JPH071149B2 - 光ディスク原盤の加熱乾燥装置 - Google Patents
光ディスク原盤の加熱乾燥装置Info
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- JPH071149B2 JPH071149B2 JP21998088A JP21998088A JPH071149B2 JP H071149 B2 JPH071149 B2 JP H071149B2 JP 21998088 A JP21998088 A JP 21998088A JP 21998088 A JP21998088 A JP 21998088A JP H071149 B2 JPH071149 B2 JP H071149B2
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Description
【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は、遠赤外線若しくは赤外線ヒータを用いて光デ
ィスク原盤を輻射加熱する光ディスク原盤の加熱乾燥装
置に関する。
ィスク原盤を輻射加熱する光ディスク原盤の加熱乾燥装
置に関する。
背景技術 従来の加熱乾燥装置としては、第６図に示すいわゆるヒ
ートトンネルが知られている。この加熱乾燥装置におい
ては、被加熱物61がベルトコンベア62によって移送さ
れ、ヒータ63で構成されたトンネル内を通過する際のト
ンネル内の雰囲気温度による熱伝導によって被加熱物61
の加熱乾燥が行なわれる構成となっている。
ートトンネルが知られている。この加熱乾燥装置におい
ては、被加熱物61がベルトコンベア62によって移送さ
れ、ヒータ63で構成されたトンネル内を通過する際のト
ンネル内の雰囲気温度による熱伝導によって被加熱物61
の加熱乾燥が行なわれる構成となっている。
この加熱乾燥装置においては、ベルトコンベア62への被
加熱物61の載置及び取出しの作業位置が全く反対測であ
るため、これらの作業を１人の作業者が行なうとする
と、光ディスク原盤を被加熱物とした場合、その原盤の
取扱いに細心の注意を要することから、非常に作業性が
悪いという欠点があった。また、ヒータ62の温度及び光
ディスク原盤の表面温度の温度管理も困難であった。
加熱物61の載置及び取出しの作業位置が全く反対測であ
るため、これらの作業を１人の作業者が行なうとする
と、光ディスク原盤を被加熱物とした場合、その原盤の
取扱いに細心の注意を要することから、非常に作業性が
悪いという欠点があった。また、ヒータ62の温度及び光
ディスク原盤の表面温度の温度管理も困難であった。
発明の概要 そこで、本発明は、作業性に優れ、しかもヒータの温度
及び光ディスク原盤の表面温度の温度管理をも行ない得
る光ディスク原盤の加熱乾燥装置を提供することを目的
とする。
及び光ディスク原盤の表面温度の温度管理をも行ない得
る光ディスク原盤の加熱乾燥装置を提供することを目的
とする。
本発明による光ディスク原盤の加熱乾燥装置において
は、光ディスク原盤を第１位置である待機位置と第２位
置である加熱乾燥位置との間で移動可能とし、加熱乾燥
位置には光ディスク原盤を輻射加熱する加熱手段を設
け、この加熱手段の温度が所定値に達したことを検出し
たら光ディスク原盤を待機位置から加熱乾燥位置へ移動
せしめ、光ディスク原盤の表面温度が所定値に達したこ
とを検出したら光ディスク原盤を加熱乾燥位置から待機
位置へ移動せしめるべく制御する構成となっている。
は、光ディスク原盤を第１位置である待機位置と第２位
置である加熱乾燥位置との間で移動可能とし、加熱乾燥
位置には光ディスク原盤を輻射加熱する加熱手段を設
け、この加熱手段の温度が所定値に達したことを検出し
たら光ディスク原盤を待機位置から加熱乾燥位置へ移動
せしめ、光ディスク原盤の表面温度が所定値に達したこ
とを検出したら光ディスク原盤を加熱乾燥位置から待機
位置へ移動せしめるべく制御する構成となっている。
実施例 以下、本発明の実施例を図に基づいて詳細に説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す装置外観図、第２図は
その構造図である。これら各図において、光ディスク原
盤であるガラス原盤１はその一面にフォトレジストが塗
布されており、フォトレジストが塗布された面が下面と
なるようにスピンドル２により担持される。スピンドル
２は筺体３内に収納されたスピンルモータ４によって回
転駆動される。スピンドル２及びスピンドルモータ４は
スピンドルベース５に取り付けられており、リニアスラ
イド６にて案内されつメインベース７上をスピンドルベ
ース駆動モータ８によって駆動されて移送されることに
より、スピンドル２は筺体３の上面にガラス原盤１の半
径と大略等しい長さに形成された長孔９に沿って図に実
線で示す位置と一点鎖線で示す位置との間を移動する。
その構造図である。これら各図において、光ディスク原
盤であるガラス原盤１はその一面にフォトレジストが塗
布されており、フォトレジストが塗布された面が下面と
なるようにスピンドル２により担持される。スピンドル
２は筺体３内に収納されたスピンルモータ４によって回
転駆動される。スピンドル２及びスピンドルモータ４は
スピンドルベース５に取り付けられており、リニアスラ
イド６にて案内されつメインベース７上をスピンドルベ
ース駆動モータ８によって駆動されて移送されることに
より、スピンドル２は筺体３の上面にガラス原盤１の半
径と大略等しい長さに形成された長孔９に沿って図に実
線で示す位置と一点鎖線で示す位置との間を移動する。
ガラス原盤１及びスピンドル２の実線で示す位置は待機
位置であり、この待機位置にてガラス原盤１のローディ
ング及びアンローディング並びに加熱処理後の冷却処理
が行なわれる。また、一点鎖線で示す位置は加熱乾燥
（ベーキング）位置であり、この位置にて加熱乾燥処理
が行なわれる。本装置は水平気流型クリーンベンチ内に
設置されてクリーンルーム内にて使用されるが、図の左
側が作業者側、右側がクリーンベンンチ側となるように
配置される。この位置関係により、最も汚染に対して弱
い乾燥工程での汚染を最少限に抑えることができる。す
なわち、クリーンルーム内では発塵源となる作業者が常
に風下にて作業を行なうことにより、また重力の影響を
受けて沈降してくる粒子に対しては、第２図に矢印で示
す如く清浄気流で外へ押し流すと共に、ガラス原盤１の
被加熱面を下側にセットすることにより、さらには機構
部からの発塵に対しては、排気用チューブ10によって筺
体３の内部を排気することにより、汚染に対処してい
る。また、筺体３の上面は、いくつかの開口部分がある
他は原則的に同一平面となっており、これにより汚染粒
子の蓄積防止と清掃の容易化を図っている。
位置であり、この待機位置にてガラス原盤１のローディ
ング及びアンローディング並びに加熱処理後の冷却処理
が行なわれる。また、一点鎖線で示す位置は加熱乾燥
（ベーキング）位置であり、この位置にて加熱乾燥処理
が行なわれる。本装置は水平気流型クリーンベンチ内に
設置されてクリーンルーム内にて使用されるが、図の左
側が作業者側、右側がクリーンベンンチ側となるように
配置される。この位置関係により、最も汚染に対して弱
い乾燥工程での汚染を最少限に抑えることができる。す
なわち、クリーンルーム内では発塵源となる作業者が常
に風下にて作業を行なうことにより、また重力の影響を
受けて沈降してくる粒子に対しては、第２図に矢印で示
す如く清浄気流で外へ押し流すと共に、ガラス原盤１の
被加熱面を下側にセットすることにより、さらには機構
部からの発塵に対しては、排気用チューブ10によって筺
体３の内部を排気することにより、汚染に対処してい
る。また、筺体３の上面は、いくつかの開口部分がある
他は原則的に同一平面となっており、これにより汚染粒
子の蓄積防止と清掃の容易化を図っている。
筺体３の上面のクリーンベンチ側の一部は、略扇型形状
の開口部11を有する輻射熱遮蔽板12となっている。輻射
熱遮蔽板12は例えばステンレスからなっており、筺体３
と一体に構成されても良い。開口部11の下方には、この
開口部11を介してガラス原盤１を輻射加熱する遠赤外線
若しくは赤外線ヒータエレメント13を含むヒータユニッ
ト14が配置されている。このヒータユニット14におい
て、第３図から特に明らかなように、ヒータエレメント
13は加熱乾燥位置にあるガラス原盤１の半径領域の一部
と対向するようにヒータ取付板15に取り付けられ、図示
せぬ支持体により外板16に固定されている。外板16の上
部には、断熱を兼ねたスペーサ17を介して輻射熱遮蔽板
12が固定されている。ヒータ取付板15と外板16と形成さ
れるジャケット部分は排気用チューブ18によって排気さ
れ、これによりヒータエレメント13は加熱によって熱拡
散型の汚染が発生しないように負圧に保たれている。
の開口部11を有する輻射熱遮蔽板12となっている。輻射
熱遮蔽板12は例えばステンレスからなっており、筺体３
と一体に構成されても良い。開口部11の下方には、この
開口部11を介してガラス原盤１を輻射加熱する遠赤外線
若しくは赤外線ヒータエレメント13を含むヒータユニッ
ト14が配置されている。このヒータユニット14におい
て、第３図から特に明らかなように、ヒータエレメント
13は加熱乾燥位置にあるガラス原盤１の半径領域の一部
と対向するようにヒータ取付板15に取り付けられ、図示
せぬ支持体により外板16に固定されている。外板16の上
部には、断熱を兼ねたスペーサ17を介して輻射熱遮蔽板
12が固定されている。ヒータ取付板15と外板16と形成さ
れるジャケット部分は排気用チューブ18によって排気さ
れ、これによりヒータエレメント13は加熱によって熱拡
散型の汚染が発生しないように負圧に保たれている。
また、ヒータユニット14を排気することにより、不要な
熱の伝達を防止し、装置の温度が上昇するのを防止して
いる。ヒータエレメント13の温度測定は、ヒータエレメ
ント13に付属の熱電対（図示せず）によって行なわれ
る。
熱の伝達を防止し、装置の温度が上昇するのを防止して
いる。ヒータエレメント13の温度測定は、ヒータエレメ
ント13に付属の熱電対（図示せず）によって行なわれ
る。
筺体３の内部には放射温度計19が設けられており、この
放射温度計19は筺体３の上面に形成された測定窓20を介
してガラス原盤１の表面温度の測定を行なう。この放射
温度計19の測定出力はコントローラ21に供給される。コ
ントローラ21は例えばマイクロコンピュータによって構
成されており、ヒータエレメント13の温度制御、スピン
ドル２の回転開始及び回転停止の制御、スピンドル２の
移送制御等、ガラス原盤１の加熱乾燥処理のための一連
の制御を行なう。
放射温度計19は筺体３の上面に形成された測定窓20を介
してガラス原盤１の表面温度の測定を行なう。この放射
温度計19の測定出力はコントローラ21に供給される。コ
ントローラ21は例えばマイクロコンピュータによって構
成されており、ヒータエレメント13の温度制御、スピン
ドル２の回転開始及び回転停止の制御、スピンドル２の
移送制御等、ガラス原盤１の加熱乾燥処理のための一連
の制御を行なう。
次に、コントローラ21のプロセッサによって実行される
加熱乾燥の処理手順の基本シーケンスについて第４図の
フローチャートにしたがって説明する。
加熱乾燥の処理手順の基本シーケンスについて第４図の
フローチャートにしたがって説明する。
装置電源が投入（オン）されると、プロセッサは先ず、
ヒータエレメント13のプレヒートを開始する（ステップ
S1）。ヒータエレメント13の温度は例えば215℃に設定
されており、215±５℃にて準備完了となる。プレヒー
トの目的は、ヒータ加熱の時定数が大きいことにより、
予めヒータエレメント13を加熱しておかないと加熱乾燥
時間が長くなるためであり、温度測定はヒータエレメン
ト13に付属の熱電対によって行なわれる。
ヒータエレメント13のプレヒートを開始する（ステップ
S1）。ヒータエレメント13の温度は例えば215℃に設定
されており、215±５℃にて準備完了となる。プレヒー
トの目的は、ヒータ加熱の時定数が大きいことにより、
予めヒータエレメント13を加熱しておかないと加熱乾燥
時間が長くなるためであり、温度測定はヒータエレメン
ト13に付属の熱電対によって行なわれる。
ガラス原盤１がスピンドル２にセットされ、続いてスタ
ートスイッチ（図示せず）がオンされると（ステップS
2）、プロセッサは、スピンドル２を例えば３［r.p.
m.］の回転数で回転させ（ステップS3）、熱電対の測定
出力に基づいてヒータエレメント13の温度が設定温度T1
に達したことを検出したら（ステップS4）、スピンドル
ベース駆動モータ８を駆動制御することによってスピン
ドル２を待機位置から加熱乾燥位置へ前進させる（ステ
ップS5）。そして、この位置でガラス原盤１のフォトレ
ジストに対してヒータエレメント13の輻射加熱によって
加熱乾燥処理が行なわれる（ステップS6）。
ートスイッチ（図示せず）がオンされると（ステップS
2）、プロセッサは、スピンドル２を例えば３［r.p.
m.］の回転数で回転させ（ステップS3）、熱電対の測定
出力に基づいてヒータエレメント13の温度が設定温度T1
に達したことを検出したら（ステップS4）、スピンドル
ベース駆動モータ８を駆動制御することによってスピン
ドル２を待機位置から加熱乾燥位置へ前進させる（ステ
ップS5）。そして、この位置でガラス原盤１のフォトレ
ジストに対してヒータエレメント13の輻射加熱によって
加熱乾燥処理が行なわれる（ステップS6）。
この加熱乾燥工程において、放射温度計19の測定出力に
基づいてガラス原盤１の表面温度が所定温度T2、例えば
90±0.5℃に達したことを検出したら（ステップＳ）、
スピンドルベース駆動モータ８を駆動制御することによ
ってスピンドル２を加熱乾燥位置から待機位置へ後退さ
せる（ステップS8）。この待機位置では加熱後のガラス
原盤１の冷却処理が行なわれ（ステップS9）、この冷却
工程において、放射温度計19の測定出力に基づいてガラ
ス原盤１の表面温度が所定温度T3、例えば55±0.5℃以
下になったことを検出したら（ステップS10）、スピン
ドル２の回転を停止させる（ステップS11）。そして、
スピンドル２からガラス原盤１を取り外すことにより、
一連の処理が完了することになる。
基づいてガラス原盤１の表面温度が所定温度T2、例えば
90±0.5℃に達したことを検出したら（ステップＳ）、
スピンドルベース駆動モータ８を駆動制御することによ
ってスピンドル２を加熱乾燥位置から待機位置へ後退さ
せる（ステップS8）。この待機位置では加熱後のガラス
原盤１の冷却処理が行なわれ（ステップS9）、この冷却
工程において、放射温度計19の測定出力に基づいてガラ
ス原盤１の表面温度が所定温度T3、例えば55±0.5℃以
下になったことを検出したら（ステップS10）、スピン
ドル２の回転を停止させる（ステップS11）。そして、
スピンドル２からガラス原盤１を取り外すことにより、
一連の処理が完了することになる。
上述した加熱乾燥工程において、ヒータエレメント13に
よって発生された赤外線は可視光線と同様に直進する性
質を持ち、輻射熱遮蔽板12の開口部11を介して対向する
ガラス原盤１に到達し、フォトレジストに吸収されて熱
を発生する。その単位面積当りの発熱量は、ヒータエレ
メント13と対向している時間、ヒータエレメント13自身
のもつ発熱量分布、周囲から受ける冷却効率等の諸条件
により概ね定められることになる。したがって、輻射熱
遮蔽板12を設けない場合には、ガラス原盤１のレジスト
面の温度分布は、第５図（ｂ）に示すように、中心部が
低く、外周へ行く程高くなり、最外周では冷却効果が大
きいことにより再び低くなる。これに対し、開口部11を
有する輻射熱遮蔽板12を設け、開口部11の略扇型形状に
よって上記単位面積当りの発熱量をその関係する因子全
てを含んで補正することにより、第５図（ａ）に示すよ
うに、内周から外周の全面に亘って均一な温度分布を得
ることができる。第５図（ｃ）は、第６図に示す従来装
置による特性を示している。
よって発生された赤外線は可視光線と同様に直進する性
質を持ち、輻射熱遮蔽板12の開口部11を介して対向する
ガラス原盤１に到達し、フォトレジストに吸収されて熱
を発生する。その単位面積当りの発熱量は、ヒータエレ
メント13と対向している時間、ヒータエレメント13自身
のもつ発熱量分布、周囲から受ける冷却効率等の諸条件
により概ね定められることになる。したがって、輻射熱
遮蔽板12を設けない場合には、ガラス原盤１のレジスト
面の温度分布は、第５図（ｂ）に示すように、中心部が
低く、外周へ行く程高くなり、最外周では冷却効果が大
きいことにより再び低くなる。これに対し、開口部11を
有する輻射熱遮蔽板12を設け、開口部11の略扇型形状に
よって上記単位面積当りの発熱量をその関係する因子全
てを含んで補正することにより、第５図（ａ）に示すよ
うに、内周から外周の全面に亘って均一な温度分布を得
ることができる。第５図（ｃ）は、第６図に示す従来装
置による特性を示している。
発明の効果 以上説明したように、本発明による光ディスク原盤の加
熱乾燥装置においては、光ディスク原盤を待機位置と加
熱乾燥位置との間で移動可能とし、加熱乾燥位置には光
ディスク原盤を輻射加熱する加熱手段を設け、この加熱
手段の温度が所定値に達したことを検出したら光ディス
ク原盤を待機位置から加熱乾燥位置へ移動せしめ、光デ
ィスク原盤の表面温度が所定値に達したことを検出した
ら光ディスク原盤を加熱乾燥位置から待機位置へ移動せ
しめるべく制御する構成となっているので、待機位置側
のみでの作業が可能であることから作業者が１人でも作
業を容易に行なえ、しかも加熱手段の温度及び光ディス
ク原盤の表面温度の温度管理を行なうこともできる。
熱乾燥装置においては、光ディスク原盤を待機位置と加
熱乾燥位置との間で移動可能とし、加熱乾燥位置には光
ディスク原盤を輻射加熱する加熱手段を設け、この加熱
手段の温度が所定値に達したことを検出したら光ディス
ク原盤を待機位置から加熱乾燥位置へ移動せしめ、光デ
ィスク原盤の表面温度が所定値に達したことを検出した
ら光ディスク原盤を加熱乾燥位置から待機位置へ移動せ
しめるべく制御する構成となっているので、待機位置側
のみでの作業が可能であることから作業者が１人でも作
業を容易に行なえ、しかも加熱手段の温度及び光ディス
ク原盤の表面温度の温度管理を行なうこともできる。
第１図は本発明の一実施例を示す装置外観図、第２図は
その構造図、第３図は第２図におけるヒータユニットの
拡大断面図、第４図はプロセッサによって実行される加
熱乾燥の処理手順の基本シーケンスを示すフローチャー
ト、第５図は基準温度に対する各半径の温度偏差を示す
特性図、第６図（Ａ）は従来装置の外観図、（Ｂ）はそ
の正断面図である。 主要部分の符号の説明 １……ガラス原盤、２……スピンドル ４……スピンドルモータ ８……スピンドルベース駆動モータ 10,18……排気用チューブ 11……開口部、12……輻射熱遮蔽板 13……ヒータエレメント 14……ヒータユニット 19……放射温度計、21……コントローラ
その構造図、第３図は第２図におけるヒータユニットの
拡大断面図、第４図はプロセッサによって実行される加
熱乾燥の処理手順の基本シーケンスを示すフローチャー
ト、第５図は基準温度に対する各半径の温度偏差を示す
特性図、第６図（Ａ）は従来装置の外観図、（Ｂ）はそ
の正断面図である。 主要部分の符号の説明 １……ガラス原盤、２……スピンドル ４……スピンドルモータ ８……スピンドルベース駆動モータ 10,18……排気用チューブ 11……開口部、12……輻射熱遮蔽板 13……ヒータエレメント 14……ヒータユニット 19……放射温度計、21……コントローラ
Claims (2)
- 【請求項１】光ディスク原盤を担持する担持手段と、こ
の担持手段を第１位と第２位置との間で移動せしめる移
送手段と、前記第２位置において前記光ディスク原盤を
輻射加熱する加熱手段と、前記光ディスク原盤の表面温
度を測定する第１の温度測定手段と、前記加熱手段の温
度を測定する第２の温度測定手段と、この第２の温度測
定手段の出力に基づいて前記加熱手段の温度が所定値に
達したことを検出したら前記光ディスク原盤を前記第１
位置から前記第２位置へ移動し、前記第１の温度測定手
段の出力に基づいて前記光ディスク原盤の表面温度が所
定値に達したことを検出したら前記光ディスク原盤を前
記第２位置から前記第１位置へ移動すべく前記移送手段
を駆動制御する制御手段とを備えたことを特徴とする光
ディスク原盤の加熱乾燥装置。 - 【請求項２】前記光ディスク原盤は前記担持手段によっ
て回転自在に担持されており、前記制御手段は、前記光
ディスク原盤を前記第１位置へ移動させた後、前記第１
の温度測定手段の出力を監視し、前記光ディスク原盤の
表面温度が所定値以下になったら前記担持手段による前
記光ディスク原盤の回転駆動を停止せしめるべく制御す
ることを特徴とする請求項１記載の光ディスク原盤の加
熱乾燥装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21998088A JPH071149B2 (ja) | 1988-09-02 | 1988-09-02 | 光ディスク原盤の加熱乾燥装置 |
| US07/322,941 US4897932A (en) | 1988-09-02 | 1989-03-14 | Master optical disk heat-drying apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21998088A JPH071149B2 (ja) | 1988-09-02 | 1988-09-02 | 光ディスク原盤の加熱乾燥装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0268483A JPH0268483A (ja) | 1990-03-07 |
| JPH071149B2 true JPH071149B2 (ja) | 1995-01-11 |
Family
ID=16744039
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21998088A Expired - Fee Related JPH071149B2 (ja) | 1988-09-02 | 1988-09-02 | 光ディスク原盤の加熱乾燥装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH071149B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19543354A1 (de) * | 1995-11-21 | 1997-05-22 | Leybold Ag | Vorrichtung zum Trocknen einer Lackschicht |
-
1988
- 1988-09-02 JP JP21998088A patent/JPH071149B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0268483A (ja) | 1990-03-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |