JPH07114361A - Ternary output circuit - Google Patents

Ternary output circuit

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JPH07114361A
JPH07114361A JP5258687A JP25868793A JPH07114361A JP H07114361 A JPH07114361 A JP H07114361A JP 5258687 A JP5258687 A JP 5258687A JP 25868793 A JP25868793 A JP 25868793A JP H07114361 A JPH07114361 A JP H07114361A
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JP
Japan
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level
output
vcc
transistor
side power
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Application number
JP5258687A
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Japanese (ja)
Inventor
Takayoshi Nakamura
孝好 中村
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Fujitsu VLSI Ltd
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu VLSI Ltd
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Publication of JPH07114361A publication Critical patent/JPH07114361A/en
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Abstract

PURPOSE:To provide a ternary output circuit capable of preventing reduction of the degree of integration by back gate control circuit. CONSTITUTION:An output signal COM at a Vcc level is output from an output terminal To by turning on a transistor Tr11 whose source is connected to a Vcc and whose drain is connected to the output terminal To. An output signal COM of a Vss level is output from the output terminal To by turning on a transistor Tr12 whose drain is connected to the output terminal To and whose source is connected to a Vss. An output signal COM of a -Vcc level is outputted from the output terminal To by turning on a transistor Tr13 whose drain is connected to the output terminal To and whose source is connected to a -Vcc whose voltage is lower than the Vss level. The back gates of the transistors Tr12 and Tr13 are connected to the -Vcc.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、3段階の出力レベル
を出力する3値出力回路に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a ternary output circuit that outputs three output levels.

【0002】近年、液晶ドライバーを内蔵したシングル
チップコントローラにおいて、3段階の出力レベルを出
力する出力回路が使用されている。このような出力回路
では、一般に出力トランジスタのバックゲートを適宜な
レベルに設定するバックゲートコントロール回路が必要
となっているが、バックゲートコントロール回路の回路
構成を簡略化して、集積度を向上させることが必要とな
っている。
In recent years, an output circuit that outputs three output levels has been used in a single-chip controller incorporating a liquid crystal driver. In such an output circuit, a back gate control circuit that sets the back gate of the output transistor to an appropriate level is generally required. However, it is necessary to simplify the circuit configuration of the back gate control circuit and improve the degree of integration. Is needed.

【0003】[0003]

【従来の技術】従来の3値出力回路の一例を図6に従っ
て説明する。入力信号A,B,CはHレベル及びLレベ
ルの2値信号が入力され、Hレベルとして+Vccレベル
が供給され、LレベルとしてグランドGNDレベルに等
しい電源Vssレベルが供給される。
2. Description of the Related Art An example of a conventional three-value output circuit will be described with reference to FIG. Binary signals of H level and L level are input to the input signals A, B and C, + Vcc level is supplied as H level, and power supply Vss level equal to ground GND level is supplied as L level.

【0004】前記入力信号A,B,Cはそれぞれレベル
シフト回路1a,1b,1cに入力される。前記レベル
シフト回路1a,1b,1cは電源VccレベルであるH
レベルの入力信号A,B,Cを同一レベルのまま制御回
路2に出力し、電源Vssレベルの入力信号A,B,Cを
電源VssよりさらにVccレベル分低いレベルの−Vccレ
ベルに変換して制御回路2に出力する。
The input signals A, B and C are input to the level shift circuits 1a, 1b and 1c, respectively. The level shift circuits 1a, 1b and 1c are at the power source Vcc level H
The level input signals A, B, and C are output to the control circuit 2 with the same level, and the power source Vss level input signals A, B, and C are converted to -Vcc level which is lower than the power source Vss by Vcc level. Output to the control circuit 2.

【0005】制御回路2はレベルシフト回路1a,1
b,1cから入力される入力信号に基づいて、出力信号
X,Y,Zを出力する。そして、Hレベルの出力信号
X,Y,Zは+Vccが出力され、Lレベルの出力信号
X,Y,Zは−Vccが出力される。
The control circuit 2 includes level shift circuits 1a and 1a.
Output signals X, Y and Z are output based on the input signals input from b and 1c. Then, + Vcc is output for the H level output signals X, Y and Z, and -Vcc is output for the L level output signals X, Y and Z.

【0006】前記出力信号XはPチャネルMOSトラン
ジスタTr1のゲートに入力され、前記出力信号ZはNチ
ャネルMOSトランジスタTr2のゲートに入力され、前
記出力信号YはNチャネルMOSトランジスタTr3のゲ
ートに入力される。
The output signal X is input to the gate of a P channel MOS transistor Tr1, the output signal Z is input to the gate of an N channel MOS transistor Tr2, and the output signal Y is input to the gate of an N channel MOS transistor Tr3. It

【0007】前記トランジスタTr1のソースは電源Vcc
に接続され、ドレインは前記トランジスタTr2,Tr3の
ドレインと、出力端子To に接続される。前記トランジ
スタTr2のソースは電源−Vccに接続され、前記トラン
ジスタTr3のソースは電源Vssに接続されている。
The source of the transistor Tr1 is the power source Vcc.
And the drains are connected to the drains of the transistors Tr2 and Tr3 and the output terminal To. The source of the transistor Tr2 is connected to the power supply -Vcc, and the source of the transistor Tr3 is connected to the power supply Vss.

【0008】また,前記トランジスタTr1のバックゲー
トは電源Vccに接続され、前記トランジスタTr2のバッ
クゲートは電源−Vccに接続されている。前記トランジ
スタTr3のバックゲートにはバックゲートコントロール
回路3からバックバイアスが供給される。
The back gate of the transistor Tr1 is connected to the power supply Vcc, and the back gate of the transistor Tr2 is connected to the power supply -Vcc. A back bias is supplied from the back gate control circuit 3 to the back gate of the transistor Tr3.

【0009】前記バックゲートコントロール回路3はイ
ンバータ回路4aと、NチャネルMOSトランジスタT
r4,Tr5とから構成される。前記制御回路2の出力信号
Yは前記トランジスタTr4のゲートと、前記インバータ
回路4aに入力される。
The back gate control circuit 3 includes an inverter circuit 4a and an N channel MOS transistor T.
It is composed of r4 and Tr5. The output signal Y of the control circuit 2 is input to the gate of the transistor Tr4 and the inverter circuit 4a.

【0010】なお、前記インバータ回路4aを構成する
NチャネルMOSトランジスタのバックゲートには−V
ccが供給される。前記インバータ回路4aの出力信号は
トランジスタTr5のゲートに入力される。前記トランジ
スタTr4のドレインは電源Vssに接続され、ソースは前
記トランジスタTr5のドレインと、前記トランジスタT
r3,Tr4のバックゲートに接続されている。
The back gate of the N-channel MOS transistor forming the inverter circuit 4a has -V.
cc is supplied. The output signal of the inverter circuit 4a is input to the gate of the transistor Tr5. The drain of the transistor Tr4 is connected to the power source Vss, and the source is the drain of the transistor Tr5 and the transistor T4.
It is connected to the back gates of r3 and Tr4.

【0011】前記トランジスタTr5のソースは電源−V
ccに接続されるとともに、同トランジスタTr5のバック
ゲートに接続されている。上記のように構成された3値
出力回路の動作を図7に従って説明する。
The source of the transistor Tr5 is a power source -V.
It is connected to cc and also to the back gate of the transistor Tr5. The operation of the three-value output circuit configured as described above will be described with reference to FIG.

【0012】入力信号A,B,Cに基づいて、制御回路
2の出力信号X,Y,ZがLレベルである−Vccレベル
となると、トランジスタTr1はオンされ、トランジスタ
Tr2,Tr3はオフされる。
When the output signals X, Y and Z of the control circuit 2 reach the -Vcc level which is the L level based on the input signals A, B and C, the transistor Tr1 is turned on and the transistors Tr2 and Tr3 are turned off. .

【0013】このとき、バックゲートコントロール回路
3は、トランジスタTr4がオフされるとともに、トラン
ジスタTr5がオンされる。従って、トランジスタTr3の
バックゲートには電源−Vccが供給される。
At this time, in the back gate control circuit 3, the transistor Tr4 is turned off and the transistor Tr5 is turned on. Therefore, the power supply -Vcc is supplied to the back gate of the transistor Tr3.

【0014】そして、トランジスタTr1のオン動作によ
り、出力端子To には電源Vccレベルの出力信号COM
が出力される。また、入力信号A,B,Cに基づいて、
制御回路2の出力信号X,Yが+VccレベルであるHレ
ベル、出力信号Zが−VccレベルであるLレベルとなる
と、トランジスタTr1,Tr2はオフされ、トランジスタ
Tr3はオンされる。
When the transistor Tr1 is turned on, the output signal COM at the power source Vcc level is output to the output terminal To.
Is output. Also, based on the input signals A, B, C,
When the output signals X and Y of the control circuit 2 become H level which is + Vcc level and the output signal Z becomes L level which is -Vcc level, the transistors Tr1 and Tr2 are turned off and the transistor Tr3 is turned on.

【0015】このとき、バックゲートコントロール回路
3は、トランジスタTr4がオンされるとともに、トラン
ジスタTr5がオフされる。従って、トランジスタTr3の
バックゲートには電源Vssが供給される。
At this time, in the back gate control circuit 3, the transistor Tr4 is turned on and the transistor Tr5 is turned off. Therefore, the power supply Vss is supplied to the back gate of the transistor Tr3.

【0016】そして、トランジスタTr3のオン動作によ
り、出力端子To には電源Vssレベルの出力信号COM
が出力される。また、入力信号A,B,Cに基づいて、
制御回路2の出力信号X,ZがHレベル、出力信号Yが
Lレベルとなると、トランジスタTr1,Tr3はオフさ
れ、トランジスタTr2はオンされる。
When the transistor Tr3 is turned on, the output signal COM of the power supply Vss level is supplied to the output terminal To.
Is output. Also, based on the input signals A, B, C,
When the output signals X and Z of the control circuit 2 become H level and the output signal Y becomes L level, the transistors Tr1 and Tr3 are turned off and the transistor Tr2 is turned on.

【0017】このとき、バックゲートコントロール回路
3は、トランジスタTr4がオフされるとともに、トラン
ジスタTr5がオンされる。従って、トランジスタTr3の
バックゲートには電源−Vccが供給される。
At this time, in the back gate control circuit 3, the transistor Tr4 is turned off and the transistor Tr5 is turned on. Therefore, the power supply -Vcc is supplied to the back gate of the transistor Tr3.

【0018】そして、トランジスタTr2のオン動作によ
り、出力端子To には電源−Vccレベルの出力信号CO
Mが出力される。上記のように、トランジスタTr3のバ
ックゲートにバックゲートコントロール回路3を接続し
た理由を次に示す。
When the transistor Tr2 is turned on, the output signal CO of the power supply −Vcc level is supplied to the output terminal To.
M is output. The reason why the back gate control circuit 3 is connected to the back gate of the transistor Tr3 as described above will be described below.

【0019】図8に示すように、トランジスタTr3はN
型基板5上にP型ウェル6が形成され、そのP型ウェル
6内にN型拡散層でドレイン7及びソース8が形成され
る。前記ドレイン7とソース8間において、基板5上に
はゲート9が形成されている。
As shown in FIG. 8, the transistor Tr3 is N
A P-type well 6 is formed on the mold substrate 5, and a drain 7 and a source 8 are formed in the P-type well 6 by N-type diffusion layers. A gate 9 is formed on the substrate 5 between the drain 7 and the source 8.

【0020】そして、ドレイン7は出力端子To に接続
され、ソース8は電源Vssに接続され、ゲートには前記
出力信号Yが入力される。また、P型ウェル6内には同
P型ウェル6の電位を固定するためにP型拡散層がバッ
クゲート10として形成されている。
The drain 7 is connected to the output terminal To, the source 8 is connected to the power supply Vss, and the output signal Y is input to the gate. Further, in the P-type well 6, a P-type diffusion layer is formed as a back gate 10 for fixing the potential of the P-type well 6.

【0021】ところが、このようなバックゲート10を
電源Vssに常時接続しておくと、出力端子To から−V
ccレベルの出力信号COMが出力されるとき、バックゲ
ート10はドレイン7より高電位となる。
However, if such a back gate 10 is always connected to the power source Vss, -V is output from the output terminal To.
When the cc level output signal COM is output, the back gate 10 has a higher potential than the drain 7.

【0022】すると、電源Vssからバックゲート10,
P型ウェル6及びドレイン7を介して出力端子To に電
流が流れ、出力信号COMの電位が上昇して−Vccレベ
ルが正常に出力されなくなる。
Then, from the power source Vss to the back gate 10,
A current flows through the P-type well 6 and the drain 7 to the output terminal To, the potential of the output signal COM rises, and the -Vcc level is not normally output.

【0023】従って、このような不具合を防止するため
に、上記バックゲートコントロール回路3では、出力信
号COMとして−Vccレベルが出力される場合には、ト
ランジスタTr3のバックゲート10に−Vccレベルを供
給している。
Therefore, in order to prevent such a problem, the back gate control circuit 3 supplies the -Vcc level to the back gate 10 of the transistor Tr3 when the -Vcc level is output as the output signal COM. is doing.

【0024】[0024]

【発明が解決しようとする課題】ところが、上記のよう
な3値出力回路では、トランジスタTr3のバックゲート
にバックゲートコントロール回路3を接続する必要があ
ることから、回路面積が増大し、高集積化を図る上で障
害となる。
However, in the above-mentioned three-value output circuit, since it is necessary to connect the back gate control circuit 3 to the back gate of the transistor Tr3, the circuit area is increased and high integration is achieved. Will be an obstacle to

【0025】この発明の目的は、バックゲートコントロ
ール回路による集積度の低下を防止し得る3値出力回路
を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a ternary output circuit capable of preventing the reduction in the degree of integration due to the back gate control circuit.

【0026】[0026]

【課題を解決するための手段】図1は本発明の原理説明
図である。すなわち、ソースが高電位側電源Vccに接続
されるとともに、ドレインが出力端子To に接続された
PチャネルMOSトランジスタTr11 を入力信号X1に
基づいてオン動作させることにより出力端子To から前
記高電位側電源Vccレベルの出力信号COMが出力さ
れ、ドレインが前記出力端子To に接続されるととも
に、ソースが第一の低電位側電源Vssに接続された第一
のNチャネルMOSトランジスタTr12 を入力信号Y2
に基づいてオン動作させることにより前記出力端子To
から前記第一の低電位側電源Vssレベルの出力信号CO
Mが出力され、ドレインが前記出力端子To に接続され
るとともに、ソースが前記第一の低電位側電源Vssレベ
ルより低電位の第二の低電位側電源−Vccに接続された
第二のNチャネルMOSトランジスタTr13 を入力信号
Z2に基づいてオン動作させることにより前記出力端子
To から前記第二の低電位側電源−Vccレベルの出力信
号COMが出力される。前記第一及び第二のNチャネル
MOSトランジスタTr12 ,Tr13 のバックゲートが前
記第二の低電位側電源−Vccに接続される。
FIG. 1 is a diagram for explaining the principle of the present invention. That is, the P-channel MOS transistor Tr11, whose source is connected to the high potential side power source Vcc and whose drain is connected to the output terminal To, is turned on based on the input signal X1 to output the high potential side power source from the output terminal To. The output signal COM of Vcc level is output, the drain is connected to the output terminal To, and the source is connected to the first low-potential-side power supply Vss.
The output terminal To is turned on based on
From the first low potential side power source Vss level output signal CO
M is output, the drain is connected to the output terminal To, and the source is connected to the second low potential side power source -Vcc whose potential is lower than the first low potential side power source Vss level. By turning on the channel MOS transistor Tr13 based on the input signal Z2, the output signal COM of the second low potential side power source -Vcc level is output from the output terminal To. The back gates of the first and second N-channel MOS transistors Tr12 and Tr13 are connected to the second low potential side power source -Vcc.

【0027】また、図2に示すように前記PチャネルM
OSトランジスタTr11 には、高電位側電源Vccレベル
をHレベルとし、第一の低電位側電源VssレベルをLレ
ベルとする入力信号X1が入力され、前記第一及び第二
のNチャネルMOSトランジスタTr12 には、高電位側
電源VccレベルをHレベルとし、第二の低電位側電源−
VccレベルをLレベルとする入力信号Y2,Z2が入力
される。
Further, as shown in FIG. 2, the P channel M
The input signal X1 that sets the high-potential-side power supply Vcc level to the H level and the first low-potential-side power supply Vss level to the L level is input to the OS transistor Tr11, and the first and second N-channel MOS transistors Tr12 are supplied. The high potential side power source Vcc level to the H level, and the second low potential side power source −
Input signals Y2 and Z2 for setting the Vcc level to the L level are input.

【0028】[0028]

【作用】第一のNチャネルMOSトランジスタTr12 の
バックゲートが第二の低電位側電源−Vccに接続されて
いるので、第二の低電位側電源−Vccレベルの出力信号
COMが出力されても、同トランジスタTr12 ,Tr13
のバックゲートから出力端子To に電流は流れない。
Since the back gate of the first N-channel MOS transistor Tr12 is connected to the second low potential side power source -Vcc, even if the second low potential side power source -Vcc level output signal COM is output. , The same transistor Tr12, Tr13
No current flows from the back gate of the above to the output terminal To.

【0029】また、前記トランジスタTr12 のバックゲ
ートに接続するためのバックゲートコントロール回路は
不要となる。
Further, the back gate control circuit for connecting to the back gate of the transistor Tr12 is unnecessary.

【0030】[0030]

【実施例】図2は本発明を具体化した3値出力回路の一
実施例を示す。入力信号A,B,CはHレベル及びLレ
ベルの2値信号が入力され、Hレベルとして+Vccレベ
ルが供給され、LレベルとしてグランドGNDレベルに
等しい電源Vssレベルが供給される。
FIG. 2 shows an embodiment of a three-value output circuit embodying the present invention. Binary signals of H level and L level are input to the input signals A, B and C, + Vcc level is supplied as H level, and power supply Vss level equal to ground GND level is supplied as L level.

【0031】前記入力信号A,B,Cは制御回路11に
入力され、同制御回路11は入力信号A,B,Cに基づ
いて出力信号X1,Y1,Z1を出力する。前記制御回
路11の具体的構成を図3に従って説明する。入力信号
A,BはNOR回路12a,12b,12cにそれぞれ
入力されている。
The input signals A, B, C are input to the control circuit 11, and the control circuit 11 outputs output signals X1, Y1, Z1 based on the input signals A, B, C. A specific configuration of the control circuit 11 will be described with reference to FIG. The input signals A and B are input to the NOR circuits 12a, 12b and 12c, respectively.

【0032】入力信号Cは前記NOR回路12aに入力
されるとともに、インバータ回路4bを介して前記NO
R回路12cに入力されている。そして、前記NOR回
路12aの出力信号がインバータ回路4cを介して出力
信号X1として出力され、前記NOR回路12bの出力
信号がインバータ回路4dを介して出力信号Y1として
出力される。また、前記NOR回路12cから出力信号
Z1が出力される。
The input signal C is input to the NOR circuit 12a, and the NO signal is sent via the inverter circuit 4b.
It is input to the R circuit 12c. The output signal of the NOR circuit 12a is output as the output signal X1 via the inverter circuit 4c, and the output signal of the NOR circuit 12b is output as the output signal Y1 via the inverter circuit 4d. Further, the NOR circuit 12c outputs an output signal Z1.

【0033】このように構成された制御回路11の動作
を図5に従って説明する。入力信号A,B,Cがともに
Lレベルとなると、出力信号X1,Y1,Z1はともに
Lレベルとなる。
The operation of the control circuit 11 thus constructed will be described with reference to FIG. When the input signals A, B, C all go to L level, the output signals X1, Y1, Z1 all go to L level.

【0034】入力信号AがHレベル、入力信号B,Cが
Lレベルとなると、出力信号X1,Y1がHレベル、出
力信号Z1はLレベルとなる。入力信号A,CがLレベ
ル、入力信号BがHレベルとなると、出力信号X1,Y
1がHレベル、出力信号Z1はLレベルとなる。
When the input signal A becomes H level and the input signals B and C become L level, the output signals X1 and Y1 become H level and the output signal Z1 becomes L level. When the input signals A and C become L level and the input signal B becomes H level, the output signals X1 and Y
1 becomes H level, and the output signal Z1 becomes L level.

【0035】入力信号A,BがLレベル、入力信号Cが
Hレベルとなると、出力信号X1,Z1がHレベル、入
力信号Y1がLレベルとなる。入力信号A,CがHレベ
ル、入力信号BがLレベルとなると、出力信号X1,Y
1がHレベル、出力信号Z1はLレベルとなる。
When the input signals A and B are L level and the input signal C is H level, the output signals X1 and Z1 are H level and the input signal Y1 is L level. When the input signals A and C become H level and the input signal B becomes L level, the output signals X1 and Y
1 becomes H level, and the output signal Z1 becomes L level.

【0036】入力信号B,CがHレベル、入力信号Aが
Lレベルとなると、出力信号X1,Y1がHレベル、出
力信号Z1はLレベルとなる。前記制御回路11の出力
信号Y1,Z1はレベルシフト回路1d,1eに入力さ
れ、同レベルシフト回路1d,1eは出力信号Y2,Z
2を出力する。
When the input signals B and C are H level and the input signal A is L level, the output signals X1 and Y1 are H level and the output signal Z1 is L level. The output signals Y1 and Z1 of the control circuit 11 are input to the level shift circuits 1d and 1e, and the level shift circuits 1d and 1e output signals Y2 and Z.
2 is output.

【0037】前記レベルシフト回路1d,1eは同一構
成であるので、レベルシフト回路1dについてその具体
的構成を図4に従って説明する。入力信号Y1はPチャ
ネルMOSトランジスタTr6のゲートに入力されるとと
もに、インバータ回路4eを介してPチャネルMOSト
ランジスタTr7のゲートに入力される。
Since the level shift circuits 1d and 1e have the same structure, the specific structure of the level shift circuit 1d will be described with reference to FIG. The input signal Y1 is input to the gate of the P channel MOS transistor Tr6 and also to the gate of the P channel MOS transistor Tr7 via the inverter circuit 4e.

【0038】前記トランジスタTr6,Tr7のソースは電
源Vccに接続され、バックゲートは電源Vccに接続され
ている。前記トランジスタTr6のドレインはNチャネル
MOSトランジスタTr8のドレインと、NチャネルMO
SトランジスタTr9のゲートに接続され、前記トランジ
スタTr7のドレインはNチャネルMOSトランジスタT
r9のドレインと、NチャネルMOSトランジスタTr8の
ゲートに接続されている。
The sources of the transistors Tr6 and Tr7 are connected to the power supply Vcc, and the back gates are connected to the power supply Vcc. The drain of the transistor Tr6 is connected to the drain of the N-channel MOS transistor Tr8 and the N-channel MO transistor.
It is connected to the gate of the S-transistor Tr9, and the drain of the transistor Tr7 is an N-channel MOS transistor T.
It is connected to the drain of r9 and the gate of the N-channel MOS transistor Tr8.

【0039】前記トランジスタTr8,Tr9のバックゲー
トは電源−Vccに接続され、同トランジスタTr8,Tr9
のソースはNチャネルMOSトランジスタTr10 のドレ
インに接続されている。
The back gates of the transistors Tr8 and Tr9 are connected to the power source -Vcc, and the transistors Tr8 and Tr9 are also connected.
Is connected to the drain of the N-channel MOS transistor Tr10.

【0040】前記トランジスタTr10 のゲートは電源V
ccに接続され、同トランジスタTr10 のソース及びバッ
クゲートは電源−Vccに接続されている。なお、前記ト
ランジスタTr10 は常時オンされるとともに、電源Vcc
から電源−Vccに流れる貫通電流を抑制するような小さ
なサイズで構成される。
The gate of the transistor Tr10 is a power source V
The source and back gate of the transistor Tr10 are connected to the power source -Vcc. The transistor Tr10 is always turned on and the power source Vcc is set.
To a power supply -Vcc, the size is small so as to suppress the through current.

【0041】このようなレベルシフト回路1dは、電源
VccレベルのHレベルの入力信号Y1が入力されると、
トランジスタTr6がオフされるとともに、トランジスタ
Tr7がオンされる。
Such a level shift circuit 1d receives an H-level input signal Y1 of the power supply Vcc level,
The transistor Tr6 is turned off and the transistor Tr7 is turned on.

【0042】すると、トランジスタTr8がオンされると
ともに、トランジスタTr9がオフされて、出力信号Y2
は電源VccレベルのHレベルとなる。一方、電源Vssレ
ベルのLレベルの入力信号Y1が入力されると、トラン
ジスタTr6がオンされるとともに、トランジスタTr7が
オフされる。
Then, the transistor Tr8 is turned on and the transistor Tr9 is turned off, so that the output signal Y2
Becomes the H level of the power supply Vcc level. On the other hand, when the L level input signal Y1 of the power supply Vss level is input, the transistor Tr6 is turned on and the transistor Tr7 is turned off.

【0043】すると、トランジスタTr8がオフされると
ともに、トランジスタTr9がオンされて、出力信号Y2
は電源−VccレベルのLレベルとなる。前記制御回路1
1の出力信号X1はPチャネルMOSトランジスタTr1
1 のゲートに入力され、前記レベルシフト回路1dの出
力信号Y2はNチャネルMOSトランジスタTr12 のゲ
ートに入力され、前記レベルシフト回路1eの出力信号
Z2はNチャネルMOSトランジスタTr13 のゲートに
入力される。
Then, the transistor Tr8 is turned off and the transistor Tr9 is turned on to output the output signal Y2.
Becomes the L level of the power supply-Vcc level. The control circuit 1
1 output signal X1 is a P-channel MOS transistor Tr1
The output signal Y2 of the level shift circuit 1d is input to the gate of the N channel MOS transistor Tr12, and the output signal Z2 of the level shift circuit 1e is input to the gate of the N channel MOS transistor Tr13.

【0044】前記トランジスタTr11 のソース及びバッ
クゲートは電源Vccに接続され、ドレインは出力端子T
o 及び前記トランジスタTr12 のドレインに接続されて
いる。
The source and back gate of the transistor Tr11 are connected to the power source Vcc, and the drain is the output terminal T.
o and the drain of the transistor Tr12.

【0045】前記トランジスタTr12 のドレインは出力
端子To に接続され、ソースは電源Vssに接続され、バ
ックゲートは電源−Vccに接続される。前記トランジス
タTr13 のドレインは出力端子To に接続され、ソース
及びバックゲートは電源−Vccに接続されている。
The drain of the transistor Tr12 is connected to the output terminal To, the source is connected to the power supply Vss, and the back gate is connected to the power supply -Vcc. The drain of the transistor Tr13 is connected to the output terminal To, and the source and back gate of the transistor Tr13 are connected to the power supply -Vcc.

【0046】このように構成された3値出力回路の動作
を図5に従って説明する。制御回路11及びレベルシフ
ト回路1d,1eの出力信号X1,Y2,Z2がLレベ
ルとなると、トランジスタTr11 がオンされるととも
に、トランジスタTr12 ,Tr13 がオフされる。する
と、出力端子To からVccレベルの出力信号COMが出
力される。
The operation of the ternary output circuit configured as described above will be described with reference to FIG. When the output signals X1, Y2 and Z2 of the control circuit 11 and the level shift circuits 1d and 1e become L level, the transistor Tr11 is turned on and the transistors Tr12 and Tr13 are turned off. Then, the Vcc level output signal COM is output from the output terminal To.

【0047】出力信号X1,Y2がHレベル、出力信号
Z2がLレベルとなると、トランジスタTr11 ,Tr13
がオフされるとともに、トランジスタTr12 がオンされ
る。すると、出力端子To からVssレベルの出力信号C
OMが出力される。
When the output signals X1 and Y2 become H level and the output signal Z2 becomes L level, the transistors Tr11 and Tr13 are set.
Is turned off and the transistor Tr12 is turned on. Then, the output signal C of Vss level from the output terminal To
OM is output.

【0048】出力信号X1,Z2がHレベル、出力信号
Y2がLレベルとなると、トランジスタTr11 ,Tr12
がオフされるとともに、トランジスタTr13 がオンされ
る。すると、出力端子To から−Vccレベルの出力信号
COMが出力される。
When the output signals X1 and Z2 are at the H level and the output signal Y2 is at the L level, the transistors Tr11 and Tr12 are.
Is turned off and the transistor Tr13 is turned on. Then, the output terminal COM outputs the -Vcc level output signal COM.

【0049】このような動作により、この3値出力回路
はVccレベル、Vssレベル及び−Vccレベルの3段階の
レベルの出力信号COMを出力する。そして、トランジ
スタTr12 のバックゲートには常時−Vccレベルが供給
されているので、出力信号COMとして−Vccレベルが
出力される場合にも、同トランジスタTr12 のバックゲ
ートから出力端子に電流が流れることはない。
With this operation, the ternary output circuit outputs the output signal COM having three levels of Vcc level, Vss level and -Vcc level. Since the -Vcc level is always supplied to the back gate of the transistor Tr12, no current flows from the back gate of the transistor Tr12 to the output terminal even when the -Vcc level is output as the output signal COM. Absent.

【0050】従って、出力信号COMとして、確実に−
Vccレベルを出力することができるとともに、バックゲ
ートコントロール回路を省略することができるので、回
路の集積度を向上させることができる。
Therefore, as the output signal COM, surely-
Since the Vcc level can be output and the back gate control circuit can be omitted, the degree of integration of the circuit can be improved.

【0051】また、トランジスタTr11 のゲートに入力
される出力信号X1のLレベルは電源Vssレベルでも差
し支えない。従って、出力信号X1はレベルシフト回路
を介することなく、トランジスタTr11 のゲートに直接
に入力することにより、前記従来例に対し、レベルシフ
ト回路の数を削減することができる。
The L level of the output signal X1 input to the gate of the transistor Tr11 may be the power supply Vss level. Therefore, by directly inputting the output signal X1 to the gate of the transistor Tr11 without passing through the level shift circuit, the number of level shift circuits can be reduced as compared with the conventional example.

【0052】[0052]

【発明の効果】以上詳述したように、この発明はバック
ゲートコントロール回路による集積度の低下を防止し得
る3値出力回路を提供することができる優れた効果を発
揮する。
As described above in detail, the present invention exerts an excellent effect of providing a ternary output circuit capable of preventing the reduction of the degree of integration due to the back gate control circuit.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の原理説明図である。FIG. 1 is a diagram illustrating the principle of the present invention.

【図2】一実施例を示す回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram showing an example.

【図3】一実施例の制御回路を示す回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram showing a control circuit according to an embodiment.

【図4】一実施例のレベルシフト回路を示す回路図であ
る。
FIG. 4 is a circuit diagram showing a level shift circuit according to an embodiment.

【図5】一実施例の動作を示す波形図である。FIG. 5 is a waveform diagram showing the operation of the embodiment.

【図6】従来例を示す回路図である。FIG. 6 is a circuit diagram showing a conventional example.

【図7】従来例の動作を示す波形図である。FIG. 7 is a waveform diagram showing an operation of a conventional example.

【図8】NチャネルMOSトランジスタの断面図であ
る。
FIG. 8 is a cross-sectional view of an N-channel MOS transistor.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

Vcc 高電位側電源 Vss 第一の低電位側電源 −Vcc 第二の低電位側電源 To 出力端子 COM 出力信号 Tr11 PチャネルMOSトランジスタ Tr12 第一のNチャネルMOSトランジスタ Tr13 第二のNチャネルMOSトランジスタ X1,Y2,Z2 入力信号 Vcc High potential side power source Vss First low potential side power source −Vcc Second low potential side power source To output terminal COM output signal Tr11 P-channel MOS transistor Tr12 First N-channel MOS transistor Tr13 Second N-channel MOS transistor X1 , Y2, Z2 input signal

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ソースを高電位側電源(Vcc)に接続す
るとともに、ドレインを出力端子(To )に接続したP
チャネルMOSトランジスタ(Tr11 )を入力信号(X
1)に基づいてオン動作させることにより出力端子(T
o )から前記高電位側電源(Vcc)レベルの出力信号
(COM)を出力し、ドレインを前記出力端子(To )
に接続するとともに、ソースを第一の低電位側電源(V
ss)に接続した第一のNチャネルMOSトランジスタ
(Tr12 )を入力信号(Y2)に基づいてオン動作させ
ることにより前記出力端子(To )から前記第一の低電
位側電源(Vss)レベルの出力信号(COM)を出力
し、ドレインを前記出力端子(To )に接続するととも
に、ソースを前記第一の低電位側電源(Vss)レベルよ
り低電位の第二の低電位側電源(−Vcc)に接続した第
二のNチャネルMOSトランジスタ(Tr13 )を入力信
号(Z2)に基づいてオン動作させることにより前記出
力端子(To )から前記第二の低電位側電源(−Vcc)
レベルの出力信号(COM)を出力する3値出力回路で
あって、 前記第一及び第二のNチャネルMOSトランジスタ(T
r12 ,Tr13 )のバックゲートを前記第二の低電位側電
源(−Vcc)に接続したことを特徴とする3値出力回
路。
1. A P having a source connected to a high potential side power supply (Vcc) and a drain connected to an output terminal (To).
The channel MOS transistor (Tr11) receives the input signal (X
1) to turn on the output terminal (T
output signal (COM) of the high potential side power supply (Vcc) level is output from the o) and the drain is connected to the output terminal (To).
And a source connected to the first low-potential side power source (V
The first N-channel MOS transistor (Tr12) connected to ss) is turned on based on the input signal (Y2) to output from the output terminal (To) at the first low potential side power supply (Vss) level. A signal (COM) is output, a drain is connected to the output terminal (To), and a source is a second low potential side power source (-Vcc) lower in potential than the first low potential side power source (Vss) level. The second N-channel MOS transistor (Tr13) connected to the ON terminal is turned on based on the input signal (Z2) to output from the output terminal (To) to the second low potential side power source (-Vcc).
A three-value output circuit for outputting a level output signal (COM), comprising: the first and second N-channel MOS transistors (T
A three-value output circuit in which a back gate of r12, Tr13) is connected to the second low-potential-side power source (-Vcc).
【請求項2】 前記PチャネルMOSトランジスタ(T
r11 )には、高電位側電源(Vcc)レベルをHレベルと
し、第一の低電位側電源(Vss)レベルをLレベルとす
る入力信号(X1)を入力し、前記第一及び第二のNチ
ャネルMOSトランジスタ(Tr12 )には、高電位側電
源(Vcc)レベルをHレベルとし、第二の低電位側電源
(−Vcc)レベルをLレベルとする入力信号(Y2,Z
2)を入力することを特徴とする請求項1記載の3値出
力回路。
2. The P-channel MOS transistor (T
An input signal (X1) for setting the high-potential-side power supply (Vcc) level to the H level and the first low-potential-side power supply (Vss) level to the L level is input to r11). The N-channel MOS transistor (Tr12) has an input signal (Y2, Z) that sets the high potential side power source (Vcc) level to the H level and the second low potential side power source (-Vcc) level to the L level.
2. The ternary output circuit according to claim 1, wherein 2) is input.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006178356A (en) * 2004-12-24 2006-07-06 Nec Electronics Corp Drive circuit of display device
US7469016B2 (en) 2004-12-03 2008-12-23 Panasonic Corporation Circuit for generating ternary signal
JP2010226590A (en) * 2009-03-25 2010-10-07 Renesas Electronics Corp Buffer circuit

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