JPH07111203A - Manufacture of chip resistor and its structure body - Google Patents

Manufacture of chip resistor and its structure body

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JPH07111203A
JPH07111203A JP5256594A JP25659493A JPH07111203A JP H07111203 A JPH07111203 A JP H07111203A JP 5256594 A JP5256594 A JP 5256594A JP 25659493 A JP25659493 A JP 25659493A JP H07111203 A JPH07111203 A JP H07111203A
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JP
Japan
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insulating substrate
thermal conductivity
resistor
chip resistor
glass
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Application number
JP5256594A
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Japanese (ja)
Inventor
Yoshihiro Bessho
芳宏 別所
Yasuhiko Hakotani
靖彦 箱谷
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPH07111203A publication Critical patent/JPH07111203A/en
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Abstract

PURPOSE:To improve the dimensional accuracy of a chip resistor by forming an insulating substrate by sintering a laminated body of a first and second glass ceramic green sheets and forming electrodes, resistors, and protective films on the surface of the substrate having higher thermal conductivity and dividing grooves on the other surface of the substrate. having lower thermal conductivity. CONSTITUTION:A laminated body 3 of green sheets is formed by piling up a first and second glass ceramic green sheets 1 and 2 upon another and thermocompression bonding the sheets 1 and 2 to each other. Then an insulating substrate 4 having anisotropic heat conductivity is formed by sintering the laminated body 3 in a belt furnace. After forming electrodes 5 and printing and baking resistor patterns and protective film patterns on the surface of the substrate 4 having higher heat conductivity, resistors 6 and protective films 7 are formed. In addition, dividing grooves are formed on the other surface of the substrate 4 with a machining blade so as to divide the substrate 4 into individual chip resistor pieces. Therefore, a chip resistor having a desired size and high dimensional accuracy can be obtained.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、主として高密度実装技
術を要求される電子機器に好適に適用できるチップ抵抗
器の製造方法とその構造体に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a chip resistor and its structure, which can be suitably applied mainly to electronic equipment which requires high-density mounting technology.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、チップ抵抗器を製造する際には、
グリーンシート段階で予め分割用スリットを入れて焼結
した96重量%アルミナ基板を絶縁基板として用い、こ
の絶縁基板上に電極、抵抗体及び保護膜を形成した後、
分割用スリットで分割し、分割したチップの両側面部に
端面電極を形成するという方法が採用されていた。
2. Description of the Related Art Conventionally, when manufacturing a chip resistor,
A 96% by weight alumina substrate, which was previously sintered with a slit for division at the green sheet stage, was used as an insulating substrate, and after forming electrodes, resistors and a protective film on this insulating substrate,
A method of dividing by a dividing slit and forming end face electrodes on both side faces of the divided chip has been adopted.

【0003】また、実開昭64−6006号公報には、
チップ抵抗器の絶縁基板の下面の中央部に良熱伝導膜を
形成したチップ抵抗器の構造が提案されている。
Further, Japanese Utility Model Publication No. 64-6006 discloses that
A structure of a chip resistor in which a good thermal conductive film is formed in the central portion of the lower surface of the insulating substrate of the chip resistor has been proposed.

【0004】以下、図5を参照しながら、この放熱対策
が施されたチップ抵抗器の構造の一例について説明す
る。
An example of the structure of the chip resistor provided with this heat dissipation measure will be described below with reference to FIG.

【0005】図5において、21は絶縁基板、22はそ
の上面に形成された電極、23は抵抗体、24は保護
膜、25は絶縁基板21の下面に形成された良熱伝導
膜、26は両側面部に形成された端面電極である。
In FIG. 5, 21 is an insulating substrate, 22 is an electrode formed on the upper surface thereof, 23 is a resistor, 24 is a protective film, 25 is a good heat conductive film formed on the lower surface of the insulating substrate 21, and 26 is. It is an end surface electrode formed on both side surfaces.

【0006】このようなチップ抵抗器の製造に際して、
その絶縁基板21には予め分割用スリットの入った焼結
済み96重量%アルミナ基板を用い、この絶縁基板21
上に複数個のチップ抵抗器に相当する電極22、抵抗体
23および保護膜24を各々形成し、さらに抵抗体23
を形成した絶縁基板21の裏面に良熱伝導膜25を形成
し、その後個別のチップ抵抗器に分割し、それぞれの両
側面部に端面電極26を形成することにより、図5に示
すようなチップ抵抗器を得ている。
When manufacturing such a chip resistor,
As the insulating substrate 21, a sintered 96 wt% alumina substrate having slits for division is used.
An electrode 22, a resistor 23, and a protective film 24, which correspond to a plurality of chip resistors, are formed on the upper surface of the resistor 22, and the resistor 23 is further formed.
By forming the good thermal conductive film 25 on the back surface of the insulating substrate 21 on which the ridges are formed, then dividing into individual chip resistors, and forming the end face electrodes 26 on both side face portions, the chip resistor as shown in FIG. I have a good vessel.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような96重量%アルミナ基板を絶縁基板として用いた
チップ抵抗器の構造では、絶縁基板の硬度が高く、焼結
後に分割用スリットを形成することができないため、グ
リーンシート段階で分割用スリットを入れて焼結したア
ルミナ基板を絶縁基板として用いており、そのため焼結
により絶縁基板の寸法バラツキが大きくなり、チップ抵
抗器を製造するためにその寸法バラツキを考慮した電極
や抵抗体および保護膜用の印刷マスクを多数用意しなけ
ればならないという問題があった。
However, in the structure of the chip resistor using the 96 wt% alumina substrate as the insulating substrate as described above, the hardness of the insulating substrate is high, and the dividing slit is formed after sintering. Therefore, an alumina substrate sintered with slits for division at the green sheet stage is used as an insulating substrate.Therefore, the dimensional variation of the insulating substrate increases due to the sintering, and the dimensions for manufacturing a chip resistor are increased. There is a problem in that a large number of electrodes, resistors and print masks for protective films must be prepared in consideration of variations.

【0008】このような問題を解消するには、絶縁基板
上に抵抗体や保護膜を形成した後に分割溝を形成して個
別のチップ抵抗器に分割できるように、絶縁基板として
ガラスセラミック基板を用いることが考えられるが、焼
結後に分割溝を形成できる程度にセラミック粉末を配合
したガラスセラミック基板では熱伝導性が悪く、抵抗体
で発生する熱は両側面部の端面電極から回路基板への熱
伝達によって放熱することになり、放熱量が小さいため
に高電力でチップ抵抗器を用いることには限界があり、
これに対処するためにはチップ抵抗器のサイズを大きく
せざるを得ないという問題がある。
In order to solve such a problem, a glass ceramic substrate is used as an insulating substrate so that a resistor or a protective film is formed on the insulating substrate and then a dividing groove is formed so as to be divided into individual chip resistors. Although it can be considered to be used, the glass ceramic substrate mixed with ceramic powder to the extent that the dividing grooves can be formed after sintering has poor thermal conductivity, and the heat generated by the resistor is the heat from the end face electrodes on both sides to the circuit board. There is a limit to using a chip resistor with high power because the heat is dissipated by transmission and the amount of heat dissipation is small,
In order to deal with this, there is a problem that the size of the chip resistor must be increased.

【0009】そこで、チップ抵抗器の放熱性を向上させ
るために、上記公報に開示された技術手段を適用して、
絶縁基板の下面の中央部に良熱伝導膜を形成することが
考えられるが、そのような構造ではチップ抵抗器を回路
基板に実装する際に良熱伝導膜に半田が接触して所望の
抵抗値を得ることができない恐れがあるという問題があ
るとともに、熱伝導性が低い絶縁基板では、その下面の
中央部に良熱伝導膜を形成しただけでは高電力でチップ
抵抗器を用いる場合に絶縁基板の上面の抵抗体で発生す
る熱の放熱性が不十分であるという問題がある。
Therefore, in order to improve the heat dissipation of the chip resistor, the technical means disclosed in the above publication is applied,
It is conceivable to form a good thermal conductive film on the center of the lower surface of the insulating substrate.In such a structure, when the chip resistor is mounted on the circuit board, the solder contacts the good thermal conductive film and the desired resistance There is a problem that it may not be possible to obtain a value, and in the case of an insulating substrate with low thermal conductivity, simply forming a good thermal conductive film in the center of the lower surface of the insulating substrate provides insulation when using chip resistors at high power. There is a problem that the heat dissipation of the heat generated by the resistor on the upper surface of the substrate is insufficient.

【0010】このように従来のチップ抵抗器では、絶縁
基板の寸法バラツキに起因してその製造管理コストが増
大し、あるいは放熱性が不十分なために抵抗体の熱に起
因してチップ抵抗器の性能が劣化する恐れがあるなどの
問題があった。
As described above, in the conventional chip resistor, the manufacturing control cost thereof increases due to the dimensional variation of the insulating substrate, or the chip resistor is caused by the heat of the resistor due to insufficient heat dissipation. There was a problem that the performance of could deteriorate.

【0011】本発明は、上記従来の問題点に鑑み、チッ
プ抵抗器を寸法精度よく製造できるとともに性能の信頼
性の高いチップ抵抗器の製造方法とその構造を提供する
ことを目的とする。
In view of the above-mentioned conventional problems, it is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a chip resistor which can manufacture the chip resistor with high dimensional accuracy and high reliability, and its structure.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】本願の第1発明のチップ
抵抗器の製造方法は、第1の配合量のセラミック粉末を
含む第1のガラスセラミックグリーンシートと、第1の
配合量よりも多い第2の配合量のセラミック粉末を含む
第2のガラスセラミックグリーンシートとを作製する工
程と、第1と第2のガラスセラミックグリーンシートを
積層する工程と、グリーンシート積層体を焼結して厚み
方向に熱伝導性の分布を有する熱伝導異方性の絶縁基板
を得る工程と、絶縁基板の熱伝導性の高い面に電極と抵
抗体及び保護膜を形成する工程と、絶縁基板の熱電導性
の低い面に分割溝を形成して所望のサイズに分割する工
程とを含むことを特徴とする。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a chip resistor, comprising: a first glass ceramic green sheet containing a first powder of ceramic powder; A step of producing a second glass-ceramic green sheet containing a second amount of ceramic powder, a step of laminating the first and second glass-ceramic green sheets, and a step of sintering the green sheet laminate to obtain a thickness. Of obtaining an insulating substrate having anisotropic heat conduction having a distribution of thermal conductivity in the direction, forming an electrode, a resistor and a protective film on the surface of the insulating substrate having high thermal conductivity, and conducting the heat conduction of the insulating substrate. And a step of forming a dividing groove on a surface having low property and dividing into a desired size.

【0013】本願の第2発明のチップ抵抗器の製造方法
は、第1の熱伝導性を有するセラミック粉末を含む第1
のガラスセラミックグリーンシートと、第1の熱伝導性
よりも高い第2の熱伝導性を有するセラミック粉末を含
む第2のガラスセラミックグリーンシートとを作製する
工程と、第1と第2のガラスセラミックグリーンシート
を積層する工程と、グリーンシート積層体を焼結して厚
み方向に熱伝導性の分布を有する熱伝導異方性の絶縁基
板を得る工程と、絶縁基板の熱伝導性の高い面に電極と
抵抗体及び保護膜を形成する工程と、絶縁基板の熱伝導
性の低い面に分割溝を形成して所望のサイズに分割する
工程とを含むことを特徴とする。
A method of manufacturing a chip resistor according to a second aspect of the present invention is the first method including the ceramic powder having the first thermal conductivity.
And a second glass ceramic green sheet containing a ceramic powder having a second thermal conductivity higher than the first thermal conductivity, and a first and a second glass ceramic. The steps of laminating the green sheets, the step of sintering the green sheet laminate to obtain an insulating substrate having thermal conductivity anisotropy having a distribution of thermal conductivity in the thickness direction, and the step of increasing the thermal conductivity of the insulating substrate. The method is characterized by including a step of forming an electrode, a resistor, and a protective film, and a step of forming a dividing groove on a surface of the insulating substrate having low thermal conductivity to divide the insulating substrate into a desired size.

【0014】本願の第3発明のチップ抵抗器の構造体
は、絶縁基板にガラスセラミックを用い、厚み方向に熱
伝導性の分布を有する熱伝導異方性の絶縁基板と、絶縁
基板の熱伝導性の高い面に形成した電極と抵抗体及び保
護膜と、絶縁基板の両側面に形成した端面電極とを備え
たことを特徴とする。
In the structure of the chip resistor of the third invention of the present application, a glass ceramic is used for the insulating substrate, the insulating substrate is anisotropic in heat conduction having a distribution of heat conductivity in the thickness direction, and the heat conduction of the insulating substrate. It is characterized in that it is provided with an electrode, a resistor and a protective film formed on a highly flexible surface, and end face electrodes formed on both side surfaces of the insulating substrate.

【0015】[0015]

【作用】本発明によれば、チップ抵抗器の絶縁基板とし
てガラスセラミック基板を用いており、かつ絶縁基板の
一面に抵抗体や保護膜を形成した後、絶縁基板の他面で
ある熱伝導性の低い比較的硬度を低くすることができる
面に、分割溝を形成するため、所望のサイズに高い寸法
精度で分割することができ、そのためチップ抵抗器の製
造管理コストの低減を図ることができ、しかも厚み方向
に熱伝導性の分布を有する熱伝導異方性の絶縁基板を構
成して用い、絶縁基板の熱伝導性の高い面に抵抗体を形
成しているため、高電力でチップ抵抗器を用いる場合に
おいても熱伝導異方性の絶縁基板の上面の抵抗体で発生
する熱を良好に放熱させることが可能となり、性能の信
頼性の高いチップ抵抗器を実現できる。
According to the present invention, the glass ceramic substrate is used as the insulating substrate of the chip resistor, and after the resistor or the protective film is formed on one surface of the insulating substrate, the thermal conductivity of the other surface of the insulating substrate is reduced. Since the dividing groove is formed on the surface of which relatively low hardness can be achieved, it is possible to divide into a desired size with high dimensional accuracy, so that the manufacturing management cost of the chip resistor can be reduced. Moreover, since the insulating substrate having the thermal conductivity anisotropy having the distribution of the thermal conductivity in the thickness direction is configured and used, and the resistor is formed on the surface of the insulating substrate having the high thermal conductivity, the chip resistance is high. Even when using a resistor, it is possible to satisfactorily dissipate the heat generated by the resistor on the upper surface of the insulating substrate having anisotropy of heat conduction, and it is possible to realize a chip resistor with high reliability.

【0016】[0016]

【実施例】以下、本発明の第1の実施例のチップ抵抗器
の製造方法とその構造について、図1、図2を参照しな
がら説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A method of manufacturing a chip resistor according to a first embodiment of the present invention and its structure will be described below with reference to FIGS.

【0017】図1、図2において、1はアルミナ粉末を
50重量%含む第1のガラスセラミックグリーンシー
ト、2はアルミナ粉末を90重量%含む第2のガラスセ
ラミックグリーンシート、3はグリーンシートの積層
体、4は熱伝導異方性の絶縁基板、5は電極、6は抵抗
体、7は保護膜、8は端面電極である。
1 and 2, 1 is a first glass ceramic green sheet containing 50% by weight of alumina powder, 2 is a second glass ceramic green sheet containing 90% by weight of alumina powder, and 3 is a stack of green sheets. A body, 4 is an insulating substrate having anisotropic heat conduction, 5 is an electrode, 6 is a resistor, 7 is a protective film, and 8 is an end face electrode.

【0018】次に、図2に示す構造のチップ抵抗器の製
造工程を図1に基づいて説明する。
Next, the manufacturing process of the chip resistor having the structure shown in FIG. 2 will be described with reference to FIG.

【0019】まず(a)に示すように、アルミナ粉末を
50重量%含む第1のガラスセラミックグリーンシート
1と、アルミナ粉末を90重量%含む第2のガラスセラ
ミックグリーンシート2を予め準備する。
First, as shown in (a), a first glass ceramic green sheet 1 containing 50% by weight of alumina powder and a second glass ceramic green sheet 2 containing 90% by weight of alumina powder are prepared in advance.

【0020】このとき、ホウ珪酸鉛ガラス粉末とアルミ
ナ粉末を重量比で10対90とした無機成分と、有機バ
インダとしてポリビニルブチラール、可塑剤としてジ−
n−ブチルフタレート、溶剤としてトルエンとイソプロ
ピルアルコールの混合液(重量比30対70)とを混合
してスラリーとして、このスラリーをドクターブレード
法で有機フィルム上にシート成形して乾燥したものを、
アルミナ粉末を90重量%を含む第2のガラスセラミッ
クグリーンシート2として用いた。
At this time, a lead borosilicate glass powder and an alumina powder were mixed in a weight ratio of 10:90, an inorganic component was polyvinyl butyral, and a plasticizer was di-
n-butyl phthalate, a mixed solution of toluene and isopropyl alcohol (weight ratio 30:70) as a solvent were mixed to form a slurry, and the slurry was formed into a sheet on an organic film by a doctor blade method and dried,
A second glass ceramic green sheet 2 containing 90% by weight of alumina powder was used.

【0021】同様に、ホウ珪酸鉛ガラス粉末とアルミナ
粉末を重量比で50対50とした無機成分を用いて上記
の方法で作製したものを、アルミナ粉末を50重量%を
含む第1のガラスセラミックグリーンシート1として用
いた。
Similarly, the first glass ceramic containing 50% by weight of alumina powder was produced by the above method using the inorganic component in which the weight ratio of lead borosilicate glass powder and alumina powder was 50:50. It was used as green sheet 1.

【0022】次に、(b)に示すように、アルミナ粉末
を90重量%含む第2のガラスセラミックグリーンシー
ト2とアルミナ粉末を50重量%含む第1のガラスセラ
ミックグリーンシート1を積み重ねて熱圧着してグリー
ンシートの積層体3を得た。
Next, as shown in (b), a second glass ceramic green sheet 2 containing 90% by weight of alumina powder and a first glass ceramic green sheet 1 containing 50% by weight of alumina powder are stacked and thermocompression bonded. Then, a green sheet laminate 3 was obtained.

【0023】熱圧着条件は、温度が80°C、圧力が2
00kg/cm2 であった。
The thermocompression bonding conditions are a temperature of 80 ° C. and a pressure of 2
It was 00 kg / cm 2 .

【0024】その後、(c)に示すように、グリーンシ
ートの積層体3をベルト炉によって焼結して、熱伝導異
方性の絶縁基板4を得た。焼結条件は1300°Cで1
時間であった(1300°Cの保持時間は約10分であ
る。)。
Thereafter, as shown in (c), the green sheet laminate 3 was sintered in a belt furnace to obtain an insulating substrate 4 having anisotropic heat conduction. Sintering conditions are 1300 ° C and 1
(1300 ° C. hold time is about 10 minutes).

【0025】こうして得た熱伝導異方性の絶縁基板4に
おいては、アルミナを多く含むために熱伝導性の高い面
(アルミナを90重量%含んだ場合の熱伝導率は0.0
4cal/cm・sec・°C)と、その面よりもアル
ミナが少ないために熱伝導性の低い面(アルミナを50
重量%含んだ場合の熱伝導率は0.007cal/cm
・sec・°C)とを含み、その厚み方向に熱伝導性の
分布を有する。この熱伝導性の低い面は、ガラスを多く
含むために硬度が低く、その硬度よりも硬度が高く、か
つ鋭利な角度形状を有する加工刃により容易に研削が可
能となる。
The thus obtained insulating substrate 4 having anisotropic heat conduction has a high heat conductivity because it contains a large amount of alumina (the heat conductivity when containing 90% by weight of alumina is 0.0).
4cal / cm · sec · ° C), which has a lower thermal conductivity because the amount of alumina is less than that of the surface (50% for alumina).
Thermal conductivity is 0.007 cal / cm when it contains wt%
.Sec..degree. C.) and has a distribution of thermal conductivity in the thickness direction. The surface having a low thermal conductivity has a low hardness because it contains a large amount of glass, and the surface has a higher hardness than that and can be easily ground by a processing blade having a sharp angle shape.

【0026】そして、(d)に示すように、この熱伝導
異方性を有する絶縁基板4の熱伝導性の高い面に銀−パ
ラジウムを主成分とする導体ペーストを用いて所定の電
極パターンを印刷した後、850°Cの焼成温度にて焼
成して電極5を形成する。さらに、酸化ルテニウムを主
成分とする抵抗ペーストを用いて電極5に対応した抵抗
体パターンを印刷した後、850°Cの焼成温度にて焼
成して抵抗体6を形成する。また、ガラスを主成分とす
るガラスペーストを用いて抵抗体6に対応した保護膜パ
ターンを形成した後、650°Cの焼成温度にて焼成し
て保護膜7を形成する。こうして、複数個のチップ抵抗
器に相当する電極5、抵抗体6および保護膜7を形成し
た熱伝導異方性を有する絶縁基板4が得られる。
Then, as shown in (d), a predetermined electrode pattern is formed on the surface of the insulating substrate 4 having the thermal conduction anisotropy having a high thermal conductivity by using a conductive paste containing silver-palladium as a main component. After printing, the electrode 5 is formed by firing at a firing temperature of 850 ° C. Furthermore, after a resistor pattern corresponding to the electrode 5 is printed using a resistance paste containing ruthenium oxide as a main component, the resistor 6 is fired at a firing temperature of 850 ° C. Further, after forming a protective film pattern corresponding to the resistor 6 using a glass paste containing glass as a main component, the protective film 7 is formed by baking at a baking temperature of 650 ° C. Thus, the insulating substrate 4 having the heat conduction anisotropy, in which the electrodes 5, the resistors 6 and the protective film 7 corresponding to the plurality of chip resistors are formed, is obtained.

【0027】次いで、個別のチップ抵抗器に分割するた
めの分割溝を熱伝導異方性を有する絶縁基板4の熱伝導
性の低い面に、その硬度よりも硬度が高く、かつ鋭利な
角度形状を有する加工刃により形成した後、弾性を有す
るゴム板などの上にて均等に機械的応力を加えることに
より、(e)に示すように、所望の寸法でかつ寸法精度
の良い個別のチップ抵抗器が得られる。
Next, a dividing groove for dividing into individual chip resistors is formed on the surface of the insulating substrate 4 having the thermal conduction anisotropy having a low thermal conductivity, which has a hardness higher than the hardness and a sharp angle shape. After being formed by a machining blade having a groove, by applying mechanical stress evenly on a rubber plate having elasticity, as shown in (e), individual chip resistors with desired dimensions and good dimensional accuracy can be obtained. You get a bowl.

【0028】この分割溝を形成する際に、算盤玉の形状
を有するダイアモンド製の回転加工刃を用いて0.5〜
1.0kg/cm2 の圧力を加えながら熱伝導異方性を
有する絶縁基板4の表面を回転させながら研削加工し
た。このとき、回転加工刃により熱伝導異方性を有する
絶縁基板4の表面には数ミクロンの深さの分割溝を形成
できた。回転加工刃の先端角度は130°に加工したも
のを用いた。
At the time of forming the dividing groove, a rotating blade made of diamond having an abacus ball shape is used to form 0.5 to
Grinding was performed while rotating the surface of the insulating substrate 4 having thermal conductivity anisotropy while applying a pressure of 1.0 kg / cm 2 . At this time, a division groove having a depth of several microns could be formed on the surface of the insulating substrate 4 having the thermal conductivity anisotropy by the rotary working blade. The tip of the rotary processing blade was processed to 130 °.

【0029】最後に、(f)に示すように、個別に分割
したチップ抵抗器の両側面に端面電極8を形成すること
により、図2に示す厚み方向に熱伝導性の分布を有する
熱伝導異方性を有する絶縁基板4と、その上面に電極
5、抵抗体6及び保護膜7と、両側面に端面電極8が形
成されたチップ抵抗器が得られる。
Finally, as shown in (f), by forming the end face electrodes 8 on both side faces of the individually divided chip resistors, heat conduction having a distribution of heat conductivity in the thickness direction shown in FIG. A chip resistor in which an insulating substrate 4 having anisotropy, an electrode 5, a resistor 6 and a protective film 7 on its upper surface and end surface electrodes 8 on both side surfaces are formed is obtained.

【0030】こうして得たチップ抵抗器においては、抵
抗体6が形成された面はアルミナを多く含むために熱伝
導性が高く、高電力でチップ抵抗器を用いた場合におい
ても抵抗体で発生する熱の放散性が良好となり、性能の
信頼性の高いチップ抵抗器を実現できる。
In the thus obtained chip resistor, the surface on which the resistor 6 is formed has a high thermal conductivity because it contains a large amount of alumina, and even when the chip resistor is used at high power, it is generated by the resistor. The heat dissipation is good, and a chip resistor with high performance reliability can be realized.

【0031】なお、本実施例ではガラスセラミックのセ
ラミック粉末にアルミナを用いた例を示したが、窒化ア
ルミや炭化珪素などの良熱伝導性を有するものであれば
いかなるものでもよい。
In this embodiment, alumina is used as the ceramic powder of glass ceramic, but any material having good thermal conductivity such as aluminum nitride or silicon carbide may be used.

【0032】次に、本発明の第2の実施例のチップ抵抗
器の製造方法について、図3、図4を参照しながら説明
する。
Next, a method of manufacturing the chip resistor according to the second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

【0033】図3において、まず(a)に示すように、
アルミナ粉末を50重量%含む第1のガラスセラミック
グリーンシート11と、炭化珪素粉末を50重量%含む
第2のガラスセラミックグリーンシート12を予め準備
する。
In FIG. 3, first, as shown in (a),
First glass ceramic green sheet 11 containing 50% by weight of alumina powder and second glass ceramic green sheet 12 containing 50% by weight of silicon carbide powder are prepared in advance.

【0034】このとき、ホウ珪酸鉛ガラス粉末と炭化珪
素粉末を重量比で50対50とした無機成分と、有機バ
インダとしてポリビニルブチラール、可塑剤としてジ−
n−ブチルフタレート、溶剤としてトルエンとイソプロ
ピルアルコールの混合液(重量比30対70)とを混合
してスラリーとして、このスラリーをドクターブレード
法で有機フィルム上にシート成形して乾燥したものを、
炭化珪素粉末を50重量%含む第2のガラスセラミック
グリーンシート12として用いた。
At this time, an inorganic component having a weight ratio of lead borosilicate glass powder and silicon carbide powder of 50:50, polyvinyl butyral as an organic binder, and di-
n-butyl phthalate, a mixed solution of toluene and isopropyl alcohol (weight ratio 30:70) as a solvent were mixed to form a slurry, and the slurry was formed into a sheet on an organic film by a doctor blade method and dried,
It was used as the second glass ceramic green sheet 12 containing 50% by weight of silicon carbide powder.

【0035】同様に、ホウ珪酸鉛ガラス粉末とアルミナ
粉末を重量比で50対50とした無機成分を用いて上記
の方法で作製したものを、アルミナ粉末を50重量%含
む第1のガラスセラミックグリーンシート11として用
いた。
Similarly, the first glass ceramic green containing 50% by weight of alumina powder was produced by the above method using an inorganic component in which the weight ratio of lead borosilicate glass powder and alumina powder was 50:50. It was used as sheet 11.

【0036】次に、(b)に示すように、炭化珪素粉末
を50重量%含む第2のガラスセラミックグリーンシー
ト12とアルミナ粉末を50重量%含む第1のガラスセ
ラミックグリーンシート11を積み重ねて熱圧着してグ
リーンシートの積層体13を得た。熱圧着条件は、温度
が80°C、圧力が200kg/cm2 であった。
Next, as shown in (b), the second glass ceramic green sheet 12 containing 50% by weight of silicon carbide powder and the first glass ceramic green sheet 11 containing 50% by weight of alumina powder are stacked and heated. A green sheet laminate 13 was obtained by pressure bonding. The thermocompression bonding conditions were a temperature of 80 ° C. and a pressure of 200 kg / cm 2 .

【0037】その後、(c)に示すように、グリーンシ
ートの積層体13をベルト炉によって焼結して、熱伝導
異方性の絶縁基板14を得た。焼結条件は900°Cで
1時間であった(900°Cの保持時間は約10分であ
る。)。
Thereafter, as shown in (c), the green sheet laminate 13 was sintered in a belt furnace to obtain an insulating substrate 14 having anisotropic heat conduction. The sintering condition was 900 ° C. for 1 hour (holding time at 900 ° C. was about 10 minutes).

【0038】こうして得た熱伝導異方性の絶縁基板14
においては、熱伝導性の高い炭化珪素を含むために熱伝
導性の高い面(炭化珪素を50重量%含んだ場合の熱伝
導率は0.1cal/cm・sec・°C)と、炭化珪
素よりも熱伝導性の低いアルミナを含むために熱伝導性
の低い面(アルミナを50重量%含んだ場合の熱伝導率
は0.007cal/cm・sec・°C)とを含み、
その厚み方向に熱伝導性の分布を有する。この熱伝導性
を有する絶縁基板14は、ガラスを多く含むために硬度
が低く、その硬度よりも硬度が高く、かつ鋭利な角度形
状を有する加工刃により容易に研削が可能となる。
Insulating substrate 14 having anisotropic heat conduction thus obtained
In order to contain silicon carbide having high thermal conductivity, the surface having high thermal conductivity (the thermal conductivity when silicon carbide is contained at 50% by weight is 0.1 cal / cm · sec · ° C), Since it contains alumina having a lower thermal conductivity than the above, the surface having a low thermal conductivity (the thermal conductivity in the case of including 50% by weight of alumina is 0.007 cal / cm · sec · ° C) is included.
It has a distribution of thermal conductivity in its thickness direction. The insulating substrate 14 having thermal conductivity has a low hardness because it contains a large amount of glass, and has a hardness higher than the hardness and can be easily ground by a processing blade having a sharp angled shape.

【0039】そして、(d)に示すように、この熱伝導
異方性を有する絶縁基板14の熱伝導性の高い面に銀−
パラジウムを主成分とする導体ペーストを用いて所定の
電極パターンを印刷した後、850°Cの焼成温度にて
焼成して電極15を形成する。さらに、酸化ルテニウム
を主成分とする抵抗ペーストを用いて電極15に対応し
た抵抗体パターンを印刷した後、850°Cの焼成温度
にて焼成して抵抗体16を形成する。また、ガラスを主
成分とするガラスペーストを用いて抵抗体16に対応し
た保護膜パターンを形成した後、650°Cの焼成温度
にて焼成して保護膜17を形成する。こうして、複数個
のチップ抵抗器に相当する電極15、抵抗体16および
保護膜17を形成した熱伝導異方性を有する絶縁基板1
4が得られる。
Then, as shown in (d), the surface of the insulating substrate 14 having the thermal conduction anisotropy having high thermal conductivity has silver-
A predetermined electrode pattern is printed using a conductive paste containing palladium as a main component, and then baked at a baking temperature of 850 ° C. to form the electrode 15. Furthermore, after a resistor pattern corresponding to the electrode 15 is printed using a resistance paste containing ruthenium oxide as a main component, the resistor 16 is formed by firing at a firing temperature of 850 ° C. In addition, after forming a protective film pattern corresponding to the resistor 16 using a glass paste containing glass as a main component, the protective film 17 is formed by firing at a firing temperature of 650 ° C. Thus, the insulating substrate 1 having the heat conduction anisotropy, in which the electrodes 15, the resistors 16 and the protective film 17 corresponding to the plurality of chip resistors are formed.
4 is obtained.

【0040】次いで、個別のチップ抵抗器に分割するた
めの分割溝を熱伝導異方性を有する絶縁基板14に、そ
の硬度よりも硬度が高く、かつ鋭利な角度形状を有する
加工刃により形成した後、弾性を有するゴム板などの上
にて均等に機械的応力を加えることにより、(e)に示
すように、所望の寸法でかつ寸法精度の良い個別のチッ
プ抵抗器が得られる。
Next, a dividing groove for dividing into individual chip resistors is formed on the insulating substrate 14 having the heat conduction anisotropy by a processing blade having a hardness higher than that and having a sharp angle shape. After that, by uniformly applying mechanical stress on an elastic rubber plate or the like, as shown in (e), individual chip resistors having desired dimensions and good dimensional accuracy can be obtained.

【0041】この分割溝を形成する際に、算盤玉の形状
を有するダイアモンド製の回転加工刃を用いて0.5〜
1.0kg/cm2 の圧力を加えながら熱伝導異方性を
有する絶縁基板14の表面を回転させながら研削加工し
た。こうして、回転加工刃により熱伝導異方性を有する
絶縁基板4の表面に数ミクロンの深さの分割溝を形成で
きた。回転加工刃の先端角度は130°に加工したもの
を用いた。
At the time of forming the dividing grooves, a diamond rotary machining blade having the shape of an abacus ball is used to form 0.5 to 0.5
The surface of the insulating substrate 14 having the thermal conductivity anisotropy was ground while rotating while applying a pressure of 1.0 kg / cm 2 . In this way, the dividing groove having a depth of several microns could be formed on the surface of the insulating substrate 4 having the thermal conductivity anisotropy by the rotary working blade. The tip of the rotary processing blade was processed to 130 °.

【0042】最後に、(f)に示すように、個別に分割
したチップ抵抗器の両側面に端面電極18を形成するこ
とにより、図4に示す厚み方向に熱伝導性の分布を有す
る熱伝導異方性を有する絶縁基板14と、その上面に電
極15、抵抗体16及び保護膜17と、両側面に端面電
極18が形成されたチップ抵抗器が得られる。
Finally, as shown in (f), the end face electrodes 18 are formed on both side faces of the individually divided chip resistors, so that the heat conduction having the distribution of heat conductance in the thickness direction shown in FIG. 4 is obtained. It is possible to obtain a chip resistor in which the insulating substrate 14 having anisotropy, the electrode 15, the resistor 16 and the protective film 17 on the upper surface thereof and the end surface electrodes 18 on both side surfaces are formed.

【0043】こうして得たチップ抵抗器においては、抵
抗体16が形成された面は熱伝導性の高い炭化珪素を含
むために熱伝導性が高く、高電力でチップ抵抗器を用い
た場合においても抵抗体で発生する熱の放散性が良好と
なり、性能の信頼性の高いチップ抵抗器を実現できる。
In the thus obtained chip resistor, the surface on which the resistor 16 is formed has high thermal conductivity because it contains silicon carbide having high thermal conductivity, and even when the chip resistor is used at high power. The heat dissipation of the heat generated by the resistor is improved, and a chip resistor having high performance reliability can be realized.

【0044】なお、本実施例ではガラスセラミックのセ
ラミック粉末にアルミナおよび炭化珪素を用いた例を示
したが、窒化アルミなどの良熱伝導性を有するものであ
ればいかなるものでもよい。
In this embodiment, alumina and silicon carbide are used as the ceramic powder of the glass ceramic, but any material having good thermal conductivity such as aluminum nitride may be used.

【0045】[0045]

【発明の効果】本発明のチップ抵抗器の製造方法によれ
ば、高い寸法構成を有し、高電力でチップ抵抗器を用い
る場合においても抵抗体で発生する熱を良好に放熱させ
ることが可能となる、性能の信頼性の高いチップ抵抗器
を得ることができる。
According to the method of manufacturing a chip resistor of the present invention, the chip resistor has a high dimensional configuration and can satisfactorily dissipate the heat generated by the resistor even when the chip resistor is used with high power. It is possible to obtain a chip resistor having high reliability.

【0046】また、本発明のチップ抵抗器の構造体は、
高電力でチップ抵抗器を用いる場合においてもその抵抗
体で発生する熱の放散性が良好であり、性能の信頼性の
高いチップ抵抗器を実現することができる。
The structure of the chip resistor of the present invention is
Even when the chip resistor is used at high power, the heat dissipation of the heat generated by the resistor is good, and the chip resistor with high performance reliability can be realized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1の実施例のチップ抵抗器の製造方
法の工程図である。
FIG. 1 is a process drawing of a method of manufacturing a chip resistor according to a first embodiment of the present invention.

【図2】同実施例のチップ抵抗器の縦断面図である。FIG. 2 is a vertical cross-sectional view of the chip resistor of the same example.

【図3】本発明の第2の実施例のチップ抵抗器の製造方
法の工程図である。
FIG. 3 is a process drawing of the method of manufacturing the chip resistor according to the second embodiment of the present invention.

【図4】同実施例のチップ抵抗器の縦断面図である。FIG. 4 is a vertical cross-sectional view of the chip resistor of the same example.

【図5】従来例のチップ抵抗器の縦断面図である。FIG. 5 is a vertical cross-sectional view of a conventional chip resistor.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 第1のガラスセラミックグリーンシート 2 第2のガラスセラミックグリーンシート 3 グリーンシートの積層体 4 熱伝導異方性の絶縁基板 5 電極 6 抵抗体 7 保護膜 8 端面電極 11 第1のガラスセラミックグリーンシート 12 第2のガラスセラミックグリーンシート 13 グリーンシートの積層体 14 熱伝導異方性の絶縁基板 15 電極 16 抵抗体 17 保護膜 18 端面電極 1 First Glass-Ceramic Green Sheet 2 Second Glass-Ceramic Green Sheet 3 Laminate of Green Sheets 4 Insulating Substrate with Thermal Conduction Anisotropy 5 Electrode 6 Resistor 7 Protective Film 8 End Surface Electrode 11 First Glass-Ceramic Green Sheet 12 Second glass-ceramic green sheet 13 Green sheet laminate 14 Thermally conductive anisotropic insulating substrate 15 Electrode 16 Resistor 17 Protective film 18 Edge electrode

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 第1の配合量のセラミック粉末を含む第
1のガラスセラミックグリーンシートと、第1の配合量
よりも多い第2の配合量のセラミック粉末を含む第2の
ガラスセラミックグリーンシートとを作製する工程と、
第1と第2のガラスセラミックグリーンシートを積層す
る工程と、グリーンシート積層体を焼結して厚み方向に
熱伝導性の分布を有する熱伝導異方性の絶縁基板を得る
工程と、絶縁基板の熱伝導性の高い面に電極と抵抗体及
び保護膜を形成する工程と、絶縁基板の熱伝導性の低い
面に分割溝を形成して所望のサイズに分割する工程とを
含むことを特徴とするチップ抵抗器の製造方法。
1. A first glass-ceramic green sheet containing a first blending amount of ceramic powder, and a second glass-ceramic green sheet containing a second blending amount of ceramic powder that is larger than the first blending amount. And a step of producing
A step of laminating the first and second glass ceramic green sheets, a step of sintering the green sheet laminated body to obtain a thermally conductive anisotropic insulating substrate having a thermal conductivity distribution in the thickness direction, and an insulating substrate And a step of forming an electrode, a resistor and a protective film on the surface of high thermal conductivity of the insulating substrate, and a step of forming a dividing groove on the surface of the insulating substrate having low thermal conductivity and dividing into a desired size. A method of manufacturing a chip resistor.
【請求項2】 第1の熱伝導性を有するセラミック粉末
を含む第1のガラスセラミックグリーンシートと、第1
の熱伝導性よりも高い第2の熱伝導性を有するセラミッ
ク粉末を含む第2のガラスセラミックグリーンシートと
を作製する工程と、第1と第2のガラスセラミックグリ
ーンシートを積層する工程と、グリーンシート積層体を
焼結して厚み方向に熱伝導性の分布を有する熱伝導異方
性の絶縁基板を得る工程と、絶縁基板の熱伝導性の高い
面に電極と抵抗体及び保護膜を形成する工程と、絶縁基
板の熱伝導性の低い面に分割溝を形成して所望のサイズ
に分割する工程とを含むことを特徴とするチップ抵抗器
の製造方法。
2. A first glass-ceramic green sheet containing a ceramic powder having a first thermal conductivity;
A second glass-ceramic green sheet containing a ceramic powder having a second thermal conductivity higher than that of, a step of laminating the first and second glass-ceramic green sheets, and a green Sintering the sheet laminated body to obtain an insulating substrate having thermal conductivity anisotropy having a thermal conductivity distribution in the thickness direction, and forming an electrode, a resistor and a protective film on the surface of the insulating substrate having high thermal conductivity. And a step of forming a dividing groove on a surface of the insulating substrate having a low thermal conductivity to divide the insulating substrate into a desired size.
【請求項3】 セラミック粉末に、アルミナ、窒化アル
ミまたは炭化珪素の粉末を含むことを特徴とする請求項
1または2記載のチップ抵抗器の製造方法。
3. The method of manufacturing a chip resistor according to claim 1, wherein the ceramic powder contains powder of alumina, aluminum nitride or silicon carbide.
【請求項4】 絶縁基板より硬度が高く、かつ鋭利な角
度形状を有する加工刃により分割溝を形成することを特
徴とする請求項1または2記載のチップ抵抗器の製造方
法。
4. The method of manufacturing a chip resistor according to claim 1, wherein the dividing groove is formed by a processing blade having a hardness higher than that of the insulating substrate and having a sharp angled shape.
【請求項5】 絶縁基板にガラスセラミックを用い、厚
み方向に熱伝導性の分布を有する熱伝導異方性の絶縁基
板と、絶縁基板の熱伝導性の高い面に形成した電極と抵
抗体及び保護膜と、絶縁基板の両側面に形成した端面電
極とを備えたことを特徴とするチップ抵抗器の構造体。
5. An insulating substrate having a heat conduction anisotropy having a distribution of thermal conductivity in the thickness direction, using a glass ceramic as the insulating substrate, an electrode and a resistor formed on a surface of the insulating substrate having high thermal conductivity, and 1. A chip resistor structure comprising a protective film and end face electrodes formed on both sides of an insulating substrate.
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