or two or more of these metals. An alloy, or a clad foil using the above metal or alloy can be used. In addition, the manufacturing method of the said circuit part 2 may be produced by the electrolytic method or the rolling method.

また、上記回路部2上にはNiメッキ、Ni−Auメッキ、半田メッキなどの金属メッキが施されていてもかまわない。   Further, the circuit portion 2 may be subjected to metal plating such as Ni plating, Ni-Au plating, or solder plating.

上記回路部2の厚みは0.005mm以上0.400mm以下が好ましく、更に好ましくは0.01mm以上0.30mm以下である。0.005mm以上であれば回路基板として十分な導電性を確保でき、0.400mm以下であれば低コストで効率よく回路形成が行える。   The thickness of the circuit part 2 is preferably 0.005 mm or more and 0.400 mm or less, more preferably 0.01 mm or more and 0.30 mm or less. If it is 0.005 mm or more, sufficient conductivity as a circuit board can be secured, and if it is 0.400 mm or less, a circuit can be formed efficiently at low cost.

[非回路部]
本実施形態において、非回路部7を構成する金属としては、特に限定されないが、銅、アルミニウム、ニッケル、鉄、錫、金、銀、モリブデン、チタニウムのいずれか、又はこれらの金属を2種類以上含む合金、あるいは上記金属又は合金を使用したクラッド箔等を用いることができる。尚、上記非回路部7の製造方法は電解法でも圧延法で作製したものでもよい。
[Non-circuit part]
In the present embodiment, the metal constituting the non-circuit portion 7 is not particularly limited, but any one of copper, aluminum, nickel, iron, tin, gold, silver, molybdenum, titanium, or two or more of these metals An alloy including the above, or a clad foil using the above metal or alloy can be used. In addition, the manufacturing method of the said non-circuit part 7 may be produced by the electrolytic method or the rolling method.

また、上記非回路部7上にはNiメッキ、Ni−Auメッキ、半田メッキなどの金属メッキが施されていてもかまわない。   The non-circuit portion 7 may be subjected to metal plating such as Ni plating, Ni—Au plating, or solder plating.

上記非回路部7の厚みは0.005mm以上0.400mm以下が好ましく、更に好ましくは0.01mm以上0.30mm以下である。0.005mm以上であれば回路基板として十分な導電性を確保でき、0.400mm以下であれば低コストで効率よく回路形成が行える。   The non-circuit portion 7 has a thickness of preferably 0.005 mm to 0.400 mm, and more preferably 0.01 mm to 0.30 mm. If it is 0.005 mm or more, sufficient conductivity as a circuit board can be secured, and if it is 0.400 mm or less, a circuit can be formed efficiently at low cost.

上記非回路部7は、上記回路部2と同様の材料によって形成されてもよいし、他種の材料であってもよい。また、その厚みも、上記回路部2と同じであってもよいし、異なってもよい。上記非回路部7が、回路部2と同種の材料や同じ厚みであれば、回路の形成と同時に非回路部7部分の製造を行うことができる。   The non-circuit portion 7 may be formed of the same material as the circuit portion 2 or may be another type of material. Moreover, the thickness may be the same as that of the circuit unit 2 or may be different. If the non-circuit portion 7 is made of the same material and the same thickness as the circuit portion 2, the non-circuit portion 7 can be manufactured simultaneously with the formation of the circuit.

[絶縁層(A)]
本実施形態に係る絶縁層(A)3の熱伝導率は0.5W/mK以上であり、好ましくは1W/mK以上であり、さらに好ましくは1.5W/mK以上である。0.5W/mK以上の熱伝導率を有する絶縁層を用いた絶縁金属ベース回路基板は、電子部品から発生する熱を効率よく絶縁金属ベース回路基板裏面側に放熱し、さらに、外部に放熱することにより電子部品の蓄熱を低減し、電子部品の温度上昇を小さくするとともに、長寿命の混成集積回路モジュールを提供することができる。
[Insulating layer (A)]
The thermal conductivity of the insulating layer (A) 3 according to the present embodiment is 0.5 W / mK or more, preferably 1 W / mK or more, and more preferably 1.5 W / mK or more. An insulating metal base circuit board using an insulating layer having a thermal conductivity of 0.5 W / mK or more efficiently dissipates heat generated from electronic components to the back side of the insulating metal base circuit board, and further dissipates heat to the outside. As a result, it is possible to provide a long-life hybrid integrated circuit module while reducing the heat storage of the electronic component, reducing the temperature rise of the electronic component.

また、上記回路部2と金属箔4との間の耐電圧が1kV以上、望ましくは1.5kV以上、さらに望ましくは2kV以上という、耐電圧特性を有することが好ましい。耐電圧が1kV以上であれば、電子部品を搭載したときに、安定して電子部品を稼働させることができる。   Moreover, it is preferable to have a withstand voltage characteristic that the withstand voltage between the circuit part 2 and the metal foil 4 is 1 kV or more, desirably 1.5 kV or more, more desirably 2 kV or more. When the withstand voltage is 1 kV or more, the electronic component can be stably operated when the electronic component is mounted.

さらに、上記絶縁層(A)3は、200Kから450Kの温度範囲において、貯蔵弾性率と熱膨張率との積が1kPa/K以上10MPa/K以下のものが好ましく、10kPa/K以上1MPa/K以下のものが特に好ましい。貯蔵弾性率と熱膨張率との積が1kPa/K以上であれば製造時の取り扱いが容易であり、10MPa/K以下であれば接合材への負担を軽減させることが可能となる。   Further, the insulating layer (A) 3 preferably has a product of a storage elastic modulus and a thermal expansion coefficient of 1 kPa / K to 10 MPa / K in a temperature range of 200 K to 450 K, and is preferably 10 kPa / K to 1 MPa / K. The following are particularly preferred: If the product of the storage elastic modulus and the coefficient of thermal expansion is 1 kPa / K or more, handling during production is easy, and if it is 10 MPa / K or less, the burden on the bonding material can be reduced.

上記絶縁層(A)3の厚みは、50μm以上400μm以下が好ましく、さらに好ましくは80μm以上200μm以下である。50μm以上であれば十分な電気絶縁性が確保できるし、400μm以下であれば熱放散性が十分に達成でき、小型化や薄型化に寄与できる。   The thickness of the insulating layer (A) 3 is preferably 50 μm or more and 400 μm or less, and more preferably 80 μm or more and 200 μm or less. If it is 50 μm or more, sufficient electric insulation can be secured, and if it is 400 μm or less, heat dissipation can be sufficiently achieved, contributing to miniaturization and thickness reduction.

上記絶縁層(A)3に用いられる樹脂としては、特に限定されず、耐熱性、電気絶縁性に優れた樹脂であればどのようなものであっても良いが、耐熱性や寸法安定性の点から熱硬化性樹脂が好ましい。熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂などが使用でき、特に、無機充填材を含みながらも、硬化状態において、金属箔4、回路部2及び非回路部7との接合力及び絶縁性に優れた二官能性エポキシ樹脂と重付加型硬化剤とを主成分としたものが好ましい。   The resin used for the insulating layer (A) 3 is not particularly limited and may be any resin as long as it is excellent in heat resistance and electrical insulation. From the viewpoint, a thermosetting resin is preferable. As the thermosetting resin, an epoxy resin, a phenol resin, a silicone resin, an acrylic resin, or the like can be used. In particular, the metal foil 4, the circuit unit 2, and the non-circuit unit 7 are included in the cured state while including an inorganic filler. The main component is a bifunctional epoxy resin excellent in bonding strength and insulation and a polyaddition type curing agent.

上記重付加型硬化剤としては、機械的及び電気的性質に優れた酸無水物類やフェノール類が好ましく、熱硬化性樹脂に含まれるエポキシ樹脂のエポキシ当量に対して活性水素等量が0.8〜1倍であれば、絶縁層の機械的及び電気的性質が確保できるため好ましい。   As the polyaddition type curing agent, acid anhydrides and phenols excellent in mechanical and electrical properties are preferable, and the active hydrogen equivalent is 0. 0 with respect to the epoxy equivalent of the epoxy resin contained in the thermosetting resin. If it is 8 to 1 times, it is preferable because the mechanical and electrical properties of the insulating layer can be secured.

上記エポキシ樹脂としては、特に限定されないが、ビスフェノールF型エポキシ樹脂などの可撓性を有しないエポキシ樹脂やダイマー酸エポキシ樹脂などの可撓性を有するエポキシ樹脂が使用できる。また、アクリルゴムなどで予め変性したエポキシ樹脂も使用できる。   Although it does not specifically limit as said epoxy resin, Epoxy resins which have flexibility, such as an epoxy resin which does not have flexibility, such as a bisphenol F type epoxy resin, and a dimer acid epoxy resin, can be used. Moreover, an epoxy resin previously modified with acrylic rubber or the like can also be used.

硬化剤についてはフェノール樹脂などの可撓性を有しない硬化剤や脂肪族系炭化水素のジアミンなどの可撓性を有する硬化剤が使用でき、これらの硬化剤とエポキシ樹脂を組み合わせてもよい。また、硬化促進剤についても必要に応じて使用してもよいし、これらの硬化剤以外にポリイミド樹脂、フェノキシ樹脂などの樹脂成分を使用してもよい。   As the curing agent, a flexible curing agent such as a phenolic resin or a flexible curing agent such as an aliphatic hydrocarbon diamine can be used, and these curing agents may be combined with an epoxy resin. Moreover, you may use a hardening accelerator as needed, and you may use resin components, such as a polyimide resin and a phenoxy resin, besides these hardening | curing agents.

具体的なエポキシ樹脂としては、特に限定されず、公知のエポキシ樹脂、例えばナフタレン型、フェニルメタン型、テトラキスフェノールメタン型、ビフェニル型、及びビスフェノールAアルキレンオキサイド付加物型のエポキシ樹脂等が挙げられる。このうち、応力緩和性という理由から、主鎖がポリエーテル骨格を有し、直鎖状であるエポキシ樹脂が好ましい。   The specific epoxy resin is not particularly limited, and examples thereof include known epoxy resins such as naphthalene type, phenylmethane type, tetrakisphenolmethane type, biphenyl type, and bisphenol A alkylene oxide adduct type epoxy resins. Of these, an epoxy resin having a main chain having a polyether skeleton and a straight chain is preferable because of stress relaxation.

主鎖がポリエーテル骨格を有し、主鎖状であるエポキシ樹脂としては、ビスフェノールA型、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型の水素添加エポキシ樹脂、ポリプロピレングリコール型エポキシ樹脂、ポリテトラメチレングリコール型エポキシ樹脂に代表される脂肪族エポキシ樹脂、およびポリサルファイド変性エポキシ樹脂等が挙げられ、これらを複数組み合わせて用いることもできる。   The epoxy resin whose main chain has a polyether skeleton and has a main chain shape includes bisphenol A type, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol A type hydrogenated epoxy resin, polypropylene glycol type epoxy resin, polytetramethylene glycol type Aliphatic epoxy resins typified by epoxy resins, polysulfide-modified epoxy resins and the like can be mentioned, and a plurality of these can be used in combination.

絶縁金属ベース回路基板に高い耐熱性が必要な場合には、ビスフェノールA型エポキシ樹脂を単独、若しくは他のエポキシ樹脂と組み合わせて用いることで電気絶縁性、熱伝導率が共に高く、耐熱性の高い樹脂硬化体を得ることが可能となる。   When high heat resistance is required for an insulating metal base circuit board, the bisphenol A type epoxy resin is used alone or in combination with other epoxy resins, so that both electrical insulation and thermal conductivity are high and heat resistance is high. A cured resin can be obtained.

上記ビスフェノールA型エポキシ樹脂については、エポキシ当量が300以下であることが一層好ましい。エポキシ当量が300以下であれば、高分子タイプになるときに見られる架橋密度の低下によるTgの低下、従って耐熱性の低下を引き起こすことが防止されるからである。また、分子量が大きければ、無機充填材を硬化性樹脂中にブレンドすることが容易になり、均一な樹脂組成物が得られる。   The bisphenol A type epoxy resin preferably has an epoxy equivalent of 300 or less. This is because if the epoxy equivalent is 300 or less, it is possible to prevent a decrease in Tg due to a decrease in crosslink density, which is observed when the polymer type is obtained, and hence a decrease in heat resistance. Moreover, if molecular weight is large, it will become easy to blend an inorganic filler in curable resin, and a uniform resin composition will be obtained.

上記エポキシ樹脂は加水分解性塩素濃度が600ppm以下であることが好ましい。加水分解性塩素濃度が600ppm以下であれば、金属ベース回路基板として充分な耐湿性を得ることができる。   The epoxy resin preferably has a hydrolyzable chlorine concentration of 600 ppm or less. If the hydrolyzable chlorine concentration is 600 ppm or less, sufficient moisture resistance as a metal base circuit board can be obtained.

また、上記エポキシ樹脂には硬化剤を添加してもよい。該硬化剤としては、芳香族アミン系樹脂、酸無水物系樹脂、フェノール系樹脂及びジシアンアミドからなる群から選ばれる1種類以上を用いることができる。   Moreover, you may add a hardening | curing agent to the said epoxy resin. As the curing agent, one or more selected from the group consisting of aromatic amine resins, acid anhydride resins, phenol resins, and dicyanamide can be used.

上記硬化剤の添加量については、エポキシ樹脂100質量部に対して、5〜50質量部であることが好ましく、10〜35質量部であることがより好ましい。   About the addition amount of the said hardening | curing agent, it is preferable that it is 5-50 mass parts with respect to 100 mass parts of epoxy resins, and it is more preferable that it is 10-35 mass parts.

さらに、上記エポキシ樹脂には、必要に応じて硬化触媒を使用することもできる。該硬化触媒としては、一般にイミダゾール化合物、有機リン酸化合物、第三級アミン、第四級アンモニウム等が使用され、いずれか1種類以上を選択することができる。   Furthermore, a curing catalyst can be used for the epoxy resin as necessary. As the curing catalyst, an imidazole compound, an organic phosphate compound, a tertiary amine, a quaternary ammonium, or the like is generally used, and any one or more types can be selected.

添加量については、硬化温度により変化するため特に制限はないが、エポキシ樹脂100質量部に対して0.01質量部以上5質量部以下であることが好ましい。0.01質量部以上ならば十分に硬化するし、5質量部以下ならば回路基板製造工程における硬化度合いの制御が容易となる。   Although there is no restriction | limiting in particular about addition amount, since it changes with hardening temperature, It is preferable that it is 0.01 to 5 mass parts with respect to 100 mass parts of epoxy resins. If it is 0.01 mass part or more, it will fully harden | cure, and if it is 5 mass parts or less, control of the hardening degree in a circuit board manufacturing process will become easy.

上記絶縁層(A)3には必要に応じてカップリング剤等の分散助剤、溶剤等の粘度調整助剤など公知の各種助剤を、本発明の目的に反しない限りに於いて、添加することが可能である。   As long as it does not contradict the objective of this invention, the said insulating layer (A) 3 adds well-known various adjuvants, such as dispersion | distribution adjuvants, such as a coupling agent, and viscosity adjustment adjuvants, such as a solvent. Is possible.

上記絶縁層(A)3に含有される無機充填材としては、電気絶縁性で熱伝導性の良好なものが好ましく、例えば、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、窒化ホウ素、酸化マグネシウム等が用いられる。これらの無機充填材は、単独でも複数を組み合わせても用いることができる。   The inorganic filler contained in the insulating layer (A) 3 is preferably an electrically insulating and heat conductive material, such as silicon oxide, aluminum oxide, aluminum nitride, silicon nitride, boron nitride, magnesium oxide. Etc. are used. These inorganic fillers can be used alone or in combination.

このうち窒化アルミウムおよび窒化ホウ素が高熱伝導性であるという理由で好ましい。また、酸化ケイ素、窒化ホウ素を用いることで硬化体の誘電率を低く抑えることが可能となり、高周波で用いる電気、電子部品の放熱材料に用いる場合に、電気絶縁性が確保しやすいことから好ましい。更に、ハンドリング性および流動性を向上させるため、前記無機充填材の粒子形状はアスペクト比が1に近いものが好ましい。粗粒子と微粒子を混ぜ合わせると破砕粒子や球状粒子を単独で用いた場合よりも高充填が可能となり、更に好ましい。   Of these, aluminum nitride and boron nitride are preferred because of their high thermal conductivity. Further, the use of silicon oxide or boron nitride makes it possible to keep the dielectric constant of the cured body low, and it is preferable because it is easy to ensure electrical insulation when used as a heat dissipation material for electric and electronic parts used at high frequencies. Furthermore, in order to improve handling property and fluidity, the particle shape of the inorganic filler preferably has an aspect ratio close to 1. When coarse particles and fine particles are mixed together, it is possible to achieve a higher packing than when crushed particles or spherical particles are used alone, which is more preferable.

上記無機充填材としては、絶縁層の熱伝導特性を向上させる目的で、粗粒子と微粒子等の複数の粒子群を混合使用することができる。例えば、粗粒子と微粒子を混ぜ合わせて用いる場合には、平均粒子径が5μm以上の粗粒子粉と5μm未満の微粒子粉を用いることが好ましい。粗粒子粉と微粒子粉の割合は粗粒子粉が無機充填材全体に対して40〜98体積%が好ましく、より好ましくは50〜96体積%である。   As the inorganic filler, a plurality of particle groups such as coarse particles and fine particles can be mixed and used for the purpose of improving the heat conduction characteristics of the insulating layer. For example, when using a mixture of coarse particles and fine particles, it is preferable to use coarse particle powder having an average particle diameter of 5 μm or more and fine particle powder of less than 5 μm. The ratio of the coarse particle powder to the fine particle powder is preferably 40 to 98% by volume, more preferably 50 to 96% by volume, with respect to the whole inorganic filler.

又、上記無機充填材の添加量は絶縁層(A)3をなす樹脂組成物中40体積%以上75体積%以下が好ましい。40体積%以上であれば充分な放熱性が確保でき、75体積%以下であれば樹脂中への良好な分散性、接着性及び耐電圧性が得られる。   The amount of the inorganic filler added is preferably 40% by volume or more and 75% by volume or less in the resin composition forming the insulating layer (A) 3. If it is 40 volume% or more, sufficient heat dissipation can be ensured, and if it is 75 volume% or less, good dispersibility, adhesion and voltage resistance in the resin can be obtained.

また、上記無機充填材中のナトリウムイオン濃度は、500ppm以下であることが好ましく、100ppm以下であることがより好ましい。無機充填材中のナトリウムイオン濃度が500ppm以下であれば、高温下、直流電圧下においてイオン性不純物の移動が起こらず、良好な電気絶縁性を保つことができる。   Moreover, it is preferable that the sodium ion concentration in the said inorganic filler is 500 ppm or less, and it is more preferable that it is 100 ppm or less. When the sodium ion concentration in the inorganic filler is 500 ppm or less, the migration of ionic impurities does not occur at high temperature and under direct current voltage, and good electrical insulation can be maintained.

[金属箔]
本実施形態に係る金属箔4は、特に限定されないが、アルミニウム、鉄、銅、又はそれら金属の合金、もしくはこれらのクラッド材等からなり、いずれでも構わないが、熱放散性を考慮するとアルミニウム、銅、又はそれらの合金が好ましい。また、必要に応じて、上記絶縁層(A)3との密着性を改良するために、絶縁層との接着面側に、サンドブラスト、エッチング、各種メッキ処理、カップリング剤処理等の表面処理を施してもよい。
[Metal foil]
The metal foil 4 according to the present embodiment is not particularly limited, and is made of aluminum, iron, copper, an alloy of these metals, or a clad material thereof, and any of them may be used, but considering heat dissipation, aluminum, Copper or an alloy thereof is preferred. Further, if necessary, surface treatment such as sandblasting, etching, various plating treatments, coupling agent treatment, etc. is performed on the adhesive surface side with the insulation layer in order to improve the adhesion with the insulation layer (A) 3. You may give it.

さらに、先述の導体金属を形成する技術を利用して、金属箔4を回路化してもよい。これにより、絶縁層の両面に回路を有する両面基板を得ることができる。   Furthermore, the metal foil 4 may be formed into a circuit by using the technique for forming the conductive metal described above. Thereby, a double-sided substrate having circuits on both sides of the insulating layer can be obtained.

上記金属箔4の厚みは0.013mm以上であることが好ましく、さらに好ましくは0.05mm以上である。0.013mm以上であればハンドリング時にしわを生じることもなく、0.5mm以上の場合には液晶装置のバックライト用のLEDを搭載する回路基板として好適である。上記金属箔4の厚みの上限値については技術的な制限はないが、金属箔の厚みが3mmを超えると絶縁金属ベース回路基板としての用途が見いだせず、実用的ではない。   The thickness of the metal foil 4 is preferably 0.013 mm or more, and more preferably 0.05 mm or more. If it is 0.013 mm or more, wrinkles will not occur during handling, and if it is 0.5 mm or more, it is suitable as a circuit board on which an LED for a backlight of a liquid crystal device is mounted. The upper limit value of the thickness of the metal foil 4 is not technically limited. However, if the thickness of the metal foil exceeds 3 mm, an application as an insulating metal base circuit board cannot be found and it is not practical.

<実施形態2>
次に、本発明の他の実施形態に係る絶縁金属ベース回路基板及び混成集積回路モジュールを説明する。なお、各構成については実施形態1と同様である。
<Embodiment 2>
Next, an insulated metal base circuit board and a hybrid integrated circuit module according to another embodiment of the present invention will be described. Each configuration is the same as that of the first embodiment.

図3は、実施形態2に係る混成集積回路モジュールの別の一例を示す断面図である。本実施形態に係る絶縁金属ベース回路基板は、金属箔4の一主面上に絶縁層(A)3が設けられており、絶縁層(A)3上に導体金属(回路部2及び非回路部7)が形成され、接合材5が設けられた部分以外の回路部2、非回路部7及び絶縁層(A)3の上に絶縁膜(絶縁層(B)6)を配置した構造を有している。本実施形態に係る混成集積回路モジュールは、絶縁金属ベース回路基板の回路の所望部分に接合材5を介して表面実装型電子部品1を配置搭載した構造を有している。   FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating another example of the hybrid integrated circuit module according to the second embodiment. The insulating metal base circuit board according to the present embodiment has an insulating layer (A) 3 provided on one main surface of the metal foil 4, and a conductive metal (circuit portion 2 and non-circuit) on the insulating layer (A) 3. Part 7) is formed, and an insulating film (insulating layer (B) 6) is arranged on the circuit part 2, the non-circuit part 7 and the insulating layer (A) 3 other than the part where the bonding material 5 is provided. Have. The hybrid integrated circuit module according to the present embodiment has a structure in which the surface mount electronic component 1 is disposed and mounted on a desired portion of a circuit of an insulating metal base circuit board via a bonding material 5.

[絶縁層(B)]
本実施形態に係る絶縁層(B)6全体の厚みは10〜500μm程度あれば充分であるが、10〜100μmとするときは絶縁金属ベース回路基板を生産性高く製造できるという利点も有するので好ましい。
[Insulating layer (B)]
The total thickness of the insulating layer (B) 6 according to this embodiment is sufficient if it is about 10 to 500 μm. However, the thickness of 10 to 100 μm is preferable because it has an advantage that an insulating metal base circuit board can be manufactured with high productivity. .

上記絶縁層(B)6に使用される樹脂としては、熱硬化型ソルダーレジストの場合はエポキシ樹脂、紫外線硬化型ソルダーレジストの場合はアクリル樹脂、紫外線・熱併用型ソルダーレジストの場合はエポキシ樹脂とアクリル樹脂との併用が望ましい。   The resin used for the insulating layer (B) 6 is an epoxy resin in the case of a thermosetting solder resist, an acrylic resin in the case of an ultraviolet curable solder resist, and an epoxy resin in the case of an ultraviolet / heat combined solder resist. Use in combination with an acrylic resin is desirable.

また、上記絶縁層(B)6を白色膜としてもよい。このようにすれば、基板自体の反射率が高くなり、LED素子等の光源と組み合わせることで、混成集積回路モジュール自体を平面光源として使用することもできる。平面光源は、各種の照明として用いる他、テレビやパソコン、携帯電話等に用いられる各種液晶パネルのバックライトなどとして用いることができる。   The insulating layer (B) 6 may be a white film. In this way, the reflectance of the substrate itself is increased, and the hybrid integrated circuit module itself can be used as a planar light source by combining with a light source such as an LED element. The planar light source can be used as various illuminations, and as a backlight for various liquid crystal panels used in televisions, personal computers, mobile phones and the like.

上記白色膜は、400〜800nmの可視光領域に対して70%以上の反射率、さらに好ましい実施態様においては、450〜470nmと520〜570nm及び620〜660nmに対していずれも80%以上の反射率を有することが好ましい。   The white film has a reflectance of 70% or more with respect to a visible light region of 400 to 800 nm. In a more preferred embodiment, the white film has a reflectance of 80% or more with respect to 450 to 470 nm, 520 to 570 nm, and 620 to 660 nm. It is preferable to have a rate.

上記白色膜は、具体的には、光硬化樹脂や熱硬化樹脂を含有する樹脂組成物に白色顔料を配合して得ることができる。光硬化型樹脂や熱硬化性樹脂としてはエポキシ樹脂、アクリル樹脂、及びこれらの混合物が好適に用いられるが、これらに制限されるものではない。   Specifically, the white film can be obtained by blending a white pigment into a resin composition containing a photocurable resin or a thermosetting resin. Epoxy resins, acrylic resins, and mixtures thereof are preferably used as the photocurable resin and thermosetting resin, but are not limited thereto.

上記白色膜に含有される白色顔料としては、酸化亜鉛、炭酸カルシウム、二酸化チタン、酸化アルミニウム、スメクタイトから選ばれる少なくとも1種以上を含有することが好ましい。   The white pigment contained in the white film preferably contains at least one selected from zinc oxide, calcium carbonate, titanium dioxide, aluminum oxide, and smectite.

上記白色顔料のうち二酸化チタンが最も屈折率が大きく、基板の光の反射率を高める際に用いる場合により好ましい。二酸化チタンには、結晶系がアナターゼ型とルチル型が知られているが、ルチル型のものは安定性に優れるため光触媒作用が弱く、他の構造のものに比べ樹脂成分の劣化が抑制されるので好適に用いることができる。   Of the white pigments, titanium dioxide has the highest refractive index and is more preferable when used to increase the light reflectance of the substrate. Titanium dioxide is known to have anatase and rutile crystal systems, but the rutile type is superior in stability and has a weak photocatalytic action, and the deterioration of the resin component is suppressed compared to other structures. Therefore, it can be used suitably.

さらに、二酸化チタンに各種の表面処理を施し、光触媒作用を抑制したものを好適に用いることができる。表面処理の代表例としては、二酸化ケイ素や水酸化アルミニウム等によるコーティングが挙げられる。また、二酸化チタンに関して、光の散乱効率を高めるために平均粒子径が0.30μm以下であることが好ましい。   Furthermore, what surface-treated titanium dioxide and suppressed photocatalytic action can be used suitably. Typical examples of the surface treatment include coating with silicon dioxide, aluminum hydroxide or the like. Further, regarding titanium dioxide, the average particle diameter is preferably 0.30 μm or less in order to increase the light scattering efficiency.

上記白色顔料のうち、酸化亜鉛は高屈折率及び高放熱性を兼備する材料であり、基板の反射率及び放熱性を高める際に用いる場合により好ましい。また、酸化亜鉛の光の散乱効率を高める場合には、平均粒子径が0.35μm以下であることが好ましい。   Among the white pigments, zinc oxide is a material having both a high refractive index and a high heat dissipation property, and is more preferable when used to increase the reflectance and the heat dissipation property of the substrate. Moreover, when improving the light scattering efficiency of zinc oxide, it is preferable that an average particle diameter is 0.35 micrometer or less.

上記絶縁層(B)6に白色顔料を添加する場合の添加量は、絶縁層全体に対し5〜50体積%が好ましく、更に好ましくは5〜30体積%である。5体積%以上であれば十分な反射率向上の効果が得られるし、50体積%以下であれば絶縁層を形成する操作において、適切な分散性が確保できる。   The amount of white pigment added to the insulating layer (B) 6 is preferably 5 to 50% by volume, more preferably 5 to 30% by volume, based on the entire insulating layer. If it is 5 volume% or more, the effect of a sufficient reflectance improvement will be acquired, and if it is 50 volume% or less, appropriate dispersibility can be secured in the operation of forming the insulating layer.

尚、回路部2上に絶縁層(B)6を形成する場合には、LED等の電子部品の接合部やコネクター接合部に相当する部分に、マスク処理等により、予め開口部を設けることで対応すればよい。   In the case where the insulating layer (B) 6 is formed on the circuit portion 2, an opening portion is provided in advance in a portion corresponding to a joint portion of an electronic component such as an LED or a connector joint portion by masking or the like. What is necessary is to respond.

尚、絶縁層(B)との接着性の点から、上記回路部2及び非回路部7の、絶縁層(B)6に接する側の表面はサンドブラスト、エッチング、各種メッキ処理、カップリング剤処理等の表面処理も適宜選択可能である。   From the viewpoint of adhesiveness with the insulating layer (B), the surfaces of the circuit part 2 and the non-circuit part 7 on the side in contact with the insulating layer (B) 6 are sandblasted, etched, various plating treatments, and a coupling agent treatment. A surface treatment such as the above can also be selected as appropriate.

上記構成からなる混成集積回路モジュールは、回路部2、非回路部7又は絶縁層(A)3上に絶縁層(B)が形成されており、該絶縁層(B)は、LED素子、チップ抵抗やチップコンデンサなどの電子部品が、半田或いは導電樹脂等の接合材により固定される時、接合材の箇所を特定するためのソルダーレジストとしても利用される。さらに、絶縁層(B)が白色膜であることにより、光に対する反射率が高くなり、LED素子等の光源と組み合わせることで、平面光源として使用することもできる。このような平面光源は、各種の照明として用いる他、テレビやパソコン、携帯電話などの各種液晶パネルのバックライトなどとして用いることができる。   In the hybrid integrated circuit module having the above configuration, the insulating layer (B) is formed on the circuit portion 2, the non-circuit portion 7 or the insulating layer (A) 3, and the insulating layer (B) includes an LED element and a chip. When an electronic component such as a resistor or a chip capacitor is fixed by a bonding material such as solder or conductive resin, it is also used as a solder resist for specifying the location of the bonding material. Furthermore, since the insulating layer (B) is a white film, the reflectance with respect to light becomes high, and it can also be used as a planar light source by combining with a light source such as an LED element. Such a planar light source can be used as various illuminations, and as a backlight for various liquid crystal panels such as televisions, personal computers and mobile phones.

<製造方法>
次に、本実施形態に係る絶縁金属ベース回路基板及びそれを用いた混成集積回路モジュールの製造方法を説明する。
<Manufacturing method>
Next, an insulating metal base circuit board according to this embodiment and a method for manufacturing a hybrid integrated circuit module using the same will be described.

本実施形態に係る絶縁金属ベース回路基板の製造方法は、無機充填材を含有する樹脂に適宜硬化剤等の添加剤を添加した絶縁材料を1種又は複数準備し、金属箔4及び/又は導体金属(回路部2及び非回路部7)となる金属箔上に1層又は多層塗布しながら、必要に応じて紫外線等の光の照射や加熱処理等を施して硬化させ、その後、金属箔にエッチング等の処理を施すにより回路形成する方法が適用できる。   In the method for manufacturing an insulating metal base circuit board according to this embodiment, one or a plurality of insulating materials obtained by appropriately adding an additive such as a curing agent to a resin containing an inorganic filler are prepared, and the metal foil 4 and / or the conductor are prepared. While applying a single layer or multiple layers on metal foil (circuit part 2 and non-circuit part 7), it is cured by irradiation with light such as ultraviolet rays or heat treatment as necessary, and then applied to the metal foil. A method of forming a circuit by performing a process such as etching can be applied.

あるいは、予め絶縁材料からなるシ−ト(絶縁層(A)3に相当)を作製しておき、上記シートを介して金属箔4や導体金属(回路部2及び非回路部7)となる金属箔を張り合わせた後、エッチング等により回路形成する方法も適用できる。   Alternatively, a sheet made of an insulating material (corresponding to the insulating layer (A) 3) is prepared in advance, and the metal that becomes the metal foil 4 or the conductive metal (the circuit portion 2 and the non-circuit portion 7) through the sheet. A method of forming a circuit by etching or the like after laminating the foils can also be applied.

さらに、実施形態2のように絶縁膜(絶縁層(B)6)を形成する場合には、上記絶縁金属ベース回路基板上に絶縁層(B)6となるソルダーレジストや白色膜を塗布し、紫外線等の光の照射や加熱処理等を施して硬化させればよい。この時、表面実装部品用の接合材を接合する回路部分には、マスク処理を施すなどして、塗膜を形成しないようにする。   Furthermore, when forming an insulating film (insulating layer (B) 6) as in the second embodiment, a solder resist or white film to be the insulating layer (B) 6 is applied on the insulating metal base circuit board, What is necessary is just to cure by irradiating light, such as an ultraviolet-ray, or heat processing. At this time, the circuit portion to which the bonding material for the surface mount component is bonded is masked so that no coating film is formed.

そして、上記の絶縁金属ベース回路基板を用いた混成集積回路モジュールとするためには、所望の位置に接合材を用いて、表面実装部品などを接合すればよい。   In order to obtain a hybrid integrated circuit module using the above insulating metal base circuit board, a surface mount component or the like may be bonded using a bonding material at a desired position.

本実施形態に係る絶縁金属ベース回路基板及びそれを用いた混成集積回路モジュールの製造方法によれば、基板の大きさが大きくなっても、あるいは、基板の厚みが薄くなっても、実装工程時の熱負荷により発生する反り挙動を減少させることができ、電子部品の接合材を確実に接合させることができ、実使用下においても、その周辺部に接合はがれを生じることがなく、信頼性の高い混成集積回路モジュールを提供することができる。   According to the insulating metal base circuit board and the manufacturing method of the hybrid integrated circuit module using the same according to the present embodiment, even when the board size is increased or the board thickness is reduced, the mounting process is performed. The warpage behavior caused by the heat load of the electronic component can be reduced, and the bonding material of the electronic component can be securely bonded. A high hybrid integrated circuit module can be provided.

<作用効果>
上記構成からなる絶縁金属ベース回路基板は、基板の実装工程時の熱負荷により発生する反り挙動を減少させ、電子部品の接合材を確実に接合させることができ、さらには、実使用条件下で受ける厳しい温度変化によっても半田や導電樹脂などの接合材及びその周辺部にクラックを生じることがない。
<Effect>
The insulated metal base circuit board having the above configuration can reduce the warping behavior caused by the thermal load during the mounting process of the board, and can securely bond the bonding material of the electronic component. Even when the temperature is severely changed, cracks do not occur in the bonding material such as solder and conductive resin and its peripheral portion.

そして、上記絶縁層及び上記導体金属上に絶縁膜を形成していてもよい。このようにすれば、電子部品の実装という従来のプリント回路基板の機能に加えて、光反射機能という新しい機能を有する。   An insulating film may be formed on the insulating layer and the conductive metal. In this way, in addition to the conventional printed circuit board function of mounting electronic components, it has a new function of light reflection function.

また、上記絶縁膜が、400〜800nmの波長の光の反射率の最小値が70%以上であってもよい。このようにすれば、パーソナルコンピューターやテレビ等の液晶表示装置等に好ましく用いることができる。   Further, the insulating film may have a minimum reflectance of light having a wavelength of 400 to 800 nm of 70% or more. In this way, it can be preferably used for a liquid crystal display device such as a personal computer or a television.

また、上記絶縁膜が、460nm、525nm、及び620nmの波長の光の反射率がいずれも80%以上であってもよい。上記3つの波長の光の反射率が80%以上であることによって、高い演色性が求められるような液晶表示装置のバックライト等に好ましく用いることができる。   Further, the reflectance of light having wavelengths of 460 nm, 525 nm, and 620 nm may be 80% or more in the insulating film. When the reflectance of light of the above three wavelengths is 80% or more, it can be preferably used for a backlight of a liquid crystal display device that requires high color rendering properties.

さらに、上記絶縁金属ベース回路基板上に、各種の電子部品を実装することにより、実使用条件下で受ける厳しい温度変化によっても半田や導電樹脂などの接合材及びその周辺部にクラックを生じることがない混成集積回路モジュールを得ることができる。   Furthermore, by mounting various electronic components on the above insulating metal base circuit board, cracks may occur in the bonding material such as solder and conductive resin and its peripheral parts even under severe temperature changes under actual use conditions. A hybrid integrated circuit module can be obtained.

以上、本発明の実施形態を説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。例えば、上記混成集積回路モジュールは筐体に固定されて使用されるが、PPS(ポリフェニレンサルファイド)等からなる各種樹脂ケース等に取り付けられてもよいし、エポキシ樹脂等に包埋されていてもよい。   As mentioned above, although embodiment of this invention was described, this invention is not limited to these. For example, the hybrid integrated circuit module is used by being fixed to a housing, but may be attached to various resin cases made of PPS (polyphenylene sulfide) or the like, or may be embedded in an epoxy resin or the like. .

また、本発明において、導体金属又は金属箔は、単一の金属箔で構成されているものであっても、2つ以上の複数の金属層を積層したクラッド箔から構成されているものでも構わない。   In the present invention, the conductor metal or metal foil may be a single metal foil or a clad foil in which two or more metal layers are laminated. Absent.

また、電子部品は一つの回路部に設けられていても構わないし、一つの電子部品が二つ以上の回路部上に跨って設けられていても構わない。   Further, the electronic component may be provided in one circuit unit, or one electronic component may be provided over two or more circuit units.

さらに、本発明において、絶縁層は1層以上の単位絶縁層から構成され、単位絶縁層が一層であっても、複数の単位絶縁層から構成されていても構わない。絶縁層は、回路基板の熱放散性を高く維持するために、いろいろな無機充填材を含有することが好ましい。また、絶縁層が多層構造を有する場合には、樹脂の種類、無機材の種類、樹脂への添加剤等の種類、あるいはそれらの量的割合を変更した少なくとも2種類以上の単位絶縁層で構成されている。例えば、単位絶縁層が3層以上で構成されている場合、いずれの単位絶縁層が異なる組成であっても、また隣り合う単位絶縁層が異なる組成で、隣り合わない単位絶縁層が同一組成であっても構わない。   Furthermore, in the present invention, the insulating layer is composed of one or more unit insulating layers, and the unit insulating layer may be a single layer or a plurality of unit insulating layers. The insulating layer preferably contains various inorganic fillers in order to maintain high heat dissipation of the circuit board. In addition, when the insulating layer has a multilayer structure, it is composed of at least two or more types of unit insulating layers in which the type of resin, the type of inorganic material, the type of additive to the resin, or the quantitative ratio thereof is changed. Has been. For example, when the unit insulating layer is composed of three or more layers, even if any unit insulating layer has a different composition, adjacent unit insulating layers have different compositions and non-adjacent unit insulating layers have the same composition. It does not matter.

さらに、本発明において、接合材としては、半田であっても、導電樹脂であっても、電子部品と回路部材とを接合するものであれば構わないが、接合材が半田であるときには、電子部品と金属ベース回路基板との接合力が高く、従って電子部品から発生する熱が容易に放散しやすいので、好ましい。接合材が半田の場合、その半田は、鉛−錫を含む各種の2元、3元系半田であっても、鉛を含まない各種の2元、3元系半田、例えば金、銀、銅、錫、亜鉛、ビスマス、インジウム、アンチモンなどを含む半田であっても構わない。   Furthermore, in the present invention, the bonding material may be solder or conductive resin, as long as it joins an electronic component and a circuit member, but when the bonding material is solder, This is preferable because the bonding force between the component and the metal base circuit board is high, and thus the heat generated from the electronic component is easily dissipated. When the bonding material is solder, the solder may be various binary and ternary solders containing lead-tin, but various binary and ternary solders not containing lead, such as gold, silver, and copper. , Solder containing tin, zinc, bismuth, indium, antimony, or the like.

さらに、接合材が導電樹脂の場合、エポキシ或いはアクリル等の樹脂に、金、銀、銅などの金属或いは黒鉛などの導電性材料を1種類含むものであっても、これら金属或いは黒鉛などの導電性材料を2種類以上含むものであっても構わない。   Further, when the bonding material is a conductive resin, even if the epoxy or acrylic resin contains one kind of metal such as gold, silver, copper, or a conductive material such as graphite, the conductive material such as these metals or graphite can be used. It may contain two or more kinds of functional materials.

以下に、実施例及び比較例を挙げて、本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。   Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples and Comparative Examples, but the present invention is not limited thereto.

<実施例1〜12、比較例1〜6>
35μm厚の銅箔(金属箔4)上に、ビスフェノールA型エポキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン社製、「EP−828」)100質量部に対し、硬化剤としてフェノールノボラック(大日本インキ化学工業社製、「TD−2131」)を50質量部加え、平均粒子径が1.2μmである破砕状粗粒子の酸化ケイ素(龍森社製、「A−1」)と平均粒子径が10μmである破砕状粗粒子の酸化ケイ素(龍森社製、「5X」)を合わせて絶縁層中56体積%(球状粗粒子と球状微粒子は質量比が7:3)となるように配合し、硬化後の厚みが150μmになるように塗布層(絶縁層(A)3)を形成した。次に、200μm厚の銅箔を張り合わせ、加熱することにより塗布層を硬化させ、絶縁金属ベース基板を得た。
<Examples 1-12, Comparative Examples 1-6>
On a copper foil (metal foil 4) having a thickness of 35 μm, phenol novolak (manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc.) as a curing agent with respect to 100 parts by mass of a bisphenol A type epoxy resin (manufactured by Japan Epoxy Resin, “EP-828”). , "TD-2131") is added, and crushed coarse particles of silicon oxide (manufactured by Tatsumori Co., "A-1") with an average particle size of 1.2 µm and crush with an average particle size of 10 µm The silicon oxide of the coarse particles (manufactured by Tatsumori Co., Ltd., “5X”) is combined so as to be 56% by volume in the insulating layer (mass ratio of spherical coarse particles and spherical fine particles is 7: 3). A coating layer (insulating layer (A) 3) was formed so as to have a thickness of 150 μm. Next, a 200 μm thick copper foil was laminated, and the coating layer was cured by heating to obtain an insulating metal base substrate.

さらに、所定の位置をエッチングレジストでマスクして銅箔をエッチングした後、エッチングレジストを除去して銅回路(回路部2)及び非回路の銅金属(非回路部7)を形成し、該絶縁金属ベース回路基板平面内にとりうる最大の矩形形状が350mm×350mmの絶縁金属ベース回路基板とした。この時、様々なパターンのマスクを数種類使用し、実施例及び比較例とした。例えば、図1のパターンが実施例3、図4のパターンが比較例4である。   Further, after the copper foil is etched by masking a predetermined position with an etching resist, the etching resist is removed to form a copper circuit (circuit part 2) and a non-circuit copper metal (non-circuit part 7), and the insulation. The maximum rectangular shape that can be taken in the plane of the metal base circuit board was an insulating metal base circuit board having a size of 350 mm × 350 mm. At this time, several types of masks having various patterns were used as examples and comparative examples. For example, the pattern of FIG. 1 is Example 3, and the pattern of FIG.

各実施例及び比較例の絶縁金属ベース回路基板について、導体金属(回路部2及び非回路部7)の面積が基板面積に占める割合、回路基板の回路面側の重心を通る少なくとも一つの任意の断面において、回路部分の面積が導体金属の面積に占める割合を表1に示す。   About the insulated metal base circuit board of each Example and a comparative example, the ratio which the area of a conductor metal (the circuit part 2 and the non-circuit part 7) occupies for a board | substrate area, at least 1 arbitrary arbitrary passing through the gravity center by the side of the circuit surface of a circuit board Table 1 shows the ratio of the area of the circuit portion to the area of the conductor metal in the cross section.

Figure 2009302196
Figure 2009302196

上記絶縁金属ベース回路基板上に白色ソルダーレジストを塗布し、紫外線照射によって白色膜を構成した。この時、銅回路上の接合材部分には白色膜を形成しなかった。   A white solder resist was applied on the insulating metal base circuit board, and a white film was formed by ultraviolet irradiation. At this time, no white film was formed on the bonding material portion on the copper circuit.

次に、上記操作で得た各々の回路基板のパッドに、実装工程試験として、ERNI社の表面実装型のコネクターを接合材で接合し、混成集積回路モジュールとした。   Next, as a mounting process test, a surface mounting type connector of ERNI was bonded to each circuit board pad obtained by the above operation with a bonding material to obtain a hybrid integrated circuit module.

実施例1〜8および比較例1〜4については、錫−銅−銀からなる半田を用い、550Kの温度でリフローにより半田付けを行なった。また、実施例9〜12、比較例5、6については、銀−エポキシからなる導電性接着剤を用い、385Kの温度でリフローにより接合した。   In Examples 1 to 8 and Comparative Examples 1 to 4, solder made of tin-copper-silver was used and soldered by reflow at a temperature of 550K. Further, Examples 9 to 12 and Comparative Examples 5 and 6 were joined by reflow using a conductive adhesive made of silver-epoxy at a temperature of 385K.

(反りの測定)
接合後、上記混成集積回路モジュールを水平なテーブルの上に置き、基板各部のテーブルからの高さを測定し、最高の値を最大の反り量とした。この結果を表2に示す。
(Measurement of warpage)
After the bonding, the hybrid integrated circuit module was placed on a horizontal table, the height of each part of the substrate from the table was measured, and the highest value was taken as the maximum amount of warpage. The results are shown in Table 2.

Figure 2009302196
Figure 2009302196

(接合状態の観察)
また、コネクターの半田に接合不良がないかどうかを観察した。その結果を表3に示す。
(Observation of bonding state)
In addition, the connector solder was observed for bonding defects. The results are shown in Table 3.

(クラックの観察)
さらに、上記各々の混成集積回路モジュールに関して、液相中において233Kで7分保持後、423Kで7分保持を行う操作を1サイクルとして所定回数処理するヒートサイクル試験を行った。試験後、各々の混成集積回路を光学顕微鏡で主に接合部分のクラックの発生の有無を観察した。その結果を表3に示す。
(Observation of cracks)
Further, for each of the above hybrid integrated circuit modules, a heat cycle test was performed in which the operation of holding at 233 K for 7 minutes and holding at 423 K for 7 minutes in the liquid phase was processed a predetermined number of times as one cycle. After the test, each hybrid integrated circuit was observed with an optical microscope mainly for the occurrence of cracks at the joint. The results are shown in Table 3.

Figure 2009302196
Figure 2009302196

<考察>
表2の結果から分かるように、実施例1〜12の最大の反り量は、比較例1〜6の1/2以下となり、本発明に係る混成集積回路モジュールが基板の反りを低減できることができ、優れていることが明瞭である。
<Discussion>
As can be seen from the results in Table 2, the maximum warpage amount of Examples 1 to 12 is 1/2 or less that of Comparative Examples 1 to 6, and the hybrid integrated circuit module according to the present invention can reduce the warpage of the substrate. It is clear that it is excellent.

また、表3の結果から分かるように、比較例2〜4では接合不良が認められたのに対し、実施例1〜12では異常のないことが確認され、本発明に係る混成集積回路モジュールが優れていることが明瞭である。また、比較例1〜6では、500回のヒートサイクル試験後に大部分のクラックの発生が認められたのに対し、実施例1〜12は、500回のヒートサイクルでもクラックの発生が少ないことが確認された。本発明に係る混成集積回路モジュールが、耐クラック性にも優れていることが明瞭である。   In addition, as can be seen from the results in Table 3, in Comparative Examples 2 to 4, defective bonding was recognized, but in Examples 1 to 12, it was confirmed that there was no abnormality, and the hybrid integrated circuit module according to the present invention was It is clear that it is excellent. Further, in Comparative Examples 1 to 6, most of the cracks were observed after 500 heat cycle tests, whereas in Examples 1 to 12, there were few cracks even in 500 heat cycles. confirmed. It is clear that the hybrid integrated circuit module according to the present invention is excellent in crack resistance.

本発明に係る絶縁金属ベース回路基板及びそれを用いた混成集積回路モジュールは、実装工程における接合不良が発生せず、さらに、実使用条件下で受ける厳しい温度変化によっても電子部品の接合材及びその周辺部にクラックを生じることがなく、信頼性が高いので産業上有用である。   The insulating metal base circuit board and the hybrid integrated circuit module using the insulating metal base circuit board according to the present invention are free from bonding defects in the mounting process, and further, due to severe temperature changes under actual use conditions, It is industrially useful because it does not cause cracks in the periphery and has high reliability.

従来の混成集積回路モジュールの平面概略図。FIG. 3 is a schematic plan view of a conventional hybrid integrated circuit module. 本発明の実施形態1に係る混成集積回路モジュールの平面概略図。1 is a schematic plan view of a hybrid integrated circuit module according to Embodiment 1 of the present invention. 図2におけるA−A’断面概略図。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view taken along line A-A ′ in FIG. 2. 本発明の実施形態2に係る混成集積回路モジュールの断面概略図。Sectional schematic of the hybrid integrated circuit module which concerns on Embodiment 2 of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1 表面実装電子部品
2 回路部
3 絶縁層(A)
4 金属箔
5 接合材
6 絶縁層(B)
7、a 非回路部
A−A’ 絶縁金属ベース回路基板の端から重心を通る断面
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Surface mount electronic component 2 Circuit part 3 Insulation layer (A)
4 Metal foil 5 Bonding material 6 Insulating layer (B)
7, a non-circuit portion AA ′ cross section passing through the center of gravity from the end of the insulating metal base circuit board

Claims (5)

金属箔上に絶縁層を介して導体金属が設けられた絶縁金属ベース回路基板であって、
前記導体金属の面積が前記絶縁金属ベース回路基板の回路面の全体の面積の50%以上であり、
前記絶縁金属ベース回路基板の回路面側の重心を通る少なくとも一つの断面において、前記導体金属の内、回路部分の割合が5%以上50%以下であることを特徴とする絶縁金属ベース回路基板。
An insulating metal base circuit board in which a conductive metal is provided on a metal foil via an insulating layer,
The area of the conductor metal is 50% or more of the entire area of the circuit surface of the insulating metal base circuit board;
The insulating metal base circuit board is characterized in that, in at least one cross section passing through the center of gravity on the circuit surface side of the insulating metal base circuit board, a ratio of a circuit portion of the conductive metal is 5% or more and 50% or less.
前記絶縁層及び前記導体金属上に絶縁膜を形成していることを特徴とする請求項1記載の絶縁金属ベース回路基板。   The insulating metal base circuit board according to claim 1, wherein an insulating film is formed on the insulating layer and the conductive metal. 前記絶縁膜が、400〜800nmの波長の光の反射率の最小値が70%以上であることを特徴とする請求項2に記載の金属ベース回路基板。 The metal base circuit board according to claim 2, wherein the insulating film has a minimum reflectance of 70% or more for light having a wavelength of 400 to 800 nm. 前記絶縁膜が、460nm、525nm、及び620nmの波長の光の反射率がいずれも80%以上であることを特徴とする請求項2に記載の金属ベース回路基板。 3. The metal base circuit board according to claim 2, wherein the insulating film has a reflectance of light of wavelengths of 460 nm, 525 nm, and 620 nm of 80% or more. 請求項1〜4に記載の絶縁金属ベース回路基板を用いていることを特徴とする混成集積回路モジュール。 A hybrid integrated circuit module comprising the insulating metal base circuit board according to claim 1.
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