JPH07108458A - ポリッシング装置における排気及び排液処理装置 - Google Patents
ポリッシング装置における排気及び排液処理装置Info
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- JPH07108458A JPH07108458A JP21199794A JP21199794A JPH07108458A JP H07108458 A JPH07108458 A JP H07108458A JP 21199794 A JP21199794 A JP 21199794A JP 21199794 A JP21199794 A JP 21199794A JP H07108458 A JPH07108458 A JP H07108458A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ポリッシング装置をクリーンルーム内に設置
することができ、ポリッシング装置から排出された排気
ガス及び研磨排液を処理することができるポリッシング
装置における排気及び排液処理装置を提供する。 【構成】 半導体ウエハ４と研磨布６とを接触させて相
対運動させ、これらの接触面に供給した研磨砥液によっ
て、半導体ウエハ４の接触面を研磨するポリッシング装
置１から排出される排気ガス及び研磨排液を処理するポ
リッシング装置における排気及び排液処理装置であっ
て、ポリッシング装置１を覆う隔壁２内に排気ダクト２
５を設け、排気ダクト２５を排風装置１１を介してガス
除害塔１２に連通し、ポリッシング装置１の研磨布６の
下方に排液受け２６を設け、排液受け２６を排液処理装
置１０に連通させた。
することができ、ポリッシング装置から排出された排気
ガス及び研磨排液を処理することができるポリッシング
装置における排気及び排液処理装置を提供する。 【構成】 半導体ウエハ４と研磨布６とを接触させて相
対運動させ、これらの接触面に供給した研磨砥液によっ
て、半導体ウエハ４の接触面を研磨するポリッシング装
置１から排出される排気ガス及び研磨排液を処理するポ
リッシング装置における排気及び排液処理装置であっ
て、ポリッシング装置１を覆う隔壁２内に排気ダクト２
５を設け、排気ダクト２５を排風装置１１を介してガス
除害塔１２に連通し、ポリッシング装置１の研磨布６の
下方に排液受け２６を設け、排液受け２６を排液処理装
置１０に連通させた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はポリッシング装置におけ
る排気及び排液処理装置に係り、特にポリッシング装置
から排出された排気ガス及び研磨排液を処理することが
できる排気及び排液処理装置に関する。
る排気及び排液処理装置に係り、特にポリッシング装置
から排出された排気ガス及び研磨排液を処理することが
できる排気及び排液処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体デバイスの高集積化が進む
につれて回路の配線が微細化し、配線間距離もより狭く
なりつつある。特に０．５μｍ以下の光リソグラフィの
場合、焦点深度が浅くなるためステッパの結像面の平坦
度を必要とする。そこで、半導体ウエハの表面を平坦化
することが必要となるが、この平坦化法の１手段として
ポリッシング装置により研磨することが行われている。
につれて回路の配線が微細化し、配線間距離もより狭く
なりつつある。特に０．５μｍ以下の光リソグラフィの
場合、焦点深度が浅くなるためステッパの結像面の平坦
度を必要とする。そこで、半導体ウエハの表面を平坦化
することが必要となるが、この平坦化法の１手段として
ポリッシング装置により研磨することが行われている。
【０００３】従来のポリッシング装置は、装置本体から
の発塵が多いためにクリーンルームに設置することがで
きなかった。そのため、クリーンルーム外にあるポリッ
シング装置で半導体ウエハを研磨した後にウエハキャリ
アでクリーンルーム内に持ち込み、半導体プロセス装置
により半導体ウエハにデバイス層を形成することが行わ
れていた。
の発塵が多いためにクリーンルームに設置することがで
きなかった。そのため、クリーンルーム外にあるポリッ
シング装置で半導体ウエハを研磨した後にウエハキャリ
アでクリーンルーム内に持ち込み、半導体プロセス装置
により半導体ウエハにデバイス層を形成することが行わ
れていた。
【０００４】ところが、上述したように半導体デバイス
の高集積化に伴い、半導体ウエハに幾層にもデバイス層
を形成する場合が多くなり、幾層ものデバイス層を精密
形成するためには、デバイス層上に形成される層の表面
も平坦且つ鏡面化する必要がある。そのため、半導体デ
バイス製造工場のクリーンルーム内にポリッシング装置
を配置することが要望されている。
の高集積化に伴い、半導体ウエハに幾層にもデバイス層
を形成する場合が多くなり、幾層ものデバイス層を精密
形成するためには、デバイス層上に形成される層の表面
も平坦且つ鏡面化する必要がある。そのため、半導体デ
バイス製造工場のクリーンルーム内にポリッシング装置
を配置することが要望されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ポリッシング装置にお
いては、半導体ウエハの研磨をより良く行うために、通
常ターンテーブル上の研磨布の上に研磨砥液が供給され
る。研磨砥液は、例えば１μｍ以下の粒径の酸化シリコ
ン、酸化セリウム等の研磨材を含む液を用いる。また、
研磨砥液には水・研磨材の他に化学的な研磨作用を得る
ために酸、アルカリ等を入れることもある。この場合、
ポリッシング装置から酸性又はアルカリ性ガスが排気さ
れる恐れがある。
いては、半導体ウエハの研磨をより良く行うために、通
常ターンテーブル上の研磨布の上に研磨砥液が供給され
る。研磨砥液は、例えば１μｍ以下の粒径の酸化シリコ
ン、酸化セリウム等の研磨材を含む液を用いる。また、
研磨砥液には水・研磨材の他に化学的な研磨作用を得る
ために酸、アルカリ等を入れることもある。この場合、
ポリッシング装置から酸性又はアルカリ性ガスが排気さ
れる恐れがある。
【０００６】しかしながら、従来のポリッシング装置は
排気処理装置を具備していないため、クリーンルーム内
に排気を放出した場合、クリーンルーム内を汚染させる
とともに排気に含まれる酸性又はアルカリ性の有害ガス
により製品の歩どまりを低下させるという問題がある。
排気処理装置を具備していないため、クリーンルーム内
に排気を放出した場合、クリーンルーム内を汚染させる
とともに排気に含まれる酸性又はアルカリ性の有害ガス
により製品の歩どまりを低下させるという問題がある。
【０００７】また、ポリッシングした後の研磨排液の中
には砥粒やポリッシング対象物の研磨屑等の粒状物が多
く含まれている。このような多くの粒状物を含む研磨排
液を排水することは環境汚染等の要因となるので、該研
磨排液を清浄な水として排出する必要がある。
には砥粒やポリッシング対象物の研磨屑等の粒状物が多
く含まれている。このような多くの粒状物を含む研磨排
液を排水することは環境汚染等の要因となるので、該研
磨排液を清浄な水として排出する必要がある。
【０００８】本発明は上述の事情に鑑みなされたもの
で、ポリッシング装置をクリーンルーム内に設置するこ
とができ、ポリッシング装置から排出された排気ガス及
び研磨排液を処理することができるポリッシング装置に
おける排気及び排液処理装置を提供することを目的とす
る。
で、ポリッシング装置をクリーンルーム内に設置するこ
とができ、ポリッシング装置から排出された排気ガス及
び研磨排液を処理することができるポリッシング装置に
おける排気及び排液処理装置を提供することを目的とす
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上述した目的を達成する
ため、本発明のポリッシング装置における排気及び排液
処理装置は、半導体ウエハと研磨布とを接触させて相対
運動させ、これらの接触面に研磨砥液を供給しつつ、該
半導体ウエハの接触面を研磨するポリッシング装置から
排出される排気ガス及び研磨排液を処理するポリッシン
グ装置における排気及び排液処理装置であって、前記ポ
リッシング装置を覆う隔壁内に排気ダクトを設け、該排
気ダクトを排風装置を介してガス除害塔に連通し、前記
ポリッシング装置の研磨布の下方に排液受けを設け、該
排液受けを排液処理装置に連通させたことを特徴とする
ものである。
ため、本発明のポリッシング装置における排気及び排液
処理装置は、半導体ウエハと研磨布とを接触させて相対
運動させ、これらの接触面に研磨砥液を供給しつつ、該
半導体ウエハの接触面を研磨するポリッシング装置から
排出される排気ガス及び研磨排液を処理するポリッシン
グ装置における排気及び排液処理装置であって、前記ポ
リッシング装置を覆う隔壁内に排気ダクトを設け、該排
気ダクトを排風装置を介してガス除害塔に連通し、前記
ポリッシング装置の研磨布の下方に排液受けを設け、該
排液受けを排液処理装置に連通させたことを特徴とする
ものである。
【００１０】
【作用】前述した構成からなる本発明によれば、ポリッ
シング装置からの排気をダクトで導いてガス除害塔で処
理することにより、排気の観点での制約がなくなり、ポ
リッシング装置をクリーンルーム内に設置することが可
能になる。また、本発明によって、研磨排液の清浄化処
理を十分にかつ効率的に行うことが可能になる。これら
の排気と排液の処理により砥粒、研磨屑という固体微粒
子及び薬液とそのミストを伴うポリッシング装置に関し
て、十分な環境対策が施されることになる。
シング装置からの排気をダクトで導いてガス除害塔で処
理することにより、排気の観点での制約がなくなり、ポ
リッシング装置をクリーンルーム内に設置することが可
能になる。また、本発明によって、研磨排液の清浄化処
理を十分にかつ効率的に行うことが可能になる。これら
の排気と排液の処理により砥粒、研磨屑という固体微粒
子及び薬液とそのミストを伴うポリッシング装置に関し
て、十分な環境対策が施されることになる。
【００１１】また本発明の１態様によれば、ガス除害塔
の洗浄液タンク内の洗浄液を排液処理装置に導くように
したため、排気処理で発生する洗浄液を研磨排液の処理
工程に導いて一括で処理することにより、砥粒、研磨屑
という固体微粒子を含んだ洗浄液を適切に処理できると
ともに、洗浄液の処理工程を別途設けなくて良いので、
装置の低コスト化と省スペース化がはかれる。
の洗浄液タンク内の洗浄液を排液処理装置に導くように
したため、排気処理で発生する洗浄液を研磨排液の処理
工程に導いて一括で処理することにより、砥粒、研磨屑
という固体微粒子を含んだ洗浄液を適切に処理できると
ともに、洗浄液の処理工程を別途設けなくて良いので、
装置の低コスト化と省スペース化がはかれる。
【００１２】さらに本発明の他の態様によれば、排液処
理装置の排液槽内の排気をガス除害塔に導くようにした
ため、化学的機械的研磨（ＣＭＰ）での排液中にはポリ
ッシング装置から排出された排気ガスと同様の成分を有
するガスが溶存しているが、このガス成分が排液槽内で
分離して排ガスが発生する場合でもその排気をガス除害
塔に導いて処理することができる。
理装置の排液槽内の排気をガス除害塔に導くようにした
ため、化学的機械的研磨（ＣＭＰ）での排液中にはポリ
ッシング装置から排出された排気ガスと同様の成分を有
するガスが溶存しているが、このガス成分が排液槽内で
分離して排ガスが発生する場合でもその排気をガス除害
塔に導いて処理することができる。
【００１３】また本発明の更に他の態様によれば、ポリ
ッシング装置の排気ダクトにダンパを設け、研磨後の半
導体ウエハを研磨終了から次工程へ搬送する間は、前記
ダンパを閉じるようにしたため、少なくとも半導体ウエ
ハの研磨面に砥液が付着している研磨終了から次工程ま
での間は、ダンパを閉じ、空気の流れを止め、半導体ウ
エハの研磨面の乾燥を防ぐことができる。またターンテ
ーブル上の研磨布も同様の乾燥防止効果が得られ、研磨
布への砥液の固着による研磨速度のばらつきを押さえる
ことができる。
ッシング装置の排気ダクトにダンパを設け、研磨後の半
導体ウエハを研磨終了から次工程へ搬送する間は、前記
ダンパを閉じるようにしたため、少なくとも半導体ウエ
ハの研磨面に砥液が付着している研磨終了から次工程ま
での間は、ダンパを閉じ、空気の流れを止め、半導体ウ
エハの研磨面の乾燥を防ぐことができる。またターンテ
ーブル上の研磨布も同様の乾燥防止効果が得られ、研磨
布への砥液の固着による研磨速度のばらつきを押さえる
ことができる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明に係るポリッシング装置におけ
る排気及び排液処理装置の一実施例を図１を参照して説
明する。図１は本発明の全体構成を示す概略図である。
図１において、符号１はポリッシング装置であり、ポリ
ッシング装置１はクリーンルームＣ内に設置されてい
る。ポリッシング装置１は隔壁２によって覆われてお
り、ポリッシング装置１からの発塵がクリーンルームＣ
内に飛散しないように構成されている。
る排気及び排液処理装置の一実施例を図１を参照して説
明する。図１は本発明の全体構成を示す概略図である。
図１において、符号１はポリッシング装置であり、ポリ
ッシング装置１はクリーンルームＣ内に設置されてい
る。ポリッシング装置１は隔壁２によって覆われてお
り、ポリッシング装置１からの発塵がクリーンルームＣ
内に飛散しないように構成されている。
【００１５】隔壁２内には排気ダクト２５が配設されて
おり、この排気ダクト２５によってポリッシング装置１
から排出された排気ガスが排気処理装置１０に導かれる
ようになっている。
おり、この排気ダクト２５によってポリッシング装置１
から排出された排気ガスが排気処理装置１０に導かれる
ようになっている。
【００１６】ポリッシング装置１は、ターンテーブル３
と、半導体ウエハ４を保持しつつターンテーブル３に押
しつけるトップリング５とを備えている。前記ターンテ
ーブル３はベルト５３を介してモータＭ1 に連結される
とともにその上面には研磨布６が貼設されている。また
トップリング５はトップリング回転用モータＭ2 とトッ
プリング昇降用シリンダ２９とを備えたトップリングヘ
ッド７に連結されており、トップリング５は昇降可能に
なっているとともにその軸心の回りに回転可能になって
いる。そして、トップリング５は揺動部９によって揺動
可能になっている。また、研磨布６には、その上面に砥
液供給ノズル８より研磨材を含む研磨砥液が供給される
ようになっている。
と、半導体ウエハ４を保持しつつターンテーブル３に押
しつけるトップリング５とを備えている。前記ターンテ
ーブル３はベルト５３を介してモータＭ1 に連結される
とともにその上面には研磨布６が貼設されている。また
トップリング５はトップリング回転用モータＭ2 とトッ
プリング昇降用シリンダ２９とを備えたトップリングヘ
ッド７に連結されており、トップリング５は昇降可能に
なっているとともにその軸心の回りに回転可能になって
いる。そして、トップリング５は揺動部９によって揺動
可能になっている。また、研磨布６には、その上面に砥
液供給ノズル８より研磨材を含む研磨砥液が供給される
ようになっている。
【００１７】上述した構成からなるポリッシング装置
は、研磨布、研磨砥液中の砥粒と希釈液との組み合わせ
等を適切に選定することにより、様々な研磨対象物をポ
リッシングすることができる。たとえば、シリコン（Ｓ
ｉ）基板上に形成したＳｉＯ2 絶縁膜をポリッシングす
る場合、水酸化カリウム（ＫＯＨ）又は水酸化ナトリウ
ム（ＮａＯＨ）水溶液中にコロイダルシリカ（ＳｉＯ
2 ）砥粒を含んだ研磨砥液を用いるのが代表的である。
また、アルミニウム（Ａｌ）等の金属膜をポリッシング
する場合、硝酸（ＨＮＯ3 ）又は硫酸（Ｈ2 ＳＯ4 ）水
溶液中にアルミナ粒（Ａｌ2 Ｏ3 ）を含んだ研磨砥液を
用いることがある。
は、研磨布、研磨砥液中の砥粒と希釈液との組み合わせ
等を適切に選定することにより、様々な研磨対象物をポ
リッシングすることができる。たとえば、シリコン（Ｓ
ｉ）基板上に形成したＳｉＯ2 絶縁膜をポリッシングす
る場合、水酸化カリウム（ＫＯＨ）又は水酸化ナトリウ
ム（ＮａＯＨ）水溶液中にコロイダルシリカ（ＳｉＯ
2 ）砥粒を含んだ研磨砥液を用いるのが代表的である。
また、アルミニウム（Ａｌ）等の金属膜をポリッシング
する場合、硝酸（ＨＮＯ3 ）又は硫酸（Ｈ2 ＳＯ4 ）水
溶液中にアルミナ粒（Ａｌ2 Ｏ3 ）を含んだ研磨砥液を
用いることがある。
【００１８】上述の他にも、研磨対象によって選定され
る研磨砥液は種々あるが、概してアルカリや酸の溶液中
に硬い砥粒を含んだものといえる。従って、研磨排液に
はアルカリや酸の溶液と、砥粒や削りカスを含む固体成
分が含まれる。また、ポリッシング中はターンテーブル
及びトップリングが回転しているため、これらにはじき
飛ばされた研磨砥液がミスト状に飛散する。また、前述
した金属膜のポリッシングにしばしば用いられる硝酸や
硫酸は、金属と化学反応を起こし、酸化窒素（ＮＯ）、
酸化イオウ（ＳＯ2 ）を生成する。それゆえ、ポリッシ
ング装置からの排ガス及び排液を本発明によって処理す
る必要がある。
る研磨砥液は種々あるが、概してアルカリや酸の溶液中
に硬い砥粒を含んだものといえる。従って、研磨排液に
はアルカリや酸の溶液と、砥粒や削りカスを含む固体成
分が含まれる。また、ポリッシング中はターンテーブル
及びトップリングが回転しているため、これらにはじき
飛ばされた研磨砥液がミスト状に飛散する。また、前述
した金属膜のポリッシングにしばしば用いられる硝酸や
硫酸は、金属と化学反応を起こし、酸化窒素（ＮＯ）、
酸化イオウ（ＳＯ2 ）を生成する。それゆえ、ポリッシ
ング装置からの排ガス及び排液を本発明によって処理す
る必要がある。
【００１９】また、ターンテーブル上面の研磨布６の下
方に位置し、かつターンテーブル３の周囲には、研磨排
液を受ける排液受け２６が配設されている。そして、排
液受け２６は排液配管２７を介して排液処理装置３０に
連通されている。
方に位置し、かつターンテーブル３の周囲には、研磨排
液を受ける排液受け２６が配設されている。そして、排
液受け２６は排液配管２７を介して排液処理装置３０に
連通されている。
【００２０】前記ポリッシング装置１は、ターンテーブ
ル３の下方にある仕切壁２４によって研磨部側と駆動部
側とに仕切られており、前記排気ダクト２５は研磨部側
に開口する第１開口部２５ａと、駆動部側に開口する第
２開口部２５ｂとを具備している。また揺動部９はカバ
ー２３に覆われており、このカバー２３内は排気ダクト
２５の第３開口部２５ｃに連通され、独立に排気される
ようになっている。また第１開口部２５ａにはダンパ２
８が設置されている。
ル３の下方にある仕切壁２４によって研磨部側と駆動部
側とに仕切られており、前記排気ダクト２５は研磨部側
に開口する第１開口部２５ａと、駆動部側に開口する第
２開口部２５ｂとを具備している。また揺動部９はカバ
ー２３に覆われており、このカバー２３内は排気ダクト
２５の第３開口部２５ｃに連通され、独立に排気される
ようになっている。また第１開口部２５ａにはダンパ２
８が設置されている。
【００２１】次に、ポリッシング装置１から排出された
排気ガスを処理する排気処理装置１０の構成を説明す
る。排気処理装置１０はガス除害塔１２を備えており、
ポリッシング装置１からの排気Ａは、排気ダクト２５の
途中に設けられた排風装置を構成するファン１１によ
り、ガス除害塔１２に導かれるようになっている。ガス
除害塔１２は、その下部に洗浄液タンク１３、中間部に
充填物１４、上部には散液管１５を備え、更にその上部
に排気管１６を備えている。洗浄液タンク１３内の洗浄
液、例えば水は循環ポンプ１７で散液管１５に供給され
るようになっている。洗浄液タンク１３の液位は液位セ
ンサ１８で検知され、所定の液位に保つように配管１９
から洗浄液が洗浄液タンク１３中に供給されるようにな
っている。符号Ｖ２１は手動バルブであり、手動により
洗浄液、例えば水を配管１９から洗浄液タンク１３中に
供給できるようになっている。
排気ガスを処理する排気処理装置１０の構成を説明す
る。排気処理装置１０はガス除害塔１２を備えており、
ポリッシング装置１からの排気Ａは、排気ダクト２５の
途中に設けられた排風装置を構成するファン１１によ
り、ガス除害塔１２に導かれるようになっている。ガス
除害塔１２は、その下部に洗浄液タンク１３、中間部に
充填物１４、上部には散液管１５を備え、更にその上部
に排気管１６を備えている。洗浄液タンク１３内の洗浄
液、例えば水は循環ポンプ１７で散液管１５に供給され
るようになっている。洗浄液タンク１３の液位は液位セ
ンサ１８で検知され、所定の液位に保つように配管１９
から洗浄液が洗浄液タンク１３中に供給されるようにな
っている。符号Ｖ２１は手動バルブであり、手動により
洗浄液、例えば水を配管１９から洗浄液タンク１３中に
供給できるようになっている。
【００２２】上記構成の排気処理装置において、循環ポ
ンプ１７により洗浄液タンク１３内の洗浄液、例えば水
が散液管１５を通して充填物１４上に散布されている。
ファン１１によりポリッシング装置１からの排気Ａをガ
ス除害塔１２内の充填物１４の下部に注入すると、排気
中に含まれるＮＨ3 、ＨＮＯ3 等の有害ガス又はミスト
は充填物１４を通過する際に洗浄液に溶け、洗浄液タン
ク１３内に落下する。そして有害ガス又はミストが除去
され、無害の中性ガスとなつて排気管１６から排出され
る。
ンプ１７により洗浄液タンク１３内の洗浄液、例えば水
が散液管１５を通して充填物１４上に散布されている。
ファン１１によりポリッシング装置１からの排気Ａをガ
ス除害塔１２内の充填物１４の下部に注入すると、排気
中に含まれるＮＨ3 、ＨＮＯ3 等の有害ガス又はミスト
は充填物１４を通過する際に洗浄液に溶け、洗浄液タン
ク１３内に落下する。そして有害ガス又はミストが除去
され、無害の中性ガスとなつて排気管１６から排出され
る。
【００２３】洗浄液タンク１３内の洗浄液にＮＨ3 、Ｈ
ＮＯ3 等のガス又はミストが溶け、その濃度が所定値以
上になったら、バルブＶ２２を開放して、洗浄液を配管
５１を介して排液処理装置３０に送り、該排液処理装置
３０で処理する。
ＮＯ3 等のガス又はミストが溶け、その濃度が所定値以
上になったら、バルブＶ２２を開放して、洗浄液を配管
５１を介して排液処理装置３０に送り、該排液処理装置
３０で処理する。
【００２４】上述の排気処理工程において、研磨部から
発生する排気を行う第１開口部２５ａに設けられたダン
パ２８は、研磨が終了し、次工程であるウエハ洗浄工程
まで搬送される間は、閉じるように制御される。研磨が
終了した半導体ウエハ４の研磨面には砥液が付着してい
るが、砥液が乾燥すると、ウエハ研磨面に固着し、除去
することが困難となる。本発明の排気処理を行うと、空
気の流れが生じ砥液が乾燥しやすくなる。このような問
題を防止するため、少なくとも半導体ウエハ４の研磨面
に砥液が付着している研磨終了から次工程までの間は、
ダンパ２８を閉じ、空気の流れを止め、乾燥を防ぐよう
にしたものである。ターンテーブル３上の研磨布６も同
様の乾燥防止効果が得られ、研磨布６への砥液の固着に
よる研磨速度のばらつきを押さえることができる。また
半導体ウエハ４の乾燥を防ぎ砥液を固着させないので、
歩どまりの良い製品を提供することができる。
発生する排気を行う第１開口部２５ａに設けられたダン
パ２８は、研磨が終了し、次工程であるウエハ洗浄工程
まで搬送される間は、閉じるように制御される。研磨が
終了した半導体ウエハ４の研磨面には砥液が付着してい
るが、砥液が乾燥すると、ウエハ研磨面に固着し、除去
することが困難となる。本発明の排気処理を行うと、空
気の流れが生じ砥液が乾燥しやすくなる。このような問
題を防止するため、少なくとも半導体ウエハ４の研磨面
に砥液が付着している研磨終了から次工程までの間は、
ダンパ２８を閉じ、空気の流れを止め、乾燥を防ぐよう
にしたものである。ターンテーブル３上の研磨布６も同
様の乾燥防止効果が得られ、研磨布６への砥液の固着に
よる研磨速度のばらつきを押さえることができる。また
半導体ウエハ４の乾燥を防ぎ砥液を固着させないので、
歩どまりの良い製品を提供することができる。
【００２５】次にダンパ２８の制御方法の具体例を説明
する。ターンテーブル３が回転しているときは、ダンパ
２８を開き、研磨中に発生する排気ガス、ミスト等を研
磨部から排除する。他方、ターンテーブル３が停止して
いるとき、即ち、研磨を行わないときはダンパ２８を閉
じる。上述のようにダンパ２８の開閉をターンテーブル
３と同期して制御することにより、半導体ウエハ４上に
付着した砥液及び研磨布６上の砥液の乾燥防止効果があ
る。なお、トップリング５の上昇、下降又は揺動の動
作、停止と同期させてダンパ２８を開閉しても良い。ま
た研磨砥液の供給停止と同期させても良い。
する。ターンテーブル３が回転しているときは、ダンパ
２８を開き、研磨中に発生する排気ガス、ミスト等を研
磨部から排除する。他方、ターンテーブル３が停止して
いるとき、即ち、研磨を行わないときはダンパ２８を閉
じる。上述のようにダンパ２８の開閉をターンテーブル
３と同期して制御することにより、半導体ウエハ４上に
付着した砥液及び研磨布６上の砥液の乾燥防止効果があ
る。なお、トップリング５の上昇、下降又は揺動の動
作、停止と同期させてダンパ２８を開閉しても良い。ま
た研磨砥液の供給停止と同期させても良い。
【００２６】なお、上記実施例ではガス除害塔１２内に
洗浄液を循環ポンプで循環させる例について示したが、
充填物１４に活性炭を用い、該活性炭に有害ガス又はミ
ストを吸着させる方法を採用すれば、洗浄液を循環させ
なくともよい。
洗浄液を循環ポンプで循環させる例について示したが、
充填物１４に活性炭を用い、該活性炭に有害ガス又はミ
ストを吸着させる方法を採用すれば、洗浄液を循環させ
なくともよい。
【００２７】次にポリッシング装置１から排出された研
磨排液を処理する排液処理装置３０について説明する。
本実施例の排液処理装置３０は、砥液、研磨屑等を含ん
だ排液を回収貯蔵する大容量のバッファ槽３１、回収し
た排液を固体成分と液体成分とを分離する沈澱槽３２、
分離後に概ね固体成分を含む排液を回収して濃縮する濃
縮槽３３とから構成されている。排液処理装置３０は、
さらに沈澱槽３２に沈澱を促進するための凝集剤を供給
する凝集剤タンク３４及び沈澱槽３２内の排液に中和剤
を供給する中和剤タンク３５を備えている。
磨排液を処理する排液処理装置３０について説明する。
本実施例の排液処理装置３０は、砥液、研磨屑等を含ん
だ排液を回収貯蔵する大容量のバッファ槽３１、回収し
た排液を固体成分と液体成分とを分離する沈澱槽３２、
分離後に概ね固体成分を含む排液を回収して濃縮する濃
縮槽３３とから構成されている。排液処理装置３０は、
さらに沈澱槽３２に沈澱を促進するための凝集剤を供給
する凝集剤タンク３４及び沈澱槽３２内の排液に中和剤
を供給する中和剤タンク３５を備えている。
【００２８】ポリッシングに使用された主に研磨砥液か
らなる排液や研磨布６のドレッシングに使用された排液
は、研磨面より下側に設けた排液受け２６により集めら
れ、排液配管２７を介して排液ポンプ３７によりバッフ
ァ槽３１に送られる。本バッファ槽３１には、ガス除害
塔１２の洗浄液も回収される。ガス除害塔１２にはポリ
ッシング時に発生するミスト等も送られるが、このミス
ト中には砥液及び研磨屑が含まれるため、ガス除害塔１
２の洗浄液中にはこれら研磨砥液及び研磨屑が回収され
る。そのため、洗浄液は研磨砥液及び研磨屑を含有する
ので、洗浄液タンク１３をバルブＶ２２及び配管５１を
介してバッファ槽３１に接続することにより排液と同様
の処理を行うようにしている。
らなる排液や研磨布６のドレッシングに使用された排液
は、研磨面より下側に設けた排液受け２６により集めら
れ、排液配管２７を介して排液ポンプ３７によりバッフ
ァ槽３１に送られる。本バッファ槽３１には、ガス除害
塔１２の洗浄液も回収される。ガス除害塔１２にはポリ
ッシング時に発生するミスト等も送られるが、このミス
ト中には砥液及び研磨屑が含まれるため、ガス除害塔１
２の洗浄液中にはこれら研磨砥液及び研磨屑が回収され
る。そのため、洗浄液は研磨砥液及び研磨屑を含有する
ので、洗浄液タンク１３をバルブＶ２２及び配管５１を
介してバッファ槽３１に接続することにより排液と同様
の処理を行うようにしている。
【００２９】バッファ槽３１内の排液は排液ポンプ３８
により沈澱槽３２へ送られる。排液中の固形成分の沈澱
には時間がかかるため、本実施例においては、沈澱槽を
並列に２槽（３２，３２）設け、バッチ処理を行うこと
により効率良く沈澱槽を使用している。沈澱槽３２内に
送られた排液に、凝集剤タンク３４からポリ塩化アルミ
ニウム（ＰＡＣ）等の凝集剤を、中和剤タンクから水酸
化ナトリウム（ＮａＯＨ）等の中和剤を供給し、排水の
沈澱を促進させ、かつ中和を行う。大きなフロックを形
成するため高分子凝集剤を添加してもよい。高分子凝集
剤にはアニオン系ポリマー、カチオン系ポリマー、ノニ
オン系ポリマーがある。所定時間の後、沈澱槽３２内
は、液体成分と固体成分が分離し、上澄みの清浄な液体
はバルブＶ２３，Ｖ２４を開き排水される。沈澱した固
体成分は、濃縮槽３３へ回収して濃縮する。
により沈澱槽３２へ送られる。排液中の固形成分の沈澱
には時間がかかるため、本実施例においては、沈澱槽を
並列に２槽（３２，３２）設け、バッチ処理を行うこと
により効率良く沈澱槽を使用している。沈澱槽３２内に
送られた排液に、凝集剤タンク３４からポリ塩化アルミ
ニウム（ＰＡＣ）等の凝集剤を、中和剤タンクから水酸
化ナトリウム（ＮａＯＨ）等の中和剤を供給し、排水の
沈澱を促進させ、かつ中和を行う。大きなフロックを形
成するため高分子凝集剤を添加してもよい。高分子凝集
剤にはアニオン系ポリマー、カチオン系ポリマー、ノニ
オン系ポリマーがある。所定時間の後、沈澱槽３２内
は、液体成分と固体成分が分離し、上澄みの清浄な液体
はバルブＶ２３，Ｖ２４を開き排水される。沈澱した固
体成分は、濃縮槽３３へ回収して濃縮する。
【００３０】本発明の更なる工夫は、バッファ槽３１、
沈澱槽３２等の排液槽内で発生する排ガスを排気ダクト
２５′により排気処理装置１０のガス除害塔１２に導き
処理することである。即ち、化学的機械的研磨（ＣＭ
Ｐ）での排液中には、ポリッシング装置１から排出され
た排気ガスと同様の成分を有するガスが溶存している
が、このガス成分が排液槽内で分離して排ガスが発生す
る。このように排液処理部で汚染源となるような排ガス
が発生する場合でもその排気を排気ダクト２５′により
ガス除害塔１２に導いて処理することができる。さらに
本排液処理装置３０で清浄化した液体を配管５２を介し
て前記ガス除害塔１２へ導き、洗浄液として再利用する
こともできる。これにより経済的にシステムを運転する
ことができる。
沈澱槽３２等の排液槽内で発生する排ガスを排気ダクト
２５′により排気処理装置１０のガス除害塔１２に導き
処理することである。即ち、化学的機械的研磨（ＣＭ
Ｐ）での排液中には、ポリッシング装置１から排出され
た排気ガスと同様の成分を有するガスが溶存している
が、このガス成分が排液槽内で分離して排ガスが発生す
る。このように排液処理部で汚染源となるような排ガス
が発生する場合でもその排気を排気ダクト２５′により
ガス除害塔１２に導いて処理することができる。さらに
本排液処理装置３０で清浄化した液体を配管５２を介し
て前記ガス除害塔１２へ導き、洗浄液として再利用する
こともできる。これにより経済的にシステムを運転する
ことができる。
【００３１】次に、本発明の排液処理装置の第２実施例
を図２を参照して説明する。図２は本発明のポリッシン
グ装置における排液処理装置のシステム構成を示す図で
ある。排液処理装置４０は、研磨排液を蓄える研磨排液
タンク４１、研磨排液を濾過する濾過器４２、助濾剤を
投入する助濾剤投入機４３、助濾剤を混入した助濾剤液
を蓄える助濾剤液タンク４４、脱水機４５、逆洗用の空
気圧を調整するレギュレータ４６及び濾過ポンプ４７を
具備する。そしてこれらの各機器はオイルパン５０内に
配置されている。
を図２を参照して説明する。図２は本発明のポリッシン
グ装置における排液処理装置のシステム構成を示す図で
ある。排液処理装置４０は、研磨排液を蓄える研磨排液
タンク４１、研磨排液を濾過する濾過器４２、助濾剤を
投入する助濾剤投入機４３、助濾剤を混入した助濾剤液
を蓄える助濾剤液タンク４４、脱水機４５、逆洗用の空
気圧を調整するレギュレータ４６及び濾過ポンプ４７を
具備する。そしてこれらの各機器はオイルパン５０内に
配置されている。
【００３２】研磨排液タンク４１には、ポリッシング装
置１のターンテーブル３の周囲に設けられた排液受け２
６から排液配管２７を介して排出された研磨排液Ｑ１が
蓄えられている。該研磨排液タンク４１の底部には空気
噴出管４１−１が配設され、給気弁Ｖ１３を通して、該
空気噴出管４１−１に空気を送ることにより、研磨排液
Ｑ１中に気泡を噴出して撹拌する。符号４１−２，４１
−３は研磨排液Ｑ１のレベルを検出するレベルセンサで
ある。助濾剤液タンク４４には給水弁Ｖ１４を介して清
水が供給されると共に、助濾剤投入機４３から研磨排液
Ｑ１の中の固形不純物を除去（濾過）するのに適した助
濾剤（珪藻土）を供給して助濾剤液Ｑ２を調合するよう
になっている。助濾剤液タンク４４には助濾剤液Ｑ２の
レベルを検出するレベルセンサ４４−１，４４−２が配
設され、更に撹拌機４４−３が配設されている。脱水機
４５はシリンダ４５−１、脱水筒４５−２、シリンダ４
５−１の上端に固定された濾紙載置台４５−３及び濾紙
４５−４を具備する。
置１のターンテーブル３の周囲に設けられた排液受け２
６から排液配管２７を介して排出された研磨排液Ｑ１が
蓄えられている。該研磨排液タンク４１の底部には空気
噴出管４１−１が配設され、給気弁Ｖ１３を通して、該
空気噴出管４１−１に空気を送ることにより、研磨排液
Ｑ１中に気泡を噴出して撹拌する。符号４１−２，４１
−３は研磨排液Ｑ１のレベルを検出するレベルセンサで
ある。助濾剤液タンク４４には給水弁Ｖ１４を介して清
水が供給されると共に、助濾剤投入機４３から研磨排液
Ｑ１の中の固形不純物を除去（濾過）するのに適した助
濾剤（珪藻土）を供給して助濾剤液Ｑ２を調合するよう
になっている。助濾剤液タンク４４には助濾剤液Ｑ２の
レベルを検出するレベルセンサ４４−１，４４−２が配
設され、更に撹拌機４４−３が配設されている。脱水機
４５はシリンダ４５−１、脱水筒４５−２、シリンダ４
５−１の上端に固定された濾紙載置台４５−３及び濾紙
４５−４を具備する。
【００３３】上記構成の研磨排液処理装置において、研
磨排液の濾過工程に入る前に濾過器４２内の濾材に助濾
剤をコーティングする工程がある。該助濾剤コーティン
グ工程は、先ず助濾剤液供給弁Ｖ３、助濾剤液出口弁Ｖ
４及び空気抜き弁Ｖ７を開き、研磨排液供給弁Ｖ１、出
口弁Ｖ２及び排水弁Ｖ１０を閉じる。次に濾過ポンプ４
７及び撹拌機４４−３を起動する。助濾剤液タンク４４
内に給水弁Ｖ１４を介して前もって供給された水が濾過
器４２に供給される。水が濾過器４２内の濾材を通って
助濾剤液出口弁Ｖ４から助濾剤液タンク４４に出始めた
ら、助濾剤投入機４３を所定時間起動し、所定量の助濾
剤（珪藻土）を助濾剤液タンク４４内に投入する。これ
によって助濾剤液Ｑ２を生成する。そして、空気抜き弁
Ｖ７を閉じ、助濾剤液Ｑ２を濾過器４２と助濾剤液タン
ク４４との間で循環させ、濾材に助濾材層を形成してい
く。
磨排液の濾過工程に入る前に濾過器４２内の濾材に助濾
剤をコーティングする工程がある。該助濾剤コーティン
グ工程は、先ず助濾剤液供給弁Ｖ３、助濾剤液出口弁Ｖ
４及び空気抜き弁Ｖ７を開き、研磨排液供給弁Ｖ１、出
口弁Ｖ２及び排水弁Ｖ１０を閉じる。次に濾過ポンプ４
７及び撹拌機４４−３を起動する。助濾剤液タンク４４
内に給水弁Ｖ１４を介して前もって供給された水が濾過
器４２に供給される。水が濾過器４２内の濾材を通って
助濾剤液出口弁Ｖ４から助濾剤液タンク４４に出始めた
ら、助濾剤投入機４３を所定時間起動し、所定量の助濾
剤（珪藻土）を助濾剤液タンク４４内に投入する。これ
によって助濾剤液Ｑ２を生成する。そして、空気抜き弁
Ｖ７を閉じ、助濾剤液Ｑ２を濾過器４２と助濾剤液タン
ク４４との間で循環させ、濾材に助濾材層を形成してい
く。
【００３４】助濾剤液Ｑ２中の助濾剤は濾過器４２内の
濾材表面に付着して、助濾剤液Ｑ２から除去されるか
ら、助濾剤液タンク４４の助濾剤液Ｑ２は次第に清浄に
なってくる。該助濾剤液Ｑ２が清浄になったら濾材に助
濾剤が充分コーティングされたことになるから、撹拌機
４４−３を止め助濾剤液供給弁Ｖ３を閉じる。続いて研
磨排液の濾過工程に入る。
濾材表面に付着して、助濾剤液Ｑ２から除去されるか
ら、助濾剤液タンク４４の助濾剤液Ｑ２は次第に清浄に
なってくる。該助濾剤液Ｑ２が清浄になったら濾材に助
濾剤が充分コーティングされたことになるから、撹拌機
４４−３を止め助濾剤液供給弁Ｖ３を閉じる。続いて研
磨排液の濾過工程に入る。
【００３５】研磨排液の濾過工程は、先ず研磨排液供給
弁Ｖ１を開くことにより、研磨排液タンク４１内の研磨
排液Ｑ１が濾過ポンプ４７により濾過器４２に供給され
る。助濾剤液タンク４４の液面が所定のレベルになった
ら、出口弁Ｖ２を開き、続いて助濾剤液出口弁Ｖ４を閉
じる。これにより研磨排液Ｑ１は研磨排液タンク４１と
濾過器４２の間を循環する。この循環工程において、研
磨排液Ｑ１の中の固形不純物は濾過器４２の濾材表面で
捕集され該研磨排液から分離される。研磨排液タンク４
１内の研磨排液Ｑ１が清浄になったら、排水弁Ｖ１０を
開き、出口弁Ｖ２を閉じて、清浄になった研磨排液Ｑ１
を排水する。この排水により、研磨排液タンク４１の液
面が下限となったら出口弁Ｖ２を開き、排水弁Ｖ１０を
閉じる。
弁Ｖ１を開くことにより、研磨排液タンク４１内の研磨
排液Ｑ１が濾過ポンプ４７により濾過器４２に供給され
る。助濾剤液タンク４４の液面が所定のレベルになった
ら、出口弁Ｖ２を開き、続いて助濾剤液出口弁Ｖ４を閉
じる。これにより研磨排液Ｑ１は研磨排液タンク４１と
濾過器４２の間を循環する。この循環工程において、研
磨排液Ｑ１の中の固形不純物は濾過器４２の濾材表面で
捕集され該研磨排液から分離される。研磨排液タンク４
１内の研磨排液Ｑ１が清浄になったら、排水弁Ｖ１０を
開き、出口弁Ｖ２を閉じて、清浄になった研磨排液Ｑ１
を排水する。この排水により、研磨排液タンク４１の液
面が下限となったら出口弁Ｖ２を開き、排水弁Ｖ１０を
閉じる。
【００３６】濾過器４２内の濾材に捕集された固形不純
物が所定量以上となると濾過効果が劣るので、該捕集さ
れた固形不純物や助濾剤を除去する中間逆洗工程が必要
となる。中間逆洗工程においては、先ず助濾剤液タンク
４４内の液面が所定以上であることを確認し、濾過ポン
プ４７を停止する。研磨排液供給弁Ｖ１及び出口弁Ｖ２
を閉じる。次に、逆洗空気弁Ｖ６を開き、加圧空気をレ
ギュレータ４６を通して、濾過器４２に加圧空気を供給
する。これにより、濾過筒の圧力が上昇し、その圧力を
圧力計４８で検出し、圧力が所定圧力まで上昇したら、
空気抜き弁Ｖ７を開き、この状態を所定時間（３０秒〜
４０秒）継続することにより、濾過器４２内の濾材表面
で捕集された固形不純物及び助濾剤を除去する。続いて
逆洗空気弁Ｖ６を閉じて中間逆洗工程を終了する。
物が所定量以上となると濾過効果が劣るので、該捕集さ
れた固形不純物や助濾剤を除去する中間逆洗工程が必要
となる。中間逆洗工程においては、先ず助濾剤液タンク
４４内の液面が所定以上であることを確認し、濾過ポン
プ４７を停止する。研磨排液供給弁Ｖ１及び出口弁Ｖ２
を閉じる。次に、逆洗空気弁Ｖ６を開き、加圧空気をレ
ギュレータ４６を通して、濾過器４２に加圧空気を供給
する。これにより、濾過筒の圧力が上昇し、その圧力を
圧力計４８で検出し、圧力が所定圧力まで上昇したら、
空気抜き弁Ｖ７を開き、この状態を所定時間（３０秒〜
４０秒）継続することにより、濾過器４２内の濾材表面
で捕集された固形不純物及び助濾剤を除去する。続いて
逆洗空気弁Ｖ６を閉じて中間逆洗工程を終了する。
【００３７】前記中間逆洗工程が終了したら、再度助濾
剤をコーティングする工程を行う。この再助濾剤コーテ
ィング工程は、助濾剤液供給弁Ｖ３、助濾剤液出口弁Ｖ
４及び空気抜き弁Ｖ７を開き、濾過ポンプ４７及び撹拌
機４４−３を起動する。次に、空気抜き弁Ｖ７を閉じ、
助濾剤液タンク４４内の助濾剤液Ｑ２を該助濾剤液タン
ク４４と濾過器４２の間を循環させる。助濾剤が濾材の
表面に捕集され、助濾剤液Ｑ２が清浄になったら、研磨
排液供給弁Ｖ１を開き、助濾剤液供給弁Ｖ３を閉じ、撹
拌機４４−３を停止する。助濾剤液タンク４４の液面レ
ベルが所定値になったら、出口弁Ｖ２を開き、助濾剤液
出口弁Ｖ４を閉じる。これにより再助濾剤コーティング
工程は終了すると同時に、濾過工程に入る。
剤をコーティングする工程を行う。この再助濾剤コーテ
ィング工程は、助濾剤液供給弁Ｖ３、助濾剤液出口弁Ｖ
４及び空気抜き弁Ｖ７を開き、濾過ポンプ４７及び撹拌
機４４−３を起動する。次に、空気抜き弁Ｖ７を閉じ、
助濾剤液タンク４４内の助濾剤液Ｑ２を該助濾剤液タン
ク４４と濾過器４２の間を循環させる。助濾剤が濾材の
表面に捕集され、助濾剤液Ｑ２が清浄になったら、研磨
排液供給弁Ｖ１を開き、助濾剤液供給弁Ｖ３を閉じ、撹
拌機４４−３を停止する。助濾剤液タンク４４の液面レ
ベルが所定値になったら、出口弁Ｖ２を開き、助濾剤液
出口弁Ｖ４を閉じる。これにより再助濾剤コーティング
工程は終了すると同時に、濾過工程に入る。
【００３８】濾過工程により、研磨排液Ｑ１の中の固形
不純物が濾過器４２の濾材に捕集され、該捕集が大きく
なると濾過能力が衰えるため、逆洗により該固形不純物
を除去する逆洗工程に入る。逆洗工程は、脱水機４５の
シリンダ４５−１を上昇させ、濾過ポンプ４７を停止
し、研磨排液供給弁Ｖ１及び出口弁Ｖ２を閉じる。続い
て脱水空気抜き弁Ｖ９を開き、逆洗空気弁Ｖ６を開く。
レギュレータ４６及び逆洗空気弁Ｖ６を通して加圧空気
源より加圧空気を濾過器４２に供給し、濾過器４２の濾
過筒の圧力を圧力計４８で検出し、該圧力が所定圧力に
なったら、ドレン弁Ｖ５を開く。これにより濾過器４２
内の液は脱水機４５に送られる。
不純物が濾過器４２の濾材に捕集され、該捕集が大きく
なると濾過能力が衰えるため、逆洗により該固形不純物
を除去する逆洗工程に入る。逆洗工程は、脱水機４５の
シリンダ４５−１を上昇させ、濾過ポンプ４７を停止
し、研磨排液供給弁Ｖ１及び出口弁Ｖ２を閉じる。続い
て脱水空気抜き弁Ｖ９を開き、逆洗空気弁Ｖ６を開く。
レギュレータ４６及び逆洗空気弁Ｖ６を通して加圧空気
源より加圧空気を濾過器４２に供給し、濾過器４２の濾
過筒の圧力を圧力計４８で検出し、該圧力が所定圧力に
なったら、ドレン弁Ｖ５を開く。これにより濾過器４２
内の液は脱水機４５に送られる。
【００３９】濾過器４２内の液が完全に抜けたら、逆洗
空気弁Ｖ６を閉じ、その後ドレン弁Ｖ５を閉じ、更に空
気抜き弁Ｖ７を開き濾過器４２内の残圧を抜き取る。圧
力計４８の圧力が０kg／cm2 になったら空気抜き弁Ｖ７
を閉じる。これにより逆洗工程は終了する。さらに、脱
水空気抜き弁Ｖ９を閉じる。
空気弁Ｖ６を閉じ、その後ドレン弁Ｖ５を閉じ、更に空
気抜き弁Ｖ７を開き濾過器４２内の残圧を抜き取る。圧
力計４８の圧力が０kg／cm2 になったら空気抜き弁Ｖ７
を閉じる。これにより逆洗工程は終了する。さらに、脱
水空気抜き弁Ｖ９を閉じる。
【００４０】前記逆洗工程が終了したら、脱水機４５に
よる脱水工程を実施する。脱水工程においては、先ず初
めにシリンダ４５−１を上昇させる。続いて脱水空気抜
き弁Ｖ９を閉じ、脱水空気弁Ｖ８を開く。加圧空気源か
ら弁Ｖ１２、レギュレータ４６、脱水空気弁Ｖ８を通し
て、脱水機４５内に加圧空気を送り、脱水機４５の出口
から、助濾剤液タンク４４内に液が出ることにより脱水
が始まる。脱水機４５の出口から空気が出始めて所定時
間後に脱水空気弁Ｖ８を閉じる。脱水機４５の脱水筒の
圧力を検出する圧力計４９が０kg／cm2 になったら脱水
空気抜き弁Ｖ９を開き、シリンダ４５−１を下降させ、
脱水空気抜き弁Ｖ９を閉じて脱水工程は終了する。これ
により、濾紙載置台４５−３の上の濾紙上には低含水率
の脱水ケークが生成される。該脱水ケークは取り出し、
濾紙４５−４を新しい濾紙４５−４と交換する。
よる脱水工程を実施する。脱水工程においては、先ず初
めにシリンダ４５−１を上昇させる。続いて脱水空気抜
き弁Ｖ９を閉じ、脱水空気弁Ｖ８を開く。加圧空気源か
ら弁Ｖ１２、レギュレータ４６、脱水空気弁Ｖ８を通し
て、脱水機４５内に加圧空気を送り、脱水機４５の出口
から、助濾剤液タンク４４内に液が出ることにより脱水
が始まる。脱水機４５の出口から空気が出始めて所定時
間後に脱水空気弁Ｖ８を閉じる。脱水機４５の脱水筒の
圧力を検出する圧力計４９が０kg／cm2 になったら脱水
空気抜き弁Ｖ９を開き、シリンダ４５−１を下降させ、
脱水空気抜き弁Ｖ９を閉じて脱水工程は終了する。これ
により、濾紙載置台４５−３の上の濾紙上には低含水率
の脱水ケークが生成される。該脱水ケークは取り出し、
濾紙４５−４を新しい濾紙４５−４と交換する。
【００４１】上記のように濾過工程の前に濾過ポンプ４
７で珪藻土等の助濾剤が混入する助濾剤液Ｑ２を濾過器
４２に送ることにより、濾材表面に助濾剤を予め充填す
るから、該濾材に研磨排液を濾過ポンプ４７で送ると濾
材表面で研磨排液中の固形不純物は効果的に分離除去さ
れる。そして濾材に捕集される固形不純物の量が所定量
となったら、中間逆洗工程及び逆洗工程で、加圧空気を
濾過器４２に前記研磨排液供給方向とは反対方向から加
圧空気を送ることにより、濾材表面で捕集された固形不
純物及び助濾剤を除去し、脱水機４５に送り、該脱水機
４５で低含水率のケークを生成する。これにより、長時
間に渡り、正常な濾過作用を継続させることができる。
７で珪藻土等の助濾剤が混入する助濾剤液Ｑ２を濾過器
４２に送ることにより、濾材表面に助濾剤を予め充填す
るから、該濾材に研磨排液を濾過ポンプ４７で送ると濾
材表面で研磨排液中の固形不純物は効果的に分離除去さ
れる。そして濾材に捕集される固形不純物の量が所定量
となったら、中間逆洗工程及び逆洗工程で、加圧空気を
濾過器４２に前記研磨排液供給方向とは反対方向から加
圧空気を送ることにより、濾材表面で捕集された固形不
純物及び助濾剤を除去し、脱水機４５に送り、該脱水機
４５で低含水率のケークを生成する。これにより、長時
間に渡り、正常な濾過作用を継続させることができる。
【００４２】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ポ
リッシング装置からの排気を排気ダクトで導いてガス除
害塔で処理することにより、排気の観点での制約がなく
なり、ポリッシング装置をクリーンルーム内に設置する
ことが可能になる。また、本発明によって、研磨排液の
清浄化処理を十分にかつ効率的に行うことが可能にな
る。これらの排気と排液の処理により、砥粒、研磨屑と
いう固体微粒子及び薬液とそのミストを伴うポリッシン
グ装置に関して、十分な環境対策が施されることにな
る。更に、排気処理で発生する洗浄液を研磨排液の処理
工程に導いて一括で処理することにより、砥粒、研磨屑
という固定微粒子を含んだ洗浄液を適切に処理できると
ともに、洗浄液の処理工程を別途設けなくて良いので、
装置の低コスト化と省スペース化をはかれる。
リッシング装置からの排気を排気ダクトで導いてガス除
害塔で処理することにより、排気の観点での制約がなく
なり、ポリッシング装置をクリーンルーム内に設置する
ことが可能になる。また、本発明によって、研磨排液の
清浄化処理を十分にかつ効率的に行うことが可能にな
る。これらの排気と排液の処理により、砥粒、研磨屑と
いう固体微粒子及び薬液とそのミストを伴うポリッシン
グ装置に関して、十分な環境対策が施されることにな
る。更に、排気処理で発生する洗浄液を研磨排液の処理
工程に導いて一括で処理することにより、砥粒、研磨屑
という固定微粒子を含んだ洗浄液を適切に処理できると
ともに、洗浄液の処理工程を別途設けなくて良いので、
装置の低コスト化と省スペース化をはかれる。
【００４３】更に、本発明によれば、排液処理部で汚染
源となるような排ガス等が発生する場合でもその排気を
前述のガス除害塔に導いて処理することができる。以上
のように、排気処理と排液処理が相互に補完し合うよう
に一体となった本発明による処理システムを適用するこ
とにより、ポリッシング装置から排出される排気と排液
という排泄物を総合的に処理し、汚染物質を含まない空
気と水を装置外あるいは系外に排出し、いわゆる廃棄物
としては、含水率の低い状態で、かつ１ヶ所で取り出す
ことができ、排気と排液に関してコンパクトでかつ簡便
なポリッシング装置とすることが可能になる。
源となるような排ガス等が発生する場合でもその排気を
前述のガス除害塔に導いて処理することができる。以上
のように、排気処理と排液処理が相互に補完し合うよう
に一体となった本発明による処理システムを適用するこ
とにより、ポリッシング装置から排出される排気と排液
という排泄物を総合的に処理し、汚染物質を含まない空
気と水を装置外あるいは系外に排出し、いわゆる廃棄物
としては、含水率の低い状態で、かつ１ヶ所で取り出す
ことができ、排気と排液に関してコンパクトでかつ簡便
なポリッシング装置とすることが可能になる。
【図１】本発明のポリッシング装置における排気及び排
液処理装置の全体構成を示す概略図である。
液処理装置の全体構成を示す概略図である。
【図２】本発明のポリッシング装置における排液処理装
置の第２実施例の構成を示す概略図である。
置の第２実施例の構成を示す概略図である。
１ ポリッシング装置 ２ 隔壁 ３ ターンテーブル ４ 半導体ウエハ ５ トップリング ６ 研磨布 ８ 砥液供給ノズル １０ 排気処理装置 １２ ガス除害塔 １３ 洗浄液タンク １４ 充填物 １５ 散液管 １６ 排気管 １７ 循環ポンプ ２４ 仕切壁 ２５ 排気ダクト ２６ 排液受け ２７ 排液配管 ３０，４０ 排液処理装置 ３１ バッファ槽 ３２ 沈澱槽 ３３ 濃縮槽 ３４ 凝集剤タンク ３５ 中和剤タンク ４１ 研磨排液タンク ４２ 濾過器 ４３ 助濾剤投入機 ４４ 助濾剤液タンク ４５ 脱水機 ４６ レギュレータ ４７ 濾過ポンプ ５０ オイルパン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｂ０１Ｄ 36/04 7305−4Ｄ 53/18 ＺＡＢ Ｃ 53/34 ＺＡＢ 53/77 ＺＡＢ Ｂ２４Ｂ 37/04 Ｚ 7528−3Ｃ 55/06 9422−3Ｃ Ｃ０２Ｆ 1/52 ＺＡＢ Ｋ 9042−4Ｄ (72)発明者 石川 誠二 東京都大田区羽田旭町11番１号 株式会社 荏原製作所内
Claims (11)
- 【請求項１】 半導体ウエハと研磨布とを接触させて相
対運動させ、これらの接触面に研磨砥液を供給しつつ、
該半導体ウエハの接触面を研磨するポリッシング装置か
ら排出される排気ガス及び研磨排液を処理するポリッシ
ング装置における排気及び排液処理装置であって、 前記ポリッシング装置を覆う隔壁内に排気ダクトを設
け、該排気ダクトを排風装置を介してガス除害塔に連通
し、 前記ポリッシング装置の研磨布の下方に排液受けを設
け、該排液受けを排液処理装置に連通させたことを特徴
とするポリッシング装置における排気及び排液処理装
置。 - 【請求項２】 前記ガス除害塔の洗浄液タンク内の洗浄
液を前記排液処理装置に導く配管を設けたことを特徴と
する請求項１記載のポリッシング装置における排気及び
排液処理装置。 - 【請求項３】 前記排液処理装置の排液槽内の排気を前
記ガス除害塔に導くダクトを設けたことを特徴とする請
求項１記載のポリッシング装置における排気及び排液処
理装置。 - 【請求項４】 前記排液処理装置によって清浄化された
液体を、前記ガス除害塔へ導く配管を設けたことを特徴
とする請求項１記載のポリッシング装置における排気及
び排液処理装置。 - 【請求項５】 前記ポリッシング装置の排気ダクトにダ
ンパを設け、研磨後の半導体ウエハを研磨終了から次工
程へ搬送する間で、かつ他の半導体ウエハを研磨してい
ない間は、前記ダンパを閉じるようにしたことを特徴と
する請求項１記載のポリッシング装置における排気及び
排液処理装置。 - 【請求項６】 前記ダンパは前記ポリッシング装置のタ
ーンテーブルの回転・停止と同期して開閉するようにし
たことを特徴とする請求項５記載のポリッシング装置に
おける排気及び排液処理装置。 - 【請求項７】 前記ダンパは前記ポリッシング装置のト
ップリングの上昇・下降又は揺動の作動・停止と同期し
て開閉するようにしたことを特徴とする請求項５記載の
ポリッシング装置における排気及び排液処理装置。 - 【請求項８】 半導体ウエハと研磨布とを接触させて相
対運動させ、これらの接触面に研磨砥液を供給しつつ、
該半導体ウエハの接触面を研磨するポリッシング装置か
ら排出される排気ガスを処理するポリッシング装置にお
ける排気処理装置であって、 前記ポリッシング装置から排出される酸性又はアルカリ
性ガスを含む排気を排気ダクトを通してガス除害塔に導
き、該排気中から酸性又はアルカリ性ガスを除去し、中
性排気として前記ガス除害塔から排出することを特徴と
するポリッシング装置における排気処理装置。 - 【請求項９】 半導体ウエハと研磨布とを接触させて相
対運動させ、これらの接触面に研磨砥液を供給しつつ、
該半導体ウエハの接触面を研磨するポリッシング装置か
ら排出される研磨排液を処理するポリッシング装置にお
ける排液処理装置であって、 前記研磨排液を回収貯蔵するバッファ槽と、回収した排
液中の固体成分と液体成分とを分離する沈澱槽と、該沈
澱槽に沈澱を促進するための凝集剤を供給する凝集剤供
給手段とを備えたことを特徴とするポリッシング装置に
おける排液処理装置。 - 【請求項１０】 半導体ウエハと研磨布とを接触させて
相対運動させ、これらの接触面に研磨砥液を供給しつ
つ、該半導体ウエハの接触面を研磨するポリッシング装
置から排出される研磨排液を処理するポリッシング装置
における排液処理装置であって、 濾材を充填した濾過器と、該濾過器の濾材に助濾剤を充
填する助濾剤充填手段と、前記濾材に助濾剤を充填した
後、前記濾過器に研磨排液を供給して該濾材を通過させ
る研磨排液供給手段と、前記濾材に研磨排液中の固形不
純物が所定量捕集されたら該濾材に前記研磨排液の供給
方向とは反対方向から流体を送り該濾材に充填された前
記助濾剤及び前記捕集された粒状物をドレン液と共に除
去する逆洗手段とを備えたことを特徴とするポリッシン
グ装置における排液処理装置。 - 【請求項１１】 前記逆洗手段により除去されたドレン
液の中から前記助濾剤及び固形不純物を極めて低い含水
率のケークとして取り出す脱水手段を具備することを特
徴とする請求項１０記載のポリッシング装置の排液処理
装置。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP21199794A JP3654665B2 (ja) | 1993-08-16 | 1994-08-12 | ポリッシング装置における排気及び排液処理装置 |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22384693 | 1993-08-16 | ||
| JP22520293 | 1993-08-17 | ||
| JP5-223846 | 1993-08-17 | ||
| JP5-225202 | 1993-08-17 | ||
| JP21199794A JP3654665B2 (ja) | 1993-08-16 | 1994-08-12 | ポリッシング装置における排気及び排液処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07108458A true JPH07108458A (ja) | 1995-04-25 |
| JP3654665B2 JP3654665B2 (ja) | 2005-06-02 |
Family
ID=27329309
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21199794A Expired - Fee Related JP3654665B2 (ja) | 1993-08-16 | 1994-08-12 | ポリッシング装置における排気及び排液処理装置 |
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|---|---|
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6116986A (en) * | 1996-11-14 | 2000-09-12 | Ebara Corporation | Drainage structure in polishing plant and method of polishing using structure |
| KR100523384B1 (ko) * | 2002-05-11 | 2005-10-24 | 최경수 | 가스 스크러버의 제어장치 |
| JP2012503557A (ja) * | 2008-09-24 | 2012-02-09 | シーアンドジーハイテク株式会社 | 半導体用スラリー供給装置及びスラリー供給方法 |
| JP2012061426A (ja) * | 2010-09-16 | 2012-03-29 | Nippon Solid Co Ltd | 原水の処理方法 |
| US9303329B2 (en) | 2013-11-11 | 2016-04-05 | Tel Nexx, Inc. | Electrochemical deposition apparatus with remote catholyte fluid management |
| CN114952612A (zh) * | 2022-05-20 | 2022-08-30 | 深圳市普盛旺科技有限公司 | 抛光研磨液过滤设备和抛光研磨液循环过滤系统 |
-
1994
- 1994-08-12 JP JP21199794A patent/JP3654665B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6116986A (en) * | 1996-11-14 | 2000-09-12 | Ebara Corporation | Drainage structure in polishing plant and method of polishing using structure |
| US6428400B1 (en) | 1996-11-14 | 2002-08-06 | Ebara Corporation | Drainage structure in polishing plant |
| KR100523384B1 (ko) * | 2002-05-11 | 2005-10-24 | 최경수 | 가스 스크러버의 제어장치 |
| JP2012503557A (ja) * | 2008-09-24 | 2012-02-09 | シーアンドジーハイテク株式会社 | 半導体用スラリー供給装置及びスラリー供給方法 |
| JP2012061426A (ja) * | 2010-09-16 | 2012-03-29 | Nippon Solid Co Ltd | 原水の処理方法 |
| US9303329B2 (en) | 2013-11-11 | 2016-04-05 | Tel Nexx, Inc. | Electrochemical deposition apparatus with remote catholyte fluid management |
| CN114952612A (zh) * | 2022-05-20 | 2022-08-30 | 深圳市普盛旺科技有限公司 | 抛光研磨液过滤设备和抛光研磨液循环过滤系统 |
| CN114952612B (zh) * | 2022-05-20 | 2023-05-30 | 深圳市普盛旺科技有限公司 | 抛光研磨液过滤设备和抛光研磨液循环过滤系统 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3654665B2 (ja) | 2005-06-02 |
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