JPH07111337A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH07111337A JPH07111337A JP25601993A JP25601993A JPH07111337A JP H07111337 A JPH07111337 A JP H07111337A JP 25601993 A JP25601993 A JP 25601993A JP 25601993 A JP25601993 A JP 25601993A JP H07111337 A JPH07111337 A JP H07111337A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ohmic electrode
- semiconductor substrate
- side ohmic
- oxide layer
- anode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 オーミック電極の形成されたＧａＡｓ半導体
基板を、エッチング液に浸漬して、オーミック電極と半
導体基板との間にイオン化傾向の違いによる電池を形成
し、この電池効果によりドレイン側オーミック電極近傍
の半導体基板に酸化層を形成し、この酸化層を除去し
て、精度の高いリセスを制御性よく形成する半導体装置
の製造方法を提供する。 【構成】 本発明は、アノード側オーミック電極２とカ
ソード側オーミック電極３の形成された半導体基板１
を、エッチング液６に浸漬して、エンッチング液６を通
して、アノード側オーミック電極２と半導体基板１との
間に形成される電池効果により、アノード側オーミック
電極近傍の半導体基板に酸化層７を形成して、この酸化
層７を除去してリセス８を形成する半導体装置の製造方
法である。
基板を、エッチング液に浸漬して、オーミック電極と半
導体基板との間にイオン化傾向の違いによる電池を形成
し、この電池効果によりドレイン側オーミック電極近傍
の半導体基板に酸化層を形成し、この酸化層を除去し
て、精度の高いリセスを制御性よく形成する半導体装置
の製造方法を提供する。 【構成】 本発明は、アノード側オーミック電極２とカ
ソード側オーミック電極３の形成された半導体基板１
を、エッチング液６に浸漬して、エンッチング液６を通
して、アノード側オーミック電極２と半導体基板１との
間に形成される電池効果により、アノード側オーミック
電極近傍の半導体基板に酸化層７を形成して、この酸化
層７を除去してリセス８を形成する半導体装置の製造方
法である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、横型ＯＳＢＤ（オーミ
ック電極領域を有するショットキーバリアダイオード）
において、アノード側オーミック電極の近傍に、リセス
エンッチングを行う半導体装置の製造方法に関する。
ック電極領域を有するショットキーバリアダイオード）
において、アノード側オーミック電極の近傍に、リセス
エンッチングを行う半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体装置の製造方法において、
リセスエッチングは、図２に示すように行っていた。同
図Ａは半導体基板１１の活性層上に、アノード側オーミ
ック電極１２およびカソード側オーミック電極１３を形
成し、カソード側オーミック電極１３およびその周辺に
レジスト１４を形成する工程で、同図Ｂは前記半導体基
板１１をエッチング液に浸漬して、リセス１５を形成す
る工程で、同図Ｃはアノード側オーミック電極１２およ
びリセス１５にアノード側ショットキー電極１６を形成
する工程で、そして同図Ｄはカソード側オーミック電極
１３およびその周辺のレジスト１４を除去する工程を示
すものである。
リセスエッチングは、図２に示すように行っていた。同
図Ａは半導体基板１１の活性層上に、アノード側オーミ
ック電極１２およびカソード側オーミック電極１３を形
成し、カソード側オーミック電極１３およびその周辺に
レジスト１４を形成する工程で、同図Ｂは前記半導体基
板１１をエッチング液に浸漬して、リセス１５を形成す
る工程で、同図Ｃはアノード側オーミック電極１２およ
びリセス１５にアノード側ショットキー電極１６を形成
する工程で、そして同図Ｄはカソード側オーミック電極
１３およびその周辺のレジスト１４を除去する工程を示
すものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
半導体装置の製造方法においては、フォトリソグラフィ
技術を用いる関係上、位置ズレが発生し、更にその後の
リセスエッチングによってリセス１５の深さを時間制御
で行うため、リセス１５の深さにバラツキが生じ、良品
率を上げるためのネックとなっていた。
半導体装置の製造方法においては、フォトリソグラフィ
技術を用いる関係上、位置ズレが発生し、更にその後の
リセスエッチングによってリセス１５の深さを時間制御
で行うため、リセス１５の深さにバラツキが生じ、良品
率を上げるためのネックとなっていた。
【０００４】したがって、本発明は、オーミック電極の
形成されたＧａＡｓ半導体基板を、エッチング液に浸漬
した際に、オーミック電極と半導体基板との間に、イオ
ン化傾向の違いによる電気化学反応によって電池が生じ
る、この電池効果により半導体基板に酸化層を形成し、
次いでこの酸化層を除去して、精度の高いリセスを制御
性よく形成する半導体装置の製造方法を提供することを
目的とする。
形成されたＧａＡｓ半導体基板を、エッチング液に浸漬
した際に、オーミック電極と半導体基板との間に、イオ
ン化傾向の違いによる電気化学反応によって電池が生じ
る、この電池効果により半導体基板に酸化層を形成し、
次いでこの酸化層を除去して、精度の高いリセスを制御
性よく形成する半導体装置の製造方法を提供することを
目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体基板の
活性層上に、アノード側オーミック電極およびカソード
側オーミック電極を形成し、カソード側オーミック電極
およびその周辺に、レジストを形成する工程と、前記ア
ノード側オーミック電極とカソード側オーミック電極と
に、電流モニター用のリード線が配線された半導体基板
を、酸化剤が除去された除去剤のみのエッチング液に浸
漬して、アノード側オーミック電極近傍の半導体基板に
エッチングの電池効果により形成される酸化層の厚み
を、電流モニターの電流値により制御し、かつこの酸化
層を除去して、所望のリセスを形成する工程と、前記ア
ノード側オーミック電極およびリセスに、アノード側シ
ョットキー電極を形成し、カソード側オーミック電極お
よびその周辺に設けられたレジストを除去する工程と、
よりなる半導体装置の製造方法である。
活性層上に、アノード側オーミック電極およびカソード
側オーミック電極を形成し、カソード側オーミック電極
およびその周辺に、レジストを形成する工程と、前記ア
ノード側オーミック電極とカソード側オーミック電極と
に、電流モニター用のリード線が配線された半導体基板
を、酸化剤が除去された除去剤のみのエッチング液に浸
漬して、アノード側オーミック電極近傍の半導体基板に
エッチングの電池効果により形成される酸化層の厚み
を、電流モニターの電流値により制御し、かつこの酸化
層を除去して、所望のリセスを形成する工程と、前記ア
ノード側オーミック電極およびリセスに、アノード側シ
ョットキー電極を形成し、カソード側オーミック電極お
よびその周辺に設けられたレジストを除去する工程と、
よりなる半導体装置の製造方法である。
【０００６】
【作用】本発明は、アノード側オーミック電極とカソー
ド側オーミック電極に電流モニター用のリード線が配線
されたＧａＡｓ半導体基板を、酸化剤が除去された除去
剤のみのエッチング液に浸漬して、このエッチング液を
通して、オーミック電極と半導体基板との間に、イオン
化傾向の違いによる化学反応により生じた電池効果によ
り酸化層を形成し、予め設定された電流値によりこの酸
化層の厚み、したがってリセスの深さを調整することが
できる。エッチングの酸化作用は、オーミック電極と半
導体基板との間に形成される電池効果による酸化作用を
利用するので、エッチング液の酸化剤は不要となる。
ド側オーミック電極に電流モニター用のリード線が配線
されたＧａＡｓ半導体基板を、酸化剤が除去された除去
剤のみのエッチング液に浸漬して、このエッチング液を
通して、オーミック電極と半導体基板との間に、イオン
化傾向の違いによる化学反応により生じた電池効果によ
り酸化層を形成し、予め設定された電流値によりこの酸
化層の厚み、したがってリセスの深さを調整することが
できる。エッチングの酸化作用は、オーミック電極と半
導体基板との間に形成される電池効果による酸化作用を
利用するので、エッチング液の酸化剤は不要となる。
【０００７】
【実施例】次に、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図１は本発明の一実施例に係る半導体装置の製造
方法を示すものである。同図Ａにおいて、ＧａＡｓ半導
体基板１の活性層１ａ上に、アノード側オーミック電極
２およびカソード側オーミック電極３を形成し、カソー
ド側オーミック電極３およびその周辺に、フォトリソグ
ラフィ技術により、レジスト４を形成するものである。
する。図１は本発明の一実施例に係る半導体装置の製造
方法を示すものである。同図Ａにおいて、ＧａＡｓ半導
体基板１の活性層１ａ上に、アノード側オーミック電極
２およびカソード側オーミック電極３を形成し、カソー
ド側オーミック電極３およびその周辺に、フォトリソグ
ラフィ技術により、レジスト４を形成するものである。
【０００８】同図Ｂにおいて、前記アノード側オーミッ
ク電極２とカソード側オーミック電極３とに、電流モニ
ター用のリード線５ａ、５ｂがそれぞれ配線された半導
体基板１を、酸化剤が除去された除去剤のみのエッチン
グ液６に浸漬し、このエッチング液６を通して、アノー
ド側オーミック電極２と半導体基板１との間に、イオン
化傾向による化学反応によって生じた電池効果により、
アノード側オーミック電極２近傍の半導体基板１に酸化
層７を形成し、この酸化層７下を経由するアノード側オ
ーミック電極２とカソード側オーミック電極３との間に
流れる電流量をモニタリングして、予め設定されている
電流値になったら酸化を終了して、酸化層７の厚みを制
御するものである。なお、前記電池効果により形成され
る酸化層７の厚みは、電池効果の電圧に比例して厚くな
る。したがって、オーミック電極２と半導体基板１が接
している場所に近いほど酸化層７が厚くなる。また、エ
ッチング液から酸化剤を除去するのは、酸化作用は前記
イオン化傾向により形成される電池効果による酸化作用
を利用するから不要となる。
ク電極２とカソード側オーミック電極３とに、電流モニ
ター用のリード線５ａ、５ｂがそれぞれ配線された半導
体基板１を、酸化剤が除去された除去剤のみのエッチン
グ液６に浸漬し、このエッチング液６を通して、アノー
ド側オーミック電極２と半導体基板１との間に、イオン
化傾向による化学反応によって生じた電池効果により、
アノード側オーミック電極２近傍の半導体基板１に酸化
層７を形成し、この酸化層７下を経由するアノード側オ
ーミック電極２とカソード側オーミック電極３との間に
流れる電流量をモニタリングして、予め設定されている
電流値になったら酸化を終了して、酸化層７の厚みを制
御するものである。なお、前記電池効果により形成され
る酸化層７の厚みは、電池効果の電圧に比例して厚くな
る。したがって、オーミック電極２と半導体基板１が接
している場所に近いほど酸化層７が厚くなる。また、エ
ッチング液から酸化剤を除去するのは、酸化作用は前記
イオン化傾向により形成される電池効果による酸化作用
を利用するから不要となる。
【０００９】同図Ｃにおいては、前工程で形成された酸
化層７を除去してリセス８を形成するものである。
化層７を除去してリセス８を形成するものである。
【００１０】同図Ｄにおいて、電流モニター用のリード
線５ａ、５ｂおよびレジスト４を除去して、前記アノー
ド側オーミック電極２およびリセス８に、アノード側シ
ョットキー電極９を形成するものである。
線５ａ、５ｂおよびレジスト４を除去して、前記アノー
ド側オーミック電極２およびリセス８に、アノード側シ
ョットキー電極９を形成するものである。
【００１１】
【発明の効果】本発明は、ＧａＡｓ半導体基板を、酸化
剤が除去された除去剤のみのエッチング液に浸漬して、
このエッチング液を通してオーミック電極と半導体基板
との間に形成される電池効果によりドレイン側オーミッ
ク電極近傍の半導体基板に酸化層を形成し、この酸化層
の厚みを予め設定された電流値により決定することがで
き、そしてこの酸化層を除去して所望の深さのリセスを
得ることができる。酸化層したがってエッチングリセス
はアノード側オーミック電極近傍の半導体基板に最も深
く形成されるから、リセスの位置ずれが生じることがな
いので、良品率が高くなる。
剤が除去された除去剤のみのエッチング液に浸漬して、
このエッチング液を通してオーミック電極と半導体基板
との間に形成される電池効果によりドレイン側オーミッ
ク電極近傍の半導体基板に酸化層を形成し、この酸化層
の厚みを予め設定された電流値により決定することがで
き、そしてこの酸化層を除去して所望の深さのリセスを
得ることができる。酸化層したがってエッチングリセス
はアノード側オーミック電極近傍の半導体基板に最も深
く形成されるから、リセスの位置ずれが生じることがな
いので、良品率が高くなる。
【図１】 本発明の一実施例に係る半導体装置の製造方
法の工程を示すもので、同図ＡはＧａＡｓ半導体基板上
に、アノード側オーミック電極およびカソード側オーミ
ック電極を形成し、カソード側オーミック電極およびそ
の周辺に、レジストを形成する工程図、同図Ｂは半導体
基板をエッチング液に浸漬し、電池効果により形成され
る酸化層の厚みを電流モニターリングしながら酸化層の
厚みを制御する工程図、同図Ｃは酸化層を除去してその
後にリセスを形成する工程図、同図Ｄはアノード側オー
ミック電極およびリセスにアノード側ショットキー電極
を形成する工程図、
法の工程を示すもので、同図ＡはＧａＡｓ半導体基板上
に、アノード側オーミック電極およびカソード側オーミ
ック電極を形成し、カソード側オーミック電極およびそ
の周辺に、レジストを形成する工程図、同図Ｂは半導体
基板をエッチング液に浸漬し、電池効果により形成され
る酸化層の厚みを電流モニターリングしながら酸化層の
厚みを制御する工程図、同図Ｃは酸化層を除去してその
後にリセスを形成する工程図、同図Ｄはアノード側オー
ミック電極およびリセスにアノード側ショットキー電極
を形成する工程図、
【図２】 従来製造方法の工程を示すもので、同図Ａは
半導体基板上にアノード側オーミック電極およびカソー
ド側オーミック電極を形成し、カソード側オーミック電
極およびその周辺にレジストを形成する工程図、同図Ｂ
は半導体基板をエッチング液に浸漬してリセスを形成す
る工程図、同図Ｃはアノード側オーミック電極およびリ
セスにアノード側ショットキー電極を形成する工程図、
同図Ｄはカソード側オーミック電極のレジストを除去す
る工程図である。
半導体基板上にアノード側オーミック電極およびカソー
ド側オーミック電極を形成し、カソード側オーミック電
極およびその周辺にレジストを形成する工程図、同図Ｂ
は半導体基板をエッチング液に浸漬してリセスを形成す
る工程図、同図Ｃはアノード側オーミック電極およびリ
セスにアノード側ショットキー電極を形成する工程図、
同図Ｄはカソード側オーミック電極のレジストを除去す
る工程図である。
１ 半導体基板 １ａ 活性層 ２ アノード側オーミック電極 ３ カソード側オーミック電極 ４ レジスト ５ａ、５ｂ リード線 ６ エッチング液 ７ 酸化層 ８ リセス ９ アノード側ショットキー電極
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板の活性層上に、アノード側オ
ーミック電極およびカソード側オーミック電極を形成
し、カソード側オーミック電極およびその周辺にレジス
トを形成する工程と、 前記アノード側オーミック電極とカソード側オーミック
電極とに、電流モニター用のリード線が配線された半導
体基板を、酸化剤が除去された除去剤のみのエッチング
液に浸漬して、アノード側オーミック電極近傍の半導体
基板に、エッチング液の電池効果により形成される酸化
層の厚みを、電流モニターの電流値により制御し、かつ
この酸化層を除去して、所望のリセスを形成する工程
と、 前記アノード側オーミック電極およびリセスに、アノー
ド側ショットキー電極を形成し、カソード側オーミック
電極およびその周辺に設けられたレジストを除去する工
程と、よりなる半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25601993A JPH07111337A (ja) | 1993-10-13 | 1993-10-13 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25601993A JPH07111337A (ja) | 1993-10-13 | 1993-10-13 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07111337A true JPH07111337A (ja) | 1995-04-25 |
Family
ID=17286787
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25601993A Pending JPH07111337A (ja) | 1993-10-13 | 1993-10-13 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07111337A (ja) |
-
1993
- 1993-10-13 JP JP25601993A patent/JPH07111337A/ja active Pending
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